JPH0718996B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JPH0718996B2
JPH0718996B2 JP60146126A JP14612685A JPH0718996B2 JP H0718996 B2 JPH0718996 B2 JP H0718996B2 JP 60146126 A JP60146126 A JP 60146126A JP 14612685 A JP14612685 A JP 14612685A JP H0718996 B2 JPH0718996 B2 JP H0718996B2
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liquid crystal
electrode
crystal display
flc
display device
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喬 犬島
晃 間瀬
利光 小沼
光範 坂間
敏次 浜谷
稔 宮崎
かおる 小柳
利治 山口
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Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 この発明は、強誘電性液晶(以下FLCという)を用いた
表示パネルを設けることにより、マイクロコンピュー
タ、ワードプロセッサまたはテレビ等の表示部の薄膜化
を図る液晶表示装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Use of the Invention" The present invention provides a display panel using a ferroelectric liquid crystal (hereinafter referred to as FLC) to reduce the thickness of a display portion of a microcomputer, a word processor, a television, or the like. The present invention relates to a liquid crystal display device.

「従来の技術」 固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなパネルとして、従来
は、二周波液晶例えばツウィスティック・ネマチック液
晶(以下TN液晶という)を用い、横方向400素子または
縦方向200素子とするA4判サイズの単純マトリックス構
成にマルチプレキシング駆動方式を用いた表示装置が知
られている。
“Prior Art” In a solid-state display panel, a method of independently controlling each pixel is effective for a large area. Conventionally, as such a panel, a dual-frequency liquid crystal, for example, a twisty nematic liquid crystal (hereinafter referred to as TN liquid crystal) is used, and a multiplexing driving method is applied to a simple matrix configuration of A4 size with 400 elements in the horizontal direction or 200 elements in the vertical direction. A display device using is known.

しかし、これ以上の画素数を有する大面積の表示装置を
作るのに、TN液晶を用いることは周波数特性の限界によ
り不可能であることが判明した。加えて、それぞれの画
素を所定の距離離間し、マトリックス状に配設せしめて
も、隣の画素との間でクロストーク(電気的に弱く導通
してしまう現象)をしてしまいやすい。そのため一方が
ON,他方がOFF機能を作っても、画素のそれぞれが十分な
ONまたはOFFをとり得ず、コントラストに不十分さが発
生してしまった。
However, it has been found that it is impossible to use a TN liquid crystal to make a large-area display device having more pixels than this due to the limit of frequency characteristics. In addition, even if the pixels are arranged in a matrix with a predetermined distance therebetween, crosstalk (a phenomenon in which electrical conduction is weak and weak) between adjacent pixels is likely to occur. Therefore one side
Even if the ON function and the other function are turned off, each pixel has enough
I could not turn it on or off, and the contrast was insufficient.

かかる欠点を除去するため、各画素にアクティブ素子を
連結する方式が知られている。その代表的例は素子とし
てTFT(薄膜型絶縁ゲイト電界効果半導体装置)を用い
るものである。
In order to eliminate such a defect, a method of connecting an active element to each pixel is known. A typical example thereof uses a TFT (thin film insulating gate field effect semiconductor device) as an element.

また、非線型素子を用いる方法が知られている。Further, a method using a non-linear element is known.

さらにパッシブ型構成(単純マトリックス方式)におい
て、液晶として従来より公知のTN型液晶を用いるのでは
なく、FLCを用いることが試みられているが、クロス・
トークを有し、最善とはいえない。
Further, in the passive type configuration (simple matrix type), it has been attempted to use FLC instead of the conventionally known TN type liquid crystal as a liquid crystal.
Having a talk, not the best.

このFLCはメモリ機能を有する双安定性の液晶であり、
特に周波数特性に優れている。
This FLC is a bistable liquid crystal with a memory function,
Particularly excellent in frequency characteristics.

以上の如く、これらを組合わせた方式、即ち、パッシブ
方式(以下Pという)またはTFTを用いる方式、さらに
液晶にTNを用いる方式またはFLCを用いる方式を検討す
ると、以下の表1の如くになる。
As described above, when a method combining these methods, that is, a method using a passive method (hereinafter referred to as P) or a method using a TFT, a method using a TN for a liquid crystal or a method using an FLC, is as shown in Table 1 below. .

但し、◎は非常に良、○は良、△はやや不可、×は不可
を示す。
However, ⊚ indicates very good, ∘ indicates good, Δ indicates slightly unsatisfactory, and x indicates unsatisfactory.

以上の4つの方式を考える時、どの方式においても×印
が必ず存在し、これらのいずれにおいても最終的な答え
がないことが判明した。
When considering the above four methods, it was found that there is always an X mark in any method, and there is no final answer in any of these methods.

その結果、これらの4つの方式以外の方式が求められ
る。
As a result, methods other than these four methods are required.

かかる問題を解決するため、本出願人はアクティブ素子
として双方向性の非線型素子(以下NEという)とFLCと
を結合せしめた。(特願昭59−183347,59−183348,59−
183349,60−10299等参照)以下に、非線型素子としての
理想構造および特に知られているMIM(導体−絶縁膜−
導体)構造およびSCLAD(空間電荷制限電流を用いた複
合型ダイオード)構造と比較した。
In order to solve such a problem, the applicant has combined a bidirectional nonlinear element (hereinafter referred to as NE) and an FLC as an active element. (Japanese Patent Application Sho 59-183347,59-183348,59-
183349, 60-10299, etc.) Below, an ideal structure as a non-linear element and a particularly known MIM (conductor-insulating film-
(Conductor) structure and SCLAD (complex diode using space charge limited current) structure.

表2にその概要を示す。Table 2 shows the outline.

以上において明らかなごとく、本発明は非線型素子とFL
Cとを用いるため、双方が相乗的に動作しあいクロス・
トークがなく、プロセスはそれほど複雑にならず、FLC
を用いるため視野角も向上でき、理想的にきわめて近い
構成であることがわかった。
As is clear from the above, the present invention can be applied to non-linear elements and FL
Since C and C are used, both work synergistically and cross
No talk, the process isn't too complicated and the FLC
It was found that the configuration is very close to ideal because the angle of view can be improved by using.

このため、特に本発明に述べる如く、非線型素子と強誘
電性液晶とを直列に連結して設ける画素によって初めて
大型大面積液晶ディスプレイの製造が可能であることが
判明した。
Therefore, as described in the present invention, it has been found that a large-sized large-area liquid crystal display can be manufactured for the first time by using pixels provided by connecting a non-linear element and a ferroelectric liquid crystal in series.

一方、これらの構成を用いて、工業的に大型ディスプレ
イを製造する場合、大きな問題点として、FLCを液晶セ
ルに対して平行に配列させることが非常にむずかしい技
術であった。特に、大面積となった場合、均一な配向が
得られるように数々の努力がなされている。
On the other hand, in the case of industrially manufacturing a large-sized display using these configurations, it has been a very difficult technique to arrange FLCs in parallel with the liquid crystal cell, which is a serious problem. In particular, various efforts have been made to obtain a uniform orientation in the case of a large area.

「発明の目的」 本発明は大面積の均一な分子配列を有するドメインを簡
単な方法により実現することを目的としている。
"Object of the Invention" The present invention aims to realize a domain having a large area and a uniform molecular arrangement by a simple method.

「発明の構成」 本発明は、基板上に複数のアクティブ素子を有する強誘
電性液晶を用いた画素を直列に連結してマトリックス状
に配設した固体表示装置において、前記画素で構成する
一対の電極の内側は前記アクティブ素子側の電極上がラ
ビング処理がなされない非対称配向処理がなされ、前記
アクティブ素子側の電極上には1.1.1.トリメチルシラザ
ンよりなる界面活性剤が塗布されていることを特徴とし
ている。
“Structure of the Invention” The present invention relates to a solid-state display device in which pixels using a ferroelectric liquid crystal having a plurality of active elements on a substrate are connected in series and arranged in a matrix. The inside of the electrode is subjected to an asymmetric alignment treatment in which the electrode on the side of the active element is not rubbed, and the electrode on the side of the active element is coated with a surfactant consisting of 1.1.1.trimethylsilazane. It has a feature.

すなわち本発明は強誘電性液晶(FLC)を用いた、各画
素を構成する電極にアクティブ素子が連結した液晶表示
装置であって、液晶を挟む一対の基板のうちアクティブ
素子が設けられた基板側の電極上がラビング処理されて
おらず、相対向する一方の基板側の電極上がラビング処
理された、いわゆる非対称配向処理されたものにおい
て、前記アクティブ素子が設けられた基板側の電極上に
は界面活性剤として知られている1.1.1.トリメチルシラ
ザンが塗布されたものである。
That is, the present invention is a liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal (FLC), in which an active element is connected to an electrode forming each pixel, and a substrate side provided with an active element among a pair of substrates sandwiching a liquid crystal. The electrode is not rubbed, but the opposite one of the electrodes on the substrate side is rubbed, in the so-called asymmetric alignment treatment, the electrode on the substrate side on which the active element is provided is Known as a surfactant, 1.1.1. Trimethylsilazane is applied.

本発明は上記構成により、非対称配向処理を施された液
晶表示装置において、該処理によって生じるそれぞれの
基板に接する液晶分子のプレチルト角の差異を是正し、
大面積において均一な液晶分子の配列を有するドメイン
を実現することができる。
In the liquid crystal display device that has been subjected to the asymmetric alignment treatment, the present invention corrects the difference in the pretilt angle of the liquid crystal molecules in contact with each substrate, which is caused by the treatment.
It is possible to realize a domain having a uniform arrangement of liquid crystal molecules in a large area.

「実施例1」 第2図は本発明の液晶表示装置を用いた回路図を示す。Example 1 FIG. 2 shows a circuit diagram using the liquid crystal display device of the present invention.

図面において、画素はSCLAD(2)の電極(21)(第1
の電極)(図面では数字を矩形で取り囲む記号で示す)
より強誘電性液晶(3)の一方の電極(23)(第3の電
極)に連結している。SCLADはY配線(4),(5)に
第2の電極(22)により連結している。他方、FLC
(3)の第4の電極(24)(対抗電極)はX配線
(6),(7)に連結している。X配線はFLC(3)の
第3の電極(23)に対応して他の透光性絶縁基板代表的
にはガラス基板(第1図(C)における(20′))側に
密接して設けている(第2図、第1図(C)における
(6)または(24))。
In the drawing, the pixel is the electrode (21) of the SCLAD (2) (first
Electrode) (In the drawing, the numbers are surrounded by rectangles.)
It is connected to one electrode (23) (third electrode) of the ferroelectric liquid crystal (3). The SCLAD is connected to the Y wirings (4) and (5) by the second electrode (22). On the other hand, FLC
The fourth electrode (24) (counter electrode) of (3) is connected to the X wirings (6) and (7). The X-wiring corresponds to the third electrode (23) of the FLC (3) and is closely attached to another translucent insulating substrate, typically a glass substrate ((20 ') in FIG. 1C). It is provided ((6) or (24) in FIGS. 2 and 1C).

かくの如き複合ダイオードを用いた画素の一部である非
線形素子の製造工程およびその特性の例を第3図,第4
図に示す。
An example of the manufacturing process of the non-linear element which is a part of the pixel using such a composite diode and its characteristics are shown in FIGS.
Shown in the figure.

この第3図の製造工程は、第1図(A)は第2図破線で
囲んだ領域(1)を示すが、この第1図(A)における
(40)の領域を特に拡大して製造する場合に対応してい
る。
In the manufacturing process of FIG. 3, the area (1) surrounded by the broken line in FIG. 1 is shown in FIG. 1 (A), but the area (40) in FIG. It corresponds to when.

第3図(A),(B),(C),(D)は第1図(D)
に対応している。
3 (A), (B), (C), and (D) are shown in FIG. 1 (D).
It corresponds to.

第3図(A)において、透光性絶縁基板としてコーニン
グ7059ガラス(20)を用いた。この上面にスパッタ法ま
たは電子ビーム蒸着法により、導電膜(22)であるモリ
ブデンを0.1〜0.5μの厚さに形成した。
In FIG. 3 (A), Corning 7059 glass (20) was used as the translucent insulating substrate. Molybdenum, which is a conductive film (22), was formed to a thickness of 0.1 to 0.5 μm on the upper surface by a sputtering method or an electron beam evaporation method.

この後、これらの全面に光CVD法またはプラズマCVD法を
用いて非単結晶半導体膜を形成した。その厚さはN型半
導体(13)(0.1μ)−I型半導体(14)(0.3μ)−N
型半導体(15)(500Å)のNIN接合を有するSCLADとし
た。
After that, a non-single-crystal semiconductor film was formed over these entire surfaces by a photo CVD method or a plasma CVD method. The thickness is N type semiconductor (13) (0.1μ) -I type semiconductor (14) (0.3μ) -N
SCLAD with NIN junction of type semiconductor (15) (500Å).

この後、この上面に、クロム(21)を電子ビーム蒸着法
またはスパッタ法により0.1〜0.2μの厚さに積層した。
Then, chromium (21) was laminated on the upper surface by electron beam evaporation or sputtering to a thickness of 0.1 to 0.2 μm.

さらに第3図(B)に示す如く、第1のフォトマスク
により周辺部を垂直になるように異方性プラズマエッチ
を行い、積層体(50)を設けた。
Further, as shown in FIG. 3 (B), anisotropic plasma etching was performed with the first photomask so that the peripheral portion was vertical, and the laminate (50) was provided.

次にこれらの全面に感光性ポリイミド樹脂(27)をコー
ティング法にて約1μの厚さに形成させた。
Next, a photosensitive polyimide resin (27) was formed on the entire surfaces of these by a coating method to a thickness of about 1 μm.

かくして、積層体(50)の電極(21)上面とポリイミド
樹脂(27)の上面(39)とは積層体の凸部を除きキュア
後で絶縁物表面と積層体表面とがなめらかに連続した構
造となるようにさせた。即ち、ガラス基板(20)側の裏
面側より紫外光を公知のマスクアライナによりマスクを
用いることなくガラス面側から露光させた。例えばコビ
ルト社のアライナでは約2分間露光した。その強度が30
0〜400nmの波長の紫外光(19mW/cm2)においては15〜30
秒で十分である。
Thus, the upper surface of the electrode (21) of the laminate (50) and the upper surface (39) of the polyimide resin (27) have a structure in which the surface of the insulator and the surface of the laminate are smoothly continuous after curing except for the convex portions of the laminate. I was made to become. That is, ultraviolet light was exposed from the back surface side of the glass substrate (20) side from the glass surface side by using a known mask aligner without using a mask. For example, an aligner manufactured by Cobilt Co., Ltd. was exposed for about 2 minutes. Its strength is 30
15 to 30 for ultraviolet light (19 mW / cm 2 ) with a wavelength of 0 to 400 nm
Seconds are enough.

すると、側面(26)を有する積層体(厚さ約1μ)(5
0)に対し蔭となるその上方の凸領域は感光せず、その
側周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リンス
液により非感光性の凸部を溶去した。
Then, a laminate having a side surface (26) (thickness of about 1 μ) (5
In contrast to 0), the convex area above it, which is shaded, is not exposed, and only the periphery of that side is exposed. After further development, the non-photosensitive protrusions were removed by a rinse liquid.

次にこれらすべてを180℃30分+300℃30分+400℃30分
の加熱を窒素中で行いキュアさせた。かくして積層体の
上面である非線型素子の第2の電極をフォトマスクを用
いることなく露呈せしめるに加えて、この上面と周辺部
のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とをなめらかに連続さ
せ、第3図(C)を得ることが可能となった。
Then, all of these were heated at 180 ° C. for 30 minutes + 300 ° C. for 30 minutes + 400 ° C. for 30 minutes in nitrogen to be cured. Thus, in addition to exposing the second electrode of the non-linear element, which is the upper surface of the laminated body, without using a photomask, the upper surface and the peripheral surface of the polyimide resin insulator are smoothly continuous to form a third electrode. It is possible to obtain the figure (C).

次にこの第3図(C)の上面全面にFLCの電極(第3の
電極)用にITOを0.1〜0.3μの厚さにスパッタ法または
電子ビーム蒸着法により形成させた。さらにこの電極を
所定の形状、例えば120μ×420μの1画素の電極に第2
のフォトマスク()により選択エッチングを行った。
さらにこの上面に非対称配向層の一方の非ラビング層
(ラビング処理を行わない層)(25)としてアルミナ、
酸化珪素または弗化マグネシューム等の無機材料を用
い、50〜300Åの厚さに電子ビーム蒸着法にて形成し
た。
Next, on the entire upper surface of FIG. 3 (C), ITO was formed as a FLC electrode (third electrode) to a thickness of 0.1 to 0.3 .mu. By sputtering or electron beam evaporation. Further, this electrode is formed into a predetermined shape, for example, a second pixel electrode of 120 μ × 420 μ
Selective etching was performed using the photomask ().
Further, on this upper surface, alumina as one non-rubbing layer (layer not subjected to rubbing treatment) (25) of the asymmetric alignment layer,
An inorganic material such as silicon oxide or magnesium fluoride was used and formed by electron beam evaporation to a thickness of 50 to 300 Å.

かくしてY方向のリード(6)に連結した第2の電極
(22)とその上のSCLAD(2)さらに上側の第1の電極
(21)の積層体(50)を有し、この第1の電極に密接し
てFLCの第3の電極(23)を設け得る。そしてこのため
には2枚のフォトマスク即ち1回のマスク合わせにより
各画素に対応したアクティブ素子を設けることができ
た。このSCLAD構造の記号が第2図において(2)とし
て記されている。
Thus, the second electrode (22) connected to the lead (6) in the Y direction, the SCLAD (2) on the second electrode (22) and the laminated body (50) of the upper first electrode (21) are provided. A third electrode (23) of the FLC may be provided close to the electrode. For this purpose, it is possible to provide an active element corresponding to each pixel by two photomasks, that is, one mask alignment. The symbol of this SCLAD structure is marked as (2) in FIG.

結果として、第4図(A)に示す如き非線型特性(電極
面積120μ×420μ)を第3図(縦軸は絶対値をログスケ
ールにて示している)に対応して有せしめることができ
た。
As a result, the non-linear characteristic (electrode area 120 μ × 420 μ) as shown in FIG. 4 (A) can be provided corresponding to FIG. 3 (the vertical axis shows the absolute value on a log scale). It was

液晶表示素子としての画素を構成するため、第1図
(C),(D)に示す如く、互いに対抗した基板の内側
にラビング配向処理を行ってあるX方向のリードおよび
対抗電極(24)を設けてある。そしてこの一対の電極
(23),対抗電極(24)の内側に、非対称配向膜(2
5),(25′)を設け、これによりFLC(厚さ2μ)を挟
んである。対抗電極(24)には希釈された1.1.1.トリメ
チルシラザンを塗布後、ナイロンを0.1μの厚さにスピ
ン法により設け、公知のラビング処理をした。ラビング
処理の一例としてナイロンをラビング装置に900PPMで回
転させ、その表面を2m/分の速度で基板を数回たとえば
5回移動させて形成した。また一方の電極(23)上には
1.1.1.トリメチルシラザンを塗布後、溶媒を除去し、ラ
ビング処理を行わない配向膜とし、対抗電極(24)上に
1.1.1.トリメチルシラザンを塗布後には有機化合物の膜
を形成しラビング処理を行い配向膜としてさらにこの間
にはFLC例えばDOBAMBCとMBRAのブレンドを行ったものを
注入したセルサイズは100mm×300mmであったが、このサ
イズ全体に均一な良好な配向が得られた。
In order to form a pixel as a liquid crystal display element, as shown in FIGS. 1 (C) and (D), the X-direction lead and the counter electrode (24), which have been subjected to the rubbing alignment treatment, are provided on the inside of the substrates facing each other. It is provided. Then, inside the pair of electrodes (23) and the counter electrode (24), the asymmetric alignment film (2
5) and (25 ') are provided to sandwich the FLC (thickness 2μ). After the diluted 1.1.1.trimethylsilazane was applied to the counter electrode (24), nylon was provided to a thickness of 0.1 μ by a spin method and a known rubbing treatment was performed. As an example of the rubbing treatment, nylon was rotated in a rubbing apparatus at 900 PPM, and the surface was formed by moving the substrate several times, for example, 5 times at a speed of 2 m / min. Also on one electrode (23)
1.1.1. After applying trimethylsilazane, the solvent is removed to form an alignment film without rubbing treatment, and the alignment film is placed on the counter electrode (24).
1.1.1. After coating trimethylsilazane, a film of organic compound is formed, and rubbing treatment is performed to form an alignment film.FlC, for example, DOBAMBC and MBRA blended, is injected.The cell size is 100 mm × 300 mm. However, a good uniform orientation was obtained over this size.

この画素のしきい値特性例を第4図(B)に示す。図面
でも±5V加えることにより曲線(29),(29)を得、透
過、非透過をさせ得、十分反転させるとともにメモリ効
果を示すヒステリシスを得ることが判明判明した。第3
図(4)において縦軸は透過率である。
An example of the threshold characteristic of this pixel is shown in FIG. Also in the drawing, it was found that curves (29) and (29) can be obtained by adding ± 5 V, and transmission and non-transmission can be performed, sufficient inversion can be performed, and hysteresis showing a memory effect can be obtained. Third
In FIG. (4), the vertical axis is the transmittance.

「効果」 本発明は以上に示す如く、ラビング処理を行った配向膜
の下地を非処理側と同一の物質を用いることにより、よ
り一層非対称性が助長され大面積においても良好な均一
配向が簡単に得られた。また図示した如き2×2のマト
リックス構成においても、非線型素子と第1図に示す如
き(1,1)をONとした時、(1,2),(2,2),(2,1)を
経て同時に加えられる電圧に対し非線型素子のOVの電流
値が十分低いため、流れ出ない。その結果、(1,1)をO
Nとした時、同時に他の番地をOFFとしておくことが非線
型素子により初めて可能となり、クロストークを完全に
防ぐことができた。また製造プロセスも実施例に示した
構造においてはきわめて簡単であった。
[Effect] As described above, the present invention uses the same material as the untreated side as the base of the rubbing-treated alignment film, which further promotes asymmetry and facilitates good uniform alignment even in a large area. Was obtained. Also in the 2 × 2 matrix configuration shown in the figure, when the non-linear element and (1,1) shown in FIG. 1 are turned on, (1,2), (2,2), (2,1 The current value of the OV of the non-linear element is sufficiently low with respect to the voltage applied simultaneously via (1), and does not flow out. As a result, (1,1) becomes O
When N was set, it was possible for the first time to turn off other addresses at the same time using a non-linear element, and crosstalk could be completely prevented. The manufacturing process was also extremely simple in the structure shown in the embodiment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の表示パネルの平面図および縦断面図を
示す。 第2図は本発明の液晶表示パネルの回路図を示す。 第3図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
製造工程を示す一方の縦断面図である。 第4図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
非線形素子および強誘電性液晶の動作特性を示す。
FIG. 1 shows a plan view and a vertical sectional view of a display panel of the present invention. FIG. 2 shows a circuit diagram of the liquid crystal display panel of the present invention. FIG. 3 is one longitudinal sectional view showing a manufacturing process of the space charge limited current type composite diode of the present invention. FIG. 4 shows operating characteristics of the nonlinear element and the ferroelectric liquid crystal of the space charge limited current type composite diode of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂間 光範 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 浜谷 敏次 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 宮崎 稔 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 小柳 かおる 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 山口 利治 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 審査官 小橋 立昌 (56)参考文献 特公 平5−2129(JP,B2) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mitsunori Sakama 7-21-21 Kitakarasuyama, Setagaya-ku, Tokyo Inside Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Toshiji Hamaya 7-21 Kitakarasuyama, Setagaya-ku, Tokyo No. 21 Incorporated Semiconductor Energy Laboratory (72) Inventor Minoru Miyazaki 7-21-21 Kitakarasuyama, Setagaya-ku, Tokyo Incorporated Semiconductor Energy Laboratory (72) Inventor Kaoru Koyanagi 7 Kitakarasuyama, Setagaya-ku, Tokyo 21-21 21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Toshiharu Yamaguchi 7-21-21 Kitakarasyama, Setagaya-ku, Tokyo Ritsumasa Kobashi (56) References Examiner, Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Flat 5-2129 (JP, B2)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に複数のアクティブ素子を有する強
誘電性液晶を用いた画素を直列に連結してマトリックス
状に配設した液晶表示装置において、前記画素で構成す
る一対の電極の内側は前記アクティブ素子側の電極上が
ラビング処理がなされない非対称配向処理がなされ、前
記アクティブ素子側の電極上には1.1.1.トリメチルシラ
ザンよりなる界面活性剤が塗布されていることを特徴と
する液晶表示装置。
1. In a liquid crystal display device in which pixels using a ferroelectric liquid crystal having a plurality of active elements on a substrate are connected in series and arranged in a matrix, the inside of a pair of electrodes formed by the pixels is The liquid crystal is characterized in that the electrode on the active element side is subjected to an asymmetric alignment treatment without rubbing treatment, and the electrode on the active element side is coated with a surfactant composed of 1.1.1.trimethylsilazane. Display device.
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