JPH07131112A - Laser diode module - Google Patents
Laser diode moduleInfo
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- JPH07131112A JPH07131112A JP27696293A JP27696293A JPH07131112A JP H07131112 A JPH07131112 A JP H07131112A JP 27696293 A JP27696293 A JP 27696293A JP 27696293 A JP27696293 A JP 27696293A JP H07131112 A JPH07131112 A JP H07131112A
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- lens
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば光ファイバ通
信用光源として使用するレーザダイオードモジュールに
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode module used as a light source for optical fiber communication, for example.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、従来のレーザダイオードモジュ
ールを示す断面図であり、図において、1は1.3um
の波長で発振するレーザダイオード、2はレーザダイオ
ード1に対して半田付けされたサブマウント、3はサブ
マウント2に半田で固定されたチップキャリア、4はレ
ーザダイオードの前面に置かれた第1のレンズ、5は第
1のレンズ4を保持しチップキャリア3に対して半田付
けされた第1のレンズホルダ、6はレーザダイオード1
等を囲むパッケージ、7はパッケージ6を気密封止する
ガラス窓、8はチップキャリア3とパッケージ6の間に
挟み込まれたベルチェ素子、9はレーザダイオード1の
出射光路上に置かれた偏光ガラス製の偏光子、10はレ
ーザダイオード1の出射光路上で且つ偏光子9の後方に
置かれたファラデー回転子、11はファラデー回転子1
0を取り囲むように配置された円筒形のマグネット、1
2は偏光子9及びファラデー回転子10をマグネット1
1に対して固定する偏光子ホルダ、13はレーザダイオ
ード1の出射光路上でファラデー回転子10の後方に置
かれた偏光ガラス製の検光子、14は検光子13をマグ
ネット11に対して固定する検光子ホルダ、15はマグ
ネット11をパッケージ6にYAG溶接固定するマグネ
ットホルダ、16はレーザダイオード1の出射光路上で
検光子13の後方に置かれた第2レンズ、17は第2レ
ンズ16をマグネットホルダ15にYAG溶接固定する
第2レンズホルダ、18はレーザダイオード1からの出
射光の集光位置に置かれた単一横モードの光ファイバ、
19は光ファイバ18を補強するナイロン製のファイバ
ジャケット、20は光ファイバ18及びファイバジャケ
ット19を固定するステンレススチール製のフェルー
ル、21はフェルール20を第2レンズホルダ17に固
定するフェルールホルダ、22及び23はパッケージ6
を図示されていないヒートシンクに対して固定する第1
及び第2のネジである。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a sectional view showing a conventional laser diode module, in which 1 is 1.3 μm.
Laser diode oscillating at a wavelength of 2 is a submount soldered to the laser diode 1, 3 is a chip carrier fixed to the submount 2 by soldering, and 4 is a first carrier placed in front of the laser diode. A lens 5 is a first lens holder that holds the first lens 4 and is soldered to the chip carrier 3, and 6 is a laser diode 1.
Etc., 7 is a glass window for hermetically sealing the package 6, 8 is a Peltier element sandwiched between the chip carrier 3 and the package 6, and 9 is made of polarized glass placed on the emission optical path of the laser diode 1. 10 is a Faraday rotator placed on the exit optical path of the laser diode 1 and behind the polarizer 9, and 11 is a Faraday rotator 1.
A cylindrical magnet arranged to surround 0, 1
2 is a polarizer 9 and a Faraday rotator 10 is a magnet 1
A polarizer holder fixed to 1 is provided, 13 is an analyzer made of polarized glass placed behind the Faraday rotator 10 on the emission optical path of the laser diode 1, and 14 fixes the analyzer 13 to the magnet 11. An analyzer holder, 15 is a magnet holder for fixing the magnet 11 to the package 6 by YAG welding, 16 is a second lens placed behind the analyzer 13 on the emission optical path of the laser diode 1, and 17 is a magnet for the second lens 16. A second lens holder fixed by YAG welding to the holder 15, and 18 is an optical fiber of a single transverse mode placed at a position where the emitted light from the laser diode 1 is focused,
Reference numeral 19 is a nylon fiber jacket for reinforcing the optical fiber 18, 20 is a ferrule made of stainless steel for fixing the optical fiber 18 and the fiber jacket 19, 21 is a ferrule holder for fixing the ferrule 20 to the second lens holder 17, 22 and 23 is package 6
For fixing the heat sink to a heat sink (not shown)
And a second screw.
【0003】次に動作について説明する。レーザダイオ
ード1から出射されたレーザ光は第1のレンズ4により
平行光に変換されてガラス窓7、偏光子9、ファラデー
回転子10、検光子13を透過した後に、第2レンズ1
6によって再び集光されて光ファイバ18の伝播モード
となる。Next, the operation will be described. The laser light emitted from the laser diode 1 is converted into parallel light by the first lens 4 and transmitted through the glass window 7, the polarizer 9, the Faraday rotator 10 and the analyzer 13, and then the second lens 1
It is condensed again by 6 and becomes the propagation mode of the optical fiber 18.
【0004】更なる機能として、偏光子9、マグネット
11によって45度の偏波回転機能を与えられたファラ
デー回転子10、及び、検光子13は光アイソレータを
構成しており、光ファイバ18から逆に進入してきた光
は検光子13を透過した後にファラデー回転子10で4
5度偏波回転した結果偏光子9によって遮断される。As a further function, the polarizer 9, the Faraday rotator 10 which has a polarization rotation function of 45 degrees by the magnet 11, and the analyzer 13 constitute an optical isolator, and are separated from the optical fiber 18. The light that has entered the Faraday rotator 10 passes through the analyzer 13
As a result of the polarization rotation of 5 degrees, it is blocked by the polarizer 9.
【0005】チップキャリア3にはレーザダイオードの
放熱を考慮した結果、熱伝導度200W/(m・K)以
上の材質であることが求められ銅タングステン合金が使
用されている。図3に、素材の熱伝導度とレーザダイオ
ードの温度上昇の関係を図示する。図5は、レーザダイ
オードの温度上昇を1度以下に抑えるためには200W
/(m・K)以上の材質を選ぶ必要があることを示して
いる。As a result of considering the heat radiation of the laser diode, the chip carrier 3 is required to be a material having a thermal conductivity of 200 W / (m · K) or more, and a copper tungsten alloy is used. FIG. 3 illustrates the relationship between the thermal conductivity of the material and the temperature rise of the laser diode. Fig. 5 shows 200W to suppress the temperature rise of the laser diode to less than 1 degree.
It indicates that it is necessary to select a material of / (m · K) or more.
【0006】また、パッケージ6には切削加工によりフ
ランジが形成されており、図示されていないヒートシン
クにより第1のネジ22及び第2のネジ23によって固
定することができる。A flange is formed on the package 6 by cutting, and the package 6 can be fixed by a first screw 22 and a second screw 23 by a heat sink (not shown).
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザダイオー
ドモジュールは以上のように構成されているが、チップ
キャリアとして熱伝導度の良い銅タングステン合金を用
いているために、熱の放散が良すぎてYAGレーザ溶接
ができないという問題点があった。Although the conventional laser diode module is constructed as described above, since the copper-tungsten alloy having good thermal conductivity is used as the chip carrier, the heat dissipation is too good. There is a problem that YAG laser welding cannot be performed.
【0008】また、光アイソレータが第1レンズ4と第
2レンズ16の間に挿入されており、最もビーム径の太
い部分であるために偏光子9、ファデラー回転子10、
検光子13が大型化し、高価になるという問題点があっ
た。An optical isolator is inserted between the first lens 4 and the second lens 16 and has the thickest beam diameter. Therefore, the polarizer 9, the Faderer rotator 10,
There is a problem that the analyzer 13 becomes large and expensive.
【0009】さらに、パッケージ6の一部がネジ止めで
きるようにフランジ形状に加工されているため、ネジを
過大なトルクで締め付けるあるいはパッケージ6を平面
度の良くないヒートシンクの上に取り付けた場合に、パ
ッケージが歪んで光ファイバ18への入射量が減少する
という課題があった。Further, since a part of the package 6 is processed into a flange shape so that it can be screwed, when the screws are tightened with an excessive torque or the package 6 is mounted on a heat sink with poor flatness, There is a problem that the package is distorted and the amount of incidence on the optical fiber 18 is reduced.
【0010】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、YAGレーザ溶接可能なチップキ
ャリアを持つレーザダイオードモジュールを構成するこ
とを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to construct a laser diode module having a YAG laser weldable chip carrier.
【0011】さらに、環境温度の変化に対する挙動の変
化を最小にするチップキャリアを持つレーザダイオード
モジュールを構成することを目的とする。It is another object of the present invention to construct a laser diode module having a chip carrier that minimizes a change in behavior with respect to a change in ambient temperature.
【0012】また、安価なレーザダイオードモジュール
を得ることを目的としている。Another object is to obtain an inexpensive laser diode module.
【0013】さらに、過度の力でヒートシンク等に取り
付けた際にも光出力の減少をおこさないレーザダイオー
ドモジュールを得ることを目的としている。Further, it is an object of the present invention to obtain a laser diode module which does not reduce the optical output even when it is attached to a heat sink or the like with an excessive force.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】この発明に係るレーザダ
イオードモジュールは、チップキャリアとして200W
/(m・K)以上の金属と200W/(m・K)以下の
金属をろう付けにより接合させたものを用いたものであ
る。さらに、この発明に係るレーザダイオードモジュー
ルは、チップキャリアとして200W/(m・K)以上
の金属と200W/(m・K)以下の金属を圧入により
接合させたものを用いたものである。更に、この発明に
係るレーザダイオードモジュールは、チップキャリアの
熱伝導度200W/(m・K)以下の金属部分ががレー
ザダイオードの光軸に対してほぼ回転対称に位置するよ
うにしたものである。更に、この発明に係るレーザダイ
オードモジュールは、光アイソレータを構成する部品で
ある検光子が透明な接着剤により上記光ファイバに接着
固定されたものである。更に、この発明に係るレーザダ
イオードモジュールは、バッケージに樹脂製フランジが
取り付けられたものである。The laser diode module according to the present invention has a chip carrier of 200 W.
A metal of / (m · K) or more and a metal of 200 W / (m · K) or less are joined by brazing. Further, the laser diode module according to the present invention uses a chip carrier in which a metal of 200 W / (m · K) or more and a metal of 200 W / (m · K) or less are joined by press fitting. Further, in the laser diode module according to the present invention, the metal part having a thermal conductivity of 200 W / (m · K) or less of the chip carrier is positioned substantially rotationally symmetrical with respect to the optical axis of the laser diode. . Further, in the laser diode module according to the present invention, an analyzer which is a component of the optical isolator is adhesively fixed to the optical fiber with a transparent adhesive. Further, the laser diode module according to the present invention has a resin flange attached to the package.
【0015】[0015]
【作用】この発明におけるレーザダイオードモジュール
は、チップキャリア熱伝導度の低い部分を持つことによ
り第1のレンズをYAGレーザ溶接することができる。
更に、この発明におけるレーザダイオードモジュール
は、YAGレーザ溶接する部分がレーザの光軸に対して
対称に分布することにより環境温度の変化に対する挙動
の変化を最小にする。更に、この発明におけるレーザダ
イオードモジュールは、検光子を透明な接着剤で光ファ
イバに接着固定することにより光アイソレータの有効径
を小さくすることができコストが下がる。更に、この発
明におけるレーザダイオードモジュールは、パッケージ
に樹脂製フランジを取り付けることにより、過度の力で
ヒートシンク等に取り付けた際にも光出力の減少を起こ
さないレーザダイオードモジュールを得る。In the laser diode module according to the present invention, the first lens can be YAG laser welded by having the portion having a low chip carrier thermal conductivity.
Further, in the laser diode module according to the present invention, the YAG laser welding portion is distributed symmetrically with respect to the optical axis of the laser, so that the change in behavior with respect to the change in environmental temperature is minimized. Further, in the laser diode module according to the present invention, the analyzer is adhered and fixed to the optical fiber with a transparent adhesive, so that the effective diameter of the optical isolator can be reduced and the cost is reduced. Further, the laser diode module according to the present invention has a resin flange attached to the package to obtain a laser diode module which does not cause a decrease in optical output even when it is attached to a heat sink or the like by excessive force.
【0016】[0016]
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1において、1は1.3umの波長
で発振するレーザダイオード、2はレーザダイオード1
に対して半田付けされたサブマウント、3aはサブマウ
ント2に半田で固定された銅タングステン合金製のチッ
プキャリア、3bはチップキャリア3aに融点約900
度の銀ろう付けにより固定されたコバール製のチップキ
ャリア突起部、4はレーザダイオードの前面に置かれた
第1のレンズ、5は第1のレンズ4を保持しチップキャ
リア3に対して半田付けされた第1のレンズホルダ、6
はレーザダイオード1等を囲むパッケージ、7はパッケ
ージ6を気密封止するガラス窓、8はチップキャリア3
とパッケージ6の間に挟み込まれたペルチェ素子、16
はレーザダイオード1の出射光路上に置かれた第2のレ
ンズ、17は第2のレンズ16をパッケージ6に固定す
るための第2のレンズホルダ、9はレーザダイオード1
の出射光路上で且つ第2レンズ16の後に置かれた偏光
ガラス製の偏光子、10はレーザダイオード1の出射光
路上で且つ偏光子9の後方に置かれたファラデー回転
子、13はレーザダイオード1の出射光路上でファラデ
ー回転子10の後方に置かれた偏光ガラス製の検光子、
11はファラデー回転子10を取り囲むように配置され
た円筒形のマグネット、12aは偏光子9をマグネット
11に対して固定する偏光子ホルダ、18はレーザダイ
オード1からの出射光の集光位置に置かれた単一モード
の光ファイバ、19は光ファイバ18を補強するナイロ
ン製のファイバジャケット、20はファイバジャケット
19を固定するステンレススチール製のフェルール、2
4は光ファイバ18の外周に接着されたガラスパイプ、
21はフェルール20を第2レンズホルダ17に固定す
るフェルールホルダ、25はパッケージ6に接着固定さ
れたプラスチック製のフランジ、22及び23はフラン
ジ25を図示されていないヒートシンクに対して固定す
る第1および第2のネジである。ファラデー回転子9、
検光子13、光ファイバ18、及びガラスパイプ24は
1.3umの波長で光学的に透明な接着剤により接着固
定されている。EXAMPLES Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, 1 is a laser diode that oscillates at a wavelength of 1.3 μm, and 2 is a laser diode 1.
The submount 3a soldered to the chip mount 3a is a chip carrier made of a copper-tungsten alloy fixed to the submount 2 by soldering, and 3b has a melting point of about 900 on the chip carrier 3a.
Chip carrier protrusions made of Kovar fixed by silver brazing at 4 degrees, 4 is a first lens placed on the front surface of the laser diode, 5 is a first lens 4 and is soldered to the chip carrier 3. First lens holder, 6
Is a package that surrounds the laser diode 1 and the like, 7 is a glass window that hermetically seals the package 6, and 8 is a chip carrier 3
Peltier element sandwiched between the package and the package 6, 16
Is a second lens placed on the emission optical path of the laser diode 1, 17 is a second lens holder for fixing the second lens 16 to the package 6, and 9 is the laser diode 1
On the exit optical path of the laser diode made of polarizing glass, 10 is a Faraday rotator placed on the exit optical path of the laser diode 1 and behind the polarizer 9, and 13 is a laser diode. An analyzer made of polarized glass placed behind the Faraday rotator 10 on the output optical path of 1.
Reference numeral 11 is a cylindrical magnet arranged so as to surround the Faraday rotator 10, 12a is a polarizer holder for fixing the polarizer 9 to the magnet 11, and 18 is placed at a position where light emitted from the laser diode 1 is condensed. A single mode optical fiber, 19 is a nylon fiber jacket for reinforcing the optical fiber 18, 20 is a stainless steel ferrule for fixing the fiber jacket 19, 2
4 is a glass pipe adhered to the outer circumference of the optical fiber 18,
Reference numeral 21 is a ferrule holder that fixes the ferrule 20 to the second lens holder 17, 25 is a plastic flange that is adhesively fixed to the package 6, and 22 and 23 are first and second fixing flanges 25 to a heat sink (not shown). The second screw. Faraday rotator 9,
The analyzer 13, the optical fiber 18, and the glass pipe 24 are bonded and fixed with an optically transparent adhesive at a wavelength of 1.3 μm.
【0017】次に動作について説明する。レーザダイオ
ード1から出射されたレーザ光は第1のレンズ4により
平行光に変換されてガラス窓7を透過した後に第2のレ
ンズ16によって再び集光されて、偏光子9、ファラデ
ー回転子10、検光子13を透過して光ファイバ18の
伝播モードとなる。Next, the operation will be described. The laser light emitted from the laser diode 1 is converted into parallel light by the first lens 4, transmitted through the glass window 7, and then collected again by the second lens 16, and the polarizer 9, the Faraday rotator 10, The light is transmitted through the analyzer 13 and enters the propagation mode of the optical fiber 18.
【0018】更なる機能として、偏光子9、マグネット
11によって45度の偏波回転機能を与えられたファラ
デー回転子10、及び、検光子13は光アイソレータを
構成しており、光ファイバ18から逆に進入してきた光
は検光子13を透過した後にファラデー回転子10で4
5度偏波回転した結果偏光子9によって遮断される。As a further function, the polarizer 9, the Faraday rotator 10 provided with the polarization rotation function of 45 degrees by the magnet 11, and the analyzer 13 constitute an optical isolator, and are separated from the optical fiber 18. The light that has entered the Faraday rotator 10 passes through the analyzer 13
As a result of the polarization rotation of 5 degrees, it is blocked by the polarizer 9.
【0019】チップキャリア3aにはレーザダイオード
の放熱を考慮した結果、熱伝導度200W/(m・K)
以上の材質である事が求められ熱伝導度が約400W/
(m・K)の銅タングステン合金が使用されている。ま
た熱伝導度200W/(m・K)以上の材質としては例
えば銅、金、銀、アルミニウムがある。以上の動作は図
4に示した従来の実施例と全く同様である。As a result of considering the heat radiation of the laser diode, the chip carrier 3a has a thermal conductivity of 200 W / (m · K).
The above materials are required and the thermal conductivity is about 400W /
A copper-tungsten alloy of (m · K) is used. The material having a thermal conductivity of 200 W / (m · K) or more includes, for example, copper, gold, silver and aluminum. The above operation is exactly the same as that of the conventional embodiment shown in FIG.
【0020】次に本発明が実現させた特徴的な動作につ
いて述べる。チップキャリア3aには、熱伝導度が約8
0W/(m・K)でYAG溶接が可能なコバール製のチ
ップキャリア突起部3bが銀ろう付けにより設けられて
おり第1のレンズホルダとチップキャリア突起部3bの
間はYAGレーザ溶接により固定されている。またチッ
プキャリア突起部3bの材質(熱伝導度200W/m・
K以下の材質)としてはコバール、鉄、ステンレス、白
金がある。Next, the characteristic operation realized by the present invention will be described. The chip carrier 3a has a thermal conductivity of about 8
The Kovar-made chip carrier protrusion 3b capable of YAG welding at 0 W / (m · K) is provided by silver brazing, and the gap between the first lens holder and the chip carrier protrusion 3b is fixed by YAG laser welding. ing. Also, the material of the chip carrier protrusion 3b (heat conductivity 200 W / m.
Examples of materials (K or less) include Kovar, iron, stainless steel, and platinum.
【0021】図2は、チップキャリア3aとチップキャ
リア突起部3bの接合状況を示す斜視図である。突起部
はレーダイオード1を中心にしてほぼ対称な位置に2本
設置されている。したがって、レーザダイオード1、チ
ップキャリア3a、チップキャリア3b、第1のレンズ
4、及び第1のレンズホルダ5が同時に温度変化を受け
ても、レーザダイオードの光軸に対して垂直な方向の軸
ずれは発生しないため、環境温度の変化に対する挙動の
変化を最小にすることができる。FIG. 2 is a perspective view showing how the chip carrier 3a and the chip carrier protrusion 3b are joined. Two protrusions are installed at positions substantially symmetrical with respect to the laser diode 1. Therefore, even if the temperature of the laser diode 1, the chip carrier 3a, the chip carrier 3b, the first lens 4, and the first lens holder 5 are simultaneously changed, the misalignment in the direction perpendicular to the optical axis of the laser diode is caused. Is not generated, it is possible to minimize the change in behavior with respect to the change in environmental temperature.
【0022】また、検光子13は、ファラデー回転子1
0と光学的に透明な接着剤により貼り合わされた後に光
ファイバ18及びガラスパイプ24に対して光学的に透
明な接着剤により貼り合わされているが、光ファイバ近
傍ではレーザダイオード1の出射光は10um程度にま
で絞られるため、検光子13及びファラデー回転子10
に必要とされる有効径も最小にすることができる。一般
的に検光子、及びファラデー回転子のコストは必要な有
効径によって大抵決定されるため、レーザダイオードモ
ジュールのコストも低減される。Further, the analyzer 13 is the Faraday rotator 1
0 is adhered to the optical fiber 18 and the glass pipe 24 with an optically transparent adhesive and then is adhered to the optical fiber 18 and the glass pipe 24 with an optically transparent adhesive. The analyzer 13 and the Faraday rotator 10 are limited to a certain degree.
The required effective diameter can also be minimized. In general, the cost of the analyzer and the Faraday rotator is largely determined by the required effective diameter, so the cost of the laser diode module is also reduced.
【0023】さらに、パッケージ6にはプラスチック製
のフランジ25が接着固定されており、モジュールのヒ
ートシンク等外部部品への取付にはこのフランジを介し
て第1、第2のネジ22、23により行われるため、過
度のネジ締めトルクに対してもプラスチックの柔軟な材
質が機構的な歪みを吸収し精巧な光結合系を安定に保つ
ことができる。Further, a plastic flange 25 is fixedly adhered to the package 6, and the module is attached to an external component such as a heat sink by the first and second screws 22 and 23 via the flange. Therefore, even if the screw tightening torque is excessive, the flexible plastic material absorbs mechanical strain and the delicate optical coupling system can be stably maintained.
【0024】実施例2.なお、上記実施例1ではチップ
キャリア突起部3bとして銀ろう付けにより固定された
ものを示したが、圧入により上記実施例と同様の効果を
奏する。図3は圧入により結合されたチップキャリア3
aとチップキャリア突起部3cの状態を示す斜視図であ
る。Example 2. In the first embodiment, the chip carrier protrusion 3b fixed by silver brazing is shown, but the same effect as the above embodiment can be obtained by press fitting. FIG. 3 shows a chip carrier 3 joined by press fitting.
It is a perspective view which shows the state of a and the chip carrier protrusion part 3c.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、チップ
キャリアが熱伝導度として200W/(m・K)以下の
部分を部分的に持つことにより、第1のレンズをYAG
レーザ溶接することができるようになり、外部環境条件
に対する高信頼性が保てるという効果がある。As described above, according to the present invention, the chip carrier partially has a portion having a thermal conductivity of 200 W / (m · K) or less, so that the first lens is made to be YAG.
Laser welding is now possible, which has the effect of maintaining high reliability against external environmental conditions.
【0026】また、この発明によれば、チップキャリア
突起部をレーザダイオード1の光軸に対して対称に配置
したので、チップキャリアと第1のレンズホルダのYA
Gレーザ溶接による接合部分にレーザの光軸に対する対
称性が保たれ環境温度の変化に対する挙動の変化を最小
にすることができるという効果がある。Further, according to the present invention, since the chip carrier projections are arranged symmetrically with respect to the optical axis of the laser diode 1, the YAs of the chip carrier and the first lens holder are arranged.
There is an effect that the symmetry with respect to the optical axis of the laser is maintained in the joint portion by the G laser welding, and the change in behavior with respect to the change in environmental temperature can be minimized.
【0027】さらにこの発明によれば、検光子を透明な
接着剤で光ファイバに接着固定することにより光アイソ
レータの有効径を小さくすることができ、且つ従来困難
であった光ファイバ端面での反射損失の除去を達成する
ことができるという効果がある。Further, according to the present invention, the effective diameter of the optical isolator can be reduced by adhering and fixing the analyzer to the optical fiber with a transparent adhesive, and the reflection at the end face of the optical fiber, which has been difficult in the past, can be achieved. The effect is that elimination of losses can be achieved.
【0028】また、この発明によれば、パッケージにプ
ラスチック製フランジを取り付けることにより過度の力
でヒートシンク等に取り付けた際にも光出力の減少を起
こさないレーザダイオードモジュールを得ることができ
るとともに、従来、コスト上昇の要因となっていたパッ
ケージへの切削加工によるフランジ形状の形成を無くす
ことができるという効果がある。Further, according to the present invention, by attaching a plastic flange to the package, it is possible to obtain a laser diode module which does not cause a decrease in light output even when it is attached to a heat sink or the like with an excessive force, and it is possible to obtain a conventional laser diode module. Therefore, there is an effect that it is possible to eliminate the formation of the flange shape due to the cutting process on the package, which has been a factor of cost increase.
【図1】この発明の一実施例によるレーザダイオードモ
ジュールを示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a laser diode module according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の一実施例によるレーザダイオードモ
ジュールのチップキャリアを示す斜視図断面図である。FIG. 2 is a perspective sectional view showing a chip carrier of a laser diode module according to an embodiment of the present invention.
【図3】この発明の他の実施例によるレーザダイオード
モジュールのチップキャリアを示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a chip carrier of a laser diode module according to another embodiment of the present invention.
【図4】従来のレーザダイオードモジュールを示す断面
図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional laser diode module.
【図5】チップキャリアの熱伝導度とレーザダイオード
の温度上昇の関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the thermal conductivity of the chip carrier and the temperature rise of the laser diode.
1 レーザダイオード 2 サブマウント 3a チップキャリア 3b チップキャリア突起部 4 第1のレンズ 5 第1のレンズホルダ 6 パッケージ 7 ガラス窓 9 偏光子 10 ファラデー回転子 11 マグネット 13 検光子 16 第2のレンズ 17 第2のレンズホルダ 18 光ファイバ 25 フランジ 1 Laser Diode 2 Submount 3a Chip Carrier 3b Chip Carrier Protrusion 4 First Lens 5 First Lens Holder 6 Package 7 Glass Window 9 Polarizer 10 Faraday Rotor 11 Magnet 13 Analyzer 16 Second Lens 17 Second Lens holder 18 Optical fiber 25 Flange
Claims (5)
ードを保持するチップキャリアと、上記チップキャリア
に取り付けられたレンズと、上記レンズを保持するレン
ズホルダと、上記レーザダイオードを気密封止するパッ
ケージと、上記パッケージに取り付けられた光ファイバ
と、上記レンズ、光ファイバ間に挿入された光アイソレ
ータからなるレーザダイオードモジュールにおいて、上
記チップキャリアとして熱伝導度が200W/(m・
K)以上の金属と200W/(m・K)以下の金属とを
結合させたものを用いそのチップキャリアとレンズホル
ダをYAGレーザ溶接により接合させたことを特徴とす
るレーザダイオードモジュール。1. A laser diode, a chip carrier for holding the laser diode, a lens attached to the chip carrier, a lens holder for holding the lens, a package for hermetically sealing the laser diode, and In a laser diode module including an optical fiber attached to a package, the lens, and an optical isolator inserted between the optical fibers, the chip carrier has a thermal conductivity of 200 W / (m.
A laser diode module characterized in that a chip carrier and a lens holder are joined by YAG laser welding, using a combination of a metal of K) or more and a metal of 200 W / (m · K) or less.
W/(m・K)以下の金属部分がレーザダイオードの光
軸に対してほぼ回転対称に位置することを特徴とする請
求項1記載のレーザダイオードモジュール。2. The chip carrier has a thermal conductivity of 200.
2. The laser diode module according to claim 1, wherein the metal portion of W / (m · K) or less is located substantially rotationally symmetrical with respect to the optical axis of the laser diode.
ードを保持するチップキャリアと、上記チップキャリア
に取り付けられたレンズと、上記レーザダイオードを気
密封止するパッケージと、上記パッケージに取り付けら
れた光ファイバと、上記レンズ、光ファイバ間に挿入さ
れた光アイソレータからなるレーザダイオードモジュー
ルにおいて、上記をアイソレータを構成する部品である
検光子が透明な接着剤により上記光ファイバに接着固定
されていることを特徴とするレーザダイオードモジュー
ル。3. A laser diode, a chip carrier for holding the laser diode, a lens attached to the chip carrier, a package hermetically sealing the laser diode, and an optical fiber attached to the package. In the laser diode module including the lens and the optical isolator inserted between the optical fibers, the analyzer which is a component constituting the isolator is adhesively fixed to the optical fiber with a transparent adhesive. Laser diode module.
ードを保持するチップキャリアと、上記チップキャリア
に取り付けられたレンズと、上記レーザダイオードを気
密封止するパッケージと、上記パッケージに取り付けら
れた光ファイバと、上記パッケージに取り付けられた樹
脂製フランジと、上記レンズ、光ファイバ間に挿入され
た光アイソレータからなるレーザダイオードモジュー
ル。4. A laser diode, a chip carrier for holding the laser diode, a lens attached to the chip carrier, a package for hermetically sealing the laser diode, and an optical fiber attached to the package. A laser diode module comprising a resin flange attached to the package and an optical isolator inserted between the lens and the optical fiber.
W/(m・K)以上の金属と200W/(m・K)以下
の金属とをろう付け又は圧入により結合したものを用い
たことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のレーザ
ダイオードモジュール。5. A chip carrier having a thermal conductivity of 200.
5. A laser diode according to claim 1, wherein a metal having a W / (m · K) or more and a metal having a W / (m · K) or less is combined by brazing or press fitting. module.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27696293A JPH07131112A (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | Laser diode module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27696293A JPH07131112A (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | Laser diode module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07131112A true JPH07131112A (en) | 1995-05-19 |
Family
ID=17576841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27696293A Pending JPH07131112A (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | Laser diode module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07131112A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000064018A1 (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module |
JP2001004881A (en) * | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Semiconductor laser module |
US6219364B1 (en) | 1997-01-09 | 2001-04-17 | Nec Corporation | Semiconductor laser module having improved metal substrate on peltier element |
JP2001284699A (en) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for fixing optical communication equipment and optical module |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP27696293A patent/JPH07131112A/en active Pending
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JP2001284699A (en) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for fixing optical communication equipment and optical module |
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