JPH07131157A - Manufacture of laminated ceramic circuit substrate - Google Patents

Manufacture of laminated ceramic circuit substrate

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Publication number
JPH07131157A
JPH07131157A JP5271534A JP27153493A JPH07131157A JP H07131157 A JPH07131157 A JP H07131157A JP 5271534 A JP5271534 A JP 5271534A JP 27153493 A JP27153493 A JP 27153493A JP H07131157 A JPH07131157 A JP H07131157A
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JP
Japan
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conductor
insulating film
film
insulating
hole
Prior art date
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Pending
Application number
JP5271534A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuzuru Matsumoto
譲 松本
Akira Imoto
晃 井本
Hirotoshi Oshikawa
宏敏 押川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP5271534A priority Critical patent/JPH07131157A/en
Publication of JPH07131157A publication Critical patent/JPH07131157A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide the manufacturing method of laminated ceramic circuit substrate capable of easily forming insulating films and stabilized through recessions. CONSTITUTION:The title manufacturing method is composed of the four steps as follows, i.e., (1) the first step of forming insulating films 10a-10e on the surface of a base substance 15 by coating and drying up a glass ceramic made slip material, (2) the second step of forming through recessions 30 passing the insulating films 10a-10e by irradiating the positions to be via hole conductors of the insulating films 10a-10e with laser beams and (3) the third step of forming conductor films 20 to be inner wirings by filling the through recssions with a conductive paste and printing the surfaces of conductors 31 to be via hole conductors and the insulating films 10a-10e with the conductive paste. Furthermore, (4) the fourth step of integrally baking the insulating films 10a-10e, the conductor films 20 to be the inner wirings and the conductors 31 to be the via hole conductors is contained after successively repeating respective steps (1)-(3).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ガラス・セラミックの
スリップ材の塗布により形成された絶縁層が積層した積
層型セラミック回路基板の製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a laminated ceramic circuit board in which insulating layers formed by applying a glass-ceramic slip material are laminated.

【0002】[0002]

【従来の技術】積層型セラミック回路基板は、電子装
置、通信装置などの小型化には欠くことのできない回路
基板である。
2. Description of the Related Art A laminated ceramic circuit board is an essential circuit board for miniaturization of electronic devices, communication devices and the like.

【0003】複数積層した絶縁層の層間に、ビアホール
導体によって接続された内部配線を配置した積層型セラ
ミック回路基板の製造方法としては、いくつかの方法が
知られている。
Several methods are known as a method for manufacturing a laminated ceramic circuit board in which internal wirings connected by via-hole conductors are arranged between a plurality of laminated insulating layers.

【0004】例えば、厚さ100〜200μm程度グリ
ーンシートにビアホール導体となる貫通穴を形成し、該
グリーンシートの貫通穴にビアホール導体となる導体を
充填し、同時に該グリーンシート表面に内部配線となる
導体を印刷形成し、この処理を施した複数のグリーンシ
ートを複数枚積層し、熱圧着を行い、グリーンシート及
び各導体(膜)を一体的に焼成処理するグリーンシート
多層方法があった。
For example, a through hole to be a via hole conductor is formed in a green sheet having a thickness of about 100 to 200 μm, and a conductor to be a via hole conductor is filled in the through hole of the green sheet, and at the same time, an internal wiring is formed on the surface of the green sheet. There is a green sheet multilayer method in which a conductor is printed and formed, a plurality of green sheets subjected to this treatment are laminated, thermocompression bonding is performed, and the green sheet and each conductor (film) are integrally fired.

【0005】また、例えば、絶縁膜となる絶縁ペースト
と、内部配線を形成するための導電性ペーストを準備
し、セラミックなどの耐熱基板上に、所定形状の内部配
線となる導体膜を導電性ペーストのスクリーン印刷で印
刷形成し、次に、上層の内部配線との接続部分を露出す
るようにして、所定形状の絶縁膜を絶縁ペーストのスク
リーン印刷で印刷形成し、同様に、内部配線となる導体
膜、絶縁層となる絶縁膜とを交互にスクリーン印刷し、
絶縁膜及び導体膜を一体的に焼成処理する印刷多層方法
があった。
Further, for example, an insulating paste serving as an insulating film and a conductive paste for forming internal wiring are prepared, and a conductive film serving as internal wiring having a predetermined shape is formed on a heat-resistant substrate such as ceramic. By screen printing, and then by printing the insulating film of a predetermined shape by screen printing an insulating paste so as to expose the connection portion with the upper layer internal wiring, and similarly forming the internal wiring conductor. Alternately screen print the film and the insulating film to be the insulating layer,
There has been a printed multi-layer method in which an insulating film and a conductive film are integrally fired.

【0006】さらに、特開平3−148195に示すさ
れるように、上述のグリーンシート又は絶縁膜の代わり
に、フィルムなどのキャリアテープ上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜を積層体の上部に転写するキャリアテー
プ多層方法があった。
Further, as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 3-148195, instead of the above-mentioned green sheet or insulating film, an insulating film is formed on a carrier tape such as a film, and this insulating film is formed on the laminated body. There was a carrier tape multilayer method of transferring.

【0007】絶縁層を介して隣接する内部配線間を接続
する方法として、グリーンシート多層方法では、各グリ
ーンシート両主面に貫通した開口を有する貫通穴をNC
パンチ、プレスパンチなどで形成し、この貫通穴内に導
電性ペーストを充填しなくてはならない。従って、スル
ーホールの開口径が大きくなると、導電性ペーストを貫
通穴内に安定的に保持できず、導体抜けが発生してしま
う。このため、スルーホールの開口径には上限があっ
た。また、この導電性ペーストの充填は、グリーンシー
トを敷紙上に載置して印刷・充填されるが、敷紙とグリ
ーンシートとを分離する際に、スルーホール内に充填し
た導電性ペーストが敷紙に奪われてしまい、スルーホー
ル内に保持した導体の表面が凹んでしまい、内部配線間
の導通不良が発生することがある。さらに、上述のグリ
ーンシートを高い精度よく位置合わせで、積層しなくて
は所定回路が達成できないという問題点があった。
In the green sheet multilayer method as a method for connecting adjacent internal wirings via an insulating layer, a through hole having an opening penetrating both main surfaces of each green sheet is NC.
It must be formed by punching, press punching, etc., and the conductive paste must be filled in the through holes. Therefore, when the opening diameter of the through hole becomes large, the conductive paste cannot be stably held in the through hole, and the conductor may drop out. Therefore, there is an upper limit on the opening diameter of the through hole. In addition, the filling of the conductive paste is performed by printing and filling by placing the green sheet on the sheet of paper, but when separating the sheet of paper and the green sheet, the conductive paste filled in the through holes is spread. It may be robbed by the paper, and the surface of the conductor held in the through hole may be dented, resulting in defective conduction between the internal wirings. Further, there is a problem that a predetermined circuit cannot be achieved without stacking the green sheets described above with high accuracy and alignment.

【0008】印刷多層方法では、ビアホール導体となる
貫通穴を形成する必要はないが、内部配線となる導体膜
の接続部分が露出するように絶縁ペーストの印刷時に所
定形状の絶縁膜を印刷するが、絶縁ペーストの印刷ダレ
を考慮すると、精度の高い接続部が得られず、内部配線
の高密度化に限界があり、さらに、絶縁層、内部配線の
積層数の増加、内部配線のパターンによって、絶縁膜の
印刷面が積層歪みが発生してしまい、安定した内部配線
を印刷形成することができない。
In the printing multi-layer method, it is not necessary to form a through hole to be a via-hole conductor, but an insulating film having a predetermined shape is printed at the time of printing the insulating paste so that the connecting portion of the conductive film to be the internal wiring is exposed. , Considering the printing sag of the insulating paste, it is not possible to obtain a highly accurate connection part, and there is a limit to the densification of internal wiring.Furthermore, due to the increase in the number of laminated insulating layers and internal wiring, and the internal wiring pattern, Lamination distortion occurs on the printed surface of the insulating film, and stable internal wiring cannot be formed by printing.

【0009】特開平3−148195に開示されたキャ
リアテープ多層方法では、キャリアテープから絶縁膜を
積層体の上部に転写し、キャリアテープを剥離した後
に、絶縁膜の下部に存在する内部配線となる導体膜が露
出するようにレーザー光線の照射により貫通凹部を形成
し、この貫通凹部にビアホール導体となる導体を充填し
ていた。
In the carrier tape multi-layer method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-148195, the insulating film is transferred from the carrier tape to the upper part of the laminated body, and after the carrier tape is peeled off, the internal wiring existing under the insulating film is formed. A through recess is formed by irradiating a laser beam so that the conductor film is exposed, and the through recess is filled with a conductor serving as a via-hole conductor.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ビアホール導体の精度
やビアホール導体の径の制御を考慮すれば、特開平3−
148195に開示されたキャリアテープから絶縁膜の
転写、レーザー光線によるビアホール導体の貫通凹部の
形成が有効となる。
In consideration of the accuracy of the via-hole conductor and the control of the diameter of the via-hole conductor, the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No.
It is effective to transfer an insulating film from the carrier tape disclosed in No. 148195 and to form a penetrating recess of a via-hole conductor by a laser beam.

【0011】しかし、特に、絶縁膜の形成工程におい
て、キャリアテープへの絶縁スリップ材の塗布、乾燥す
る工程、積層体上に絶縁膜を被覆してラミネーション処
理(熱圧着処理)する工程、キャリアテープの剥離を剥
離する工程が必要となり、それらの工程により、全体の
製造工程が極めて煩雑となり、一貫した製造ラインの構
築が難しい。
However, particularly in the step of forming the insulating film, the step of applying the insulating slip material to the carrier tape and drying it, the step of coating the laminated film with the insulating film and performing the lamination treatment (thermocompression treatment), the carrier tape. Are required to be peeled off, which makes the whole manufacturing process extremely complicated and makes it difficult to construct a consistent manufacturing line.

【0012】しかも、このような絶縁膜は、ラミネーシ
ョン処理が施されることにより、キャリアテープ上の絶
縁膜の膜厚と、積層体上部に転写した後の絶縁膜の厚み
が異なるため、ビアホール導体となる貫通凹部を形成す
る際のレーザー光の照射条件の設定・管理が極めて難し
く、キャリアテープ上の絶縁膜の膜厚の考慮したレーザ
ー光の照射条件の貫通凹部を形成すると、下層に位置す
る内部配線の導体膜をもレーザー光線によって除去して
しまうことがある。
Moreover, since such an insulating film is subjected to a lamination treatment, the thickness of the insulating film on the carrier tape and the thickness of the insulating film after being transferred to the upper part of the laminated body are different from each other. It is extremely difficult to set and manage the irradiation conditions of the laser light when forming the through recesses that will become The conductor film of the internal wiring may also be removed by the laser beam.

【0013】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、レーザー光線を用いて貫通凹部を形成す
るにあたり、安定した貫通凹部が形成できる、特有の絶
縁膜の形成工程を有する積層型セラミック回路基板の製
造方法を提供することになる。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has a unique insulating film forming step capable of forming a stable through recess when forming the through recess using a laser beam. A method for manufacturing a multilayer ceramic circuit board is provided.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック層
となる絶縁膜と、内部配線となる導体膜とが重畳積層す
るとともに、前記絶縁膜を挟んで隣接しあう導体膜が該
絶縁膜の厚みを貫くビアホール導体となる導体を介して
接続する積層体を形成し、前記積層体を焼成処理する積
層型セラミック回路基板の製造方法であって、前記ビア
ホール導体となる導体を有する絶縁膜と該絶縁膜上に重
畳する導体膜を、(1)ガラス・セラミックのスリップ
材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工程、(2)前記
絶縁膜に、レーザー光線を照射して、絶縁膜を貫通する
貫通孔を形成する工程、(3)前記絶縁膜の表面及び貫
通孔内に導電性ペーストを印刷・充填して内部配線とな
る導体膜とビアホール導体となる導体を形成する工程と
で形成する。
According to the present invention, an insulating film to be a ceramic layer and a conductive film to be an internal wiring are superposed and laminated, and a conductive film adjacent to each other with the insulating film interposed therebetween is the insulating film. A method for manufacturing a laminated ceramic circuit board, comprising forming a laminated body connected through a conductor serving as a via-hole conductor that penetrates through a thickness, and firing the laminated body, the insulating film having a conductor serving as the via-hole conductor, (1) A step of applying and drying a glass / ceramic slip material to form an insulating film, and (2) irradiating the insulating film with a laser beam to penetrate the insulating film. Forming a through hole, and (3) forming and forming a conductor film serving as internal wiring and a conductor serving as a via hole conductor by printing and filling a conductive paste on the surface of the insulating film and inside the through hole. .

【0015】ここで、「貫通孔」とは、これを形成する
絶縁膜の厚みに貫通しているが、その貫通孔の下部開口
からは、基体が露出し、その開口が閉塞されており、全
体として、「凹部」形状となるため、以下、「貫通凹
部」と表現する。
Here, the "through hole" has a thickness of the insulating film forming the through hole. The base is exposed from the lower opening of the through hole, and the opening is closed. Since it has a “concave” shape as a whole, it will be referred to as “through concave” hereinafter.

【0016】[0016]

【作用】本発明によれば、例えば、先の一連の(1)〜
(3)工程により、絶縁膜上に内部配線となる導体膜を
形成した後、さらに、絶縁膜を形成する(1)工程の実
施により、先の絶縁膜上に均一の厚みの絶縁膜を形成す
ることができる。また、レーザー光線の照射する(2)
工程の間で、絶縁膜の厚みが大きく変化することがない
ため、レーザー光線の照射条件を、塗布した絶縁膜の厚
みのみを考慮して行うことができるため、先の内部配線
となる導体膜をも除去したり、また、先の内部配線とな
る導体膜までの到達しないなどということがなくなり、
絶縁膜に安定した貫通凹部を形成することができる。
According to the present invention, for example, the series of (1) to
In the step (3), after forming the conductor film to be the internal wiring on the insulating film, the insulating film is further formed. By performing the step (1), the insulating film having a uniform thickness is formed on the previous insulating film. can do. In addition, laser beam irradiation (2)
Since the thickness of the insulating film does not change significantly between the steps, the irradiation condition of the laser beam can be performed considering only the thickness of the applied insulating film. It will not be removed, and it will not reach the conductor film that will be the internal wiring.
A stable penetrating recess can be formed in the insulating film.

【0017】また、キャリアテープを用いず、積層体
(基体)の上部に直接絶縁膜を形成することができるの
で、特に絶縁膜の形成工程が簡略化でき、一貫的な製造
ラインにより、積層型セラミック回路基板を製造するこ
とができる。
Further, since the insulating film can be directly formed on the laminated body (base body) without using the carrier tape, the step of forming the insulating film can be particularly simplified and the laminated type can be formed by the consistent production line. Ceramic circuit boards can be manufactured.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の積層型セラミック回路基板の
製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、本発明に
係る積層型セラミック回路基板の断面図であり、図2
(a)〜(g)はその製造方法を説明する概略断面図で
ある。尚、説明は5層の絶縁層からなる積層型セラミッ
ク回路基板を用いて説明するが、積層数は任意に変更す
ることができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a laminated ceramic circuit board according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a multilayer ceramic circuit board according to the present invention.
(A)-(g) is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing method. Although the description will be given using a laminated ceramic circuit board including five insulating layers, the number of laminated layers can be arbitrarily changed.

【0019】図において、1は積層体本体であり、1a
〜1eは絶縁層、2は内部配線、3はビアホール導体、
4は表面配線、5、6は電子部品である。
In the figure, reference numeral 1 is a laminated body main body, and 1a
1e is an insulating layer, 2 is an internal wiring, 3 is a via-hole conductor,
Reference numeral 4 is surface wiring, and 5 and 6 are electronic components.

【0020】積層体本体1は、絶縁層1a〜1e、該絶
縁層1a〜1eの層間に配された内部配線2、異なる層
間に配された複数の内部配線2間どうし、また内部配線
2と表面配線4との間を接続するためのビアホール導体
3とから構成されている。
The laminated body 1 includes insulating layers 1a to 1e, internal wirings 2 arranged between the insulating layers 1a to 1e, a plurality of internal wirings 2 arranged between different layers, and an internal wiring 2 It is composed of a via-hole conductor 3 for connecting to the surface wiring 4.

【0021】絶縁層1a〜1eは、例えば850〜10
50℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−
セラミック材料からなり、その厚みは40〜120μm
である。このような複数の絶縁層1a〜1e間には、内
部配線2が配置されている。
The insulating layers 1a-1e are, for example, 850-10.
Glass that enables firing at relatively low temperatures around 50 ° C
Made of ceramic material, its thickness is 40 ~ 120μm
Is. The internal wiring 2 is arranged between the plurality of insulating layers 1a to 1e.

【0022】内部配線2は、金系、銀系、銅系の金属材
料、例えば銀系導体からなっている。また、異なる絶縁
層1a〜1e間の内部配線2は、絶縁層1a〜1eの厚
みを貫くビアホール導体3によって接続されている。
The internal wiring 2 is made of a gold-based, silver-based or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor. Further, the internal wiring 2 between the different insulating layers 1a to 1e is connected by the via-hole conductor 3 penetrating the thickness of the insulating layers 1a to 1e.

【0023】ビアホール導体3も内部配線2と同様に金
系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなって
いる。
The via-hole conductor 3 is also made of a gold-based, silver-based, or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor, like the internal wiring 2.

【0024】積層体本体1の表面には、絶縁層1aに形
成したビアホール導体3と接続する、銀系、銅系の金属
材料、例えば銅系導体からなる表面配線4が形成されて
おり、この表面配線4上には、必要に応じて、厚膜抵抗
体膜5や図示していないが厚膜保護膜が形成されたり、
メッキ処理されたり、またICを含む各種電子部品6が
半田やボンディング細線によって接合されている。
A surface wiring 4 made of a silver-based or copper-based metal material, for example, a copper-based conductor, is formed on the surface of the laminated body 1 and is connected to the via-hole conductor 3 formed in the insulating layer 1a. If necessary, a thick film resistor film 5 or a thick film protective film (not shown) may be formed on the surface wiring 4,
Various electronic components 6 including a plating process and an IC are joined by solder or bonding fine wires.

【0025】上述の積層型セラミック回路基板は、図2
(a)〜(g)に示す工程によって形成される。
The above-mentioned laminated ceramic circuit board is shown in FIG.
It is formed by the steps shown in (a) to (g).

【0026】まず、図2(a)に示すように、耐熱性樹
脂、ガラス、セラミックなどのワーク基板15(基体に
相当)上に絶縁層1eとなる絶縁膜10eを形成する。
First, as shown in FIG. 2A, an insulating film 10e to be the insulating layer 1e is formed on a work substrate 15 (corresponding to a base) made of heat resistant resin, glass, ceramics or the like.

【0027】絶縁膜10eは、セラミック粉末、ガラス
材料、有機バインダ、有機又は水系溶剤などを均質混練
して得られスリップ材を、40〜120μm程度になる
ように、塗布、乾燥して形成する。
The insulating film 10e is formed by applying and drying a slip material obtained by homogeneously kneading ceramic powder, a glass material, an organic binder, an organic or aqueous solvent, etc. to a thickness of about 40 to 120 μm.

【0028】尚、図1では、積層体本体1の裏面には表
面配線などを形成していないため、絶縁膜10eにはビ
アホール導体3となる貫通凹部を形成する必要がない
が、裏面に表面配線などを形成する場合には、絶縁膜1
0eを形成した後、図2(d)に示す貫通凹部30の形
成工程を行う必要がある。
In FIG. 1, since the surface wiring and the like are not formed on the back surface of the laminated body 1, it is not necessary to form a penetrating recess serving as the via-hole conductor 3 in the insulating film 10e. When forming wiring etc., insulating film 1
After forming 0e, it is necessary to perform the step of forming the through recess 30 shown in FIG.

【0029】上述のセラミック粉末としては、クリスト
バライト、石英、コランダム(αアルミナ)、ムライ
ト、ジルコニア、コージェライト等の材料が挙げられ、
その粉末の平均粒径は、好ましくは1.0〜6.0μ
m、更に好ましくは1.5〜4.0μmである。これら
のセラミック材料は2種以上混合して用いられてもよ
い。
Examples of the above-mentioned ceramic powder include materials such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, zirconia and cordierite.
The average particle size of the powder is preferably 1.0 to 6.0 μ.
m, and more preferably 1.5 to 4.0 μm. Two or more kinds of these ceramic materials may be mixed and used.

【0030】特に、コランダムを用いた場合、コスト的
に有利となる。セラミック粉末の平均粒径が1.0〜
6.0μmと設定したのは、平均粒径が1.0μm未満
では、均質混合してスリップ化することが難しくなる。
逆に平均粒径が6.0μmを超えると緻密で強度の高い
積層体本体1が得られない。
In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost. The average particle size of the ceramic powder is 1.0 to
The reason for setting 6.0 μm is that if the average particle size is less than 1.0 μm, it becomes difficult to homogeneously mix and slip.
On the contrary, if the average particle size exceeds 6.0 μm, the dense laminated body 1 having high strength cannot be obtained.

【0031】上述のガラス材料としては、複数の金属酸
化物を含むガラスフリットであり、850〜1050℃
で焼成した後に、コージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライト及びその置換誘導体の結晶
を少なくとも1種析出するものが挙げられる。
The above-mentioned glass material is a glass frit containing a plurality of metal oxides and has a temperature of 850 to 1050 ° C.
After calcination in 1., at least one crystal of cordierite, mullite, anorthite, sergian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof is precipitated.

【0032】特に、アノーサイトまたはセルジアンを析
出する結晶化ガラスフリットを用いると、より強度の高
い積層体本体1が得られ、また、コージェライトまたは
ムライトを析出し得る結晶化ガラスフリットを用いれる
と、焼成後の熱膨張率が低い為、回路基板上にIC等の
シリコンチップを配置するための回路基板としては有効
となる。
In particular, when a crystallized glass frit that deposits anorthite or Celsian is used, a laminate body 1 having higher strength can be obtained, and when a crystallized glass frit that can deposit cordierite or mullite is used. Since the coefficient of thermal expansion after firing is low, it is effective as a circuit board for disposing a silicon chip such as an IC on the circuit board.

【0033】上述の絶縁層の強度、熱膨張率を考慮した
最も好ましいガラス材料としては、B2 3 、Si
2 、Al2 3 、ZnO、アルカリ土類酸化物を含む
ガラスフリットである。この様なガラスフリットは、ガ
ラス化範囲が広くまた屈伏点が600〜800℃付近に
ある為、850〜1050℃程度の低温焼成に適し、且
つ内部配線2、ビアホール導体3となる銅系、銀系及び
金系の導電材料の焼結挙動に適している。
The most preferable glass materials in consideration of the strength and the coefficient of thermal expansion of the insulating layer are B 2 O 3 and Si.
A glass frit containing O 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and an alkaline earth oxide. Since such a glass frit has a wide vitrification range and a yield point around 600 to 800 ° C., it is suitable for low temperature firing at about 850 to 1050 ° C., and copper-based and silver to be the internal wiring 2 and the via-hole conductor 3. It is suitable for the sintering behavior of metallic and gold-based conductive materials.

【0034】ガラス材料はスリップ材中には、フリット
の状態で混合されている。このフリットの平均粒径は、
1.0〜5.0μm、好ましくは1.5〜3.5μmで
ある。ここで、平均粒径が1.0μm未満の場合は、ス
リップ化することが困難となる。逆に平均粒径が5.0
μmを超えると分散性が損なわれ、具体的には絶縁材料
であるセラミック粉末間に均等に溶解分散できず、強度
が非常に低下してしまう。
The glass material is mixed in the slip material in a frit state. The average particle size of this frit is
It is 1.0 to 5.0 μm, preferably 1.5 to 3.5 μm. Here, if the average particle size is less than 1.0 μm, it becomes difficult to slip. Conversely, the average particle size is 5.0
When it exceeds μm, the dispersibility is impaired, and specifically, it cannot be uniformly dissolved and dispersed between the ceramic powders which are insulating materials, and the strength is extremely lowered.

【0035】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が10〜50wt%、好まし
くは20〜35wt%であり、ガラス材料が90〜50
wt%、好ましくは80〜65wt%である。
The composition ratio of the above-mentioned ceramic material and glass material is such that when firing at a relatively low temperature of 850 to 1050 ° C., the ceramic material is 10 to 50 wt%, preferably 20 to 35 wt%. Is 90-50
wt%, preferably 80-65 wt%.

【0036】ここで、セラミック材料が10wt%未
満、且つガラス材料が90wt%を越えると、絶縁層に
ガラス質が増加しすぎ、絶縁層の強度等からしても不適
切であり、また、セラミック材料が50wt%を越え、
且つガラス材料が50wt%未満となると、焼成後の絶
縁層の緻密性も損なわれる。
Here, if the ceramic material is less than 10 wt% and the glass material exceeds 90 wt%, the insulating layer is excessively vitreous, which is inappropriate from the viewpoint of the strength of the insulating layer. Material exceeds 50wt%,
Moreover, if the glass material is less than 50 wt%, the denseness of the insulating layer after firing is also impaired.

【0037】上述のセラミックやガラスなどの固形成分
の他に、スリップ材の構成材料としては、焼結によって
消失される有機バインダー、有機溶剤とを含んでいる。
In addition to the above-mentioned solid components such as ceramics and glass, the constituent materials of the slip material include an organic binder and an organic solvent which are lost by sintering.

【0038】有機バインダーは、熱分解性の良好なもの
でなくてはならない。同時にスリップの粘性を決めるも
のである為、固形分との濡れ性も重視せねばならず、本
発明者の検討によればアクリル酸もしくはメタクリル酸
系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基
を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。添加量と
しては固形分に対して25wt%以下が好ましい。
The organic binder must have good thermal decomposability. At the same time, since it determines the viscosity of the slip, the wettability with the solid content must be emphasized.According to the study of the present inventor, a carboxyl group such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymer and an alcoholic hydroxyl group are determined. The ethylenically unsaturated compounds provided are preferred. The addition amount is preferably 25 wt% or less with respect to the solid content.

【0039】尚、溶剤として、有機系溶剤の他に、水系
溶剤を用いることができるが、この場合、有機バインダ
も水溶性である必要があり、バインダには、親水性の官
能基、例えばカルボキシル基が付加されている。その付
加量は酸価で表せば2〜300あり、好ましくは5〜1
00である。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定
成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が
悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分
解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加される。
As the solvent, an aqueous solvent can be used in addition to the organic solvent. In this case, the organic binder also needs to be water-soluble, and the binder has a hydrophilic functional group such as carboxyl. A group is added. The amount of addition is 2 to 300 when expressed by acid value, preferably 5 to 1
00. If the addition amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the powder of the fixed component will be poor, and if it is large, the thermal decomposability will be poor. In consideration of the above, it is appropriately added within the above range.

【0040】何れの系のスリップ材における有機バイン
ダは上述したように熱分解性の良好なものでなくてはな
らないが、具体的には600℃以下で熱分解が可能でな
くてはならない。更に好ましくは500℃以下である。
熱分解温度が600℃を越えると、絶縁層内に残存して
しまい、カーボンとしてトラップし、基板を灰色に変色
させたり、絶縁層の絶縁抵抗までも低下させてしまう。
またボイドとなりデラミネーションを起こすことがあ
る。
The organic binder in any of the slip materials must have good thermal decomposability as described above, but specifically, it must be capable of thermal decomposition at 600 ° C. or lower. More preferably, it is 500 ° C. or lower.
When the thermal decomposition temperature exceeds 600 ° C., it remains in the insulating layer, traps as carbon, discolors the substrate in gray, and lowers the insulation resistance of the insulating layer.
Also, it may become void and cause delamination.

【0041】上述のスリップ材の塗布方法として、例え
ば、ドクターブレード法(ナイフコート法)、ロールコ
ート法、印刷法などが挙げられる。特に塗布後の絶縁膜
の表面が平坦化することが容易なドクターブレード法な
どが好適である。尚、塗布方法に応じて溶剤の添加量が
調整され、所定粘度に調整される。
Examples of the method of applying the above-mentioned slip material include a doctor blade method (knife coating method), a roll coating method, a printing method and the like. In particular, a doctor blade method or the like is preferable because it makes it easy to flatten the surface of the insulating film after coating. The amount of the solvent added is adjusted according to the coating method to adjust the viscosity to a predetermined value.

【0042】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は、120℃
以下が望ましい。また、急激な乾燥は、表面にクラック
を発生される可能性があるため、急加熱は避けることが
重要となる。
As a drying method, a batch-type drying furnace or an in-line-type drying furnace is used, and the drying condition is 120 ° C.
The following is desirable. Also, rapid drying may cause cracks on the surface, so it is important to avoid rapid heating.

【0043】次に、図2(b)に示すように、絶縁層1
eと絶縁層1dとの層間に配される内部導体2となる導
体膜20を例えばAg系導電性ペーストを用いてスクリ
ーン印刷によって所定形状に印刷し、乾燥を行う。その
導体膜は、20〜30μm程度が好ましい。
Next, as shown in FIG. 2B, the insulating layer 1
The conductor film 20 serving as the inner conductor 2 disposed between the e and the insulating layer 1d is printed in a predetermined shape by screen printing using, for example, an Ag-based conductive paste, and dried. The conductor film preferably has a thickness of about 20 to 30 μm.

【0044】導電性ペーストは、金、銀、銅もしくはそ
の合金のうち少なくとも1つの金属材料、例えば銀の粉
末と、低融点ガラス成分と、有機バインダーと有機溶剤
とを均質混練したものが用いられる。特に、焼成温度が
850〜1050℃と比較的低いため、絶縁膜の焼結挙
動を考慮して、低融点ガラス成分の屈伏点を700℃前
後となるものが使用することが重要である。
As the conductive paste, at least one metal material selected from gold, silver, copper or alloys thereof, for example, silver powder, a low melting point glass component, an organic binder and an organic solvent are homogeneously kneaded. . In particular, since the firing temperature is relatively low at 850 to 1050 ° C, it is important to use a low melting point glass component having a yield point of around 700 ° C in consideration of the sintering behavior of the insulating film.

【0045】次に、図2(c)に示すように、上述の導
体膜20を完全に被覆するように、絶縁層1dとなる絶
縁膜10dを上述のスリップ材を用いて塗布・乾燥を行
う。
Next, as shown in FIG. 2C, the insulating film 10d to be the insulating layer 1d is applied and dried using the above-mentioned slip material so as to completely cover the above-mentioned conductor film 20. .

【0046】尚、ここで基体とは、ワーク基板15単体
ではなく、この工程前に形成された、絶縁膜10e、内
部配線となる導体20を含むものを基体という。
Here, the base body is not the work substrate 15 alone, but the base body including the insulating film 10e and the conductor 20 to be the internal wiring formed before this step.

【0047】次に、図2(d)に示すように、絶縁層1
dの厚み方向を貫くビアホール導体3に相当する絶縁膜
10dの所定位置に、レーザー光の照射により貫通凹部
30を形成する。貫通凹部30の上部開口直径は、40
〜100μm、一般に80μm程度である。尚、レーザ
ー光の照射により、絶縁膜10dが表面側から徐々に焼
失されるため、実際の貫通凹部30の形状は、上部開口
径に比較して下方開口径は小さくなる。
Next, as shown in FIG. 2D, the insulating layer 1
A through recess 30 is formed by irradiating a laser beam at a predetermined position of the insulating film 10d corresponding to the via-hole conductor 3 penetrating in the thickness direction of d. The upper opening diameter of the through recess 30 is 40
-100 μm, generally about 80 μm. Since the insulating film 10d is gradually burned down from the surface side by the irradiation of the laser light, the actual shape of the through recess 30 has a lower opening diameter smaller than the upper opening diameter.

【0048】レーザーは、YAGレーザー、エキシマレ
ーザー、CO2 レーザーなどが挙げされ、絶縁膜10d
上に、貫通凹部30となる部分のみが開口したマスクな
ど(ガレット乾板)を載置して、絶縁膜10d上をレー
ザー光を所定照射条件で走査を行う。レーザー光の出力
は1.0〜5.0W、好ましくは3.0W程度である。
出力が低すぎると、絶縁膜10dの厚み方向を貫通させ
るに必要なビームショット数を増加してしまい、貫通凹
部30を形成するのに多大な時間を要することになる。
逆に出力が高すぎると、絶縁膜10e上に形成した導体
膜20をも破壊してしまう。
The laser may be a YAG laser, an excimer laser, a CO 2 laser, or the like, and the insulating film 10d
A mask or the like (Gullet dry plate) having only the portion to be the through recess 30 opened is placed thereon, and the insulating film 10d is scanned with laser light under a predetermined irradiation condition. The output of laser light is 1.0 to 5.0 W, preferably about 3.0 W.
If the output is too low, the number of beam shots required to penetrate the insulating film 10d in the thickness direction increases, and it takes a lot of time to form the penetrating recess 30.
On the contrary, if the output is too high, the conductor film 20 formed on the insulating film 10e is also destroyed.

【0049】また、レーザー光の発振周波数は、1.0
〜3.0KHzであり、走査速度は、5〜50mm/s
程度であれば、時間的な効率がよく、安定したパターン
精度で、完全な貫通凹部30を形成することができる。
The oscillation frequency of the laser light is 1.0
~ 3.0 KHz, scanning speed 5 ~ 50 mm / s
If it is about a certain degree, it is possible to form the complete penetrating recess 30 with good time efficiency and stable pattern accuracy.

【0050】次に、図2(e)に示すように、絶縁膜1
0dの貫通凹部30に、ビアホール導体3となる導体3
1を、導電性ペーストの充填・乾燥によって形成する。
充填方法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。尚、
図示しているように、実際の貫通凹部30の側面は傾斜
しているので、貫通凹部30内への導電性ペーストの充
填性が向上する。
Next, as shown in FIG. 2E, the insulating film 1
The conductor 3 to be the via-hole conductor 3 is provided in the through recess 30 of 0d.
1 is formed by filling and drying a conductive paste.
The filling method is, for example, a screen printing method. still,
As shown in the figure, since the side surface of the actual through recess 30 is inclined, the filling property of the conductive paste into the through recess 30 is improved.

【0051】次に、図2(f)に示すように、絶縁層1
dと絶縁層1cとの間に配される内部配線2となる導体
膜20を絶縁膜10d上に導電性ペーストも用いて印刷
・乾燥する。刷方法は、例えばスクリーン印刷方法で行
なう。
Next, as shown in FIG. 2F, the insulating layer 1
The conductor film 20 to be the internal wiring 2 disposed between the insulating layer 1c and the insulating layer 1c is printed and dried on the insulating film 10d using a conductive paste. The printing method is, for example, a screen printing method.

【0052】尚、上述の貫通凹部30に導電性ペースト
を充填して導体31を形成する工程(図2(e))と、
上述の絶縁膜10d上に導電性ペーストを印刷して導体
膜20を形成する工程(図2(f))とを同一印刷工程
で行っても構わない。
Incidentally, the step of filling the above-mentioned penetrating recess 30 with a conductive paste to form the conductor 31 (FIG. 2 (e)),
The step of printing the conductive paste on the insulating film 10d to form the conductor film 20 (FIG. 2F) may be performed in the same printing step.

【0053】次に、絶縁層1cとなる絶縁膜を、図2
(c)に示すように形成し、続いて、絶縁層1cとなる
絶縁膜10cの貫通凹部30を、図2(d)に示すよう
に形成し、この貫通凹部30にビアホール導体3となる
導体31を図2(e)に示すように形成し、絶縁層1c
と絶縁層1bとの間に配される内部配線2となる導体膜
20を図2(f)に示すように形成する。
Next, the insulating film to be the insulating layer 1c is formed as shown in FIG.
2C, the through-recess 30 of the insulating film 10c to be the insulating layer 1c is formed as shown in FIG. 2D, and the through-recess 30 serves as the via-hole conductor 3. 31 is formed as shown in FIG. 2E, and the insulating layer 1c is formed.
2F, the conductor film 20 to be the internal wiring 2 disposed between the insulating layer 1b and the insulating layer 1b is formed.

【0054】これを繰り返して、図2(g)に示すよう
に、最上層の絶縁層1aとなる絶縁膜10aを形成し、
絶縁膜10aに貫通凹部30を形成し、ビアホール導体
3となる導体31を形成する。これにより、未焼成の積
層体本体1の積層工程が終了する。
By repeating this, as shown in FIG. 2 (g), the insulating film 10a to be the uppermost insulating layer 1a is formed,
The through recess 30 is formed in the insulating film 10a, and the conductor 31 to be the via-hole conductor 3 is formed. As a result, the step of laminating the unfired laminated body 1 is completed.

【0055】そして、この積層体本体1に、個々の積層
体本体に分割可能にするためにプレス成型により分割溝
を形成し、ワーク基板15と積層体本体1とを分離す
る。
Then, a dividing groove is formed in the laminated body 1 by press molding so as to be divided into individual laminated bodies, and the work substrate 15 and the laminated body 1 are separated.

【0056】次に、絶縁膜10a〜10e、内部配線2
となる導体膜20、ビアホール導体3と導体31とから
成る積層体本体1を一体焼結を行う。
Next, the insulating films 10a to 10e and the internal wiring 2
The laminated body 1 including the conductor film 20 and the via-hole conductor 3 and the conductor 31 is integrally sintered.

【0057】焼結は、脱バインダ過程と焼成過程からな
る。脱バインダ過程は、絶縁膜10a〜10e、内部配
線2となる導体膜20、及びビアホール導体3の導体3
1に含まれる有機成分を消失するためであり、例えば6
00℃以下である。
Sintering consists of a binder removal process and a firing process. In the binder removal process, the insulating films 10a to 10e, the conductor film 20 to be the internal wiring 2, and the conductor 3 of the via-hole conductor 3 are used.
This is because the organic component contained in 1 disappears, and for example, 6
It is not higher than 00 ° C.

【0058】また、焼成過程は、絶縁膜10a〜10e
のガラス成分を充分に軟化させて、セラミック粉末の粒
界に均一に充填させ、積層体本体1の一定強度を達成さ
せ、同時に、導体膜20、導体31の銀系粉末を粒成長
させて、低抵抗化させるとともに、絶縁層と一体化させ
るものであり、酸化性雰囲気又は中性雰囲気でピーク温
度850〜1050℃で行う。
In the firing process, the insulating films 10a to 10e are used.
By sufficiently softening the glass component of (1) to uniformly fill the grain boundaries of the ceramic powder to achieve a certain strength of the laminated body 1, and at the same time, the silver powder of the conductor film 20 and the conductor 31 is grain-grown. In addition to lowering the resistance, it is integrated with the insulating layer, and is performed at a peak temperature of 850 to 1050 ° C. in an oxidizing atmosphere or a neutral atmosphere.

【0059】焼結された積層体本体1の表面に、表面導
体4を焼きつけをおこなう。表面導体4に銅系導体を用
いる場合には、内部配線2やビアホール導体3が銀系導
体であるため、その接続部分での銀と銅との共晶反応を
避けるために、表面導体4の形成としては、低温(例え
ば780℃以下)焼成可能な銅系導電性ペーストを用い
て、還元性又は中性雰囲気で焼きつけを行う。また、表
面導体4に銀系導体を用いる場合は、図2(g)に加え
て、絶縁膜10aの貫通凹部30に銀系導電性ペースト
を充填すると同時に、またはその直後、銀系の導電性ペ
ーストで印刷形成し、積層体本体1と同時に焼成するこ
とができる。製造工程からすれば、銀系導体を用いる方
が有利であるが、銀はマイグレーションの問題などのが
あるため、表面配線4の高密度化からすれば銅系導体を
用いる方が有利であり、用途に応じて使い分けすればよ
い。
The surface conductor 4 is baked on the surface of the laminated body 1 that has been sintered. When a copper-based conductor is used for the surface conductor 4, the internal wiring 2 and the via-hole conductor 3 are silver-based conductors. Therefore, in order to avoid the eutectic reaction between silver and copper at the connection portion, As the formation, a copper-based conductive paste that can be burned at a low temperature (for example, 780 ° C. or lower) is used, and baking is performed in a reducing or neutral atmosphere. Further, when a silver-based conductor is used for the surface conductor 4, in addition to FIG. 2G, the silver-based conductive paste is filled in the penetrating recess 30 of the insulating film 10a at the same time as or immediately after that. It can be formed by printing with a paste and baked at the same time as the laminated body 1. From the manufacturing process, it is advantageous to use a silver-based conductor, but since silver has a problem of migration, it is advantageous to use a copper-based conductor from the viewpoint of increasing the density of the surface wiring 4. It can be used properly according to the purpose.

【0060】そして、必要に応じて、厚膜抵抗体膜5を
焼きつけ形成し、表面導体4上にICチップやチップ部
品などの電子部品6を接合して、分割溝にそって個々に
分割する。これにより、図1に示す積層型セラミック回
路基板が達成される。尚、図には示していないが、絶縁
保護膜を厚膜抵抗体膜5の形成に引き続いて形成しても
構わない。
Then, if necessary, the thick film resistor film 5 is formed by baking, and the electronic component 6 such as an IC chip or a chip component is bonded onto the surface conductor 4 and divided individually along the dividing groove. . As a result, the laminated ceramic circuit board shown in FIG. 1 is achieved. Although not shown in the figure, the insulating protective film may be formed subsequent to the formation of the thick film resistor film 5.

【0061】上述の製造方法によれば、図2(c)に示
すように、例えば絶縁膜10dの形成が、ワーク基板1
5、絶縁膜10e、内部配線2となる導体膜20からな
る基体上に、絶縁スリップ材のドクターブレード法など
の塗布・乾燥よって形成されるため、従来のように、キ
ャリアテープに絶縁膜を形成し、乾燥後に、積層体の上
部に所定ラミネート条件で転写し、キャリアテープを剥
離するという工程なく、簡単に絶縁膜を形成することが
できる。
According to the above manufacturing method, as shown in FIG. 2C, for example, the insulating film 10d is formed by the work substrate 1
5, the insulating film 10e and the conductor film 20 to be the internal wiring 2 are formed by coating and drying an insulating slip material such as a doctor blade method, so that the insulating film is formed on the carrier tape as in the conventional case. Then, after the drying, the insulating film can be easily formed without transferring to the upper part of the laminated body under a predetermined laminating condition and peeling the carrier tape.

【0062】しかも、塗布を完了した絶縁膜の表面は、
下層の内部配線2となる導体膜20の積層状態、絶縁膜
の積層数に係わらず、常に均一な面とすることができ
る。従って、その絶縁膜上に内部配線の導体膜を確実か
つ安定して形成することができる。
Moreover, the surface of the insulating film that has been applied is
Regardless of the laminated state of the conductor film 20 which becomes the lower internal wiring 2 and the number of laminated insulating films, a uniform surface can always be obtained. Therefore, the conductor film of the internal wiring can be reliably and stably formed on the insulating film.

【0063】また、絶縁膜の厚みは、スリップ材の塗布
時のブレードと既に積層された積層本体の上部との間隔
の制御によって任意に設定でき、しかも、貫通凹部30
を形成するまでもその厚みが変化することがない。従っ
て、レーザー光の照射により貫通凹部30を形成する
時、制御された絶縁膜の厚みを考慮してレーザー光照射
条件を設定することができ、貫通凹部30の精度が向上
し、貫通凹部30から露出する下層の内部配線2となる
導体膜20に対してダメージを抑えることがなくなり、
ビアホール導体3による内部配線2間のの接続信頼性が
向上する。
Further, the thickness of the insulating film can be arbitrarily set by controlling the distance between the blade at the time of applying the slip material and the upper portion of the laminated body already laminated, and moreover, the through recess 30
The thickness does not change even before the formation of. Therefore, when the through recess 30 is formed by laser light irradiation, the laser light irradiation condition can be set in consideration of the controlled thickness of the insulating film, the accuracy of the through recess 30 is improved, and Damage to the exposed conductor film 20 which becomes the internal wiring 2 in the lower layer is not suppressed,
The connection reliability between the internal wiring 2 by the via-hole conductor 3 is improved.

【0064】また、キャリアテープを用いず、安定した
ビアホール導体の貫通凹部を簡単に形成できるため、絶
縁膜の形成工程、ビアホール導体となる貫通凹部の形成
工程、導電性ペーストの選択的な印刷によるビアホール
導体となる導体の充填、内部配線の形成、さらには絶縁
膜の形成工程・・・と周回する一貫製造ラインの構築が
可能となり、製造コストを大幅に低減できる積層型セラ
ミック回路基板の製造方法となる。
Further, since a stable penetrating recess of a via hole conductor can be easily formed without using a carrier tape, it is possible to perform an insulating film forming step, a penetrating recess forming step to be a via hole conductor, and a selective printing of a conductive paste. A method of manufacturing a laminated ceramic circuit board that enables a conductor manufacturing process that fills up the conductors that will be via-hole conductors, forms internal wiring, and further forms an insulating film ... Becomes

【0065】尚、上述の実施例では、積層体本体1の一
方側主面のみに表面配線4、各種電子部品5、6を形成
したが、積層体本体1の他方側主面にも、表面導体4、
各種電子部品5、6を形成しても構わない。この場合、
図2(b)において、絶縁膜10eを形成した後、図2
(d)に示す貫通凹部30の形成工程、図2(f)に示
すビアホール導体3となる導体31の充填工程を施す必
要がある。
Although the surface wiring 4 and the various electronic components 5 and 6 are formed only on one main surface of the laminated body 1 in the above-described embodiment, the surface wiring is formed on the other main surface of the laminated body 1 as well. Conductor 4,
Various electronic components 5 and 6 may be formed. in this case,
2B, after forming the insulating film 10e,
It is necessary to perform the step of forming the through recess 30 shown in (d) and the step of filling the conductor 31 to be the via-hole conductor 3 shown in FIG. 2 (f).

【0066】さらに、ワーク基板15として、表面に内
部配線を印刷形成された焼成済のセラミック基板を用い
ても構わない。この場合、ワーク基板15を分離する必
要がない。
Further, as the work substrate 15, a fired ceramic substrate having internal wiring printed thereon may be used. In this case, it is not necessary to separate the work board 15.

【0067】また、内部配線2として、Au系、Ag
系、Cu系の低融点金属材料を用いたため、絶縁層1a
〜1fとしてもガラス・セラミックを主成分とする材料
を用いたが、内部配線2として、タングステン、モリブ
デンなどの高融点金属材料が用いてもよい。この場合、
焼結温度が1300℃前後となるため、このタングステ
ン、モリブデンなどの金属材料の焼結挙動に近似する絶
縁層中のガラス成分の組成を変更したり、ガラス成分、
セラミック成分の構成比率、例えばガラス成分を10重
量%未満としても構わない。
As the internal wiring 2, Au system, Ag
Insulating layer 1a because a low-melting metal material such as Cu-based or Cu-based is used
Although a material containing glass ceramic as a main component is used also for 1f, a high melting point metal material such as tungsten or molybdenum may be used for the internal wiring 2. in this case,
Since the sintering temperature is around 1300 ° C., the composition of the glass component in the insulating layer that is similar to the sintering behavior of the metal material such as tungsten and molybdenum can be changed, the glass component,
The composition ratio of the ceramic component, for example, the glass component may be less than 10% by weight.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上、本発明の製造方法によれば、所定
厚みの絶縁膜を簡単に形成でき、さらに、その表面が均
一となるため、積層数が増加しても、絶縁膜上に安定し
た内部配線となる導体膜を簡単に形成できるとともに、
この導体膜を接続するためのビアホール導体となる貫通
凹部を、絶縁膜の厚みに応じた最適なレーザー光の照射
により精度よく、簡単に、且つ確実に形成でき、内部配
線間の導通信頼性が向上する積層型セラミック回路基板
となる。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, the insulating film having a predetermined thickness can be easily formed, and the surface thereof is uniform, so that the insulating film can be stably formed on the insulating film even if the number of laminated layers increases. It is possible to easily form a conductor film that will become the internal wiring,
The through-hole recess serving as a via-hole conductor for connecting the conductor film can be accurately, easily, and reliably formed by irradiating the optimum laser beam according to the thickness of the insulating film, and the conduction reliability between the internal wirings can be improved. It is an improved multilayer ceramic circuit board.

【0069】また、キャリアテープを用いず、積層体
(基体)の上部に直接絶縁膜を形成することができるの
で、特に絶縁膜の形成工程が簡略化でき、一貫的な製造
ラインにより、積層型セラミック回路基板を製造するこ
とができる。
Further, since the insulating film can be directly formed on the laminated body (base) without using the carrier tape, the step of forming the insulating film can be simplified, and the laminated type can be formed by the consistent manufacturing line. Ceramic circuit boards can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る積層型セラミック回路基板の断面
図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic circuit board according to the present invention.

【図2】(a)〜(g)は、本発明の製造方法を説明す
る概略工程の断面図である。
2A to 2G are cross-sectional views of schematic steps for explaining the manufacturing method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1e・・・絶縁層 10a〜10e・・・絶縁膜 2・・・・・・・内部配線 20・・・・・・内部配線となる導体 3・・・・・・・ビアホール導体 31・・・・・・ビアホール導体となる導体部材 30・・・・・・貫通凹部 4・・・・・・・表面配線 5・・・・・・・厚膜抵抗体膜 6・・・・・・・電子部品 15・・・・・・支持基板 1a to 1e ... Insulating layer 10a to 10e ... Insulating film 2 ... Internal wiring 20 ... Internal conductor 3 ... Via hole conductor 31.・ ・ ・ Conductor member that becomes via-hole conductor 30 ・ ・ ・ Penetration recess 4 ・ ・ ・ ・ ・ Surface wiring 5 ・ ・ ・ Thick film resistor film 6 ・ ・ ・ ・ ・・ Electronic components 15 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Supporting substrate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック層となる絶縁膜と、内部配線
となる導体膜とを重畳積層するとともに、前記絶縁膜を
挟んで隣接しあう導体膜が該絶縁膜の厚みを貫くビアホ
ール導体となる導体を介して接続する積層体を形成し、
前記積層体を焼成処理する積層型セラミック回路基板の
製造方法であって、 前記ビアホール導体を有する絶縁膜と該絶縁膜上に重畳
する導体膜を以下の工程によって形成することを特徴と
する積層型セラミック回路基板の製造方法。 (1)ガラス・セラミックのスリップ材を塗布・乾燥し
て絶縁膜を形成する工程、 (2)前記絶縁膜に、レーザー光線を照射して、絶縁膜
を貫通する貫通孔を形成する工程、 (3)前記絶縁膜の表面及び貫通孔内に導電性ペースト
を印刷・充填して内部配線となる導体膜とビアホール導
体となる導体を形成する工程。
1. A conductor serving as a via-hole conductor in which an insulating film to be a ceramic layer and a conductor film to be an internal wiring are superposed and laminated, and conductor films adjacent to each other with the insulating film interposed therebetween are via-hole conductors penetrating the thickness of the insulating film. To form a laminate that is connected via
A method of manufacturing a multilayer ceramic circuit board, which comprises subjecting the multilayer body to a firing process, comprising: forming an insulating film having the via-hole conductor and a conductive film overlapping the insulating film by the following steps. Manufacturing method of ceramic circuit board. (1) A step of applying and drying a glass / ceramic slip material to form an insulating film, (2) A step of irradiating the insulating film with a laser beam to form a through hole penetrating the insulating film, (3) ) A step of printing and filling a conductive paste on the surface of the insulating film and in the through holes to form a conductor film to be internal wiring and a conductor to be via hole conductors.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH09289378A (en) * 1996-04-19 1997-11-04 Fuji Xerox Co Ltd Printed wiring board and manufacture thereof

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