JPH07183538A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
半導体装置およびその作製方法Info
- Publication number
- JPH07183538A JPH07183538A JP5347643A JP34764393A JPH07183538A JP H07183538 A JPH07183538 A JP H07183538A JP 5347643 A JP5347643 A JP 5347643A JP 34764393 A JP34764393 A JP 34764393A JP H07183538 A JPH07183538 A JP H07183538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- nickel
- film
- amorphous silicon
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
してニッケル等の元素を用いる。まずこの触媒元素を非
晶質珪素膜の表面に接して設け、450℃〜650℃の
温度で加熱処理することにより、結晶核を生成する。そ
して、前記加熱温度より高い温度でさらに加熱処理を行
なうことにより、結晶粒を成長させ、結晶性の良好な結
晶性珪素膜を作製する。さらにこの加熱処理工程におい
て、結晶化される珪素膜の表面に酸化珪素膜を熱酸化法
により形成することを特徴とする。
Description
用いた半導体装置およびその作製方法に関する。
(以下TFT等)が知られている。このTFTは、基板
上に薄膜半導体を形成し、この薄膜半導体を用いて構成
されるものである。このTFTは、各種集積回路に利用
されているが、特に電気光学装置特にアクティブマトリ
ックス型の液晶表示装置の各画素の設けられたスイッチ
ング素子、周辺回路部分に形成されるドライバー素子と
して注目されている。
非晶質珪素膜を用いることが簡便であるが、その電気的
特性が低いという問題がある。TFTの特性向上を得る
ためには、結晶性を有するシリコン薄膜を利用するばよ
い。結晶性を有するシリコン膜は、多結晶シリコン、ポ
リシリコン、微結晶シリコン等と称されている。この結
晶性を有するシリコン膜を得るためには、まず非晶質珪
素膜を形成し、しかる後に加熱によって結晶化さればよ
い。
り加熱により結晶化した結晶性珪素薄膜は、その粒径が
比較的小さく、またそのサイズも揃っておらず、それら
が特性のバラツキの原因となっていた。また、素子を形
成したときの能力の目安となるモビリティに関しても、
単結晶珪素に比較して大きく劣っており、それら特性の
向上が求められていた。
ば、非晶質珪素膜の表面にニッケルやパラジウム、さら
には鉛等の元素を微量に堆積させ、しかる後に加熱する
ことで、450℃〜650℃例えば550℃程度の温度
で、4時間程度の処理時間で結晶化を行なえることが判
明している。また得られる結晶粒も、上記結晶化の温度
および時間によって制御可能であり、このことは素子に
必要とされる活性層を作成することができることを意味
する。
る触媒元素)を導入するには、プラズマ処理や蒸着、さ
らにはイオン注入を利用すればよい。プラズマ処理と
は、平行平板型あるいは陽光柱型のプラズマCVD装置
において、電極として触媒元素を含んだ材料を用い、窒
素または水素等の雰囲気でプラズマを生じさせることに
よって非晶質珪素膜に触媒元素の添加を行なう方法であ
る。
中に多量に存在していることは、これら半導体を用いた
装置の信頼性や電気的安定性を阻害するものであり好ま
しいことではない。
る元素(本明細書では、結晶化を助長する元素を触媒元
素という)は、非晶質珪素を結晶化させる際には必要で
あるが、結晶化した珪素中には極力含まれないようにす
ることが望ましい。この目的を達成するには、触媒元素
として結晶性珪素中で不活性な傾向が強いものを選ぶと
同時に、結晶化に必要な触媒元素の量を極力少なくし、
最低限の量で結晶化を行なう必要がある。そしてそのた
めには、上記触媒元素の添加量を精密に制御して導入す
る必要がある。
晶質珪素膜を成膜し、ニッケル添加をプラズマ処理法に
よって行ない結晶性珪素膜を作製し、その結晶化過程等
を詳細に検討したところ以下の事項が判明した。 (1)プラズマ処理によってニッケルを非晶質珪素膜上
に導入した場合、熱処理を行なう以前に既に、ニッケル
は非晶質珪素膜中のかなりの深さの部分まで侵入してい
る。 (2)結晶の初期核発生は、ニッケルを導入した表面か
ら発生している。 (3)蒸着法でニッケルを非晶質珪素膜上に成膜した場
合であっても、プラズマ処理を行なった場合と同様に結
晶化が起こる。
されたニッケルが全て効果的に機能していないというこ
とが結論される。即ち、多量のニッケルが導入されても
十分に機能していないニッケルが存在していると考えら
れる。このことから、ニッケルと珪素が接している点
(面)が低温結晶化の際に機能していると考えられる。
そして、可能な限りニッケルは微細に原子状に分散して
いることが必要であることが結論される。即ち、「必要
なのは非晶質珪素膜の表面近傍に低温結晶化が可能な範
囲内で可能な限り低濃度のニッケルが原子状で分散して
導入されればよい」ということが結論される。
ッケルを導入する方法、言い換えるならば、非晶質珪素
膜の表面近傍のみ結晶化を助長する触媒元素を極微量導
入する方法としては、蒸着法を挙げることができるが、
蒸着法は制御性が悪く、触媒元素の導入量を厳密に制御
することが困難であるという問題がある。
が必要とされるが、この場合、結晶性が不足するという
問題が生じる。
用いた熱処理による結晶性を有する薄膜珪素半導体の作
製において、 (1)触媒元素の量を制御して導入し、その量を最小限
の量とする。 (2)生産性の高い方法とする。 (3)熱処理で得られる結晶性よりさらに高い結晶性を
得る。 といった要求を満たすことを目的とする。
足するために以下の手段を用いて結晶性を有した珪素膜
を得る。非晶質珪素膜に接して該非晶質珪素膜の結晶化
を助長する触媒元素単体または前記触媒元素を含む化合
物を保持させ、前記非晶質珪素膜に前記触媒元素単体ま
たは前記触媒元素を含む化合物が接した状態において、
450℃〜650℃、例えば550℃程度の比較的低温
で加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜を一部または全部
を結晶化させる。そして更に前記結晶化温度よりも高い
温度、例えば基板が石英の場合であれば1000℃程度
の温度でアニールを行うことによりさらに結晶化を助長
する。こうして極めて結晶性の良好な結晶性珪素膜を得
る。
ては、触媒元素を含む溶液を非晶質珪素膜表面に塗布す
ることによる方法が有用である。
面に接して触媒元素が導入されることが特徴である。こ
のことは、触媒元素の量を制御する上で極めて重要であ
る。
の上面であっても下面であってもよい。非晶質珪素膜の
上面に触媒元素を導入するのであれば、非晶質珪素膜を
形成した後に、触媒元素を含有した溶液を非晶質珪素膜
上に塗布すればよいし、非晶質珪素膜の下面に触媒元素
を導入するのであれば、非晶質珪素膜を形成する前に下
地表面に触媒元素を含有した溶液を塗布し、下地表面に
接して触媒元素を保持する状態とすればよい。
用いて半導体装置のPN、PI、NIその他の電気的接
合を少なくとも1つ有する活性領域を構成することを特
徴とする。半導体装置としては、薄膜トランジスタ(T
FT)、ダイオード、光センサを用いることができる。
に示すような基本的な有意性を得ることができる。 (a)溶液中における触媒元素濃度は、予め厳密に制御
し結晶性をより高めかつその元素の量をより少なくする
ことが可能である。 (b)溶液と非晶質珪素膜の表面とが接触していれば、
触媒元素の非晶質珪素への導入量は、溶液中における触
媒元素の濃度によって決まる。 (c)非晶質珪素膜の表面に吸着する触媒元素が主に結
晶化に寄与することとなるので、必要最小限度の濃度で
触媒元素を導入できる。 (d)高温プロセスを必要としないで、結晶性の良好な
結晶性珪素膜を得ることができる。
含有させた溶液を塗布する方法としては、溶液として水
溶液、有機溶媒溶液等を用いることができる。ここで含
有とは、化合物として含ませるという意味と、単に分散
させることにより含ませるという意味との両方を含む。
ある水、アルコール、酸、アンモニアから選ばれたもの
を用いることができる。
を極性溶媒に含ませる場合、ニッケルはニッケル化合物
として導入される。このニッケル化合物としては、代表
的には臭化ニッケル、酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル、炭
酸ニッケル、塩化ニッケル、沃化ニッケル、硝酸ニッケ
ル、硫酸ニッケル、蟻酸ニッケル、ニッケルアセチルア
セトネ−ト、4−シクロヘキシル酪酸ニッケル、酸化ニ
ッケル、水酸化ニッケルから選ばれたものが用いられ
る。
媒であるベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭素、
クロロホルム、エーテルから選ばれたものを用いること
ができる。
て導入される。このニッケル化合物としては代表的に
は、ニッケルアセチルアセトネ−ト、2−エチルヘキサ
ン酸ニッケルから選ばれたものを用いることができる。
剤を添加することも有用である。これは、被塗布面に対
する密着性を高め吸着性を制御するためである。この界
面活性剤は予め被塗布面上に塗布するのでもよい。
には、酸に溶かして溶液とする必要がある。
が完全に溶解した溶液を用いる例であるが、ニッケルが
完全に溶解していなくとも、ニッケル単体あるいはニッ
ケルの化合物からなる粉末が分散媒中に均一に分散した
エマルジョンの如き材料を用いてもよい。または酸化膜
形成用の溶液を用いるのでもよい。このような溶液とし
ては、東京応化工業株式会社のOCD(Ohka Diffusion
Source)を用いることができる。このOCD溶液を用い
れば、被形成面上に塗布し、200℃程度でベークする
ことで、簡単に酸化珪素膜を形成できる。また不純物を
添加することも自由であるので、本発明に利用すること
ができる。
ケル以外の材料を用いた場合であっても同様である。
を用い、このニッケルを含有させる溶液溶媒として水の
如き極性溶媒を用いた場合において、非晶質珪素膜にこ
れら溶液を直接塗布すると、溶液が弾かれてしまうこと
がある。この場合は、100Å以下の薄い酸化膜をまず
形成し、その上に触媒元素を含有させた溶液を塗布する
ことで、均一に溶液を塗布することができる。また、界
面活性剤の如き材料を溶液中に添加する方法により濡れ
を改善する方法も有効である。
ッケルのトルエン溶液の如き無極性溶媒を用いること
で、非晶質珪素膜表面に直接塗布することができる。こ
の場合にはレジスト塗布の際に使用されている密着剤の
如き材料を予め塗布することは有効である。しかし塗布
量が多過ぎる場合には逆に非晶質珪素中への触媒元素の
添加を妨害してしまうために注意が必要である。
の種類にも依存するが、概略の傾向としてはニッケル量
として溶液に対して200ppm〜1ppm、好ましく
は50ppm〜1ppm(重量換算)とすることが望ま
しい。これは、結晶化終了後における膜中のニッケル濃
度や耐フッ酸性に鑑みて決められる値である。
50℃としたが、このことは重要である。本発明におい
ては前述の様に触媒元素と非晶質珪素薄膜と接している
部分のみから結晶化を行わせることにより、粒径のそろ
った結晶性の高い結晶性珪素薄膜を得ることが前提とな
っており、其以外の部分から核発生あるいは結晶化が進
行することは特性のばらつきに直結してしまい望ましい
ことではない。そして発明者らの実験によると、上記4
50℃〜650℃の範囲で短時間であれば、触媒元素と
接していない部分の結晶化は無視することができ、本発
明の構成が得られることが判明している。上記温度範囲
よりも低温では、触媒元素を添加しても充分な結晶成長
が行えず、また同様に上記温度範囲よりも高温では触媒
に関係なく結晶成長が発生してしまうのである。また結
晶化処理の後に更に高温のアニールを行い、結晶粒の界
面の特性を更に良好にし結晶化された珪素膜の結晶性を
さらに高くすることができる。また、この工程を加える
ことにより、条件によっては非晶質部分を全てなくして
しまうことが可能であるが、このことは不安定な非晶質
部分による経時劣化を防ぐ上で効果がある。
るが、一般的に半導体の熱アニールは窒素等の不活性雰
囲気中で行われることが多いが、本発明で使用している
触媒を添加して低温で結晶化を行った結晶性珪素膜の場
合には、酸素等の酸化性雰囲気中で高温アニールを行う
ことが特性を安定化させる上で非常に有効であることが
見出された。この理由は現状でははっきりしないが、お
そらくは非晶質珪素部分に多く存在している触媒元素と
珪素との結合が、それぞれ酸素との結合に置き代わり安
定化されるのではないかと推測される。また、酸化性雰
囲気中でアニールを行うことにより、結晶性が改善され
ると共に表面に熱酸化によって生じる酸化珪素膜を作製
することができる。この酸化珪素膜は非常に緻密であ
り、数百Å以上あれば十分にゲート絶縁膜として使用で
きるだけの信頼性を有していることが判明した。しかし
ながら、前記熱酸化膜は、結晶性珪素との界面における
応力が大きく発生する為、その膜厚は可能な限り薄いこ
とが望ましい。そのため、この様な応力による特性の劣
化が問題となる場合には、酸化性雰囲気中で高温アニー
ルを行い、結晶性を改善すると共に熱酸化膜を形成し、
その後前記熱酸化膜をエッチングしてしまい、更に新た
なゲート絶縁膜を形成する工程としても良い。
ールは、一般的な電気炉中でのアニール以外に、強光特
に赤外光を照射する方法を採用してもよい。赤外光はガ
ラスには吸収されにくく、珪素薄膜に吸収されやすいの
で、ガラス基板上に形成された珪素薄膜を選択的に加熱
することができ有用である。この赤外光を用いる方法
は、ラピッド・サーマス・アニール(RTA)またはラ
ピッド・サーマル・プロセス(RTP)と呼ばれる。
布することにより、結晶成長を選択的に行なうことがで
きる。特にこの場合、溶液が塗布されなかった領域に向
かって、溶液が塗布された領域から珪素膜の面に概略平
行な方向に結晶成長を行なわすことができる。この珪素
膜の面に概略平行な方向に結晶成長が行なわれた領域を
本明細書中においては横方向に結晶成長した領域という
こととする。
域は、触媒元素の濃度が低いことが確かめられている。
半導体装置の活性層領域として、結晶性珪素膜を利用す
ることは有用であるが、活性層領域中における不純物の
濃度は一般に低い方が好ましい。従って、上記横方向に
結晶成長が行なわれた領域を用いて半導体装置の活性層
領域を形成することはデバイス作製上有用である。
ルを用いた場合に最も顕著な効果を得ることができる
が、その他利用できる触媒元素の種類としては、好まし
くはNi、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P
d、P、As、Sbを利用することができる。また、VI
II族元素、IIIb、IVb、Vb元素から選ばれた一種または
複数種類の元素を利用することもできる。
ルコール等の溶液を用いることに限定されるものではな
く、触媒元素を含んだ物質を広く用いることができる。
例えば、触媒元素を含んだ金属化合物や酸化物を用いる
ことができる。
を水溶液に含有させて、非晶質珪素膜上に塗布し、しか
る後に加熱により結晶化させ、さらに高温のアニールに
より結晶性を高める例である。
ルを用いる)を導入するところまでを説明する。本実施
例においては、基板として石英ガラスを用いる。またそ
の大きさは100mm×100mmとする。
LPCVD法によってアモルファス状のシリコン膜を1
00〜1500Å形成する。ここでは、プラズマCVD
法によって非晶質珪素膜12を1000Åの厚さに成膜
する。(図1(A))
めにフッ酸処理を行い、その後酸化膜13を10〜50
Åに成膜する。汚れが無視できる場合には、酸化膜13
の代わりに自然酸化膜をそのまま用いれば良い。
膜厚は不明であるが、20Å程度であると考えられる。
ここでは酸素雰囲気中でのUV光の照射により酸化膜1
3を作成する。成膜条件は、酸素雰囲気中においてUV
を5分間照射することにおって行なった。この酸化膜1
3の成膜方法としては、熱酸化法を用いるのでもよい。
また過酸化水素による処理によるものでもよい。
酢酸塩溶液を塗布する工程で、非晶質珪素膜の表面全体
に酢酸塩溶液を行き渡らせるため、即ち濡れ性の改善の
為のものである。例えば、非晶質珪素膜の表面に直接酢
酸塩溶液を塗布した場合、非晶質珪素が酢酸塩溶液を弾
いてしまうので、非晶質珪素膜の表面全体にニッケルを
導入することができない。即ち、均一な結晶化を行うこ
とができない。
た酢酸塩溶液を作る。ニッケルの濃度は25ppmとす
る。そしてこの酢酸塩溶液を非晶質珪素膜12上の酸化
膜13の表面に2ml滴下し、この状態を5分間保持す
る。そしてスピナーを用いてスピンドライ(2000r
pm、60秒)を行う。(図1(C)、(D))
ppm以上好ましくは10ppm以上であれば実用にな
る。また、溶液として2−エチルヘキサン酸ニッケルの
トルエン溶液の如き無極性溶媒を用いる場合、酸化膜1
3は不要であり、直接非晶質珪素膜上に触媒元素を導入
することができる。
数回行なうことにより、スピンドライ後の非晶質珪素膜
12の表面に数Å〜数百Åの平均の膜厚を有するニッケ
ルを含む層を形成することができる。この場合、この層
のニッケルがその後の加熱工程において、非晶質珪素膜
に拡散し、結晶化を助長する触媒として作用する。な
お、この層というのは、完全な膜になっているとは限ら
ない。
持させる。この保持させる時間によっても、最終的に珪
素膜12中に含まれるニッケルの濃度を制御することが
できるが、最も大きな制御因子は溶液の濃度である。
おいて550度、4時間の加熱処理を行う。この結果、
基板11上に形成された結晶性を有する珪素薄膜12を
得ることができる。
うことができるが、温度が低いと加熱時間を長くしなけ
らばならず、生産効率が低下する。また、あまり温度が
高すぎても、ニッケルと接した部分以外から結晶成長が
始まり、結果として大粒径の珪素粒からなる結晶性珪素
膜を作成することができない。
媒元素を導入する方法を示したが、非晶質珪素膜下に触
媒元素を導入する方法を採用してもよい。この場合は、
非晶質珪素膜の成膜前に触媒元素を含有した溶液を用い
て、下地膜上に触媒元素を導入すればよい。
膜12を得た後、汚れ及び自然酸化膜を取り除くために
フッ酸処理を行う。そして更に1000℃で30分〜2
時間、ここでは100分間のアニールを酸素中で行い、
結晶粒内部の結晶性を高め(この工程を行うことにより
結晶内部の欠陥を減らす効果も期待できる)、界面の特
性を改善すると共に、約1000Åの熱酸化膜を形成し
た。その後酸化膜を除去しTEMによる観察を行った結
果、得られた結晶性珪素膜は、異方性を有する大径の結
晶粒からなり、粒の長辺は長いものでは10μm以上あ
り、その大きさも比較的揃っていることが判明した。
作製方法において、1200Åの酸化珪素膜を選択的に
設け、この酸化珪素膜をマスクとして選択的にニッケル
を導入する例である。
示す。まず、石英ガラス基板(10cm角)上にマスク
となる酸化珪素膜21を1000Å以上、ここでは12
00Åの厚さに成膜する。この酸化珪素膜21の膜厚に
ついては、発明者等の実験によると500Åでも問題が
ないことを確認しており、膜質が緻密であれば更に薄く
ても良いと思われる。
によって、必要とするパターンに酸化珪素膜21をパー
ニングする。そして、酸素雰囲気中における紫外線の照
射で薄い酸化珪素膜20を成膜する。この酸化珪素膜2
0の作製は、酸素雰囲気中でUV光を5分間照射するこ
とによって行なわれる。なおこの酸化珪素膜20の厚さ
は20〜50Å程度と考えられる(図2(A))。尚、
この濡れ性を改善するための酸化珪素膜については、溶
液とパターンのサイズが合致した場合には、マスクの酸
化珪素膜の親水性のみによっても丁度よく添加される場
合がある。しかしながらこの様な例は特殊であり、一般
的には酸化珪素膜20を使用したほうが安全である。
0ppmのニッケルを含有した酢酸塩溶液を5ml滴下
(10cm角基板の場合)する。またこの際、スピナー
で50rpmで10秒のスピンコートを行い、基板表面
全体に均一な水膜を形成させる。さらにこの状態で、5
分間保持した後スピナーを用いて2000rpm、60
秒のスピンドライを行う。なおこの保持は、スピナー上
において0〜150rpmの回転をさせながら行なって
もよい。(図2(B))
加熱処理を施すことにより、非晶質珪素膜12の結晶化
を行う。この際、ニッケルが導入された部分22の領域
から23で示されるように、ニッケルが導入されなった
領域へと横方向に結晶成長が行われる。図2(C)にお
いて、24がニッケルが直接導入され結晶化が行われた
領域であり、25が横方向に結晶化が行われた領域であ
る。なお25の領域は、概略〈111〉軸方向に結晶成
長が行われていることが確認されている。
結晶性珪素膜は、ニッケルが添加された領域から周囲に
向かって放射状に幅の揃った柱状結晶が成長しており、
個々の結晶の隙間には非晶質部分が残存していることが
判明した。次に、上記加熱処理による結晶化工程の後、
酸化珪素膜を剥し、酸素中で加熱温度を1000℃でア
ニールして珪素膜12の結晶性をさらに向上させる。こ
の工程によって、横方向に結晶成長した領域25の結晶
性を大きく高めることができる。
述の柱状結晶の隙間の部分が結晶化し、しかも柱状結晶
を核とした擬似的にエピタキシャルな成長が起こってい
ることが判明した。またその結果、結晶粒界は非常に判
りづらく、あたかも巨大な結晶粒(〜数十μm以上)か
らなる様な結晶性珪素膜が得られた。
変化させることにより、ニッケルが直接導入された領域
におけるニッケルの濃度を1×1015atoms cm-3〜1
×1019atoms cm-3の範囲で制御可能であり、同様に
横成長領域の濃度をそれ以下に制御することが可能であ
る。
された結晶珪素膜は、耐フッ酸性が良好であるという特
徴がある。本発明者らによる知見によれば、ニッケルを
プラズマ処理で導入し、結晶化させた結晶性珪素膜は、
耐フッ酸性が低い。
層間絶縁膜として機能する酸化珪素膜を形成し、しかる
後に電極の形成のために穴開け工程を経て、電極を形成
をする作業が必要とされる場合がある。このような場
合、酸化珪素膜をバッファフッ酸によって除去する工程
が普通採用される。しかしながら、結晶性珪素膜の耐フ
ッ酸性が低い場合、酸化珪素膜のみを取り除くことは困
難であり、結晶性珪素膜をもエッチングしてしまうとい
う問題がある。
を有している場合、酸化珪素膜と結晶性珪素膜のエッチ
ングレートの違い(選択比)を大きくとることができる
ので、酸化珪素膜のみを選択的の除去でき、作製工程上
極めて有意なものとなる。
た領域は触媒元素の濃度が小さく、しかも結晶性が良好
であるので、この領域を半導体装置の活性領域として用
いることは有用である。例えば、薄膜トランジスタのチ
ャネル形成領域として利用することは極めて有用であ
る。
利用して作製した結晶性珪素膜を用いて、TFTを得る
例である。本実施例のTFTは、アクティブマトリック
ス型の液晶表示装置のドライバー回路や画素部分に用い
ることができる。なお、TFTの応用範囲としては、液
晶表示装置のみではなく、一般に言われる薄膜集積回路
に利用できることはいうまでもない。
まずN0ガラス基板上に下地の窒化珪素膜(図示せず)
を成膜し、その上に酸化珪素膜(図示せず)を2000
Åの厚さに成膜する。この窒化珪素膜および酸化珪素膜
は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐために設けら
れる。
方法で500Åの厚さに成膜する。成膜方法としては、
シランまたはジシランの如きポリシランを用いて、LP
CVDによって成膜したものが素子の特性上望ましかっ
た。そして、自然酸化膜を取り除くためのフッ酸処理の
後、薄い酸化膜を20Å程度の厚さに酸素雰囲気でのU
V光の照射によって成膜する。この薄い酸化膜の作製方
法は、過水処理や熱酸化による方法でもよい。
酸塩溶液を塗布し、5分間保持し、スピナーを用いてス
ピンドライを行う。その後バッファフッ酸によって酸化
珪素膜20と21を取り除き、550度、4時間の加熱
によって、珪素膜を結晶化させる。(ここまでは実施例
1に示した作製方法と同じ)
成分と結晶成分とが混在した珪素膜を得られる。この結
晶成分はその後の高温における結晶成長時の結晶核が存
在している領域である。その後800℃で酸素中で2時
間のアニールを行い、全面を結晶化させると共に、珪素
膜の結晶性を助長させる。この工程よって、結晶成分に
存在している結晶核を核として結晶成長が行なわれる。
て、島状の領域104を形成する。この島状の領域10
4はTFTの活性層を構成する。そして、厚さ200〜
1500Å、ここでは1000Åの酸化珪素105を形
成する。この酸化珪素膜はゲイト絶縁膜としても機能す
る。(図3(A))
要である。ここでは、TEOSを原料とし、酸素ととも
に基板温度150〜600℃、好ましくは300〜45
0℃で、RFプラズマCVD法で分解・堆積した。TE
OSと酸素の圧力比は1:1〜1:3、また、圧力は
0.05〜0.5torr、RFパワーは100〜25
0Wとした。あるいはTEOSを原料としてオゾンガス
とともに減圧CVD法もしくは常圧CVD法によって、
基板温度を350〜600℃、好ましくは400〜55
0℃として形成した。成膜後、酸素もしくはオゾンの雰
囲気で400〜600℃で30〜60分アニールした。
はKrFエキシマーレーザー(波長248nm、パルス
幅20nsec)あるいはそれと同等な強光を照射する
ことで、シリコン領域104と酸化珪素膜105の界面
の状態を改善することは有効である。特に、赤外光を用
いたRTA(ラピットサーマルアニール)は、ガラス基
板を加熱せずに、珪素のみを選択的に加熱することがで
きるため、基板の温度をN0ガラスの軟化点以下としな
がらより高温でのアニールを行うことができ、珪素と酸
化珪素膜との界面における界面準位を減少させることが
できるので、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製に
おいては有用である。
ル膜を電子ビーム蒸着法によって形成して、これをパタ
ーニングし、ゲイト電極106を形成する。次に白金を
陰極、このタンタルのゲイト電極を陽極として、陽極酸
化を行う。陽極酸化は、最初一定電流で220Vまで電
圧を上げ、その状態で1時間保持して終了させる。本実
施例では定電流状態では、電圧の上昇速度は2〜5V/
分が適当である。このようにして、厚さ1500〜35
00Å、例えば、2000Åの陽極酸化物109を形成
する。(図3(B))
ーピング法ともいう)によって、各TFTの島状シリコ
ン膜中に、ゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物(燐)を注入した。ドーピングガスとしてはフォス
フィン(PH3 )を用いた。ドーズ量は、1〜4×10
15cm-2とする。
キシマーレーザー(波長248nm、パルス幅20ns
ec)を照射して、上記不純物領域の導入によって結晶
性の劣化した部分の結晶性を改善させる。レーザーのエ
ネルギー密度は150〜400mJ/cm2 、好ましく
は200〜250mJ/cm2 である。こうして、N型
不純物(燐)領域108、109を形成する。これらの
領域のシート抵抗は200〜800Ω/□であった。
わりに、電気炉中での加熱処理を用いても良い。また、
フラッシュランプを使用して短時間に1000〜120
0℃(シリコンモニターの温度)まで上昇させ、試料を
加熱する、いわゆるRTA(ラピッド・サーマル・アニ
ール)(RTP、ラピット・サーマル・プロセスともい
う)等のいわゆるレーザー光と同等の強光を用いてもよ
い。
TEOSを原料として、これと酸素とのプラズマCVD
法、もしくはオゾンとの減圧CVD法あるいは常圧CV
D法によって酸化珪素膜を厚さ3000Å形成する。基
板温度は250〜450℃、例えば、350℃とする。
成膜後、表面の平坦性を得るため、この酸化珪素膜を機
械的に研磨する。(図3(D))
て、図1(E)に示すようにTFTのソース/ドレイン
にコンタクトホールを形成し、クロムもしくは窒化チタ
ンの配線112、113を形成する。
入した結晶性珪素膜は、酸化珪素膜に比較してバッファ
フッ酸に対する選択性が低いので、上記コンタクトホー
ルの形成工程において、エッチングされてしまうことが
多かった。
濃度で水溶液を用いてニッケルを導入した場合には、耐
フッ酸性が高いので、上記コンタクトホールの形成が安
定して再現性よく行なうことができる。
1〜2時間アニールして、シリコンの水素化を完了す
る。このようにして、TFTが完成する。そして、同時
に作製した多数のTFTをマトリクス状に配列せしめて
アクティブマトリクス型液晶表示装置として完成する。
このTFTは、ソース/ドレイン領域108/109と
チャネル形成領域114を有している。また115がN
Iの電気的接合部分となる。
に存在するニッケルの濃度は、3×1018cm-3程度あ
るいはそれ以下の、1×1015atoms cm-3〜3×10
18atoms cm-3であると考えられる。
Nチャネルで200cm2 /Vs以上のものが得られて
いる。またVthも小さく良好な特性を有していることが
確認されている。さらに、移動度のバラツキも±10%
以内であることが確認されている。このバラツキの少な
さは、加熱処理により不完全な結晶化とレーザー光の照
射による結晶性の助長とによる工程によるものと考えら
れる。レーザー光のみを利用した場合には、Nチャケル
型で150cm2 /Vs以上のものを容易に得ることが
できるが、バラツキが大きく、本実施例のような均一性
を得ることができない。尚、本実施例においてはタンタ
ルゲートを用いた実施例を示したが、これをN型あるい
はP型のポリシリコンを用いたシリコンゲートとしても
良いことは言うまでもない。また、アイランドのパター
ニングを施した後に高温アニールを行う構成としても良
い。その場合には基板の縮みによるマスク合わせの困難
が生じるため、基板としては石英を用いることが望まし
い。
2に示すようにニッケルを選択的に導入し、その部分か
ら横方向(基板に平行な方向)に結晶成長した領域を用
いて電子デバイスを形成する例を示す。このような構成
を採用した場合、デバイスの活性層領域におけるニッケ
ル濃度をさらに低くすることができ、デバイスの電気的
安定性や信頼性の上から極めて好ましい構成とすること
ができる。
石英基板201を洗浄し、TEOS(テトラ・エトキシ
・シラン)と酸素を原料ガスとしてプラズマCVD法に
よって厚さ2000Åの酸化珪素の下地膜202を形成
する。尚、今回の実施例においては念のために下地を形
成しているが、汚染等の問題が無視できる場合にはこの
工程は無視できる。そして、プラズマCVD法によっ
て、厚さ500〜1500Å、例えば1000Åの真性
(I型)の非晶質珪素膜203を成膜する。次に連続的
に厚さ500〜2000Å、例えば1000Åの酸化珪
素膜205をプラズマCVD法によって成膜する。そし
て、酸化珪素膜205を選択的にエッチングして、非晶
質珪素の露出した領域206を形成する。
を助長する触媒元素であるニッケル元素を含んだ溶液
(ここでは酢酸塩溶液)塗布する。酢酸溶液中における
ニッケルの濃度は100ppmである。その他、詳細な
工程順序や条件は実施例2で示したものと同一である。
この工程は、実施例3または実施例4に示した方法によ
るものであってもよい。
℃、例えば550℃、4時間の加熱アニールを行い、珪
素膜203の結晶化を行う。結晶化は、ニッケルと珪素
膜が接触した領域206を出発点として、矢印で示され
るように基板に対して平行な方向に結晶成長が進行す
る。図においては領域204はニッケルが直接導入され
て結晶化した部分、領域203は横方向に結晶化した部
分を示す。この203で示される横方向への結晶は、2
5μm程度である。またその結晶成長方向は概略〈11
1〉軸方向であることが確認されている。(図4
(A))
化珪素膜205を全面エッチングし、その後さらに10
50℃で60分程度の高温アニールを酸素中で行い、結
晶性を向上させた。この工程において、結晶性の向上と
同時に1000Å程度の熱酸化膜が形成される。応力等
が問題とならないときには、この熱酸化膜をゲート絶縁
膜として使用しても良い。尚、今回は応力を考慮してこ
の熱酸化膜を用いない構成について以下に説明を続け
る。
膜204をパターニング後、ドライエッチングして、島
状の活性層領域208を形成する。この際、図4(A)
で206で示された領域は、ニッケルが直接導入された
領域であり、ニッケルが高濃度に存在する領域である。
ルが高濃度に存在することが確認されている。これらの
領域では、その中間の領域に比較してニッケルの濃度が
高いことが判明している。したがって、本実施例におい
ては、活性層208において、これらのニッケル濃度の
高い領域がチャネル形成領域と重ならないようにした。
って、基板を800℃〜850℃に加熱した状態で高温
CVD酸化膜を形成する。これがゲート絶縁膜として作
用する酸化珪素膜209となる。酸化珪素膜の厚さは1
000Åとする。(図4(B))
をドープしたポリシリコン膜をLPCVD法により10
00Å〜4000Åの厚さに成膜し、パターニングし
て、ゲイト電極210を形成する。(図2(C))
ピング法とも言う)によって、活性層領域(ソース/ド
レイン、チャネルを構成する)にゲイト電極部、すなわ
ちゲイト電極210とその周囲の酸化層211をマスク
として、自己整合的にN導電型を付与する不純物(ここ
では燐)を添加する。ドーピングガスとして、フォスフ
ィン(PH3 )を用い、加速電圧を60〜90kV、例
えば80kVとする。ドーズ量は1×1015〜8×10
15cm-2、例えば、4×1015cm-2とする。この結
果、N型の不純物領域212と213を形成することが
できる。
間加熱を行い、不純物の活性化を行った。この活性化工
程の後に、必要に応じて水素雰囲気中で400℃、1時
間熱処理することは欠陥準位密度を低下させるのに有効
であった。(図4(E))
4を層間絶縁物としてプラズマCVD法によって形成す
る。さらに、スピンコーティング法によって透明なポリ
イミド膜215を形成し、表面を平坦化する。
タクトホールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタ
ンとアルミニウムの多層膜によってTFTの電極・配線
217、218を形成する。最後に、1気圧の水素雰囲
気で350℃、30分のアニールを行い、TFTを有す
るアクティブマトリクスの画素回路を完成する。(図4
(F))
ることができるので、アクティブマトリックス型の液晶
表示装置のドライバー回路に利用することができる。
断面図を示す。まず、石英基板501上にスパッタリン
グ法によって厚さ2000Åの酸化珪素の下地膜502
を形成する。次に、プラズマCVD法によって、厚さ5
00〜1500Å、例えば1000Åの真性(I型)の
非晶質珪素膜を成膜する。そして、実施例1で示した方
法により非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する触媒元
素としてニッケルを導入する。そして窒素雰囲気(大気
圧)、550℃、4時間アニールして結晶化させる。そ
して、珪素膜を10〜1000μm角の大きさにパター
ニングして、島状の珪素膜(TFTの活性層)503を
形成する。(図5(A))
1000℃の酸素雰囲気中で2時間程度アニールを施す
ことにより、結晶性の向上と界面の特性を改善すると共
に、熱酸化膜からなるゲート絶縁膜504を厚さ500
〜1500Å、例えば1000Åの厚さに形成する。
珪素膜は、その表面が50Å以上減少し、結果として、
珪素膜の最表面部分の汚染が、珪素−酸化珪素界面には
及ばないようになることである。すなわち、清浄な珪素
−酸化珪素界面が得られることである。酸化珪素膜の厚
さは酸化される珪素膜の2倍であるので、1000Åの
厚さの珪素膜を酸化して、厚さ1000Åの酸化珪素膜
を得た場合には、残った珪素膜の厚さは500Åという
ことになる。
たのち、基板を一酸化二窒素雰囲気(1気圧、100
%)、600℃で2時間アニールする。(図5(B)) 引き続いて、減圧CVD法によって、厚さ3000〜8
000Å、例えば6000Åの多結晶珪素(0.01〜
0.2%の燐を含む)を成膜する。そして、珪素膜をパ
ターニングして、ゲイト電極505を形成する。さら
に、この珪素膜をマスクとして自己整合的に、イオンド
ーピング法(プラズマドーピング法とも言う)によっ
て、活性層領域(ソース/ドレイン、チャネルを構成す
る)にN導電型を付与する不純物(ここでは燐)を添加
する。ドーピングガスとして、フォスフィン(PH3 )
を用い、加速電圧を60〜90kV、例えば80kVと
する。ドーズ量は1×1015〜8×1015cm-2、例え
ば、5×1015cm-2とする。この結果、N型の不純物
領域506と507が形成される。
理を施して、不純物の活性化を行った。尚、この活性化
工程はレーザー光の照射によって行っても良い。(図5
(C))
近赤外光によるランプアニールによる方法でもよい。近
赤外線は非晶質珪素よりも結晶化した珪素へは吸収され
やすく、1000℃以上の熱アニールにも匹敵する効果
的なアニールを行うことができる。その反面、ガラス基
板(遠赤外光はガラス基板に吸収されるが、可視・近赤
外光(波長0.5〜4μm)は吸収されにくい)へは吸
収されにくいので、ガラス基板を高温に加熱することが
なく、また短時間の処理ですむので、本実施例において
は基板が石英を使用したため問題とはならないが、ガラ
ス基板の縮みが問題となる工程においては最適な方法で
あるといえる。
8を層間絶縁物としてプラズマCVD法によって形成す
る。この層間絶縁物としてはポリイミドを利用してもよ
い。さらにコンタクトホールを形成して、金属材料、例
えば、窒化チタンとアルミニウムの多層膜によってTF
Tの電極・配線509、510を形成する。最後に、1
気圧の水素雰囲気で350℃、30分のアニールを行
い、TFTを完成する。(図5(D))
く1枚のガラス基板上にディスプレーから、CPU、メ
モリーまで搭載した集積回路を用いた電気光学システム
について示す。本実施例は、各集積回路を本発明を用い
た結晶性珪素膜を用いたTFTで作製する例である。
入力された信号を読み取り、画像用信号に変換し、補正
メモリーは、アクティブマトリクスパネルの特性に合わ
せて入力信号等を補正するためのパネルに固有のメモリ
ーである。特に、この補正メモリーは、各画素固有の情
報を不揮発性メモリーとして融資、個別に補正するため
のものである。すなわち、電気光学装置の画素に点欠陥
のある場合には、その点の周囲の画素にそれに合わせて
補正した信号を送り、点欠陥をカバーし、欠陥を目立た
なくする。または、画素が周囲の画素に比べて暗い場合
には、その画素により大きな信号を送って、周囲の画素
同じ明るさとなるようにするものである。
ものと同様で、特にメモリーは各画素に対応した画像メ
モリーをRAMとして持っている。また、画像情報に応
じて、基板を裏面から照射するバックライトを変化させ
ることもできる。
珪素膜を用いたTFTで必要とする集積回路を形成する
ことで、高度に集積化された液晶表示装置を得ることが
できる。
性珪素膜を作製し、その後更に高温酸化性雰囲気中での
アニールを加えることにより、非常に結晶性の高い珪素
膜とする。そしてこの様な結晶性珪素膜を用いて、半導
体装置を作製することで、生産性が高く、特性のよいデ
バイスを得ることができる。
Claims (16)
- 【請求項1】 結晶性を有する珪素膜を利用した活性領
域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置で
あって、 前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶
化を助長する触媒元素を溶媒に解かして保持させ、45
0℃〜650℃における加熱結晶化処理とその後の前記
加熱温度よりも更に高温の熱処理により形成されたもの
であり、 前記活性領域に接して設けられた酸化珪素膜は、前記珪
素膜を熱酸化して設けられたものであることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項2】 結晶性を有する珪素膜を利用して活性領
域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置で
あって、 前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶
化を助長する触媒元素を含む化合物を保持させ、450
℃〜650℃における加熱結晶化処理とその後の前記加
熱温度よりも更に高温の熱処理により形成されたもので
あり前記活性領域には前記珪素膜を熱酸化して得られた
酸化珪素膜が設けられていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2において、 触媒元素として、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、A
u、In、Sn、PdP、As、Sbから選ばれた一種
または複数種類の元素が用いられたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項4】 請求項1または請求項2において、 触媒元素として、VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素か
ら選ばれた一種または複数種類の元素が用いられたこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 請求項1または請求項2において、 活性領域に形成された半導体装置は、薄膜トランジスタ
またはダイオードまたは光センサーであることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項6】 請求項1または請求項2において、 前記活性層領域中における触媒元素の濃度が、1×10
15atoms cm-3〜1×1019atoms cm-3であることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項7】 請求項1または請求項2において、 活性領域はPI、PN、NIで示される接合を少なくと
も一つ有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項8】 非晶質珪素膜に接して該非晶質珪素膜の
結晶化を助長する触媒元素単体または前記触媒元素を含
む化合物を保持させ、前記非晶質珪素膜に前記触媒元素
単体または前記触媒元素を含む化合物が接した状態にお
いて、 前記非晶質珪素膜を450℃〜650℃に加熱処理し結
晶化させる工程と、 該工程の後に前記加熱工程よりも更に高温の熱処理を酸
化雰囲気中で行い、前記珪素膜の結晶性を助長する工程
と、 を有することを特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項9】 非晶質珪素膜に接して該非晶質珪素膜の
結晶化を助長する触媒元素単体または前記触媒元素を含
む化合物を保持させ、前記非晶質珪素膜に前記触媒元素
単体または前記触媒元素を含む化合物が接した状態にお
いて、 前記非晶質珪素膜を450℃〜650℃に加熱処理し結
晶化させる工程と、 該工程の後に前記加熱工程よりも更に高温の熱処理を酸
化雰囲気中で行い、前記珪素膜の結晶性を助長すると共
に、熱酸化を行って酸化珪素からなる薄膜を前記珪素膜
に接して設ける工程と、 を有することを特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項10】 絶縁性表面を有する基板上に設けられ
た非晶質珪素膜に接して該非晶質珪素膜の結晶化を助長
する触媒元素単体または前記触媒元素を含む化合物を保
持させ、前記非晶質珪素膜に前記触媒元素単体または前
記触媒元素を含む化合物が接した状態において、 前記非晶質珪素膜を450℃〜650℃に加熱処理し結
晶化させる工程と、 該工程の後に前記加熱工程よりも更に高温の熱処理を酸
化雰囲気中で行い、前記珪素膜の結晶性を助長すると共
に、熱酸化を行って酸化珪素からなる薄膜を前記珪素膜
に接して設ける工程と、 を有することを特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項11】 請求項8または請求項9または請求項
10において、 触媒元素として、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、A
u、In、Sn、P、As、Sbから選ばれた一種また
は複数種類の元素が用いられることを特徴とする半導体
装置作製方法。 - 【請求項12】 請求項8または請求項9または請求項
10において、 触媒元素として、VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素か
ら選ばれた一種または複数種類の元素が用いられること
を特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項13】 請求項8または請求項9または請求項
10において、 前記触媒元素単体または触媒元素を含む化合物を前記非
晶質珪素膜に接して保持させる工程は、非晶質珪素膜上
に該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素単体を溶
解あるいは分散させた溶液を塗布することによってなさ
れたことを特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項14】 請求項13において、触媒元素として
ニッケル単体、あるいはニッケル化合物が用いられるこ
とを特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項15】 請求項14において、ニッケル化合物
として、臭化ニッケル、酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル、
炭酸ニッケル、塩化ニッケル、沃化ニッケル、硝酸ニッ
ケル、硫酸ニッケル、蟻酸ニッケル、ニッケルアセチル
アセトネ−ト、4−シクロヘキシル酪酸ニッケル、酸化
ニッケル、水酸化ニッケル、2−エチルヘキサン酸ニッ
ケルから選ばれた少なくとも1種類が用いられることを
特徴とする半導体装置作製方法。 - 【請求項16】 結晶性を有する珪素膜を利用して活性
領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置
であって、 前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶
化を助長する触媒元素単体あるいは触媒元素を含む化合
物を選択的に保持させ、450℃〜650℃において加
熱処理を施すことにより前記保持させた領域からその周
辺領域へと結晶成長が行われ、かつその後の前記加熱工
程よりも更に高温の熱処理によりその結晶性が助長され
たものであり、 前記活性領域に接して設けられた酸化珪素膜は、前記珪
素膜を熱酸化して設けられたものであることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5347643A JP2791635B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置およびその作製方法 |
KR1019940004945A KR940022914A (ko) | 1993-03-12 | 1994-03-12 | 반도체 장치 제조방법 |
US08/670,122 US6413805B1 (en) | 1993-03-12 | 1996-06-25 | Semiconductor device forming method |
US08/709,111 US6140165A (en) | 1993-03-12 | 1996-09-06 | Semiconductor device forming method |
KR1019980026711A KR100186746B1 (en) | 1993-03-12 | 1998-07-03 | Methdo of manufacturing a semiconductor device |
US10/180,015 US6987283B2 (en) | 1993-03-12 | 2002-06-27 | Semiconductor device structure |
US11/321,640 US7391051B2 (en) | 1993-03-12 | 2005-12-30 | Semiconductor device forming method |
US12/143,035 US7943930B2 (en) | 1993-03-12 | 2008-06-20 | Semiconductor device forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5347643A JP2791635B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12174997A Division JP3529586B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07183538A true JPH07183538A (ja) | 1995-07-21 |
JP2791635B2 JP2791635B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=18391614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5347643A Expired - Fee Related JP2791635B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-12-24 | 半導体装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2791635B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340238A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6331475B1 (en) | 1995-01-12 | 2001-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and manufacturing semiconductor device |
JP2003078141A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法と携帯電子機器 |
JP2003528460A (ja) * | 2000-03-23 | 2003-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | トランジスタの製造方法 |
US6635900B1 (en) | 1995-06-01 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film having a single-crystal like region with no grain boundary |
JP2006319361A (ja) * | 2006-07-19 | 2006-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性珪素膜の作製方法及び半導体装置 |
US7235814B2 (en) * | 1997-07-01 | 2007-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and method of manufacturing the same |
JP2007335893A (ja) * | 2007-08-22 | 2007-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US7452791B2 (en) | 2001-08-30 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161634A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5347643A patent/JP2791635B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161634A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6331475B1 (en) | 1995-01-12 | 2001-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and manufacturing semiconductor device |
US6635900B1 (en) | 1995-06-01 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film having a single-crystal like region with no grain boundary |
US7235814B2 (en) * | 1997-07-01 | 2007-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and method of manufacturing the same |
US7510917B2 (en) | 1997-07-01 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and method of manufacturing the same |
JPH11340238A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003528460A (ja) * | 2000-03-23 | 2003-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | トランジスタの製造方法 |
US7452791B2 (en) | 2001-08-30 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
US7960296B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
JP2003078141A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法と携帯電子機器 |
JP2006319361A (ja) * | 2006-07-19 | 2006-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性珪素膜の作製方法及び半導体装置 |
JP4675294B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2007335893A (ja) * | 2007-08-22 | 2007-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2791635B2 (ja) | 1998-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3431041B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3562590B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JP3221473B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3431033B2 (ja) | 半導体作製方法 | |
JPH07161635A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JPH0869968A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JPH0869967A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2873669B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP2791635B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP3431034B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JPH08339960A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3529586B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4684246B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3529726B2 (ja) | 半導体集積回路の作製方法 | |
JP3241667B2 (ja) | 半導体装置および電気光学装置の作製方法 | |
JP3626102B2 (ja) | 集積回路の作製方法 | |
JP3545289B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JP3442693B2 (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法 | |
JP3939718B2 (ja) | 集積回路の作製方法 | |
JP3618604B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JP3442694B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3573969B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JP3600092B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JP3950307B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3442752B2 (ja) | 結晶性珪素膜の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |