JPH07175544A - 温度補償制御電流生成装置 - Google Patents
温度補償制御電流生成装置Info
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- JPH07175544A JPH07175544A JP31694493A JP31694493A JPH07175544A JP H07175544 A JPH07175544 A JP H07175544A JP 31694493 A JP31694493 A JP 31694493A JP 31694493 A JP31694493 A JP 31694493A JP H07175544 A JPH07175544 A JP H07175544A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度補償が必要な回路、例えばＶＣＯが複数
あるような場合であっても、回路全体を小規模化し、消
費電力を低減させる温度補償回路を構成することが可能
な、温度補償制御電流生成回路を提供する。 【構成】 温度補償された基準電流Ｉa を生成する基準
電流生成回路１と、温度補償されていない比較電流Ｉb
を生成する比較電流生成回路３と、基準電流生成回路１
により生成される基準電流Ｉa と、比較電流生成回路に
より生成される比較電流Ｉb から温度補償制御電流ＩO
を生成する温度補償制御電流生成回路４と、を備えて構
成し、温度補償制御電流ＩO を用いて、一又は複数のＶ
ＣＯ等で構成された回路の温度補償を実施する。
あるような場合であっても、回路全体を小規模化し、消
費電力を低減させる温度補償回路を構成することが可能
な、温度補償制御電流生成回路を提供する。 【構成】 温度補償された基準電流Ｉa を生成する基準
電流生成回路１と、温度補償されていない比較電流Ｉb
を生成する比較電流生成回路３と、基準電流生成回路１
により生成される基準電流Ｉa と、比較電流生成回路に
より生成される比較電流Ｉb から温度補償制御電流ＩO
を生成する温度補償制御電流生成回路４と、を備えて構
成し、温度補償制御電流ＩO を用いて、一又は複数のＶ
ＣＯ等で構成された回路の温度補償を実施する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路の温度変化に応じ
た温度補償制御電流を生成する温度補償制御電流生成装
置に関し、より詳細には、ＩＣ化された電圧制御発振器
（以下、ＶＣＯ( Voltage-Controlled Oscillator)とい
う。）等に対して、その温度変化による特性の変化を補
償するための温度補償制御電流を生成し、供給するため
の温度補償制御電流生成装置に関する。
た温度補償制御電流を生成する温度補償制御電流生成装
置に関し、より詳細には、ＩＣ化された電圧制御発振器
（以下、ＶＣＯ( Voltage-Controlled Oscillator)とい
う。）等に対して、その温度変化による特性の変化を補
償するための温度補償制御電流を生成し、供給するため
の温度補償制御電流生成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術においては、ＩＣ化されたＶＣ
Ｏに対して温度補償をする場合には、それぞれのＶＣＯ
回路に対して個々に温度補償用回路を設け、温度変化に
より変化した発振周波数制御電圧を補償することにより
発振周波数を安定化し、温度補償を実現していた。
Ｏに対して温度補償をする場合には、それぞれのＶＣＯ
回路に対して個々に温度補償用回路を設け、温度変化に
より変化した発振周波数制御電圧を補償することにより
発振周波数を安定化し、温度補償を実現していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法に
よる温度補償においては、個々のＶＣＯに対して温度補
償用回路を設けていたため、ＶＣＯが複数個必要な場合
においては、回路全体が大規模になるという問題点があ
った。
よる温度補償においては、個々のＶＣＯに対して温度補
償用回路を設けていたため、ＶＣＯが複数個必要な場合
においては、回路全体が大規模になるという問題点があ
った。
【０００４】本発明の目的は、温度補償が必要な回路、
例えばＶＣＯが複数あるような場合であっても、回路全
体を小規模化し、消費電力を低減させる温度補償回路を
構成することが可能な、温度補償制御電流生成回路を提
供することにある。
例えばＶＣＯが複数あるような場合であっても、回路全
体を小規模化し、消費電力を低減させる温度補償回路を
構成することが可能な、温度補償制御電流生成回路を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、図１に示すように、温度補償された基準
電流Ｉa を生成する基準電流生成回路１と、温度補償さ
れていない比較電流Ｉ b を生成する比較電流生成回路３
と、前記基準電流Ｉa と前記比較電流Ｉb との差に基づ
いて、外部回路の温度補償を行うための温度補償制御電
流ＩO を生成する温度補償制御電流生成回路４と、を備
えて構成する。
に、本発明は、図１に示すように、温度補償された基準
電流Ｉa を生成する基準電流生成回路１と、温度補償さ
れていない比較電流Ｉ b を生成する比較電流生成回路３
と、前記基準電流Ｉa と前記比較電流Ｉb との差に基づ
いて、外部回路の温度補償を行うための温度補償制御電
流ＩO を生成する温度補償制御電流生成回路４と、を備
えて構成する。
【０００６】
【作用】本発明によれば、基準電流生成回路１は、温度
補償され、温度変化に対する依存性を持たない基準電流
Ｉa を生成する。
補償され、温度変化に対する依存性を持たない基準電流
Ｉa を生成する。
【０００７】比較電流生成回路３は、温度の変化に依存
して変化する比較電流Ｉb を生成する。温度補償制御電
流生成回路４は、基準電流Ｉa と比較電流Ｉb との差に
基づいて、外部回路の温度補償を行うための温度補償制
御電流ＩO （＝Ｉa −Ｉb ）を生成する。
して変化する比較電流Ｉb を生成する。温度補償制御電
流生成回路４は、基準電流Ｉa と比較電流Ｉb との差に
基づいて、外部回路の温度補償を行うための温度補償制
御電流ＩO （＝Ｉa −Ｉb ）を生成する。
【０００８】したがって、１つの温度補償制御電流生成
装置により、温度補償が必要な複数の回路で活用するこ
とができる温度補償制御電流を生成し、当該回路に供給
するので、回路全体を小規模化し、消費電力を低減させ
ることができる。
装置により、温度補償が必要な複数の回路で活用するこ
とができる温度補償制御電流を生成し、当該回路に供給
するので、回路全体を小規模化し、消費電力を低減させ
ることができる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明に好適な実施例について、図面
を参照しながら説明する。図２に本発明に係わる温度補
償用電流生成装置及びそれを用いて１個のＶＣＯに対し
て温度補償する場合の回路構成を示す。
を参照しながら説明する。図２に本発明に係わる温度補
償用電流生成装置及びそれを用いて１個のＶＣＯに対し
て温度補償する場合の回路構成を示す。
【００１０】図２に示すように、本実施例の回路は、温
度補償された基準電流Ｉa を生成する基準電流生成回路
１と、温度補償されていない比較電流Ｉb を生成する比
較電流生成回路３と、基準電流Ｉa と比較電流Ｉb の差
に基づいて温度補償制御用電流ＩO （＝Ｉa −Ｉb ）を
生成する温度補償制御電流生成回路４と、温度補償制御
電流ＩO によって温度補償されるＶＣＯ５と、で構成さ
れている。
度補償された基準電流Ｉa を生成する基準電流生成回路
１と、温度補償されていない比較電流Ｉb を生成する比
較電流生成回路３と、基準電流Ｉa と比較電流Ｉb の差
に基づいて温度補償制御用電流ＩO （＝Ｉa −Ｉb ）を
生成する温度補償制御電流生成回路４と、温度補償制御
電流ＩO によって温度補償されるＶＣＯ５と、で構成さ
れている。
【００１１】基準電流生成回路１は、温度補償された基
準電圧ＶREF を発生する基準電圧発生回路２と、それぞ
れのベース−エミッタ間電圧（以下、ＶBEという。）の
温度依存性を互いに相殺するトランジスタ２０及び２１
と、抵抗Ｒ1 と、トランジスタ２０に電圧を発生させる
ための電流源ＩT とにより構成されている。また、トラ
ンジスタ２１のベース端子は、比較電流生成回路３のト
ランジスタ２２のベース端子と共通になっている。
準電圧ＶREF を発生する基準電圧発生回路２と、それぞ
れのベース−エミッタ間電圧（以下、ＶBEという。）の
温度依存性を互いに相殺するトランジスタ２０及び２１
と、抵抗Ｒ1 と、トランジスタ２０に電圧を発生させる
ための電流源ＩT とにより構成されている。また、トラ
ンジスタ２１のベース端子は、比較電流生成回路３のト
ランジスタ２２のベース端子と共通になっている。
【００１２】比較電流生成回路３は、トランジスタ２０
との間でそれぞれのＶBEの温度依存性を互いに相殺する
トランジスタ２２と、温度補償制御電流生成回路４のト
ランジスタ２４とともにカレントミラー回路を構成する
トランジスタ２３と、抵抗Ｒ 2 及びＲ3 により構成され
ている。
との間でそれぞれのＶBEの温度依存性を互いに相殺する
トランジスタ２２と、温度補償制御電流生成回路４のト
ランジスタ２４とともにカレントミラー回路を構成する
トランジスタ２３と、抵抗Ｒ 2 及びＲ3 により構成され
ている。
【００１３】温度補償制御電流生成回路４は、高電位側
電源Ｖccと低電位側電源Ｖeeとの間にトランジスタ２
４、２５、２６及び２７並びに可変電流源ＩINにより差
動増幅回路が構成され、さらに、高電位側電源Ｖccとト
ランジスタ２５のベース端子との間に、基準電流Ｉa の
定数倍の電流Ｉa ’を流すための電流源４０が挿入され
て構成されている。
電源Ｖccと低電位側電源Ｖeeとの間にトランジスタ２
４、２５、２６及び２７並びに可変電流源ＩINにより差
動増幅回路が構成され、さらに、高電位側電源Ｖccとト
ランジスタ２５のベース端子との間に、基準電流Ｉa の
定数倍の電流Ｉa ’を流すための電流源４０が挿入され
て構成されている。
【００１４】さらに、ＶＣＯ５として、高電位側電源Ｖ
ccと低電位側電源Ｖeeとの間に、トランジスタ２８、２
９、３０及び３１と、発振用コンデンサＣO と、電流源
４１、４２、４３、４４、４５及び４６を主要部として
電圧制御発振器が構成されている。
ccと低電位側電源Ｖeeとの間に、トランジスタ２８、２
９、３０及び３１と、発振用コンデンサＣO と、電流源
４１、４２、４３、４４、４５及び４６を主要部として
電圧制御発振器が構成されている。
【００１５】ここで、電流源４１、４２、４３、４４、
４５及び４６は、電流源４１と４２、電流源４３と４４
及び電流源４５と４６のそれぞれがペアとなっており、
各ペアを構成する電流源には、各ペア毎に等しい値の電
流（Ｉ1 、Ｉ2 及びＩ3 ）が流れる。
４５及び４６は、電流源４１と４２、電流源４３と４４
及び電流源４５と４６のそれぞれがペアとなっており、
各ペアを構成する電流源には、各ペア毎に等しい値の電
流（Ｉ1 、Ｉ2 及びＩ3 ）が流れる。
【００１６】また、電流源４１、４２、４３、４４、４
５及び４６は、それぞれの電流Ｉ1、Ｉ2 及びＩ3 が、
温度補償制御電流生成回路４により生成された温度補償
制御電流ＩO の定数倍の値を持つ電流、すなわち、Ｉ1
＝Ｂ・ＩO 、Ｉ2 ＝Ｃ・ＩO、Ｉ3 ＝Ｄ・ＩO （Ｂ、Ｃ
及びＤは定数）となるように構成される。このため、電
流源４１、４２、４３、４４、４５及び４６のそれぞれ
と、温度補償制御電流ＩO が流れる電流流路との間に
は、図示しないカレントミラー回路が構成されている。
５及び４６は、それぞれの電流Ｉ1、Ｉ2 及びＩ3 が、
温度補償制御電流生成回路４により生成された温度補償
制御電流ＩO の定数倍の値を持つ電流、すなわち、Ｉ1
＝Ｂ・ＩO 、Ｉ2 ＝Ｃ・ＩO、Ｉ3 ＝Ｄ・ＩO （Ｂ、Ｃ
及びＤは定数）となるように構成される。このため、電
流源４１、４２、４３、４４、４５及び４６のそれぞれ
と、温度補償制御電流ＩO が流れる電流流路との間に
は、図示しないカレントミラー回路が構成されている。
【００１７】次に動作を説明する。基準電流生成回路１
の動作によると、温度補償された電流Ｉa が、トランジ
スタ２１のコレクタ電流として得られる。
の動作によると、温度補償された電流Ｉa が、トランジ
スタ２１のコレクタ電流として得られる。
【００１８】すなわち、基準電流生成回路１において
は、基準電圧発生回路２により温度の変化によって変動
しない基準電圧ＶREF が与えられる。また、トランジス
タ２０と、トランジスタ２１においては、ＩＣ上で互い
に近接して製作されているので、それぞれのＶBEは同じ
温度依存性を持つ。したがって、図２に示す構成によれ
ば、トランジスタ２０のＶBEの温度依存性とトランジス
タ２１のＶBEの温度依存性は、互いに相殺することがで
きる。
は、基準電圧発生回路２により温度の変化によって変動
しない基準電圧ＶREF が与えられる。また、トランジス
タ２０と、トランジスタ２１においては、ＩＣ上で互い
に近接して製作されているので、それぞれのＶBEは同じ
温度依存性を持つ。したがって、図２に示す構成によれ
ば、トランジスタ２０のＶBEの温度依存性とトランジス
タ２１のＶBEの温度依存性は、互いに相殺することがで
きる。
【００１９】さらに、抵抗Ｒ1 の温度依存性について
は、抵抗Ｒ1 と、比較電流生成回路３の抵抗Ｒ3 、温度
補償制御電流生成回路４の抵抗Ｒ4 及びＶＣＯ５の電流
源４３、４４、４５及び４６中の抵抗がそれぞれ近接し
て製作されるので、互いに同じ温度依存性を持つことに
より、それぞれの温度依存性を相殺することとなる。
は、抵抗Ｒ1 と、比較電流生成回路３の抵抗Ｒ3 、温度
補償制御電流生成回路４の抵抗Ｒ4 及びＶＣＯ５の電流
源４３、４４、４５及び４６中の抵抗がそれぞれ近接し
て製作されるので、互いに同じ温度依存性を持つことに
より、それぞれの温度依存性を相殺することとなる。
【００２０】したがって、トランジスタ２１のコレクタ
端子には、温度依存性を持たない（すなわち、温度補償
された）基準電流Ｉa が流れる。比較電流生成回路３の
動作によると、温度が変化することによって変化する比
較電流Ｉb が、トランジスタ２２のコレクタ電流として
得られる。
端子には、温度依存性を持たない（すなわち、温度補償
された）基準電流Ｉa が流れる。比較電流生成回路３の
動作によると、温度が変化することによって変化する比
較電流Ｉb が、トランジスタ２２のコレクタ電流として
得られる。
【００２１】すなわち、トランジスタ２２のＶBEは温度
依存性を持つが、トランジスタ２２とトランジスタ２０
はＩＣ上で近接して製作されており、且つベース端子が
共通であることから、基準電流生成回路１のトランジス
タ２１の場合と同様に、トランジスタ２２のＶBEとトラ
ンジスタ２０のＶBEは、その温度依存性が互いに相殺さ
れる。
依存性を持つが、トランジスタ２２とトランジスタ２０
はＩＣ上で近接して製作されており、且つベース端子が
共通であることから、基準電流生成回路１のトランジス
タ２１の場合と同様に、トランジスタ２２のＶBEとトラ
ンジスタ２０のＶBEは、その温度依存性が互いに相殺さ
れる。
【００２２】また、抵抗Ｒ3 については、基準電流生成
回路１の抵抗Ｒ1 の場合と同様に、他の抵抗によりその
温度依存性は相殺される。ここで、トランジスタ２３の
ＶBE及び、抵抗Ｒ2 が温度依存性を持つため、結局、ト
ランジスタ２２のコレクタ電流として、温度が変化する
ことに応じて変化する比較電流Ｉb が得られる。
回路１の抵抗Ｒ1 の場合と同様に、他の抵抗によりその
温度依存性は相殺される。ここで、トランジスタ２３の
ＶBE及び、抵抗Ｒ2 が温度依存性を持つため、結局、ト
ランジスタ２２のコレクタ電流として、温度が変化する
ことに応じて変化する比較電流Ｉb が得られる。
【００２３】温度補償制御電流生成回路４の動作による
と、温度補償制御電流として、比較電流Ｉb と基準電流
Ｉa との差電流ＩO ＝Ｉa −Ｉb が、トランジスタ２７
のコレクタ電流として得られる。
と、温度補償制御電流として、比較電流Ｉb と基準電流
Ｉa との差電流ＩO ＝Ｉa −Ｉb が、トランジスタ２７
のコレクタ電流として得られる。
【００２４】すなわち、電流源４０は、温度補償された
電流Ｉa の定数倍の電流Ｉa ’（Ｉ a ’＝Ａ・Ｉa （Ａ
は定数））を流すように構成されている。したがって、
トランジスタ２４のベース電流としてＩa ’が流れるの
で、トランジスタ２４、２５、２６及び２７並びに可変
電流源ＩINにより構成される差動増幅器及びトランジス
タ２３及び２４により構成されるカレントミラー回路に
より、トランジスタ２７のコレクタ電流として、差電流
ＩO ＝Ｉa −Ｉb が得られる。
電流Ｉa の定数倍の電流Ｉa ’（Ｉ a ’＝Ａ・Ｉa （Ａ
は定数））を流すように構成されている。したがって、
トランジスタ２４のベース電流としてＩa ’が流れるの
で、トランジスタ２４、２５、２６及び２７並びに可変
電流源ＩINにより構成される差動増幅器及びトランジス
タ２３及び２４により構成されるカレントミラー回路に
より、トランジスタ２７のコレクタ電流として、差電流
ＩO ＝Ｉa −Ｉb が得られる。
【００２５】ＶＣＯ５においては、温度が変化すると電
流源４１、４２、４３、４４、４５及び４６に流れる電
流が変化するが、この変化した電流を温度補償制御電流
生成回路４において得られた温度補償制御電流ＩO を用
いて補正することにより、電流源４１、４２、４３、４
４、４５及び４６に流れる電流に対して温度補償を与
え、この温度補償された電流を用いて発振用コンデンサ
ＣO の充放電を行うことによりＶＣＯ５の発振周波数の
温度依存性が補償される。
流源４１、４２、４３、４４、４５及び４６に流れる電
流が変化するが、この変化した電流を温度補償制御電流
生成回路４において得られた温度補償制御電流ＩO を用
いて補正することにより、電流源４１、４２、４３、４
４、４５及び４６に流れる電流に対して温度補償を与
え、この温度補償された電流を用いて発振用コンデンサ
ＣO の充放電を行うことによりＶＣＯ５の発振周波数の
温度依存性が補償される。
【００２６】すなわち、例えば、電流源４１は、その電
流Ｉ1 が温度変化の影響により増加した場合には、電流
源４１と温度補償制御電流ＩO が流れる電流流路との間
に構成された図示しないカレントミラー回路により得ら
れた温度補償制御電流ＩO の鏡像電流を用いて、その増
加分を補償するように回路に流す電流Ｉ1 を減少させ
る。同様に、温度変化の影響により電流Ｉ1 が減少した
場合には、その減少分を補償するように回路に流す電流
Ｉ1 を増加させる。
流Ｉ1 が温度変化の影響により増加した場合には、電流
源４１と温度補償制御電流ＩO が流れる電流流路との間
に構成された図示しないカレントミラー回路により得ら
れた温度補償制御電流ＩO の鏡像電流を用いて、その増
加分を補償するように回路に流す電流Ｉ1 を減少させ
る。同様に、温度変化の影響により電流Ｉ1 が減少した
場合には、その減少分を補償するように回路に流す電流
Ｉ1 を増加させる。
【００２７】以上の動作は他の電流源４２、４３、４
４、４５及び４６においても同様に行われる。したがっ
て、発振用コンデンサＣO を充放電するための電流が温
度依存性を持たない電流となるので、ＶＣＯ５の発振周
波数の温度依存性を補償することができる。
４、４５及び４６においても同様に行われる。したがっ
て、発振用コンデンサＣO を充放電するための電流が温
度依存性を持たない電流となるので、ＶＣＯ５の発振周
波数の温度依存性を補償することができる。
【００２８】なお、上記の補償動作は、ＩＣ化された回
路においては、図２に示す回路全体が近接して製作され
るので、基準電流生成回路１、比較電流生成回路３、温
度補償制御電流生成回路４及びＶＣＯ５が同じ温度変化
の影響を受けることにより可能となる。
路においては、図２に示す回路全体が近接して製作され
るので、基準電流生成回路１、比較電流生成回路３、温
度補償制御電流生成回路４及びＶＣＯ５が同じ温度変化
の影響を受けることにより可能となる。
【００２９】さらに、上記実施例においては、ＶＣＯが
１個の場合を説明したが、ＶＣＯが２個以上複数の場合
においても、それぞれのＶＣＯに流れる電流を、温度補
償制御電流ＩO を用いて上記実施例と同様に補償するこ
とが可能である。
１個の場合を説明したが、ＶＣＯが２個以上複数の場合
においても、それぞれのＶＣＯに流れる電流を、温度補
償制御電流ＩO を用いて上記実施例と同様に補償するこ
とが可能である。
【００３０】次に、基準電流生成回路１中の基準電圧発
生回路２に対応する実施例を図３を用いて説明する。図
３は、温度依存性を持たない基準電圧を発生するため
の、いわゆるバンドギャップ回路の構成を示している。
生回路２に対応する実施例を図３を用いて説明する。図
３は、温度依存性を持たない基準電圧を発生するため
の、いわゆるバンドギャップ回路の構成を示している。
【００３１】図３に示すバンドギャップ回路は、高電位
側電源Ｖccと低電位側電源Ｖeeとの間に、トランジスタ
１０及び１１並びに抵抗Ｒ１０及びＲ１１からなる高電
位側カレントミラー回路Ｍ1 と、トランジスタ１３及び
１４並びに抵抗Ｒ１２からなる低電位側カレントミラー
回路Ｍ2 が直列に接続され、当該２組のカレントミラー
回路の間に、１個のトランジスタ１２が直列に接続され
て構成されており、トランジスタ１３又は１４のベース
電圧が温度特性を持たない基準電圧ＶREF として出力さ
れる。
側電源Ｖccと低電位側電源Ｖeeとの間に、トランジスタ
１０及び１１並びに抵抗Ｒ１０及びＲ１１からなる高電
位側カレントミラー回路Ｍ1 と、トランジスタ１３及び
１４並びに抵抗Ｒ１２からなる低電位側カレントミラー
回路Ｍ2 が直列に接続され、当該２組のカレントミラー
回路の間に、１個のトランジスタ１２が直列に接続され
て構成されており、トランジスタ１３又は１４のベース
電圧が温度特性を持たない基準電圧ＶREF として出力さ
れる。
【００３２】高電位側カレントミラー回路Ｍ1 の抵抗Ｒ
１０及びＲ１１は、等しい値に設定される。この高電位
側カレントミラー回路Ｍ1 は、低電位側カレントミラー
回路Ｍ2 に温度依存性を持たない定電流Ｉ10を供給する
ための回路である。
１０及びＲ１１は、等しい値に設定される。この高電位
側カレントミラー回路Ｍ1 は、低電位側カレントミラー
回路Ｍ2 に温度依存性を持たない定電流Ｉ10を供給する
ための回路である。
【００３３】次に動作を説明する。図３に示す回路にお
いて、高電位カレントミラー回路Ｍ1 及びトランジスタ
１２の作用により、温度依存性を持たない定電流Ｉ10が
生成され、低電位側カレントミラー回路Ｍ2 に供給され
る。
いて、高電位カレントミラー回路Ｍ1 及びトランジスタ
１２の作用により、温度依存性を持たない定電流Ｉ10が
生成され、低電位側カレントミラー回路Ｍ2 に供給され
る。
【００３４】低電位側カレントミラー回路Ｍ2 において
は、トランジスタ１３及びトランジスタ１４のそれぞれ
のコレクタ電流としてほぼ等しい値の電流Ｉ10が入力さ
れるため、それぞれのトランジスタの温度依存性は、互
いに相殺される。
は、トランジスタ１３及びトランジスタ１４のそれぞれ
のコレクタ電流としてほぼ等しい値の電流Ｉ10が入力さ
れるため、それぞれのトランジスタの温度依存性は、互
いに相殺される。
【００３５】以上の動作により、基準電圧ＶREF とし
て、温度依存性を持たない電圧が出力される。
て、温度依存性を持たない電圧が出力される。
【００３６】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、基
準電流生成回路１において生成した温度補償された基準
電流Ｉa と、比較電流生成回路３において生成された温
度の変化に依存して変化する比較電流Ｉb との差電流か
ら温度補償制御電流生成回路４において温度補償制御電
流ＩO を得るので、１つの温度補償制御電流生成装置に
より、複数の回路で活用可能な温度補償制御電流を生成
し、供給することができる。
準電流生成回路１において生成した温度補償された基準
電流Ｉa と、比較電流生成回路３において生成された温
度の変化に依存して変化する比較電流Ｉb との差電流か
ら温度補償制御電流生成回路４において温度補償制御電
流ＩO を得るので、１つの温度補償制御電流生成装置に
より、複数の回路で活用可能な温度補償制御電流を生成
し、供給することができる。
【００３７】したがって、回路全体を小規模化し、消費
電力を低減させることができる。
電力を低減させることができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の実施例を示す図である。
【図３】基準電圧発生回路２としてのバンドギャップ回
路を示す図である。
路を示す図である。
１…基準電流生成回路 ２…基準電圧発生回路 ３…比較電流生成回路 ４…温度補償制御電流生成回路 ５、６、ｎ…ＶＣＯ １０〜１４、２０〜３１…トランジスタ ４０〜４６…電流源 Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ10〜Ｒ12…抵抗 Ｉa 、Ｉa ’、Ｉb 、ＩO 、Ｉ1 〜Ｉ3 …電流 Ｉ10…定電流 ＩT …電流源 ＩIN…可変電流源 ＣO …発振用コンデンサ Ｍ1 …高電位側カレントミラー回路 Ｍ2 …低電位側カレントミラー回路 Ｖcc…高電位側電源 Ｖee…低電位側電源 ＶREF …基準電圧
Claims (1)
- 【請求項１】 温度補償された基準電流（Ｉa ）を生成
する基準電流生成回路（１）と、 温度補償されていない比較電流（Ｉb ）を生成する比較
電流生成回路（３）と、 前記基準電流（Ｉa ）と前記比較電流（Ｉb ）との差に
基づいて、外部回路の温度補償を行うための温度補償制
御電流（ＩO ）を生成する温度補償制御電流生成回路
（４）と、 を備えることを特徴とする温度補償制御電流生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31694493A JPH07175544A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 温度補償制御電流生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31694493A JPH07175544A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 温度補償制御電流生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175544A true JPH07175544A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18082682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31694493A Withdrawn JPH07175544A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 温度補償制御電流生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07175544A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980055018A (ko) * | 1996-12-27 | 1998-09-25 | 김광호 | 온도보상 전류 제어회로 |
| JP2011170455A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Rohm Co Ltd | 基準電圧回路 |
| JP2013054471A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 基準信号発生回路 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP31694493A patent/JPH07175544A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980055018A (ko) * | 1996-12-27 | 1998-09-25 | 김광호 | 온도보상 전류 제어회로 |
| JP2011170455A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Rohm Co Ltd | 基準電圧回路 |
| JP2013054471A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 基準信号発生回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |