JPH07146488A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH07146488A JPH07146488A JP29573093A JP29573093A JPH07146488A JP H07146488 A JPH07146488 A JP H07146488A JP 29573093 A JP29573093 A JP 29573093A JP 29573093 A JP29573093 A JP 29573093A JP H07146488 A JPH07146488 A JP H07146488A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、補助容量電極を有した
アクティブマトリクス駆動の液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix drive liquid crystal display device having an auxiliary capacitance electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力
などの利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、精細な動画表示が可能であり、Ｔ
Ｖなどのディスプレイに使用されている。2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have advantages such as small size, thin shape, and low power consumption, and are being put to practical use in fields such as OA equipment and AV equipment. In particular, an active matrix type using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element is capable of displaying a fine moving image.
Used in displays such as V.
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
ＴＦＴを有する表示電極がマトリクス状に配置された基
板と、共通電極を有する基板が貼り合わされて、隙間に
液晶が封入された構造を有する。ＴＦＴは表示電極への
データ信号入力を選択するスイッチング素子であり、ゲ
ート電極、ドレイン電極、ソース電極及び半導体層より
構成される。それぞれの電極はゲートライン、ドレイン
ライン及び表示電極に接続され、また、半導体層はチャ
ンネル層として機能する。ゲートライン群は線順次に走
査選択されて行ごとに全てのＴＦＴをＯＮとし、これと
同期したデータ信号が各ドレインラインより、それぞれ
の表示電極に入力される。共通電極は走査信号に同期し
て電位が設定されて、対向する各表示電極との間の電圧
により間隙の液晶を駆動し、光の透過率が画素ごとに調
整されて所望の表示画面が得られる。また、ＯＦＦ期間
中の液晶の駆動状態は対向する電極間で液晶容量として
保持されるが、これと並列に補助容量を付加することに
より保持特性を向上することができる。また、補助容量
はＴＦＴの動作時に生じる表示電極電位のシフトを抑制
する作用がある。即ち、製造工程の制約上余儀なくされ
るソース・ゲート間の重畳部において、ＴＦＴのＯＮ／
ＯＦＦに従って寄生容量の発生／消失がおこる。そのた
め、補助容量を液晶容量に並列に付加して全容量を増大
させることにより、寄生容量による直流成分の、表示電
極電位への影響が緩和される。The active matrix type liquid crystal display device is
A substrate in which display electrodes having TFTs are arranged in a matrix and a substrate having common electrodes are attached to each other, and liquid crystal is sealed in a gap. The TFT is a switching element that selects a data signal input to the display electrode, and includes a gate electrode, a drain electrode, a source electrode, and a semiconductor layer. Each electrode is connected to the gate line, the drain line and the display electrode, and the semiconductor layer functions as a channel layer. The gate line group is line-sequentially scanned and selected, and all the TFTs are turned on for each row, and a data signal synchronized with this is input to each display electrode from each drain line. The potential of the common electrode is set in synchronization with the scanning signal, and the liquid crystal in the gap is driven by the voltage between the opposing display electrodes, and the light transmittance is adjusted for each pixel to obtain the desired display screen. To be Further, the driving state of the liquid crystal during the OFF period is held as a liquid crystal capacitance between the electrodes facing each other, but the holding characteristic can be improved by adding an auxiliary capacitance in parallel with this. In addition, the auxiliary capacitance has a function of suppressing the shift of the display electrode potential that occurs when the TFT operates. That is, in the overlapping portion between the source and the gate, which is inevitable due to the limitation of the manufacturing process, the ON / OFF of the TFT
As it is turned off, the parasitic capacitance is generated / disappeared. Therefore, by adding the auxiliary capacitance in parallel with the liquid crystal capacitance to increase the total capacitance, the influence of the DC component due to the parasitic capacitance on the display electrode potential is mitigated.
【０００４】図４及び図５に従来例を示す。図４はＴＦ
Ｔ基板の一画素についての平面図であり、図５は図４の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。ガラスなどの透明基板
（１０）上にＡｌ、Ｃｒ、Ｔａなどの単体または積層体
がゲート・補助容量配線にパターン形成されて、ゲート
ライン（１１）、ゲート電極（１２）及び補助容量電極
（１３）となっている。これらを覆う全面にはＳｉＮX
などの絶縁膜（１４）が積層されて、ゲート絶縁膜、補
助容量の誘電膜及び配線交差部に共通の絶縁層となって
いる。ゲート絶縁膜（１４）を挟んでゲート電極（１
２）上には、チャンネル層であるアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉと略す）（１５）、コンタクト層とし
て不純物によりＮ+型にドープされたアモルファスシリ
コン（以下、Ｎ+ａ−Ｓｉと略す）（１７）、更には、
ＳｉＮXなどのエッチングストッパー（１６）が形成さ
れている。また、絶縁膜（１４）上にはＩＴＯの表示電
極（１８）が形成され、一部が誘電層（１４）を挟んで
補助容量電極（１３）に対向している。最上層は、Ａｌ
などのソース・ドレイン配線であり、Ｎ+ａ−Ｓｉ（１
７）に被覆したソース電極（１９）及びドレイン電極
（２０）、更には、ドレイン電極（２０）と一体のドレ
インライン（２１）が設けられている。A conventional example is shown in FIGS. Figure 4 shows TF
FIG. 6 is a plan view of one pixel of the T substrate, and FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4. A single substance or a laminated body of Al, Cr, Ta or the like is patterned on the gate / auxiliary capacitance wiring on a transparent substrate (10) such as glass to form a gate line (11), a gate electrode (12) and an auxiliary capacitance electrode (13). ). SiN x on the entire surface covering these
Insulating films (14) such as the above are laminated to form a common insulating layer for the gate insulating film, the dielectric film of the auxiliary capacitance, and the wiring intersection. The gate electrode (1
2) Amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si) that is a channel layer (15) and amorphous silicon (hereinafter abbreviated as N + a-Si) that is N + -type doped with impurities as a contact layer. (17), moreover,
An etching stopper (16) such as SiN x is formed. Further, an ITO display electrode (18) is formed on the insulating film (14), and a part thereof faces the auxiliary capacitance electrode (13) with the dielectric layer (14) interposed therebetween. The top layer is Al
Source / drain wiring such as N + a-Si (1
The source electrode (19) and the drain electrode (20) covered with 7) and the drain line (21) integrated with the drain electrode (20) are provided.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前述の従来例では、補
助容量電極（１３）の膜厚が１５００Å程度であるのに
対して、表示電極（１８）は所定の透過率を確保する目
的で、５００〜１０００Åに薄く形成されている。その
ため、補助容量電極（１３）の段差により、補助容量電
極（１３）のエッジ部分に沿って表示電極（１８）が段
切れを起こし、表示部と補助容量部が接続不良を起こし
ていた。従来例のように、ソース電極（１９）と表示電
極（１８）の表示部及び補助容量部が直列接続された構
造では、表示電極（１８）が部分的にでも段切れを起こ
すと、表示部と補助容量部の間の抵抗が増大するため、
補助容量の機能が低下するとともに、補助容量部の電位
が低下し、表示電極（１８）内において表示部と補助容
量部の間で電位差が生じる。そのため、保持期間中に表
示部の電位が補助容量部の電位方向へシフトして、全体
として表示電極電位の振幅が減少し、液晶容量の電圧保
持率が低下していた。In the above-mentioned conventional example, while the film thickness of the auxiliary capacitance electrode (13) is about 1500 Å, the display electrode (18) is for the purpose of ensuring a predetermined transmittance, It is thinly formed at 500 to 1000Å. Therefore, due to the step of the auxiliary capacitance electrode (13), the display electrode (18) is broken along the edge portion of the auxiliary capacitance electrode (13), and the display section and the auxiliary capacitance section have a poor connection. In the structure in which the display portion and the auxiliary capacitance portion of the source electrode (19) and the display electrode (18) are connected in series as in the conventional example, when the display electrode (18) partially breaks, the display portion Since the resistance between the storage capacitor and the storage capacitor increases,
As the function of the auxiliary capacitance is lowered, the potential of the auxiliary capacitance portion is lowered, and a potential difference is generated between the display portion and the auxiliary capacitance portion in the display electrode (18). Therefore, during the holding period, the potential of the display portion is shifted in the potential direction of the auxiliary capacitance portion, the amplitude of the display electrode potential is reduced as a whole, and the voltage holding ratio of the liquid crystal capacitance is lowered.
【０００６】更に、表示電極（１８）が完全に断線する
と、補助容量部の表示電極（１８）がフローティングと
なって、補助容量の機能が消失するとともに、この部分
の液晶が駆動せずに補助容量電極（１３）のエッジ部に
沿って光漏れが生じ、表示品位が低下する問題を生じて
いた。Further, when the display electrode (18) is completely broken, the display electrode (18) of the auxiliary capacitance portion becomes floating, the function of the auxiliary capacitance is lost, and the liquid crystal in this portion is not driven and the auxiliary electrode is assisted. There is a problem that light leakage occurs along the edge portion of the capacitor electrode (13), and the display quality is degraded.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、第１に、基板上にマトリクス状に配置され
た表示電極、該各表示電極に接続する薄膜トランジス
タ、及び、前記表示電極の一部に対向配置されて補助容
量を構成する補助容量電極を有する液晶表示装置におい
て、前記薄膜トランジスタのソース電極は、前記表示電
極の補助容量部に延在形成されて前記補助容量電極に部
分的に対向しながら、前記表示電極に接続された構成で
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and firstly, display electrodes arranged in a matrix on a substrate, thin film transistors connected to each display electrode, and the display. In a liquid crystal display device having an auxiliary capacitance electrode that is disposed so as to face a part of an electrode to form an auxiliary capacitance, a source electrode of the thin film transistor is formed to extend in an auxiliary capacitance portion of the display electrode and partially form the auxiliary capacitance electrode. The display electrodes are connected to each other while facing each other.
【０００８】第２に、第１の構成において、前記補助容
量電極は前記表示電極の周囲に一部はみ出して設けら
れ、前記ソース電極と合わせて表示電極の周囲を完全に
取り囲む構成である。Secondly, in the first structure, the auxiliary capacitance electrode is provided so as to partly protrude from the periphery of the display electrode, and completely surrounds the periphery of the display electrode together with the source electrode.
【０００９】[0009]
【作用】ソース電極（１９ａ）を補助容量部まで延在し
て、ソース電極（１９）が表示電極（１８）の表示部と
補助容量部に並列に接続された構造とすることにより、
補助容量部はソース電極（１９ａ）より直接に信号電圧
が入力され、表示部と同電位に充電される。これによ
り、表示電極（１８）内における表示部と補助容量部の
間の電位差が無くなって、保持期間中の表示電極電位が
維持され、液晶容量の電圧保持率の低下が防止される。
また、表示電極（１８）の表示部と補助容量部の接続が
改善されるので、補助容量の機能の低下や消失が防止さ
れる。With the structure in which the source electrode (19a) is extended to the auxiliary capacitance portion and the source electrode (19) is connected in parallel to the display portion of the display electrode (18) and the auxiliary capacitance portion,
A signal voltage is directly input to the auxiliary capacitance section from the source electrode (19a) and is charged to the same potential as the display section. This eliminates the potential difference between the display section and the auxiliary capacitance section in the display electrode (18), maintains the display electrode potential during the holding period, and prevents the voltage holding ratio of the liquid crystal capacitance from decreasing.
In addition, since the connection between the display portion of the display electrode (18) and the auxiliary capacitance portion is improved, the function or deterioration of the auxiliary capacitance can be prevented.
【００１０】また、ソース電極（１９ｂ）を、表示電極
（１８）の周囲に配置された補助容量電極（１３）の両
端（１３ａ，１３ｂ）に重畳させ、ソース電極（１９
ｂ）と補助容量電極（１３）で、表示電極（１８）を完
全に取り囲むことにより、表示電極（１８）の周囲の光
漏れを防止し、遮光膜を縮小することができる。そのた
め、表示電極（１８）と、補助容量電極（１３）及びソ
ース電極（１９ｂ）との重畳部の面積を、従来の遮光膜
と表示電極（１８）の重畳部よりも小さくすることによ
り、開口率を向上することができる。Further, the source electrode (19b) is superposed on both ends (13a, 13b) of the auxiliary capacitance electrode (13) arranged around the display electrode (18) to form the source electrode (19).
By completely surrounding the display electrode (18) with b) and the auxiliary capacitance electrode (13), it is possible to prevent light leakage around the display electrode (18) and reduce the size of the light shielding film. Therefore, by making the area of the overlapping portion of the display electrode (18) and the auxiliary capacitance electrode (13) and the source electrode (19b) smaller than that of the conventional overlapping portion of the light shielding film and the display electrode (18), an opening is formed. The rate can be improved.
【００１１】[0011]
【実施例】続いて、本発明の実施例を説明する。図１は
ＴＦＴ基板の一画素当りの平面図であり、図２は図１の
Ａ−Ａ線に沿う断面図である。従来例と同一部には同一
符号を用いている。ガラスなどの透明基板（１０）上
に、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌなどの単体または積層体が、例え
ばスパッタリングにより成膜され、フォトエッチによる
パターニングでゲートライン（１１）、ゲート電極（１
２）及び補助容量電極（１３）に形成されている。これ
らを覆って全面には、ＳｉＮX、ＳｉＯ2 などが積層さ
れて、ＴＦＴのゲート絶縁膜、補助容量の誘電膜、配線
交差部の絶縁層などに共通の絶縁膜（１４）となってい
る。ゲート電極（１２）に対応する絶縁膜（１４）上に
は、チャンネル層となるアモルファスシリコン（以下、
ａ−Ｓｉと略する）（１５）、パターニングでエッチン
グストッパー（１６）に形成されるＳｉＮX、及び、オ
ーミックなコンタクトを得るために、不純物によりＮ+
型にドープされたアモルファスシリコン（以下、Ｎ+ａ
−Ｓｉと略する）（１７）がＣＶＤ成膜とフォトエッチ
でＴＦＴの島に形成されている。また、絶縁膜（１４）
上には、ＩＴＯのスパッタリング及びフォトエッチによ
り表示電極（１８）が形成され、一部は絶縁膜（１４）
を介して補助容量電極（１３）に重畳され、補助容量を
構成している。最上層はソース・ドレイン配線であり、
例えば、Ａｌ／Ｍｏなどの積層体をスパッタリングで形
成し、フォトエッチによるパターニングでソース電極
（１９ａ）、ドレイン電極（２０）及びドレインライン
（２１）に形成されている。Next, examples of the present invention will be described. 1 is a plan view of one pixel of the TFT substrate, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. The same parts as those in the conventional example are designated by the same reference numerals. On the transparent substrate (10) such as glass, a single substance or a laminated body of Cr, Ta, Al, etc. is formed by, for example, sputtering, and the gate line (11) and the gate electrode (1) are formed by patterning by photoetching.
2) and the auxiliary capacitance electrode (13). On the entire surface covering these, SiN X, and the like SiO 2 is laminated, has a gate insulating film of the TFT, the dielectric film of the storage capacitor, a common insulating film including the insulating layer of the wiring intersection portion (14) . On the insulating film (14) corresponding to the gate electrode (12), amorphous silicon (hereinafter,
(abbreviated as a-Si) (15), SiN x formed on the etching stopper (16) by patterning, and N + by impurities for obtaining ohmic contact.
Amorphous silicon doped in the mold (hereinafter N + a
(-Si) (17) is formed on the TFT island by CVD film formation and photoetching. Also, the insulating film (14)
A display electrode (18) is formed on the ITO by sputtering and photoetching, and an insulating film (14) is partially formed.
It is superposed on the auxiliary capacitance electrode (13) through the and forms an auxiliary capacitance. The top layer is the source / drain wiring,
For example, a laminated body of Al / Mo or the like is formed by sputtering and patterned by photoetching to form the source electrode (19a), the drain electrode (20), and the drain line (21).
【００１２】ソース電極（１９ａ）は補助容量部まで延
在形成され、補助容量電極（１３）のエッジ部における
絶縁膜（１４）の段差部を一部被覆することにより、表
示電極（１８）の段切れを補償している。即ち、表示電
極（１８）の表示部と補助容量部がソース電極（１９
ａ）に並列接続された構造により、表示電極（１８）が
段切れを起こして表示部と補助容量部に分離されても、
表示部と補助容量部にそれぞれソース電極（１９ａ）よ
り信号電圧が供給されるので、補助容量部が表示部と同
電位に充電されて表示電極（１８）内において電位差が
生ずるのが防止される。そのため、保持期間中の表示電
極（１８）電位が維持され、液晶容量の電圧保持率の低
下が防止される。また、表示電極（１８）の表示部と補
助容量部が、ソース電極（１９ａ）で接続されるので、
補助容量の機能の低下や消失が防止される。The source electrode (19a) is formed so as to extend to the auxiliary capacitance portion, and the step portion of the insulating film (14) at the edge portion of the auxiliary capacitance electrode (13) is partially covered so that the display electrode (18) can be formed. Compensation for disconnection. That is, the display portion of the display electrode (18) and the auxiliary capacitance portion are connected to the source electrode (19
Due to the structure connected in parallel to a), even if the display electrode (18) is disconnected from the display section and the auxiliary capacitance section,
Since the signal voltage is supplied to the display section and the auxiliary capacitance section from the source electrode (19a), the auxiliary capacitance section is prevented from being charged to the same potential as the display section and causing a potential difference in the display electrode (18). . Therefore, the potential of the display electrode (18) is maintained during the holding period, and the reduction of the voltage holding ratio of the liquid crystal capacitance is prevented. Further, since the display portion of the display electrode (18) and the auxiliary capacitance portion are connected by the source electrode (19a),
It is possible to prevent the function of the auxiliary capacity from being deteriorated or lost.
【００１３】次に、本発明の他の実施例を説明する。図
３はＴＦＴ基板の一画素分の平面図であり、Ａ−Ａ線に
沿う断面構造は図２と同様である。本実施例では、補助
容量電極（１３）が、ＴＦＴ部分を除く表示電極（１
８）の４辺に重畳された構造において、前述の実施例の
如くソース電極（１９ｂ）を補助容量電極（１３）一方
の端部（１３ａ）に重畳させるとともに、他方の端部
（１３ｂ）にも重畳させた構造である。即ち、ＴＦＴ部
において、表示電極（１８）の一部をソース電極（１９
ｂ）で重畳させることにより、ＴＦＴ部を除く表示電極
（１８）の周囲を囲むようにして配置された補助容量電
極（１３）と合わせて、表示電極（１８）の周囲が完全
に取り囲まれた構造となる。図示は省略したが、普通、
共通電極を有する対向基板が、液晶層を挟んでＴＦＴ基
板に対向して配置されるが、対向基板上には遮光膜が設
けられて画素間の光漏れを防止している。即ち、表示電
極（１８）以外の領域に対応して遮光膜が設けられ、コ
ントラスト比の低下を防いでいるが、従来、両基板の貼
り合わせの際のずれを考慮したマージンのため、表示電
極（１８）の周縁部の５〜１０μｍまでを遮光膜が重畳
して、開口率低下の原因になっていた。本実施例では、
補助容量電極（１３）とソース電極（１９ｂ）が表示電
極（１８）の周囲を取り囲むことにより、表示電極（１
８）の周囲からの光漏れが防がれる。そのため、遮光膜
と表示電極（１８）の重畳部を、補助容量電極（１３）
及びソース電極（１９ｂ）と、表示電極（１８）との重
畳部よりも小さくし、かつ、補助容量電極（１３）及び
ソース電極（１９ｂ）と、表示電極（１８）との重畳部
を従来の遮光膜と表示電極（１８）の重畳部よりも小さ
くすることにより、開口率を向上することができる。ま
た、ソース電極（１９ｂ）が、表示電極（１８）の補助
容量部の両端の２ケ所へ延在された構造のため、表示電
極（１８）の段切れ補償の効果が増大する。Next, another embodiment of the present invention will be described. 3 is a plan view of one pixel of the TFT substrate, and the sectional structure taken along the line AA is the same as that of FIG. In this embodiment, the auxiliary capacitance electrode (13) is the display electrode (1
8), the source electrode (19b) is superposed on one end (13a) of the auxiliary capacitance electrode (13) and the other end (13b) is superposed on the other end (13b). Is also a superposed structure. That is, in the TFT section, a part of the display electrode (18) is replaced with the source electrode (19).
By overlapping with the auxiliary capacitance electrode (13) arranged so as to surround the periphery of the display electrode (18) excluding the TFT portion by overlapping in b), a structure in which the periphery of the display electrode (18) is completely surrounded is obtained. Become. Although illustration is omitted, normally,
The counter substrate having the common electrode is arranged to face the TFT substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween, and a light shielding film is provided on the counter substrate to prevent light leakage between pixels. That is, a light-shielding film is provided corresponding to a region other than the display electrode (18) to prevent the contrast ratio from decreasing. However, conventionally, the display electrode has a margin in consideration of a deviation when bonding both substrates. The light-shielding film overlapped with 5 to 10 μm in the peripheral portion of (18), which was a cause of a decrease in aperture ratio. In this embodiment,
The auxiliary capacitance electrode (13) and the source electrode (19b) surround the periphery of the display electrode (18) so that the display electrode (1
Light leakage from the surroundings of 8) can be prevented. Therefore, the overlapping portion of the light-shielding film and the display electrode (18) should be connected to the auxiliary capacitance electrode (13).
And the overlap portion of the source electrode (19b) and the display electrode (18) is made smaller, and the overlap portion of the auxiliary capacitance electrode (13) and the source electrode (19b) and the display electrode (18) is smaller than the conventional one. The aperture ratio can be improved by making it smaller than the overlapping portion of the light shielding film and the display electrode (18). In addition, since the source electrode (19b) is extended to two positions at both ends of the auxiliary capacitance portion of the display electrode (18), the effect of compensating for the break in the display electrode (18) is increased.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、ソース電
極を補助容量電極に重畳させたことにより、表示電極の
段切れが補償され、表示品位の低下が防止された。As is apparent from the above description, by overlapping the source electrode with the auxiliary capacitance electrode, the breakage of the display electrode is compensated and the display quality is prevented from being degraded.
【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の平面図で
ある。FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【図３】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の平面
図である。FIG. 3 is a plan view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
【図４】従来例に係る液晶表示装置の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a liquid crystal display device according to a conventional example.
【図５】図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
１０ 透明基板 １１ ゲートライン １２ ゲート電極 １３ 補助容量電極 １４ 絶縁膜 １５ ａ−Ｓｉ １６ エッチングイストッパー １７ Ｎ+ａ−Ｓｉ １８ 表示電極 １９ ソース電極 ２０ ドレイン電極 ２１ ドレインライン10 Transparent Substrate 11 Gate Line 12 Gate Electrode 13 Auxiliary Capacitance Electrode 14 Insulating Film 15 a-Si 16 Etching Stopper 17 N + a-Si 18 Display Electrode 19 Source Electrode 20 Drain Electrode 21 Drain Line
Claims (2)
電極、該表示電極に接続する薄膜トランジスタ、及び、
前記表示電極の一部に対向配置されて補助容量を構成す
る補助容量電極を有する液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタのソース電極は、前記表示電極の
補助容量部に延在形成されて前記補助容量電極に部分的
に対向しながら、前記表示電極に接続されることを特徴
とする液晶表示装置。1. A display electrode arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor connected to the display electrode, and
In a liquid crystal display device having an auxiliary capacitance electrode that is arranged so as to face a part of the display electrode to form an auxiliary capacitance, the source electrode of the thin film transistor is formed to extend in an auxiliary capacitance portion of the display electrode, and the auxiliary capacitance electrode is formed. A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is connected to the display electrode while partially facing the display electrode.
に一部はみ出して設けられ、前記ソース電極と合わせて
表示電極の周囲を完全に取り囲むことを特徴とする請求
項１記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the auxiliary capacitance electrode is provided so as to partially protrude from the periphery of the display electrode, and completely surrounds the periphery of the display electrode together with the source electrode. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29573093A JPH07146488A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29573093A JPH07146488A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146488A true JPH07146488A (en) | 1995-06-06 |
Family
ID=17824434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29573093A Pending JPH07146488A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07146488A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005091406A (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
| US8451393B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-05-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29573093A patent/JPH07146488A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005091406A (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JP4496741B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-07-07 | カシオ計算機株式会社 | Liquid crystal display |
| US8451393B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-05-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
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