JPH0715256A - Microwave amplifier - Google Patents
Microwave amplifierInfo
- Publication number
- JPH0715256A JPH0715256A JP5158495A JP15849593A JPH0715256A JP H0715256 A JPH0715256 A JP H0715256A JP 5158495 A JP5158495 A JP 5158495A JP 15849593 A JP15849593 A JP 15849593A JP H0715256 A JPH0715256 A JP H0715256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- microwave
- divided
- cells
- microwave amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波帯で用いら
れる増幅器に関し、特に内部整合型ＧａＡｓＦＥＴに関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplifier used in a microwave band, and more particularly to an internal matching type GaAs FET.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１０は従来の内部整合型ＧａＡｓＦＥ
Ｔを示す平面図であり、また、図１１はその等価回路図
である。図において、１は図示しない基板上に配置され
たＧａＡｓＦＥＴ、２及び７は、誘電率ε＝１０の誘電
体基板、３及び６は、誘電率ε＝３８の誘電体基板であ
り、基板４，５、及び８，９は、これら誘電体基板２，
３、及び６，７上に形成された入出力整合回路である。
また１０は整合回路間、または整合回路とＦＥＴの各電
極との間を接続するためのボンディング用の金ワイヤで
ある。2. Description of the Related Art FIG. 10 shows a conventional internal matching type GaAsFE.
FIG. 12 is a plan view showing T, and FIG. 11 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, 1 is a GaAs FET arranged on a substrate (not shown), 2 and 7 are dielectric substrates having a dielectric constant ε = 10, 3 and 6 are dielectric substrates having a dielectric constant ε = 38, and a substrate 4, 5 and 8 and 9 are dielectric substrates 2,
It is an input / output matching circuit formed on 3, and 6, 7.
Further, 10 is a gold wire for bonding for connecting between the matching circuits or between the matching circuit and each electrode of the FET.
【０００３】次に動作について説明する。入力されたマ
イクロ波電力は、入力整合回路４，５を通り、ここでイ
ンピーダンス変換されてＧａＡｓＦＥＴ１に入力され
る。そしてＧａＡｓＦＥＴ１で増幅されたマイクロ波電
力は、出力整合回路８，９を通りインピーダンス変換さ
れて出力される。図１０に示すように、入力整合回路
４，５、ＧａＡｓＦＥＴ１のゲート，ドレイン電極、及
び出力整合回路８，９のそれぞれの間は、金ワイヤ１０
で電気的に接続されており、また、ＧａＡｓＦＥＴ１に
おいて、ゲート，ドレイン，ソース電極はそれぞれ複数
あるが、それぞれ１つに電気的に接続されている。Next, the operation will be described. The input microwave power passes through the input matching circuits 4 and 5 and is impedance-converted here and input to the GaAs FET 1. The microwave power amplified by the GaAsFET 1 passes through the output matching circuits 8 and 9 and is impedance-converted and output. As shown in FIG. 10, gold wires 10 are provided between the input matching circuits 4 and 5, the gate and drain electrodes of the GaAsFET 1, and the output matching circuits 8 and 9.
In the GaAsFET 1, there are a plurality of gate electrodes, drain electrodes, and source electrodes, but they are electrically connected to one.
【０００４】普通、５０Ω線路を通ってきたマイクロ波
電力は、入力整合回路４，５のインピーダンス変換線路
Ｚi4，Ｚi3，Ｚi2，Ｚi1（図１１参照）を通ってＧａＡ
ｓＦＥＴ１の入力インピーダンス近くのインピーダンス
に変換されてＧａＡｓＦＥＴ１に入力される。増幅され
たマイクロ波電力は入力側とは逆に、インピーダンス変
換線路Ｚo1，Ｚo2，Ｚo3，Ｚo4を通り、５０Ω近くのイ
ンピーダンスに変換されて出力される。Normally, the microwave power that has passed through the 50Ω line passes through the impedance conversion lines Zi4, Zi3, Zi2, and Zi1 (see FIG. 11) of the input matching circuits 4 and 5 to GaA.
It is converted into an impedance close to the input impedance of sFET1 and input to GaAsFET1. The amplified microwave power passes through the impedance conversion lines Zo1, Zo2, Zo3, and Zo4 opposite to the input side, and is converted into an impedance of about 50Ω and output.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の内部整合型マイ
クロ波増幅器は以上のように構成されているので、所定
の帯域において増幅器の利得，出力電力，効率等が最適
となるように整合回路が設計されているため、広帯域に
わたって整合を取ることが困難であり、広帯域の内部整
合型マイクロ波増幅器を得ることが困難であるという問
題点があった。Since the conventional internally-matched microwave amplifier is constructed as described above, the matching circuit is designed so that the gain, output power, efficiency, etc. of the amplifier are optimized in a predetermined band. Since it is designed, it is difficult to obtain matching over a wide band, and it is difficult to obtain a wide band internally matched microwave amplifier.
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、広帯域にわたって整合を取るこ
とができるマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain a microwave amplifier capable of matching over a wide band.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係る内部整合
型マイクロ波増幅器は、ＧａＡｓＦＥＴを複数の独立し
たセルに分割し、そのセル毎の整合を少しずつずらして
行うようにしたものである。An internal matching type microwave amplifier according to the present invention is one in which a GaAs FET is divided into a plurality of independent cells and the matching of each cell is slightly shifted.
【０００８】[0008]
【作用】この発明においては、ＧａＡｓＦＥＴが複数の
セルに分割され、それぞれが電気的に独立しているの
で、整合のずれによる不均一動作を生じることなく、各
セルに対して整合を取ることができ、全体として広帯域
にわたって整合を実現することができる。In the present invention, since the GaAs FET is divided into a plurality of cells and they are electrically independent from each other, it is possible to achieve matching with each cell without causing non-uniform operation due to misalignment. It is possible to achieve matching over a wide band as a whole.
【０００９】[0009]
【実施例】実施例１．以下、この発明の第１の実施例に
よる内部整合型マイクロ波増幅器を図について説明す
る。図１において、図１０と同一符号は同一または相当
部分を示し、１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃは分割され
たＧａＡｓＦＥＴ、４０，５０、及び８０，９０は、誘
電体基板２，３、及び６，７上に形成された入力整合回
路、及び出力整合回路を示す。図に示すように、入力整
合回路４０，５０はそれぞれ分岐パターン４０ａ〜４０
ｃ，５０ａ〜５０ｃを有し、出力整合回路８０，９０は
それぞれ分岐パターン８０ａ〜８０ｃ，９０ａ〜９０ｃ
を有するものとなっている。またＧａＡｓＦＥＴ１は、
３つの独立したセル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに分
割されており、ゲート，ドレイン，ソース電極もそれぞ
れ分割されている。EXAMPLES Example 1. An internal matching microwave amplifier according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. 10 indicate the same or corresponding portions, 100A, 100B and 100C are divided GaAs FETs, and 40, 50 and 80, 90 are on the dielectric substrates 2, 3, 6 and 7. 3 shows an input matching circuit and an output matching circuit formed in FIG. As shown in the figure, the input matching circuits 40 and 50 have branch patterns 40a to 40, respectively.
c, 50a to 50c, the output matching circuits 80 and 90 have branch patterns 80a to 80c and 90a to 90c, respectively.
It has become. In addition, GaAsFET1
It is divided into three independent cells 100A, 100B and 100C, and the gate, drain and source electrodes are also divided respectively.
【００１０】次に作用について図２を参照しつつ説明す
る。５０Ω線路を通ってきたマイクロ波電力は、入力整
合回路４０，５０の各経路lA,lB,lCのインピーダンス変
換線路Ｚi4，Ｚi3（Ｚi3' ，Ｚi3" ），Ｚi2，Ｚi1を通
り、ＦＥＴ１００の入力インピーダンスに変換されてこ
れに入力される。該ＦＥＴ１００で増幅されたマイクロ
波電力は、出力整合回路８０，９０の各経路lA' ，lB'
，lC' のインピーダンス変換線路Ｚo1，Ｚo2，Ｚo3
（Ｚo3' ，Ｚo3"），Ｚo4を通り、５０Ωに変換されて
出力される。Next, the operation will be described with reference to FIG. The microwave power that has passed through the 50Ω line passes through the impedance conversion lines Zi4, Zi3 (Zi3 ', Zi3 "), Zi2, Zi1 of the paths lA, lB, lC of the input matching circuits 40, 50, and the input impedance of the FET 100. The microwave power amplified by the FET 100 is converted into the input signal and the microwave power amplified by the FET 100 is passed through the paths 1A 'and 1B' of the output matching circuits 80 and 90.
, LC 'impedance conversion lines Zo1, Zo2, Zo3
(Zo3 ', Zo3 "), Zo4, converted to 50Ω and output.
【００１１】この際、ＧａＡｓＦＥＴ１００は３つのセ
ル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに分割されており、イ
ンピーダンス変換線路も３つ（lA，lB，lC、lA' ，lB'
，lC' ）に分配，結合されており、それぞれのセル１
００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに対して整合を取った形と
なっている。この時、インピーダンス変換線路Ｚi3，Ｚ
i3' ，Ｚi3" の電気長、及びインピーダンス変換経路Ｚ
o3，Ｚo3' ，Ｚo3" の電気長はそれぞれ異なった長さに
設定されており、その結果、セル１００Ａ，１００Ｂ，
１００Ｃは整合される帯域がずれることとなる。At this time, the GaAsFET 100 is divided into three cells 100A, 100B and 100C, and three impedance conversion lines (1A, 1B, 1C, 1A ', 1B').
, LC ′), and each cell 1
It has a form matched with 00A, 100B, and 100C. At this time, the impedance conversion lines Zi3, Z
i3 ', Zi3 "electrical length and impedance conversion path Z
The electrical lengths of o3, Zo3 ', and Zo3 "are set to different lengths, respectively, and as a result, the cells 100A, 100B,
For 100C, the band to be matched is shifted.
【００１２】このように本実施例によれば、マイクロ波
ＦＥＴ１００を３つのセル１００Ａ，１００Ｂ，１００
Ｃに分割する一方、入力及び出力側整合回路４０，９０
は、それぞれの長さが異なる分岐パターン４０ａ〜４０
ｃ，９０ａ〜９０ｂを有するものとし、かつ分割された
各セル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに、それぞれ長さ
の異なるインピーダンス変換線路を接続するようにした
から、各セルにおける整合が少しずつずれて、増幅器全
体として見た場合、整合のとれる帯域が大きくなること
となる。As described above, according to this embodiment, the microwave FET 100 is composed of three cells 100A, 100B, 100.
While divided into C, input and output side matching circuits 40, 90
Are branch patterns 40a to 40 having different lengths.
Since the impedance conversion lines having different lengths are connected to the divided cells 100A, 100B and 100C, the matching in each cell is slightly shifted, and When viewed as a whole, the band in which matching can be achieved becomes large.
【００１３】実施例２．次に本発明の第２の実施例によ
るマイクロ波増幅器を図について説明する。上記実施例
１では、整合回路を構成するインピーダンス変換線路の
電気長を異なるものとするために、分岐パターンの長さ
を変化させるようにしたが、本実施例２では、ＧａＡｓ
ＦＥＴの内部の構造を変更することにより、インピーダ
ンス変換線路の電気長を変化させるようにしたものであ
る。すなわち図３において、１０１はマイクロ波ＦＥ
Ｔ、１１，１２はそのボンディング用ゲート、及びドレ
インパッド、１３ａ〜１３ｃはゲート電極からの引き出
し線路である。セル１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃに対
するゲート電極引き出し線路１３ａ〜１３ｃの長さはそ
れぞれ異なるように設定されており、そのインダクタン
スＬA ，ＬB ，ＬC （図４参照）も異なっている。Example 2. Next, a microwave amplifier according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the first embodiment, the length of the branch pattern is changed in order to make the electric lengths of the impedance conversion lines forming the matching circuit different, but in the second embodiment, the GaAs is changed.
By changing the internal structure of the FET, the electrical length of the impedance conversion line is changed. That is, in FIG. 3, 101 is a microwave FE.
Reference numerals T, 11 and 12 denote bonding gates and drain pads thereof, and 13a to 13c are lead lines extending from the gate electrodes. The lengths of the gate electrode lead lines 13a to 13c for the cells 101A, 101B and 101C are set to be different from each other, and the inductances LA, LB and LC (see FIG. 4) are also different.
【００１４】また図５は上記図３で示したＧａＡｓＦＥ
Ｔ１０１を組み込んだマイクロ波増幅器の平面図を示
し、図に示すように、入力及び出力側整合回路を構成す
る分岐パターン４１ａ〜４１ｃ、９１ａ〜９１ｃの長さ
は、それぞれにおいて同一となるように設計されてい
る。また、図６はその等価回路図を示す。FIG. 5 shows the GaAsFE shown in FIG.
The top view of the microwave amplifier incorporating T101 is shown, and as shown in the figure, the branch patterns 41a to 41c and 91a to 91c constituting the input and output side matching circuits are designed to have the same length. Has been done. Further, FIG. 6 shows an equivalent circuit diagram thereof.
【００１５】次に動作について説明する。５０Ω線路を
通ってきたマイクロ波電力は、入力整合回路４１，５０
のインピーダンス変換線路Ｚi4，Ｚi3，Ｚi2，Ｚi1を通
って、それぞれのセル１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃに
対して一様にインピーダンス変換される。そしてボンデ
ィング用金ワイヤ１０を通ってＦＥＴ１０１に入力され
たマイクロ波電力は、各セル１０１Ａ，１０１Ｂ，１０
１Ｃの引き出し線路１３ａ，１３ｂ，１３ｃの長さla，
lb，lcが異なるため、帯域がずれて増幅されるようにな
る。Next, the operation will be described. The microwave power that has passed through the 50Ω line is input matching circuits 41, 50.
The impedance conversion lines Zi4, Zi3, Zi2, and Zi1 are subjected to uniform impedance conversion for the respective cells 101A, 101B, and 101C. Then, the microwave power input to the FET 101 through the bonding gold wire 10 is applied to the cells 101A, 101B, 10
The lengths la of the 1C lead lines 13a, 13b, 13c,
Since lb and lc are different, the bands are shifted and amplified.
【００１６】このような本実施例２では、ＦＥＴ１０１
の各セル１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃのゲート電極か
らの引き出し線路１３ａ，１３ｂ，１３ｃの長さをそれ
ぞれ異なるものとすることにより、各セルにおける整合
が少しずつずれることとなり、増幅器全体として見た場
合、整合のとれる帯域を大きくすることができるもので
ある。In the second embodiment as described above, the FET 101
By making the lengths of the lead-out lines 13a, 13b, 13c from the gate electrodes of the cells 101A, 101B, 101C different from each other, the matching in each cell slightly shifts, and when viewed as the amplifier as a whole, The band that can be matched can be increased.
【００１７】実施例３．次に本発明の第３の実施例によ
るマイクロ波増幅器を図について説明する。図７におい
て、１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、セル１００Ａ，１００
Ｂ，１００Ｃと入力整合回路５０とを接続する、それぞ
れ口径の異なる金ワイヤ、１５ａ，１５ｂ，１５ｃは、
セル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃと出力整合回路８０
とを接続する、それぞれ口径の異なる金ワイヤである。Embodiment 3. Next, a microwave amplifier according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 7, 14a, 14b, and 14c are cells 100A and 100c.
Gold wires 15a, 15b, and 15c, which connect B and 100C to the input matching circuit 50, have different diameters,
Output matching circuit 80 with cells 100A, 100B, 100C
And gold wires with different diameters that connect with each other.
【００１８】このような本実施例３では、分割されたセ
ル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃと、入力及び出力整合
回路５０，８０とを、各セル毎に口径の異なる金ワイヤ
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ及び１５ａ，１５ｂ，１５ｃを
用いて接続するようにしたから、各セル毎のインダクタ
ンスＬA ，ＬB ，ＬC （図８参照）が異なるようにな
り、各セルにおける整合が少しずつずれて、増幅器全体
として見た場合、整合のとれる帯域を大きくすることが
できることとなる。In the third embodiment, the divided cells 100A, 100B and 100C and the input and output matching circuits 50 and 80 are provided with gold wires 14a, 14b, 14c and 15a having different diameters. , 15b, 15c are used, the inductances LA, LB, LC (see FIG. 8) of each cell are different, and the matching in each cell is slightly deviated, and the whole amplifier is viewed. In this case, it is possible to increase the matching band.
【００１９】実施例４．次に本発明の第４の実施例によ
るマイクロ波増幅器を図について説明する。図におい
て、５ａ，８ａはそれぞれＦＥＴ１００に対して斜めに
配置された入力及び出力整合回路である。１６はこれら
整合回路５ａ，８ａとセル１００Ａ，１００Ｂ，１００
Ｃとを接続する金ワイヤであり、各セル１００Ａ，１０
０Ｂ，１００Ｃ毎にその長さが異なっている。Example 4. Next, a microwave amplifier according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the figure, 5a and 8a are input and output matching circuits arranged obliquely with respect to the FET 100, respectively. 16 is these matching circuits 5a, 8a and cells 100A, 100B, 100
It is a gold wire that connects to C and each of the cells 100A, 10A
The length is different every 0B and 100C.
【００２０】このような本実施例４では、入力及び出力
整合回路５ａ，８ａをＦＥＴ１００に対して斜めに形成
したから、各セル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ毎に長
さの異なる金ワイヤ１６でもって整合回路５ａ，８ａと
の接続が行われるようになり、その結果、各セル毎のイ
ンダクタンスが異なるようになり、各セルにおける整合
が少しずつずれて、増幅器全体として見た場合、整合の
とれる帯域を大きくすることができることとなる。In this fourth embodiment, since the input and output matching circuits 5a and 8a are formed obliquely with respect to the FET 100, matching is performed with the gold wire 16 having a different length for each cell 100A, 100B and 100C. The connection with the circuits 5a and 8a is made, and as a result, the inductance of each cell is different, and the matching in each cell is slightly deviated. It can be increased.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上のように、この発明に係るマイクロ
波増幅器によれば、ＦＥＴを複数の独立したセルに分割
し、そのセル毎に整合をずらすように構成したので、増
幅器全体としての整合のとれる帯域が大きくなり、広帯
域の内部整合型マイクロ波ＦＥＴを得ることができると
いう効果がある。As described above, according to the microwave amplifier of the present invention, the FET is divided into a plurality of independent cells, and the matching is shifted for each cell. There is an effect that the obtainable band is widened and a wide band internally matched microwave FET can be obtained.
【図１】この発明の第１の実施例によるマイクロ波増幅
器を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a microwave amplifier according to a first embodiment of the present invention.
【図２】上記マイクロ波増幅器の等価回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the microwave amplifier.
【図３】この発明の第２の実施例によるマイクロ波増幅
器に用いられるＦＥＴの平面図。FIG. 3 is a plan view of an FET used in the microwave amplifier according to the second embodiment of the present invention.
【図４】上記ＦＥＴの等価回路図。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the FET.
【図５】上記第２の実施例のマイクロ波増幅器の平面
図。FIG. 5 is a plan view of the microwave amplifier according to the second embodiment.
【図６】上記マイクロ波増幅器の等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the microwave amplifier.
【図７】この発明の第３の実施例によるマイクロ波増幅
器を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing a microwave amplifier according to a third embodiment of the present invention.
【図８】上記マイクロ波増幅器の等価回路図。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the microwave amplifier.
【図９】この発明の第４の実施例によるマイクロ波増幅
器を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing a microwave amplifier according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】従来のマイクロ波増幅器の平面図。FIG. 10 is a plan view of a conventional microwave amplifier.
【図１１】従来のマイクロ波増幅器の等価回路図。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of a conventional microwave amplifier.
【符号の説明】 １ ＧａＡｓＦＥＴ １００ 分割されたＧａＡｓＦＥＴ １００Ａ〜１００Ｃ セル １０１ ＧａＡｓＦＥＴ ２ 誘電体基板（εr ＝１０） ３ 誘電体基板（εr ＝３８） ４ 入力整合回路 ４０ 入力整合回路 ４０ａ〜４０ｃ 分岐パターン ４１ａ〜４１ｃ 分岐パターン ５ 入力整合回路 ５ａ 入力整合回路 ５０ 入力整合回路 ５０ａ〜５０ｃ 分岐パターン ６ 誘電体基板（ε＝１０） ７ 誘電体基板（ε＝３８） ８ 出力整合回路 ８ａ 出力整合回路 ８０ 出力整合回路 ８０ａ〜８０ｃ 分岐パターン ９ 出力整合回路 ９０ 出力整合回路 ９０ａ〜９０ｃ 分岐パターン ９１ａ〜９１ｃ 分岐パターン １０ 金ワイヤ １１ ゲートパッド １２ ドレインパッド １３ａ〜１３ｃ ゲート電極引き出し線路 １４ａ〜１４ｃ 口径の異なる金ワイヤ １５ａ〜１５ｃ 口径の異なる金ワイヤ[Description of Reference Signs] 1 GaAsFET 100 Divided GaAsFET 100A to 100C Cell 101 GaAsFET 2 Dielectric substrate (εr = 10) 3 Dielectric substrate (εr = 38) 4 Input matching circuit 40 Input matching circuit 40a to 40c Branching pattern 41a ~ 41c Branch pattern 5 Input matching circuit 5a Input matching circuit 50 Input matching circuit 50a ~ 50c Branch pattern 6 Dielectric substrate (ε = 10) 7 Dielectric substrate (ε = 38) 8 Output matching circuit 8a Output matching circuit 80 Output matching circuit Circuit 80a-80c Branching pattern 9 Output matching circuit 90 Output matching circuit 90a-90c Branching pattern 91a-91c Branching pattern 10 Gold wire 11 Gate pad 12 Drain pad 13a-13c Gate electrode lead-out line 14a-14c Gold wire 15 with different diameters 15 Different gold wire of ~15c caliber
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年９月２７日[Submission date] September 27, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１９[Correction target item name] 0019
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１９】実施例４．次に本発明の第４の実施例によ
るマイクロ波増幅器を図について説明する。図９におい
て、５ａ，８ａはそれぞれＦＥＴ１００に対して斜めに
配置された入力及び出力整合回路である。１６はこれら
整合回路５ａ，８ａとセル１００Ａ，１００Ｂ，１００
Ｃとを接続する金ワイヤであり、各セル１００Ａ，１０
０Ｂ，１００Ｃ毎にその長さが異なっている。Example 4. Next, a microwave amplifier according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 9 , 5a and 8a are input and output matching circuits arranged obliquely with respect to the FET 100. 16 is these matching circuits 5a, 8a and cells 100A, 100B, 100
It is a gold wire that connects to C and each of the cells 100A, 10A
The length is different every 0B and 100C.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of code
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【符号の説明】 １ ＧａＡｓＦＥＴ １００ 分割されたＧａＡｓＦＥＴ １００Ａ〜１００Ｃ セル １０１ ＧａＡｓＦＥＴ ２ 誘電体基板（εr ＝１０） ３ 誘電体基板（εr ＝３８） ４ 入力整合回路 ４０ 入力整合回路 ４０ａ〜４０ｃ 分岐パターン ４１ａ〜４１ｃ 分岐パターン ５ 入力整合回路 ５ａ 入力整合回路 ５０ 入力整合回路 ５０ａ〜５０ｃ 分岐パターン ６ 誘電体基板（ε＝１０） ７ 誘電体基板（ε＝３８） ８ 出力整合回路 ８ａ 出力整合回路 ８０ 出力整合回路 ８０ａ〜８０ｃ 分岐パターン ９ 出力整合回路 ９０ 出力整合回路 ９０ａ〜９０ｃ 分岐パターン ９１ａ〜９１ｃ 分岐パターン １０ 金ワイヤ １１ ゲートパッド １２ ドレインパッド １３ａ〜１３ｃ ゲート電極引き出し線路 １４ａ〜１４ｃ 口径の異なる金ワイヤ １５ａ〜１５ｃ 口径の異なる金ワイヤ１６ 長さの異なる金ワイヤ [Description of Reference Signs] 1 GaAsFET 100 Divided GaAsFET 100A to 100C Cell 101 GaAsFET 2 Dielectric substrate (εr = 10) 3 Dielectric substrate (εr = 38) 4 Input matching circuit 40 Input matching circuit 40a to 40c Branching pattern 41a -41c Branch pattern 5 Input matching circuit 5a Input matching circuit 50 Input matching circuit 50a-50c Branch pattern 6 Dielectric substrate (ε = 10) 7 Dielectric substrate (ε = 38) 8 Output matching circuit 8a Output matching circuit 80 Output matching circuit Circuit 80a-80c Branching pattern 9 Output matching circuit 90 Output matching circuit 90a-90c Branching pattern 91a-91c Branching pattern 10 Gold wire 11 Gate pad 12 Drain pad 13a-13c Gate electrode lead-out line 14a-14c Gold wire with different diameter 15 Different gold wire of different gold wire 16 lengths of ~15c diameter
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図９[Correction target item name] Figure 9
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図９】 [Figure 9]
Claims (5)
び出力側にそれぞれ設けられた整合回路とを備えたマイ
クロ波増幅器において、 上記マイクロ波増幅用ＦＥＴは、そのゲート，ドレイ
ン，及びソース電極が複数の部分に分かれて複数の独立
したセルに分割されており、 上記複数のゲート、及びドレインの引き出し電極線路の
長さがそれぞれ異なっていることを特徴とするマイクロ
波増幅器。1. A microwave amplifier comprising a microwave amplification FET and matching circuits respectively provided on the input and output sides thereof, wherein the microwave amplification FET has a gate, a drain, and a source electrode. A microwave amplifier, which is divided into a plurality of parts and is divided into a plurality of independent cells, and the lengths of the lead-out electrode lines of the plurality of gates and the drains are different from each other.
び出力側にそれぞれ設けられた整合回路とを備えたマイ
クロ波増幅器において、 上記マイクロ波増幅用ＦＥＴは、そのゲート，ドレイ
ン，及びソース電極が複数の部分に分かれて複数の独立
したセルに分割されており、 上記入力側、及び出力側の整合回路は、上記セル毎にそ
のパターンが分割されており、各セルに対する分配線
路，及び結合線路のそれぞれの長さが相互に異なってい
ることを特徴とするマイクロ波増幅器。2. A microwave amplifier comprising a microwave amplification FET and matching circuits respectively provided on the input side and the output side of the microwave amplification FET, wherein the microwave amplification FET has a gate, a drain and a source electrode. It is divided into a plurality of parts and divided into a plurality of independent cells. The matching circuit on the input side and the output side has its pattern divided for each cell, and the distribution line and the coupling line for each cell are divided. A microwave amplifier characterized in that the respective lengths of the two are different from each other.
て、 上記整合回路のパターンの長さが、上記各セル毎に異な
ることを特徴とするマイクロ波増幅器。3. The microwave amplifier according to claim 2, wherein the pattern length of the matching circuit is different for each cell.
て、 上記各セルの電極パッドと、該各セルの各整合回路パタ
ーンとの間を結ぶ金ワイヤの口径が、相互に異なること
を特徴とするマイクロ波増幅器。4. The microwave amplifier according to claim 2, wherein the diameter of the gold wire connecting the electrode pad of each cell and each matching circuit pattern of each cell is different from each other. Microwave amplifier.
て、 上記分割されたセルからなるＦＥＴに隣接する各整合回
路パターンを、前記ＦＥＴに対して斜めに形成し、上記
各セルの各整合回路パターンと上記各セルの電極パッド
との間を、各セル毎にその長さの異なる金属ワイヤを用
いて接続したことを特徴とするマイクロ波増幅器。5. The microwave amplifier according to claim 2, wherein each matching circuit pattern adjacent to the FET composed of the divided cells is formed obliquely to the FET, and each matching circuit pattern of each cell is formed. A microwave amplifier characterized in that a metal wire having a different length for each cell is connected between the electrode pad of each cell and the electrode pad of each cell.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158495A JPH0715256A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Microwave amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158495A JPH0715256A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Microwave amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715256A true JPH0715256A (en) | 1995-01-17 |
Family
ID=15672991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158495A Pending JPH0715256A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Microwave amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715256A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288434A (en) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Toshiba Corp | Amplifier and radio communication circuit |
| JP2008109227A (en) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | High-frequency power amplifier |
| JP2015015496A (en) * | 2008-12-10 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | High-frequency semiconductor device |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158495A patent/JPH0715256A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288434A (en) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Toshiba Corp | Amplifier and radio communication circuit |
| JP2008109227A (en) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | High-frequency power amplifier |
| JP2015015496A (en) * | 2008-12-10 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | High-frequency semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3306664B2 (en) | Push-pull power amplifier | |
| US5528203A (en) | Coplanar waveguide-mounted flip chip | |
| US5061910A (en) | Balun transformers | |
| US5550518A (en) | Miniature active conversion between microstrip and coplanar wave guide | |
| US4547745A (en) | Composite amplifier with divider/combiner | |
| US4668920A (en) | Power divider/combiner circuit | |
| JPH0396007A (en) | Apparatus for executing impedance conversion | |
| JP2544595B2 (en) | Ultra high frequency power amplifier | |
| JPH0715256A (en) | Microwave amplifier | |
| WO1997017738A1 (en) | Slotline-to-coplanar waveguide transition | |
| US6265937B1 (en) | Push-pull amplifier with dual coplanar transmission line | |
| JPH0352407A (en) | Hybrid amplifier | |
| JPS6181017A (en) | Power divider and power coupler | |
| JP2980001B2 (en) | Field-effect transistor | |
| WO2003107472A1 (en) | Distributed amplifier tapered constant "r" network | |
| CN1206495A (en) | Method for making circuit structure having flip-mounted matrix of device | |
| CN1206499A (en) | Circuit structure having a flip-mounted matrix of devices | |
| JP4153898B2 (en) | RF power amplifier module | |
| JPH05110355A (en) | Semiconductor device | |
| CN1206506A (en) | Slotline-to-coplanar waveguide transition | |
| JPS60150639A (en) | Microwave semiconductor amplifier | |
| AU694066C (en) | Method for making a circuit structure having a flip-mounted matrix of devices | |
| JP2022190781A (en) | Amplifier circuit and semiconductor amplifier device | |
| JPH0239573A (en) | Gate viahole type semiconductor element | |
| JPH0298201A (en) | Microwave high output amplifier |