JPH07156632A - Light position detecting device - Google Patents

Light position detecting device

Info

Publication number
JPH07156632A
JPH07156632A JP30661093A JP30661093A JPH07156632A JP H07156632 A JPH07156632 A JP H07156632A JP 30661093 A JP30661093 A JP 30661093A JP 30661093 A JP30661093 A JP 30661093A JP H07156632 A JPH07156632 A JP H07156632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
irradiation
pixel
detection
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP30661093A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3303482B2 (en
Inventor
Wataru Sugiura
亘 杉浦
Hajime Ito
一 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP30661093A priority Critical patent/JP3303482B2/en
Publication of JPH07156632A publication Critical patent/JPH07156632A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3303482B2 publication Critical patent/JP3303482B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To provide a light position detecting device whereby good detecting accuracy can be always obtained without receiving an influence of position displacement of a light receiving sensor, to facilitate manufacture. CONSTITUTION:A detection element part 10 is provided with a light shield film 24 having an L-shaped slit comprising slits 24a, 24b, pair of photodiode arrays 26X, 26Y opposed to be arranged in the shield film 24 with a prescribed space to respectively receive slit lights of permeating the slits 24a, 24b and a light receiving part 26 having a signal processing circuit 28 for scanning each picture element of each photodiode array 26X, 26Y to take out a reception signal. In a microcomputer connected to the signal processing circuit 28, a picture element irradiated with light from just above the detection element part 10, that is, a picture element positioned just below the slits 24a, 24b is left as previously stored as a reference position, and based on a distance between this reference position and a picture element irradiated at present, a direction of solar radiation is calculated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光の入射方向及びその
強度を検出可能な光位置検出装置に関し、特に、自動車
用空気調和装置において、空調空気の温度,吹出量,吹
出方向等を制御するのに好適な光位置検出装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light position detecting device capable of detecting the incident direction of light and its intensity, and more particularly to controlling the temperature, blown amount, blown direction, etc. of conditioned air in an air conditioner for automobiles. The present invention relates to an optical position detection device suitable for

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、自動車用空気調和装置におい
ては、日射の強度及び日射方向に応じて、空調空気の温
度,吹出量,吹出方向等を最適に制御するために、日射
方向及び日射強度を検出可能な光位置検出装置が使用さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an air conditioner for an automobile, in order to optimally control the temperature, the amount of air blown, the direction of the conditioned air, etc. according to the intensity of the solar radiation and the direction of the solar radiation, An optical position detecting device capable of detecting

【0003】こうした光位置検出装置として、例えば、
特開昭56−64611号公報に開示されている如く、
ピンホールが形成された遮光板とこの遮光板に対向配設
された2次元の受光センサからなる太陽角度測定装置等
が知られている。この装置では、受光センサは、ピンホ
ールの真下に受光センサの中心が位置するように配設さ
れており、この受光センサがピンホールを通過して受光
センサ上に照射される光の受光位置を検出している。そ
して、受光センサが検出する受光位置の受光センサの中
心に対するずれに基づいて光の照射角度が求められてい
る。
As such an optical position detecting device, for example,
As disclosed in JP-A-56-64611,
2. Description of the Related Art There is known a sun angle measuring device including a light-shielding plate having a pinhole formed therein and a two-dimensional light-receiving sensor arranged so as to face the light-shielding plate. In this device, the light receiving sensor is arranged so that the center of the light receiving sensor is located directly below the pinhole, and the light receiving sensor determines the light receiving position of the light passing through the pinhole and irradiated onto the light receiving sensor. It is detecting. Then, the light irradiation angle is obtained based on the deviation of the light receiving position detected by the light receiving sensor from the center of the light receiving sensor.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような装
置では、基準位置となる受光素子の中心がピンホールの
真下に正確に配置されていないと、検出値に誤差が生じ
るという問題があった。また、このように、ピンホール
と受光素子の組付け精度が検出精度に影響するため、検
出精度をよくするには精度よく組み付ける必要があり、
製造が難しいという問題もあった。
However, in such a device, there is a problem that an error occurs in the detected value unless the center of the light receiving element, which is the reference position, is accurately arranged right below the pinhole. . Further, as described above, since the accuracy of assembling the pinhole and the light receiving element affects the detection accuracy, it is necessary to assemble with high accuracy in order to improve the detection accuracy.
There was also the problem that it was difficult to manufacture.

【0005】本発明は、上記問題点を解決するために、
受光センサの位置ずれの影響を受けることなく常に良好
な検出精度を得ることができる製造の容易な光位置検出
装置を提供することを目的とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides
An object of the present invention is to provide an optical position detection device that is easy to manufacture and can always obtain good detection accuracy without being affected by the positional deviation of the light receiving sensor.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本発明は、図1に例示するように、光の導入
口が設けられた遮蔽板M1と該遮蔽板に所定の間隔をあ
けて対向配設され、光電変換素子を二次元的に配置した
受光部M2と、該受光部に配置された光電変換素子の出
力を順次読み出して上記受光部上での光の照射位置を検
出する照射位置検出手段M3と、予め設定された基準位
置からの上記照射位置検出手段により検出された照射位
置のずれに基づき光の照射角度を算出する照射角度算出
手段M4と、を備えた光位置検出装置であって、上記遮
蔽板の上部所定方向から光を照射したときに上記照射位
置検出手段により検出された照射位置を予め記憶する照
射位置記憶手段M5を設け、上記照射角度算出手段が、
上記照射位置記憶手段が記憶している照射位置を基準位
置として光の照射角度を算出することを特徴とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention, which has been made to achieve the above object, has a shield plate M1 provided with a light introduction port and a predetermined space between the shield plate as shown in FIG. The light receiving portion M2, which is arranged oppositely and has photoelectric conversion elements arranged two-dimensionally, and the output of the photoelectric conversion elements arranged in the light receiving portion are sequentially read to detect the light irradiation position on the light receiving portion. A light position including an irradiation position detecting means M3 for controlling the irradiation position and an irradiation angle calculating means M4 for calculating an irradiation angle of light based on a deviation of the irradiation position detected by the irradiation position detecting means from a preset reference position. An irradiation position storage unit M5 is provided, which is a detection device and stores in advance an irradiation position detected by the irradiation position detection unit when light is irradiated from a predetermined direction above the shield plate.
It is characterized in that the irradiation angle of light is calculated with the irradiation position stored in the irradiation position storage means as a reference position.

【0007】[0007]

【作用】上記のように構成された本発明の光位置検出装
置においては、遮光板に形成された導入口を透過した光
が、受光部に配置された光電変換素子により受光され
る。
In the optical position detecting device of the present invention configured as described above, the light transmitted through the introduction port formed in the light shielding plate is received by the photoelectric conversion element arranged in the light receiving section.

【0008】そして、照射位置検出手段が、受光部に配
置された光電変換素子の出力を順次読み出すことにより
光の照射位置を検出する。一方、照射位置記憶手段に
は、遮蔽板の上部所定方向(例えば真上方向)から光を
照射したときに上記照射位置検出手段により検出された
照射位置が予め記憶されており、照射角度算出手段は、
照射位置記憶手段が記憶している照射位置を基準位置と
して、この基準位置からの照射位置検出手段により検出
された照射位置のずれに基づき光の照射角度を算出す
る。
Then, the irradiation position detecting means detects the irradiation position of the light by sequentially reading the outputs of the photoelectric conversion elements arranged in the light receiving portion. On the other hand, the irradiation position storage means stores in advance the irradiation position detected by the irradiation position detection means when light is irradiated from a predetermined direction above the shield plate (for example, directly above), and the irradiation angle calculation means is stored. Is
With the irradiation position stored in the irradiation position storage means as a reference position, the irradiation angle of light is calculated based on the deviation of the irradiation position detected by the irradiation position detection means from this reference position.

【0009】[0009]

【実施例】以下に本発明の実施例を図面と共に説明す
る。本実施例の光位置検出装置1は、図2に示す如く、
自動車の車室3内の前方位置に取り付けられて、車室3
内に侵入する日射の強度I及び方向(車両の直進方向を
基準とする日射の左右入射角φ及び日射高度を表す仰角
θ)を検出するための所謂日射センサであり、自動車用
空調装置において、空調空気の温度,吹出量,吹出方向
等を制御するのに用いられる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 2, the optical position detecting device 1 of the present embodiment is
It is attached to the front position in the passenger compartment 3 of the automobile,
It is a so-called solar radiation sensor for detecting the intensity I and direction of insolation that intrudes into the interior (the left and right incident angle φ of solar radiation with respect to the straight-ahead direction of the vehicle and the elevation angle θ representing the insolation altitude), and in an automobile air conditioner, It is used to control the temperature of conditioned air, the amount of air blown, the direction of air blow, and so on.

【0010】図3に示す如く、光位置検出装置1は、検
出素子部10と、検出素子部10の電極となるクリップ
端子12と、クリップ端子12を介して検出素子部10
を保持すると共に、空調装置からの外部コネクタ14と
クリップ端子12とを電気的に接続するプリント基板1
6と、プリント基板16を把持して、検出素子部10を
開口部から突出させる筒状ケーシング18と、筒状ケー
シング18の開口端縁に嵌合・固定されて、検出素子部
10を覆い、検出素子部10を保護する光透過性フィル
タ20と、外部コネクタ14により検出素子部10と電
気的に接続される後述する制御用のマイクロコンピュー
タ30(図6参照)と、から構成されている。
As shown in FIG. 3, the optical position detecting device 1 includes a detecting element section 10, a clip terminal 12 serving as an electrode of the detecting element section 10, and the detecting element section 10 via the clip terminal 12.
Printed circuit board 1 for holding the connector and electrically connecting the external connector 14 from the air conditioner and the clip terminal 12
6 and the cylindrical casing 18 that holds the printed circuit board 16 and projects the detection element unit 10 from the opening, and is fitted and fixed to the opening edge of the cylindrical casing 18 to cover the detection element unit 10. It is composed of a light-transmitting filter 20 for protecting the detection element section 10 and a control microcomputer 30 (see FIG. 6) which will be described later and is electrically connected to the detection element section 10 by an external connector 14.

【0011】ここで、検出素子部10は、図4(a)に
示す如く、前述の透明部材としての屈折率1.5のガラ
ス基板22と、ガラス基板22の表面に形成された前述
の遮光板としての遮光膜24と、ガラス基板22の裏面
に固定された受光部26とから構成されている。
Here, as shown in FIG. 4A, the detection element portion 10 has a glass substrate 22 having a refractive index of 1.5 as the transparent member, and the above-mentioned light shielding formed on the surface of the glass substrate 22. It is composed of a light shielding film 24 as a plate and a light receiving portion 26 fixed to the back surface of the glass substrate 22.

【0012】また、遮光膜24は、図4(b)に示す如
く、ガラス基板22の表面に、幅0.6mmの二条のス
リット24a,24bを一端で交差させたL字状のスリ
ットを形成し、このスリット24a,24b以外の部分
では太陽光を遮光するためのものであり、印刷等により
形成されている。
As shown in FIG. 4B, the light shielding film 24 has an L-shaped slit formed on the surface of the glass substrate 22 by intersecting two slits 24a and 24b having a width of 0.6 mm at one end. However, the portions other than the slits 24a and 24b are for shielding sunlight, and are formed by printing or the like.

【0013】一方、受光部26には、図4(b)に示す
如く、各スリット24a,24bとの対向位置で各スリ
ット24a,24bと直交するように配設された1次元
の受光センサであるフォトダイオードアレイ26X,2
6Yと、フォトダイオードアレイ26X,26Yを走査
して、フォトダイオードアレイ26X,26Yを構成し
ているフォトダイオードから順次受光信号を取り出すた
めの信号処理回路28とが備えられている。
On the other hand, in the light receiving portion 26, as shown in FIG. 4B, a one-dimensional light receiving sensor is arranged so as to be orthogonal to the slits 24a and 24b at the positions facing the slits 24a and 24b. A photodiode array 26X, 2
6Y, and a signal processing circuit 28 for scanning the photodiode arrays 26X and 26Y and sequentially extracting light reception signals from the photodiodes forming the photodiode arrays 26X and 26Y.

【0014】各フォトダイオードアレイ26X,26Y
は、夫々、受光部26の本体であるチップ上に、セルサ
イズ0.04mm×0.04mmのフォトダイオードを
100個、直線状に配列することにより形成され、信号
処理回路28は、受光部26のチップ上に形成された回
路パターンとこの回路パターン上に設けられた回路素子
とにより形成されている。
Each photodiode array 26X, 26Y
Are formed by linearly arranging 100 photodiodes each having a cell size of 0.04 mm × 0.04 mm on the chip which is the main body of the light receiving unit 26. Of the circuit pattern formed on the chip and the circuit element provided on the circuit pattern.

【0015】また受光部26は、そのチップ上に形成さ
れた信号処理回路28の電極パターンと、ガラス基板2
2に形成された電極パターンとを、図4(a)にHで示
す如く半田付けすることにより、ガラス基板22に固定
されており、その半田付け部分以外の受光部26表面
は、ガラス基板22との間に設けられた屈折率1.4の
シリコーンゲル29により保護されている。
Further, the light receiving portion 26 has the electrode pattern of the signal processing circuit 28 formed on its chip and the glass substrate 2
2 is fixed to the glass substrate 22 by soldering the electrode pattern formed on the glass substrate 22 as shown by H in FIG. 4A. The surface of the light receiving portion 26 other than the soldered portion is the glass substrate 22. It is protected by a silicone gel 29 having a refractive index of 1.4 provided between and.

【0016】このように構成された本実施例の光位置検
出装置1においては、図5に示す如く、太陽光Aが入射
されると、その太陽光Aの一部がスリット24a,24
bを通り抜けて、スリット光Bとなり、日射の方向(即
ち太陽光の入射角φ及び仰角θ)に応じて各フォトダイ
オードアレイ26X,26Yの一部を照射することにな
る。
In the optical position detecting device 1 of the present embodiment constructed as described above, as shown in FIG. 5, when sunlight A is incident, a part of the sunlight A is slits 24a, 24.
After passing through b, it becomes slit light B, and a part of each photodiode array 26X, 26Y is irradiated in accordance with the direction of solar radiation (that is, the incident angle φ and the elevation angle θ of sunlight).

【0017】このとき、各フォトダイオードアレイ26
X,26Yにおいて照射される画素数(フォトダイオー
ドの数)は、スリット光の幅が0.6mmに対し、画素
サイズ(フォトダイオードのセルサイズ)は0.04m
m×0.04mmであるので、およそ15画素となり、
この15画素の中心画素(Xm,Yn)は、スリット光
Bの中心を表すものとなる。
At this time, each photodiode array 26
Regarding the number of pixels (the number of photodiodes) irradiated in X and 26Y, the width of slit light is 0.6 mm, and the pixel size (cell size of photodiodes) is 0.04 m.
Since it is m × 0.04 mm, it has about 15 pixels,
The center pixel (Xm, Yn) of the 15 pixels represents the center of the slit light B.

【0018】従って、各フォトダイオードアレイ26
X,26Yにおいて、スリット光Bが照射された中心画
素の位置(Xm,Yn)を検出すれば、受光部26上で
のスリット光の中心位置P1を検出することができ、こ
の中心位置P1の、光位置検出装置1の真上から太陽光
Aが入射された際の基準位置P0からのずれに基づき、
太陽光の入射角φ及び仰角θを検出することができるよ
うになる。
Therefore, each photodiode array 26
In X and 26Y, if the position (Xm, Yn) of the center pixel irradiated with the slit light B is detected, the center position P1 of the slit light on the light receiving unit 26 can be detected. , Based on the deviation from the reference position P0 when the sunlight A is incident from directly above the light position detection device 1,
It becomes possible to detect the incident angle φ and the elevation angle θ of sunlight.

【0019】なお、フォトダイオードアレイ26Xは、
スリット24bからの入射光が照射されると位置検出を
行えなくなるため、太陽が低い高度のときにスリット2
4bからの入射光がガラス基板22によって屈折されて
から照射される位置よりも外側に配設されている。ま
た、同様に、フォトダイオードアレイ26Yは、スリッ
ト24aからの入射光が照射されると位置検出を行えな
くなるため、太陽が低い高度のときにスリット24aか
らの入射光がガラス基板22によって屈折されてから照
射される位置よりも外側に配設されている。この結果、
各フォトダイオードアレイ26X,26Yには、それぞ
れ、スリット24a,24bからの入射光のみが照射さ
れることとなり、上記のようにスリット光の中心位置P
1を常に検出することができる。
The photodiode array 26X is
When the incident light from the slit 24b is irradiated, the position cannot be detected.
The incident light from 4b is arranged outside the position where it is irradiated after being refracted by the glass substrate 22. Similarly, since the photodiode array 26Y cannot detect the position when the incident light from the slit 24a is irradiated, the incident light from the slit 24a is refracted by the glass substrate 22 when the sun is at a low altitude. It is arranged outside of the position irradiated by. As a result,
Only the incident light from the slits 24a and 24b is irradiated to the photodiode arrays 26X and 26Y, respectively, and the center position P of the slit light is as described above.
1 can always be detected.

【0020】次に、上記のようにガラス基板22に固定
された受光部26は、ガラス基板22、クリップ端子1
2、プリント基板16、外部コネクタ14を介して、図
6に示す如く、空調装置を制御するマイクロコンピュー
タ30に接続される。そしてこの接続により、信号処理
回路28が、マイクロコンピュータ30の電源(VDD)
端子及びグランド(GND)端子に接続されて、マイク
ロコンピュータ30から電源(VDD)供給を受けると共
に、マイクロコンピュータ30から出力されるリセット
信号(RST)及びクロック信号(CLK)を受けて動
作し、検出信号SOUT を出力する。
Next, the light receiving portion 26 fixed to the glass substrate 22 as described above is the glass substrate 22 and the clip terminal 1.
2, via the printed circuit board 16 and the external connector 14, it is connected to the microcomputer 30 for controlling the air conditioner. By this connection, the signal processing circuit 28 causes the power supply (VDD) of the microcomputer 30.
It is connected to a terminal and a ground (GND) terminal, receives power (VDD) from the microcomputer 30, and operates by receiving a reset signal (RST) and a clock signal (CLK) output from the microcomputer 30, and detects Outputs signal SOUT.

【0021】以下、この信号処理回路28の回路構成及
び動作について説明する。なお図6において、マイクロ
コンピュータ30と受光部26との間の信号線路にはコ
ンデンサや抵抗器が接続されているが、これは信号線路
上のノイズ除去や回路保護のためのものであり、本実施
例では、プリント基板16に設けられている。
The circuit configuration and operation of the signal processing circuit 28 will be described below. In FIG. 6, a capacitor or a resistor is connected to the signal line between the microcomputer 30 and the light receiving unit 26, but this is for removing noise on the signal line and protecting the circuit. In the embodiment, it is provided on the printed circuit board 16.

【0022】図7に示す如く、信号処理回路28は、フ
ォトダイオードアレイ26X,26Yを構成している合
計200個のフォトダイオードD1 〜D200 に、夫々、
コンデンサC1 〜C200 を並列接続すると共に、このコ
ンデンサC1 〜C200 の端子電圧を外部に取り出すため
のCMOS型のトランジスタTR1 〜TR200 と、各コ
ンデンサC1 〜C200 を充電するためのCMOS型のト
ランジスタTR0とを各画素毎に設けることにより、フ
ォトダイオードアレイ26X,26Yの各画素毎に検出
回路K1 〜K200 を形成し、各検出回路K1 〜K200 毎
に、順次、コンデンサC1 〜C200 を基準電圧V1で充
電した後所定時間経過する間にフォトダイオードD1 〜
D200 を介して放電される電荷量を検出し、これを各フ
ォトダイオードD1 〜D200 が受光した光量を表す検出
信号SOUT として出力する、CMOS型のイメージセン
サとして構成されている。
As shown in FIG. 7, the signal processing circuit 28 includes a total of 200 photodiodes D1 to D200 constituting the photodiode arrays 26X and 26Y, respectively.
The capacitors C1 to C200 are connected in parallel, and the CMOS type transistors TR1 to TR200 for taking out the terminal voltages of the capacitors C1 to C200 to the outside and the CMOS type transistor TR0 for charging the capacitors C1 to C200 are connected. By providing each pixel, the detection circuits K1 to K200 are formed for each pixel of the photodiode arrays 26X and 26Y, and the capacitors C1 to C200 are sequentially charged with the reference voltage V1 for each detection circuit K1 to K200. After a predetermined time elapses, the photodiode D1
It is configured as a CMOS type image sensor that detects the amount of electric charge discharged via D200 and outputs it as a detection signal SOUT indicating the amount of light received by each of the photodiodes D1 to D200.

【0023】即ち、信号処理回路28には、電源電圧V
DDを分圧して基準電圧V1を生成する分圧抵抗器R1,
R2と、分圧抵抗器R1,R2により生成された基準電
圧V1を上記各コンデンサC1 〜C200 への充電電圧と
して上記各検出回路K1 〜K200 内のトランジスタTR
0に入力するオペアンプOP1からなるバッファ回路3
2と、各検出回路K1 〜K200 内のトランジスタTR0
が所定の充電タイミング(TPR)でオンして各コンデン
サC1 〜C200 への充電を開始した後所定時間経過する
までの間、特定の検出回路Kn(n:1〜200のいずれか
一つ)内のトランジスタTRnをオンさせる駆動信号S
Rnを出力すると共に、その駆動信号SRnを出力する
検出回路Knを検出回路K1 からK200 まで所定の切替
タイミング(TSRT )で順次切り替えるシフトレジスタ
34と、シフトレジスタ34が駆動信号SRnを出力し
た検出回路KnからトランジスタTRnを介して出力さ
れるコンデンサCnの端子電圧VCを取り出すためのオ
ペアンプOP2からなるバッファ回路36と、シフトレ
ジスタ34が駆動信号SRnを出力した直後のタイミン
グ(TCDS )でバッファ回路36からの出力電圧(即ち
コンデンサCnの端子電圧)VCをホールド電圧VCH
としてホールドするホールド回路38と、このホールド
回路38によるホールド電圧VCHとその後バッファ回
路36から出力される端子電圧VCとの差に応じた信号
を発生する差動増幅回路40と、差動増幅回路40から
の出力信号を所定のタイミング(TSAM )でホールドし
て特定画素(即ちフォトダイオードDn)による受光光
量を表す検出信号SOUT として出力する出力回路42
と、マイクロコンピュータ30からのリセット信号RS
T及びクロック信号CLKに基づき、トランジスタTR
0,シフトレジスタ34,ホールド回路38,出力回路
42を、夫々、上記各タイミングTPR,TSRT ,TCDS
,TSAM で動作させるためのタイミング信号PR,S
RT,CDS,SAMを発生するタイミング信号発生部
44と、が備えられている。
That is, the signal processing circuit 28 has a power supply voltage V
A voltage dividing resistor R1, which divides DD to generate a reference voltage V1,
R2 and the reference voltage V1 generated by the voltage dividing resistors R1 and R2 are used as charging voltages for the capacitors C1 to C200, and the transistors TR in the detection circuits K1 to K200 are used.
Buffer circuit 3 consisting of operational amplifier OP1 input to 0
2 and the transistor TR0 in each detection circuit K1 to K200
Is turned on at a predetermined charge timing (TPR) and starts charging the capacitors C1 to C200, and until a predetermined time elapses, within a specific detection circuit Kn (n: 1 to 200). Signal S for turning on the transistor TRn of
Rn and a shift register 34 that sequentially switches the detection circuit Kn that outputs the drive signal SRn from the detection circuits K1 to K200 at a predetermined switching timing (TSRT), and a detection circuit that the shift register 34 outputs the drive signal SRn. From the buffer circuit 36 at a timing (TCDS) immediately after the shift register 34 outputs the drive signal SRn, the buffer circuit 36 including the operational amplifier OP2 for extracting the terminal voltage VC of the capacitor Cn output from Kn via the transistor TRn. Output voltage (that is, the terminal voltage of the capacitor Cn) VC of the hold voltage VCH
Hold circuit 38, a differential amplifier circuit 40 for generating a signal according to the difference between the hold voltage VCH by this hold circuit 38 and the terminal voltage VC output from the buffer circuit 36 thereafter, and a differential amplifier circuit 40. An output circuit 42 for holding the output signal from the device at a predetermined timing (TSAM) and outputting it as a detection signal SOUT indicating the amount of light received by a specific pixel (that is, the photodiode Dn).
And the reset signal RS from the microcomputer 30
Transistor TR based on T and clock signal CLK
0, the shift register 34, the hold circuit 38, and the output circuit 42 are respectively connected to the timings TPR, TSRT, and TCDS.
, PR, S for operating with TSAM
And a timing signal generator 44 that generates RT, CDS, and SAM.

【0024】なお、ホールド回路38は、タイミング信
号発生部44から出力されるタイミング信号CDSがHi
ghレベルであるときにオンし、Low レベルであるときオ
フするアナログスイッチSW1と、アナログスイッチS
W1のオン時にバッファ回路36から出力される端子電
圧VCによりこの端子電圧VCと同電位まで充電される
コンデンサCaと、コンデンサCaの端子電圧(即ちV
C)を差動増幅回路40に出力するオペアンプOP3か
らなるバッファ回路とから構成されている。
In the hold circuit 38, the timing signal CDS output from the timing signal generator 44 is Hi.
An analog switch SW1 and an analog switch S, which are turned on at the gh level and turned off at the low level.
A capacitor Ca that is charged to the same potential as the terminal voltage VC by the terminal voltage VC output from the buffer circuit 36 when W1 is turned on, and a terminal voltage of the capacitor Ca (that is, V
C) is output to the differential amplifier circuit 40 and a buffer circuit including an operational amplifier OP3.

【0025】また、差動増幅回路40は、オペアンプO
P4と抵抗器R3〜R6とにより構成された周知のもの
であるが、本実施例では、バッファ回路36から出力さ
れる端子電圧VCを直接受けるオペアンプOP4の非反
転入力(+)に、抵抗器R6を介して分圧抵抗器R1,
R2にて生成された基準電圧V1を印加することによ
り、その非反転入力(+)の電圧が(VC+V1)とな
るようにされている。つまり、差動増幅回路40は、こ
の非反転入力(+)の電圧(VC+V1)からホールド
回路38によるホールド電圧VCHを減じた電圧が出力
される。
The differential amplifier circuit 40 includes an operational amplifier O
Although it is a well-known one composed of P4 and resistors R3 to R6, in the present embodiment, a resistor is provided to the non-inverting input (+) of the operational amplifier OP4 which directly receives the terminal voltage VC output from the buffer circuit 36. Voltage dividing resistor R1, via R6
By applying the reference voltage V1 generated by R2, the voltage of the non-inverting input (+) becomes (VC + V1). That is, the differential amplifier circuit 40 outputs a voltage obtained by subtracting the hold voltage VCH by the hold circuit 38 from the voltage (VC + V1) of the non-inverting input (+).

【0026】また更に、出力回路42は、タイミング信
号発生部44から出力されるタイミング信号SAMがHi
ghレベルであるときにオンし、Low レベルであるときオ
フするアナログスイッチSW2と、アナログスイッチS
W2のオン時に差動増幅回路40からの出力信号により
この信号と同電位まで充電されるコンデンサCbと、コ
ンデンサCbの端子電圧を検出信号SOUT として出力す
るオペアンプOP5からなるバッファ回路とから構成さ
れている。
Furthermore, in the output circuit 42, the timing signal SAM output from the timing signal generator 44 is Hi.
An analog switch SW2 and an analog switch S, which are turned on at the gh level and turned off at the low level.
It is composed of a capacitor Cb which is charged to the same potential as this signal by the output signal from the differential amplifier circuit 40 when W2 is turned on, and a buffer circuit composed of an operational amplifier OP5 which outputs the terminal voltage of the capacitor Cb as a detection signal SOUT. There is.

【0027】このように構成された信号処理回路28に
おいては、マイクロコンピュータ30からのリセット信
号RSTがLow レベルであるときにタイミング信号発生
部44及びシフトレジスタ34がリセットされ、リセッ
ト信号RSTがHighレベルになると、タイミング信号発
生部44がマイクロコンピュータ30からのクロック信
号CLKに同期して、上記各タイミング信号PR,SR
T,CDS,SAMを発生し、トランジスタTR0,シ
フトレジスタ34,ホールド回路38,出力回路42を
動作させる。
In the signal processing circuit 28 thus constructed, the timing signal generator 44 and the shift register 34 are reset when the reset signal RST from the microcomputer 30 is low level, and the reset signal RST is high level. Then, the timing signal generation unit 44 synchronizes with the clock signal CLK from the microcomputer 30 to generate the timing signals PR and SR.
T, CDS and SAM are generated to operate the transistor TR0, the shift register 34, the hold circuit 38 and the output circuit 42.

【0028】即ち、図8に示す如く、マイクロコンピュ
ータ30からのリセット信号RSTがLow レベルからHi
ghレベルに反転すると、タイミング信号発生部44は、
その後第1番目に入力されるクロック信号CLK1 の立
上がりから、その次(第2番目)に入力されるクロック
信号CLK2 の立上がりまでの間、タイミング信号PR
及びSRTをトランジスタTR0及びシフトレジスタ3
4に夫々出力する。
That is, as shown in FIG. 8, the reset signal RST from the microcomputer 30 changes from low level to high level.
When inverted to the gh level, the timing signal generator 44
After that, from the rising edge of the first input clock signal CLK1 to the rising edge of the next (second) input clock signal CLK2, the timing signal PR
And SRT to the transistor TR0 and the shift register 3
Output to 4 respectively.

【0029】すると、この間、トランジスタTR0がオ
ン状態となって、全検出回路K1 〜K200 のコンデンサ
C1 〜C200 が基準電圧V1まで充電される。また、シ
フトレジスタ34からは、駆動信号SR1 が出力される
ようになり、検出回路K1 のトランジスタTR1 がオン
状態となって、バッファ回路36には、検出回路K1 内
のコンデンサC1 の端子電圧VCが入力される。なお、
この状態は、シフトレジスタ34に、次にタイミング信
号SRTが入力されるまでの間継続する。
Then, during this period, the transistor TR0 is turned on, and the capacitors C1 to C200 of all the detection circuits K1 to K200 are charged to the reference voltage V1. Further, the drive signal SR1 is output from the shift register 34, the transistor TR1 of the detection circuit K1 is turned on, and the buffer circuit 36 receives the terminal voltage VC of the capacitor C1 in the detection circuit K1. Is entered. In addition,
This state continues until the shift register 34 receives the next timing signal SRT.

【0030】次にタイミング信号発生部44は、第2番
目のクロック信号CLK2 の立上がりから、その次(第
3番目)に入力されるクロック信号CLK3 の立上がり
までの間、タイミング信号CDSを出力し、ホールド回
路38のアナログスイッチSW1をオンする。
Next, the timing signal generator 44 outputs the timing signal CDS from the rising of the second clock signal CLK2 to the rising of the next (third) input clock signal CLK3, The analog switch SW1 of the hold circuit 38 is turned on.

【0031】すると、その間、ホールド回路38には、
バッファ回路36を介して、検出回路K1 内のコンデン
サC1 の端子電圧VCが入力され、ホールド回路38に
より、その端子電圧VCがホールド電圧VCHとしてホ
ールドされる。つまり、ホールド回路38は、コンデン
サC1 を基準電圧V1に充電した直後のコンデンサC1
の端子電圧VCをホールドする。
Then, during that period, the hold circuit 38
The terminal voltage VC of the capacitor C1 in the detection circuit K1 is input via the buffer circuit 36, and the hold circuit 38 holds the terminal voltage VC as the hold voltage VCH. That is, the hold circuit 38 has the capacitor C1 immediately after charging the capacitor C1 to the reference voltage V1.
The terminal voltage VC of is held.

【0032】そしてその後マイクロコンピュータ30か
ら順次クロック信号CLKが入力され、第7番目のクロ
ック信号CLK7 が入力されると、タイミング信号発生
部44は、その立上がりから、次(第8番目)のクロッ
ク信号CLK8 の立上がりまでの間、タイミング信号S
AMを出力し、出力回路42のアナログスイッチSW2
をオンする。
After that, when the clock signal CLK is sequentially input from the microcomputer 30 and the seventh clock signal CLK7 is input, the timing signal generator 44 starts the next (eighth) clock signal from its rising edge. Timing signal S until CLK8 rises
The analog switch SW2 of the output circuit 42 that outputs AM
Turn on.

【0033】すると、その間、出力回路42には、差動
増幅回路40からの出力信号が入力され、その後、出力
回路42からは、その信号が、フォトダイオードD1 に
よる受光光量を表す検出信号SOUT として出力される。
ここで、検出回路K1 において、ホールド回路38がコ
ンデンサC1 の端子電圧VCをホールドした後、出力回
路42が差動増幅回路40の出力信号をホールドするま
での間は、コンデンサC1 に蓄積された電荷が、フォト
ダイオードD1の受光光量に応じて放電されるため、出
力回路42が検出信号SOUT として出力する差動増幅回
路40の出力電圧、即ち(VC+V1−VCH)は、フ
ォトダイオードD1 の受光光量に応じて、その受光光量
が多い程小さくなる。
Then, during that time, the output signal from the differential amplifier circuit 40 is input to the output circuit 42, and thereafter, the signal is output from the output circuit 42 as a detection signal SOUT representing the amount of light received by the photodiode D1. Is output.
Here, in the detection circuit K1, after the hold circuit 38 holds the terminal voltage VC of the capacitor C1 until the output circuit 42 holds the output signal of the differential amplifier circuit 40, the electric charge accumulated in the capacitor C1 is held. However, since it is discharged according to the amount of light received by the photodiode D1, the output voltage of the differential amplifier circuit 40 output as the detection signal SOUT from the output circuit 42, that is, (VC + V1-VCH), is equal to the amount of light received by the photodiode D1. Accordingly, the larger the amount of received light, the smaller the amount.

【0034】なお、フォトダイオードD1 に光が全く当
たらなければ、コンデンサC1 に充電された電荷は放電
しないため、コンデンサC1 の端子電圧VCは基準電圧
V1から変化せず、検出信号SOUT は基準電圧V1とな
る。このように出力回路42が、差動増幅回路40から
の出力信号をホールドして、フォトダイオードD1 の受
光光量を表す検出信号SOUT を出力するようになると、
タイミング信号発生部44は、その後第9番目に入力さ
れるクロック信号CLK9 の立上がりから、その次(第
10番目)に入力されるクロック信号CLK10 の立上
がりまでの間、タイミング信号PR及びSRTをトラン
ジスタTR0及びシフトレジスタ34に夫々出力するこ
とにより、次の画素であるフォトダイオードD2 に対す
る受光光量の検出動作を開始し、その後、上記と同様の
手順で、クロック信号CLKの8個を1単位として、全
ての画素に対する受光光量の検出動作を順次実行する。
If the photodiode D1 is not exposed to any light, the electric charge charged in the capacitor C1 is not discharged, so that the terminal voltage VC of the capacitor C1 does not change from the reference voltage V1 and the detection signal SOUT is the reference voltage V1. Becomes In this way, when the output circuit 42 holds the output signal from the differential amplifier circuit 40 and outputs the detection signal SOUT indicating the amount of light received by the photodiode D1,
The timing signal generator 44 outputs the timing signals PR and SRT to the transistor TR0 from the rising edge of the ninth clock signal CLK9 input thereafter to the rising edge of the next (tenth) input clock signal CLK10. , And the shift register 34, respectively, to start the operation of detecting the amount of received light with respect to the photodiode D2 which is the next pixel. Then, in the same procedure as above, all eight clock signals CLK are set as one unit. The detection operation of the amount of received light for the pixels is sequentially executed.

【0035】従って、信号処理回路28からは、図9に
示す如く、各フォトダイオードアレイ26X,26Yを
構成しているフォトダイオードD1 〜D200 の受光光量
を表す検出信号SOUT が順次出力されることとなる。そ
して、この検出信号SOUT の内、最初の100画素分
は、フォトダイオードアレイ26Xを構成しているX方
向に配列されたフォトダイオードD1 〜D100の受光光
量を表し、次の100画素分はフォトダイオードアレイ
26Yを構成しているY方向に配列されたフォトダイオ
ードD101 〜D200 の受光光量を表しているため、各1
00画素の検出信号SOUT の内、約15画素分が、図5
に示すスリット光Bの受光によって基準電圧V1より小
さくなり、その中でも、中心の画素ほど検出信号レベル
が小さくなる。
Therefore, as shown in FIG. 9, the signal processing circuit 28 sequentially outputs the detection signal SOUT which indicates the amount of light received by the photodiodes D1 to D200 forming the photodiode arrays 26X and 26Y. Become. Of the detection signal SOUT, the first 100 pixels represent the amount of light received by the photodiodes D1 to D100 arranged in the X direction forming the photodiode array 26X, and the next 100 pixels represent the photodiodes. Since each of the photodiodes D101 to D200 arranged in the Y direction forming the array 26Y represents the amount of light received, one each
Of the detection signal SOUT of 00 pixels, about 15 pixels are shown in FIG.
By the reception of the slit light B shown in (1), the voltage becomes lower than the reference voltage V1, and the detection signal level becomes lower in the central pixel.

【0036】次に、検出素子部10を用いて、日射強度
及び方向(太陽光の入射角φ及び仰角θ)を検出し空調
装置等を制御するマイクロコンピュータ30について説
明する。マイクロコンピュータ30は、CPU,RO
M,RAM等から構成された周知のものであり、図6に
示すように、外部からの操作によりオン/オフする外部
スイッチ31が設けられている。そして、信号処理回路
28から出力される検出信号SOUT に基づき日射強度I
及び方向(太陽光の入射角φ及び仰角θ)を算出する日
射算出処理、および日射算出処理で使用する基準位置P
0に対応した基準画素(X0,Y0)を記憶する基準位
置設定処理の他、日射算出処理により算出された日射強
度や日射方向に基づき、空調装置を制御する空調制御処
理等が行われる。
Next, the microcomputer 30 which detects the solar radiation intensity and direction (incident angle φ and elevation angle θ of sunlight) by using the detection element unit 10 and controls the air conditioner and the like will be described. The microcomputer 30 includes a CPU and RO
As shown in FIG. 6, an external switch 31 which is of a well-known type including M, RAM and the like and which is turned on / off by an external operation is provided. Then, based on the detection signal SOUT output from the signal processing circuit 28, the solar radiation intensity I
And the direction (solar incidence angle φ and elevation angle θ) of the solar radiation calculation process, and the reference position P used in the solar radiation calculation process.
In addition to the reference position setting process for storing the reference pixel (X0, Y0) corresponding to 0, an air conditioning control process for controlling the air conditioner is performed based on the solar radiation intensity and the solar radiation direction calculated by the solar radiation calculation process.

【0037】なお、光位置検出装置1に電源が投入され
マイクロコンピュータ30の初期化が終了すると、マイ
クロコンピュータ30は信号処理回路28のRST信号
をHighレベルにして、信号処理回路28の動作を開始さ
せ、以後信号処理回路28からは検出信号SOUT が常時
出力されている。
When the optical position detecting device 1 is turned on and the initialization of the microcomputer 30 is completed, the microcomputer 30 sets the RST signal of the signal processing circuit 28 to High level and starts the operation of the signal processing circuit 28. After that, the signal processing circuit 28 always outputs the detection signal SOUT.

【0038】ここで、マイクロコンピュータ30が実行
する基準位置設定処理を、図10に示すフローチャート
に沿って説明する。本処理は、外部スイッチ31が操作
されることにより起動され、まずステップ110にて、
信号処理回路28から出力される検出信号SOUT を各画
素毎にサンプリングし、そのサンプリングした検出信号
SOUT の内の最もレベルの小さい画素の中心画素(以
下、照射中心画素という)の位置(Xm,Yn)を検出
する。
Here, the reference position setting process executed by the microcomputer 30 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. This process is started by operating the external switch 31, and first in step 110,
The detection signal SOUT output from the signal processing circuit 28 is sampled for each pixel, and the position (Xm, Yn) of the center pixel (hereinafter referred to as the irradiation center pixel) of the pixel having the lowest level in the sampled detection signal SOUT is sampled. ) Is detected.

【0039】続くステップ120では、ステップ110
にて検出した照射中心画素(Xm,Yn)を基準画素
(X0,Y0)としてマイクロコンピュータ30の図示
しないRAMに設けられた所定エリアに格納して本処理
を終了する。なお、基準位置設定処理は、本光検出装置
1の使用を開始する前(出荷時等)に行なわれるもので
あり、検出素子部10の真上方向から光を照射し、スリ
ット24a,24bの真下に位置する画素に光が照射さ
れる状態にして、外部スイッチ31を操作し、基準位置
設定処理を動作させることにより、図5に示した受光部
26上での基準位置P0に対応した画素が照射中心画素
(Xm,Yn)として検出され、この時の照射中心画素
(Xm,Yn)が基準画素(X0,Y0)として記憶さ
れる。
In the following step 120, step 110
The irradiation center pixel (Xm, Yn) detected in step 1 is stored as a reference pixel (X0, Y0) in a predetermined area provided in a RAM (not shown) of the microcomputer 30, and this processing ends. Note that the reference position setting process is performed before the use of the photodetection device 1 is started (at the time of shipment, etc.), light is emitted from directly above the detection element unit 10, and the slits 24 a and 24 b are irradiated. The pixel corresponding to the reference position P0 on the light receiving unit 26 shown in FIG. 5 is operated by operating the external switch 31 and operating the reference position setting process with the pixel positioned right below being irradiated with light. Is detected as the irradiation center pixel (Xm, Yn), and the irradiation center pixel (Xm, Yn) at this time is stored as the reference pixel (X0, Y0).

【0040】つまり、図12に示すように、検出素子部
10の真上方向から照射されスリット24aを通過した
光λ0 は、フォトダイオードアレイ26Xにおいてスリ
ット24aの真下に位置する画素X12に照射され、この
画素X12が基準位置設定処理において基準画素X0とし
て記憶される。なお、図12は、検出素子部10を図4
(b)の下方向から見た図であり、ここでは説明を簡単
にするため、フォトダイオードアレイ26X上の画素数
を21画素とし、遮光膜24と受光部26との間のガラ
ス基板22は省略している。また、ここでは、スリット
24aおよびフォトダイオードアレイ26Xについて説
明しているが、スリット24bおよびフォトダイオード
アレイ26Yについても全く同様に作用し、基準画素Y
0が記憶される。
That is, as shown in FIG. 12, the light λ 0 emitted from directly above the detection element portion 10 and passing through the slit 24a is emitted to the pixel X12 located directly below the slit 24a in the photodiode array 26X, This pixel X12 is stored as the reference pixel X0 in the reference position setting process. Note that FIG. 12 shows the detection element unit 10 as shown in FIG.
(B) is a view seen from the bottom, and here, in order to simplify the description, the number of pixels on the photodiode array 26X is set to 21 and the glass substrate 22 between the light shielding film 24 and the light receiving portion 26 is Omitted. Further, although the slit 24a and the photodiode array 26X are described here, the slit 24b and the photodiode array 26Y operate in exactly the same manner, and the reference pixel Y.
0 is stored.

【0041】次に、マイクロコンピュータ30が実行す
る日射強度/方向算出処理を図10に示すフローチャー
トに沿って説明する。まず、ステップ210では、基準
位置算出処理のステップ110と同様に、信号処理回路
28から出力される検出信号SOUT を各画素毎にサンプ
リングし、そのサンプリングした検出信号SOUT の内の
最もレベルの小さい画素の中心画素である照射中心画素
(Xm,Yn)を検出し、続くステップ220では、照
射中心画素(Xm,Yn)における検出信号SOUT の電
圧値を検出しこれを換算することにより、照射中心画素
(Xm,Yn)上での日射強度Ioを求めて、ステップ
230に進む。
Next, the solar radiation intensity / direction calculation processing executed by the microcomputer 30 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step 210, similarly to step 110 of the reference position calculation process, the detection signal SOUT output from the signal processing circuit 28 is sampled for each pixel, and the pixel having the lowest level among the sampled detection signals SOUT is sampled. The irradiation center pixel (Xm, Yn) that is the center pixel of the irradiation center pixel is detected, and in the following step 220, the voltage value of the detection signal SOUT at the irradiation center pixel (Xm, Yn) is detected and converted to obtain the irradiation center pixel. The solar radiation intensity Io on (Xm, Yn) is calculated, and the routine proceeds to step 230.

【0042】ステップ230では、ステップ210にて
検出した照射中心画素(Xm,Yn)を、基準位置算出
処理により予め記憶されている基準画素(X0,Y0)
に基づき、太陽方向を示すベクトルのX成分、Y成分へ
と換算する。即ち、 X=(Xm−X0)×L Y=(Yn−Y0)×L により、X成分、およびY成分を求める。なお、Lはフ
ォトダイオードアレイ26X,26Yにおいて隣接する
画素の中心間の距離を表す。
In step 230, the irradiation center pixel (Xm, Yn) detected in step 210 is the reference pixel (X0, Y0) stored in advance by the reference position calculation process.
Based on the above, it is converted into the X component and the Y component of the vector indicating the sun direction. That is, the X component and the Y component are obtained by X = (Xm−X0) × L Y = (Yn−Y0) × L. L represents the distance between the centers of adjacent pixels in the photodiode arrays 26X and 26Y.

【0043】続くステップ240では、ステップ230
における換算結果(X,Y)およびステップ220で求
めた照射中心画素(Xm,Yn)上での日射強度Ioを
用いて、日射の強度I及び方向(入射角φ及び仰角θ)
を算出して本処理を終了する。
In the following step 240, step 230
Using the conversion result (X, Y) in step S1 and the solar radiation intensity Io on the irradiation center pixel (Xm, Yn) obtained in step 220, the solar radiation intensity I and direction (incident angle φ and elevation angle θ).
Is calculated and the present process is terminated.

【0044】なお日射の強度I及び方向(入射角φ及び
仰角θ)の算出には、次式(1)〜(4)が用いられる。
The following formulas (1) to (4) are used to calculate the intensity I and direction of the solar radiation (incident angle φ and elevation angle θ).

【0045】[0045]

【数1】 [Equation 1]

【0046】即ち、図5に示す如く、受光部26に入射
するスリット光Bから得られる仰角θ′は、スリット2
4a,24bと受光部26との間の中間媒体であるガラ
ス基板22及びシリコーンゲル29の屈折率kの影響を
受けるため、まず上記(1) 式により、中間媒体中の仰角
θ′を求め、その値θ′と中間媒体の屈折率k(=co
sθ/cosθ′)とをパラメータとする上記(2) 式を
用いて、太陽光の仰角θを算出する。
That is, as shown in FIG. 5, the elevation angle θ'obtained from the slit light B incident on the light receiving portion 26 is equal to the slit 2
Since it is affected by the refractive index k of the glass substrate 22 and the silicone gel 29 which are the intermediate medium between 4a, 24b and the light receiving portion 26, first, the elevation angle θ'in the intermediate medium is obtained by the above formula (1), The value θ ′ and the refractive index k (= co
The elevation angle θ of the sunlight is calculated using the above equation (2) with sθ / cosθ ′) as a parameter.

【0047】なお、上記(1) 式において、tは、スリッ
ト24a,24bとフォトダイオードアレイ26X,2
6Yとの間の距離、換言すればガラス基板22とシリコ
ーンゲル29とからなる中間媒体の厚みである。また、
このように上記(2) 式を用いて太陽光の仰角θを算出す
る場合、シリコーンゲル29はガラス基板22に比べて
非常に薄いことから、シリコーンゲル29も屈折率1.
5のガラス基板22であるとみなして、上記(2) 式にお
ける屈折率kをガラス基板22の屈折率1.5として仰
角θを計算しても問題はない。
In the above equation (1), t is the slit 24a, 24b and the photodiode array 26X, 2
6Y, that is, the thickness of the intermediate medium composed of the glass substrate 22 and the silicone gel 29. Also,
Thus, when the elevation angle θ of sunlight is calculated using the above formula (2), since the silicone gel 29 is much thinner than the glass substrate 22, the silicone gel 29 also has a refractive index of 1.
There is no problem even if the elevation angle θ is calculated assuming that the glass substrate 22 is No. 5 and the refractive index k in the above equation (2) is 1.5 of the refractive index of the glass substrate 22.

【0048】次に、入射角φは、中間媒体の屈折率kの
影響を受けることはないため、上記(3)式を用いて求め
る。また日射強度Iは、照射中心画素(Xm,Yn)上
での日射強度Ioを上記(4) 式に代入することにより求
める。例えば、図12に示すように、スリット24aを
通過して画素X16を照射する光λが検出素子部10に照
射されている場合、日射強度/方向算出処理では、画素
X16を照射中心画素として検出し、照射中心画素X16と
既に記憶されている基準画素X12の間の距離4Lを換算
値Xとして求める。同様にして換算値Yも求め、これら
換算値(X,Y)に基づき、入射角φや仰角θを算出す
る。
Next, since the incident angle φ is not affected by the refractive index k of the intermediate medium, it is obtained by using the above equation (3). The solar radiation intensity I is obtained by substituting the solar radiation intensity Io on the irradiation center pixel (Xm, Yn) into the above equation (4). For example, as shown in FIG. 12, when the light λ that passes through the slit 24a and illuminates the pixel X16 is applied to the detection element unit 10, the pixel X16 is detected as the irradiation center pixel in the solar radiation intensity / direction calculation process. Then, the distance 4L between the irradiation center pixel X16 and the already stored reference pixel X12 is obtained as the converted value X. Similarly, the converted value Y is also obtained, and the incident angle φ and the elevation angle θ are calculated based on these converted values (X, Y).

【0049】なお、従来装置では、フォトダイオードア
レイ26Xの中心画素、即ちここでは画素X11を基準画
素として日射方向の算出を行うため、図12に示すよう
に、スリット24aの真下に中心画素X11が配置されて
いない場合、算出される角度に誤差を生じることになる
のである。
In the conventional device, the central pixel X11 is located directly below the slit 24a as shown in FIG. 12 because the central pixel of the photodiode array 26X, that is, the pixel X11 here is used as a reference pixel to calculate the solar radiation direction. If they are not arranged, an error will occur in the calculated angle.

【0050】そして、このようにして日射強度/方向算
出処理により算出された日射の強度I及び方向(入射角
φ及び仰角θ)に基づき、空量制御処理において空調空
気の温度,吹出量,吹出方向等が制御される。以上説明
したように、本実施例の光位置検出装置1においては、
L字状のスリット24a,24bを透過した太陽光(ス
リット光)を、一対のフォトダイオードアレイ26X,
26Yを用いて検出するように構成されおり、検出素子
部10の真上方向から光を照射した時の照射中心画素を
基準画素(X0,Y0)として予め記憶しておき、日射
方向を検出する際には、記憶された基準画素(X0,Y
0)と現在の照射中心画素(Xm,Yn)との距離を算
出し、この算出された距離に基づいて日射方向の算出を
行っている。
Then, based on the intensity I and direction of the solar radiation (incident angle φ and elevation angle θ) calculated by the solar radiation intensity / direction calculation process in this way, the temperature, the amount of blown air, the amount of blown air, and the amount of blown air are controlled in the air volume control process. The direction etc. are controlled. As described above, in the optical position detecting device 1 of this embodiment,
The sunlight (slit light) transmitted through the L-shaped slits 24a, 24b is converted into a pair of photodiode arrays 26X,
26Y is used for detection, the irradiation center pixel when light is irradiated from directly above the detection element unit 10 is stored in advance as a reference pixel (X0, Y0), and the solar radiation direction is detected. In this case, the stored reference pixels (X0, Y
0) and the current irradiation center pixel (Xm, Yn) are calculated, and the solar radiation direction is calculated based on the calculated distance.

【0051】従って、本実施例の光位置検出装置1によ
れば、フォトダイオードアレイ26X,26Yの組み付
け状態に関わらず、スリット24a,24bの真下に位
置する画素が必ず基準画素となるので、フォトダイオー
ドアレイ26X,26Yが、所定の取付位置からずれた
状態で組み付けられていたとしても、基準画素が所定画
素に固定されている従来装置とは違い、日射方向の検出
精度が悪化することがなく、常に良好な検出精度を維持
することができる。
Therefore, according to the optical position detecting device 1 of the present embodiment, the pixel located directly below the slits 24a and 24b always becomes the reference pixel regardless of the assembling state of the photodiode arrays 26X and 26Y. Even if the diode arrays 26X and 26Y are assembled in a state of being displaced from a predetermined mounting position, unlike the conventional device in which the reference pixel is fixed to the predetermined pixel, the detection accuracy in the solar radiation direction does not deteriorate. , It is possible to always maintain good detection accuracy.

【0052】また、本実施例では、スリット24a,2
4bが設けられた遮光膜24とフォトダイオードアレイ
26X,26Yが設けられた受光部26とが配置される
間隔は従来装置と同様に精度よく組み付ける必要がある
が、受光部26上におけるフォトダイオードアレイ26
X,26Yの組み付けは、その長手方向にずれる分には
全く問題がないため、製造が容易であり組み付けコスト
を下げることができる。
Further, in this embodiment, the slits 24a, 2a
It is necessary to assemble the light-shielding film 24 provided with 4b and the light receiving portion 26 provided with the photodiode arrays 26X and 26Y with a high precision as in the conventional device. 26
As for the assembling of X and 26Y, there is no problem as far as it is displaced in the longitudinal direction, so that the manufacturing is easy and the assembling cost can be reduced.

【0053】また、より高精度な検出を行なう場合、画
素の面積を小さくして画素数を増やす必要があり、従来
装置ではこれに伴い、受光センサの組み付けをより精度
よく行なう必要があるが、本実施例では、遮光膜24と
受光部26とが配設される間隔にのみ注意を払えばよ
く、容易に精度を良くすることができる。
Further, in order to perform detection with higher accuracy, it is necessary to reduce the area of the pixel and increase the number of pixels, and in the conventional device, the light receiving sensor must be assembled with higher accuracy. In the present embodiment, it suffices to pay attention only to the interval where the light shielding film 24 and the light receiving portion 26 are arranged, and the accuracy can be easily improved.

【0054】ここで、上記実施例では、検出素子部10
の真上方向から光を当てた時に検出される照射中心画素
を基準画素として記憶し、日射方向算出時にこの記憶し
た基準画素に基づいて算出しているが、例えば、基準画
素のフォトダイオードアレイの中心画素に対するずれを
検出し、信号処理回路においてフォトダイオードアレイ
から信号を読み出すタイミングを、検出したずれの分だ
け逆にずらすことにより、検出信号SOUT においてX方
向画素およびY方向画素を表す部分の夫々の中心画素が
夫々基準画素に対応するように信号処理回路28を構成
してもよい。この場合、マイクロコンピュータ30から
みると、フォトダイオードアレイ26X,26Yの中心
画素が基準画素となっている時と同様であるので、従来
装置のマイクロコンピュータが行なう処理を変更するこ
となく、従来装置にも適用することができる。
Here, in the above-mentioned embodiment, the detecting element portion 10
The irradiation center pixel detected when light is applied from directly above is stored as a reference pixel, and the calculation is performed based on the stored reference pixel when calculating the solar radiation direction. By displacing the timing for detecting a shift with respect to the central pixel and reading the signal from the photodiode array in the signal processing circuit in reverse by the amount of the detected shift, each of the portions representing the X-direction pixel and the Y-direction pixel in the detection signal SOUT is shifted. The signal processing circuit 28 may be configured such that the central pixels of the respective pixels correspond to the reference pixels. In this case, from the viewpoint of the microcomputer 30, this is the same as when the central pixel of the photodiode arrays 26X and 26Y is the reference pixel, so that the conventional device can be used without changing the processing performed by the microcomputer of the conventional device. Can also be applied.

【0055】また、上記実施例では、基準画素を設定す
るために、検出素子部10の真上方向から光を照射して
いるが、光の照射は真上方向からに限らず、検出素子部
10の上部所定の角度を有する方向から光を照射し、こ
の時に検出される照射中心画素を基準画素としてもよ
い。
Further, in the above-mentioned embodiment, the light is emitted from directly above the detecting element portion 10 in order to set the reference pixel, but the light is not necessarily emitted from directly above the detecting element portion 10. It is also possible to irradiate light from above 10 with a direction having a predetermined angle, and use the irradiation center pixel detected at this time as the reference pixel.

【0056】また、上記実施例では、スリット24a,
24bとフォトダイオードアレイ26X,26Yとの間
に、ガラス基板22及びシリコーンゲル29が配設され
ているが、スリット24a,24bとフォトダイオード
アレイ26X,26Yとの間は、単なる空間にしてもよ
い。
In the above embodiment, the slits 24a,
Although the glass substrate 22 and the silicone gel 29 are arranged between 24b and the photodiode arrays 26X and 26Y, a mere space may be provided between the slits 24a and 24b and the photodiode arrays 26X and 26Y. .

【0057】更に、上記実施例では、検出素子部10
を、遮光膜24に、L字状のスリット24a,24bを
形成し、受光部26上に、1次元のフォトダイオードア
レイ26X,26Yを設けて構成しているが、図13に
示すように、遮光膜24にピンホール24cを設け、受
光部26上には、2次元のフォトダイオードアレイ26
XYを配置し、最も受光レベルの高いフォトダイオード
を検出することにより受光部26上における受光位置を
検出するように構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the detecting element unit 10
The L-shaped slits 24a and 24b are formed in the light shielding film 24, and the one-dimensional photodiode arrays 26X and 26Y are provided on the light receiving portion 26. However, as shown in FIG. A pinhole 24c is provided in the light shielding film 24, and the two-dimensional photodiode array 26 is provided on the light receiving portion 26.
Alternatively, the light receiving position on the light receiving unit 26 may be detected by disposing XY and detecting the photodiode having the highest light receiving level.

【0058】また更に、上記実施例では、検出素子部1
0を、ガラス基板22の表裏面に、夫々、遮光膜24及
び受光部26を設けることにより形成したが、受光部
を、屈折率が1.4〜1.5の透明な樹脂によりモール
ドし、樹脂の表面に遮光膜を形成することにより、検出
素子部10を形成してもよい。また例えば、受光部を中
空のセラミックパッケージ内に収納し、そのセラミック
パッケージの上部開口部に遮光膜を形成したガラス基板
を設けることにより、検出素子部10を形成してもよ
い。
Furthermore, in the above embodiment, the detecting element section 1
0 was formed by providing the light shielding film 24 and the light receiving portion 26 on the front and back surfaces of the glass substrate 22, respectively. The light receiving portion is molded with a transparent resin having a refractive index of 1.4 to 1.5, The detection element unit 10 may be formed by forming a light shielding film on the surface of the resin. Further, for example, the detection element unit 10 may be formed by housing the light receiving unit in a hollow ceramic package and providing a glass substrate having a light shielding film formed in the upper opening of the ceramic package.

【0059】また次に上記実施例では、信号処理回路2
8により、受光部26を、CMOS型のイメージセンサ
として構成したが、受光部26としては、こうしたCM
OS型イメージセンサに限らず、電荷結合素子(CC
D)を用いたイメージセンサ等、従来より知られている
種々の受光装置を使用することができる。
Next, in the above embodiment, the signal processing circuit 2
Although the light receiving unit 26 is configured as a CMOS type image sensor by means of No. 8, as the light receiving unit 26,
Not only the OS type image sensor but also the charge coupled device (CC
Various conventionally known light receiving devices such as an image sensor using D) can be used.

【0060】また更に、上記実施例では、二条のスリッ
ト24a,24bを一端で交差させてL字状に形成した
が、二条のスリットを互いに交差させて十字状のスリッ
トを形成する等、二条のスリットはその延長線上で交差
していればよい。また次に、上記二条のスリット24
a,24bの交差角度は、必ずしも90度でなくてもよ
い。つまり、このスリット24a,24bは、対向配設
されたフォトダイオードアレイ上で、スリット光の入射
位置が日射方向に応じて変化し、その変化した位置から
日射方向を算出することができればよいため、上記実施
例のように必ずしも直交させる必要はないのである。
Furthermore, in the above embodiment, the two slits 24a, 24b are formed in an L shape by intersecting at one end, but the two slits are intersected with each other to form a cross-shaped slit. It suffices that the slits intersect on the extension line. In addition, next, the above two slits 24
The intersection angle of a and 24b does not necessarily have to be 90 degrees. In other words, the slits 24a and 24b may be arranged so that the incident position of the slit light changes depending on the solar radiation direction on the photodiode array arranged opposite to each other, and the solar radiation direction can be calculated from the changed position. It is not always necessary to make them orthogonal as in the above embodiment.

【0061】また同様に、各スリットに対向配設される
フォトダイオードアレイについても、必ずしも直交させ
る必要はなく、しかもフォトダイオードアレイについて
は、直線状に形成する必要もない。つまり、フォトダイ
オードアレイは、スリット光のX方向及びY方向の位置
を検出できればよいため、例えば、信号処理回路から避
けるために、フォトダイオードアレイを屈曲させてもよ
い。
Similarly, the photodiode arrays arranged to face each slit do not necessarily have to be orthogonal to each other, and the photodiode arrays need not be formed in a straight line. That is, the photodiode array only needs to be able to detect the positions of the slit light in the X direction and the Y direction, and therefore, for example, the photodiode array may be bent in order to avoid it from the signal processing circuit.

【0062】以上、本発明の光位置検出装置を、自動車
用空気調和装置用の所謂日射センサに適用した実施例に
ついて説明したが、本発明の光位置検出装置は、こうし
た所謂日射センサ以外にも、例えば所定の光源からの光
の入射方向及び強度を検出する光位置センサ、或は更に
その検出結果から光源を基準位置とする当該センサの取
付け位置を検出する位置センサとしても使用することが
できる。
Although the embodiment in which the optical position detecting device of the present invention is applied to a so-called solar radiation sensor for an automobile air conditioner has been described above, the optical position detecting device of the present invention is not limited to such a so-called solar radiation sensor. It can also be used as, for example, an optical position sensor that detects the incident direction and intensity of light from a predetermined light source, or a position sensor that further detects the mounting position of the sensor with the light source as the reference position from the detection result. .

【0063】この場合、光源に応じた分光感度(吸収ス
ペクトル)を有する光電変換素子を適宜選択して使用す
る必要がある。
In this case, it is necessary to appropriately select and use a photoelectric conversion element having a spectral sensitivity (absorption spectrum) according to the light source.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光位置検
出装置においては、遮蔽板に設けられた光の導入口を透
過した光を、2次元的に配設された光電変換素子を用い
て検出するように構成されおり、光の照射角度を算出す
る際には、装置の上部所定方向から光を照射したとき
に、照射される中心に位置する画素を基準位置として記
憶し、この基準位置に基づいて照射角度の算出を行って
いる。
As described above, in the optical position detecting device of the present invention, the light transmitted through the light introducing port provided in the shielding plate is used as a two-dimensional photoelectric conversion element. When calculating the irradiation angle of light, when the light is irradiated from the upper predetermined direction of the device, the pixel located at the center of irradiation is stored as a reference position, and this reference is stored. The irradiation angle is calculated based on the position.

【0065】従って、本発明の光位置検出装置によれ
ば、受光部における光電変換素子の組み付け状態に関わ
らず、光の導入口の真下に位置する画素が必ず基準位置
となるので、光電変換素子が、所定の取付位置からずれ
た状態で取付られていたとしても、基準位置が受光素子
の所定画素に固定されている従来装置のように、算出さ
れる照射角度の精度が悪化することがなく、常に良好な
精度を維持することができる。
Therefore, according to the optical position detecting device of the present invention, the pixel located immediately below the light introducing port is always the reference position regardless of the assembling state of the photoelectric converting element in the light receiving section. However, the accuracy of the calculated irradiation angle does not deteriorate even if the reference position is fixed to a predetermined pixel of the light receiving element, even if it is attached in a state of being displaced from the predetermined attachment position. , Can always maintain good accuracy.

【0066】また、本発明の光位置検出装置において
は、組み付け後に基準位置の設定を行なうので、従来装
置のように光電変換素子を遮光板に設けられた光の導入
口の下の所定位置に精密に組み付ける必要がない。この
ため本発明の光位置検出装置によれば、製造が容易であ
り組み付けコストを下げることができる。
Further, in the optical position detecting device of the present invention, since the reference position is set after the assembling, the photoelectric conversion element is placed at a predetermined position below the light inlet provided on the light shielding plate as in the conventional device. There is no need for precise assembly. Therefore, according to the optical position detecting device of the present invention, the manufacturing is easy and the assembling cost can be reduced.

【0067】また、より高精度な検出を行なう場合、画
素の面積を小さくして画素数を増やす必要があり、従来
装置ではこれに伴い、光電変換素子の組み付けをより精
度よく行なう必要があるが、本発明では、その必要がな
いため、容易に精度を良くすることができる。
Further, in order to perform more accurate detection, it is necessary to reduce the pixel area to increase the number of pixels, and in the conventional device, the photoelectric conversion element must be assembled with higher precision. In the present invention, since it is not necessary, the accuracy can be easily improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の光位置検出装置の構成を例示するブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating the configuration of an optical position detection device of the present invention.

【図2】 光位置検出装置1の自動車への取付け状態を
表す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing how the optical position detecting device 1 is attached to an automobile.

【図3】 光位置検出装置1の全体構成を表す断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the optical position detection device 1.

【図4】 光位置検出装置1の検出素子部10の構成を
表す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a detection element unit 10 of the optical position detection device 1.

【図5】 光位置検出装置1における太陽光の入射状態
を説明する説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating an incident state of sunlight in the light position detection device 1.

【図6】 光位置検出装置1と空調制御用のマイクロコ
ンピュータ30との接続状態を説明する説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a connection state between the optical position detection device 1 and a microcomputer 30 for air conditioning control.

【図7】 信号処理回路28の回路構成を表す電気回路
図である。
FIG. 7 is an electric circuit diagram showing a circuit configuration of a signal processing circuit 28.

【図8】 信号処理回路28の動作を説明するタイムチ
ャートである。
FIG. 8 is a time chart illustrating the operation of the signal processing circuit 28.

【図9】 信号処理回路28から出力される検出信号S
OUT を表す説明図である。
9 is a detection signal S output from the signal processing circuit 28. FIG.
It is explanatory drawing showing OUT.

【図10】 マイクロコンピュータ30で実行される基
準位置設定処理を表すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart showing a reference position setting process executed by the microcomputer 30.

【図11】 マイクロコンピュータ30で実行される照
射強度/方向算出処理を表すフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart showing an irradiation intensity / direction calculation process executed by the microcomputer 30.

【図12】 マイクロコンピュータ30における処理の
具体的な動作を説明する説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating a specific operation of processing in the microcomputer 30.

【図13】 遮光膜24および受光部26の他の構成例
を表す説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating another configuration example of the light shielding film 24 and the light receiving section 26.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光位置検出装置 10…検出素子部 12…ク
リップ端子 14…外部コネクタ 16…プリント基板 18…
筒状ケーシング 20…光透過性フィルタ 22…ガラス基板 24
…遮光膜 24a,24b…スリット 26…受光部 26X,26Y…フォトダイオードアレイ 28…信
号処理回路 29…シリコーンゲル 30…マイクロコンピュータ 31…外部スイッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical position detection device 10 ... Detection element part 12 ... Clip terminal 14 ... External connector 16 ... Printed circuit board 18 ...
Cylindrical casing 20 ... Light transmitting filter 22 ... Glass substrate 24
... Light-shielding film 24a, 24b ... Slit 26 ... Light receiving part 26X, 26Y ... Photodiode array 28 ... Signal processing circuit 29 ... Silicone gel 30 ... Microcomputer 31 ... External switch

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光の導入口が設けられた遮蔽板と該遮蔽
板に所定の間隔をあけて対向配設され、光電変換素子を
二次元的に配置した受光部と、 該受光部に配置された光電変換素子の出力を順次読み出
して上記受光部上での光の照射位置を検出する照射位置
検出手段と、 予め設定された基準位置からの上記照射位置検出手段に
より検出された照射位置のずれに基づき光の照射角度を
算出する照射角度算出手段と、 を備えた光位置検出装置であって、 上記遮蔽板の上部所定方向から光を照射したときに上記
照射位置検出手段により検出された照射位置を予め記憶
する照射位置記憶手段を設け、 上記照射角度算出手段が、上記照射位置記憶手段が記憶
している照射位置を基準位置として光の照射角度を算出
することを特徴とする光位置検出装置。
1. A light-shielding plate provided with a light-introducing port, a light-receiving part which is arranged opposite to the light-shielding plate at a predetermined interval and in which photoelectric conversion elements are two-dimensionally arranged, and the light-receiving part is arranged in the light-receiving part. Irradiation position detecting means for sequentially reading the output of the photoelectric conversion element and detecting the irradiation position of the light on the light receiving part, and the irradiation position of the irradiation position detected by the irradiation position detecting means from a preset reference position. An irradiation position calculating device for calculating an irradiation angle of light based on a deviation, and a light position detecting device, which is detected by the irradiation position detecting device when light is irradiated from a predetermined direction above the shielding plate. An optical position characterized by providing an irradiation position storage means for storing the irradiation position in advance, and the irradiation angle calculation means calculating the irradiation angle of light using the irradiation position stored in the irradiation position storage means as a reference position. Detection device.
JP30661093A 1993-12-07 1993-12-07 Optical position detector Expired - Fee Related JP3303482B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30661093A JP3303482B2 (en) 1993-12-07 1993-12-07 Optical position detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30661093A JP3303482B2 (en) 1993-12-07 1993-12-07 Optical position detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07156632A true JPH07156632A (en) 1995-06-20
JP3303482B2 JP3303482B2 (en) 2002-07-22

Family

ID=17959157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30661093A Expired - Fee Related JP3303482B2 (en) 1993-12-07 1993-12-07 Optical position detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3303482B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6933168B2 (en) * 1997-09-26 2005-08-23 Intel Corporation Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity
JP2012060011A (en) * 2010-09-10 2012-03-22 Denso Corp Optical sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6933168B2 (en) * 1997-09-26 2005-08-23 Intel Corporation Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity
JP2012060011A (en) * 2010-09-10 2012-03-22 Denso Corp Optical sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP3303482B2 (en) 2002-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06117924A (en) Optical position detector
US5567942A (en) Infrared array sensor system
US4293877A (en) Photo-sensor device and image scanning system employing the same
US4435616A (en) Graphical data entry apparatus
US4794245A (en) Position sensor
US3478219A (en) Optical prism with multiple photocells
US4571047A (en) TTL Focus detecting device for single-lens reflex camera
US4585934A (en) Self-calibration technique for charge-coupled device imagers
US6721007B1 (en) Three-dimensional image capturing device
JP3303482B2 (en) Optical position detector
US6812964B1 (en) Three-dimensional image capturing device
JPH0650927Y2 (en) Detector
CN215344810U (en) Image acquisition device, ambient light angle analysis device and electronic equipment
US5216248A (en) Photodetector with mask for stable output signal
US7164109B2 (en) Solar position tracing sensor using thin film pattern of both-sided printed circuit board
JPH0431335B2 (en)
US20030197798A1 (en) Image-capturing device
JP3412215B2 (en) Optical position detector
JPH07226524A (en) Photoelectric conversion device
US20020014590A1 (en) Radiation-sensitive-device based level
JP2552028Y2 (en) Solar radiation sensor
JPH07324979A (en) Infrared detection apparatus of narrow band type
JPH05304579A (en) Close contact image sensor
US5097262A (en) Analog-to-digital converter for camera
JP3439956B2 (en) Photoelectric conversion sunshine meter

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees