JPH0718443A - Post-treatment of vapor-deposited film - Google Patents
Post-treatment of vapor-deposited filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は蒸着フィルムの後処理
方法に関し、特にプラズマ処理を施したＳｉＯ蒸着フィ
ルムの後処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a post-treatment method for a vapor-deposited film, and more particularly to a post-treatment method for a plasma-treated SiO vapor-deposited film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在のレトル食品用包装機としては、内
部の食品が見え、電子レンジで調理できるように真空蒸
着法によりフィルムへＳｉＯ皮膜をコーティングして製
造される。ＳｉＯ皮膜を蒸着したフィルムは、次のよう
にして製造される。まず、図５の真空蒸着装置について
説明する。図中の符番１は真空槽である。この真空槽１
内には、プラスチックフィルム２を払い出す払出しロー
ル３、前記フィルム２にＳｉＯ蒸気４を蒸着するるつぼ
５、ＳｉＯ蒸着フィルム６を巻き取る巻取りロール７が
夫々配置されている。次に、ＳｉＯ皮膜を蒸着したフィ
ルムは、上記真空蒸着装置を用いて次のようにして製造
される。まず、真空槽１内で払出しロール３から払い出
されたプラスチックフィルム２に、るつぼ５から供給さ
れるＳｉＯ蒸気４を蒸着し、ＳｉＯ蒸着フィルム６とし
て巻取りロール７に巻き取られる。なお、ＳｉＯ蒸着フ
ィルムは次工程へ送られる。2. Description of the Related Art The present retort food packaging machine is manufactured by coating a SiO film on a film by a vacuum deposition method so that food inside can be seen and cooked in a microwave oven. The film on which the SiO film is deposited is manufactured as follows. First, the vacuum vapor deposition apparatus of FIG. 5 will be described. Reference numeral 1 in the figure is a vacuum chamber. This vacuum tank 1
Inside, there are arranged a pay-out roll 3 for paying out the plastic film 2, a crucible 5 for vapor-depositing SiO vapor 4 on the film 2, and a take-up roll 7 for winding the SiO vapor-deposited film 6. Next, the film on which the SiO film is vapor deposited is manufactured as follows using the above vacuum vapor deposition apparatus. First, the SiO vapor 4 supplied from the crucible 5 is vapor-deposited on the plastic film 2 delivered from the delivery roll 3 in the vacuum tank 1, and the SiO vapor-deposited film 6 is taken up by the take-up roll 7. The SiO vapor deposition film is sent to the next step.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＳｉＯ蒸着
フィルムは食品包装用に用いられるため、酸素透過度が
小さい方が望ましい。しかし、真空槽１内の圧力が１×
１０-4Ｔorr 以上であると、ＳｉＯ蒸着膜が多孔質な皮
膜となり、酸素透過度の小さい皮膜が得らない。By the way, since the SiO vapor deposition film is used for food packaging, it is desirable that the film has a low oxygen permeability. However, the pressure in the vacuum chamber 1 is 1 ×
When it is 10 -4 Torr or more, the SiO vapor deposition film becomes a porous film and a film having a low oxygen permeability cannot be obtained.
【０００４】そこで、１×１０-4Ｔorr 以下で真空蒸着
する必要があるが、フィルムからも吸着ガスが放出され
るため、真空ポンプの排気速度を著しく大きいものにし
ている。しかし、長時間真空引きをする必要があり、生
産性が低下する。このようなことから、１×１０-4Ｔor
r 以上の圧力で蒸着した後、何らかの方法で酸素透過度
を小さくする方法が望まれている。しかるに、従来、良
好なガスバリヤ性を有するＳｉＯ蒸着フィルムが製造で
きなかった。Therefore, it is necessary to perform vacuum vapor deposition at 1 × 10 -4 Torr or less, but since the adsorbed gas is also released from the film, the exhaust speed of the vacuum pump is significantly increased. However, it is necessary to evacuate for a long time, which reduces productivity. From this, 1 × 10 -4 Tor
After vapor deposition at a pressure of r or higher, there is a demand for a method of reducing the oxygen permeability by some method. However, heretofore, a SiO vapor deposition film having a good gas barrier property could not be manufactured.
【０００５】この発明はこうした事情を考慮してなされ
たもので、酸素曝露又は酸素を含むプラズマ処理によ
り、良好なガスバリヤ性を有するＳｉＯ蒸着フィルムが
製造しえる蒸着フィルムの後処理方法を提供することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a post-treatment method for a vapor-deposited film capable of producing a SiO vapor-deposited film having good gas barrier properties by oxygen exposure or plasma treatment containing oxygen. With the goal.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、プラ
スチックフィルムの表面にＳｉＯ皮膜を蒸着形成した
後、前記プラスチックフィルムを５０℃以上で保持する
ことを特徴とする蒸着フィルムの後処理方法である。こ
こで、プラスチックフィルムを５０℃以上で保持するの
は、巻き取ったフィルムの層間に酸素が侵入あるいはフ
ィルムからの拡散で供給され、酸化反応を起こすのに必
要であるからである。また、本願第１の発明は、酸素を
含む雰囲気中又は後記本願第２の発明の後処理後に行な
うことが好ましい。The first invention of the present application is a post-processing method for a vapor-deposited film, which comprises depositing a SiO film on the surface of a plastic film by vapor deposition and holding the plastic film at 50 ° C. or higher. Is. Here, the reason why the plastic film is kept at 50 ° C. or higher is that oxygen is supplied between the layers of the wound film by diffusion or diffusion from the film and is necessary for causing an oxidation reaction. The first invention of the present application is preferably performed in an atmosphere containing oxygen or after the post-treatment of the second invention of the present application described later.
【０００７】本願第２の発明は、プラスチックフィルム
の表面にＳｉＯ皮膜を蒸着形成した後、前記プラスチッ
クフィルムを酸素を含む雰囲気中で巻取り又は巻直しす
ることを特徴とする蒸着フィルムの後処理方法である。
ここで、酸素を含む雰囲気中で巻取り又は巻直しするの
は、巻き取ったフィルムの層間に酸素を供給するためで
ある。なお、前記巻直しは、プラスチックを真空中で巻
き取った場合に大気中で行うものである（酸素に曝露す
る）。また、本願第２の発明で、巻取り時のＳｉＯ蒸着
フィルムの温度を５０℃以上にすることが好ましい。こ
の理由は、巻取り時、短時間に酸化を促進するためであ
る。また、巻取り時にＳｉＯ蒸着フィルムの温度が５０
℃未満の場合は、その後５０℃以上の大気中で保持する
ことが好ましい。この理由は、巻取り時、短時間に酸化
を促進するためである。A second invention of the present application is a post-treatment method for a vapor-deposited film, which comprises depositing a SiO film on the surface of a plastic film by vapor deposition and winding or rewinding the plastic film in an atmosphere containing oxygen. Is.
Here, the reason why the film is wound or rewound in an atmosphere containing oxygen is to supply oxygen between the layers of the wound film. The rewinding is performed in the atmosphere when the plastic is wound up in a vacuum (exposed to oxygen). Further, in the second invention of the present application, it is preferable that the temperature of the SiO vapor deposition film at the time of winding is 50 ° C. or higher. The reason for this is to promote oxidation in a short time during winding. Moreover, the temperature of the SiO vapor deposition film is 50 at the time of winding.
When the temperature is lower than 0 ° C, it is preferable to hold it in the air at 50 ° C or higher. The reason for this is to promote oxidation in a short time during winding.
【０００８】本願第３の発明は、プラスチックフィルム
の表面にＳｉＯ皮膜を蒸着形成した後、前記プラスチッ
クフィルムを酸素を含む雰囲気中又は酸素を含む雰囲気
に曝露する前又は曝露した後にプラズマ放電処理するこ
とを特徴とする蒸着フィルムの後処理方法である。A third invention of the present application is that a SiO film is formed by vapor deposition on the surface of a plastic film, and then plasma discharge treatment is performed before or after the plastic film is exposed to an atmosphere containing oxygen or an atmosphere containing oxygen. Is a post-treatment method for a vapor-deposited film.
【０００９】[0009]
【作用】ＳｉＯ皮膜は表面及び粒界から酸化し、粒界の
通気孔を封孔することによりガスバリヤ性が向上する。
そこで、この発明では、ＳｉＯ皮膜を酸素と触れさせる
と同時に、プラズマにより酸素をイオン化，活性化，ラ
ジアル化し、反応しやすくしている。また、ＳｉＯ皮膜
もプラズマにより、活性化、ラジアル化するため、反応
しやすくなっている。この作用は放電電圧が大きくなれ
ば、プラズマの密度が大きくなるため、より反応しやす
くなり、また酸素濃度が大きくなれば酸素分圧に比例し
て酸化されると考えられる。[Function] The SiO film is oxidized from the surface and grain boundaries, and the gas barrier properties are improved by sealing the ventilation holes at the grain boundaries.
Therefore, in the present invention, the SiO film is brought into contact with oxygen, and at the same time, oxygen is ionized, activated, and radialized by plasma to facilitate reaction. Further, the SiO film is also activated and radialized by the plasma, so that it is easy to react. It is considered that this action is more likely to react because the plasma density increases as the discharge voltage increases, and is oxidized in proportion to the oxygen partial pressure when the oxygen concentration increases.
【００１０】この発明によれば、ＳｉＯ蒸着皮膜の構造
及び組成を透過型電子顕微鏡；光電子分光分析等により
詳細に分析した結果、真空槽内圧力が高い条件で成膜し
たＳｉＯ皮膜は多孔質であり、酸化させることにより緻
密化することが明らかとなった。According to the present invention, as a result of detailed analysis of the structure and composition of the SiO vapor deposition film by a transmission electron microscope; photoelectron spectroscopy analysis, etc., the SiO film formed under the condition of high vacuum chamber pressure is porous. Therefore, it was clarified that densification was caused by oxidation.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照して説明
する。但し、実施例１，２については、次の共通の条件
でＳｉＯを蒸着した。図５に示す真空蒸着装置を用い、
厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルムに、るつぼ加熱温度１２８０℃，真空槽内圧力
５×１０-4Ｔorr で厚さ８０nmのＳｉＯ皮膜を蒸着し
た。酸素透過度はＪＩＳＫ７１２６に準拠し測定した。
判定は、〇以上が望ましいが、△でも用途によっては十
分実用レベルであり、△，〇， （実施例１）蒸着終了後巻きとったロールを大気中へ取
り出し、大気雰囲気の恒温槽に５時間又は４８時間保持
した後、酸素透過度を測定した。サンプルは、巻きとっ
たロールの内に近い部分で採取した。結果を下記「表
１」のＮｏ．１〜５に示す。恒温槽の温度が５０℃以上
で急に酸素透過度が低下することが分かった。これは、
フィルムの酸化がこの温度以上で急に進み、緻密化して
酸素透過速度が小さくなったものと考えられる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, in Examples 1 and 2, SiO was deposited under the following common conditions. Using the vacuum vapor deposition device shown in FIG.
25 μm thick polyethylene terephthalate (PET)
A SiO film having a thickness of 80 nm was vapor-deposited on the film at a crucible heating temperature of 1280 ° C. and a vacuum chamber internal pressure of 5 × 10 −4 Torr. The oxygen permeability was measured according to JIS K7126.
Judgment is preferably ◯ or more, but Δ is still at a practical level depending on the application. △, 〇, (Example 1) After the vapor deposition, the wound roll is taken out into the atmosphere and placed in a constant temperature bath for 5 hours. Alternatively, the oxygen permeability was measured after holding for 48 hours. The sample was taken at a portion close to the inside of the wound roll. The results are shown in Table 1 below. It shows in 1-5. It was found that the oxygen permeability suddenly decreased when the temperature in the constant temperature bath was 50 ° C or higher. this is,
It is considered that the oxidation of the film suddenly proceeded above this temperature, densified, and the oxygen permeation rate decreased.
【００１２】[0012]
【表１】 [Table 1]
【００１３】（実施例２）蒸着後の巻き取ったロールを
図２に示す装置で大気中巻き直し、酸素透過度を調べ
た。結果を「表１」のＮｏ．１１〜２１に示す。なお、
図２において、符番11はＳｉＯ蒸着フィルム（内側が蒸
着面）12を払い出す払出しロール、符番13は巻取りロー
ル、符番14は巻き取る前のＳｉＯ蒸着フィルム12を加熱
するハロゲンランプ、符番15は加熱後の前記フィルム12
にガスを吹き付けるガス吹付ノズルである。Ｎｏ．１〜
３に比較して大気中で巻き直すだけで大きく酸素透過度
が低減できた（Ｎｏ．１１）。また、巻き直し時にフィ
ルムを５０℃に加熱するだけで更に酸素透過度が低減で
きた（Ｎｏ．１２）。これは、Ｎｏ．４〜５の場合と同
様、ＳｉＯ皮膜が酸化し、ＳｉＯ2 に近くなり緻密化し
ているためと考えられるので、酸素を吹き付けた（Ｎ
ｏ．１３）。これにより、更に酸素透過度の低減が可能
であった。Example 2 The rolled roll after vapor deposition was rewound in the atmosphere by the apparatus shown in FIG. 2 and the oxygen permeability was examined. The result is No. 1 in "Table 1". 11 to 21. In addition,
In FIG. 2, reference numeral 11 is a pay-out roll for paying out the SiO vapor deposition film (inside is a vapor deposition surface) 12, reference numeral 13 is a winding roll, reference numeral 14 is a halogen lamp for heating the SiO vapor deposition film 12 before winding, Reference numeral 15 is the film 12 after heating.
It is a gas spray nozzle that sprays gas onto. No. 1 to
Compared with No. 3, the oxygen permeability could be greatly reduced only by rewinding in air (No. 11). Further, the oxygen permeability could be further reduced only by heating the film to 50 ° C. at the time of rewinding (No. 12). This is No. As in the case of Nos. 4 to 5, it is considered that the SiO film was oxidized and became close to SiO 2 and became dense, so oxygen was blown (N
o. 13). Thereby, it was possible to further reduce the oxygen permeability.
【００１４】次に、大気中常温で巻き直し、大気雰囲気
の恒温槽に保持した（Ｎｏ．１４〜１７）。この場合、
Ｎｏ．２〜３では効果が認められなかった３０℃，４０
℃でも酸素透過度が低減できた。この差は、Ｎｏ．２〜
３では真空中で巻き取ったままのため、ＳｉＯ皮膜が十
分酸化するための酸素が不足しているためであると考え
られる。また、大気中５０℃で巻き直した後、大気雰囲
気の恒温槽で保持した結果を、「表１」のＮｏ．１８〜
Ｎｏ．２１に示す。恒温槽保持のないＮｏ．１２に比較
してさらなる酸素透過度の低減が可能であった。Then, the film was rewound at room temperature in the air and held in a thermostatic chamber in the air atmosphere (Nos. 14 to 17). in this case,
No. No effect was observed in 2-3, 30 ° C, 40
The oxygen permeability could be reduced even at ℃. This difference is 2 to
In No. 3, it is considered that oxygen is insufficient for the SiO film to be sufficiently oxidized because it is still wound in a vacuum. Moreover, after rewinding in the air at 50 ° C., the result of holding in a constant temperature bath in the air atmosphere was No. 1 in “Table 1”. 18 ~
No. 21. No. that does not have a constant temperature bath It was possible to further reduce the oxygen permeability as compared with 12.
【００１５】（実施例３）まず、図１の連続真空蒸着装
置について説明する。但し、図２と同部材は同符号を付
して説明を省略する。図中の符番21は、払出しロール11
により払い出されるＰＥＴフィルムである。前記払出し
ロール11の近くには、内部にるつぼ22を配置した真空槽
23が配置されている。(Embodiment 3) First, the continuous vacuum vapor deposition apparatus of FIG. 1 will be described. However, the same members as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Reference numeral 21 in the figure indicates a payout roll 11
It is a PET film dispensed by. A vacuum chamber having a crucible 22 inside is disposed near the dispensing roll 11.
23 are arranged.
【００１６】図１の装置を用いて、ＳｉＯ蒸着フィルム
12を大気中で巻き取る時に、前記ＳｉＯ蒸着フィルム12
の蒸着面にガス吹付ノズル15よりガスを吹き付け、ハロ
ゲンランプ14により前記フィルム12を加熱した。そのよ
うに処理されて巻かれたフィルムを常温大気中におき、
５時間又は４８時間保持した後に巻き取ったロール内部
のＳｉＯ蒸着フィルム12を抽出し、酸素透過度を測定し
た。その結果を、下記「表２」に示す。Using the apparatus of FIG. 1, a SiO vapor deposition film
When the 12 is rolled up in the air, the SiO vapor-deposited film 12
Gas was sprayed from the gas spray nozzle 15 onto the vapor deposition surface of, and the film 12 was heated by the halogen lamp 14. The film thus processed and wound is placed in the ambient temperature atmosphere,
After holding for 5 hours or 48 hours, the SiO vapor-deposited film 12 inside the wound roll was extracted, and the oxygen permeability was measured. The results are shown in "Table 2" below.
【００１７】[0017]
【表２】 [Table 2]
【００１８】大気中でＳｉＯ蒸着フィルム12を巻き取っ
ているので、酸素透過度は減少している。また、酸素ガ
スを吹き付けたあるいはフィルムを加熱し、温度を上昇
させたＳｉＯ蒸着フィルムは更に酸素透過度が減少し
た。真空装置内で巻き取った真空槽内圧力５×１０-4Ｔ
orr ，温度１５００Ｋの条件で蒸着した酸素透過度が約
３×１０-13 ｍｏｌ／ｍ2 ・ｓ・ＰａのＳｉＯ蒸着フィ
ルムをコロナ放電により、以下に示す要領でプラズマ放
電処理した。図３はコロナ放電装置を示す。図中の符番
31は、表面に強誘電体被膜32が形成された冷却ロールで
ある。また、符番33は前記冷却ロールの近くに配置され
た電極であり、この電極33には高周波発振器34が接続さ
れている。Since the SiO vapor deposition film 12 is wound in the atmosphere, the oxygen permeability is reduced. In addition, the oxygen vapor permeability of the SiO vapor deposition film which was blown with oxygen gas or heated to raise the temperature was further reduced. Pressure in the vacuum tank wound in a vacuum device 5 × 10 -4 T
An SiO vapor-deposited film having an oxygen permeability of about 3 × 10 −13 mol / m 2 · s · Pa vapor-deposited under the conditions of orr and temperature of 1500 K was subjected to plasma discharge treatment by corona discharge in the following manner. FIG. 3 shows a corona discharge device. Numbers in the figure
Reference numeral 31 is a cooling roll having a ferroelectric coating 32 formed on its surface. Further, reference numeral 33 is an electrode arranged near the cooling roll, and a high frequency oscillator 34 is connected to the electrode 33.
【００１９】（実施例４）図３の高周波発振器34を用い
て、１３．５６ＭＨｚ，１００〜１５０Ｖの高周波電圧
をかけ、電極33と冷却ロール31の間にコロナ放電を生成
させ、払出しロール11から送り出したＳｉＯ蒸着フィル
ム12の蒸着面をプラズマに向けて通過させ、巻取りロー
ル13で巻き取った。ここで、フィルム処理速度は約２０
ｍ／ｍｉｎとした。また、加えて、ガス吹付ノズル15か
ら酸素を流量４０ｃｃ／ｓでＳｉＯ蒸着フィルム12のコ
ロナ放電に曝されている部分に吹き付けた。そのＳｉＯ
蒸着フィルム12は巻取りロール13に巻きとってから１時
間以内に酸素透過度を測定し、評価した。その結果を、
下記「表３」に示す。(Embodiment 4) Using the high-frequency oscillator 34 of FIG. 3, a high-frequency voltage of 13.56 MHz and 100 to 150 V is applied to generate corona discharge between the electrode 33 and the cooling roll 31, and the discharge roll 11 discharges the corona. The vapor-deposited surface of the SiO vapor-deposited film 12 sent out was passed toward the plasma and wound by a take-up roll 13. Here, the film processing speed is about 20.
It was set to m / min. In addition, oxygen was sprayed from the gas spray nozzle 15 at a flow rate of 40 cc / s to the portion of the SiO vapor deposition film 12 exposed to corona discharge. The SiO
The vapor-deposited film 12 was measured and evaluated for oxygen permeability within 1 hour after being wound on the winding roll 13. The result is
The results are shown in "Table 3" below.
【００２０】[0020]
【表３】 [Table 3]
【００２１】表３において、従来法の(1) は真空中で巻
き取ったＳｉＯ蒸着フィルムを巻き返さずに、そのまま
酸素透過度を測定したもの、(2) はプラズマを生成せず
に大気中で巻きかえたものである。実施例４の(1) 〜
(3) では、酸素を吹き付けずにＳｉＯ蒸着フィルムを夫
々１００Ｖ，５００Ｖ，１５００Ｖの高周波で生成した
コロナ放電に曝した。また、実施例４の(4) ，(5) は酸
素を吹き付けながら、１００Ｖ，５００Ｖの高周波電圧
でコロナ放電に曝した。その結果、従来法の(2) でも酸
素透過度が１７×１０-14 ｍｏｌ／ｍ・ｓ・Ｐａもあ
り、そのままでは食品包装材として利用できなかった
が、大気中でコロナ放電にさらすことにより、３×１０
-14 ｍｏｌ／ｍ・ｓ・Ｐａ未満にまで酸素透過度が減少
し、ガスバリヤ性が向上した。また、酸素を吹き付ける
ことにより、更に大きくガスバリヤ性が向上した。In Table 3, the conventional method (1) is a measurement of the oxygen permeability as it is without rewinding the SiO vapor deposition film wound up in vacuum, and (2) is the atmosphere without generating plasma. It was rewound with. Example 1 (1)-
In (3), the SiO vapor-deposited film was exposed to corona discharge generated at high frequencies of 100 V, 500 V, and 1500 V, respectively, without blowing oxygen. Further, (4) and (5) of Example 4 were exposed to corona discharge at a high frequency voltage of 100 V and 500 V while blowing oxygen. As a result, even with the conventional method (2), the oxygen permeability was 17 × 10 -14 mol / m · s · Pa, which could not be used as a food packaging material as it was, but it was exposed to corona discharge in the atmosphere. 3 x 10
Oxygen permeability decreased to less than -14 mol / m · s · Pa and gas barrier property was improved. Further, by blowing oxygen, the gas barrier property was further improved.
【００２２】（実施例５）この実施例５では、図４のフ
ィルムグロー放電処理装置によりプラズマ放電処理を施
した。まず、図示しない真空ポンプにより、真空槽41内
を１０-2Ｐａまで真空排気した後にガス吹付ノズル15よ
り酸素を供給し、高周波発振器34を用いて１３．５６Ｍ
Ｈｚ，３００Ｖの高周波電圧をかけ、電極33を表面を誘
電体被膜32で処理した冷却ロール31の間にグロー放電を
発生させ、払出しロール11から送り出したＳｉＯ蒸着フ
ィルム12を蒸着面をプラズマに向けて通過させ、巻取り
ロールで巻き取った。この時のフィルム速度は２０ｍ／
ｍｉｎとし、酸素は４０ｓｃｃｍ，真空度は１３．３Ｐ
ａとした。この結果、実施例４と同等に１時間以内でも
良好な酸素透過度であった。また、エアtoエアのような
蒸着装置にも蒸着後に真空槽内及び大気中でも、グロー
放電及びコロナ放電によりプラズマ処理することにより
酸素透過度は向上する。(Embodiment 5) In this embodiment 5, plasma discharge treatment is performed by the film glow discharge treatment apparatus shown in FIG. First, the inside of the vacuum chamber 41 is evacuated to 10 -2 Pa by a vacuum pump (not shown), then oxygen is supplied from the gas spray nozzle 15, and 13.56 M is generated by using the high-frequency oscillator 34.
High frequency voltage of 300 Hz is applied to generate glow discharge between the cooling rolls 31 having the surface of the electrode 33 treated with the dielectric coating 32, and the vapor deposition surface of the SiO vapor deposition film 12 sent from the delivery roll 11 is directed to plasma. It was made to pass through, and it wound up with the winding roll. The film speed at this time is 20 m /
min, oxygen 40 sccm, vacuum 13.3P
a. As a result, as in Example 4, the oxygen permeability was good even within 1 hour. Further, even in a vapor deposition apparatus such as air to air, the oxygen permeability is improved by performing plasma treatment by glow discharge and corona discharge in the vacuum chamber and in the atmosphere after vapor deposition.
【００２３】上記実施例で示したように、従来は良好な
ガスバリヤ性を有するＳｉＯ蒸着フィルムが製造できな
かったが、蒸着後の酸素曝露又は酸素を含むプラズマ処
理によって、良好なガスバリヤ性を有するＳｉＯ蒸着フ
ィルムが得られるようになった。特に、酸素を吹き付け
たプラズマに曝した場合は、より大きくガスバリヤ性が
向上し、大気開放後直ぐにガスバリヤ性が良好であり、
そのまま製品化可能となった。As shown in the above-mentioned examples, SiO vapor-deposited films having a good gas barrier property could not be produced conventionally, but SiO having a good gas barrier property can be obtained by oxygen exposure or plasma treatment containing oxygen after vapor deposition. Vapor-deposited films are now available. In particular, when exposed to plasma blown with oxygen, the gas barrier property is greatly improved, and the gas barrier property is good immediately after opening to the atmosphere.
It was possible to commercialize it as it was.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
酸素曝露又は酸素を含むプラズマ処理により、良好なガ
スバリヤ性を有するＳｉＯ蒸着フィルムが製造しえる蒸
着フィルムの後処理方法を提供できる。As described above in detail, according to the present invention,
A post-treatment method of a vapor-deposited film capable of producing a SiO vapor-deposited film having good gas barrier properties can be provided by oxygen exposure or plasma treatment containing oxygen.
【図１】この発明の実施例３に係る連続真空蒸着装置の
説明図。FIG. 1 is an explanatory diagram of a continuous vacuum vapor deposition device according to a third embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例１，２に係る装置の説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram of an apparatus according to Embodiments 1 and 2 of the present invention.
【図３】この発明に係るコロナ放電装置の説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram of a corona discharge device according to the present invention.
【図４】この発明に係るフィルムグロー放電処理装置の
説明図。FIG. 4 is an explanatory view of a film glow discharge treatment device according to the present invention.
【図５】従来の真空蒸着装置の説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional vacuum vapor deposition device.
11…払出しロール、 12…ＳｉＯ蒸着フィルム、
13…巻取りロール、14…ハロゲンランプ、 15…ガス吹
付ノズル、 21…ＰＥＴフィルム、22…るつぼ、
23…真空槽、 31…冷却ロー
ル、32…強誘電体被膜、 33…電極、
34…高周波発振器。11 ... Dispensing roll, 12 ... SiO vapor deposition film,
13 ... Winding roll, 14 ... Halogen lamp, 15 ... Gas spray nozzle, 21 ... PET film, 22 ... Crucible,
23 ... Vacuum tank, 31 ... Cooling roll, 32 ... Ferroelectric coating, 33 ... Electrode,
34 ... High frequency oscillator.
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年１０月５日[Submission date] October 5, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００２[Name of item to be corrected] 0002
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在のレトルト食品用包装機としては、
内部の食品が見え、電子レンジで調理できるように真空
蒸着法によりフィルムへＳｉＯ皮膜をコーティングして
製造される。ＳｉＯ皮膜を蒸着したフィルムは、次のよ
うにして製造される。まず、図５の真空蒸着装置につい
て説明する。図中の符番１は真空槽である。この真空槽
１内には、プラスチックフィルム２を払い出す払出しロ
ール３、前記フィルム２にＳｉＯ蒸気４を供給するるつ
ぼ５、ＳｉＯ蒸着フィルム６を巻き取る巻取りロール７
が夫々配置されている。次に、ＳｉＯ皮膜を蒸着したフ
ィルムは、上記真空蒸着装置を用いて次のようにして製
造される。まず、真空槽１内で払出しロール３から払い
出されたプラスチックフィルム２に、るつぼ５から供給
されるＳｉＯ蒸気４を蒸着し、ＳｉＯ蒸着フィルム６と
して巻取りロール７に巻き取られる。なお、ＳｉＯ蒸着
フィルムは次工程へ送られる。2. Description of the Related Art As a current retort food packaging machine,
The food inside can be seen, and it is manufactured by coating a SiO film on the film by a vacuum deposition method so that it can be cooked in a microwave oven. The film on which the SiO film is deposited is manufactured as follows. First, the vacuum vapor deposition apparatus of FIG. 5 will be described. Reference numeral 1 in the figure is a vacuum chamber. This vacuum chamber 1, a payout roll 3 to pay out the plastic film 2, said film 2 winding roll 7 for taking up the crucible 5, SiO deposition film 6 supply the SiO vapor 4
Are arranged respectively. Next, the film on which the SiO film is vapor deposited is manufactured as follows using the above vacuum vapor deposition apparatus. First, the SiO vapor 4 supplied from the crucible 5 is vapor-deposited on the plastic film 2 delivered from the delivery roll 3 in the vacuum tank 1, and the SiO vapor-deposited film 6 is taken up by the take-up roll 7. The SiO vapor deposition film is sent to the next step.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１１[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１１】[0011]
【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照して説明
する。但し、実施例１，２については、次の共通の条件
でＳｉＯを蒸着した。図５に示す真空蒸着装置を用い、
厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルムに、るつぼ加熱温度１２８０℃，真空槽内圧力
５×１０-4Ｔorr で厚さ８０nmのＳｉＯ皮膜を蒸着し
た。酸素透過度はＪＩＳＫ７１２６に準拠し測定した。
判定は、〇以上が望ましいが、△でも用途によっては十
分実用レベルであり、◎，〇，△を特許請求の範囲とす
る。 （実施例１）蒸着終了後巻きとったロールを大気中へ取
り出し、大気雰囲気の恒温槽に５時間又は４８時間保持
した後、酸素透過度を測定した。サンプルは、巻きとっ
たロールの内に近い部分で採取した。結果を下記「表
１」のＮｏ．１〜５に示す。恒温槽の温度が５０℃以上
で急に酸素透過度が低下することが分かった。これは、
フィルムの酸化がこの温度以上で急に進み、緻密化して
酸素透過速度が小さくなったものと考えられる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, in Examples 1 and 2, SiO was deposited under the following common conditions. Using the vacuum vapor deposition device shown in FIG.
25 μm thick polyethylene terephthalate (PET)
A SiO film having a thickness of 80 nm was vapor-deposited on the film at a crucible heating temperature of 1280 ° C. and a vacuum chamber internal pressure of 5 × 10 −4 Torr. The oxygen permeability was measured according to JIS K7126.
Judgment is preferably ◯ or more, but △ is still at a practical level depending on the application, and ◎, 〇, △ are the scope of claims.
It (Example 1) After the completion of vapor deposition, the wound roll was taken out into the atmosphere and kept in a thermostatic chamber in the atmosphere for 5 hours or 48 hours, and then the oxygen permeability was measured. The sample was taken at a portion close to the inside of the wound roll. The results are shown in Table 1 below. It shows in 1-5. It was found that the oxygen permeability suddenly decreased when the temperature in the constant temperature bath was 50 ° C or higher. this is,
It is considered that the oxidation of the film suddenly proceeded above this temperature, densified, and the oxygen permeation rate decreased.
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１７[Correction target item name] 0017
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１７】[0017]
【表２】 [Table 2]
Claims (3)
膜を蒸着形成した後、前記プラスチックフィルムを５０
℃以上で保持することを特徴とする蒸着フィルムの後処
理方法。1. After depositing a SiO film on the surface of a plastic film by vapor deposition, the plastic film is coated with 50
A post-treatment method for a vapor-deposited film, which is characterized by holding at a temperature of ℃ or higher.
膜を蒸着形成した後、前記プラスチックフィルムを酸素
を含む雰囲気中で巻取り又は巻直しすることを特徴とす
る蒸着フィルムの後処理方法。2. A post-treatment method for a vapor-deposited film, which comprises depositing a SiO film on the surface of a plastic film by vapor deposition and winding or rewinding the plastic film in an atmosphere containing oxygen.
膜を蒸着形成した後、前記プラスチックフィルムを酸素
を含む雰囲気中又は酸素を含む雰囲気に曝露する前又は
曝露した後にプラズマ放電処理することを特徴とする蒸
着フィルムの後処理方法。3. A vapor deposition method, comprising: forming a SiO film on the surface of a plastic film by vapor deposition, and performing plasma discharge treatment before or after exposing the plastic film to an atmosphere containing oxygen or an atmosphere containing oxygen. Film post-treatment method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16469093A JPH0718443A (en) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | Post-treatment of vapor-deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16469093A JPH0718443A (en) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | Post-treatment of vapor-deposited film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0718443A true JPH0718443A (en) | 1995-01-20 |
Family
ID=15798011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16469093A Withdrawn JPH0718443A (en) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | Post-treatment of vapor-deposited film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718443A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003072355A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Gas barrier material |
| CN110316690A (en) * | 2019-06-11 | 2019-10-11 | 惠科股份有限公司 | Flexible device buffer layer and preparation method thereof and flexible device |
-
1993
- 1993-07-02 JP JP16469093A patent/JPH0718443A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003072355A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Gas barrier material |
| US7166353B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-01-23 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Gas-barrier material |
| US7288315B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-10-30 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Gas-barrier material |
| CN100395104C (en) * | 2002-02-28 | 2008-06-18 | 三菱树脂株式会社 | Gas barrier material |
| CN110316690A (en) * | 2019-06-11 | 2019-10-11 | 惠科股份有限公司 | Flexible device buffer layer and preparation method thereof and flexible device |
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