JPH07159738A - アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 - Google Patents
アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路Info
- Publication number
- JPH07159738A JPH07159738A JP5305121A JP30512193A JPH07159738A JP H07159738 A JPH07159738 A JP H07159738A JP 5305121 A JP5305121 A JP 5305121A JP 30512193 A JP30512193 A JP 30512193A JP H07159738 A JPH07159738 A JP H07159738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active optical
- optical waveguide
- group
- electro
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/061—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material
- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
- G02B1/045—Light guides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性に優れ、かつ光スイッチングや変調等
の光信号処理に優れたアクティブ光導波路用組成物、こ
れを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ
光導波路を提供する。 【構成】 フッ素化ポリアミド酸及び非線形光学材料を
含むアクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクテ
ィブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路。
の光信号処理に優れたアクティブ光導波路用組成物、こ
れを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ
光導波路を提供する。 【構成】 フッ素化ポリアミド酸及び非線形光学材料を
含むアクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクテ
ィブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブ光導波路用
組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及び
アクティブ光導波路に関する。
組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及び
アクティブ光導波路に関する。
【０００２】
【従来の技術】オプトエレクトロニクスＩＣ（ＯＥＩ
Ｃ）における光導波路には、従来からＬｉＮｂＯ3、Ｌ
ｉＴａＯ3、ＰＬＺＴ、Ｓｒ2Ｎｂ2Ｏ7等の無機材料が用
いられている。しかしながら、これらの材料は潮解性や
低い被破壊しきい値、さらには高誘電率のため応答速度
が遅く、そのため適用できる周波数帯域が限定される問
題点がある。これに対して有機高分子材料は、一般に潮
解性もなく被破壊しきい値が高いなど無機材料に比べて
優れているが、このような高分子材料は一般には配向性
がなく、このままでは電気光学効果を利用した光スイッ
チや変調素子等の材料として用いることができない。一
般に配向性のない高分子材料に対し、加熱しながら直流
電場を印加し配向させる、すなわち、ポ−リング処理に
より電気光学効果を発現させる手法が用いられるが、ポ
−リング後常温に戻し放置すること及び使用することに
よって配向が失われ、電気光学効果が消失する重大な問
題点がある。従来、高分子系光導波路材料としてポリメ
タクリレ−ト（ＰＭＭＡ）などが精力的に研究されてい
るが、ガラス転移温度（Tg）が１５０℃程度と低くＯＥ
ＩＣ製造中にかかる２００℃以上の温度においてポ−リ
ングによって発現した配向性が完全に消失する問題点が
ある。
Ｃ）における光導波路には、従来からＬｉＮｂＯ3、Ｌ
ｉＴａＯ3、ＰＬＺＴ、Ｓｒ2Ｎｂ2Ｏ7等の無機材料が用
いられている。しかしながら、これらの材料は潮解性や
低い被破壊しきい値、さらには高誘電率のため応答速度
が遅く、そのため適用できる周波数帯域が限定される問
題点がある。これに対して有機高分子材料は、一般に潮
解性もなく被破壊しきい値が高いなど無機材料に比べて
優れているが、このような高分子材料は一般には配向性
がなく、このままでは電気光学効果を利用した光スイッ
チや変調素子等の材料として用いることができない。一
般に配向性のない高分子材料に対し、加熱しながら直流
電場を印加し配向させる、すなわち、ポ−リング処理に
より電気光学効果を発現させる手法が用いられるが、ポ
−リング後常温に戻し放置すること及び使用することに
よって配向が失われ、電気光学効果が消失する重大な問
題点がある。従来、高分子系光導波路材料としてポリメ
タクリレ−ト（ＰＭＭＡ）などが精力的に研究されてい
るが、ガラス転移温度（Tg）が１５０℃程度と低くＯＥ
ＩＣ製造中にかかる２００℃以上の温度においてポ−リ
ングによって発現した配向性が完全に消失する問題点が
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、耐熱
性、電気光学効果に優れ、広い周波数帯域に適用できる
アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ
光導波路の製造法及びアクティブ光導波路を提供するも
のである。
な従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、耐熱
性、電気光学効果に優れ、広い周波数帯域に適用できる
アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ
光導波路の製造法及びアクティブ光導波路を提供するも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、フッ素化ポリ
アミド酸及び電気光学材料を含むアクティブ光導波路用
組成物に関する。
アミド酸及び電気光学材料を含むアクティブ光導波路用
組成物に関する。
【０００５】また、本発明は、アクティブ光導波路用組
成物中のフッ素化ポリアミド酸を、イミド閉環してフッ
素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向させることを
特徴とするアクティブ光導波路の製造法に関する。
成物中のフッ素化ポリアミド酸を、イミド閉環してフッ
素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向させることを
特徴とするアクティブ光導波路の製造法に関する。
【０００６】また、本発明は、フッ素化ポリイミド及び
電気光学材料を構成要素とするアクティブ光導波路に関
する。
電気光学材料を構成要素とするアクティブ光導波路に関
する。
【０００７】以下本発明を詳細に説明する。本発明に用
いられるフッ素化ポリアミド酸は、フルオロ基、フルオ
ロアルキル基等を有するポリアミド酸であり通常のポリ
アミド酸の製造と同様な条件で製造でき、一般的にはＮ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性有機溶
媒中で、少なくとも一方がフルオロ基、フルオロアルキ
ル基で置換されたジアミンとテトラカルボン酸またはそ
の誘導体とを反応させて製造することができる。フルオ
ロ基、フルオロアルキル基等で置換されたジアミンとし
ては、例えば、３−フルオロ−１、２−フェニレンジア
ミン、４−フルオロ−１、２−フェニレンジアミン、
３、４−ジフルオロ−１、２−フェニレンジアミン、３
−フルオロ−１、３−フェニレンジアミン、４−フルオ
ロ−１、３−フェニレンジアミン、３、４−ジフルオロ
−１、３−フェニレンジアミン、３−フルオロ−１、４
−フェニレンジアミン、４−フルオロ−１、４−フェニ
レンジアミン、３、４−ジフルオロ−１、４−フェニレ
ンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、２−フェニ
レンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、２−フェ
ニレンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、３−フ
ェニレンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、３−
フェニレンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、４
−フェニレンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、
４−フェニレンジアミン、２、２′−（ビストリフルオ
ロメチル）−４、４′−ジアミノビフェニル、２、２′
−ジフルオロ−４、４′−ジアミノビフェニル等が挙げ
られる。
いられるフッ素化ポリアミド酸は、フルオロ基、フルオ
ロアルキル基等を有するポリアミド酸であり通常のポリ
アミド酸の製造と同様な条件で製造でき、一般的にはＮ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性有機溶
媒中で、少なくとも一方がフルオロ基、フルオロアルキ
ル基で置換されたジアミンとテトラカルボン酸またはそ
の誘導体とを反応させて製造することができる。フルオ
ロ基、フルオロアルキル基等で置換されたジアミンとし
ては、例えば、３−フルオロ−１、２−フェニレンジア
ミン、４−フルオロ−１、２−フェニレンジアミン、
３、４−ジフルオロ−１、２−フェニレンジアミン、３
−フルオロ−１、３−フェニレンジアミン、４−フルオ
ロ−１、３−フェニレンジアミン、３、４−ジフルオロ
−１、３−フェニレンジアミン、３−フルオロ−１、４
−フェニレンジアミン、４−フルオロ−１、４−フェニ
レンジアミン、３、４−ジフルオロ−１、４−フェニレ
ンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、２−フェニ
レンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、２−フェ
ニレンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、３−フ
ェニレンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、３−
フェニレンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、４
−フェニレンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、
４−フェニレンジアミン、２、２′−（ビストリフルオ
ロメチル）−４、４′−ジアミノビフェニル、２、２′
−ジフルオロ−４、４′−ジアミノビフェニル等が挙げ
られる。
【０００８】またフルオロ基、フルオロアルキル基等で
置換されたテトラカルボン酸やその誘導体としての酸無
水物、酸塩化物、エステル化物としては、例えば、１−
フルオロピロメリット酸、１、４−ジフルオロピロメリ
ット酸、１−トリフルオロメチルピロメリット酸、２、
２−ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフ
ルオロプロパン、１、４−ビス（３、４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
２、２′−ジフルオロ−３、３′、４、４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸、２、２′−ビス（トリフルオロメ
チル）−３、３′、４、４′−ビフェニルテトラカルボ
ン酸やこれらの酸無水物、酸塩化物、エステル化物等が
挙げられる。なお、上記以外のフルオロ基、フルオロア
ルキル基等で置換されていないジアミンやテトラカルボ
ン酸及びその誘導体を本発明の目的を阻害しない範囲で
用いてもよい。
置換されたテトラカルボン酸やその誘導体としての酸無
水物、酸塩化物、エステル化物としては、例えば、１−
フルオロピロメリット酸、１、４−ジフルオロピロメリ
ット酸、１−トリフルオロメチルピロメリット酸、２、
２−ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフ
ルオロプロパン、１、４−ビス（３、４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
２、２′−ジフルオロ−３、３′、４、４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸、２、２′−ビス（トリフルオロメ
チル）−３、３′、４、４′−ビフェニルテトラカルボ
ン酸やこれらの酸無水物、酸塩化物、エステル化物等が
挙げられる。なお、上記以外のフルオロ基、フルオロア
ルキル基等で置換されていないジアミンやテトラカルボ
ン酸及びその誘導体を本発明の目的を阻害しない範囲で
用いてもよい。
【０００９】本発明におけるフッ素化ポリアミド酸は、
電気光学効果、耐熱性等の点から、イミド閉環してフッ
素化ポリイミドとなった時、屈折率が１．４〜１．９
（５８９nm）、誘電率が２．６〜３．５（１MHz）及び
ガラス転移温度（Tg）が３００℃以上となるものが好ま
しい。
電気光学効果、耐熱性等の点から、イミド閉環してフッ
素化ポリイミドとなった時、屈折率が１．４〜１．９
（５８９nm）、誘電率が２．６〜３．５（１MHz）及び
ガラス転移温度（Tg）が３００℃以上となるものが好ま
しい。
【００１０】本発明におけるフッ素化ポリアミド酸は、
電気光学効果、耐熱性等の点から、式 （Ｉ−１）
電気光学効果、耐熱性等の点から、式 （Ｉ−１）
【化９】 で表わされる繰り返し単位及び式（Ｉ−２）
【化１０】 で表わされる繰り返し単位の少なくとも１つと式（II−
１）
１）
【化１１】 で表わされる繰り返し単位及び式（II−２）
【化１２】 で表わされる繰り返し単位の少なくとも１つとを有する
フッ素化ポリアミド酸であることが好ましい。
フッ素化ポリアミド酸であることが好ましい。
【００１１】フッ素化ポリアミド酸中に前記式（Ｉ−
１）で表される繰り返し単位又は前記式（Ｉ−２）で表
される繰り返し単位を与えるには、例えば、ジアミンと
して２，２′−（ビストリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノビフェニルを用い、テトラカルボン酸無水物
としてピロメリット酸無水物を用いればよい。
１）で表される繰り返し単位又は前記式（Ｉ−２）で表
される繰り返し単位を与えるには、例えば、ジアミンと
して２，２′−（ビストリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノビフェニルを用い、テトラカルボン酸無水物
としてピロメリット酸無水物を用いればよい。
【００１２】フッ素化ポリアミド酸中に前記式（II−
１）で表される繰り返し単位又は前記式（II−２）で表
される繰り返し単位を与えるには、例えば、ジアミンと
して２，２′−（ビストリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノビフェニルを用い、テトラカルボン酸無水物
として２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸無水物を
用いればよい。
１）で表される繰り返し単位又は前記式（II−２）で表
される繰り返し単位を与えるには、例えば、ジアミンと
して２，２′−（ビストリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノビフェニルを用い、テトラカルボン酸無水物
として２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸無水物を
用いればよい。
【００１３】本発明におけるフッ素化ポリアミド酸をイ
ミド閉環させることにより得られるフッ素化ポリイミド
の屈折率は、使用するジアミンやテトラカルボン酸及び
その誘導体の種類と使用量を適宜選択することにより容
易に調整することができる。例えば、フッ素化ポリアミ
ド酸において前記式（Ｉ−１）で表される繰り返し単位
又は前記式（Ｉ−２）で表される繰り返し単位の含有量
を増やすと、得られるフッ素化ポリイミドの屈折率を増
大させることができる。一方、フッ素化ポリアミド酸に
おいて前記式（II−１）で表される繰り返し単位又は前
記式（II−２）で表される繰り返し単位の含有量を増や
すと、得られるフッ素化ポリイミドの屈折率を減少させ
ることができる。
ミド閉環させることにより得られるフッ素化ポリイミド
の屈折率は、使用するジアミンやテトラカルボン酸及び
その誘導体の種類と使用量を適宜選択することにより容
易に調整することができる。例えば、フッ素化ポリアミ
ド酸において前記式（Ｉ−１）で表される繰り返し単位
又は前記式（Ｉ−２）で表される繰り返し単位の含有量
を増やすと、得られるフッ素化ポリイミドの屈折率を増
大させることができる。一方、フッ素化ポリアミド酸に
おいて前記式（II−１）で表される繰り返し単位又は前
記式（II−２）で表される繰り返し単位の含有量を増や
すと、得られるフッ素化ポリイミドの屈折率を減少させ
ることができる。
【００１４】本発明においては、ジアミンやテトラカル
ボン酸又はその誘導体は、単一で用いるばかりでなく、
複数のジアミンやテトラカルボン酸又はその誘導体を混
合して用いることができる。その場合は、複数または単
一のジアミンのモル数の合計と複数または単一のテトラ
カルボン酸又はその誘導体のモル数の合計が等しいかほ
ぼ等しくなるようにすることが好ましい。ジアミンとテ
トラカルボン酸又はその誘導体の反応により得られたフ
ッ素化ポリアミド酸の溶液において、その溶液の固形分
濃度は５〜４０重量％、特に１０〜２５重量％であるこ
とが好ましい。また、フッ素化ポリアミド酸は、固形分
濃度１５重量％のとき、そのｎ−メチル−２−ピロリド
ン溶液の回転粘度（２０℃）が、２０００〜８０００mP
a・sであるものが好ましく、４０００〜６０００mPa・sで
あるものがより好ましい。
ボン酸又はその誘導体は、単一で用いるばかりでなく、
複数のジアミンやテトラカルボン酸又はその誘導体を混
合して用いることができる。その場合は、複数または単
一のジアミンのモル数の合計と複数または単一のテトラ
カルボン酸又はその誘導体のモル数の合計が等しいかほ
ぼ等しくなるようにすることが好ましい。ジアミンとテ
トラカルボン酸又はその誘導体の反応により得られたフ
ッ素化ポリアミド酸の溶液において、その溶液の固形分
濃度は５〜４０重量％、特に１０〜２５重量％であるこ
とが好ましい。また、フッ素化ポリアミド酸は、固形分
濃度１５重量％のとき、そのｎ−メチル−２−ピロリド
ン溶液の回転粘度（２０℃）が、２０００〜８０００mP
a・sであるものが好ましく、４０００〜６０００mPa・sで
あるものがより好ましい。
【００１５】本発明におけるフッ素化ポリイミドは、電
気光学効果、耐熱性等の点から、一般式（Ｉ）
気光学効果、耐熱性等の点から、一般式（Ｉ）
【化１３】 で表わされる繰り返し単位及び一般式（II）
【化１４】 で表わされる繰り返し単位を有するフッ素化ポリイミド
であることが好ましい。
であることが好ましい。
【００１６】本発明における電気光学材料としては、特
に制限はなく公知のものを使用することができるが、耐
熱性及び電気光学効果の点からペリレン系化合物が好ま
しく、さらに、非対称構造を有するペリレン化合物が特
に好ましい。非対称構造を有するペリレン化合物として
は、次の一般式（III）で表される非対称型３，４：
９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物又
は一般式（IV）
に制限はなく公知のものを使用することができるが、耐
熱性及び電気光学効果の点からペリレン系化合物が好ま
しく、さらに、非対称構造を有するペリレン化合物が特
に好ましい。非対称構造を有するペリレン化合物として
は、次の一般式（III）で表される非対称型３，４：
９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物又
は一般式（IV）
【化１５】
【化１６】 （但し、Ｒ1は、水素原子、アルキル基、フルオロアル
キル基、アルキル基若しくはアルコキシ基置換された炭
素数６〜１０のアリール基又はフルオロアルコキシ基置
換された炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ2は、
アミノ基、アルコキシ基、ニトリル基又はニトロ基であ
り、Ａｒは、置換基を有するアリ−ル基である）で表わ
される非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカ
ルボキシミド）化合物が好ましい。
キル基、アルキル基若しくはアルコキシ基置換された炭
素数６〜１０のアリール基又はフルオロアルコキシ基置
換された炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ2は、
アミノ基、アルコキシ基、ニトリル基又はニトロ基であ
り、Ａｒは、置換基を有するアリ−ル基である）で表わ
される非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカ
ルボキシミド）化合物が好ましい。
【００１７】この一般式（III）及び（IV）で表わされ
る非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボ
キシミド）化合物としては、例えば、以下のような化合
物等が列挙できる。
る非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボ
キシミド）化合物としては、例えば、以下のような化合
物等が列挙できる。
【００１８】
【化１７】
【００１９】
【化１８】
【００２０】前記一般式（III）又は（IV）で表わされ
る非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボ
キシミド）化合物は、以下のようにして合成することが
できる。３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸
無水物（Ｖ）とアミン類の反応によって得られる一般式
（VI）で表わされる３，４：９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミドと芳香族ジア
ミン誘導体又は芳香族アミン誘導体の反応によってそれ
ぞれ一般式（III）又は（IV）の化合物が合成できる。
これらの反応は、例えば、日本化学会誌１９７９年、５
２８ペ−ジ、１９８０年、１３９１ペ−ジに報告されて
いる。以下、一般式（III）又は（IV）で表わされる非
対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシ
ミド）化合物の合成法を詳述する。
る非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボ
キシミド）化合物は、以下のようにして合成することが
できる。３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸
無水物（Ｖ）とアミン類の反応によって得られる一般式
（VI）で表わされる３，４：９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミドと芳香族ジア
ミン誘導体又は芳香族アミン誘導体の反応によってそれ
ぞれ一般式（III）又は（IV）の化合物が合成できる。
これらの反応は、例えば、日本化学会誌１９７９年、５
２８ペ−ジ、１９８０年、１３９１ペ−ジに報告されて
いる。以下、一般式（III）又は（IV）で表わされる非
対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシ
ミド）化合物の合成法を詳述する。
【化１９】
【化２０】 （但し、Ｒ1は、水素原子、アルキル基、フルオロアル
キル基、アルキル基若しくはアルコキシ基置換された炭
素数６〜１０のアリール基又はフルオロアルコキシ基置
換された炭素数６〜１０のアリール基である）
キル基、アルキル基若しくはアルコキシ基置換された炭
素数６〜１０のアリール基又はフルオロアルコキシ基置
換された炭素数６〜１０のアリール基である）
【００２１】一般式（III）又は（IV）で表わされる非
対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシ
ミド）化合物の合成原料である一般式（VI）で表わされ
る化合物は、以下のように合成できる。三つ口フラスコ
に適当量の水と３，４：９，１０−ペリレンテトラカル
ボン酸無水物（Ｖ）（１２．８mmol）を入れ、かきまぜ
ながら恒温槽で温度を２０〜４０℃に保ち、あらかじめ
同じ温度に保ってあるアミン化合物（１３０mmol）を一
度に加えかきまぜ反応させる。反応時間は、２０〜３６
０分である。反応後塩酸酸析し沈殿をろ過十分水洗して
アミンを除いたのち、１％水酸化カリウム溶液中に入れ
加熱熱ろ過する。熱ろ過により得られたろ液に塩化カリ
ウムが１０％濃度になるように加え沈殿を析出させる。
この塩析を繰り返して精製し、一般式（VI）で表わされ
る化合物を得ることができる。
対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシ
ミド）化合物の合成原料である一般式（VI）で表わされ
る化合物は、以下のように合成できる。三つ口フラスコ
に適当量の水と３，４：９，１０−ペリレンテトラカル
ボン酸無水物（Ｖ）（１２．８mmol）を入れ、かきまぜ
ながら恒温槽で温度を２０〜４０℃に保ち、あらかじめ
同じ温度に保ってあるアミン化合物（１３０mmol）を一
度に加えかきまぜ反応させる。反応時間は、２０〜３６
０分である。反応後塩酸酸析し沈殿をろ過十分水洗して
アミンを除いたのち、１％水酸化カリウム溶液中に入れ
加熱熱ろ過する。熱ろ過により得られたろ液に塩化カリ
ウムが１０％濃度になるように加え沈殿を析出させる。
この塩析を繰り返して精製し、一般式（VI）で表わされ
る化合物を得ることができる。
【００２２】この一般式（VI）で表わされる３，４：
９，１０−ペリレンテトラカルボン酸モノアンヒドリド
＝モノイミド化合物としては、例えば、以下のような化
合物等が挙げることができる。
９，１０−ペリレンテトラカルボン酸モノアンヒドリド
＝モノイミド化合物としては、例えば、以下のような化
合物等が挙げることができる。
【００２３】
【化２１】
【００２４】
【化２２】
【００２５】前記一般式（III）で表わされる化合物
は、つぎのように合成できる。三つ口フラスコに一般式
（VI）の化合物（２．５mmol）とオルソフェニレンジア
ミン誘導体（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８０
℃で４時間加熱反応させる。放冷した反応混合物にメタ
ノ−ルを加え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄する。この沈殿
に１％水酸化カリウム溶液を加え加熱ろ過し、つぎに、
アルカリ性亜ジチオン酸ナトリウム溶液（水２００部、
水酸化カリウム４部、亜ジチオン酸ナトリウム４部）で
４５℃１５分処理した後、可溶物をろ過して除き、残留
物は水に入れ塩酸で酸性にした後、沈殿をろ別、水洗乾
燥して一般式（III）の化合物を得ることができる。
は、つぎのように合成できる。三つ口フラスコに一般式
（VI）の化合物（２．５mmol）とオルソフェニレンジア
ミン誘導体（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８０
℃で４時間加熱反応させる。放冷した反応混合物にメタ
ノ−ルを加え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄する。この沈殿
に１％水酸化カリウム溶液を加え加熱ろ過し、つぎに、
アルカリ性亜ジチオン酸ナトリウム溶液（水２００部、
水酸化カリウム４部、亜ジチオン酸ナトリウム４部）で
４５℃１５分処理した後、可溶物をろ過して除き、残留
物は水に入れ塩酸で酸性にした後、沈殿をろ別、水洗乾
燥して一般式（III）の化合物を得ることができる。
【００２６】また、一般式（IV）で表わされる化合物
は、つぎのように合成できる。三つ口フラスコに一般式
（VI）の化合物（２．５mmol）と芳香族アミン誘導体
（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８０℃で６時間
加熱反応させる。放冷した反応混合物にメタノ−ルを加
え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄する。この沈殿に１％水酸
化カリウム溶液を加え加熱ろ過し、得られた沈殿を水
洗、メタノ−ル洗浄後、乾燥して一般式（IV）で表わさ
れる化合物を得ることができる。
は、つぎのように合成できる。三つ口フラスコに一般式
（VI）の化合物（２．５mmol）と芳香族アミン誘導体
（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８０℃で６時間
加熱反応させる。放冷した反応混合物にメタノ−ルを加
え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄する。この沈殿に１％水酸
化カリウム溶液を加え加熱ろ過し、得られた沈殿を水
洗、メタノ−ル洗浄後、乾燥して一般式（IV）で表わさ
れる化合物を得ることができる。
【００２７】本発明のアクティブ光導波路用組成物は、
例えば、フッ素化ポリアミド酸の極性有機溶媒溶液に電
気光学材料を加えて撹拌等により混合することにより容
易に製造することができる。この際、電気光学材料の使
用量は、フッ素化ポリアミド酸１００重量部に対して
０．１〜１０重量部の範囲とすることが好ましく、０．
５〜５重量部とすることがより好ましく、０．５〜３重
量部とすることが特に好ましい。この使用量が少なすぎ
ても多すぎても、電気光学特性、その他の光学特性、機
械特性、安定性、作業性等が劣る傾向がある。本発明の
アクティブ光導波路用組成物には、フッ素化ポリアミド
酸以外のポリマー（例えば、フッ素原子を含んでいない
ポリアミド酸、液晶ポリエステル等の液晶性ポリマ
ー）、ピンホール防止剤、レベリング剤、可塑剤、密着
性向上剤等の添加剤などを含ませることができる。
例えば、フッ素化ポリアミド酸の極性有機溶媒溶液に電
気光学材料を加えて撹拌等により混合することにより容
易に製造することができる。この際、電気光学材料の使
用量は、フッ素化ポリアミド酸１００重量部に対して
０．１〜１０重量部の範囲とすることが好ましく、０．
５〜５重量部とすることがより好ましく、０．５〜３重
量部とすることが特に好ましい。この使用量が少なすぎ
ても多すぎても、電気光学特性、その他の光学特性、機
械特性、安定性、作業性等が劣る傾向がある。本発明の
アクティブ光導波路用組成物には、フッ素化ポリアミド
酸以外のポリマー（例えば、フッ素原子を含んでいない
ポリアミド酸、液晶ポリエステル等の液晶性ポリマ
ー）、ピンホール防止剤、レベリング剤、可塑剤、密着
性向上剤等の添加剤などを含ませることができる。
【００２８】本発明のアクティブ光導波路用組成物を用
いたアクティブ光導波路について説明する。本発明のア
クティブ光導波路は、例えば、光マトリックススイッ
チ、変調器、光偏光器、光アイソレーター等に用いられ
る。光マトリックススイッチ、変調器の基本形態を図１
に示す。光導波路の形成においては、一般的な製膜法、
例えば、スピンコート法、浸漬法、ドクターブレード
法、ワイヤーバー法、ローラー法、スプレー法等を用い
ることができる。光導波路のコア材とクラッド材の選択
は、光の波長、使用用途に適した屈折率の差になるよう
にすればよい。
いたアクティブ光導波路について説明する。本発明のア
クティブ光導波路は、例えば、光マトリックススイッ
チ、変調器、光偏光器、光アイソレーター等に用いられ
る。光マトリックススイッチ、変調器の基本形態を図１
に示す。光導波路の形成においては、一般的な製膜法、
例えば、スピンコート法、浸漬法、ドクターブレード
法、ワイヤーバー法、ローラー法、スプレー法等を用い
ることができる。光導波路のコア材とクラッド材の選択
は、光の波長、使用用途に適した屈折率の差になるよう
にすればよい。
【００２９】本発明のアクティブ光導波路は、アクティ
ブ光導波路用組成物を、例えば、シリコン基板上にスピ
ンコ−トし、窒素雰囲気下で加熱処理しアクティブ光導
波路用組成物中のフッ素化ポリアミド酸をイミド閉環し
てフッ素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向させる
ことによりアクティブ光導波路を形成することができ
る。例えば、アクティブ光導波路の一態様である方向性
結合器型光スイッチの製造について図２を参照しつつ説
明する。１は基板、２は下部電極、３は下部クラッド
層、４はコア層、５はアルミニウム層、６はレジスト
層、７は上部クラッド層、８は上部電極を意味する。シ
リコン等の基板の上にアルミニウム等の下部電極２を蒸
着法やスパッタ法等により作製し、次に本発明のアクテ
ィブ光導波路用組成物からなるコア層４よりも屈折率の
小さい、本発明のアクティブ光導波路用組成物における
二つの必須構成要素の内の一つの構成要素である一般式
（Ｉ）で表されるフッ素化ポリイミドで構成される下部
クラッド層３を形成する。この上に本発明のアクティブ
光導波路用組成物（電気光学材料及び（Ｉ）で表される
フッ素化ポリアミド酸を必須構成要素として含む）を所
定の厚さに塗布し、加熱キュアすることによりコア層４
を得る。次に蒸着法等によりアルミニウム層５をつけた
後に、レジスト塗布、プリベ−ク、露光、現像、アフタ
−ベ−クを行ない、パタ−ニングされたレジスト層６を
得る。レジスト層６により保護されていないアルミニウ
ムをウェットエッチングにより除去した後、アルミニウ
ム層５で保護されていないコア層４のポリイミド層をド
ライエッチングにより除去する。残ったアルミニウム層
６をウェットエッチングで除去し、この上に前記下部ク
ラッド層３形成に用いたポリイミドを用いて上部クラッ
ド層７を形成する。最後にマスクパタ−ンを通して所定
のコア層４の上に上部電極８を蒸着法やスパッタ法等に
より形成し方向性結合器型光スイッチが得られる。
ブ光導波路用組成物を、例えば、シリコン基板上にスピ
ンコ−トし、窒素雰囲気下で加熱処理しアクティブ光導
波路用組成物中のフッ素化ポリアミド酸をイミド閉環し
てフッ素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向させる
ことによりアクティブ光導波路を形成することができ
る。例えば、アクティブ光導波路の一態様である方向性
結合器型光スイッチの製造について図２を参照しつつ説
明する。１は基板、２は下部電極、３は下部クラッド
層、４はコア層、５はアルミニウム層、６はレジスト
層、７は上部クラッド層、８は上部電極を意味する。シ
リコン等の基板の上にアルミニウム等の下部電極２を蒸
着法やスパッタ法等により作製し、次に本発明のアクテ
ィブ光導波路用組成物からなるコア層４よりも屈折率の
小さい、本発明のアクティブ光導波路用組成物における
二つの必須構成要素の内の一つの構成要素である一般式
（Ｉ）で表されるフッ素化ポリイミドで構成される下部
クラッド層３を形成する。この上に本発明のアクティブ
光導波路用組成物（電気光学材料及び（Ｉ）で表される
フッ素化ポリアミド酸を必須構成要素として含む）を所
定の厚さに塗布し、加熱キュアすることによりコア層４
を得る。次に蒸着法等によりアルミニウム層５をつけた
後に、レジスト塗布、プリベ−ク、露光、現像、アフタ
−ベ−クを行ない、パタ−ニングされたレジスト層６を
得る。レジスト層６により保護されていないアルミニウ
ムをウェットエッチングにより除去した後、アルミニウ
ム層５で保護されていないコア層４のポリイミド層をド
ライエッチングにより除去する。残ったアルミニウム層
６をウェットエッチングで除去し、この上に前記下部ク
ラッド層３形成に用いたポリイミドを用いて上部クラッ
ド層７を形成する。最後にマスクパタ−ンを通して所定
のコア層４の上に上部電極８を蒸着法やスパッタ法等に
より形成し方向性結合器型光スイッチが得られる。
【００３０】前記アクティブ光導波路中のコア層に含ま
れる電気光学材料を配向させるには、ポ−リング処理等
を行なえばよい。例えば、電場を印加しながら加熱して
イミド閉環によるイミド化を行ないながら、同時に電気
光学材料を配向させることができる。電場の印加方法に
は、電極を設けて行なう方法、コロナ放電で表面を帯電
させる方法等が挙げられる。電場の強さは、１０5Ｖ／
ｍとすることが好ましく、１０6Ｖ／ｍ以上とすること
がより好ましい。また、イミド閉環によるイミド化を行
ない最終的な構造であるフッ素化ポリイミドとした後
に、これに電場を加えてTg以上の温度に加熱して電気光
学材料を配向させることもできる。導波路は、通常、１
０μｍ〜１５μｍ幅で、３μｍ〜４μｍの高さで形成さ
れ、パタ−ン間隔は、２μｍ〜３μｍ程度である。
れる電気光学材料を配向させるには、ポ−リング処理等
を行なえばよい。例えば、電場を印加しながら加熱して
イミド閉環によるイミド化を行ないながら、同時に電気
光学材料を配向させることができる。電場の印加方法に
は、電極を設けて行なう方法、コロナ放電で表面を帯電
させる方法等が挙げられる。電場の強さは、１０5Ｖ／
ｍとすることが好ましく、１０6Ｖ／ｍ以上とすること
がより好ましい。また、イミド閉環によるイミド化を行
ない最終的な構造であるフッ素化ポリイミドとした後
に、これに電場を加えてTg以上の温度に加熱して電気光
学材料を配向させることもできる。導波路は、通常、１
０μｍ〜１５μｍ幅で、３μｍ〜４μｍの高さで形成さ
れ、パタ−ン間隔は、２μｍ〜３μｍ程度である。
【００３１】本発明は、プラスチック中で最も高い耐熱
性を有するフッ素化ポリイミドを光導波路のコア層、ク
ラッド層のいずれかまたは両方に用いることを特徴とす
る。また、耐熱性に優れる電気光学材料である３，４：
９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物を
前記フッ素化ポリイミド中に含有することを特徴とす
る。該耐熱性に優れるフッ素化ポリイミド及び３，４：
９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物を
使用することにより光導波路作製時の熱安定性に優れる
特徴を有している。さらにスピンコ−ト法により、容易
に大面積光導波路が作製できるという利点を持ち、光導
波路の低価格化が可能である。
性を有するフッ素化ポリイミドを光導波路のコア層、ク
ラッド層のいずれかまたは両方に用いることを特徴とす
る。また、耐熱性に優れる電気光学材料である３，４：
９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物を
前記フッ素化ポリイミド中に含有することを特徴とす
る。該耐熱性に優れるフッ素化ポリイミド及び３，４：
９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物を
使用することにより光導波路作製時の熱安定性に優れる
特徴を有している。さらにスピンコ−ト法により、容易
に大面積光導波路が作製できるという利点を持ち、光導
波路の低価格化が可能である。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもので
はない。
【００３３】製造例１ Ｎ−メチル−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボ
ン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−１）の合成 三つ口フラスコに１００mlの水と３，４：９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸無水物（Ｖ）５ｇ（１２．８mm
ol）を入れ、かきまぜながら恒温槽で２０℃に保ち、あ
らかじめ同じ温度に保ってある４０％メチルアミン７．
８ｇを一度に加え２５分かきまぜ反応させた。反応後塩
酸酸析し沈殿をろ過十分水洗してアミンを除いたのち、
１％水酸化カリウム溶液中に入れ加熱熱ろ過した。沈殿
はさらに１％水酸化カリウム中に入れ加熱熱ろ過するこ
とをろ液の赤色がうすくなるまで繰り返し、アルカリ不
溶物を除いた。これら熱ろ過により得られたろ液を全部
集め、塩化カリウムを１０％濃度になるように加えＡ−
１をカリウム塩として析出させ、溶存している原料を除
いた。この塩析を繰り返して精製し、最後に塩酸を加え
塩析させ、水洗乾燥してＡ−１を得た。
ン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−１）の合成 三つ口フラスコに１００mlの水と３，４：９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸無水物（Ｖ）５ｇ（１２．８mm
ol）を入れ、かきまぜながら恒温槽で２０℃に保ち、あ
らかじめ同じ温度に保ってある４０％メチルアミン７．
８ｇを一度に加え２５分かきまぜ反応させた。反応後塩
酸酸析し沈殿をろ過十分水洗してアミンを除いたのち、
１％水酸化カリウム溶液中に入れ加熱熱ろ過した。沈殿
はさらに１％水酸化カリウム中に入れ加熱熱ろ過するこ
とをろ液の赤色がうすくなるまで繰り返し、アルカリ不
溶物を除いた。これら熱ろ過により得られたろ液を全部
集め、塩化カリウムを１０％濃度になるように加えＡ−
１をカリウム塩として析出させ、溶存している原料を除
いた。この塩析を繰り返して精製し、最後に塩酸を加え
塩析させ、水洗乾燥してＡ−１を得た。
【００３４】製造例２〜４ Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４の合成 製造例１において４０％メチルアミン７．８ｇを７０％
エチルアミン９．４ｇ、プロピルアミン９．０ｇ、ブチ
ルアミン９．４ｇにそれぞれ置き換えて製造例１と同様
の合成を行ない、Ｎ−エチル−３，４：９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド
（Ａ−２）、Ｎ−プロピル−３，４：９，１０−ペリレ
ンテトラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ
−３）、Ｎ−ブチル−３，４：９，１０−ペリレンテト
ラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−４）
を得た。
エチルアミン９．４ｇ、プロピルアミン９．０ｇ、ブチ
ルアミン９．４ｇにそれぞれ置き換えて製造例１と同様
の合成を行ない、Ｎ−エチル−３，４：９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド
（Ａ−２）、Ｎ−プロピル−３，４：９，１０−ペリレ
ンテトラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ
−３）、Ｎ−ブチル−３，４：９，１０−ペリレンテト
ラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−４）
を得た。
【００３５】製造例５ ｐ−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）アニリンの
合成 窒素雰囲気下、３００ml三つ口フラスコ中で２、２、２
−トリフルオロエタノ−ル２００mlにナトリウム１０．
１ｇ（０．４４mol）を溶解させ、これにｐ−フルオロ
ニトロベンゼン４０ml（０．３８mol）を滴下し、４時
間還流した。室温まで冷却後、注水（約１リットル）
し、析出した固体を水洗乾燥し、ｐ−（２，２，２−ト
リフルオロエトキシ）ニトロベンゼン（収率６２％、融
点７６．５℃）を得た。窒素雰囲気下、２００ml三つ口
フラスコ中にｐ−（２，２，２−トリフルオロエトキ
シ）ニトロベンゼン３０．１ｇ（０．１４mol）、還元
鉄８２．１ｇ（１．４７mol）、エタノ−ル１２０ml及
び水４０mlを入れ、かくはんしながら濃塩酸１．４mlを
滴下し、続いて１時間還流した。室温まで冷却後、ろ別
し、反応溶液を氷水（約２リットル）に注ぎ、析出した
固体を水洗乾燥して淡い桃色固体のｐ−（２，２，２−
トリフルオロエトキシ）アニリン２４．４ｇ（０．１３
mol）を得た。収率は９４％、融点は６９．４℃であっ
た。
合成 窒素雰囲気下、３００ml三つ口フラスコ中で２、２、２
−トリフルオロエタノ−ル２００mlにナトリウム１０．
１ｇ（０．４４mol）を溶解させ、これにｐ−フルオロ
ニトロベンゼン４０ml（０．３８mol）を滴下し、４時
間還流した。室温まで冷却後、注水（約１リットル）
し、析出した固体を水洗乾燥し、ｐ−（２，２，２−ト
リフルオロエトキシ）ニトロベンゼン（収率６２％、融
点７６．５℃）を得た。窒素雰囲気下、２００ml三つ口
フラスコ中にｐ−（２，２，２−トリフルオロエトキ
シ）ニトロベンゼン３０．１ｇ（０．１４mol）、還元
鉄８２．１ｇ（１．４７mol）、エタノ−ル１２０ml及
び水４０mlを入れ、かくはんしながら濃塩酸１．４mlを
滴下し、続いて１時間還流した。室温まで冷却後、ろ別
し、反応溶液を氷水（約２リットル）に注ぎ、析出した
固体を水洗乾燥して淡い桃色固体のｐ−（２，２，２−
トリフルオロエトキシ）アニリン２４．４ｇ（０．１３
mol）を得た。収率は９４％、融点は６９．４℃であっ
た。
【００３６】製造例６ ｐ−トリフルオロメトキシアニリンの合成 製造例５において２，２，２−トリフルオロエタノ−ル
をトリフルオロメタノ−ルに置き換えて製造例５と同様
の合成を行い、ｐ−トリフルオロメトキシアニリン２
３．６ｇ（０．１３mol）を得た。融点は６３．５℃で
あった。
をトリフルオロメタノ−ルに置き換えて製造例５と同様
の合成を行い、ｐ−トリフルオロメトキシアニリン２
３．６ｇ（０．１３mol）を得た。融点は６３．５℃で
あった。
【００３７】製造例７〜９ Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７の合成 製造例１において４０％メチルアミン７．８ｇをｐ−メ
トキシアニリン１８．７ｇ、ｐ−トリフルオロメトキシ
アニリン２６．９ｇ、ｐ−（２，２，２−トリフルオロ
エトキシ）アニリン２９．０ｇにそれぞれ置き換えて製
造例１と同様の合成を行ない、Ｎ−ｐ−メトキシフェニ
ル−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸モノ
アンヒドリド＝モノイミド（Ａ−５）、Ｎ−ｐ−トリフ
ルオロメトキシフェニル−３，４：９，１０−ペリレン
テトラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−
６）、Ｎ−ｐ−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）
フェニル−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン
酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−７）を得た。
トキシアニリン１８．７ｇ、ｐ−トリフルオロメトキシ
アニリン２６．９ｇ、ｐ−（２，２，２−トリフルオロ
エトキシ）アニリン２９．０ｇにそれぞれ置き換えて製
造例１と同様の合成を行ない、Ｎ−ｐ−メトキシフェニ
ル−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン酸モノ
アンヒドリド＝モノイミド（Ａ−５）、Ｎ−ｐ−トリフ
ルオロメトキシフェニル−３，４：９，１０−ペリレン
テトラカルボン酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−
６）、Ｎ−ｐ−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）
フェニル−３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボン
酸モノアンヒドリド＝モノイミド（Ａ−７）を得た。
【００３８】製造例１０ Ｐ−１の合成 三つ口フラスコに製造例１で合成したＡ−１、１．０ｇ
（２．５mmol）と４−ニトロ−１，２−フェニレンジア
ミン３．９ｇ（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８
０℃で４時間加熱反応させた。放冷した反応混合物にメ
タノ−ルを加え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄して４−ニト
ロ−１、２−フェニレンジアミンを除いた。この沈殿に
１％水酸化カリウム溶液を加え加熱ろ過して未反応のＡ
−１を除いた。この沈殿はつぎにアルカリ性亜ジチオン
酸ナトリウム溶液（水２００部、水酸化カリウム４部、
亜ジチオン酸ナトリウム４部）で４５℃１５分処理した
後、可溶物をろ過して除き、残留物は水に入れ塩酸で酸
性にした後、沈殿をろ別、水洗乾燥して３，４：９，１
０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ
−ル誘導体Ｐ−１、１．０ｇ（収率８０％）を得た。元
素分析値、吸収極大波長、質量スペクトル（ｍ／ｅ）の
測定結果を表１に示す。
（２．５mmol）と４−ニトロ−１，２−フェニレンジア
ミン３．９ｇ（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８
０℃で４時間加熱反応させた。放冷した反応混合物にメ
タノ−ルを加え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄して４−ニト
ロ−１、２−フェニレンジアミンを除いた。この沈殿に
１％水酸化カリウム溶液を加え加熱ろ過して未反応のＡ
−１を除いた。この沈殿はつぎにアルカリ性亜ジチオン
酸ナトリウム溶液（水２００部、水酸化カリウム４部、
亜ジチオン酸ナトリウム４部）で４５℃１５分処理した
後、可溶物をろ過して除き、残留物は水に入れ塩酸で酸
性にした後、沈殿をろ別、水洗乾燥して３，４：９，１
０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ
−ル誘導体Ｐ−１、１．０ｇ（収率８０％）を得た。元
素分析値、吸収極大波長、質量スペクトル（ｍ／ｅ）の
測定結果を表１に示す。
【００３９】製造例１１〜１３ Ｐ−２、Ｐ−３、Ｐ−４の合成 製造例１０においてＡ−１、１．０ｇをＡ−２、１．０
ｇ（２．５mmol）、Ａ−３、１．１ｇ（２．５mmol）、
Ａ−４、１．１ｇ（２．５mmol）にそれぞれ置き換えて
製造例１０と同様の合成を行ない、３，４：９，１０−
ペリレンビス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ−ル
誘導体Ｐ−２、１．０ｇ（収率７８％）、Ｐ−３、１．
１ｇ（収率７９％）、Ｐ−４、１．１ｇ（収率７８％）
を得た。元素分析値、吸収極大波長、質量スペクトル
（ｍ／ｅ）の測定結果を表１に示す。
ｇ（２．５mmol）、Ａ−３、１．１ｇ（２．５mmol）、
Ａ−４、１．１ｇ（２．５mmol）にそれぞれ置き換えて
製造例１０と同様の合成を行ない、３，４：９，１０−
ペリレンビス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ−ル
誘導体Ｐ−２、１．０ｇ（収率７８％）、Ｐ−３、１．
１ｇ（収率７９％）、Ｐ−４、１．１ｇ（収率７８％）
を得た。元素分析値、吸収極大波長、質量スペクトル
（ｍ／ｅ）の測定結果を表１に示す。
【００４０】製造例１４〜１６ Ｐ−５、Ｐ−６、Ｐ−７の合成 製造例１１〜１３においてＡ−１、１．０ｇをＡ−５、
３．１ｇ（２．５mmol）、Ａ−６、４．４ｇ（２．５mm
ol）、Ａ−７、４．８ｇ（２．５mmol）にそれぞれ置き
換えて製造例１０と同様の合成を行ない、３，４：９，
１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダ
ゾ−ル誘導体Ｐ−５、１．１ｇ（収率７４％）、Ｐ−
３、１．２ｇ（収率７２％）、Ｐ−４、１．２ｇ（収率
７２％）を得た。元素分析値、吸収極大波長、質量スペ
クトル（ｍ／ｅ）の測定結果を表１に示す。
３．１ｇ（２．５mmol）、Ａ−６、４．４ｇ（２．５mm
ol）、Ａ−７、４．８ｇ（２．５mmol）にそれぞれ置き
換えて製造例１０と同様の合成を行ない、３，４：９，
１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダ
ゾ−ル誘導体Ｐ−５、１．１ｇ（収率７４％）、Ｐ−
３、１．２ｇ（収率７２％）、Ｐ−４、１．２ｇ（収率
７２％）を得た。元素分析値、吸収極大波長、質量スペ
クトル（ｍ／ｅ）の測定結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】製造例１７ Ｐ−８の合成 三つ口フラスコに製造例１で合成したＡ−１、１．０ｇ
（２．５mmol）とｐ−４−ニトロフェニルアゾアニリン
７．７ｇ（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８０℃
で６時間加熱反応させ、放冷した反応混合物にメタノ−
ルを加え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄する。この沈殿に１
％水酸化カリウム溶液を加え加熱ろ過し、得られた沈殿
を水洗、メタノ−ル洗浄後、乾燥して３，４：９，１０
−ペリレンビス（ジカルボキシミド）誘導体Ｐ−８、
０．５ｇ（収率３０％）を得た。元素分析値、吸収極大
波長、質量スペクトル（ｍ／ｅ）の測定結果を表２に示
す。
（２．５mmol）とｐ−４−ニトロフェニルアゾアニリン
７．７ｇ（３２mmol）を入れ、かきまぜながら１８０℃
で６時間加熱反応させ、放冷した反応混合物にメタノ−
ルを加え沈殿をろ別メタノ−ル洗浄する。この沈殿に１
％水酸化カリウム溶液を加え加熱ろ過し、得られた沈殿
を水洗、メタノ−ル洗浄後、乾燥して３，４：９，１０
−ペリレンビス（ジカルボキシミド）誘導体Ｐ−８、
０．５ｇ（収率３０％）を得た。元素分析値、吸収極大
波長、質量スペクトル（ｍ／ｅ）の測定結果を表２に示
す。
【００４３】製造例１８〜２１ Ｐ−９〜Ｐ−１４の合成 製造例１７においてＡ−１、１．０ｇをＡ−２、１．０
ｇ（２．５mmol）、Ａ−３、１．１ｇ（２．５mmol）、
Ａ−４、１．１ｇ（２．５mmol）、Ａ−５、３．１ｇ
（２．５mmol）、Ａ−６、４．４ｇ（２．５mmol）、Ａ
−７、４．８ｇ（２．５mmol）にそれぞれ置き換えて製
造例１７と同様の合成を行ない、３，４：９，１０−ペ
リレンビス（ジカルボキシミド）誘導体Ｐ−９、０．５
ｇ（収率３０％）、Ｐ−１０、０．５ｇ（収率３１
％）、Ｐ−１１、０．５ｇ（収率３２％）、Ｐ−１２、
０．６ｇ（収率３４％）、Ｐ−１３、０．６ｇ（収率３
３％）、Ｐ−１４、０．７ｇ（収率３３％）を得た。元
素分析値、吸収極大波長、質量スペクトル（ｍ／ｅ）の
測定結果を表２に示す。
ｇ（２．５mmol）、Ａ−３、１．１ｇ（２．５mmol）、
Ａ−４、１．１ｇ（２．５mmol）、Ａ−５、３．１ｇ
（２．５mmol）、Ａ−６、４．４ｇ（２．５mmol）、Ａ
−７、４．８ｇ（２．５mmol）にそれぞれ置き換えて製
造例１７と同様の合成を行ない、３，４：９，１０−ペ
リレンビス（ジカルボキシミド）誘導体Ｐ−９、０．５
ｇ（収率３０％）、Ｐ−１０、０．５ｇ（収率３１
％）、Ｐ−１１、０．５ｇ（収率３２％）、Ｐ−１２、
０．６ｇ（収率３４％）、Ｐ−１３、０．６ｇ（収率３
３％）、Ｐ−１４、０．７ｇ（収率３３％）を得た。元
素分析値、吸収極大波長、質量スペクトル（ｍ／ｅ）の
測定結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
【００４５】実施例１ 前記製造例１０において製造した電気光学材料としての
３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）
ベンゾイミダゾ−ル誘導体（Ｐ−１）１重量部とフッ素
化ポリアミド酸ＯＰＩ１００５（日立化成工業社製）１
５重量部をＮＭＰ２００重量部に溶解して得られたアク
ティブ光導波路用組成物の溶液を１００nm厚の半透明ア
ルミ電極を付けた石英ガラス上に回転数２０００rpmで
スピン塗工し、２μｍ膜を形成した。ＮＭＰ溶剤を除去
するため真空下１２０℃、６時間ソフトベ−クし、続い
て前記の膜上に１００nm厚の半透明アルミ電極を形成し
サンドウィッチ型のサンプルを作製した。電極間に４０
０Ｖの電圧を印加しながら２℃／分の昇温速度で２５０
℃（ポーリング温度）にサンプルを加熱し、さらに、４
００Ｖの電圧を印加しながら同温度で１時間保持し、そ
の後、４００Ｖの電圧を印加しながら室温まで冷却して
アクティブ光導波路試験用サンプル（ここでは、図２に
おけるコア層４の部分に対応するコア部のみを含み、ク
ラッド部にあたるものはない）を作製した。
３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカルボキシミド）
ベンゾイミダゾ−ル誘導体（Ｐ−１）１重量部とフッ素
化ポリアミド酸ＯＰＩ１００５（日立化成工業社製）１
５重量部をＮＭＰ２００重量部に溶解して得られたアク
ティブ光導波路用組成物の溶液を１００nm厚の半透明ア
ルミ電極を付けた石英ガラス上に回転数２０００rpmで
スピン塗工し、２μｍ膜を形成した。ＮＭＰ溶剤を除去
するため真空下１２０℃、６時間ソフトベ−クし、続い
て前記の膜上に１００nm厚の半透明アルミ電極を形成し
サンドウィッチ型のサンプルを作製した。電極間に４０
０Ｖの電圧を印加しながら２℃／分の昇温速度で２５０
℃（ポーリング温度）にサンプルを加熱し、さらに、４
００Ｖの電圧を印加しながら同温度で１時間保持し、そ
の後、４００Ｖの電圧を印加しながら室温まで冷却して
アクティブ光導波路試験用サンプル（ここでは、図２に
おけるコア層４の部分に対応するコア部のみを含み、ク
ラッド部にあたるものはない）を作製した。
【００４６】図３に示す測定装置を用いて前記アクティ
ブ光導波路試験用サンプルについて熱安定性を調べた。
図３に示す測定装置は、次のように構成されたものであ
る。すなわち、ＱスイッチパルスＮｄ：ＹＡＧレ−ザ９
からの光を偏光子１０、可視光カットフィルタ１１を通
過させ、１．０６μｍの偏光成分のみを取り出す。取り
出された偏光は、ハ−フミラ−１２により二分割され、
一方は、ヒ−タ１３内に設置されたサンプル１４に照射
され、サンプル１４より発生する０．５３２μｍの光の
特定の偏光成分は、赤外光カットフィルタ１５、検光子
１６、分光器１７を通して光電子増倍管１８により測定
される。他方は、レ−ザパワ−の変動を補正するために
水晶板１９に照射され、赤外光カットフィルタ２０を通
して光電子増倍管２１によって、０．５３２μｍの光を
モニタするのに使用される。室温において光電子増倍管
１８により測定されたこの光の強度、すなわち、ＳＨＧ
強度をｒ(０)と定義する。また、５０時間、任意の温度
Ｔにおいてアニ−ルした後に測定されたこの光の強度、
すなわち、ＳＨＧ（セカンド ハーモニック ジェネレー
ション）強度をｒ(Ｔ)と定義する。熱安定性は、前記ｒ
(０)とｒ(Ｔ)から下記式（１）を用いて求めた電気光学
特性の保持率ｄ(Ｔ)から評価し、結果を表３に示した。
ブ光導波路試験用サンプルについて熱安定性を調べた。
図３に示す測定装置は、次のように構成されたものであ
る。すなわち、ＱスイッチパルスＮｄ：ＹＡＧレ−ザ９
からの光を偏光子１０、可視光カットフィルタ１１を通
過させ、１．０６μｍの偏光成分のみを取り出す。取り
出された偏光は、ハ−フミラ−１２により二分割され、
一方は、ヒ−タ１３内に設置されたサンプル１４に照射
され、サンプル１４より発生する０．５３２μｍの光の
特定の偏光成分は、赤外光カットフィルタ１５、検光子
１６、分光器１７を通して光電子増倍管１８により測定
される。他方は、レ−ザパワ−の変動を補正するために
水晶板１９に照射され、赤外光カットフィルタ２０を通
して光電子増倍管２１によって、０．５３２μｍの光を
モニタするのに使用される。室温において光電子増倍管
１８により測定されたこの光の強度、すなわち、ＳＨＧ
強度をｒ(０)と定義する。また、５０時間、任意の温度
Ｔにおいてアニ−ルした後に測定されたこの光の強度、
すなわち、ＳＨＧ（セカンド ハーモニック ジェネレー
ション）強度をｒ(Ｔ)と定義する。熱安定性は、前記ｒ
(０)とｒ(Ｔ)から下記式（１）を用いて求めた電気光学
特性の保持率ｄ(Ｔ)から評価し、結果を表３に示した。
【数１】
【００４７】実施例２〜１２ 実施例１において用いた３，４：９，１０−ペリレンビ
ス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ−ル誘導体（Ｐ
−１）とポリアミド酸ＯＰＩ−１００５に代えて、表３
に示す電気光学材料及びフッ素化ポリアミド酸（日立化
成工業社製）を用いて、実施例１と同様にしてアクティ
ブ光導波路試験用サンプルを作製し、電気光学特性の保
持率ｄ（Ｔ）を評価し、結果を表３に示した。
ス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ−ル誘導体（Ｐ
−１）とポリアミド酸ＯＰＩ−１００５に代えて、表３
に示す電気光学材料及びフッ素化ポリアミド酸（日立化
成工業社製）を用いて、実施例１と同様にしてアクティ
ブ光導波路試験用サンプルを作製し、電気光学特性の保
持率ｄ（Ｔ）を評価し、結果を表３に示した。
【００４８】比較例１ 実施例１において用いた３，４：９，１０−ペリレンビ
ス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ−ル誘導体（Ｐ
−１）とフッ素化ポリアミド酸ＯＰＩ−１００５に代え
て、表３に示す４−〔Ｎ−エチル−Ｎ−（２−ヒドロキ
シエチル）〕−アミノ−４′−ニトロアゾベンゼン（Di
sperse Red１）とポリメチルメタクリレ−ト（ＰＭＭ
Ａ）溶液（１２重量％）を用い、ポ−リング温度を１５
０℃にした以外は実施例１と同様にしてアクティブ光導
波路試験用サンプルを作製し、電気光学特性の保持率ｄ
（Ｔ）を評価し、結果を表３に示した。電気光学特性
は、１００℃に加熱するだけで７５％消失した。
ス（ジカルボキシミド）ベンゾイミダゾ−ル誘導体（Ｐ
−１）とフッ素化ポリアミド酸ＯＰＩ−１００５に代え
て、表３に示す４−〔Ｎ−エチル−Ｎ−（２−ヒドロキ
シエチル）〕−アミノ−４′−ニトロアゾベンゼン（Di
sperse Red１）とポリメチルメタクリレ−ト（ＰＭＭ
Ａ）溶液（１２重量％）を用い、ポ−リング温度を１５
０℃にした以外は実施例１と同様にしてアクティブ光導
波路試験用サンプルを作製し、電気光学特性の保持率ｄ
（Ｔ）を評価し、結果を表３に示した。電気光学特性
は、１００℃に加熱するだけで７５％消失した。
【００４９】
【表３】
【００５０】
【発明の効果】本発明の電気光学用組成物は光学的に良
好な透明膜を与える。本発明の電気光学用組成物を用い
て作製したアクティブ光導波路は、熱的に非常に安定で
あり、光スイッチ、変調器等の電気光学素子を作製する
のに好適なものである。
好な透明膜を与える。本発明の電気光学用組成物を用い
て作製したアクティブ光導波路は、熱的に非常に安定で
あり、光スイッチ、変調器等の電気光学素子を作製する
のに好適なものである。
【図１】光マトリックススイッチ、変調器の基本形態。
【図２】アクティブ光導波路作製工程の説明図。
【図３】ＳＨＧの測定装置の説明図。
１ 基板 ２ 下部電極 ３ 下部クラッド層 ４ コア層 ５ アルミニウム層 ６ レジスト層 ７ 上部クラッド層 ８ 上部電極 ９ ＱスイッチパルスＮｄ：ＹＡＧレ−ザ １０ 偏光子 １１ 可視光カットフィルタ １２ ハ−フミラ− １３ ヒ−タ １４ サンプル １５ 赤外光カットフィルタ １６ 検光子 １７ 分光器 １８ 光電子増倍管 １９ 水晶板 ２０ 赤外光カットフィルタ ２１ 光電子増倍管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 芳首 千葉県野田市山崎1411−６ (72)発明者 御園生 堯久 埼玉県川口市根岸台1855−２
Claims (11)
- 【請求項１】 フッ素化ポリアミド酸及び電気光学材料
を含むアクティブ光導波路用組成物。 - 【請求項２】 フッ素化ポリアミド酸が、イミド閉環し
てフッ素化ポリイミドとなった時、屈折率が１．４〜
１．９（５８９nm）、誘電率が２．６〜３．５（１MH
z）及びガラス転移温度（Tg）が３００℃以上となるも
のである請求項１記載のアクティブ光導波路用組成物。 - 【請求項３】 フッ素化ポリイミド酸が、式（Ｉ−１） 【化１】 で表わされる繰り返し単位及び式（Ｉ−２） 【化２】 で表わされる繰り返し単位の少なくとも１つと式（II−
１） 【化３】 で表わされる繰り返し単位及び式（II−２） 【化４】 で表わされる繰り返し単位の少なくとも１つとを有する
フッ素化ポリアミド酸である請求項２記載のアクティブ
光導波路用組成物。 - 【請求項４】 電気光学材料がペリレン系化合物である
請求項１、２または３記載のアクティブ光導波路用組成
物。 - 【請求項５】 ペリレン系化合物が非対称構造であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のアクティ
ブ光導波路用組成物。 - 【請求項６】 非対称構造を有するペリレン系化合物が
一般式（III）で表される非対称型３，４：９，１０−
ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物又は一般式
（IV） 【化５】 【化６】 （但し、Ｒ1は、水素原子、アルキル基、フルオロアル
キル基、アルキル基若しくはアルコキシ基置換された炭
素数６〜１０のアリール基又はフルオロアルコキシ基置
換された炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ2は、
アミノ基、アルコキシ基、ニトリル基又はニトロ基であ
り、Ａｒは、置換基を有するアリ−ル基である）で表わ
される非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカ
ルボキシミド）化合物であることを特徴とする請求項５
記載のアクティブ光導波路用組成物。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５又は６記載の
アクティブ光導波路用組成物中のフッ素化ポリアミド酸
を、イミド閉環してフッ素化ポリイミドとし、電気光学
材料を配向させることを特徴とするアクティブ光導波路
の製造法。 - 【請求項８】 フッ素化ポリイミド及び電気光学材料を
構成要素とするアクティブ光導波路。 - 【請求項９】 電気光学材料がペリレン系化合物である
ことを特徴とする請求項８記載のアクティブ光導波路。 - 【請求項１０】 ペリレン系化合物が非対称構造である
請求項９記載のアクティブ光導波路。 - 【請求項１１】 非対称構造を有するペリレン系化合物
が一般式（III）で表される非対称型３，４：９，１０
−ペリレンビス（ジカルボキシミド）化合物又は一般式
（IV） 【化７】 【化８】 （但し、Ｒ1は、水素原子、アルキル基、フルオロアル
キル基、アルキル基若しくはアルコキシ基置換された炭
素数６〜１０のアリール基又はフルオロアルコキシ基置
換された炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ2は、
アミノ基、アルコキシ基、ニトリル基又はニトロ基であ
り、Ａｒは、置換基を有するアリ−ル基である）で表わ
される非対称型３，４：９，１０−ペリレンビス（ジカ
ルボキシミド）化合物であることを特徴とする請求項１
０記載のアクティブ光導波路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5305121A JPH07159738A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 |
| US08/354,066 US5733481A (en) | 1993-12-06 | 1994-12-06 | Composition for use in the formation of an active light waveguide, method for manufacturing an active light waveguide using the composition, and active light waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5305121A JPH07159738A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159738A true JPH07159738A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17941361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5305121A Pending JPH07159738A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5733481A (ja) |
| JP (1) | JPH07159738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109283616A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-01-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100200199B1 (ko) * | 1994-08-02 | 1999-06-15 | 사또 아끼오 | 광학필터용 폴리이미드수지조성물 |
| FR2749945B1 (fr) * | 1996-06-18 | 1998-09-11 | Toussaere Eric | Composant electrooptique |
| CN1122186C (zh) * | 1997-11-05 | 2003-09-24 | 三星电子株式会社 | 聚合物光波导器件及其制造方法 |
| JP2000347054A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Sharp Corp | 光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法 |
| US6599957B2 (en) | 2001-05-07 | 2003-07-29 | Corning Incorporated | Photosensitive material suitable for making waveguides and method of making waveguides utilizing this photosensitive optical material |
| AU2002307120A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-18 | Corning Incorporated | Photosensitive material suitable for making waveguides and method of making waveguides utilizing this photosensitive optical material |
| US6947651B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof |
| TW200714635A (en) * | 2005-08-22 | 2007-04-16 | Nippon Catalytic Chem Ind | Fluorinated polyamide acid resin composition for optical materials |
| US8439899B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-05-14 | Ntn Corporation | Remote-controlled actuator |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933132A (en) * | 1989-02-28 | 1990-06-12 | Hoechst Celanese Corp. | Process of making a shaped article from intermediate molecular weight polyimides |
| US5534201A (en) * | 1992-03-31 | 1996-07-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | NLO dye compositions and use thereof in producing NLO elements |
| US5317082A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-31 | Amoco Corporation | Photodefinable optical waveguides |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP5305121A patent/JPH07159738A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-06 US US08/354,066 patent/US5733481A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109283616A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-01-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 |
| CN109283616B (zh) * | 2018-12-10 | 2023-09-12 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5733481A (en) | 1998-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110475838B (zh) | 用于液晶取向剂的聚合物、包含其的液晶取向剂组合物、以及使用其的液晶取向膜和液晶显示装置 | |
| JPH07159738A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| TWI691548B (zh) | 液晶配向劑組成物、使用此組成物製備液晶配向膜的方法、使用此組成物的液晶配向膜以及液晶顯示裝置 | |
| JP2021515909A (ja) | 液晶配向剤組成物、これを用いた液晶配向膜の製造方法、これを用いた液晶配向膜および液晶表示素子 | |
| JP6878737B2 (ja) | 液晶配向剤用共重合体、これを含む液晶配向剤、そしてこれを用いた液晶配向膜および液晶表示素子 | |
| JPH0841329A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0968620A (ja) | 光導波路用組成物、光導波路、パッシブ光導波路、アクティブ光導波路及びその製造法 | |
| TWI693278B (zh) | 液晶配向劑組成物、使用此組成物製備液晶配向膜的方法、使用此組成物的液晶配向膜以及液晶顯示裝置 | |
| JPH0534743A (ja) | 非線形光学用高分子材料 | |
| CN110546239A (zh) | 用于液晶取向剂的共聚物、包含其的液晶取向剂、以及使用其的液晶取向膜和液晶显示装置 | |
| KR102251400B1 (ko) | 액정 배향제용 중합체, 이를 포함하는 액정 배향제 조성물, 그리고 이를 이용한 액정배향막 및 액정표시소자 | |
| JPH0841327A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841333A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841328A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0532597A (ja) | ジアミノトリフエニルアミン誘導体 | |
| JPH0736068A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841326A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841324A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841331A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841323A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841335A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841334A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JP2004355021A (ja) | 光導波路用組成物、光導波路、パッシブ光導波路、アクティブ光導波路及びその製造法 | |
| JPH0841332A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 | |
| JPH0841325A (ja) | アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 |