JPH07147307A - Test apparatus - Google Patents
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- JPH07147307A JPH07147307A JP5293236A JP29323693A JPH07147307A JP H07147307 A JPH07147307 A JP H07147307A JP 5293236 A JP5293236 A JP 5293236A JP 29323693 A JP29323693 A JP 29323693A JP H07147307 A JPH07147307 A JP H07147307A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、検査技術に関し、特
に、冷却状態で動作させる半導体集積回路装置の電気的
検査に用いる検査装置に適用して有効な技術に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection technique, and more particularly to a technique effective when applied to an inspection device used for electrical inspection of a semiconductor integrated circuit device operated in a cooled state.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体製品の中には、半導体集積回路装
置を冷却した状態で使用する場合がある。この種の半導
体集積回路装置の場合は、半導体集積回路装置の電気的
特性や機能を冷却した状態で検査する工程がある。2. Description of the Related Art In some semiconductor products, a semiconductor integrated circuit device may be used in a cooled state. In the case of this kind of semiconductor integrated circuit device, there is a step of inspecting the electrical characteristics and functions of the semiconductor integrated circuit device in a cooled state.
【0003】この検査の際に用いる検査装置において
は、通常、検査に際して、検査装置に備え付けられた1
本のノズルから噴射させた冷却用媒体を、半導体集積回
路装置に吹きかけ、半導体集積回路装置を冷却した状態
で検査を行うようにしている。検査終了後は、冷却用媒
体の噴射を一旦停止し、次に検査する半導体集積回路装
置を検査装置に装着するようにしている。In the inspection device used for this inspection, normally, the inspection device is equipped with 1
The cooling medium ejected from the nozzle of the book is sprayed on the semiconductor integrated circuit device, and the inspection is performed while the semiconductor integrated circuit device is cooled. After the inspection is completed, the injection of the cooling medium is once stopped, and the semiconductor integrated circuit device to be inspected next is mounted on the inspection device.
【0004】なお、半導体集積回路装置の検査技術につ
いては、例えば株式会社オーム社、昭和59年11月3
0日発行、「LSIハンドブック」P649〜P667
に記載がある。Regarding the inspection technology of the semiconductor integrated circuit device, for example, Ohm Co., Ltd., November 3, 1984.
Published on 0th, "LSI Handbook" P649-P667
There is a description in.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した技
術においては、近年の半導体集積回路装置の素子集積度
の向上やチップサイズの増大に伴い、1本のノズルから
噴射された冷却用媒体では半導体集積回路装置の面内を
充分に覆うことができずその面内を均一に冷却すること
ができない、また、半導体集積回路装置の面内において
所定部分のみが高温となる等のような理由によって、検
査に際して半導体集積回路装置の面内に温度差が生じ、
半導体集積回路装置の検査の信頼性が低下する問題があ
ることを本発明者は見い出した。However, in the above-mentioned technique, with the recent increase in the degree of integration of elements of semiconductor integrated circuit devices and the increase in chip size, the cooling medium ejected from one nozzle is used as a semiconductor. Due to the reason that the inside of the surface of the integrated circuit device cannot be sufficiently covered and the inside of the surface cannot be uniformly cooled, and that only a predetermined portion of the surface of the semiconductor integrated circuit device becomes high temperature, At the time of inspection, a temperature difference occurs in the surface of the semiconductor integrated circuit device,
The present inventor has found that there is a problem that the reliability of the inspection of the semiconductor integrated circuit device decreases.
【0006】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、半導体集積回路装置を冷却した状
態で電気的に検査する際に、半導体集積回路装置の面内
に生じる温度差を小さくすることのできる技術を提供す
ることにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to obtain a temperature difference in a plane of a semiconductor integrated circuit device when electrically inspecting the semiconductor integrated circuit device in a cooled state. It is to provide a technology that can reduce the
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.
【0009】すなわち、請求項1記載の発明は、半導体
集積回路装置の電気的検査に際して、前記半導体集積回
路装置に対してノズルから噴射された冷却用媒体を吹き
付けることにより、前記半導体集積回路装置を冷却した
状態で検査する検査装置であって、前記ノズルを複数設
けるとともに、前記ノズルに冷却用媒体の噴射状態を制
御する制御手段を設けた検査装置構造とするものであ
る。That is, according to the first aspect of the present invention, when the semiconductor integrated circuit device is electrically inspected, the semiconductor integrated circuit device is sprayed with a cooling medium sprayed from a nozzle. An inspection device for inspecting in a cooled state is provided, in which a plurality of nozzles are provided and a control means for controlling the injection state of the cooling medium is provided in the nozzles.
【0010】請求項3記載の発明は、前記制御手段の動
作を、前記半導体集積回路装置に設けられた温度検出手
段によって検出された温度情報に基づいて制御する主制
御部を設けた検査装置構造とするものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided an inspection device structure including a main control section for controlling the operation of the control means based on temperature information detected by the temperature detection means provided in the semiconductor integrated circuit device. It is what
【0011】請求項4記載の発明は、前記制御手段の動
作を、検査対象の半導体集積回路装置について予め測定
された温度情報に基づいて制御する主制御部を設けた検
査装置構造とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an inspection device structure provided with a main control section for controlling the operation of the control means based on temperature information previously measured for the semiconductor integrated circuit device to be inspected. is there.
【0012】請求項5記載の発明は、半導体集積回路装
置の電気的検査に際して、前記半導体集積回路装置に対
してノズルから噴射された冷却用媒体を吹き付けること
により、前記半導体集積回路装置を冷却した状態で検査
する検査装置であって、前記ノズルを複数設けるととも
に、その複数のノズルのうちの所定のノズルの径を他の
ノズルの径と異ならせた検査装置構造とするものであ
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the electrical inspection of the semiconductor integrated circuit device, the semiconductor integrated circuit device is cooled by spraying a cooling medium ejected from a nozzle onto the semiconductor integrated circuit device. An inspection device for inspecting in a state is provided, in which a plurality of nozzles are provided, and a diameter of a predetermined nozzle of the plurality of nozzles is different from a diameter of other nozzles.
【0013】[0013]
【作用】上記した請求項1記載の発明によれば、検査に
際して、複数のノズルから噴射された冷却用媒体を半導
体集積回路装置に吹き付けることにより、半導体集積回
路装置の面内をほぼ均一に冷却することができるので、
半導体集積回路装置の面内に生じる温度差を小さくする
ことができる。According to the first aspect of the present invention, in the inspection, the cooling medium sprayed from the plurality of nozzles is sprayed onto the semiconductor integrated circuit device, so that the in-plane of the semiconductor integrated circuit device is cooled substantially uniformly. Because you can
The temperature difference generated in the plane of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.
【0014】また、半導体集積回路装置の面内において
所定部分が高温となる場合には、その部分に吹き付ける
冷却用媒体の流速や流量等を制御することにより、その
部分の冷却温度を他の部分よりも下げることができるの
で、半導体集積回路装置の面内に生じる温度差を小さく
することができる。When a predetermined portion in the surface of the semiconductor integrated circuit device becomes high in temperature, the cooling temperature of that portion is controlled by controlling the flow velocity and flow rate of the cooling medium sprayed to that portion. Since it can be further lowered, the temperature difference generated in the plane of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.
【0015】上記した請求項3記載の発明によれば、実
際に半導体集積回路装置に設けられた温度検出手段によ
って検出された温度情報に基づいて制御手段を制御する
ことにより、適切な箇所を適切な時刻に良好に冷却する
ことができるので、検査に際して半導体集積回路装置の
面内に生じる温度差を小さくすることができる。According to the third aspect of the present invention, by controlling the control means based on the temperature information actually detected by the temperature detection means provided in the semiconductor integrated circuit device, an appropriate place can be appropriately selected. Since it is possible to satisfactorily cool at any time, it is possible to reduce the temperature difference generated in the surface of the semiconductor integrated circuit device during the inspection.
【0016】上記した請求項4記載の発明によれば、こ
れから検査しようとする半導体集積回路装置の面内の温
度情報を予め測定しておき、その情報に基づいて制御手
段を制御することにより、温度検出手段を有しない半導
体集積回路装置に対しても適切な箇所を適切な時刻に良
好に冷却することができるので、検査に際して当該半導
体集積回路装置の面内に生じる温度差を小さくすること
ができる。According to the invention described in claim 4, the in-plane temperature information of the semiconductor integrated circuit device to be inspected is measured in advance, and the control means is controlled based on the information. Even in a semiconductor integrated circuit device that does not have a temperature detecting means, it is possible to cool an appropriate place at an appropriate time, so that it is possible to reduce the temperature difference that occurs in the surface of the semiconductor integrated circuit device during inspection. it can.
【0017】上記した請求項5記載の発明によれば、複
数のノズルのうち、所定のノズルの径を変え、そのノズ
ルから噴射される冷却用媒体の流速や流量等が所定値に
なるように制御することにより、半導体集積回路装置の
面内において高温となる箇所等、所定箇所を良好に冷却
することができるので、半導体集積回路装置の面内に生
じる温度差を小さくすることができる。According to the invention described in claim 5, the diameter of a predetermined nozzle among the plurality of nozzles is changed so that the flow velocity and flow rate of the cooling medium ejected from the nozzle have a predetermined value. By controlling, it is possible to satisfactorily cool a predetermined location such as a high temperature location in the plane of the semiconductor integrated circuit device, and thus it is possible to reduce the temperature difference generated in the plane of the semiconductor integrated circuit device.
【0018】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【0019】(実施例1)図1および図2は本発明の一
実施例である検査装置の説明図、図3は半導体集積回路
装置の検査工程中における図1および図2の検査装置の
説明図である。(Embodiment 1) FIGS. 1 and 2 are explanatory views of an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an explanation of the inspection apparatus shown in FIGS. 1 and 2 during an inspection process of a semiconductor integrated circuit device. It is a figure.
【0020】図1および図2に示す本実施例の検査装置
1は、例えば半導体チップ2に形成された半導体集積回
路の電気的特性や機能等を、半導体チップ2を冷却した
状態で検査する検査装置であり、測定機能部1aと冷却
機能部1b(図2参照)とを有している。The inspection apparatus 1 of the present embodiment shown in FIGS. 1 and 2 inspects, for example, the electrical characteristics and functions of a semiconductor integrated circuit formed on the semiconductor chip 2 in a state where the semiconductor chip 2 is cooled. The device has a measurement function unit 1a and a cooling function unit 1b (see FIG. 2).
【0021】測定機能部1aに設けられたテストボート
3には、半導体チップ2が主面を上に向けた状態で実装
されている。半導体チップ2は、例えばシリコン(S
i)単結晶からなり、その主面には、例えばDRAM
(Dynamic RAM)やゲートアレイ等のような所定の半導体
集積回路が形成されている。The semiconductor chip 2 is mounted on the test boat 3 provided in the measurement function unit 1a with its main surface facing upward. The semiconductor chip 2 is made of, for example, silicon (S
i) It is made of a single crystal, and its main surface has, for example, a DRAM.
A predetermined semiconductor integrated circuit such as (Dynamic RAM) or a gate array is formed.
【0022】半導体チップ2に形成された半導体集積回
路は、テストボード3に形成された配線(図示せず)
と、その配線の終端に電気的に接触されたプローブ針4
aとを通じて検査部(主制御部)5と電気的に接続され
ている。なお、4は、プローブカードを示している。The semiconductor integrated circuit formed on the semiconductor chip 2 has wiring (not shown) formed on the test board 3.
And the probe needle 4 electrically contacted with the end of the wiring.
It is electrically connected to the inspection unit (main control unit) 5 through a. In addition, 4 has shown the probe card.
【0023】検査部5は、制御部5aと記憶部5bとを
有している。制御部5aは、例えば検査装置1の全体の
動作を制御したり、半導体集積回路に対して検査信号を
伝送したり、半導体集積回路から伝送された検査信号を
測定したりするための構成部である。記憶部5bは、半
導体集積回路に対して伝送する検査データを記憶した
り、測定された検査データを記憶したり、検査装置1の
所定の動作手順を記憶したりするための構成部である。The inspection section 5 has a control section 5a and a storage section 5b. The controller 5a is a component for controlling the overall operation of the inspection apparatus 1, transmitting an inspection signal to the semiconductor integrated circuit, and measuring the inspection signal transmitted from the semiconductor integrated circuit. is there. The storage unit 5b is a component for storing inspection data transmitted to the semiconductor integrated circuit, storing measured inspection data, and storing a predetermined operation procedure of the inspection apparatus 1.
【0024】一方、検査装置1において、半導体チップ
2の下方には、半導体チップ2を冷却するための冷却機
能部1bが設置されている。On the other hand, in the inspection apparatus 1, below the semiconductor chip 2, a cooling function section 1b for cooling the semiconductor chip 2 is installed.
【0025】冷却機能部1bに設けられた冷却用媒体槽
6は、例えばフロリナート液等のような冷却用媒体を貯
留するための液槽である。冷却用媒体槽6は、配管7a
を通じてポンプ8と機械的に接続されている。ポンプ8
は、冷却用媒体槽6内の冷却用媒体を配管7bを通じて
ノズル9から噴射させるための機構部である。The cooling medium tank 6 provided in the cooling function section 1b is a liquid tank for storing a cooling medium such as Fluorinert liquid. The cooling medium tank 6 is a pipe 7a.
Is mechanically connected to the pump 8 through. Pump 8
Is a mechanism for injecting the cooling medium in the cooling medium tank 6 from the nozzle 9 through the pipe 7b.
【0026】本実施例1においては、複数のノズル9a
〜9eがノズル配置部10に設けられている。各ノズル
9は、ノズル9から噴射された冷却用媒体を半導体チッ
プ2の裏面の中央および角部近傍に吹きつけるように配
置されている。これにより、検査に際して、複数のノズ
ル9から噴射された冷却用媒体を半導体チップ2に吹き
つけることができるので、半導体チップ2の裏面全体を
ほぼ均一に冷却することができるようになっている。In the first embodiment, a plurality of nozzles 9a are provided.
9e are provided in the nozzle arrangement part 10. Each nozzle 9 is arranged so that the cooling medium sprayed from the nozzle 9 is sprayed to the center and the vicinity of the corner of the back surface of the semiconductor chip 2. This allows the cooling medium sprayed from the plurality of nozzles 9 to be sprayed onto the semiconductor chip 2 during the inspection, so that the entire back surface of the semiconductor chip 2 can be cooled substantially uniformly.
【0027】また、複数のノズル9a〜9eのうち、中
央に配置されたノズル9cは、その内径が、その周囲の
他のノズル9の内径よりも小さくなっている。これによ
り、中央のノズル9cから噴射される冷却媒体は、周囲
のノズル9から噴射される冷却媒体よりも流速が速くな
るようになっている。したがって、ノズル9cから噴射
される冷却用媒体が吹き付けられる部分の冷却温度を、
他の部分よりも下げることができるようになっている。Of the plurality of nozzles 9a to 9e, the nozzle 9c arranged at the center has an inner diameter smaller than the inner diameters of the other nozzles 9 around it. As a result, the cooling medium jetted from the central nozzle 9c has a higher flow velocity than the cooling medium jetted from the peripheral nozzles 9. Therefore, the cooling temperature of the portion sprayed with the cooling medium ejected from the nozzle 9c is
It can be lowered more than other parts.
【0028】ノズル9の周囲には、検査に際して冷却室
を形成するための冷却室形成壁11が設けられている。
冷却室形成壁11の下部には、冷却室と冷却用媒体槽6
とを連通する配管7cが設けられている。Around the nozzle 9, there is provided a cooling chamber forming wall 11 for forming a cooling chamber at the time of inspection.
The cooling chamber and the cooling medium tank 6 are provided below the cooling chamber forming wall 11.
A pipe 7c that communicates with and is provided.
【0029】なお、検査に際しては、図3に示すよう
に、テストボード9が下降し、冷却室形成壁11とテス
トボード3の下面とで冷却室12が形成されるようにな
っている。ノズル9から噴射された冷却用媒体は、半導
体チップ2に吹き付けられた後、配管7cを通じて冷却
用媒体槽6に戻るようになっている。During the inspection, as shown in FIG. 3, the test board 9 descends so that the cooling chamber 12 is formed by the cooling chamber forming wall 11 and the lower surface of the test board 3. The cooling medium sprayed from the nozzle 9 is blown onto the semiconductor chip 2, and then returns to the cooling medium tank 6 through the pipe 7c.
【0030】このように、本実施例1によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。As described above, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.
【0031】(1).検査に際して、複数のノズル9から噴
射された冷却用媒体を半導体チップ2に吹きつけること
により、半導体チップ2の裏面全体をほぼ均一に冷却す
ることができるので、半導体チップ2の裏面内に生じる
温度差を小さくすることが可能となる。(1) At the time of inspection, by spraying the cooling medium sprayed from the plurality of nozzles 9 onto the semiconductor chip 2, the entire back surface of the semiconductor chip 2 can be cooled substantially uniformly. It is possible to reduce the temperature difference generated in the back surface of No. 2.
【0032】(2).複数のノズル9a〜9eののうち、所
定のノズル9cの内径を他のノズル9の内径と異なるよ
うにして、そのノズル9cから噴射される冷却用媒体の
流速や流量等を制御することにより、半導体チップ2の
裏面内において高温となる箇所等、所定箇所を良好に冷
却することができるので、半導体チップ2の裏面内に生
じる温度差を小さくすることが可能となる。(2) Among the plurality of nozzles 9a to 9e, the inner diameter of a predetermined nozzle 9c is different from the inner diameters of the other nozzles 9, and the flow velocity and flow rate of the cooling medium ejected from the nozzle 9c. By controlling the above, it is possible to satisfactorily cool a predetermined location such as a high temperature location in the back surface of the semiconductor chip 2, so that it is possible to reduce the temperature difference generated in the back surface of the semiconductor chip 2. .
【0033】(3).上記(1) ,(2) により、半導体チップ
2を冷却した状態で行う検査の信頼性を向上させること
が可能となる。(3) Due to the above (1) and (2), it is possible to improve the reliability of the inspection performed in the state where the semiconductor chip 2 is cooled.
【0034】(実施例2)図4は本発明の他の実施例で
ある検査装置の要部平面図、図5は図4のV−V線の断
面図、図6は図4の検査装置の作用を説明するための検
査装置の要部断面図、図7は図4の検査装置の作用を説
明するための検査装置の要部平面図、図8は図7のVI
II−VIII線の断面図である。(Embodiment 2) FIG. 4 is a plan view of a main portion of an inspection apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a sectional view taken along line VV of FIG. 4, and FIG. 6 is an inspection apparatus of FIG. 7 is a sectional view of an essential part of the inspection device for explaining the operation of FIG. 7, FIG. 7 is a plan view of the essential part of the inspection device for explaining the operation of the inspection device of FIG.
FIG. 11 is a sectional view taken along line II-VIII.
【0035】図4および図5に示す本実施例2の検査装
置1においては、ノズル配置部10に形成された連通孔
10a内に、ノズル9および封止部材13が着脱自在の
状態で装着されている。In the inspection apparatus 1 of the second embodiment shown in FIGS. 4 and 5, the nozzle 9 and the sealing member 13 are detachably mounted in the communication hole 10a formed in the nozzle arrangement portion 10. ing.
【0036】すなわち、本実施例2においては、ノズル
9を着脱自在としたことにより、ノズル配置部10の所
定位置に配置されたノズル9を、他の位置に配置された
ノズル9とは内径の異なるノズル9に変えることが可能
となっている。なお、図5においては、全てのノズル9
の内径が同一である。また、ノズル9は、例えばネジ止
めされている。That is, in the second embodiment, since the nozzle 9 is detachable, the nozzle 9 arranged at a predetermined position of the nozzle arrangement portion 10 has an inner diameter different from that of the nozzle 9 arranged at another position. It is possible to change to a different nozzle 9. In FIG. 5, all nozzles 9
Have the same inner diameter. The nozzle 9 is screwed, for example.
【0037】ここで、内径の異なるノズル9を配置した
例を図6に示す。図6においては、ノズル配置部10の
中央位置に、内径が他の位置に配置されたノズル9の内
径よりも小さなノズル9cを配置した場合が示されてい
る。An example in which nozzles 9 having different inner diameters are arranged is shown in FIG. FIG. 6 shows a case where a nozzle 9c having an inner diameter smaller than the inner diameter of the nozzle 9 arranged at another position is arranged at the central position of the nozzle arrangement portion 10.
【0038】また、本実施例2においては、封止部材1
3の代わりにノズル9を装着することにより、半導体チ
ップ2の大きさや形状の変更にも対応することが可能と
なっている。Further, in the second embodiment, the sealing member 1
By mounting the nozzle 9 instead of 3, it is possible to deal with the change of the size and shape of the semiconductor chip 2.
【0039】ここで、ノズル配置部10の全ての連通孔
10aにノズル9を装着した場合を図7および図8に示
す。図7および図8には、内径の等しいノズル9を装着
した場合が示されているが、所定位置に内径の異なるノ
ズル9を装着しても良い。Here, FIGS. 7 and 8 show a case in which the nozzles 9 are attached to all the communication holes 10a of the nozzle arrangement portion 10. As shown in FIG. 7 and 8 show the case where the nozzles 9 having the same inner diameter are mounted, the nozzles 9 having different inner diameters may be mounted at predetermined positions.
【0040】このように、本実施例2においては、前記
実施例1で得られた効果の他に、以下の効果を得ること
が可能となっている。As described above, in the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects obtained in the first embodiment.
【0041】(1).ノズル9を着脱自在としたことによ
り、ノズル配置部10の所定位置に配置されたノズル9
を、他の位置に配置されたノズル9とは内径の異なるノ
ズル9に変えることが可能となる。これにより、検査対
象の半導体チップ2毎に高温発熱箇所が変わったとして
も、その箇所に対応するノズル9を変えることにより、
その高温発熱箇所を良好に冷却することが可能となる。(1). By making the nozzle 9 detachable, the nozzle 9 arranged at a predetermined position of the nozzle arrangement portion 10
Can be changed to a nozzle 9 having an inner diameter different from that of the nozzle 9 arranged at another position. As a result, even if the high-temperature heat-generating portion changes for each semiconductor chip 2 to be inspected, by changing the nozzle 9 corresponding to that portion,
It is possible to satisfactorily cool the high-temperature heat-generating portion.
【0042】(2).封止部材13の代わりにノズル9を装
着することにより、半導体チップ2の大きさや形状の変
更にも対応することが可能となる。(2) By mounting the nozzle 9 instead of the sealing member 13, it becomes possible to cope with the change in size and shape of the semiconductor chip 2.
【0043】(3).上記(1) および(2) により、種々の半
導体チップ2の検査に対応することが可能となる。(3). Due to the above (1) and (2), it becomes possible to deal with various semiconductor chip 2 inspections.
【0044】(実施例3)図9は本発明の他の実施例で
ある検査装置の説明図である。(Embodiment 3) FIG. 9 is an explanatory diagram of an inspection apparatus according to another embodiment of the present invention.
【0045】本実施例3においては、検査装置1の各ノ
ズル9に制御弁14が設置されている。制御弁14は、
ノズル9から噴射される冷却用媒体の流量や流速等を制
御するための弁であり、その動作が検査部5によって制
御されている。In the third embodiment, a control valve 14 is installed in each nozzle 9 of the inspection device 1. The control valve 14 is
It is a valve for controlling the flow rate, flow velocity, etc. of the cooling medium ejected from the nozzle 9, and its operation is controlled by the inspection unit 5.
【0046】すなわち、本実施例3の検査装置1におい
ては、ノズル9から噴射される冷却用媒体の流量や流速
等を制御弁14の動作によって制御することにより、半
導体チップ2の裏面の適切な箇所を適切な時刻に良好に
冷却することができるようになっている。That is, in the inspection apparatus 1 of the third embodiment, the flow rate and flow velocity of the cooling medium ejected from the nozzle 9 are controlled by the operation of the control valve 14, so that the back surface of the semiconductor chip 2 can be appropriately adjusted. The place can be cooled well at an appropriate time.
【0047】制御弁14の制御の方法としては、例えば
次の2つの方法がある。There are the following two methods for controlling the control valve 14, for example.
【0048】第1は、半導体チップ2に内蔵された温度
センサ(図示せず)から検査部5に伝送された温度情報
に基づいて制御弁14の動作を制御する方法である。こ
の方法によれば、検査に際して、半導体チップ2の裏面
の適切な箇所を適切な時刻に良好に冷却することができ
る。The first is a method of controlling the operation of the control valve 14 based on the temperature information transmitted from the temperature sensor (not shown) built in the semiconductor chip 2 to the inspection unit 5. According to this method, at the time of inspection, it is possible to satisfactorily cool an appropriate portion of the back surface of the semiconductor chip 2 at an appropriate time.
【0049】第2は、検査対象の半導体チップ2の裏面
における温度情報を測定して検査部5の記憶部5bに予
め記憶しておき、その情報に基づいて制御弁14の動作
を制御する方法である。この方法によれば、検査に際し
て、温度センサを有しない半導体チップ2の裏面の適切
な箇所を適切な時刻に良好に冷却することができる。Second, a method of measuring temperature information on the back surface of the semiconductor chip 2 to be inspected and preliminarily storing it in the storage section 5b of the inspection section 5 and controlling the operation of the control valve 14 based on the information. Is. According to this method, at the time of inspection, it is possible to satisfactorily cool an appropriate portion of the back surface of the semiconductor chip 2 having no temperature sensor at an appropriate time.
【0050】このように、本実施例3によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。As described above, according to the third embodiment, the following effects can be obtained.
【0051】(1).ノズル9毎に制御弁14を設け、ノズ
ル9から噴射される冷却用媒体の流量や流速等を制御弁
14の動作によって制御することにより、半導体チップ
2の裏面の適切な箇所を適切な時刻に良好に冷却するこ
とが可能となる。(1) A control valve 14 is provided for each nozzle 9, and the flow rate and flow velocity of the cooling medium ejected from the nozzle 9 are controlled by the operation of the control valve 14, so that the back surface of the semiconductor chip 2 can be appropriately controlled. It is possible to satisfactorily cool various places at an appropriate time.
【0052】(2).実際に半導体チップ2に内蔵された温
度センサから検査部5に伝送された温度情報に基づいて
制御弁14の動作を制御することにより、検査に際し
て、半導体チップ2の裏面の適切な箇所を適切な時刻に
良好に冷却することが可能となる。(2). By controlling the operation of the control valve 14 based on the temperature information actually transmitted to the inspection unit 5 from the temperature sensor built in the semiconductor chip 2, the back surface of the semiconductor chip 2 is inspected. It is possible to satisfactorily cool the appropriate place of the item at an appropriate time.
【0053】(3).検査対象の半導体チップ2の裏面にお
ける温度情報を測定して、その測定情報を検査部5の記
憶部5bに予め記憶しておき、その情報に基づいて制御
弁14の動作を制御することにより、検査に際して、温
度センサを有しない半導体チップ2の裏面の適切な箇所
を適切な時刻に良好に冷却することが可能となる。(3). Temperature information on the back surface of the semiconductor chip 2 to be inspected is measured, and the measured information is stored in advance in the storage section 5b of the inspection section 5, and the control valve 14 of the control valve 14 is based on this information. By controlling the operation, at the time of inspection, it becomes possible to satisfactorily cool an appropriate portion of the back surface of the semiconductor chip 2 having no temperature sensor at an appropriate time.
【0054】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
1〜3に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned Embodiments 1 to 3 and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.
【0055】例えば前記実施例1〜3においては、検査
に際して半導体チップを冷却した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく種々変更可能であ
り、例えば半導体チップの封止されたパッケージを冷却
する場合もある。また、複数の半導体チップが実装され
てなるモジュール状態の製品を冷却する場合もある。For example, in the above-mentioned first to third embodiments, the case where the semiconductor chip is cooled at the time of inspection has been described. However, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made. It may be cooled. In addition, a product in a module state in which a plurality of semiconductor chips are mounted may be cooled.
【0056】[0056]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0057】(1).請求項1記載の発明によれば、検査に
際して、複数のノズルから噴射された冷却用媒体を半導
体集積回路装置に吹きつけることにより、半導体集積回
路装置の面内をほぼ均一に冷却することができるので、
半導体集積回路装置の面内に生じる温度差を小さくする
ことができる。(1) According to the invention described in claim 1, in the inspection, the cooling medium sprayed from a plurality of nozzles is sprayed onto the semiconductor integrated circuit device, so that the surface of the semiconductor integrated circuit device is almost completely covered. Since it can be cooled uniformly,
The temperature difference generated in the plane of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.
【0058】また、半導体集積回路装置の面内において
所定部分が高温となる場合には、その部分に吹きつける
冷却用媒体の流速や流量等を制御することにより、その
部分の冷却温度を他の部分よりも下げることができるの
で、半導体集積回路装置の面内に生じる温度差を小さく
することができる。When a predetermined portion in the surface of the semiconductor integrated circuit device becomes high in temperature, the cooling temperature of that portion is controlled to another value by controlling the flow velocity and flow rate of the cooling medium blown to that portion. Since the temperature can be lowered below the portion, the temperature difference generated in the plane of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.
【0059】これらにより、半導体集積回路装置を冷却
した状態で行う検査の信頼性を向上させることが可能と
なる。As a result, it is possible to improve the reliability of the inspection performed in the state where the semiconductor integrated circuit device is cooled.
【0060】(2).請求項3記載の発明によれば、実際に
半導体集積回路装置に設けられた温度検出手段によって
検出された温度情報に基づいて制御手段を制御すること
により、適切な箇所を適切な時刻に良好に冷却すること
ができるので、検査に際して半導体集積回路装置の面内
に生じる温度差を小さくすることができる。これによ
り、半導体集積回路装置を冷却した状態で行う検査の信
頼性を向上させることが可能となる。(2) According to the invention of claim 3, by controlling the control means on the basis of the temperature information actually detected by the temperature detection means provided in the semiconductor integrated circuit device, an appropriate location can be obtained. Therefore, the temperature difference generated in the plane of the semiconductor integrated circuit device at the time of inspection can be reduced. As a result, it is possible to improve the reliability of the inspection performed while the semiconductor integrated circuit device is cooled.
【0061】(3).請求項4記載の発明によれば、これか
ら検査しようとする半導体集積回路装置の面内の温度情
報を予め測定しておき、その情報に基づいて制御手段を
制御することにより、温度検出手段を有しない半導体集
積回路装置に対しても適切な箇所を適切な時刻に良好に
冷却することができるので、検査に際して当該半導体集
積回路装置の面内に生じる温度差を小さくすることがで
きる。これにより、温度検出手段を有しない半導体集積
回路装置の検査であっても、その検査の信頼性を向上さ
せることが可能となる。(3) According to the invention described in claim 4, in-plane temperature information of the semiconductor integrated circuit device to be inspected is measured in advance, and the control means is controlled based on the information. As a result, even in a semiconductor integrated circuit device that does not have a temperature detecting means, it is possible to favorably cool an appropriate place at an appropriate time, so that the temperature difference that occurs in the plane of the semiconductor integrated circuit device at the time of inspection can be reduced. be able to. As a result, even in the inspection of the semiconductor integrated circuit device that does not have the temperature detecting means, the reliability of the inspection can be improved.
【0062】(4).請求項5記載の発明によれば、複数の
ノズルのうち、所定のノズルの径を変え、そのノズルか
ら噴射される冷却用媒体の流速や流量等が所定値になる
ように制御することにより、半導体集積回路装置の面内
において高温となる箇所等、所定箇所を良好に冷却する
ことができるので、半導体集積回路装置の面内に生じる
温度差を小さくすることができる。これにより、半導体
集積回路装置を冷却した状態で行う検査の信頼性を向上
させることが可能となる。(4) According to the fifth aspect of the invention, of the plurality of nozzles, the diameter of a predetermined nozzle is changed, and the flow velocity, flow rate, etc. of the cooling medium jetted from the nozzle have predetermined values. By controlling in this way, it is possible to satisfactorily cool a predetermined location such as a hot spot in the surface of the semiconductor integrated circuit device, so that the temperature difference generated in the surface of the semiconductor integrated circuit device can be reduced. . As a result, it is possible to improve the reliability of the inspection performed while the semiconductor integrated circuit device is cooled.
【図1】本発明の一実施例である検査装置の説明図であ
る。FIG. 1 is an explanatory diagram of an inspection apparatus that is an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例である検査装置の説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram of an inspection apparatus that is an embodiment of the present invention.
【図3】半導体集積回路装置の検査工程中における図1
および図2の検査装置の説明図である。FIG. 3 is a view of FIG. 1 during an inspection process of a semiconductor integrated circuit device.
FIG. 3 is an explanatory diagram of the inspection device of FIG. 2.
【図4】本発明の他の実施例である検査装置の要部平面
図である。FIG. 4 is a plan view of a main part of an inspection device according to another embodiment of the present invention.
【図5】図4のV−V線の断面図である。5 is a cross-sectional view taken along line VV of FIG.
【図6】図4の検査装置の作用を説明するための検査装
置の要部断面図である。6 is a cross-sectional view of a main part of the inspection device for explaining the operation of the inspection device of FIG.
【図7】図4の検査装置の作用を説明するための検査装
置の要部平面図である。FIG. 7 is a plan view of a main part of the inspection device for explaining the operation of the inspection device of FIG.
【図8】図7のVIII−VIII線の断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG.
【図9】本発明の他の実施例である検査装置の説明図で
ある。FIG. 9 is an explanatory diagram of an inspection apparatus according to another embodiment of the present invention.
1 検査装置 1a 測定機能部 1b 冷却機能部 2 半導体チップ 3 テストボード 4 プローブカード 4a プローブ針 5 検査部(主制御部) 5a 制御部 5b 記憶部 6 冷却用媒体槽 7a〜7c 配管 8 ポンプ 9,9a〜9e ノズル 10 ノズル配置部 10a 連通孔 11 冷却室形成壁 12 冷却室 13 封止部材 14 制御弁(制御手段) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 inspection device 1a measurement function unit 1b cooling function unit 2 semiconductor chip 3 test board 4 probe card 4a probe needle 5 inspection unit (main control unit) 5a control unit 5b storage unit 6 cooling medium tank 7a to 7c pipe 8 pump 9, 9a-9e Nozzle 10 Nozzle arrangement part 10a Communication hole 11 Cooling chamber forming wall 12 Cooling chamber 13 Sealing member 14 Control valve (control means)
Claims (5)
て、前記半導体集積回路装置に対してノズルから噴射さ
れた冷却用媒体を吹き付けることにより、前記半導体集
積回路装置を冷却した状態で検査する検査装置であっ
て、前記ノズルを複数設けるとともに、前記ノズルに冷
却用媒体の噴射状態を制御する制御手段を設けたことを
特徴とする検査装置。1. An inspection apparatus for inspecting a semiconductor integrated circuit device in a cooled state by spraying a cooling medium jetted from a nozzle onto the semiconductor integrated circuit device during an electrical inspection of the semiconductor integrated circuit device. An inspection apparatus, wherein a plurality of the nozzles are provided, and a control means for controlling the injection state of the cooling medium is provided in the nozzles.
に設置された制御弁であることを特徴とする請求項1記
載の検査装置。2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the control means is a control valve installed at a predetermined position of the nozzle.
回路装置に設けられた温度検出手段によって検出された
温度情報に基づいて制御する主制御部を設けたことを特
徴とする請求項1または2記載の検査装置。3. A main control section for controlling the operation of the control means based on temperature information detected by a temperature detection means provided in the semiconductor integrated circuit device. Inspection device according to 2.
体集積回路装置について予め測定された温度情報に基づ
いて制御する主制御部を設けたことを特徴とする請求項
1または2記載の検査装置。4. The inspection according to claim 1, further comprising a main control unit for controlling the operation of the control means based on temperature information measured in advance for the semiconductor integrated circuit device to be inspected. apparatus.
て、前記半導体集積回路装置に対してノズルから噴射さ
れた冷却用媒体を吹き付けることにより、前記半導体集
積回路装置を冷却した状態で検査する検査装置であっ
て、前記ノズルを複数設けるとともに、その複数のノズ
ルのうちの所定のノズルの径を他のノズルの径と異なら
せたことを特徴とする検査装置。5. An inspection apparatus for inspecting the semiconductor integrated circuit device in a cooled state by spraying a cooling medium sprayed from a nozzle onto the semiconductor integrated circuit device during the electrical inspection of the semiconductor integrated circuit device. An inspection apparatus, wherein a plurality of the nozzles are provided and a diameter of a predetermined nozzle of the plurality of nozzles is different from a diameter of other nozzles.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5293236A JPH07147307A (en) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Test apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5293236A JPH07147307A (en) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Test apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07147307A true JPH07147307A (en) | 1995-06-06 |
Family
ID=17792200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5293236A Pending JPH07147307A (en) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Test apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07147307A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020061468A (en) * | 2001-01-15 | 2002-07-24 | 아주시스템 주식회사 | Contactor of the device for testing semiconductor element |
JP2014123411A (en) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Hitachi High-Technologies Corp | Magnetic disk inspection device and magnetic head inspection device |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP5293236A patent/JPH07147307A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020061468A (en) * | 2001-01-15 | 2002-07-24 | 아주시스템 주식회사 | Contactor of the device for testing semiconductor element |
JP2014123411A (en) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Hitachi High-Technologies Corp | Magnetic disk inspection device and magnetic head inspection device |
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