JPH07142828A - Electronic circuit board - Google Patents

Electronic circuit board

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Publication number
JPH07142828A
JPH07142828A JP31133493A JP31133493A JPH07142828A JP H07142828 A JPH07142828 A JP H07142828A JP 31133493 A JP31133493 A JP 31133493A JP 31133493 A JP31133493 A JP 31133493A JP H07142828 A JPH07142828 A JP H07142828A
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JP
Japan
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bismuth
acid
oxyacid
electronic circuit
formula
Prior art date
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Pending
Application number
JP31133493A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomohisa Iinuma
知久 飯沼
Hideki Kato
秀樹 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd filed Critical Toagosei Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To avoid an electromigration phenomenon without deteriorating the electrical characteristics and curability of board material by a method wherein the specific contents of oxo acid salt of bismuth oxyhydroxide compound and antomonic acid are contained in the material of an electronic circuit board. CONSTITUTION:65-80% of oxo acid salt of bismuth oxyhydroxide compound expressed by formula I and 35-20% of antimonic acid expressed by formula II are contained with the total weight of both materials as a reference value (100%). In the formula I, Y<-a> denotes residue of oxyacid other than nitric acid group and (a) denotes the ion value (absolute value) of the oxyacid residue. Further, (x), (y), (p), (q), (r) and (n) satisfy the formula II and following relations: 1<=x, 1<=y, 0<=n, 0.08x<=p<=0.92x, 0.02x<=aq<=0.92x, 0<=r<=0.2x and 3x=2y+p+aq+r. In the formula II, (m) satisfies a relarion 0<=m.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、回路の短絡故障の大き
な要因となっているエレクトロマイグレ−ション現象を
防止する効果が大きい電子回路用基板に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit board having a great effect of preventing an electromigration phenomenon which is a major cause of a short circuit failure of a circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント配線板、LSI回路、圧膜回
路、薄膜回路、コンデンサ等の、種々の電子回路用基
板、電子素子或いは電子部品において、水分の存在下
に、絶縁された金属導体間に電圧が印加されることによ
り、導体を構成している金属がイオン化して、絶縁材料
の表面或いは内部を負の電位にある導体方向に移行し、
負の電位にある導体で金属化合物が析出する現象がしば
しば発生する。この現象は、エレクトロマイグレーショ
ン現象と称されており、これらの部材や装置等の信頼性
を損なう原因の一つとなっており、最近の電子素子や電
子部品の高集積化に伴う配線の細線化、配線間隔の減少
及びスルホ−ルの細孔化等により、発生の頻度が増加す
る傾向にある。
2. Description of the Related Art In various printed circuit boards, LSI circuits, pressure film circuits, thin film circuits, capacitors, and other electronic circuit boards, electronic elements, or electronic parts, between insulated metal conductors in the presence of moisture. When a voltage is applied, the metal forming the conductor is ionized, and the surface or inside of the insulating material moves toward the conductor at a negative potential,
The phenomenon of precipitation of metal compounds often occurs in conductors at a negative potential. This phenomenon is called an electromigration phenomenon, and is one of the causes of impairing the reliability of these members and devices, and the thinning of wiring accompanying the recent high integration of electronic elements and electronic components, The frequency of occurrence tends to increase due to the reduction of the wiring interval, the pore formation of the sulfol, and the like.

【0003】エレクトロマイグレーション現象を示す金
属として、銀、金、銅、スズ、鉛、白金、パラジウム及
びアルミニウム等があり、電子回路の導体として使用さ
れる殆どの金属が該当する。これらの金属は、水分が存
在しかつ電圧が印加された状態でイオン化してマイグレ
ーションするものと、更にそこにハロゲン等の不純物イ
オンが加わることによってマイグレーションするものが
ある。かかるエレクトロマイグレーション現象を防止す
る方法として、従来より次の方法が試みられてきた。 プリント配線板の導体金属のイオン化を防止する。 発生したイオンを還元して移動しないようにする。 発生したイオンを沈澱形成剤で不溶化する。 発生したイオンをキレ−ト剤等やコンプレックス形成
剤で固化する。 電子回路用基板、電子素子或いは電子部品の製造に用
いる材料表面にある水酸基を失活させる。
Metals exhibiting the electromigration phenomenon include silver, gold, copper, tin, lead, platinum, palladium and aluminum, and most of the metals used as conductors of electronic circuits are applicable. Some of these metals ionize and migrate in the presence of water and a voltage is applied, and some of these metals migrate by the addition of impurity ions such as halogen. As a method for preventing such an electromigration phenomenon, the following method has been conventionally tried. Prevents ionization of the conductor metal of the printed wiring board. Generated ions are reduced so that they do not move. The generated ions are insolubilized with a precipitation forming agent. The generated ions are solidified with a chelating agent or a complex forming agent. Deactivates hydroxyl groups on the surface of materials used for manufacturing electronic circuit substrates, electronic elements or electronic components.

【0004】ここで、の方法は、イオン化電位を高く
するために、プリント配線板の導体金属を合金化する方
法であり、例えば電極の銀を銀−パラジウム合金に代え
る方法がある。しかし、充分な効果を得るためにはパラ
ジウムの含有率を高くする必要があり、高価となる欠点
がある。その他、銀、アルミニウム電極に銅を添加する
方法も検討されているが、まだ充分な効果を得るまでに
は至っていない。の方法は、プリント配線板に塗布す
る塗料中にアルデヒド,ハイドロキノン、ピロガロ−
ル、ヒドラジン等を添加する方法であるが、これらの添
加剤は化学的に不安定であり、熱や光で分解し易い欠点
を有している。の方法は、ステアリン酸、オレイン
酸、パルミチン酸等をと同様に添加する方法である
が、近年アルミニウム配線腐食では遊離の有機酸が関与
しているとの報告があり、実装上好ましくない。の方
法は、トリアジン類、ベンジジン、卵アルブミン等のキ
レ−ト形成やコンプレックス形成を行う有機物を添加す
る方法である。しかし、これらの化合物の持つ官能基
は、おおよそ100℃を越えると分解し失活するものが
大部分である。従って、通常の使用条件では問題はない
が、高集積化により内部発熱だけで100℃を越える場
合や、ますます電子化が進むと考えられる自動車等は使
用環境そのものが100℃を越えることも十分予想さ
れ、将来的にキレ−ト形成剤やコンプレックス形成剤を
使用することには限界がある。の方法は、積層板の材
料であるガラス繊維や、塗料に添加するフィラ−として
用いる石英等をシランカップリング剤で処理する方法で
あるが、対策としては部分的なもので、十分とは言えな
い。
Here, the method is a method of alloying the conductive metal of the printed wiring board in order to increase the ionization potential, and there is, for example, a method of replacing silver of the electrode with a silver-palladium alloy. However, in order to obtain a sufficient effect, it is necessary to increase the palladium content, which is expensive. In addition, a method of adding copper to silver and aluminum electrodes has been studied, but a sufficient effect has not been obtained yet. The method is to use aldehyde, hydroquinone, pyrogallo-in the paint applied to the printed wiring board.
However, these additives are chemically unstable and have a drawback that they are easily decomposed by heat or light. This method is a method in which stearic acid, oleic acid, palmitic acid, etc. are added in the same manner as, but in recent years it has been reported that a free organic acid is involved in aluminum wiring corrosion, which is not preferable for mounting. The above method is a method of adding an organic substance such as triazines, benzidine, egg albumin or the like which forms a chelate or a complex. However, most of the functional groups of these compounds are decomposed and deactivated when the temperature exceeds 100 ° C. Therefore, although there is no problem under normal use conditions, it is sufficient that the internal environment will exceed 100 ° C due to internal heat generation due to high integration, or the operating environment itself will exceed 100 ° C for automobiles that are expected to become increasingly electronic. As expected, there are limits to the future use of chelating and complexing agents. Method is a method of treating glass fiber, which is a material of the laminated plate, and quartz used as a filler added to the paint with a silane coupling agent, but it is a partial measure and can be said to be sufficient. Absent.

【0005】エレクトロマイグレーション現象による故
障モ−ドは、水分の存在下で発生する場合 (例えば、
銀、金、鉛等において観察される)と水分及びハロゲン
の存在下で発生する場合 (例えば、金、銀、パラジウ
ム、銅等において観察される)があり、各々の現象は一
般的に次のように進行すると考えられている。 (a)〔水分の存在下で発生するエレクトロマイグレーシ
ョン現象〕 水分の解離 (H2 O→H+ +OH- ) 金属の酸化溶解(陽極)(2M+H2 O→M2 O+H
2 ) 酸化物の解離(移行) (M2 O+H2 O→2MOH
→2M+ +2OH- ) 析出(陰極) (M+ +e- →M) (b)〔水分とハロゲンの存在下で発生するエレクトロマ
イグレーション現象〕 水分の解離 (H2 O→H+ +OH- ) 金属の酸化溶解(陽極)(M+Cl- →MCl+
- ) 金属ハロゲン化物の解離(移行)(MCl→M+ +C
- ) 析出(陰極) (M+ +e- →M) 上記 (a), (b)において、Mが銀等の一価金属である例
を示したが、他の金属も同様なメカニズムを経るものと
推定される。このようにして析出金属が樹枝状となり、
陰極より陽極方向に成長し、ついには短絡して両極間に
電流が流れるようになる。尚、ここで短絡とは両極その
ものが直接接続される場合だけでなく、両極が近接し
て、かつ導電性物質として電荷を持つ担体(イオンや正
孔)が増加しても電流が流れるのでこれも短絡という
〔一般的には300μA程度の電流が流れる(106 Ω
以下の抵抗値となった)場合に短絡という。〕。
The failure mode due to the electromigration phenomenon occurs in the presence of moisture (for example,
(Observed in silver, gold, lead, etc.) and in the presence of moisture and halogen (for example, observed in gold, silver, palladium, copper, etc.). Is believed to progress. (a) [Electromigration phenomenon occurring in the presence of water] Dissociation of water (H 2 O → H + + OH ) Oxidative dissolution of metal (anode) (2M + H 2 O → M 2 O + H
2 ) Dissociation (migration) of oxide (M 2 O + H 2 O → 2MOH
→ 2M + + 2OH -) deposition (cathode) (M + + e - → M) (b) dissociation of water [water and electromigration phenomenon occurs in the presence of halogen] (H 2 O → H + + OH -) of metal oxide dissolution (anode) (M + Cl - → MCl +
e ) Dissociation (migration) of metal halide (MCl → M + + C
l ) Precipitation (cathode) (M + + e → M) In the above (a) and (b), M is a monovalent metal such as silver is shown, but other metals undergo similar mechanism. It is estimated that In this way, the deposited metal becomes dendritic,
It grows from the cathode toward the anode, and eventually short-circuits so that a current flows between both electrodes. It should be noted that the short circuit here is not limited to the case where both electrodes are directly connected, but a current flows even if both electrodes are close to each other and the number of carriers (ions or holes) having a charge as a conductive substance increases. Is also a short circuit [generally a current of about 300 μA flows (10 6 Ω
When the resistance value is below), it is called a short circuit. ].

【0006】本発明者らは、−OH基を有する無機イオ
ン交換体を電子回路用基板に含有させることによってエ
レクトロマイグレーション現象の発生を防止することを
先に提案した(特開昭63−45703)。この方法
は、マイグレーションする金属のイオン化物、例えばA
+ ,Cu+ ,Cu2+,Pb2+,Sn2+,Au3+をOH
基を有する無機陽イオン交換体に捕捉固定して、移行防
止をさせ、更にイオン化を助長するハロゲン原子等の不
純物イオンを、これらに対して高い選択的イオン吸着能
を持つOH基を有する無機陰イオン交換体に捕捉させる
ものである。
The present inventors have previously proposed to prevent the occurrence of the electromigration phenomenon by incorporating an inorganic ion exchanger having an —OH group into a substrate for electronic circuits (Japanese Patent Laid-Open No. 63-45703). . This method involves the migration of an ionic metal ion, such as A
OH for g + , Cu + , Cu 2+ , Pb 2+ , Sn 2+ , Au 3+
Inorganic anion having an OH group that has a high selective ion adsorption capacity for halogen ion and other impurity ions that promotes ionization by immobilizing them on an inorganic cation exchanger having a group to prevent migration and further promote ionization. It is to be captured by the ion exchanger.

【0007】又、本発明者らは、技術分野は異なるが、
下記一般式で表される無機イオン交換体の一種であるオ
キシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物を配合してなる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を提案し、この化合物をエ
ポキシ樹脂に配合することにより、該樹脂組成物の体積
抵抗率を低下させたりせず、又該樹脂組成物の熱水抽出
水電気伝導度を増加させたりすることなく、アルミニウ
ム配線の腐食を阻止し、該樹脂組成物で封止した素子の
耐湿信頼性を向上させ得ることを示した(特開平2−2
94354)。なお、熱水抽出水電気伝導度は、半導体
封止用エポキシ樹脂組成物中のイオン性不純分濃度を示
し、この値が小さい程、封止された半導体のリーク電流
が小さいことを示す。 Bix Oy (OH)p (Y-a)q (NO3 )r ・nH2
O (但し、Y-aは、硝酸基以外のオキシ酸残基を示し、a
は該オキシ酸残基のイオン価(絶対値)を示す。又、
x、y、p、q、r及びnは以下の式を満足する値であ
る。1≦x、1≦y、0≦n、0.08x≦p≦0.9
2x、0.02x≦aq≦0.92x、0≦r≦0.1
x、3x=2y+p+aq+r)
Further, although the present inventors have different technical fields,
By proposing an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which comprises a bismuth oxyhydroxy oxyacid compound, which is one of the inorganic ion exchangers represented by the following general formula, and by compounding this compound with an epoxy resin, The aluminum composition is prevented from corroding and sealed with the resin composition without reducing the volume resistivity of the resin composition or increasing the electrical conductivity of hot water extracted water of the resin composition. It has been shown that the humidity resistance reliability of the stopped device can be improved (JP-A-2-2).
94354). The electric conductivity of hot water extracted water indicates the concentration of ionic impurities in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and the smaller this value is, the smaller the leak current of the encapsulated semiconductor is. Bix Oy (OH) p (Y -a) q (NO 3) r · nH 2
O (however, Y -a represents an oxyacid residue other than a nitrate group,
Indicates the ionic value (absolute value) of the oxyacid residue. or,
x, y, p, q, r and n are values satisfying the following formulas. 1 ≦ x, 1 ≦ y, 0 ≦ n, 0.08x ≦ p ≦ 0.9
2x, 0.02x ≦ aq ≦ 0.92x, 0 ≦ r ≦ 0.1
x, 3x = 2y + p + aq + r)

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、本発明
者らは、−OH基を有する無機イオン交換体を含有させ
た電子回路用基板においてエレクトロマイグレーション
現象の発生を防止し得ることを示したが、その後の検討
により、マイグレーションする金属のイオン化物を捕捉
する能力は有るが、基板材料の電気特性(体積抵抗率
等)を低下させたり、熱水抽出水電気伝導度を増加させ
てしまう場合があり、更には熱硬化性樹脂積層基板に使
用されるエポキシ樹脂等の基板材料の硬化性を阻害する
場合があるという問題点もあった。
As described above, the present inventors have shown that it is possible to prevent the occurrence of electromigration phenomenon in an electronic circuit substrate containing an inorganic ion exchanger having an --OH group. However, as a result of subsequent studies, it has the ability to trap the migrating metal ionized substance, but it will reduce the electrical characteristics (volume resistivity, etc.) of the substrate material and increase the electrical conductivity of hot water extraction water. In some cases, the curability of a substrate material such as an epoxy resin used for a thermosetting resin laminated substrate may be hindered.

【0009】本発明は、上記の問題点を解消し、基板材
料の電気特性及び硬化性を損なうことなく、エレクトロ
マイグレーション現象の発生を防止する電子回路用基板
を提供するものである。
The present invention solves the above problems and provides an electronic circuit substrate which prevents the occurrence of the electromigration phenomenon without impairing the electrical characteristics and curability of the substrate material.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、電子回路
に使用される基板材料に含有させる無機イオン交換体に
ついて、そのエレクトロマイグレーション防止効果、基
板材料の電気特性、基板を構成する熱硬化性材料の硬化
性について詳細に検討した結果、上記の問題点を解消し
た電子回路用基板を得るには、下式〔1〕で示されるオ
キシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物及び下式〔2〕で示
されるアンチモン酸を電子回路用基板に特定の割合で含
有させることが極めて有効であることを見い出し、本発
明を完成するに到った。即ち、本発明は、下式〔1〕で
示されるオキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物及び下式
〔2〕で示されるアンチモン酸を、両者の合計重量を基
準として、前者を65〜80%、後者を35〜20%含
有させることを特徴とする電子回路用基板である。 Bix Oy (OH)p (Y-a)q (NO3 )r ・nH2 O 〔1〕 (但し、Y-aは、硝酸基以外のオキシ酸残基を示し、a
は該オキシ酸残基のイオン価(絶対値)を示す。又、
x、y、p、q、r及びnは以下の式を満足する値であ
る。1≦x、1≦y、0≦n、0.08x≦p≦0.9
2x、0.02x≦aq≦0.92x、0≦r≦0.2
x、3x=2y+p+aq+r) Sb2 5 ・mH2 O 〔2〕 (但し、mは0≦mを満たす数である。)
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have proposed an inorganic ion exchanger to be contained in a substrate material used in an electronic circuit, which has an electromigration preventing effect, electric characteristics of the substrate material, and thermosetting which constitutes the substrate. As a result of a detailed study on the curability of a conductive material, in order to obtain an electronic circuit substrate that solves the above problems, the bismuth oxyhydroxylated oxyacid compound represented by the following formula [1] and the following formula [2] are used. It has been found that it is extremely effective to contain the antimonic acid shown in the electronic circuit substrate in a specific ratio, and the present invention has been completed. That is, the present invention is based on the total weight of the bismuth oxyhydroxy oxyate compound represented by the following formula [1] and the antimonic acid represented by the following formula [2]. Is contained in 35 to 20%. Bix Oy (OH) p (Y -a) q (NO 3) r · nH 2 O (1) (where, Y -a represents an oxy acid residue other than nitric acid radical, a
Indicates the ionic value (absolute value) of the oxyacid residue. or,
x, y, p, q, r and n are values satisfying the following formulas. 1 ≦ x, 1 ≦ y, 0 ≦ n, 0.08x ≦ p ≦ 0.9
2x, 0.02x ≤ aq ≤ 0.92x, 0 ≤ r ≤ 0.2
x, 3x = 2y + p + aq + r) Sb 2 O 5 · mH 2 O [2] (where m is a number satisfying 0 ≦ m).

【0011】以下、本発明を詳細に説明する。 ○オキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物 本発明で用いるオキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物
は、上記一般式〔1〕で表される無機陰イオン交換体で
あり、その一構成単位であるオキシ酸残基(Y)は、硝
酸以外のオキシ酸から水素原子を除いた単位で表され、
硝酸以外のオキシ酸としては、酸素原子を含み水溶液中
で水素イオンを解離して、陰イオン化するものならば、
特に種類は問わない。オキシ酸の好ましい具体例とし
て、例えば炭酸、重炭酸、メタ珪酸、オルト珪酸、メタ
ホウ酸、オルトホウ酸、リン酸又はシュウ酸等のカルボ
ン酸並びにこれらの2種以上を複合させ、又は併用した
ものがある。上記オキシ酸の中で、電子回路用基板に含
有させた時の電気絶縁性等の電気特性が良いことから、
炭酸、重炭酸、メタ珪酸、オルト珪酸、メタホウ酸及び
オルトホウ酸等は好ましいものであり、更に熱水抽出水
電導度が低いことから、特にメタ珪酸及びオルト珪酸は
好ましいものである。
The present invention will be described in detail below. Bismuth oxyhydroxide bismuth oxyacid compound The bismuth oxyhydroxide oxymuth compound used in the present invention is an inorganic anion exchanger represented by the above general formula [1], and an oxyacid residue ( Y) is represented by a unit obtained by removing a hydrogen atom from an oxyacid other than nitric acid,
As an oxyacid other than nitric acid, if it contains oxygen atoms and dissociates hydrogen ions in an aqueous solution to anionize,
The type does not matter. Preferred specific examples of the oxyacid include, for example, carbonic acid, bicarbonate, metasilicic acid, orthosilicic acid, metaboric acid, orthoboric acid, phosphoric acid, carboxylic acid such as oxalic acid, and a compound or a combination of two or more thereof. is there. Among the above oxyacids, because of good electrical properties such as electrical insulation when contained in the electronic circuit substrate,
Carbonic acid, bicarbonate, metasilicic acid, orthosilicic acid, metaboric acid, orthoboric acid and the like are preferable, and further, metasilicic acid and orthosilicic acid are particularly preferable since they have low electric conductivity in hot water extraction.

【0012】前記式〔1〕において、rが大きいと熱水
抽出水電導度が増加し、電気特性が悪化するので、rの
範囲は、0≦r≦0.2xとする。より好ましくは0≦
r≦0.08xの範囲である。また、pが大きくかつa
qが小さすぎるとハロゲンイオン捕捉能が低下し、逆に
pが小さくかつaqが大きすぎると、本発明におけるビ
スマス化合物の体積抵抗率が低下する傾向があるため、
p及びaqの範囲は、0.08x≦p≦0.92x及び
0.02x≦aq≦0.92x、より好ましくは、0.
5x≦p≦0.92x及び0.08x≦aq≦0.5x
の範囲である。
In the above formula [1], when r is large, the conductivity of hot water extraction water is increased and the electric characteristics are deteriorated. Therefore, the range of r is 0 ≦ r ≦ 0.2x. More preferably 0 ≦
The range is r ≦ 0.08x. Also, p is large and a
If q is too small, the halogen ion scavenging ability is lowered. Conversely, if p is too small and aq is too large, the volume resistivity of the bismuth compound in the present invention tends to be lowered.
The ranges of p and aq are 0.08x ≦ p ≦ 0.92x and 0.02x ≦ aq ≦ 0.92x, and more preferably 0.
5x ≦ p ≦ 0.92x and 0.08x ≦ aq ≦ 0.5x
Is the range.

【0013】本発明に用いるオキシ水酸化オキシ酸ビス
マス化合物は、例えば次の方法で容易に製造される。即
ち、硝酸ビスマス水溶液に、水酸化ナトリウム等のアル
カリ水溶液を添加し、オキシ硝酸ビスマスを生成させ
る。ついで、オキシ酸のアルカリ金属塩水溶液を添加
し、硝酸基のうちの目的とする割合をオキシ酸と水酸基
に置換することにより、目的物を得ることができる。
The bismuth oxyhydroxy oxyacid compound used in the present invention can be easily produced, for example, by the following method. That is, an aqueous alkali solution such as sodium hydroxide is added to the aqueous bismuth nitrate solution to generate bismuth oxynitrate. Then, the target product can be obtained by adding an aqueous solution of an alkali metal salt of oxyacid and substituting a target ratio of the nitric acid group with the oxyacid and the hydroxyl group.

【0014】○アンチモン酸 本発明におけるアンチモン酸は下記一般式〔2〕で表さ
れる無機陽イオン交換体であり、各種の製造方法が知ら
れている公知の化合物である。 Sb2 5 ・mH2 O 〔2〕 (但し、mは0≦mを満たす数である。)尚、本発明に
おいて、電子回路用基板材料に高い熱水安定性を発揮さ
せるには、空間群Fd3m の結晶構造をとる結晶性アンチ
モン酸を使用することがより望ましい。
Antimonic Acid Antimonic acid in the present invention is an inorganic cation exchanger represented by the following general formula [2], and is a known compound for which various production methods are known. Sb 2 O 5 · mH 2 O [2] (where m is a number satisfying 0 ≦ m) In the present invention, in order to exert high hydrothermal stability on the substrate material for electronic circuits, space is required. It is more desirable to use crystalline antimonic acid having the crystal structure of group Fd3m.

【0015】○オキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物と
アンチモン酸の配合割合 本発明において、オキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物
〔1〕とアンチモン酸〔2〕の配合比は、〔1〕と
〔2〕の合計重量を基準として、〔1〕が65〜80
%、〔2〕が35〜20%である必要があり、好ましく
は〔1〕が68〜75%、〔2〕が32〜25%の割合
であるように制御されるべきである。〔2〕が35%よ
り多い(〔1〕が65%より少ない)場合、アンチモン
酸がイオン伝導性を有する固体電解質であることによ
り、そのもの自身の体積抵抗率が非常に低いことから、
電子回路用基板の電気絶縁性等の電気特性を損なう。ま
た、アンチモン酸は、酸としての作用が強いので、電子
回路基板材料で使用される熱硬化性樹脂の硬化性を阻害
するという弊害も生じる。
Compounding ratio of bismuth oxyhydroxy oxyacid compound and antimonic acid In the present invention, the compounding ratio of the bismuth oxyhydroxy oxyacid compound [1] and antimonic acid [2] is [1] and [2]. [1] is 65-80 based on the total weight
%, [2] should be 35 to 20%, preferably [1] should be 68 to 75%, and [2] should be 32 to 25%. When [2] is more than 35% ([1] is less than 65%), since antimonic acid is a solid electrolyte having ion conductivity, the volume resistivity of itself is very low.
It impairs electrical properties such as electrical insulation of the electronic circuit board. In addition, since antimonic acid has a strong action as an acid, it also has an adverse effect of impairing the curability of the thermosetting resin used in the electronic circuit board material.

【0016】一方、〔2〕が20%より少ない(〔1〕
が80%より多い)場合は、導体金属のイオン化物を捕
捉する能力が低下し、十分なエレクトロマイグレーショ
ン防止効果を発揮することができないという問題があ
る。
On the other hand, [2] is less than 20% ([1]
Is more than 80%), there is a problem that the ability to capture the ionized substance of the conductor metal is lowered, and a sufficient effect of preventing electromigration cannot be exhibited.

【0017】○電子回路用基板材料 本発明において、オキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物
とアンチモン酸を含有させる対象である電子回路用基板
としては、プリント配線板用の基板やハイブリッドIC
用の基板として、電子材料分野で用いられている通常の
ものでよく、例えば熱硬化性樹脂積層基板(紙−エポキ
シ樹脂、紙−フェノ−ル樹脂、ガラス−エポキシ樹脂、
不織布−フェノール樹脂、不織布−エポキシ樹脂等)、
セラミック基板(アルミナ、炭化珪素等)、熱可塑性樹
脂基板(ポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルファイ
ド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂等)、その他高周
波特性が要求されるポリオレフィン系樹脂基板、フッ素
樹脂系基板や耐熱性が要求されるポリイミド樹脂基板、
変成ポリイミド樹脂積層板、トリアジン樹脂基板、放熱
性が要求されるメタルコアプリント基板及びこれらの多
層板等がある。本発明における無機イオン交換体をこれ
らに添加させる方法は一般的な方法で良く、例えば基板
構成樹脂への分散、基板構成基質としての紙への含浸、
ガラス布等への塗布、銅張り用接着剤への分散及ぴ塗料
化し基板表面への塗布等が挙げられる。
Electronic Circuit Board Material In the present invention, the electronic circuit board to which the bismuth oxyhydroxyoxyacid oxy compound and antimonic acid are contained is a board for a printed wiring board or a hybrid IC.
The substrate for use may be an ordinary one used in the field of electronic materials, for example, a thermosetting resin laminated substrate (paper-epoxy resin, paper-phenol resin, glass-epoxy resin,
Non-woven fabric-phenolic resin, non-woven fabric-epoxy resin, etc.),
Ceramic substrates (alumina, silicon carbide, etc.), thermoplastic resin substrates (polyester resin, polyphenylene sulfide resin, polyether sulfone resin, etc.), other polyolefin resin substrates, fluororesin substrates and heat resistance that require high frequency characteristics Polyimide resin substrate,
Examples include modified polyimide resin laminated boards, triazine resin boards, metal core printed boards requiring heat dissipation, and multilayer boards of these. The method of adding the inorganic ion exchanger in the present invention may be a general method, for example, dispersion in the resin constituting the substrate, impregnation of paper as a substrate constituting the substrate,
Examples thereof include coating on a glass cloth or the like, dispersion in a copper-clad adhesive, and coating on a substrate surface.

【0018】○電子回路用基板に無機イオン交換体を含
有させる方法 オキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物とアンチモン酸
は、上記の特定の比率で配合すれば、これらの無機イオ
ン交換体を電子回路用の基板に含有させる量は特に限定
されないが、電子回路用基板の構成樹脂分に対して0.
1〜25重量%(以下単に%と略記する)が好ましく、
より好ましくは、0.1〜l0%である。又、電子回路
用基板と電極となる金属薄膜とを接着する接着剤に含有
させる場合には、接着剤に対して、0.1〜15%が好
ましく、より好ましくは0.1〜l0%である.
Method of Incorporating Inorganic Ion Exchanger in Electronic Circuit Substrate If the bismuth oxyhydroxyoxyoxy compound and antimonic acid are blended in the above specific ratios, these inorganic ion exchangers for electronic circuits can be used. The amount contained in the substrate is not particularly limited, but is 0.
1 to 25% by weight (hereinafter simply referred to as%) is preferable,
More preferably, it is 0.1 to 10%. When the adhesive for adhering the electronic circuit substrate and the metal thin film to be the electrode is contained, the content of the adhesive is preferably 0.1 to 15%, more preferably 0.1 to 10%. is there.

【0019】無機イオン交換体の粒度は、イオン捕捉速
度や目的とする捕捉イオンとの接触する確率を大きくす
るために細かい方が望ましく、好ましい平均拉度はl0
μm以下であり、より好ましくは5μm以下である。
It is desirable that the particle size of the inorganic ion exchanger is small in order to increase the ion trapping speed and the probability of contact with the target trapped ions, and the preferable average particle diameter is 10
It is at most 5 μm, more preferably at most 5 μm.

【0020】[0020]

【作用】上記のように本発明の電子回路用基板に含有さ
せたオキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物とアンチモン
酸の働きは、基板材料の絶縁抵抗等の電気特性を損なう
ことなく、下記の作用を発現させることである。 マイグレーションする金属のイオン化物を捕捉固定し
移行させない作用。 イオン化を助長するハロゲン原子等の不純物イオンを
捕捉固定し、失活させる作用。 本発明者らは、特開昭63−45703に提案した電子
回路用基板の開発においては、金属のイオン化物を捕捉
固定するための無機陽イオン交換体を主成分とする場合
にエレクトロマイグレーション現象を防止する良好な結
果が得られるものと考えていたが、上記のように、金属
のイオン化物を捕捉固定する作用を担う無機陽イオン交
換体としてアンチモン酸を用い、且つハロゲン原子等の
不純物イオンを捕捉固定する無機陰イオン交換体として
オキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物を用いると、無機
陽イオン交換体が35〜20%と少なく、無機陰イオン
交換体が65〜80%と多い割合で無機イオン交換体を
含有する電子回路用基板において、十分なマイグレーシ
ョン防止効果を発揮し得ることは誠に驚くべきことであ
る。
The functions of the bismuth oxyhydroxy oxyacid compound and antimonic acid contained in the electronic circuit substrate of the present invention as described above have the following effects without impairing the electrical characteristics such as the insulation resistance of the substrate material. It is to express. An action that captures and fixes the ionized metal ion to prevent migration. The function of capturing and fixing impurity ions such as halogen atoms that promote ionization and deactivating them. In the development of the electronic circuit substrate proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-45703, the present inventors have proposed an electromigration phenomenon when an inorganic cation exchanger for trapping and fixing an ionized metal is used as a main component. It was thought that good results could be obtained, but as described above, antimonic acid was used as the inorganic cation exchanger that plays a role of capturing and fixing the metal ionized product, and impurity ions such as halogen atoms When a bismuth oxyhydroxyoxyoxy compound is used as the inorganic anion exchanger to be trapped and fixed, the inorganic cation exchanger is as small as 35 to 20%, and the inorganic anion exchanger is as much as 65 to 80%. It is truly surprising that the body-containing electronic circuit substrate can exert a sufficient migration preventing effect.

【0021】[0021]

【実施例及び比較例】以下、実施例及び比較例を挙げて
本発明をさらに具体的に説明する。先ず、各種のオキシ
水酸化オキシ酸ビスマス化合物を以下のようして得た。 〔参考例1〕硝酸ビスマス5水和物〔Bi(NO3 3
・5H2 O〕水溶液〔Bi(NO3)3 ・5H2 O換算
51.1%、フリ−の硝酸5.2%を含有〕285g
に、15%NaOH溶液33.3gを定量ポンプを用い
て15ml/minの速度で反応温度を25℃に保ちな
がら添加した。生成したスラリ−を3等分(A,B,C
と称する)し、Aについては15%Na2 SiO3 ・9
2 O水溶液を377.3g、Bについては同水溶液を
566g及びCについては同水溶液の754gを定量ポ
ンプを用いて10ml/minの速度で添加した。添加
終了後、それぞれ30分間攪拌した後、No.2濾紙で
濾過をし、蒸留水で洗浄した。これを箱型乾燥器内に入
れ、110℃で15時間乾燥させた。次いで卓上粉砕器
で粉砕し、以下のビスマス化合物A〜Cを得た。 ビスマス化合物A:Bi6O6(OH)3.9(NO3)0.89(HSiO3)1.21
・0.98H2O ビスマス化合物B:Bi6O6(OH)4.9(NO3)0.38(HSiO3)0.72
・0.97H2O ビスマス化合物C:Bi6O6(OH)5.2(NO3)0.23(HSiO3)0.53
・0.98H2O
EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. First, various bismuth oxyhydroxyoxyoxy compounds were obtained as follows. [Reference Example 1] Bismuth nitrate pentahydrate [Bi (NO 3 ) 3
.5H 2 O] aqueous solution [Bi (NO 3 ) 3 .5H 2 O conversion 51.1%, containing 5.2% free nitric acid] 285 g
Then, 33.3 g of 15% NaOH solution was added at a rate of 15 ml / min using a metering pump while maintaining the reaction temperature at 25 ° C. The slurry generated is divided into three equal parts (A, B, C
15% Na 2 SiO 3 · 9 for A
377.3 g of H 2 O aqueous solution, 566 g of the same aqueous solution for B and 754 g of the same aqueous solution for C were added at a rate of 10 ml / min using a metering pump. After the addition was completed, each was stirred for 30 minutes, and then No. 2 Filtered with filter paper and washed with distilled water. This was placed in a box dryer and dried at 110 ° C. for 15 hours. Then, it was crushed with a table crusher to obtain the following bismuth compounds A to C. Bismuth compounds A:... Bi 6 O 6 (OH) 3 9 (NO 3) 0 89 (HSiO 3) 1 21
· 0.98H 2 O bismuth compound B:... Bi 6 O 6 (OH) 4 9 (NO 3) 0 38 (HSiO 3) 0 72
· 0.97H 2 O bismuth compound C:... Bi 6 O 6 (OH) 5 2 (NO 3) 0 23 (HSiO 3) 0 53
・ 0.98H 2 O

【0022】〔参考例2〕参考例1で使用したものと同
じ硝酸ビスマス5水和物水溶液760gに、15%Na
OH溶液814.4gを定量ポンプを用いて20ml/
minの速度で反応温度を25℃に保ちながら添加し
た。生成したスラリ−を4等分(D,E,F,Gと称す
る)し、D及びEについてはスラリ−に蒸留水を入れ、
デカンテ−ションを3回行った。デカンテ−ション終了
後、Dについては1N−NaHCO3水溶液41.0
g、Eについては同じく52.8gを添加し常温で一晩
攪拌した。F,Gについては、デカンテ−ションを行わ
ず、NaOH水溶液の添加終了後、引き続き1N−Na
HCO3 水溶液をそれぞれ41.0g及び52.8gを
添加し常温で一晩攪拌した。それぞれについて攪拌終了
後、No.2濾紙で濾過をし、蒸留水で洗浄した。これ
を箱型乾燥器内に入れ、110℃で15時間乾燥させ
た。次いで卓上粉砕器で粉砕し、以下のビスマス化合物
D〜Gを得た。 ビスマス化合物D:Bi6O6(OH)3.10(NO3)0.25(HCO3)2.65
・0.68H2O ビスマス化合物E:Bi6O6(OH)3.00(HCO3)3.00 ・0.76H2O ビスマス化合物F:Bi6O6(OH)3.62(NO3)0.68(HCO3)1.70
・0.74H2O ビスマス化合物G:Bi6O6(OH)3.13(NO3)0.52(HCO3)2.35
・0.62H2O
[Reference Example 2] 15% Na was added to 760 g of the same aqueous solution of bismuth nitrate pentahydrate as used in Reference Example 1.
204.4 ml of 814.4 g of OH solution was measured using a metering pump.
It was added at a rate of min while maintaining the reaction temperature at 25 ° C. The produced slurry is divided into four equal parts (referred to as D, E, F, G), and for D and E, distilled water is added to the slurry,
Decantation was performed 3 times. After decantation, for D, 1N-NaHCO 3 aqueous solution 41.0
Similarly, for g and E, 52.8 g was added and the mixture was stirred overnight at room temperature. For F and G, decantation was not performed, and after the addition of the NaOH aqueous solution was completed, 1N-Na was continuously added.
Was stirred overnight at HCO 3 solution was added 41.0g and 52.8g, respectively cold. After completion of stirring for each, No. 2 Filtered with filter paper and washed with distilled water. This was placed in a box dryer and dried at 110 ° C. for 15 hours. Then, it was crushed with a table crusher to obtain the following bismuth compounds D to G. Bismuth compounds D:... Bi 6 O 6 (OH) 3 10 (NO 3) 0 25 (HCO 3) 2 65
· 0.68H 2 O bismuth compound E:. Bi 6 O 6 ( OH) 3 00 (HCO 3) 3 00 · 0.76H 2 O bismuth compound F:.. Bi 6 O 6 (OH) 3 62 (NO 3) 0 . 68 (HCO 3) 1. 70
· 0.74H 2 O bismuth compound G:... Bi 6 O 6 (OH) 3 13 (NO 3) 0 52 (HCO 3) 2 35
・ 0.62H 2 O

【0023】〔参考例3〕参考例2において、NaHC
3 水溶液の代わりに、1N−NaBO2 ・4H2 O水
溶液52.8gを用いた以外は、参考例2のGと同じ方
法で下記の組成のビスマス化合物Hを得た。 ビスマス化合物H:Bi6O6(OH)5.3(H2BO3)0.7・0.9H2O
Reference Example 3 In Reference Example 2, NaHC
O 3 in place of the aqueous solution, except for using 1N-NaBO 2 · 4H 2 O aqueous solution 52.8 g, to obtain a bismuth compound H having the following composition in the same manner as G in Reference Example 2. Bismuth compounds H:.. Bi 6 O 6 (OH) 5 3 (H 2 BO 3) 0 7 · 0.9H 2 O

【0024】〔実施例1〜5及び比較例1〜7〕上記参
考例1〜3で得たオキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物
〔下記表1及び表2における(イ)の成分〕とアンチモ
ン酸〔組成式はSb2 5 ・2H2 Oであり、下記表1
及び表2における(ロ)の成分である〕を、下記表1及
び表2に示した重量割合で混合した粉末を用いて、下記
に評価方法を示した各種の測定を行った。その結果を、
下記表1及び表2に示す。・熱水抽出テスト:粉末1.
0gと純水100mlを250mlのポリエチレン 製瓶に入れて、95℃15時間放置後、濾過し、濾液の
電気電導度(単位:μS/cm)を測定した。 ・体積抵抗率:粉末を錠剤成型器によりペレット(13
mmφ×2mmt )に成型し(400kg/cm2 で1
分間加圧)、銀ペーストを塗布し、電極を作成後、高絶
縁抵抗測定器により測定した。 なお、試験に使用したオキシ水酸化オキシ酸ビスマス化
合物は以下の通りである。 :参考例1のビスマス化合物C :参考例2のビスマス化合物D :参考例3のビスマス化合物H :Bi6O6(OH)4.2(NO3)1.8・0.9H2O
[Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 7] Bismuth oxyhydroxy oxyacid compounds obtained in Reference Examples 1 to 3 [component (a) in Tables 1 and 2 below] and antimonic acid [ The composition formula is Sb 2 O 5 .2H 2 O, and Table 1 below.
And the component (ii) in Table 2] were mixed at the weight ratios shown in Tables 1 and 2 below, and various measurements shown below in the evaluation methods were performed. The result is
The results are shown in Tables 1 and 2 below.・ Hot water extraction test: powder 1.
0 g and 100 ml of pure water were put in a 250 ml polyethylene bottle, left at 95 ° C. for 15 hours and then filtered, and the electric conductivity (unit: μS / cm) of the filtrate was measured.・ Volume resistivity: Pellets (13
mmφ × 2 mm t ) (1 at 400 kg / cm 2
After pressurizing for a minute), a silver paste was applied, an electrode was formed, and then measured with a high insulation resistance measuring device. The bismuth oxyhydroxy oxyacid compounds used in the test are as follows. : Bismuth compound of Reference Example 1 C: bismuth compound of Reference Example 2 D: bismuth compound of Reference Example 3 H:.. Bi 6 O 6 (OH) 4 2 (NO 3) 1 8 · 0.9H 2 O

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】[0026]

【表2】 [Table 2]

【0027】実施例1〜5の結果より、オキシ水酸化オ
キシ酸ビスマス化合物とアンチモン酸を、本発明におけ
る特定の比率で配合した場合には、熱水抽出水電導度が
低く、粉末の体積抵抗率が高いことから、これを電子回
路基板等に含有させても電気絶縁性等の電気特性を損わ
ないことが示唆されている。これに対し比較例1〜8に
おいては、熱水抽出水電導度が高く粉末の体積抵抗率が
小さいので、これらの粉末を含有した電子回路基板材料
は、電気特性、特に電気絶縁性が悪いことが示唆されて
いる。
From the results of Examples 1 to 5, when the bismuth oxyhydroxy oxyacid compound and antimonic acid were blended in a specific ratio in the present invention, the hot water extraction water conductivity was low and the volume resistance of the powder was low. Since the rate is high, it has been suggested that inclusion of this in an electronic circuit board or the like does not impair electrical properties such as electrical insulation. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 8, the electric conductivity of hot water extraction is high and the volume resistivity of the powder is small, so that the electronic circuit board materials containing these powders have poor electrical characteristics, particularly electrical insulation. Is suggested.

【0028】〔実施例6〜9、比較例9〕実施例1で用
いたオキシ水酸化オキシ酸ビスマス化合物とアンチモン
酸からなる無機イオン交換体(以下、単に無機イオン交
換体という)をフエノール樹脂l00重量部(以下、単
に部と略称する)に対して、0,1,5,l0又は20
部混合して、樹脂液5種を得た。これらの樹脂液を、そ
れぞれ個々に、予めデシケーター内で乾操しておいたク
ラフト紙(株式会社巴川製紙所製NKP−150)に含
浸させた。無機イオン交換体の含有比率が同じ樹脂液を
含浸させたもの同士を6枚重ね合わせて、120℃で加
熟プレスすることにより、紙と樹脂の体積百分率が6
0:40で、厚み約1.66mmの紙−フエノール樹脂
積層基板5種類を得た。これとは別に、銀粉末l00
部、レゾ−ル型フェノール樹脂43部及び溶剤(ブチル
カルビトール)40部を加え合わせ、3本ロ−ルで10
分間混練りし、銀ペ−ストを用意した。このペーストを
スクリーン印刷法にて、先に用意した5種類の積層基板
に塗布し、180℃で1時間加熱硬化させることによ
り、第1図に示すような2つの向かい合う櫛形をしたプ
リント配線された導体(電極)を形成した。第1図に示
すようにこの電極間の最短距離はいずれも1mmであ
り、厚みは約20μmである。エレクトロマイグレーシ
ョン現象の発生を防止する効果を評価するため、第1図
に示すこの2つの櫛形電極間にl00Vの直流電圧を印
加すると共に、40℃、95%RHに保ち、電極間の絶
縁抵抗値がl06 Ω以下となつた時間を短絡に到った時
間として測定した。その結果を表3に示す。
[Examples 6 to 9 and Comparative Example 9] The inorganic ion exchanger (hereinafter, simply referred to as inorganic ion exchanger) composed of the bismuth oxyhydroxyoxyacid compound and antimonic acid used in Example 1 was used as a phenol resin 100. 0, 1, 5, 10 or 20 with respect to parts by weight (hereinafter simply referred to as parts)
Partial mixing was performed to obtain 5 kinds of resin liquid. These resin solutions were individually impregnated into kraft paper (NKP-150 manufactured by Tomoegawa Paper Co., Ltd.) which had been dried in a desiccator in advance. By stacking 6 sheets impregnated with a resin liquid having the same content ratio of the inorganic ion exchanger and pressurizing at 120 ° C., the volume percentage of paper and resin is 6%.
At 0:40, five types of paper-phenol resin laminated substrates having a thickness of about 1.66 mm were obtained. Separately, silver powder 100
Part, 43 parts of a resole type phenolic resin and 40 parts of a solvent (butyl carbitol) are added together, and 3 rolls make 10
After kneading for a minute, a silver paste was prepared. This paste was applied by screen printing to the previously prepared five types of laminated substrates and heat-cured at 180 ° C. for 1 hour to form two facing comb-shaped printed wirings as shown in FIG. A conductor (electrode) was formed. As shown in FIG. 1, the shortest distance between the electrodes is 1 mm and the thickness is about 20 μm. In order to evaluate the effect of preventing the occurrence of the electromigration phenomenon, a DC voltage of 100 V was applied between the two comb-shaped electrodes shown in FIG. 1, and the insulation resistance value between the electrodes was maintained at 40 ° C. and 95% RH. There was measured as the time which led to short-circuit the l0 6 Ω or less and the summer was time. The results are shown in Table 3.

【0029】[0029]

【表3】 [Table 3]

【0030】〔実施例10〜14、比較例10〕実施例
1で用いた無機イオン交換体をJISK6915−PM
−EG材に相当するフエノール樹脂l00部に対して、
0,0.5,1,5,l0又は25部混合して、樹脂液
6種を得た。これらを各々個々に20mm×20mm×
2mmの形伏に165℃、300kg/cm2 、120
秒の条件でトランスフアー成型し、6種の基板を得た。
これら6種の基板に、実施例6と同じ銀ペーストを用
い、実施例6と同じ条件でプリント配線された導体(電
極)を作成した。この電極間にl00Vの直流電圧を印
加すると共に、85℃、95%RHに保ち、実施例6と
同様にして短絡に到った時間を測定した。その結果を表
4に示す。
[Examples 10 to 14 and Comparative Example 10] The inorganic ion exchanger used in Example 1 was JIS K6915-PM.
-For 100 parts of phenol resin corresponding to EG material,
Six kinds of resin liquids were obtained by mixing 0, 0.5, 1, 5, 10, or 25 parts. Each of these individually 20mm × 20mm ×
165 ℃, 300kg / cm 2 , 120 for 2mm contour
Transfer molding was performed under the condition of seconds to obtain 6 types of substrates.
The same silver paste as in Example 6 was used for these six types of substrates, and conductors (electrodes) printed with the same conditions as in Example 6 were prepared. A DC voltage of 100 V was applied between the electrodes, the temperature was kept at 85 ° C. and 95% RH, and the time to the short circuit was measured in the same manner as in Example 6. The results are shown in Table 4.

【0031】[0031]

【表4】 [Table 4]

【0032】〔実施例15〜18、比較例11〜12〕
レゾール型フェノール樹脂43部、銅粉末100部及び
溶剤(ブチルカルビトール)40部を加え合わせ、三本
ロールでl0分間混練し、銅ペーストを用意した。この
銅ペーストを実施例6,7,11,12及び比較例9,
10で使用した基板(下記表5において、括弧付きの実
施例No. 又は比較例No. により基板の種類を示した)
に、実施例6と同じ条件でスクリーン印刷を行い、プリ
ント配線された導体(電極)を作成した。この電極間に
500Vの直流電圧を印加すると共に、95℃、90%
RHに保ち、実施例6と同様にして短絡に到った時間を
測定した。その結果を表5に示す。
[Examples 15-18, Comparative Examples 11-12]
43 parts of a resol-type phenol resin, 100 parts of copper powder and 40 parts of a solvent (butyl carbitol) were added and kneaded with a three-roll for 10 minutes to prepare a copper paste. This copper paste was used in Examples 6, 7, 11, and 12 and Comparative Example 9,
Substrate used in No. 10 (In Table 5, the type of substrate is shown by Example No. or Comparative Example No. in parentheses)
Then, screen printing was performed under the same conditions as in Example 6 to prepare a printed wiring conductor (electrode). A DC voltage of 500 V is applied between these electrodes, and at 95 ° C, 90%
The time at which a short circuit was reached was measured in the same manner as in Example 6 while maintaining RH. The results are shown in Table 5.

【0033】[0033]

【表5】 [Table 5]

【0034】〔実施例19,20、比較例13〕実施例
1で用いた無機イオン交換体を、エポキシ当量450〜
500のビスフエノールA型エポキシ樹脂100部に対
して、0,1又は5部添加し、更にエポキシ硬化剤とし
てジシアンジアミド4部、反応促進剤としてベンジルジ
メチルアミン0.4部、溶剤(メチルエチルケトン)6
0部をそれぞれ加え、撹件混合して3種類の含浸用樹脂
ワニスを作製した。次に厚さ0.2mmの低アルカリ電
気用ガラス布に先に作製した樹脂ワニスを含浸させた。
この後、160℃で5分間乾操しプリプレグを作製し
た。これらプリプレグを50mm×50mmの寸法にカ
ツトし、無機イオン交換体の含有比率が同じもの同士を
6枚重ね合わせて、初期条件が30kg/cm2 、16
0℃ 、15分、その後70kg/cm2 、165℃
、1時間加熱プレスすることにより、樹脂とガラス布
基材の体積分率50:50、厚み約1.6mmの積層板
3種類を得た。これら3種類の積層板に、銀ペースト
(藤倉化成株式会社製ド−タイトXA208)を用い、
実施例6と同じ方法でスクリ−ン印刷を行い、130℃
で1時間加熱硬化させ、第1図と同じパターンのプリン
ト配線された導体(電極)を形成した。第1図に示すよ
うに電極間の最短距離はいずれも1mmで厚みは約20
μである。この電極間に100Vの直流電圧を印加する
と共に、40℃、95%RHに保ち、実施例6と同様に
して短絡に到った時間を測定した。その結果を表6に示
す。
[Examples 19 and 20, Comparative Example 13] The inorganic ion exchanger used in Example 1 was prepared with epoxy equivalent of 450-
To 100 parts of 500 bisphenol A type epoxy resin, 0, 1 or 5 parts was added, and further 4 parts of dicyandiamide as an epoxy curing agent, 0.4 parts of benzyldimethylamine as a reaction accelerator, and a solvent (methyl ethyl ketone) 6
Three parts of resin varnish for impregnation were prepared by adding 0 parts of each and stirring and mixing. Next, a 0.2 mm-thick low-alkali glass cloth for electrical use was impregnated with the resin varnish prepared above.
Then, it was dried at 160 ° C. for 5 minutes to prepare a prepreg. These prepregs were cut into a size of 50 mm x 50 mm, and six sheets having the same content ratio of the inorganic ion exchangers were stacked, and the initial condition was 30 kg / cm 2 , 16
0 ℃, 15 minutes, then 70kg / cm 2 , 165 ℃
By hot pressing for 1 hour, three kinds of laminated plates having a volume fraction of the resin and the glass cloth substrate of 50:50 and a thickness of about 1.6 mm were obtained. Silver paste (Dotite XA208 manufactured by Fujikura Kasei Co., Ltd.) was used for these three types of laminated plates,
Screen printing was carried out in the same manner as in Example 6, and the temperature was 130 ° C.
And was cured by heating for 1 hour to form a printed wiring conductor (electrode) having the same pattern as in FIG. As shown in FIG. 1, the shortest distance between the electrodes is 1 mm and the thickness is about 20 mm.
is μ. A DC voltage of 100 V was applied between the electrodes, the temperature was kept at 40 ° C. and 95% RH, and the time to reach a short circuit was measured in the same manner as in Example 6. The results are shown in Table 6.

【0035】[0035]

【表6】 [Table 6]

【0036】〔実施例21〜22、比較例14〕実施例
1で用いた無機イオン交換体を、コロネートAPステー
ブル(日本ポリウレタン株式会社製)1.5部、キュア
ゾール2PZCM(四国化成株式会社製)1.5部、ポ
リビニールホルマール樹脂(残存水酸基17%、重合度
1200)62部、ビスフエノールA型エポキシ樹脂
(エポキシ当量450〜500)35部及び溶剤(メチ
ルエチルケトン)500部からなる銅張積層板用銅張接
着剤に添加して無機イオン交換体入り接着剤を調製し
た。これらの接着剤を0.035mmの銅箔に塗布し、
乾操した。JISK6912−PL−PEM−Pの紙基
材フェノール樹脂積層板(厚さ1.6mm)と上述の銅
箔を加熱プレス法にて接着し、銅張り積層板3種を得
た。この積層板の銅面に市販のエッチングレジストをコ
ートし、塩化鉄溶液でエッチングをし、第1図と同じパ
ターンのプリント配線された導体(電極)を形成した。
この電極間に500Vの直流電圧を印加すると共に、9
5℃、90%RHに保ち、実施例6と同様にして短絡に
到った時間を測定した。その結果を表7に示す。
[Examples 21 to 22 and Comparative Example 14] The inorganic ion exchanger used in Example 1 was prepared by using 1.5 parts of Coronate AP Stable (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and Curesol 2PZCM (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.). ) 1.5 parts, 62 parts of polyvinyl formal resin (residual hydroxyl group 17%, polymerization degree of 1200) 62 parts, bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 450-500) 35 parts and solvent (methyl ethyl ketone) 500 parts copper clad laminate An adhesive containing an inorganic ion exchanger was prepared by adding it to the copper clad adhesive for plates. Apply these adhesives to 0.035mm copper foil,
I did a dry operation. JISK6912-PL-PEM-P paper-based phenol resin laminate (thickness: 1.6 mm) and the above-mentioned copper foil were adhered by a hot press method to obtain three types of copper-clad laminate. A commercially available etching resist was coated on the copper surface of this laminate and etched with an iron chloride solution to form a printed wiring conductor (electrode) having the same pattern as in FIG.
Applying a DC voltage of 500 V between these electrodes,
The time to reach a short circuit was measured in the same manner as in Example 6 while maintaining the temperature at 5 ° C. and 90% RH. The results are shown in Table 7.

【0037】[0037]

【表7】 [Table 7]

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明の電子回路板用基板を用いると、
電子回路板用基板の電気特性を損なうことなく、電子回
路用基板の短絡や、基板に搭載する電子部品や電子素子
の故障の原因として問題になっているエレクトロマイグ
レーション現象を防止することができる。
When the electronic circuit board substrate of the present invention is used,
It is possible to prevent a short circuit of the electronic circuit board and an electromigration phenomenon which is a problem as a cause of failure of electronic components and electronic elements mounted on the board without impairing the electrical characteristics of the electronic circuit board.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この図は、本発明の実施例で用いたプリント配
線された導体(電極)のパタ−ンである。ここで電極間
の最短距雑はいづれも1mmである。 A,B……外部電源に接続するための端子部分(A,B
は何れかが+で、もう一方が−である。)
FIG. 1 is a pattern of printed wiring conductors (electrodes) used in an embodiment of the present invention. Here, the shortest distance between the electrodes is 1 mm in each case. A, B ...... Terminal parts (A, B) for connecting to an external power supply
Is + for one and-for the other. )

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下式〔1〕で示されるオキシ水酸化オキシ
酸ビスマス化合物及び下式〔2〕で示されるアンチモン
酸を、両者の合計重量を基準として、前者が65〜80
%で、後者が35〜20%である割合で含有することを
特徴とする電子回路用基板。 Bix Oy (OH)p (Y)q (NO3 )r ・nH2 O 〔1〕 (但し、Yは、硝酸基以外のイオン価がaであるオキシ
酸残基を示す。又、x、y、p、q、r及びnは以下の
式を満足する値である。1≦x、1≦y、0≦n、0.
08x≦p≦0.92x、0.02x≦aq≦0.92
x、0≦r≦0.2x、3x=2y+p+aq+r) Sb2 5 ・mH2 O 〔2〕 (但し、mは0≦mを満たす数である。)
1. A bismuth oxyhydroxy oxyacid compound represented by the following formula [1] and an antimonic acid represented by the following formula [2] are used, the former of which is 65 to 80 based on the total weight of both.
%, The latter is contained in a proportion of 35 to 20%. Bix Oy (OH) p (Y) q (NO 3 ) r · nH 2 O [1] (wherein Y represents an oxyacid residue having an ionic valency a other than the nitrate group. Also, x, y , P, q, r and n are values satisfying the following formulas: 1 ≦ x, 1 ≦ y, 0 ≦ n, 0.
08x ≦ p ≦ 0.92x, 0.02x ≦ aq ≦ 0.92
x, 0 ≦ r ≦ 0.2x, 3x = 2y + p + aq + r) Sb 2 O 5 · mH 2 O [2] (where m is a number satisfying 0 ≦ m).
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10126028A (en) * 1996-10-22 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed board
JP2008218579A (en) * 2007-03-01 2008-09-18 Denki Kagaku Kogyo Kk Metal base circuit board

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