JPH07161330A - 電子銃用パルス伝送装置 - Google Patents
電子銃用パルス伝送装置Info
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- JPH07161330A JPH07161330A JP5305366A JP30536693A JPH07161330A JP H07161330 A JPH07161330 A JP H07161330A JP 5305366 A JP5305366 A JP 5305366A JP 30536693 A JP30536693 A JP 30536693A JP H07161330 A JPH07161330 A JP H07161330A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 短パルス発生装置で発生した短パルスを電子
銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ
電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置に
おいて、前記短パルス発生装置、直流電源の少なくとも
何れか一方から前記電子銃までを同軸線路とした。 【効果】 低周波から高周波までの成分を含んだパルス
波形を効率良く伝送でき、また直流電源へのパルス抜け
の割合も周波数依存なく、反射波による波形歪みを発生
しない。
銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ
電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置に
おいて、前記短パルス発生装置、直流電源の少なくとも
何れか一方から前記電子銃までを同軸線路とした。 【効果】 低周波から高周波までの成分を含んだパルス
波形を効率良く伝送でき、また直流電源へのパルス抜け
の割合も周波数依存なく、反射波による波形歪みを発生
しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特にＦＥＬ（Ｆｒｅ
ｅ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｌａｓｅｒ）、ＳＯＲ（Ｓｙｎ
ｃｈｒｏｔｒｏｎ ｏｒｂｉｔａｌ ｒａｄｉａｔｉｏ
ｎ）用入射器に用いられる電子銃パルス伝送装置に関す
るものである。
ｅ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｌａｓｅｒ）、ＳＯＲ（Ｓｙｎ
ｃｈｒｏｔｒｏｎ ｏｒｂｉｔａｌ ｒａｄｉａｔｉｏ
ｎ）用入射器に用いられる電子銃パルス伝送装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３に従来のパルス伝送装置を示す。
図１３において、３１は同軸ケーブル、１５，２７，２
８はビニル絶縁のより線ケーブル、２９は端子台、３１
は５０Ω同軸ケーブル、３２はバイアス電圧・ヒータ電
力供給ボックス、であり、その中の２はコンデンサ、１
１は抵抗器、９２，９３はフェライトコアである。１６
は短パルス発生装置、１７１，１７２は直流電源、１８
はパルス発生源、１９は出力抵抗器、２０は電子銃、２
１はヒータ、２２はカソード、２３はグリッド、２４は
アノードである。動作について以下に説明する。パルス
発生源１８から発生した短パルスは、出力抵抗器１９
（一般には５０Ω）をとおり短パルス伝送装置に出力さ
れる。パルスは、同軸ケーブル３１を伝わって、バイア
ス電圧・ヒータ電力供給ボックス３２に伝わり、電子銃
２０のカソード２２に伝わる。バイアス電圧・ヒータ電
力供給ボックス３２の中では直流電源１７１へパルスが
抜けないようにインダクタンスを作るフェライトコア９
３に単芯の絶縁線２６を数回巻き、抵抗器１１を介して
端子台２９につなげ、直流電源１７２にパルスが抜けな
いようにフェライトコア９２に二芯の絶縁線２７を数回
巻き付けてインダクタンスを作り、端子台２９をつげて
いる。一般には、パルス発生装置１６をグリッドパル
サ、直流電源１７１をバイアス電源、直流電源１７２を
ヒータ電源と呼ぶ。
図１３において、３１は同軸ケーブル、１５，２７，２
８はビニル絶縁のより線ケーブル、２９は端子台、３１
は５０Ω同軸ケーブル、３２はバイアス電圧・ヒータ電
力供給ボックス、であり、その中の２はコンデンサ、１
１は抵抗器、９２，９３はフェライトコアである。１６
は短パルス発生装置、１７１，１７２は直流電源、１８
はパルス発生源、１９は出力抵抗器、２０は電子銃、２
１はヒータ、２２はカソード、２３はグリッド、２４は
アノードである。動作について以下に説明する。パルス
発生源１８から発生した短パルスは、出力抵抗器１９
（一般には５０Ω）をとおり短パルス伝送装置に出力さ
れる。パルスは、同軸ケーブル３１を伝わって、バイア
ス電圧・ヒータ電力供給ボックス３２に伝わり、電子銃
２０のカソード２２に伝わる。バイアス電圧・ヒータ電
力供給ボックス３２の中では直流電源１７１へパルスが
抜けないようにインダクタンスを作るフェライトコア９
３に単芯の絶縁線２６を数回巻き、抵抗器１１を介して
端子台２９につなげ、直流電源１７２にパルスが抜けな
いようにフェライトコア９２に二芯の絶縁線２７を数回
巻き付けてインダクタンスを作り、端子台２９をつげて
いる。一般には、パルス発生装置１６をグリッドパル
サ、直流電源１７１をバイアス電源、直流電源１７２を
ヒータ電源と呼ぶ。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のパルス伝送装置
は、以上のように構成されているので、以下に記載する
ような問題点があった。 （１）バイアス電圧・ヒータ電力供給ボックスが１００
ｍｍぐらいの大きさになるため、短パルス発生器・電子
銃間の伝送路が長くなるため、１ｎｓ以下のパルスにお
いてはインピーダンスのミスマッチが生じる。 （２）短パルス発生器・電子銃等をつなぐ線路が線ケー
ブルにより構成されているため、伝送される間に、低周
波から高周波まで含むパルス波形が変形する。 （３）パルスの直流電源への抜けを防止するためにフェ
ライトコア巻き構造にするとインダクタンスの周波数特
性が悪くなる。
は、以上のように構成されているので、以下に記載する
ような問題点があった。 （１）バイアス電圧・ヒータ電力供給ボックスが１００
ｍｍぐらいの大きさになるため、短パルス発生器・電子
銃間の伝送路が長くなるため、１ｎｓ以下のパルスにお
いてはインピーダンスのミスマッチが生じる。 （２）短パルス発生器・電子銃等をつなぐ線路が線ケー
ブルにより構成されているため、伝送される間に、低周
波から高周波まで含むパルス波形が変形する。 （３）パルスの直流電源への抜けを防止するためにフェ
ライトコア巻き構造にするとインダクタンスの周波数特
性が悪くなる。
【０００４】この発明は、以上のような問題点を解決す
るためになされたもので、インピーダンスのミスマッ
チ、フェライトコア巻きのインダクタンスは周波数特性
が悪い、パルス中の高周波成分のバイアス線路への抜け
ることによるパルス波形の変形、減少を解消し、エミッ
ション電子がパルス発生装置から生じた波形の通り発生
するように伝送する電子銃用パルス伝送装置を得ること
を目的とする。
るためになされたもので、インピーダンスのミスマッ
チ、フェライトコア巻きのインダクタンスは周波数特性
が悪い、パルス中の高周波成分のバイアス線路への抜け
ることによるパルス波形の変形、減少を解消し、エミッ
ション電子がパルス発生装置から生じた波形の通り発生
するように伝送する電子銃用パルス伝送装置を得ること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の電子銃用パル
ス伝送装置は、短パルス発生装置で発生した短パルスを
電子銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒ
ータ電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装
置において、前記短パルス発生装置から前記電子銃まで
を同軸線路としたことを特徴とするものである。
ス伝送装置は、短パルス発生装置で発生した短パルスを
電子銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒ
ータ電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装
置において、前記短パルス発生装置から前記電子銃まで
を同軸線路としたことを特徴とするものである。
【０００６】請求項２の電子銃用パルス伝送装置は、短
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源から前記電子銃までを同軸線路としたことを特
徴とするものである。
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源から前記電子銃までを同軸線路としたことを特
徴とするものである。
【０００７】請求項３の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、フェライトコアを装荷
したことを特徴とするものである。
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、フェライトコアを装荷
したことを特徴とするものである。
【０００８】請求項４の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心にヒータ線、その
外周にカソード線、さらに最外周にグリッド線で３重に
構成したことを特徴とするものである。
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心にヒータ線、その
外周にカソード線、さらに最外周にグリッド線で３重に
構成したことを特徴とするものである。
【０００９】請求項５の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心のヒータ線及びカ
ソード線の線径を、カソードパルス導入部から電子銃ま
での特性インピーダンスよりバイアス電圧、ヒータ電力
導入部から前記電子銃までの特性インピーダンスが高く
なるように、細くしたことを特徴とするものである。
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心のヒータ線及びカ
ソード線の線径を、カソードパルス導入部から電子銃ま
での特性インピーダンスよりバイアス電圧、ヒータ電力
導入部から前記電子銃までの特性インピーダンスが高く
なるように、細くしたことを特徴とするものである。
【００１０】請求項６の電子銃用パルス伝送装置は、短
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源からのバイアス電圧を前記電子銃に供給する第
１の同軸線路と、前記直流電源からのヒータ電力を前記
電子銃に供給する第２の同軸線路と、を備えたことを特
徴とする。
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源からのバイアス電圧を前記電子銃に供給する第
１の同軸線路と、前記直流電源からのヒータ電力を前記
電子銃に供給する第２の同軸線路と、を備えたことを特
徴とする。
【００１１】請求項７の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項３記載の電子銃用パルス伝送装置において、同軸線
路のフェライトコアに抵抗器を設けたことを特徴とする
ものである。
求項３記載の電子銃用パルス伝送装置において、同軸線
路のフェライトコアに抵抗器を設けたことを特徴とする
ものである。
【００１２】
【作用】請求項１の電子銃用パルス伝送装置は、低周波
から高周波までの成分を含んだパルス波形を変形するこ
となく伝送できる。
から高周波までの成分を含んだパルス波形を変形するこ
となく伝送できる。
【００１３】請求項２の電子銃用パルス伝送装置は、短
パルス発生装置で生じた直流電源側の経路に流れ、その
パルスが反射して短パルス発生装置・電子銃間の経路に
帰還した場合に、直流電源から電子銃までの線路が同軸
線路であるため、短パルス発生装置で発生したパルスと
同じ波形のまま帰還され、電子銃へ入力されるパルス波
形を変形することなく伝送できる。
パルス発生装置で生じた直流電源側の経路に流れ、その
パルスが反射して短パルス発生装置・電子銃間の経路に
帰還した場合に、直流電源から電子銃までの線路が同軸
線路であるため、短パルス発生装置で発生したパルスと
同じ波形のまま帰還され、電子銃へ入力されるパルス波
形を変形することなく伝送できる。
【００１４】請求項３の電子銃用パルス伝送装置は、直
流電源へのパルス抜けの割合も周波数依存なく、反射波
による波形歪みを発生しない。
流電源へのパルス抜けの割合も周波数依存なく、反射波
による波形歪みを発生しない。
【００１５】請求項４の電子銃用パルス伝送装置は、直
流電源へのパルス抜けの割合も周波数依存なく、反射波
による波形歪みを発生しない。
流電源へのパルス抜けの割合も周波数依存なく、反射波
による波形歪みを発生しない。
【００１６】請求項５の電子銃用パルス伝送装置は、同
軸線路の特性インピーダンスが大きくなり、直流電源方
向へのパルス抜けを小さくできる。
軸線路の特性インピーダンスが大きくなり、直流電源方
向へのパルス抜けを小さくできる。
【００１７】請求項６の電子銃用パルス伝送装置は、低
周波から高周波までの成分を含んだパルス波形をさらに
効率良く伝送できる。
周波から高周波までの成分を含んだパルス波形をさらに
効率良く伝送できる。
【００１８】請求項７の電子銃用パルス伝送装置は、フ
ェライトコア毎に抵抗器を設けることにより、直流電源
方向へ伝送されるパルスは序々に減衰し、波形の乱れ、
ダブルパルスを防ぐことができる。
ェライトコア毎に抵抗器を設けることにより、直流電源
方向へ伝送されるパルスは序々に減衰し、波形の乱れ、
ダブルパルスを防ぐことができる。
【００１９】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１において、１は同軸管の中心導体、２はコン
デンサ、３は同軸管の中心導体、４は３重同軸管の最も
中心にある第一中心導体、５は第一中心導体４の外にあ
る第二中心導体、６は外部導体、７は３重同軸管の第二
中心導体、８は第二中心導体７の内にある第一中心導
体、９は第二中心導体の外にある、フェライトコア、１
０は外部導体、１１は抵抗器、１２，１３は同軸コネク
タ、１４は同軸ケーブル、１５はビニル絶縁のより線ケ
ーブル、１６は短パルス発生装置、１７１，１７２は直
流電源、１８はパルス発生源、１９は出力抵抗器、２０
は電子銃、２１はヒータ、２２はカソード、２３はグリ
ッド、２４はアノードである。
する。図１において、１は同軸管の中心導体、２はコン
デンサ、３は同軸管の中心導体、４は３重同軸管の最も
中心にある第一中心導体、５は第一中心導体４の外にあ
る第二中心導体、６は外部導体、７は３重同軸管の第二
中心導体、８は第二中心導体７の内にある第一中心導
体、９は第二中心導体の外にある、フェライトコア、１
０は外部導体、１１は抵抗器、１２，１３は同軸コネク
タ、１４は同軸ケーブル、１５はビニル絶縁のより線ケ
ーブル、１６は短パルス発生装置、１７１，１７２は直
流電源、１８はパルス発生源、１９は出力抵抗器、２０
は電子銃、２１はヒータ、２２はカソード、２３はグリ
ッド、２４はアノードである。
【００２０】図１の動作について以下に説明する。パル
ス発生源１８から発生した短パルスは、出力抵抗器１９
（一般には５０Ω）をとおり短パルス伝送装置に出力さ
れる。出力されたパルスは中心導体１と外部導体６から
構成される同軸線路中をＴＥＭモードで伝送され、コン
デンサ２を通過し、点Ｐまで到達する。パルスは電子銃
２０のカソードにつながっている第二中心導体５と外部
導体６から構成される同軸線路とバイアス電源につなが
る第二中心導体７、フェライトコア９と外部導体１０か
ら構成される同軸線路に分割される。それぞれの同軸線
路は、図１におけるＡ−Ａ断面は図２のように、Ｂ−Ｂ
断面は図３のように、Ｃ−Ｃ断面は図４のようになって
おり、ｂ／ａ＝２．３とすることにより特性インピーダ
ンス＝５０Ωの同軸線路が構成され、図４の同軸線路の
特性インピーダンスはフェライトの比透磁率＝１００と
し、ｄ／ｃ＝２．３とすると、Ｚ０＝５００Ωとなり、
５０：５００の割合でパルスは伝わっていく。それぞれ
同軸線路としているため、低周波から高周波までインピ
ーダンスが一定であり、波形歪を起こしにくい。同軸管
の特性インピーダンスＺ０は、数１で表される。直流電
源１７からの＋電圧は、同軸ケーブル１４をとおし同軸
コネクタ１２に接続され、抵抗器１１を第二中心導体
７，５をとおし、電子銃２０のカソード２２に接続さ
れ、所定のバイアス電圧が印加される。また、バイアス
電圧はコンデンサ２で直流的に絶縁される。直流電源１
８から２芯のケーブル１５は、第一中心導体８，４をと
おし、電子銃２０のヒータ２１に接続され、第二中心導
体５，７、２芯のケーブル１５をとおり直流電源１８に
戻ってくる。
ス発生源１８から発生した短パルスは、出力抵抗器１９
（一般には５０Ω）をとおり短パルス伝送装置に出力さ
れる。出力されたパルスは中心導体１と外部導体６から
構成される同軸線路中をＴＥＭモードで伝送され、コン
デンサ２を通過し、点Ｐまで到達する。パルスは電子銃
２０のカソードにつながっている第二中心導体５と外部
導体６から構成される同軸線路とバイアス電源につなが
る第二中心導体７、フェライトコア９と外部導体１０か
ら構成される同軸線路に分割される。それぞれの同軸線
路は、図１におけるＡ−Ａ断面は図２のように、Ｂ−Ｂ
断面は図３のように、Ｃ−Ｃ断面は図４のようになって
おり、ｂ／ａ＝２．３とすることにより特性インピーダ
ンス＝５０Ωの同軸線路が構成され、図４の同軸線路の
特性インピーダンスはフェライトの比透磁率＝１００と
し、ｄ／ｃ＝２．３とすると、Ｚ０＝５００Ωとなり、
５０：５００の割合でパルスは伝わっていく。それぞれ
同軸線路としているため、低周波から高周波までインピ
ーダンスが一定であり、波形歪を起こしにくい。同軸管
の特性インピーダンスＺ０は、数１で表される。直流電
源１７からの＋電圧は、同軸ケーブル１４をとおし同軸
コネクタ１２に接続され、抵抗器１１を第二中心導体
７，５をとおし、電子銃２０のカソード２２に接続さ
れ、所定のバイアス電圧が印加される。また、バイアス
電圧はコンデンサ２で直流的に絶縁される。直流電源１
８から２芯のケーブル１５は、第一中心導体８，４をと
おし、電子銃２０のヒータ２１に接続され、第二中心導
体５，７、２芯のケーブル１５をとおり直流電源１８に
戻ってくる。
【００２１】
【数１】
【００２２】この実施例１によれば、パルス伝送装置を
パルス発生装置から電子銃までのパルス伝送線路を電子
銃のインピーダンスと同じ特性を持つ同軸線路とし、さ
らにバイアス電圧、ヒータ電力を供給する線路もフェラ
イトコアを装荷した同軸線路を用いるように構成したの
で、低周波から高周波までの成分を含んだパルス波形を
ロス無く伝送でき、またバイアス電圧、ヒータ電力を供
給する線路もフェライトコアを装荷した同軸線路を用い
るので、バイアス電源へのパルス抜けの割合も周波数依
存なく、反射波により波形歪みが発生しない。
パルス発生装置から電子銃までのパルス伝送線路を電子
銃のインピーダンスと同じ特性を持つ同軸線路とし、さ
らにバイアス電圧、ヒータ電力を供給する線路もフェラ
イトコアを装荷した同軸線路を用いるように構成したの
で、低周波から高周波までの成分を含んだパルス波形を
ロス無く伝送でき、またバイアス電圧、ヒータ電力を供
給する線路もフェライトコアを装荷した同軸線路を用い
るので、バイアス電源へのパルス抜けの割合も周波数依
存なく、反射波により波形歪みが発生しない。
【００２３】実施例２．以下、この発明の実施例２を図
について説明する。図５において、３は同軸管の中心導
体、４は３重同軸管の最も中心にあるヒータ線である第
一中心導体、５は第一中心導体４の外にあるカソード線
である第二中心導体、６はグリッド線である外部導体、
７１は細い銅管、８１は細い導管７１の内にある単芯の
絶縁線、９は細い銅管の外にあるフェライトコア、１０
は外部導体、１１は抵抗器、１２は同軸コネクタであ
る。図６に図５のＤ−Ｄ線断面図を示す。軸中心構造と
なっており、細い銅管７１が３重同軸管の第二中心導体
を、単芯の絶縁線８１が第二中心導体７１の内にある第
一中心導体を構成している。細い銅管７１の直径φｅを
できるだけ小さくし、フェライトコアの厚さ（ｇ−ｆ）
／２も飽和しない範囲で小さくすることにより、同軸線
路の特性インピーダンスを大きくしバイアス電源方向へ
のパルス抜けを小さくしている。図６での特性インピー
ダンスＺ０は数２のように与えられる。ｅ＝３，ｆ＝
８，ｇ＝１２，ｈ＝４０，μ* ＝４０，ε* ＝１とする
ことにより、Ｚ０＝９３０Ωと実施例の約１／２の伝送
ロスとなる。
について説明する。図５において、３は同軸管の中心導
体、４は３重同軸管の最も中心にあるヒータ線である第
一中心導体、５は第一中心導体４の外にあるカソード線
である第二中心導体、６はグリッド線である外部導体、
７１は細い銅管、８１は細い導管７１の内にある単芯の
絶縁線、９は細い銅管の外にあるフェライトコア、１０
は外部導体、１１は抵抗器、１２は同軸コネクタであ
る。図６に図５のＤ−Ｄ線断面図を示す。軸中心構造と
なっており、細い銅管７１が３重同軸管の第二中心導体
を、単芯の絶縁線８１が第二中心導体７１の内にある第
一中心導体を構成している。細い銅管７１の直径φｅを
できるだけ小さくし、フェライトコアの厚さ（ｇ−ｆ）
／２も飽和しない範囲で小さくすることにより、同軸線
路の特性インピーダンスを大きくしバイアス電源方向へ
のパルス抜けを小さくしている。図６での特性インピー
ダンスＺ０は数２のように与えられる。ｅ＝３，ｆ＝
８，ｇ＝１２，ｈ＝４０，μ* ＝４０，ε* ＝１とする
ことにより、Ｚ０＝９３０Ωと実施例の約１／２の伝送
ロスとなる。
【００２４】
【数２】
【００２５】この実施例２によれば、細い銅管７１の直
径φｅをできるだけ小さくし、フェライトコアの厚さ
（ｇ−ｆ）／２も飽和しない範囲で小さくすることによ
り、同軸線路の特性インピーダンスを大きくしバイアス
電源方向へのパルス抜けを小さくできる効果を奏する。
径φｅをできるだけ小さくし、フェライトコアの厚さ
（ｇ−ｆ）／２も飽和しない範囲で小さくすることによ
り、同軸線路の特性インピーダンスを大きくしバイアス
電源方向へのパルス抜けを小さくできる効果を奏する。
【００２６】実施例３．以下、この発明の実施例３を図
について説明する。図７において、３は同軸管の中心導
体、４は３重同軸管の最も中心にある第一中心導体、５
は第一中心導体４の外にある第二中心導体、６は外部導
体、７２，８２は細い導線、９は細い導線の外にあるフ
ェライトコア、１０は外部導体、１１は抵抗器、１２は
同軸コネクタである。
について説明する。図７において、３は同軸管の中心導
体、４は３重同軸管の最も中心にある第一中心導体、５
は第一中心導体４の外にある第二中心導体、６は外部導
体、７２，８２は細い導線、９は細い導線の外にあるフ
ェライトコア、１０は外部導体、１１は抵抗器、１２は
同軸コネクタである。
【００２７】次に動作について説明する。実施例１と同
様に中心導体３から第二中心導体５をとおりパルスは電
子銃に伝わるのに対し、点Ｐで二個の同軸線路を追加し
ている。一つはバイアス電圧を供給するために、もう一
つは、ヒータ電力を供給するために設けている。第二中
心導体５は導線７２に、第一中心導体４は導線８２に接
続される。図７のＥ−Ｅ線断面図の図８における特性イ
ンピーダンスＺ０は、ｅ＝１，ｆ＝８，ｇ＝１０，ｈ＝
４０，μ* ＝１００とすることにより、Ｚ０＝１５１０
Ω、２ポートでているので７５０Ωとなり、実施例の約
３０％伝送ロスが小さくなる。
様に中心導体３から第二中心導体５をとおりパルスは電
子銃に伝わるのに対し、点Ｐで二個の同軸線路を追加し
ている。一つはバイアス電圧を供給するために、もう一
つは、ヒータ電力を供給するために設けている。第二中
心導体５は導線７２に、第一中心導体４は導線８２に接
続される。図７のＥ−Ｅ線断面図の図８における特性イ
ンピーダンスＺ０は、ｅ＝１，ｆ＝８，ｇ＝１０，ｈ＝
４０，μ* ＝１００とすることにより、Ｚ０＝１５１０
Ω、２ポートでているので７５０Ωとなり、実施例の約
３０％伝送ロスが小さくなる。
【００２８】実施例３によれば、バイアス電圧供給用と
ヒータ電力供給用の二つの同軸線路を追加することによ
り、実施例１よりもさらに伝送ロスを小さくすることが
できる。
ヒータ電力供給用の二つの同軸線路を追加することによ
り、実施例１よりもさらに伝送ロスを小さくすることが
できる。
【００２９】実施例４．以下、この発明の実施例４を図
について説明する。図９において、３は同軸管の中心導
体、４は３重同軸管の最も中心にある第一中心導体、５
は第一中心導体４の外にある第二中心導体、６は外部導
体、７１は細い銅管、８１は細い銅管７１の内にある単
芯の絶縁線、９は細い銅管の外にあるフェライトコア、
３０はフェライトコア９にリング上に取り付けた抵抗
器、１０は外部導体、１１は抵抗器、１２は同軸コネク
タである。
について説明する。図９において、３は同軸管の中心導
体、４は３重同軸管の最も中心にある第一中心導体、５
は第一中心導体４の外にある第二中心導体、６は外部導
体、７１は細い銅管、８１は細い銅管７１の内にある単
芯の絶縁線、９は細い銅管の外にあるフェライトコア、
３０はフェライトコア９にリング上に取り付けた抵抗
器、１０は外部導体、１１は抵抗器、１２は同軸コネク
タである。
【００３０】次に動作について説明する。実施例１と同
様に伝送されるパルスの一部はバイアス電源方向の同軸
伝送線路に伝わっていき、うまく終端できていないと、
反射して逆に戻ってくる。これを小さなフェライトコア
毎に適当な大きさの抵抗値を入れ、徐々に減衰させるこ
とにより、ＰＱＰの経路をとおってきたときには十分減
衰していることにより、波形の乱れ、ダブルパルスを防
ぐことができる。
様に伝送されるパルスの一部はバイアス電源方向の同軸
伝送線路に伝わっていき、うまく終端できていないと、
反射して逆に戻ってくる。これを小さなフェライトコア
毎に適当な大きさの抵抗値を入れ、徐々に減衰させるこ
とにより、ＰＱＰの経路をとおってきたときには十分減
衰していることにより、波形の乱れ、ダブルパルスを防
ぐことができる。
【００３１】実施例５．以下、この発明の実施例５を図
について説明する。図１０において、１６は短パルス発
生装置、１８はパルス発生源、１９は出力抵抗器、２０
は電子銃、２２はカソード、２３はグリッド、２４はア
ノード、５０はコンデンサでＤＣカットした５０Ω同軸
ケーブル、６０は低特性インピーダンス（２５Ω）の同
軸線路、４０はインピーダンス変換器である。次に動作
について説明する。短パルス発生装置１６で発生したパ
ルスは、５０Ω同軸ケーブル５０をとおり伝送され、イ
ンピーダンス変換器４０でインピーダンス５０Ωから２
５Ωに変換され、低特性インピーダンス（２５Ω）の同
軸線路上を伝送され電子銃２０の中のカソード２２に到
達する。このとき、無反射型のインピーダンス変換器４
０を使うことにより、短パルス発生装置１６で発生した
パルスの反射が無く、また電子銃から反射したパルスの
再度のインピーダンス変換器での反射を防いでいる。イ
ンピーダンス変換器の内部構造を図１１に示す。図１１
で４１，４２は抵抗器、４３，４４は同軸コネクタであ
る。抵抗器４１の抵抗値をＲ１、抵抗器４２の抵抗値を
Ｒ２とすると、数３が成り立つ。
について説明する。図１０において、１６は短パルス発
生装置、１８はパルス発生源、１９は出力抵抗器、２０
は電子銃、２２はカソード、２３はグリッド、２４はア
ノード、５０はコンデンサでＤＣカットした５０Ω同軸
ケーブル、６０は低特性インピーダンス（２５Ω）の同
軸線路、４０はインピーダンス変換器である。次に動作
について説明する。短パルス発生装置１６で発生したパ
ルスは、５０Ω同軸ケーブル５０をとおり伝送され、イ
ンピーダンス変換器４０でインピーダンス５０Ωから２
５Ωに変換され、低特性インピーダンス（２５Ω）の同
軸線路上を伝送され電子銃２０の中のカソード２２に到
達する。このとき、無反射型のインピーダンス変換器４
０を使うことにより、短パルス発生装置１６で発生した
パルスの反射が無く、また電子銃から反射したパルスの
再度のインピーダンス変換器での反射を防いでいる。イ
ンピーダンス変換器の内部構造を図１１に示す。図１１
で４１，４２は抵抗器、４３，４４は同軸コネクタであ
る。抵抗器４１の抵抗値をＲ１、抵抗器４２の抵抗値を
Ｒ２とすると、数３が成り立つ。
【００３２】
【数３】
【００３３】図１２に電子銃の電気的等価回路を示し
た。４５はカソード−グリッド間の静電容量、４６はバ
イアス電圧で設定した負荷抵抗値＝２５Ωである。Ｃ＝
１０ｐＦであり、立ち上がりの時定数は数４となり、実
施例１に比べ実施例５は１／２の時間で立ち上がる。す
なわち、短パルスでの伝送エミッションが可能となる。
た。４５はカソード−グリッド間の静電容量、４６はバ
イアス電圧で設定した負荷抵抗値＝２５Ωである。Ｃ＝
１０ｐＦであり、立ち上がりの時定数は数４となり、実
施例１に比べ実施例５は１／２の時間で立ち上がる。す
なわち、短パルスでの伝送エミッションが可能となる。
【００３４】
【数４】
【００３５】
【発明の効果】請求項１の電子銃用パルス伝送装置は、
短パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送
し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前
記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、
前記短パルス発生装置から前記電子銃までを同軸線路と
したので、低周波から高周波までの成分を含んだパルス
波形を変形することなく伝送できる。
短パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送
し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前
記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、
前記短パルス発生装置から前記電子銃までを同軸線路と
したので、低周波から高周波までの成分を含んだパルス
波形を変形することなく伝送できる。
【００３６】請求項２の電子銃用パルス伝送装置は、短
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源から前記電子銃までを同軸線路としたので、短
パルス発生装置で生じた直流電源側の経路に流れ、その
パルスが反射して短パルス発生装置・電子銃間の経路に
帰還した場合に、直流電源から電子銃までの線路が同軸
線路であるため、短パルス発生装置で発生したパルスと
同じ波形のまま帰還され、電子銃へ入力されるパルス波
形を変形することなく伝送できる。
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源から前記電子銃までを同軸線路としたので、短
パルス発生装置で生じた直流電源側の経路に流れ、その
パルスが反射して短パルス発生装置・電子銃間の経路に
帰還した場合に、直流電源から電子銃までの線路が同軸
線路であるため、短パルス発生装置で発生したパルスと
同じ波形のまま帰還され、電子銃へ入力されるパルス波
形を変形することなく伝送できる。
【００３７】請求項３の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、フェライトコアを装荷
した構成したので、直流電源へのパルス抜けの割合も周
波数依存なく、反射波による波形歪みを発生しない。
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、フェライトコアを装荷
した構成したので、直流電源へのパルス抜けの割合も周
波数依存なく、反射波による波形歪みを発生しない。
【００３８】請求項４の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心にヒータ線、その
外周にカソード線、さらに最外周にグリッド線で３重に
構成したので、直流電源へのパルス抜けの割合も周波数
依存なく、反射波による波形歪みを発生しない。
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心にヒータ線、その
外周にカソード線、さらに最外周にグリッド線で３重に
構成したので、直流電源へのパルス抜けの割合も周波数
依存なく、反射波による波形歪みを発生しない。
【００３９】請求項５の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心のヒータ線及びカ
ソード線の線径を、カソードパルス導入部から電子銃ま
での特性インピーダンスよりバイアス電圧、ヒータ電力
導入部から前記電子銃までの特性インピーダンスが高く
なるように、細くした構成にしたので、同軸線路の特性
インピーダンスが大きくなり、直流電源方向へのパルス
抜けを小さくできる。
求項２記載の電子銃用パルス伝送装置において、直流電
源から電子銃までの同軸線路は、中心のヒータ線及びカ
ソード線の線径を、カソードパルス導入部から電子銃ま
での特性インピーダンスよりバイアス電圧、ヒータ電力
導入部から前記電子銃までの特性インピーダンスが高く
なるように、細くした構成にしたので、同軸線路の特性
インピーダンスが大きくなり、直流電源方向へのパルス
抜けを小さくできる。
【００４０】請求項６の電子銃用パルス伝送装置は、短
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源からのバイアス電圧を前記電子銃に供給する第
１の同軸線路と、前記直流電源からのヒータ電力を前記
電子銃に供給する第２の同軸線路と、を備えた構成にし
たので、低周波から高周波までの成分を含んだパルス波
形をさらに効率良く伝送できる。
パルス発生装置で発生した短パルスを電子銃に伝送し、
かつ直流電源からバイアス電圧及びヒータ電力を前記電
子銃に供給する電子銃用パルス伝送装置において、前記
直流電源からのバイアス電圧を前記電子銃に供給する第
１の同軸線路と、前記直流電源からのヒータ電力を前記
電子銃に供給する第２の同軸線路と、を備えた構成にし
たので、低周波から高周波までの成分を含んだパルス波
形をさらに効率良く伝送できる。
【００４１】請求項７の電子銃用パルス伝送装置は、請
求項３記載の電子銃用パルス伝送装置において、同軸線
路のフェライトコアに抵抗器を設けた構成にしたので、
フェライトコア毎に抵抗器を設けることにより、直流電
源方向へ伝送されるパルスは序々に減衰し、波形の乱
れ、ダブルパルスを防ぐことができる。
求項３記載の電子銃用パルス伝送装置において、同軸線
路のフェライトコアに抵抗器を設けた構成にしたので、
フェライトコア毎に抵抗器を設けることにより、直流電
源方向へ伝送されるパルスは序々に減衰し、波形の乱
れ、ダブルパルスを防ぐことができる。
【図１】この発明の実施例１による短パルス伝送装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】この発明の実施例１による短パルス伝送装置の
図１のＡ−Ａ線断面図。
図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】この発明の実施例１による短パルス伝送装置の
図１のＢ−Ｂ線断面図。
図１のＢ−Ｂ線断面図。
【図４】この発明の実施例１による短パルス伝送装置の
図１のＣ−Ｃ線断面図。
図１のＣ−Ｃ線断面図。
【図５】この発明の実施例２による短パルス伝送装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図６】この発明の実施例２による短パルス伝送装置の
図５のＤ−Ｄ線断面図。
図５のＤ−Ｄ線断面図。
【図７】この発明の実施例３による短パルス伝送装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図８】この発明の実施例３による短パルス伝送装置の
図７のＥ−Ｅ線断面図。
図７のＥ−Ｅ線断面図。
【図９】この発明の実施例４による短パルス伝送装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図１０】この発明の実施例５による短パルス伝送装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図１１】実施例５による短パルス伝送装置の中のイン
ピーダンス変換器のブロック図。
ピーダンス変換器のブロック図。
【図１２】実施例５による電子銃のカソード−グリッド
の等価回路図。
の等価回路図。
【図１３】従来の短パルス伝送装置を示す側面図。
１ 同軸管の中心導体 ２ コンデンサ ３ 同軸管の中心導体 ４ ３重同軸管の最も中心にある第一中心導体 ５ 第二中心導体 ６ 外部導体 ７ ３重同軸管の第二中心導体 ８ 第一中心導体 ９ フェライトコア １０ 外部導体 １１ 抵抗器 １２ 同軸コネクタ １３ 同軸コネクタ １４ 同軸ケーブル １５ より線ケーブル １６ 短パルス発生装置 １８ パルス発生源 １９ 出力抵抗器 ２０ 電子銃 ２１ ヒータ ２２ カソード ２３ グリッド ２４ アノード ２７ ビニル絶縁のより線ケーブル ２８ ビニル絶縁のより線ケーブル ２９ 端子台 ３０ 抵抗器 ３１ 同軸ケーブル ３２ バイアス電圧・ヒータ電力供給ボックス ４１ 抵抗器 ４２ 抵抗器 ４３ 同軸コネクタ ４４ 同軸コネクタ ４５ カソード−グリッド間の静電容量 ４６ バイアス電圧で設定した負荷抵抗値 ５０ コンデンサでＤＣカットした５０Ω同軸ケーブル ６０ 低特性インピーダンス（２５Ω）の同軸線路 ７１ 細い銅管 ７２ 細い導線 ８１ 単芯の絶縁線 ８２ 細い導線 ９２ フェライトコア ９３ フェライトコア １７１ 直流電源 １７２ 直流電源
Claims (7)
- 【請求項１】 短パルス発生装置で発生した短パルスを
電子銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒ
ータ電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装
置において、前記短パルス発生装置から前記電子銃まで
を同軸線路としたことを特徴とする電子銃用パルス伝送
装置。 - 【請求項２】 短パルス発生装置で発生した短パルスを
電子銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒ
ータ電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装
置において、前記直流電源から前記電子銃までを同軸線
路としたことを特徴とする電子銃用パルス伝送装置。 - 【請求項３】 直流電源から電子銃までの同軸線路は、
フェライトコアを装荷したことを特徴とする請求項２記
載の電子銃用パルス伝送装置。 - 【請求項４】 直流電源から電子銃までの同軸線路は、
中心にヒータ線、その外周にカソード線、さらに最外周
にグリッド線で３重に構成したことを特徴とする請求項
２記載の電子銃用パルス伝送装置。 - 【請求項５】 直流電源から電子銃までの同軸線路は、
中心のヒータ線及びカソード線の線径を、カソードパル
ス導入部から電子銃までの特性インピーダンスよりバイ
アス電圧、ヒータ電力導入部から前記電子銃までの特性
インピーダンスが高くなるように、細くしたことを特徴
とする請求項２記載の電子銃用パルス伝送装置。 - 【請求項６】 短パルス発生装置で発生した短パルスを
電子銃に伝送し、かつ直流電源からバイアス電圧及びヒ
ータ電力を前記電子銃に供給する電子銃用パルス伝送装
置において、前記直流電源からのバイアス電圧を前記電
子銃に供給する第１の同軸線路と、前記直流電源からの
ヒータ電力を前記電子銃に供給する第２の同軸線路と、
を備えたことを特徴とする電子銃用パルス伝送装置。 - 【請求項７】 同軸線路のフェライトコアに抵抗器を設
けたことを特徴とする請求項３記載の電子銃用パルス伝
送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5305366A JP2956454B2 (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 電子銃用パルス伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5305366A JP2956454B2 (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 電子銃用パルス伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161330A true JPH07161330A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2956454B2 JP2956454B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17944250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5305366A Expired - Lifetime JP2956454B2 (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 電子銃用パルス伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956454B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152820A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Nihon Univ | グリッドパルスカプラー |
| CN104953987A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-09-30 | 西北核技术研究所 | 同轴两级重入脉冲形成线 |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP5305366A patent/JP2956454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152820A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Nihon Univ | グリッドパルスカプラー |
| CN104953987A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-09-30 | 西北核技术研究所 | 同轴两级重入脉冲形成线 |
| CN104953987B (zh) * | 2015-05-21 | 2017-07-28 | 西北核技术研究所 | 同轴两级重入脉冲形成线 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2956454B2 (ja) | 1999-10-04 |
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