JPH07135150A - Organic substance eliminating method and organic substance eliminating equipment - Google Patents
Organic substance eliminating method and organic substance eliminating equipmentInfo
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- JPH07135150A JPH07135150A JP15919293A JP15919293A JPH07135150A JP H07135150 A JPH07135150 A JP H07135150A JP 15919293 A JP15919293 A JP 15919293A JP 15919293 A JP15919293 A JP 15919293A JP H07135150 A JPH07135150 A JP H07135150A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、オゾンの作用により基
板表面の有機物の除去や基板表面の洗浄を行う有機物除
去方法及びそれを行うための有機物除去装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic substance removing method for removing organic substances on a substrate surface and cleaning the substrate surface by the action of ozone, and an organic substance removing apparatus for performing the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】基板表面の有機物の除去や基板表面の洗
浄処理は、半導体装置の製造、光学部品や液晶用ガラス
の洗浄等に用いられている。例えば、半導体装置の製造
工程で使用されるレジストを基板上から除去するため
に、オゾンと紫外線の作用によってレジストのアッシン
グを行う方法が知られている。2. Description of the Related Art Removal of organic substances on the surface of a substrate and cleaning of the surface of the substrate are used for manufacturing semiconductor devices, cleaning optical parts and glass for liquid crystals. For example, there is known a method of ashing the resist by the action of ozone and ultraviolet rays in order to remove the resist used in the manufacturing process of the semiconductor device from the substrate.
【０００３】このようなアッシングを行うための従来の
光アッシング装置の模式図を図２に示す。処理室（２
１）内に、ヒーター（２８）を内蔵した回転式の加熱ス
テージ（２９）が設けられ、この上に被処理物の半導体
基板（２２）が載せられる。処理室内（２１）の上部に
は紫外光源（２４）が格納されており、半導体基板（２
２）と紫外光源（２４）は合成石英製の仕切板（２３）
により隔てられている。オゾンは酸素ガスを原料とし、
オゾナイザー（２６）からノズル（２５）により供給さ
れる。FIG. 2 shows a schematic view of a conventional optical ashing device for performing such ashing. Processing room (2
A rotary heating stage (29) having a heater (28) built therein is provided in 1), and a semiconductor substrate (22) to be processed is placed thereon. An ultraviolet light source (24) is housed in the upper part of the processing chamber (21) and the semiconductor substrate (2
2) and the ultraviolet light source (24) are the partition plates (23) made of synthetic quartz
Separated by. Ozone is made from oxygen gas,
It is supplied by a nozzle (25) from an ozonizer (26).
【０００４】この種の光アッシング装置では、基板上に
０．２ｍｍ程度の空間（以下、ガスフローギャップ（２
７）と記す）を設け、大気圧下でその空間にオゾンを流
し、半導体基板に接触させる方法を採用している。ガス
フローギャップ（２７）の厚みをこのように薄くするの
は処理速度を上げるためであり、この厚みが大きくなる
と処理速度が極端に低下する。このため処理する基板
は、加熱ステージ等に強制的に密着させ、ガスフローギ
ャップの厚みを正確に管理する必要がある。In this type of optical ashing device, a space of about 0.2 mm (hereinafter referred to as a gas flow gap (2
7) is provided, ozone is caused to flow into the space under atmospheric pressure, and the ozone is brought into contact with the semiconductor substrate. The reason why the thickness of the gas flow gap (27) is reduced in this way is to increase the processing speed, and as the thickness increases, the processing speed decreases extremely. For this reason, the substrate to be processed must be forcibly brought into close contact with a heating stage or the like to accurately control the thickness of the gas flow gap.
【０００５】なお、この種の装置に関連するものとし
て、日立評論 第７３号 第９巻（１９９１−９）第３
７頁から第４２頁、同誌 第７１号 第５巻（１９８９
−５）第３９頁から第４５頁等が挙げられる。Incidentally, as a device related to this type of device, Hitachi Review No. 73, Vol. 9, (991-9) No. 3,
Pages 7 to 42, Vol. 71, Vol. 5 (1989)
-5) Pages 39 to 45 and the like.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、レジ
スト除去速度を上げるため、処理する基板を加熱ステー
ジ等に密着させ、オゾンを流すガスフローギャップの厚
みを０．２ｍｍ程度に正確に管理する必要があった。そ
のため装置製作では構成部品の加工、組立に高い精度が
要求された。また、基板を加熱ステージ等に密着させる
ため、基板と加熱ステージの摩擦により、レジスト残渣
等のパーティクルが発生して基板に付着したり、加熱ス
テージから基板に汚染が侵入する等の問題があった。In the above-mentioned prior art, in order to increase the resist removal rate, the substrate to be processed is brought into close contact with a heating stage or the like, and the thickness of the gas flow gap for flowing ozone is accurately controlled to about 0.2 mm. There was a need. Therefore, in manufacturing the device, high precision is required for processing and assembling the components. Further, since the substrate is brought into close contact with the heating stage or the like, there is a problem that particles such as resist residues are generated and adhere to the substrate due to friction between the substrate and the heating stage, or contamination from the heating stage enters the substrate. .
【０００７】本発明の第１の目的は、オゾンを流すガス
フローギャップの厚みを増大させても大きな処理速度が
得られる有機物除去方法を提供することにある。本発明
の第２の目的は、そのような有機物除去方法を行うのに
適した有機物除去装置を提供することにある。A first object of the present invention is to provide a method for removing organic substances, which can obtain a high processing speed even if the thickness of the gas flow gap for flowing ozone is increased. A second object of the present invention is to provide an organic substance removing device suitable for performing such an organic substance removing method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明の有機物除去方法は、減圧雰囲気で、
試料にオゾンを接触させ、試料上の有機物を除去するよ
うにしたものである。この減圧雰囲気は、１００Ｔｏｒ
ｒから６００Ｔｏｒｒの範囲であることが好ましく、２
５０Ｔｏｒｒから３５０Ｔｏｒｒの範囲であることがよ
り好ましい。１００Ｔｏｒｒより低い圧力では十分な処
理速度が得られない。また、６００Ｔｏｒｒを超える圧
力では、ガスフローギャップの厚みを増大させたときに
十分な処理速度が得られない。また、２５０Ｔｏｒｒ以
上の圧力とすれば、処理速度をより速くすることがで
き、３５０Ｔｏｒｒ以下の圧力とすれば、ガスフローギ
ャップの厚みを増大させたときに処理速度をより速くす
ることができる。In order to achieve the above-mentioned first object, the method for removing organic substances of the present invention comprises:
The sample is brought into contact with ozone to remove organic substances on the sample. This reduced pressure atmosphere is 100 Tor
It is preferably in the range of r to 600 Torr, 2
More preferably, it is in the range of 50 Torr to 350 Torr. At a pressure lower than 100 Torr, a sufficient processing speed cannot be obtained. Further, at a pressure exceeding 600 Torr, a sufficient processing speed cannot be obtained when the thickness of the gas flow gap is increased. Further, if the pressure is 250 Torr or more, the processing speed can be further increased, and if the pressure is 350 Torr or less, the processing speed can be further increased when the thickness of the gas flow gap is increased.
【０００９】また、試料を１００℃から５００℃の範囲
の温度に加熱して行うことが処理速度を増加させるため
に好ましい。試料が半導体であるとき、３００℃を超え
る温度にすると、半導体がダメージを受ける。そのた
め、このときは試料を１５０℃から３００℃の範囲の温
度に加熱して行うことが好ましい。Further, it is preferable to heat the sample to a temperature in the range of 100 ° C. to 500 ° C. in order to increase the processing speed. When the sample is a semiconductor, if the temperature exceeds 300 ° C., the semiconductor is damaged. Therefore, at this time, it is preferable to heat the sample to a temperature in the range of 150 ° C to 300 ° C.
【００１０】さらに、試料とオゾンとの接触は、紫外線
を照射しながら行うことが好ましい。オゾンによる反応
が速やかに進むためである。さらにまた、ガスフローギ
ャップを１ｍｍから２０ｍｍの範囲とすることが好まし
い。本発明では、このガスフローギャップの範囲でも十
分な処理速度が得られる。Further, the contact between the sample and ozone is preferably performed while irradiating ultraviolet rays. This is because the reaction by ozone proceeds quickly. Furthermore, it is preferable that the gas flow gap be in the range of 1 mm to 20 mm. In the present invention, a sufficient processing speed can be obtained even in this gas flow gap range.
【００１１】さらに、上記第２の目的を達成するため
に、本発明の有機物除去装置は、オゾンを発生するため
のオゾナイザーと、試料が配置され、オゾナイザーで発
生したオゾンを試料に接触させるための処理室と、この
処理室を減圧にするための減圧手段を設けたものであ
る。この減圧手段は、上記の理由によって、処理室を１
００Ｔｏｒｒから６００Ｔｏｒｒの範囲の減圧雰囲気に
するものであることが好ましく、２５０Ｔｏｒｒから３
５０Ｔｏｒｒの範囲の減圧雰囲気にするものであること
がより好ましい。Further, in order to achieve the above-mentioned second object, the organic substance removing apparatus of the present invention is provided with an ozonizer for generating ozone and a sample, and the ozone generated by the ozonizer is brought into contact with the sample. A processing chamber and a pressure reducing means for reducing the pressure inside the processing chamber are provided. This decompression means reduces the processing chamber volume by 1 for the above reasons.
A reduced pressure atmosphere in the range of 00 Torr to 600 Torr is preferable, and 250 Torr to 3
It is more preferable to use a reduced pressure atmosphere in the range of 50 Torr.
【００１２】処理室には、ガスフローギャップを１ｍｍ
から２０ｍｍの範囲とするために、試料が配置される部
分の上部に仕切板を設けることが好ましい。さらに、処
理室には、紫外光源を設けることが好ましい。さらに、
試料を加熱するための加熱手段を設けることが好まし
い。The processing chamber has a gas flow gap of 1 mm.
It is preferable to provide a partition plate on the upper part of the portion where the sample is placed so that the thickness is in the range from 20 mm to 20 mm. Further, it is preferable to provide an ultraviolet light source in the processing chamber. further,
It is preferable to provide a heating means for heating the sample.
【００１３】[0013]
【作用】大気圧下でオゾンからラジカル酸素原子が生成
した場合、ラジカル酸素原子の平均自由行程は非常に短
く、その寿命も短い。このラジカル酸素原子を利用して
有機物を酸化除去する場合、有機物の極近傍でラジカル
酸素原子を生成させる必要がある。これはすなわち、基
板上のガスフローギャップを狭くし、そこにオゾンを流
すことになる。When a radical oxygen atom is generated from ozone under atmospheric pressure, the mean free path of the radical oxygen atom is very short and its life is also short. In the case of oxidizing and removing an organic substance using this radical oxygen atom, it is necessary to generate a radical oxygen atom in the immediate vicinity of the organic substance. This means that the gas flow gap on the substrate will be narrowed and ozone will flow there.
【００１４】しかし、処理室を減圧にすれば、ラジカル
酸素原子の平均自由行程は長くなり、その寿命も延び、
そのためガスフローギャップを広くしても速やかに有機
物を酸化除去することができる。However, if the pressure in the processing chamber is reduced, the mean free path of radical oxygen atoms is lengthened and the life thereof is extended,
Therefore, even if the gas flow gap is widened, the organic substances can be quickly oxidized and removed.
【００１５】[0015]
【実施例】本発明の一実施例の有機物除去装置の模式図
を図１に示す。この装置を用いて半導体装置を製造する
ときに、レジストを除去した例を説明する。被処理物の
半導体基板（１２）の表面にはマスクとして使用したホ
トレジストが被着している。密閉された処理室（１１）
内に、ヒーター（１８）を内蔵した回転式の加熱ステー
ジ（１９）が配置され、半導体基板（１２）をこの加熱
ステージ（１９）に載せる。加熱ステージ（１９）は上
下に移動させることができ、これにより任意のガスフロ
ーギャップをとることができる。半導体基板裏面の異物
を考慮した場合には、処理室内に半導体基板の加熱のた
め赤外線ランプを設置し、半導体基板を点接触で支持し
てもよい。処理室内の半導体基板（１２）は、温度を３
００℃に制御されている。また、処理室内は、真空ポン
プ（１０）により排気され、３００Ｔｏｒｒ程度の圧力
に制御されている。なお、真空ポンプ（１０）として、
本実施例ではロータリーポンプを使用した。EXAMPLE FIG. 1 shows a schematic view of an organic substance removing apparatus according to an example of the present invention. An example in which the resist is removed when a semiconductor device is manufactured using this apparatus will be described. The photoresist used as a mask is deposited on the surface of the semiconductor substrate (12) to be processed. Closed processing chamber (11)
A rotary heating stage (19) having a heater (18) built therein is disposed therein, and the semiconductor substrate (12) is placed on the heating stage (19). The heating stage (19) can be moved up and down, which allows for any gas flow gap. In consideration of foreign matter on the back surface of the semiconductor substrate, an infrared lamp may be installed in the processing chamber for heating the semiconductor substrate and the semiconductor substrate may be supported by point contact. The semiconductor substrate (12) in the processing chamber has a temperature of 3
It is controlled at 00 ° C. The processing chamber is evacuated by a vacuum pump (10) and controlled to a pressure of about 300 Torr. In addition, as a vacuum pump (10),
In this example, a rotary pump was used.
【００１６】さらに処理室の上部には紫外光源（１４）
が格納されており、半導体基板（１２）に紫外線が照射
される。本実施例では紫外光源として低圧水銀ランプを
使用した。処理室内の半導体基板（１２）と紫外光源
（１４）は合成石英製の仕切板（１３）により隔てられ
ている。仕切板（１３）と半導体基板（１２）の距離、
すなわち、ガスフローギャップを所望の値（例えば、２
０ｍｍ）とする。オゾンは、酸素ガスを原料としてオゾ
ナイザー（１６）で製造され、酸素ガス中に１００ｇ／
ｍ3程度の割合で混合され、処理室内のノズル（１５）
から供給される。酸素ガスの流量は、１０ ｌ／ｍｉｎ
である。Further, an ultraviolet light source (14) is provided above the processing chamber.
Is stored, and the semiconductor substrate (12) is irradiated with ultraviolet rays. In this example, a low pressure mercury lamp was used as the ultraviolet light source. The semiconductor substrate (12) and the ultraviolet light source (14) in the processing chamber are separated by a partition plate (13) made of synthetic quartz. The distance between the partition plate (13) and the semiconductor substrate (12),
That is, the gas flow gap is set to a desired value (for example, 2
0 mm). Ozone is produced by an ozonizer (16) using oxygen gas as a raw material, and the amount of ozone in the oxygen gas is 100 g /
Nozzle (15) in the processing chamber mixed at a ratio of about m 3.
Supplied from Flow rate of oxygen gas is 10 l / min
Is.
【００１７】この有機物除去装置を用いて、減圧雰囲気
でレジストを除去した場合と従来の有機物除去装置を用
いて大気圧下で処理を行った場合のレジスト除去速度の
比較を図３に示す。従来の大気圧下で処理した場合、半
導体基板の温度３００℃で、ガスフローギャップが０．
２ｍｍのとき、レジスト除去速度は約１８００ｎｍ／ｍ
ｉｎであるが、ガスフローギャップを１．５ｍｍまで広
げるとレジスト除去速度は約１４００ｎｍ／ｍｉｎに低
下し、ガスフローギャップを１０ｍｍまで広げると約５
００ｎｍ／ｍｉｎまで低下する。しかし、本発明の方法
により、半導体基板の温度３００℃で、３００Ｔｏｒｒ
で処理した場合、ガスフローギャップが１０ｍｍのとき
約１５００ｎｍ／ｍｉｎであり、ガスフローギャップを
２０ｍｍに広げてもレジスト除去速度は約９００ｎｍ／
ｍｉｎであり、実用的な処理速度の範囲であった。この
ように、本実施例の有機物除去装置では、ガスフローギ
ャップを増大しても処理速度の低下が少ないのが分か
る。FIG. 3 shows a comparison of resist removal rates when the resist is removed in a reduced pressure atmosphere using this organic substance removing apparatus and when the treatment is performed under atmospheric pressure using a conventional organic substance removing apparatus. When treated under conventional atmospheric pressure, the semiconductor substrate temperature is 300 ° C. and the gas flow gap is 0.
At 2 mm, the resist removal rate is about 1800 nm / m
However, when the gas flow gap is expanded to 1.5 mm, the resist removal rate is reduced to about 1400 nm / min, and when the gas flow gap is expanded to 10 mm, it is about 5 mm.
It decreases to 00 nm / min. However, according to the method of the present invention, the temperature of the semiconductor substrate is 300 ° C. and the pressure is 300 Torr.
When the gas flow gap is 10 mm, it is about 1500 nm / min, and even if the gas flow gap is expanded to 20 mm, the resist removal rate is about 900 nm / min.
It was min, which was in the range of practical processing speed. As described above, it can be seen that in the organic substance removing apparatus of the present embodiment, the processing speed does not decrease much even if the gas flow gap is increased.
【００１８】ガスフローギャップを２０ｍｍとし、減圧
雰囲気を変えて同様の処理を行った。２５０Ｔｏｒｒ及
び３５０Ｔｏｒｒではレジスト除去速度はいずれも約８
００ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ガスフローギャップ
が１ｍｍで、１００Ｔｏｒｒ及び６００Ｔｏｒｒのとき
はいずれも約５００ｎｍ／ｍｉｎであった。The same process was performed by setting the gas flow gap to 20 mm and changing the reduced pressure atmosphere. The resist removal rate is about 8 at 250 Torr and 350 Torr.
It was 00 nm / min. Further, when the gas flow gap was 1 mm and was 100 Torr and 600 Torr, both were about 500 nm / min.
【００１９】さらに、本実施例の有機物除去装置は、Ｎ
Ｏ、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ5等の窒素酸化物、フッ素、塩素等の
ハロゲンガス、フッ素、塩素を含む有機のハロゲン化合
物、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコ
ール、Ｈ2Ｏ及びアンモニアの中から選ばれた少なくと
も一種類の物質からなる処理速度を向上させる物質をオ
ゾンに添加して有機物除去を行うことができる。Further, the organic substance removing apparatus of this embodiment is
From nitrogen oxides such as O, NO 2 and N 2 O 5 , halogen gas such as fluorine and chlorine, organic halogen compounds containing fluorine and chlorine, alcohols such as methanol, ethanol and propanol, H 2 O and ammonia It is possible to remove the organic matter by adding to the ozone a substance that improves the processing speed and is composed of at least one selected substance.
【００２０】上記物質のうち、窒素酸化物、ハロゲンガ
ス、アルコール、Ｈ2Ｏ等は、図１のオゾナイザー（１
６）の後に、第２のノズル（１５’）からオゾンに添加
される。第２のノズル（１５’）は、処理室（１１）に
直接接続し、上記物質をキャリヤーガスで処理室に導入
してもよい。一方、窒素酸化物の原料となる窒素をオゾ
ナイザー（１６）の前に設けられたノズル（図示せず）
から酸素に添加してもよい。窒素はオゾナイザーで窒素
酸化物となるためである。ハロゲン化合物も、オゾナイ
ザー（１６）の前に設けられたノズルからオゾンの原料
の酸素に添加される。これらの物質は、オゾンと酸素の
合計量に対して、１から１０vol％混合することが好ま
しい。Among the above substances, nitrogen oxide, halogen gas, alcohol, H 2 O, etc. are used in the ozonizer (1
After 6), it is added to the ozone through the second nozzle (15 '). The second nozzle (15 ') may be directly connected to the processing chamber (11) and the above substances may be introduced into the processing chamber with a carrier gas. On the other hand, a nozzle (not shown) provided in front of the ozonizer (16) uses nitrogen as a raw material of nitrogen oxides.
May be added to oxygen. This is because nitrogen becomes oxides of nitrogen in the ozonizer. A halogen compound is also added to oxygen as a raw material of ozone from a nozzle provided in front of the ozonizer (16). These substances are preferably mixed in an amount of 1 to 10 vol% with respect to the total amount of ozone and oxygen.
【００２１】上記の処理速度を向上させる物質を添加し
た場合の処理速度を表１に示す。表１において、窒素酸
化物は、窒素を酸素に添加してオゾナイザーで反応させ
たもので、主としてＮＯ2よりなる。また、窒素酸化物
とハロゲン化合物の添加量は、オゾナイザーに添加する
前の量（窒素酸化物は窒素の量）である。Table 1 shows the processing speeds when the above-mentioned substances for improving the processing speed were added. In Table 1, nitrogen oxides are obtained by adding nitrogen to oxygen and reacting with an ozonizer, and are mainly composed of NO 2 . Further, the amounts of the nitrogen oxide and the halogen compound added are the amounts before the addition to the ozonizer (nitrogen oxide is the amount of nitrogen).
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】なお、上記実施例は、紫外線を照射しなが
ら処理する例について述べたが、本発明は、紫外線を照
射しない場合においても効果が認められた。In addition, although the above-mentioned embodiment describes the example in which the treatment is performed while irradiating the ultraviolet rays, the present invention has been confirmed to be effective even when the ultraviolet rays are not radiated.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明によれば、ガスフローギャップを
広げても実用的な処理速度が得られ、かつ、ガスフロー
ギャップを正確に管理しなくてもよく、また、試料を加
熱ステージ等に強制的に密着させる必要がなくなった。According to the present invention, a practical processing speed can be obtained even if the gas flow gap is widened, the gas flow gap does not need to be accurately controlled, and the sample can be placed on a heating stage or the like. It is no longer necessary to forcibly adhere them.
【図１】本発明の一実施例の有機物除去装置の模式図。FIG. 1 is a schematic diagram of an organic substance removing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の有機物除去装置の模式図。FIG. 2 is a schematic view of a conventional organic substance removing device.
【図３】本発明の有機物除去方法と従来の有機物除去方
法によるガスフローギャップと処理速度の関係を説明す
るため図。FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the gas flow gap and the processing speed according to the organic substance removing method of the present invention and the conventional organic substance removing method.
１０…真空ポンプ １１、２１…処理室 １２、２２…半導体基板 １３、２３…仕切板 １４、２４…紫外光源 １５、２５…ノズル １５’…第２のノズル １６、２６…オゾナイザー １８、２８…ヒーター １９、２９…加熱ステージ ２７…ガスフローギャップ 10 ... Vacuum pump 11, 21 ... Processing chamber 12, 22 ... Semiconductor substrate 13, 23 ... Partition plate 14, 24 ... Ultraviolet light source 15, 25 ... Nozzle 15 '... Second nozzle 16, 26 ... Ozonizer 18, 28 ... Heater 19, 29 ... Heating stage 27 ... Gas flow gap
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 剛 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所リビング機器事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tsuyoshi Kimura 888 Fujihashi, Ome-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Living Equipment Division
Claims (17)
を除去する有機物除去方法において、上記接触は、減圧
雰囲気で行うことを特徴とする有機物除去方法。1. A method for removing organic substances, which comprises contacting a sample with ozone to remove organic substances on the sample, wherein the contact is performed in a reduced pressure atmosphere.
上記減圧雰囲気は、１００Ｔｏｒｒから６００Ｔｏｒｒ
の範囲の雰囲気であることを特徴とする有機物除去方
法。2. The method for removing organic matter according to claim 1,
The reduced pressure atmosphere is 100 Torr to 600 Torr
The method for removing organic matter is characterized in that the atmosphere is in the range of.
いて、上記接触は、上記試料を１００℃から５００℃の
範囲の温度に加熱して行うことを特徴とする有機物除去
方法。3. The organic substance removing method according to claim 1 or 2, wherein the contacting is performed by heating the sample to a temperature in the range of 100 ° C to 500 ° C.
いて、上記接触は、上記試料を１５０℃から３００℃の
範囲の温度に加熱して行うことを特徴とする有機物除去
方法。4. The organic substance removing method according to claim 1, wherein the contact is performed by heating the sample to a temperature in the range of 150 ° C. to 300 ° C.
物除去方法において、上記接触は、紫外線を照射しなが
ら行うことを特徴とする有機物除去方法。5. The organic substance removing method according to any one of claims 1 to 4, wherein the contacting is performed while irradiating with ultraviolet rays.
物除去方法において、上記接触は、ガスフローギャップ
が１ｍｍから２０ｍｍの範囲で行うことを特徴とする有
機物除去方法。6. The organic substance removing method according to any one of claims 1 to 5, wherein the contact is performed in a gas flow gap of 1 mm to 20 mm.
物除去方法において、上記接触は、処理速度を向上させ
る物質をオゾンに添加して行うことを特徴とする有機物
除去方法。7. The organic substance removing method according to any one of claims 1 to 6, wherein the contacting is performed by adding a substance that improves a processing rate to ozone.
上記処理速度を向上させる物質は、窒素酸化物、ハロゲ
ン化合物及びアルコールからなる群から選ばれた少なく
とも１種の物質であることを特徴とする有機物除去方
法。8. The method for removing organic matter according to claim 7,
The organic substance removing method, wherein the substance for improving the treatment rate is at least one substance selected from the group consisting of nitrogen oxides, halogen compounds and alcohols.
試料が配置され、該オゾナイザーで発生したオゾンを該
試料に接触させるための処理室からなる有機物除去装置
において、上記処理室を減圧にするための減圧手段を有
することを特徴とする有機物除去装置。9. An organic substance removing apparatus comprising an ozonizer for generating ozone and a sample, and a processing chamber for bringing ozone generated by the ozonizer into contact with the sample, for reducing the pressure of the processing chamber. An organic matter removing device having a pressure reducing means.
て、上記減圧手段は、上記処理室を１００Ｔｏｒｒから
６００Ｔｏｒｒの範囲の減圧雰囲気にするための手段で
あることを特徴とする有機物除去装置。10. The organic substance removing apparatus according to claim 9, wherein the depressurizing means is a means for creating a depressurized atmosphere in the processing chamber in a range of 100 Torr to 600 Torr.
において、上記処理室は、ガスフローギャップを１ｍｍ
から２０ｍｍの範囲とするために、上記試料が配置され
る部分の上部に仕切板を設けたことを特徴とする有機物
除去装置。11. The organic substance removing apparatus according to claim 9 or 10, wherein the processing chamber has a gas flow gap of 1 mm.
To 20 mm, a partition plate is provided on the upper portion of the portion where the sample is arranged, the organic substance removing apparatus.
において、上記処理室は、紫外光源が設けられたことを
特徴とする有機物除去装置。12. The organic substance removing apparatus according to claim 9 or 10, wherein the processing chamber is provided with an ultraviolet light source.
て、上記処理室は、ガスフローギャップを１ｍｍから２
０ｍｍの範囲とするために、上記試料が配置される部分
の上部に仕切板を設け、かつ、該仕切板は、紫外線に対
して実質的に透明であり、上記紫外光源は、該仕切板を
通して、試料を照射し得る位置に配置されたことを特徴
とする有機物除去装置。13. The organic substance removing apparatus according to claim 12, wherein the processing chamber has a gas flow gap of 1 mm to 2 mm.
In order to make the range 0 mm, a partition plate is provided above the portion where the sample is arranged, and the partition plate is substantially transparent to ultraviolet rays, and the ultraviolet light source passes through the partition plate. The organic substance removing device is arranged at a position where the sample can be irradiated.
置において、上記紫外光源は、低圧水銀ランプであるこ
とを特徴とする有機物除去装置。14. The organic substance removing device according to claim 12, wherein the ultraviolet light source is a low pressure mercury lamp.
有機物除去装置において、上記処理室は、上記試料を加
熱するための加熱手段が設けられたことを特徴とする有
機物除去装置。15. The organic substance removing device according to claim 9, wherein the processing chamber is provided with a heating unit for heating the sample.
有機物除去装置において、処理速度を向上させる物質を
オゾンに添加するためのノズルを有することを特徴とす
る有機物除去装置。16. The organic substance removing device according to claim 9, further comprising a nozzle for adding a substance that enhances a processing speed to ozone.
て、上記処理速度を向上させる物質は、窒素酸化物、ハ
ロゲン化合物及びアルコールからなる群から選ばれた少
なくとも１種の物質であることを特徴とする有機物除去
装置。17. The organic substance removing apparatus according to claim 16, wherein the substance that improves the processing rate is at least one substance selected from the group consisting of nitrogen oxides, halogen compounds and alcohols. Organic substance removing device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15919293A JPH07135150A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Organic substance eliminating method and organic substance eliminating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15919293A JPH07135150A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Organic substance eliminating method and organic substance eliminating equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135150A true JPH07135150A (en) | 1995-05-23 |
Family
ID=15688331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15919293A Pending JPH07135150A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Organic substance eliminating method and organic substance eliminating equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135150A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004289117A (en) * | 2002-09-30 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | Lithograph system and process for fabricating device |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15919293A patent/JPH07135150A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004289117A (en) * | 2002-09-30 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | Lithograph system and process for fabricating device |
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