JPH07134166A - Ic failure analyzing device - Google Patents

Ic failure analyzing device

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Publication number
JPH07134166A
JPH07134166A JP5304747A JP30474793A JPH07134166A JP H07134166 A JPH07134166 A JP H07134166A JP 5304747 A JP5304747 A JP 5304747A JP 30474793 A JP30474793 A JP 30474793A JP H07134166 A JPH07134166 A JP H07134166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
circuit diagram
mask layout
unit
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5304747A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hironobu Niijima
宏信 新島
Hiromoto Kawamoto
裕資 川本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP5304747A priority Critical patent/JPH07134166A/en
Priority to GB9422553A priority patent/GB2283825B/en
Priority to DE4439971A priority patent/DE4439971A1/en
Publication of JPH07134166A publication Critical patent/JPH07134166A/en
Priority to US08/593,549 priority patent/US5640098A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To automatically impart the net name imparted to a circuit chart to the observed image and waveform chart obtained form the measurement data, in an IC failure analyzing device in which CAD data are inputted, the net list data by the CAD data are collated with mask rate data and circuit chart data in a collating part, whereby the net list, mask layout and circuit chart corresponding to the specified part designated by an input means can be displayed, and the observed image and waveform can be also displayed by the measurement data form an IC internal analyzing device. CONSTITUTION:A circuit chart-to-measurement data collating part 33 is provided, measurement data are conformed to a specified part designated in a circuit chart display part 31 by the circuit chart-to measurement data collating part 33, stored in a collating data B memory part 34, and the net name imparted to the specified part is imparted to the observed image or waveform chart.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路(以
下「IC」という)の設計開発時に利用されるIC不良
解析装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC failure analysis apparatus used when designing and developing a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as "IC").

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にICを製造する場合、回路ネット
リストCADデータと、マスクレイアウトCADデータ
とを利用して、自動的に配線パターン等のマスクレイア
ウトを決定し自動化が達せられている。一方、試作され
たICの不良個所を探すには、従来はICの製造時に用
いた回路ネットリストCADデータと、マスクレイアウ
トCADデータとを用いて回路ネットリストとマスクレ
イアウトとを対応付けしながら、IC内部解析装置を作
動させて試作した素子の各部を流れる電流または電圧波
形を参照して不良個所を特定している。
2. Description of the Related Art In general, when manufacturing an IC, automation is achieved by automatically determining a mask layout such as a wiring pattern by using circuit netlist CAD data and mask layout CAD data. On the other hand, in order to find a defective portion of a prototype IC, conventionally, the circuit netlist CAD data used at the time of manufacturing the IC and the mask layout CAD data are used to associate the circuit netlist with the mask layout. The IC internal analyzer is operated to refer to the waveform of the current or voltage flowing through each part of the prototyped device to identify the defective portion.

【0003】本願出願人は、先に特願平5−18405
5号でIC不良解析用表示装置を開示した。図3にその
IC不良解析用表示装置を示す。図中10、11及び1
2はフロッピーディスク或いは固定ディスク等の外部記
憶装置を示す。外部記憶装置10には例えばICの製造
に用いる回路ネットリストCADデータを格納し、外部
記憶装置11にはマスクレイアウトCADデータを格納
し、外部記憶装置12にはピン入出力属性情報を格納し
ている。ピン入出力属性情報は後述するように固定デー
タであるので、内部記憶装置に常時記憶させていてもよ
い。これら外部記憶装置10、11及び12から読み出
されたデータは、コンピュータによって構成されるIC
不良解析用表示装置20に入力される。IC不良解析用
表示装置20は、ネットリストデータ変換部21と、マ
スクレイアウトデータ変換部22と、ネットリスト対マ
スクレイアウト照合部23と、ネットリスト−回路図生
成部24と、回路図対マスクレイアウト照合部25と、
ネットリストデータ記憶部26と、回路図データ記憶部
27と、マスクレイアウトデータ記憶部28と、照合デ
ータ記憶部29と、ネットリスト表示部30と、回路図
表示部31と、マスクレイアウト表示部32とを具備し
て構成される。
The applicant of the present invention previously filed Japanese Patent Application No. 5-18405.
No. 5 discloses a display device for IC failure analysis. FIG. 3 shows the IC defect analysis display device. 10, 11 and 1 in the figure
Reference numeral 2 denotes an external storage device such as a floppy disk or a fixed disk. The external storage device 10 stores, for example, circuit netlist CAD data used for manufacturing an IC, the external storage device 11 stores mask layout CAD data, and the external storage device 12 stores pin input / output attribute information. There is. Since the pin input / output attribute information is fixed data as described later, it may be constantly stored in the internal storage device. The data read from these external storage devices 10, 11 and 12 is an IC configured by a computer.
It is input to the failure analysis display device 20. The IC defect analysis display device 20 includes a netlist data conversion unit 21, a mask layout data conversion unit 22, a netlist-to-mask layout collation unit 23, a netlist-circuit diagram generation unit 24, and a circuit diagram-to-mask layout. The collating unit 25,
The netlist data storage unit 26, the circuit diagram data storage unit 27, the mask layout data storage unit 28, the matching data storage unit 29, the netlist display unit 30, the circuit diagram display unit 31, and the mask layout display unit 32. And is configured.

【0004】ネットリストデータ変換部21と、マスク
レイアウトデータ変換部22は、それぞれCADデータ
をIC不良解析用表示装置20で利用できる形式のフォ
ーマットに変換する動作を行う。これらデータ変換部2
1と22で変換されたネットリストデータと、マスクレ
イアウトデータはそれぞれネットリストデータ記憶部2
6とマスクレイアウトデータ記憶部28に記憶される。
ネットリスト対マスクレイアウト照合部23ではネット
リストとマスクレイアウトとが対応付けされる。
The netlist data conversion unit 21 and the mask layout data conversion unit 22 each perform an operation of converting the CAD data into a format that can be used by the IC defect analysis display device 20. These data conversion units 2
The netlist data converted in 1 and 22 and the mask layout data are stored in the netlist data storage unit 2 respectively.
6 and the mask layout data storage unit 28.
In the netlist-to-mask layout matching unit 23, the netlist and the mask layout are associated with each other.

【0005】一方、ピン入出力属性情報12は、ネット
リスト−回路図生成部24に入力され、ネットリストデ
ータ変換部21からのネットリストデータとで回路図デ
ータを生成する。ここでピン入出力属性情報とは、素子
の種別と各素子の端子の名称が付されたものであって、
例えばRは抵抗器、Lはインダクタンス、Dはダイオー
ド、AND21は2入力1出力のアンドゲートを、その
他にC、J、V、I、Q、P、NやNAND等を種別し
ている。また、抵抗器Rの場合、1番ピンがAで入力側
を表し、2番ピンはZで出力側を表す。ジャンクション
型電界効果トランジスタJの場合、1番ピンがG(ゲー
ト)、2番ピンがS(ソース)、3番ピンがD(ドレイ
ン)であることを規定する。このように各素子のピン入
出力属性を規定することにより、ネットリスト−回路図
生成部24ではネットリストデータに付加されている素
子名から、各素子の図形パターンを読みだし、図形パタ
ーンの各端子を規定することができる。
On the other hand, the pin input / output attribute information 12 is input to the netlist-circuit diagram generation unit 24, and circuit diagram data is generated with the netlist data from the netlist data conversion unit 21. Here, the pin input / output attribute information is the type of element and the name of the terminal of each element,
For example, R is a resistor, L is an inductance, D is a diode, AND21 is a 2-input 1-output AND gate, and other types are C, J, V, I, Q, P, N, NAND, and the like. In the case of the resistor R, the 1st pin represents the input side with A, and the 2nd pin represents the output side with Z. In the case of the junction field effect transistor J, it is specified that the first pin is G (gate), the second pin is S (source), and the third pin is D (drain). By thus defining the pin input / output attribute of each element, the netlist-circuit diagram generation unit 24 reads out the graphic pattern of each element from the element name added to the netlist data, and The terminals can be defined.

【0006】つまり、図4に示すネットリストから図5
に示す回路図を描くことができる。セルX1は2入力1
出力アンドゲートで1番ピンAに配線IN1が接続さ
れ、2番ピンBに配線IN2が接続され、出力端子Zに
配線OUT1が接続される。セルX2は2入力1出力型
アンドゲートで1番ピンAに配線IN3が接続され、2
番ピンBに配線IN4が接続され、3番ピンZに配線O
UT2が接続される。セルX3は2入力1出力型ナンド
ゲートで1番ピンAに配線OUT1が接続され、2番ピ
ンBに配線OUT2が接続され出力端子Zに配線OUT
3が接続される。
That is, from the net list shown in FIG.
The circuit diagram shown in can be drawn. Cell X1 has 2 inputs 1
The output AND gate connects the wiring IN1 to the first pin A, connects the wiring IN2 to the second pin B, and connects the wiring OUT1 to the output terminal Z. The cell X2 is a 2-input 1-output AND gate, and the wiring IN3 is connected to the 1st pin A.
Wiring IN4 is connected to No. pin B, and wiring O is to No. 3 pin Z
UT2 is connected. The cell X3 is a 2-input 1-output NAND gate, and the wiring OUT1 is connected to the first pin A, the wiring OUT2 is connected to the second pin B, and the wiring OUT is connected to the output terminal Z.
3 are connected.

【0007】このようにして生成された回路図データは
回路図データ記憶部27に記憶されると同時に、回路図
対マスクレイアウト照合部25で、回路図とマスクレイ
アウト及びネットリストと対応付けられる。そして回路
図対マスクレイアウト照合部25で対応付けられた同一
部位の回路図、マスクレイアウトとネットリストはそれ
ぞれの表示部31、32、及び30に表示される。29
はその対応付けに必要な照合データを記憶する照合デー
タ記憶部を示す。
The circuit diagram data thus generated is stored in the circuit diagram data storage unit 27 and, at the same time, is associated with the circuit diagram, the mask layout and the net list by the circuit diagram vs. mask layout collating unit 25. Then, the circuit diagram, the mask layout, and the netlist of the same portion which are associated by the circuit diagram-to-mask layout collating unit 25 are displayed on the respective display units 31, 32, and 30. 29
Indicates a collation data storage unit that stores the collation data necessary for the association.

【0008】回路図データ記憶部27に全ての回路図デ
ータが格納された状態で、初期メニューにより回路図表
示部31に全領域の回路図が表示される。全体回路図の
どの部分を解析するかを、例えばマウスのような入力手
段13から位置を指定する。解析位置が入力されること
により回路図表示部31に図6に示すように、指定した
一つの領域の回路図が表示される。表示は表示部30、
31と32がマルチタスク機能により同一画面に表示さ
れる。
With all the circuit diagram data stored in the circuit diagram data storage unit 27, the circuit diagram display unit 31 displays a circuit diagram of the entire area by the initial menu. The position of which part of the entire circuit diagram to analyze is designated by the input means 13 such as a mouse. By inputting the analysis position, the circuit diagram of the designated one area is displayed on the circuit diagram display unit 31, as shown in FIG. The display is the display unit 30,
31 and 32 are displayed on the same screen by the multitask function.

【0009】つまり回路図表示部31の回路図に解析し
たい部位を入力することにより、照合データ記憶部29
はネットリスト表示部30と、マスクレイアウト表示部
32に制御信号を送り、表示されている回路図に対応す
るネットリストと、マスクレイアウトをネットリスト表
示部30とマスクレイアウト表示部32に表示させる。
更に入力手段13から特定の配線部分を指定することに
より、その配線部分に対応するネットリストとマスクレ
イアウトが点滅表示するか或いは明るく輝く等の方法で
強調表示状態となり、回路とマスクレイアウトとの対応
が表示される。入力手段13から特定部分を指定するの
は回路図表示部31からのみで無く、図示していない
が、ネットリスト表示部30から特定部分を指定して
も、またマスクレイアウト表示部32から特定部分を指
定して、各表示部30、31と32のそれに対応する部
分が点滅表示したり、明るく輝いたり、太線にしたりす
る構成にしてもよい。
That is, by inputting a portion to be analyzed in the circuit diagram of the circuit diagram display unit 31, the collation data storage unit 29
Sends a control signal to the netlist display unit 30 and the mask layout display unit 32 to display the netlist and the mask layout corresponding to the displayed circuit diagram on the netlist display unit 30 and the mask layout display unit 32.
Further, by designating a specific wiring portion from the input means 13, the netlist and the mask layout corresponding to the wiring portion are displayed in a blinking manner or are highlighted by a method such as brightly shining, and the correspondence between the circuit and the mask layout is obtained. Is displayed. Not only the circuit diagram display section 31 designates a specific portion from the input means 13, but also a specific portion is designated from the net list display section 30 or the mask layout display section 32 designates a specific portion. May be designated so that the corresponding portions of the respective display units 30, 31 and 32 are displayed in a blinking manner, brightly shining, or in bold lines.

【0010】これと共に、マスクレイアウト表示部32
からマスクレイアウトデータに付加されている位置情報
がIC内部解析装置40に送られ、IC内部解析装置4
0で回路図表示部31で指定した被試験ICの回路配線
部分の指定された領域を観測対象として動作する。IC
内部解析装置40とは、例えば電子ビームテスタ(EB
テスタ)やイオンビームテスタのような荷電粒子ビーム
テスタを主として構成したものと、光学的な顕微鏡を主
として構成されたものがある。例えば荷電粒子ビームテ
スタは、被試験ICを真空チャンバ内に配置して、この
真空チャンバ内に配置した被試験ICに荷電粒子ビーム
を掃引照射(走査しながら照射すること)すると配線部
分の電位の上下に応じて二次電子の放出量が変化するこ
とから、この各照射点から発生する2次電子の量を各照
射点ごとに計測し、この計測量を電気信号として取り込
み処理し、IC内の電位コントラスト像(SEM像:Sc
anning Electron Microscope やSIM像:Scanning
Ion Microscope )と波形データを得て観察画像データ
記憶部及び波形データ記憶部にそれぞれ記憶する。
At the same time, the mask layout display section 32 is displayed.
The position information added to the mask layout data is sent to the IC internal analysis device 40 from the IC internal analysis device 4
When the value is 0, the designated area of the circuit wiring portion of the IC under test designated on the circuit diagram display section 31 is operated as an observation target. IC
The internal analyzer 40 is, for example, an electron beam tester (EB).
Tester) and an ion beam tester mainly composed of a charged particle beam tester, and one mainly composed of an optical microscope. For example, in a charged particle beam tester, an IC under test is placed in a vacuum chamber, and when the IC under test placed in the vacuum chamber is swept irradiated (irradiated while scanning) with a charged particle beam, the potential of the wiring portion is changed. Since the amount of secondary electrons emitted changes depending on the vertical direction, the amount of secondary electrons generated from each irradiation point is measured for each irradiation point, and the measured amount is captured as an electrical signal and processed in the IC. Potential contrast image (SEM image: Sc
anning Electron Microscope and SIM image: Scanning
Ion Microscope) and waveform data are obtained and stored in the observation image data storage unit and the waveform data storage unit, respectively.

【0011】IC内部解析装置40にも観察表示部を有
していて、この観察表示部で画像データの観察画像や波
形データの波形図を表示する。マスクレイアウト表示部
32からIC内部解析装置40に送られる位置情報は座
標データと倍率データ(測定面積に相当)であり、この
位置情報により被試験ICの照射位置を指定することが
できるが、IC製造時または解析装置等の精度上の問題
でマスクレイアウトと観察画像は完全には一致しない。
そこで測定者は、マスクレイアウトと観察画像を比較し
ながら被測定ICのX、Y座標位置を微調整し、完全に
一致させてから観察画像と信号波形を観測し被測定IC
が正常に動作しているか否かを判定する。
The IC internal analysis device 40 also has an observation display section for displaying an observation image of image data and a waveform diagram of waveform data. The position information sent from the mask layout display unit 32 to the IC internal analysis device 40 is coordinate data and magnification data (corresponding to the measurement area), and the irradiation position of the IC under test can be specified by this position information. The mask layout and the observed image do not match perfectly at the time of manufacturing or because of accuracy problems in the analysis device.
Therefore, the measurer finely adjusts the X and Y coordinate positions of the IC to be measured while comparing the mask layout and the observed image, and after completely matching them, observes the observed image and the signal waveform to measure the IC to be measured.
Determines whether is operating normally.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述の通り、従来のI
C不良解析装置は、IC製造用のCADデータから得る
情報を解析し表示するIC不良解析用表示装置20と、
荷電粒子ビームテスタや光学顕微鏡を主とするIC内部
解析装置40とは別の発想で開発されていたので、両者
間のインタフェースが不十分であった。特に、情報の伝
達が必要最小限であった。そこで、観察測定後のプリン
トアウトされた図形のマスクレイアウトとネットリスト
と観察画像と波形図との対応を取ることが困難で、測定
者はIC内部解析装置40で観察画像や波形図に一画面
ごとにいちいちネット名をキーボードから入力したり、
或いはノートにメモを取り、測定後に記録用紙に記入し
たりしなければならず、時間がかかり、煩雑であった。
As described above, the conventional I
The C failure analysis device includes an IC failure analysis display device 20 for analyzing and displaying information obtained from CAD data for IC manufacturing,
Since it was developed with a concept different from that of the IC internal analyzer 40 mainly including the charged particle beam tester and the optical microscope, the interface between the two was insufficient. In particular, the transmission of information was the minimum necessary. Therefore, it is difficult to make correspondence between the mask layout of printed-out figures after observation and measurement, the netlist, the observed image and the waveform diagram. Enter the net name from the keyboard one by one,
Alternatively, it is necessary to take notes in a notebook and fill in a recording sheet after the measurement, which is time-consuming and complicated.

【0013】本発明は、IC不良解析用表示装置とIC
内部解析装置の観察表示部とを統合し、相互にデータの
交換や表示を行えるようにして観察画像や波形図に自動
的にネット名を付せるIC不良解析装置を提供すること
を目的とする。
The present invention relates to an IC defect analysis display device and an IC.
An object of the present invention is to provide an IC failure analysis device that integrates an observation display unit of an internal analysis device and can mutually exchange and display data, and can automatically attach a net name to an observation image or a waveform diagram. .

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案はIC不良解析装置の全システムの表示部及
び操作部を統合し新たに必要部分を追加してワークステ
ーション化する。そのために従来のIC不良解析用表示
装置20と、IC内部解析装置40内に存在していた波
形データ記憶部、波形図表示部、観察画像データ記憶部
及び観察画像表示部とを統合し、新たに回路図対測定デ
ータ照合部を設けて従来の回路図表示部よりネット名を
収集し、観察画像データと波形データと照合してその結
果を追加した照合データB記憶部に記憶するワークステ
ションの構成とする。
In order to achieve the above object, the present invention integrates the display unit and the operation unit of the entire system of the IC failure analysis device and newly adds necessary parts to form a workstation. Therefore, the conventional IC failure analysis display device 20 and the waveform data storage unit, the waveform diagram display unit, the observation image data storage unit and the observation image display unit, which are present in the IC internal analysis device 40, are integrated, A circuit diagram-to-measurement data collating unit is provided to collect net names from the conventional circuit diagram display unit, collate the observed image data with the waveform data, and store the result in the collation data B storage unit. The configuration.

【0015】この発明の構成によれば回路図が回路図表
示部に表示され、この回路表示部に表示された回路部分
のマスクレイアウト、ネットリスト、観察画像及び波形
図がそれぞれの表示部に表示される。回路図表示部の回
路図には配線のそれぞれの線にネット名が付される。そ
して回路図の特定の配線を入力手段で指定することによ
り、ネットリスト表示部ではネット名がマスクレイアウ
ト表示部では指定された部分が強調表示され、観察画像
表示部では指定された部分に、波形図表示部にはその波
形図にネット名が付されて表示されると共に、プリント
アウトされるときも同様に印字される。このように、こ
の発明によると回路図から目的とする配線部分を指定す
ることにより、表示部にもプリント紙にもその部分が強
調表示または印字されるので、不良部分の解析が容易に
なり、煩雑さが無くなり、短時間に不良解析ができる。
According to the configuration of the present invention, the circuit diagram is displayed on the circuit diagram display portion, and the mask layout, netlist, observation image and waveform diagram of the circuit portion displayed on the circuit display portion are displayed on the respective display portions. To be done. In the circuit diagram of the circuit diagram display part, net names are given to the respective lines of the wiring. Then, by designating a specific wiring of the circuit diagram with the input means, the net name is highlighted in the net list display section and the section designated in the mask layout display section, and the waveform is displayed in the designated section in the observed image display section. The waveform display is displayed with the net name attached, and is also printed when printed out. As described above, according to the present invention, by designating a target wiring portion from the circuit diagram, the portion is highlighted or printed on both the display unit and the print paper, which facilitates the analysis of the defective portion. Complexity is eliminated and defect analysis can be done in a short time.

【0016】[0016]

【実施例】本発明の一実施例を図1に示す。図3と対応
する部分には同一符号を付して示す。本発明では、ワー
クステーション50に従来のIC不良解析用表示装置2
0とIC内部解析装置40内の観察像データ記憶部3
6、観察画像表示部38、波形データ記憶部35及び波
形図表示部37を統合し、新たに回路図対測定データ照
合部33と照合データB記憶部34を設ける。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. Portions corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. In the present invention, the conventional display device 2 for IC failure analysis is installed in the workstation 50.
0 and the observation image data storage unit 3 in the IC internal analysis device 40
6, the observation image display unit 38, the waveform data storage unit 35, and the waveform diagram display unit 37 are integrated, and a circuit diagram pair measurement data collating unit 33 and a collation data B storing unit 34 are newly provided.

【0017】回路図対測定データ照合部33は、IC内
部解析装置40から観察画像データと波形データを受け
取り、回路図表示部31からは指定された配線部分のデ
ータ(マスクレイアウトの指定された部分の座標データ
と指定されたネット名)を受け取る。そして観察像デー
タと照合して観察画像データの対応部分にネット名を付
与し、対応する波形図にもそのネット名を付与する。そ
れらの対応付けに必要な照合データを照合データB記憶
部34に記憶させる。
The circuit-diagram-to-measurement-data collating unit 33 receives the observation image data and the waveform data from the IC internal analyzer 40, and the circuit diagram display unit 31 designates the data of the designated wiring portion (the designated portion of the mask layout). Receives the coordinate data of and the specified net name). Then, the net name is given to the corresponding portion of the observed image data by collating with the observed image data, and the net name is also given to the corresponding waveform diagram. The collation data required for the association are stored in the collation data B storage unit 34.

【0018】観察画像データ記憶部36はIC内部解析
装置40から観察画像データを受け取り記憶する。波形
データ記憶部35はIC内部解析装置40から波形デー
タを受け取り記憶する。演算制御部41はIC不良解析
装置内での必要な演算と制御を行う。
The observation image data storage unit 36 receives the observation image data from the IC internal analyzer 40 and stores it. The waveform data storage unit 35 receives the waveform data from the IC internal analysis device 40 and stores it. The arithmetic control unit 41 performs necessary arithmetic and control in the IC failure analysis device.

【0019】観察画像表示部38は観察画像データ記憶
部36から観察画像データを受け取り表示すると共に、
指定された配線部分に対応するマスクレイアウトのX、
Y座標データとネット名を照合データB記憶部34より
受け取り、そのX、Y座標位置にネット名を重ねて表示
する。あるいは表示面の右上等の特定位置にネット名を
表示してもよい。波形表示部37は波形データ記憶部3
5から波形データを受け取り表示すると共に、照合デー
タB記憶部34から指定された配線部分に対応するネッ
ト名を受け取り、重ねて指定された位置に表示する。上
述のように、ネット名を表示部37と38にも表示した
方が測定上便利であるが、表示画面の問題等で表示画面
は従来通りで、プリントアウトの場合のみ付加すること
も出来る。
The observation image display section 38 receives and displays the observation image data from the observation image data storage section 36, and
X of the mask layout corresponding to the specified wiring part,
The Y coordinate data and the net name are received from the collation data B storage unit 34, and the net name is superimposed and displayed at the X and Y coordinate positions. Alternatively, the net name may be displayed at a specific position such as the upper right of the display surface. The waveform display unit 37 is the waveform data storage unit 3
5, the waveform data is received and displayed, and the net name corresponding to the designated wiring portion is received from the collation data B storage unit 34, and the net name is displayed at the designated position in an overlapping manner. As described above, displaying the net name on the display units 37 and 38 is more convenient for measurement, but the display screen is the same as the conventional one due to problems with the display screen, and can be added only in the case of printout.

【0020】プリントアウトするときは、各表示部3
0、31、32、37及び38に表示している図形及び
波形のデータをそのまま、あるいは必要なデータを付加
して各表示部30、31、32、37及び38からのデ
ータでプリントする。
When printing out, each display unit 3
The graphic and waveform data displayed at 0, 31, 32, 37, and 38 are printed as they are, or with the necessary data added, and the data from the respective display units 30, 31, 32, 37, and 38 are printed.

【0021】なお、今までの説明において、理解しやす
いように、データは全ての表示部即ち、ネットリスト表
示部30、回路図表示部31、マスクレイアウト表示部
32、波形図表示部37及び観察画像表示部38に表示
するように説明したが、最小必要な表示部はマスクレイ
アウト表示部32と観察画像表示部38のみで、他はプ
リントアウトのみにしてもよい。
It should be noted that, in the above description, for easy understanding, the data is displayed in all display parts, that is, the net list display part 30, the circuit diagram display part 31, the mask layout display part 32, the waveform diagram display part 37 and the observation. Although it is described that the image is displayed on the image display unit 38, the minimum required display unit is only the mask layout display unit 32 and the observation image display unit 38, and the others may be only the printout.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明はIC内部
解析装置40で測定した測定結果の図形である観察画像
や測定波形図に、回路ネットリストCADデータ10で
規定したネット名が自動的に表示されプリントされるの
で、人為的ミスを防ぎ、特にネット名が長い場合などに
は煩雑さが無くなり、操作性が非常に向上するので、そ
の効果は大である。
As described above, according to the present invention, the net name defined by the circuit netlist CAD data 10 is automatically added to the observation image or the measurement waveform diagram which is the figure of the measurement result measured by the IC internal analyzer 40. Since it is displayed and printed on the screen, human error is prevented, and especially when the net name is long, the complexity is eliminated and the operability is greatly improved, so that the effect is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の図である。FIG. 1 is a diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した実施例の表示状態を示す一例の図
である。
FIG. 2 is an example of a display state of the embodiment shown in FIG.

【図3】従来の技術を説明するためのブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram for explaining a conventional technique.

【図4】図3に示した従来例に用いるネットリストの例
を示す図である。
4 is a diagram showing an example of a netlist used in the conventional example shown in FIG.

【図5】図3に示した従来例で描かれる回路図の例を示
す接続図である。
5 is a connection diagram showing an example of a circuit diagram drawn in the conventional example shown in FIG.

【図6】図3に示した従来例の表示状態を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a display state of the conventional example shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、11、12 外部記憶装置 13 入力手段 20 IC不良解析用表示装置 21 ネットリストデータ変換部 22 マスクレイアウトデータ変換部 23 ネットリスト対マスクレイアウト照合部 24 ネットリスト−回路図生成部 25 回路図対マスクレイアウト照合部 26 ネットリストデータ記憶部 27 回路図データ記憶部 28 マスクレイアウトデータ記憶部 29 照合データ記憶部 30 ネットリスト表示部 31 回路図表示部 32 マスクレイアウト表示部 33 回路図対測定データ照合部 34 照合データB記憶部 35 波形データ記憶部 36 観察画像データ記憶部 37 波形図表示部 38 観察画像表示部 40 IC内部解析装置 41 演算制御部 50 ワークステーション 10, 11 and 12 External storage device 13 Input means 20 IC defect analysis display device 21 Netlist data conversion unit 22 Mask layout data conversion unit 23 Netlist pair mask layout collation unit 24 Netlist-circuit diagram generation unit 25 Circuit diagram pair Mask layout collation unit 26 Netlist data storage unit 27 Circuit diagram data storage unit 28 Mask layout data storage unit 29 Collation data storage unit 30 Netlist display unit 31 Circuit diagram display unit 32 Mask layout display unit 33 Circuit diagram vs. measurement data collation unit 34 collation data B storage unit 35 waveform data storage unit 36 observation image data storage unit 37 waveform diagram display unit 38 observation image display unit 40 IC internal analysis device 41 arithmetic control unit 50 workstation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 CADデータが入力され、上記CADデ
ータによるネットリストデータとマスクレイアウトデー
タと回路図データとが照合部で照合され、入力手段で指
定する特定部分に対応するマスクレイアウトが表示で
き、一方、IC内部解析装置からの測定データで観察画
像が表示できるIC不良解析装置において、 上記測定データを回路図表示部(31)に指定されてい
る上記特定部分と対応させる回路図対測定データ照合部
(33)と、 観察画像表示部(38)に表示する上記観察画像の特定
部分に、上記特定部分に付せられたネット名を付す照合
データB記憶部(34)と、を具備することを特徴とす
るIC不良解析装置。
1. CAD data is input, netlist data, mask layout data, and circuit diagram data based on the CAD data are collated by a collating unit, and a mask layout corresponding to a specific portion designated by an input means can be displayed. On the other hand, in the IC failure analysis device capable of displaying an observation image with the measurement data from the IC internal analysis device, the circuit diagram vs. measurement data matching in which the measurement data is associated with the specific portion specified in the circuit diagram display section (31). And a collation data B storage unit (34) for attaching the net name attached to the specific portion to the specific portion of the observation image displayed on the observation image display unit (38). An IC failure analysis device characterized by:
JP5304747A 1993-11-09 1993-11-09 Ic failure analyzing device Pending JPH07134166A (en)

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JP5304747A JPH07134166A (en) 1993-11-09 1993-11-09 Ic failure analyzing device
GB9422553A GB2283825B (en) 1993-11-09 1994-11-09 IC fault analysis system
DE4439971A DE4439971A1 (en) 1993-11-09 1994-11-09 Fault analysis system for integrated circuits
US08/593,549 US5640098A (en) 1993-11-09 1996-01-30 IC fault analysis system having charged particle beam tester

Applications Claiming Priority (1)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130582A (en) * 2006-11-16 2008-06-05 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor inspecting apparatus

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