JPH07130543A - Manufacture of multilayer inductor part - Google Patents

Manufacture of multilayer inductor part

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JPH07130543A
JPH07130543A JP27153393A JP27153393A JPH07130543A JP H07130543 A JPH07130543 A JP H07130543A JP 27153393 A JP27153393 A JP 27153393A JP 27153393 A JP27153393 A JP 27153393A JP H07130543 A JPH07130543 A JP H07130543A
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coil pattern
hole
insulating
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晃 井本
Masafumi Hisataka
将文 久高
Yuzuru Matsumoto
譲 松本
Akihiro Sakanoue
聡浩 坂ノ上
Kazumasa Furuhashi
和雅 古橋
Hiroshi Suenaga
弘 末永
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Abstract

PURPOSE:To make the conductor resistance of a coil pattern very small firing a laminated body containing superposingly laminated the first ceramic insulating film and having a coil-pattern-conductor filled through hole and the second ceramic insulating film having a via-hole conductor filled via hole. CONSTITUTION:Through holes 20b, 20d, 20f and 20h of coil patterns 2b, 2d, 2f and 2h, are formed, coil pattern conductors 21b, 21d, 21f and 21h and filled in the above-mentioned through holes 20b, 20d, 20f and 20h, and the first ceramic insulating films 10b, 10d, 10f and 10h are formed. Then, the second ceramic insulating films, having via hole conductors 31c, 31e and 31g wherein via hole conductor 31c, 31e and 31g is filled, are formed. Then, a multilayer body, which is formed by stacking the above-mentioned insulating films, is fired.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光硬化モノマーを含有
するガラス・セラミックのスリップ材の塗布により形成
したセラミック層を積層し、さらに、その積層体内にコ
イルパターンが内装された積層インダクタ部品の製造方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated inductor component in which a ceramic layer formed by applying a glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer is laminated, and a coil pattern is provided in the laminated body. The present invention relates to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数のセラミック層と複数のコイルパタ
ーンとを積層されるとともに、隣接するコイルパターン
がビアホール導体を介して接続されて成る積層インダク
タ部品の製造方法として大きく2つの製造方法が知られ
ている。
2. Description of the Related Art Two manufacturing methods are generally known as a method for manufacturing a laminated inductor component in which a plurality of ceramic layers and a plurality of coil patterns are laminated and adjacent coil patterns are connected via via hole conductors. ing.

【0003】その一つの方法は、ビアホール導体となる
導体、約1ターン分のコイルパターンとなる導体膜が形
成された未焼成のグリーンシートを複数枚積層して、こ
の積層体を一体的に焼成処理するグリーンシート多層方
法があった。
One of the methods is to stack a plurality of unfired green sheets each having a conductor serving as a via-hole conductor and a conductor film serving as a coil pattern for about one turn, and integrally firing the laminated body. There was a green sheet multi-layer method to process.

【0004】また、耐熱基板上に、半ターン、例えばL
字状のコイルパターンとなる導体膜を導電性ペーストの
スクリーン印刷で形成し、続いてL字状のコイルパター
ンとなる導体膜の一端が露出するように、絶縁膜を絶縁
性ペーストのスクリーン印刷で印刷形成し、この絶縁膜
上に、先のL字状のコイルパターンとなる導体膜の一端
と接続し、そのパターンと対象形状のL字状のコイルパ
ターンとなる導体膜を導電性ペーストのスクリーン印刷
で形成し、さらに、L字状のコイルパターンとなる導体
膜の一端が露出するように、絶縁膜を絶縁性ペーストの
スクリーン印刷で印刷形成し、この工程を順次繰り返し
て積層体を形成した後、絶縁膜及び各コイルパターンと
なる導体膜を一体的に焼成処理する印刷多層方法があっ
た。
On the heat-resistant substrate, a half turn, for example, L
A conductor film to be a coil-shaped coil pattern is formed by screen-printing a conductive paste, and then an insulating film is screen-printed to have an L-shaped coil pattern so that one end of the conductor film is exposed. Printed and connected to one end of the conductor film that will be the L-shaped coil pattern on the insulating film, and the conductor film that will be the L-shaped coil pattern of the target shape will be connected to that pattern by the conductive paste screen. It is formed by printing, and further, an insulating film is formed by screen printing of an insulating paste so that one end of the conductor film forming the L-shaped coil pattern is exposed, and this process is sequentially repeated to form a laminated body. Then, there was a printing multilayer method in which the insulating film and the conductor film to be each coil pattern were integrally fired.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者のグリー
ンシート多層方法では、各グリーンシートにビアホール
導体となる両主面に貫通した開口を有するビアホールを
形成し、このビアホール内にビアホール導体となる導電
性ペーストを充填しなくてはならない。
However, in the former green sheet multi-layer method, a via hole having an opening penetrating both main surfaces to be a via hole conductor is formed in each green sheet, and the via hole conductive material is formed in the via hole. It must be filled with a sex paste.

【0006】また、インダクタンス特性を向上させるた
めに、ビアホール導体部分で抵抗を下げることが困難で
ある。例えば、ビアホールの開口径を大きくすると、導
電性ペーストをビアホール内に充填・保持できず、導体
抜けが発生してしまうためである。
Further, it is difficult to reduce the resistance in the via-hole conductor portion in order to improve the inductance characteristic. This is because, for example, if the opening diameter of the via hole is increased, the conductive paste cannot be filled / held in the via hole, resulting in conductor omission.

【0007】また、この導電性ペーストの充填は、グリ
ーンシートを敷紙上に載置して印刷・充填されるが、敷
紙とグリーンシートとを分離する際に、貫通穴内に充填
した導電性ペーストが敷紙に奪われてしまい、貫通穴内
に保持した導電性ペーストの表面が凹んでしまい、コイ
ルパターン間の導通不良が発生することがある。さら
に、上述のグリーンシートを高い精度で位置合わせし
て、積層しなくてはならないという問題点があった。
Further, the conductive paste is filled and printed by placing a green sheet on a sheet of paper. When the sheet of paper and the green sheet are separated, the conductive paste filled in the through hole is formed. May be taken away by the paper and the surface of the conductive paste held in the through holes may be dented, resulting in defective conduction between the coil patterns. Further, there is a problem that the above-mentioned green sheets must be aligned with high accuracy and stacked.

【0008】後者の印刷多層方法の場合、基本的には、
絶縁ペーストによって所定形状に印刷形成された絶縁膜
上に、半ターン分ずつのコイルパターンを形成し、これ
を繰り返しているため、所望のコイルのターン数を得る
ためには積層印刷数が増加してしまい、低背化が困難で
あった。
In the case of the latter printing multi-layer method, basically,
Since the coil pattern is formed for each half turn on the insulating film printed in a predetermined shape with the insulating paste and this is repeated, the number of laminated prints increases to obtain the desired number of coil turns. It was difficult to reduce the height.

【0009】また、コイルパターン間の接続部分は、絶
縁膜が印刷しないため、導電性ペーストだけの印刷重畳
であり、非接続部分は導電性ペーストと絶縁ペーストと
の交互の印刷重畳であり、積層数が増加してしまうと、
表面が積層歪みが発生してしまい、安定した導電性ペー
ストや絶縁ペーストの印刷が困難となってしまう。
In addition, since the insulating film is not printed on the connection portion between the coil patterns, only the conductive paste is printed and overlapped, and the non-connection portion is the alternate printed overlap between the conductive paste and the insulating paste, which is laminated. When the number increases,
Laminate distortion occurs on the surface, making it difficult to print a stable conductive paste or insulating paste.

【0010】両方法によれば、インダクタンス特性を向
上させるため、コイルパターン部分の導体抵抗を下げる
構造を考慮した場合、コイルパターンとなる導体膜の厚
みは、スクリーン印刷によって形成されるため厚くし
て、20μm程度であり、導体膜の厚みを補うために、
導体膜の幅を広くすればよいが、積層インダクタ部品全
体が大型化してしまう。また、前者のグリーンシート多
層方式では導体膜厚みが厚くなると、層間のデラミネー
ションが発生し易くなる。
According to both methods, in consideration of the structure in which the conductor resistance of the coil pattern portion is lowered in order to improve the inductance characteristic, the thickness of the conductor film forming the coil pattern is increased because it is formed by screen printing. , About 20 μm, in order to supplement the thickness of the conductor film,
The width of the conductor film may be increased, but the laminated inductor component as a whole becomes large. Further, in the former green sheet multi-layer system, when the conductor film becomes thick, delamination between layers easily occurs.

【0011】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、コイルパターンの導体抵抗
を極め小さくできる積層インダクタ部品の製造方法を提
供することにある。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a laminated inductor component capable of minimizing the conductor resistance of a coil pattern.

【0012】また、別の目的は、コイルパターン及びコ
イルパターン間を接続するビアホール導体の導体抵抗を
極め小さくでき、さらに、積層数の増加やコイルパター
ンの形状に係わらず、常に絶縁膜の表面が均一となり、
ビアホール導体の形成、コイルパターンの形成が容易
で、層間のデラミネーションの発生を抑えられる信頼性
の高い積層インダクタ部品の製造方法を提供する。
Another object is to minimize the conductor resistance of the coil patterns and the via-hole conductors that connect the coil patterns, and to ensure that the surface of the insulating film is always maintained regardless of the increase in the number of laminated layers and the shape of the coil patterns. Becomes uniform,
Provided is a method for manufacturing a highly reliable laminated inductor component, which can easily form a via-hole conductor and a coil pattern and can suppress the occurrence of delamination between layers.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】第1の本発明は、コイル
パターン形状の貫通孔が形成され、該貫通孔にコイルパ
ターン導体が充填された第1のセラミック絶縁膜と、ビ
アホールを有し、該ビアホール内にビアホール導体が充
填された第2のセラミック絶縁膜とを重畳積層させたも
のを含む積層体を焼成処理することを特徴とする積層イ
ンダクタ部品の製造方法。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a first ceramic insulating film having a coil pattern-shaped through hole formed therein, the coil pattern conductor being filled in the through hole, and a via hole. A method for manufacturing a laminated inductor component, comprising: firing a laminated body including a laminated body in which a second ceramic insulating film in which a via hole conductor is filled is laminated in the via hole.

【0014】第2の発明は、第1の発明の積層インダク
タ部品の製造方法であって、前記コイルパターン導体を
充填させた第1のセラミック絶縁膜が (1)光硬化可能なモノマーを含有するガラス・セラミ
ックのスリップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工
程 (2)前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
して、前記絶縁膜にコイルパターン形状の貫通孔を形成
する工程 (3)前記貫通孔内にコイルパターン導体を充填する工
程より成り、且つ前記ビアホール導体を充填させた第2
のセラミック絶縁膜が (4)光硬化可能なモノマーを含有するガラス・セラミ
ックのスリップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工
程 (5)前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
して、前記絶縁膜にビアホールを形成する工程 (6)前記ビアホール内にビアホール導体を充填する工
程により成ることを特徴とする積層インダクタ部品の製
造方法である。
A second invention is the method for manufacturing a laminated inductor component according to the first invention, wherein the first ceramic insulating film filled with the coil pattern conductor contains (1) a photocurable monomer. Step of applying and drying a glass / ceramic slip material to form an insulating film (2) Selectively exposing and developing the insulating film to form a through hole having a coil pattern shape in the insulating film Step (3) Second step of filling the coil pattern conductor in the through hole and filling the via hole conductor
(4) A step of applying and drying a glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer to form an insulating film (5) a selective exposure treatment and a development treatment for the insulating film And (6) a step of filling a via hole in the insulating film to fill the via hole with a via hole conductor.

【0015】ここで、第2の発明以降において、コイル
パターン形状の貫通孔は第1の絶縁膜の、ビアホールは
第2の絶縁膜の厚み方向が貫通しているが、例えば貫通
孔の下部開口が下部の第2の絶縁膜及びビアホール導体
膜によって閉塞され、またビアホールの下部開口がコイ
ルパターン導体によって閉塞され、また全体として「凹
部」形状となるため、本発明では、以下、コイルパター
ン形状の貫通孔及びビアホールを「貫通凹部」と表記す
る。
Here, in the second and subsequent inventions, the coil pattern-shaped through hole penetrates the first insulating film in the thickness direction of the second insulating film, and the via hole penetrates in the thickness direction of the second insulating film. Is closed by the lower second insulating film and the via-hole conductor film, and the lower opening of the via hole is closed by the coil pattern conductor, and has a “recess” shape as a whole. The through hole and the via hole are referred to as “through recess”.

【0016】[0016]

【作用】第1の発明によれば、積層体が、コイルパター
ンの形状の貫通凹部にコイルパターン導体が充填された
第1のセラミック絶縁膜と、貫通凹部にビアホール導体
導体が充填された第2のセラミック絶縁膜と、互いに重
畳している。即ち、コイルパターン導体の厚みは、実質
的に第1のセラミック絶縁膜と同一の厚みとなり、第1
のセラミック絶縁膜の厚みの増加により、コイルパター
ン導体厚みの増加させることが簡単にでき、これにより
コイルパターンが低抵抗となる。
According to the first aspect of the invention, the laminated body has the first ceramic insulating film having the coil pattern-shaped through recess filled with the coil pattern conductor, and the second ceramic insulating film having the through recess filled with the via-hole conductor conductor. , And the ceramic insulating film of FIG. That is, the thickness of the coil pattern conductor is substantially the same as that of the first ceramic insulating film,
By increasing the thickness of the ceramic insulating film, it is possible to easily increase the thickness of the coil pattern conductor, whereby the coil pattern has a low resistance.

【0017】第2の発明によれば、第1の発明の第1の
セラミック絶縁膜が光硬化可能なモノマーを含む絶縁ス
リップ材の塗布、乾燥、さらに、コイルパターンの形状
に対応する貫通凹部を形成するための露光・現像処理の
後、導電性ペーストの充填で形成される。従って、コイ
ルパターンの形状に対応する貫通凹部に導電性ペースト
を充填しても、そこから充填したペーストが流出するこ
とがなく、絶縁膜と同一の厚みのコイルパターンとなる
導体を簡単に形成できる。
According to the second invention, the first ceramic insulating film of the first invention is applied with an insulating slip material containing a photo-curable monomer, dried, and further, a through recess corresponding to the shape of the coil pattern is formed. It is formed by filling the conductive paste after the exposure and development processing for forming. Therefore, even if the conductive paste is filled in the through recess corresponding to the shape of the coil pattern, the filled paste does not flow out from the conductive paste, and the conductor having the same coil pattern thickness as the insulating film can be easily formed. .

【0018】即ち、絶縁膜の厚みを厚くすることによ
り、コイルパターンとなる導体膜の厚みを増加させるこ
とが簡単にできるため、コイルパターンの導体抵抗を下
げることが極めて容易となる。
That is, by increasing the thickness of the insulating film, it is possible to easily increase the thickness of the conductor film forming the coil pattern, so that it is extremely easy to reduce the conductor resistance of the coil pattern.

【0019】第1の発明のビアホール導体を有する第2
のセラミック絶縁膜として光硬化可能なモノマーを含む
絶縁スリップ材の塗布、乾燥、さらに、ビアホール導体
の形状に対応する貫通凹部を形成するための露光・現像
処理の後、導電性ペーストの充填で形成される。従っ
て、ビアホール導体の形状に対応する貫通凹部に導電性
ペーストを充填しても、そこから充填したペーストが流
出することがなく、安定したビアホール導体となる導体
を簡単に形成できる。
A second embodiment having the via-hole conductor of the first invention.
After applying and drying an insulating slip material containing a photo-curable monomer as the ceramic insulating film, and further exposing and developing to form a through recess corresponding to the shape of the via-hole conductor, it is formed by filling with a conductive paste. To be done. Therefore, even when the conductive paste is filled in the through-hole recess corresponding to the shape of the via-hole conductor, the filled paste does not flow out from the conductive paste, and a stable conductor serving as a via-hole conductor can be easily formed.

【0020】即ち、露光処理の精度により、ビアホール
導体の形状を任意形状とすることができ、ビアホール導
体部分での導体抵抗を下げることが極めて容易となる。
That is, the shape of the via-hole conductor can be made arbitrary depending on the accuracy of the exposure process, and it becomes extremely easy to reduce the conductor resistance in the via-hole conductor portion.

【0021】両絶縁膜が光硬化可能なモノマーを含むス
リップ材の塗布によって形成されるため、その絶縁膜の
下部の絶縁膜のコイルパターン導体又はビアホール導体
となる導体の状況にかかわらず、また、積層数に係わら
ず、その表面を常に均一にすることができる。従って、
その表面上に絶縁膜などを形成する場合、安定的に、且
つ簡単に形成することができる。
Since both insulating films are formed by applying a slip material containing a photo-curable monomer, regardless of the condition of the coil pattern conductor or via-hole conductor of the insulating film below the insulating film, The surface can always be made uniform regardless of the number of stacked layers. Therefore,
When an insulating film or the like is formed on the surface, it can be stably and easily formed.

【0022】即ち、重畳塗布による積層方法が簡単且つ
確実に行える。また、コイルパターン及びビアホール導
体の形状精度や形成位置は、極めて位置精度が高い露光
処理によって決定されるため、積層信頼性が高い製造方
法となる。
That is, the stacking method by superposition coating can be performed easily and surely. Further, the shape accuracy and formation position of the coil pattern and the via-hole conductor are determined by the exposure process with extremely high position accuracy, so that the manufacturing method has high stacking reliability.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の積層インダクタ部品の製造方
法を図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a laminated inductor component according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】図1は、本発明にかかる積層インダクタ部
品の斜視図であり、図2は図1のX−X線断面図であ
り、図3(a)は図1のY−Y線断面図、図3(b)は
図1のZ−Z線断面図である。
FIG. 1 is a perspective view of a laminated inductor component according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG. 1, and FIG. 3A is a sectional view taken along line YY of FIG. 3 (b) is a sectional view taken along line ZZ in FIG.

【0025】尚、説明は9層の絶縁層からなる積層イン
ダクタ部品を用いて説明する。
The description will be made using a laminated inductor component composed of nine insulating layers.

【0026】図1〜図3において、1は積層体本体であ
り、4、5は端子電極である。
1 to 3, 1 is a laminated body, and 4 and 5 are terminal electrodes.

【0027】積層体本体1は、9層のセラミック層(以
下、単に絶縁層という)1a〜1iが積層して構成さ
れ、その内部にコイルパターン2b、2d、2f、2
h、ビアホール導体3c、3e、3gを有している。具
体的には、絶縁層1b、1d、1f、1hは第1の絶縁
層であり、コイルパターン2b、2d、2f、2hは、
絶縁層1b、1d、1f、1hの厚み方向を貫く所定パ
ターン形状で形成されている。また、絶縁層1c、1
e、1gは第2の絶縁層であり、隣接するコイルパター
ン2b、2d、2f、2hを接続するビアホール導体3
c、3e、3gは、絶縁層1c、1e、1gの厚み方向
を貫く所定形状(例えば直径)で形成されている。尚、
絶縁層1aと絶縁層1iは単なる単板状態であり、特に
絶縁層1aを最上絶縁層といい、絶縁層1iを最下絶縁
層という。
The laminated body 1 is constituted by laminating nine ceramic layers (hereinafter, simply referred to as insulating layers) 1a to 1i, and coil patterns 2b, 2d, 2f, 2 inside thereof.
h, via-hole conductors 3c, 3e, 3g. Specifically, the insulating layers 1b, 1d, 1f, 1h are first insulating layers, and the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h are
The insulating layers 1b, 1d, 1f, and 1h are formed in a predetermined pattern shape that penetrates in the thickness direction. Also, the insulating layers 1c, 1
e and 1g are second insulating layers and are via-hole conductors 3 that connect adjacent coil patterns 2b, 2d, 2f, and 2h.
c, 3e, and 3g are formed in a predetermined shape (for example, diameter) that penetrates the insulating layers 1c, 1e, and 1g in the thickness direction. still,
The insulating layer 1a and the insulating layer 1i are simply a single plate state, and in particular, the insulating layer 1a is called the uppermost insulating layer and the insulating layer 1i is called the lowermost insulating layer.

【0028】絶縁層1a〜1iは、例えば850〜10
50℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−
セラミック材料からなり、その厚みは第1の絶縁層であ
る絶縁層1b、1d、1f、1hと第2の絶縁層である
絶縁層1c、1e、1gとでは、若干異なり、コイルパ
ターン2b、2d、2f、2hが内装された絶縁層1
b、1d、1f、1hを比較的厚く、ビアホール導体3
c、3e、3gが内装された絶縁層1c、1e、1gを
比較的薄くする方が望ましい。具体的には、絶縁層1
b、1d、1f、1hは、例えば20〜100μmであ
り、絶縁層1c、1e、1gは、例えば10〜100μ
mである。
The insulating layers 1a-1i are, for example, 850-10.
Glass that enables firing at relatively low temperatures around 50 ° C
It is made of a ceramic material, and its thickness is slightly different between the first insulating layers 1b, 1d, 1f, 1h and the second insulating layers 1c, 1e, 1g, and the coil patterns 2b, 2d are different. Insulation layer 1 containing 2f and 2h
b, 1d, 1f, 1h are relatively thick, and the via-hole conductor 3
It is desirable to make the insulating layers 1c, 1e, and 1g in which c, 3e, and 3g are embedded relatively thin. Specifically, the insulating layer 1
b, 1d, 1f, 1h are, for example, 20 to 100 μm, and the insulating layers 1c, 1e, 1g are, for example, 10 to 100 μm.
m.

【0029】コイルパターン2b、2d、2f、2h、
ビアホール導体3c、3e、3gは、金系、銀系、銅系
の金属材料、例えば銀系導体からなっている。
The coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h,
The via-hole conductors 3c, 3e, and 3g are made of a gold-based, silver-based, or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor.

【0030】このような、積層体本体1内に、コイルパ
ターン2b−ビアホール導体3c−コイルパターン2d
−ビアホール導体3e−コイルパターン2f−ビアホー
ル導体3g−コイルパターン2hと一連に接続したコイ
ルが形成されている。
In the laminated body 1, the coil pattern 2b, the via-hole conductor 3c, and the coil pattern 2d are formed.
A coil connected in series with the via hole conductor 3e, the coil pattern 2f, the via hole conductor 3g, and the coil pattern 2h is formed.

【0031】さらに、コイルパターン2bの一端は、最
上絶縁層1aと絶縁層1cに挟まれた絶縁層1bの厚み
相当部分から積層体本体1の端部に導出され、端子電極
5に接続され、コイルパターン2hの他端は、最下絶縁
層1iと絶縁層1gに挟まれた絶縁層1hの厚み相当部
分から積層体本体1の端部に導出され、端子電極4に接
続されている。
Further, one end of the coil pattern 2b is led out to the end of the laminated body 1 from the portion corresponding to the thickness of the insulating layer 1b sandwiched between the uppermost insulating layer 1a and the insulating layer 1c, and is connected to the terminal electrode 5. The other end of the coil pattern 2h is led to the end portion of the laminated body 1 from the portion corresponding to the thickness of the insulating layer 1h sandwiched between the lowermost insulating layer 1i and the insulating layer 1g and connected to the terminal electrode 4.

【0032】図2、図3(a)(b)に示すように、例
えばコイルパターン2b、2d間を接続するビアホール
導体3cは、隣接するコイルパターン2d、2f間を接
続するビアホール導体3eの形成位置と若干変位してい
る。同様にビアホール導体3eと3gとの形成位置と若
干変位している。尚、ビアホール導体3cと3gとは、
平面的に同じ位置に形成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3A and 3B, for example, the via-hole conductor 3c connecting the coil patterns 2b and 2d is formed with the via-hole conductor 3e connecting the adjacent coil patterns 2d and 2f. It is slightly displaced from the position. Similarly, it is slightly displaced from the formation positions of the via-hole conductors 3e and 3g. The via-hole conductors 3c and 3g are
They are formed at the same position in plan view.

【0033】また、コイルパターン2b、2hは、端子
電極4、5と接続するためにその端部に延出部分が形成
されているため、コイルパターン2b、2d、2f、2
hの形状も若干異なっている。具体的には、コイルパタ
ーン2bは、図5(ヤ)のように、約半ターン形状で、
延出部分が付加されており、コイルパターン2dは、図
5(ナ)のように、約1ターン形状で、ビアホール導体
3eと接続する一端が中心よりに形成されており、コイ
ルパターン2fは、図5(ワ)のように、約1ターン形
状で、ビアホール導体3gと接続する一端が端部よりに
形成されており、コイルパターン2bは、図5(ヤ)の
ように、約半ターン形状で、延出部分が付加されてお
り、コイルパターン2hは、図5(ホ)のように、約1
ターン形状で、延出部分が付加されている。
Further, since the coil patterns 2b and 2h are formed with extended portions at their ends for connecting with the terminal electrodes 4 and 5, the coil patterns 2b, 2d, 2f and 2h.
The shape of h is also slightly different. Specifically, the coil pattern 2b has an approximately half turn shape as shown in FIG.
An extended portion is added, and the coil pattern 2d has a shape of about 1 turn, and one end connected to the via-hole conductor 3e is formed from the center, as shown in FIG. As shown in FIG. 5 (wa), it has a shape of about 1 turn, and one end connected to the via-hole conductor 3g is formed from the end. The coil pattern 2b has a shape of about half turn as shown in FIG. 5 (ya). Then, the extended portion is added, and the coil pattern 2h is about 1 as shown in FIG.
It has a turn shape with an extension.

【0034】上述の積層インダクタ部品において、コイ
ルパターン2b、2d、2f、2hが実質的に、第1の
絶縁層である絶縁層1b、1d、1f、1hの厚さ(2
0〜100μm)と同等の厚みを有しているため、従来
のグリーンシートや絶縁膜表面への印刷形成による厚
み、例えば10μmに比較して、厚くすることができ
る。これにより、コイルパターン2b、2d、2f、2
hでの導体抵抗を極小化することができるため、インダ
クタンス特性に優れた積層インダクタ部品が簡単に形成
できる。
In the above-mentioned laminated inductor component, the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h substantially have the thickness (2) of the insulating layers 1b, 1d, 1f, 1h which are the first insulating layers.
Since it has a thickness equivalent to 0 to 100 μm), it can be made thicker than the conventional thickness by printing on the surface of the green sheet or the insulating film, for example, 10 μm. Thereby, the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2
Since the conductor resistance at h can be minimized, a laminated inductor component having excellent inductance characteristics can be easily formed.

【0035】従って、導体抵抗が小さいことから、トラ
ンスのコイル部分などに用いた場合、発熱を抑制した
り、電力変換効率を上げることができ、高周波回路の共
振回路に用いた場合、信号の減衰を小さくして、ノイズ
を小さくすることができ、L−Cフィルタ部品に用いた
場合、挿入損失を小さくしたりすることができる。
Therefore, since the conductor resistance is small, heat generation can be suppressed and power conversion efficiency can be increased when used in a coil portion of a transformer, and signal attenuation when used in a resonance circuit of a high frequency circuit. Can be reduced to reduce noise, and when used in an LC filter component, insertion loss can be reduced.

【0036】尚、上述の図1〜図3に示す積層インダク
タ部品の積層体本体1は、絶縁層1iとなる絶縁膜10
i上に、光硬化可能なモノマーを含有する絶縁スリップ
材をドクターブレード法などで絶縁膜10hを塗布・乾
燥し、さらにコイルパターン2hの形状に対応する貫通
凹部を形成するため、選択的な露光処理、現像処理を行
い、さらに、導電性ペーストを印刷、充填して、コイル
パターン2hとなる導体膜20hを形成し、その後、絶
縁膜10h及び導体膜20h上に、絶縁層1gとなる絶
縁膜を塗布・乾燥し、さらにビアホール導体3gの形状
に対応する貫通凹部を形成するため、選択的な露光処
理、現像処理を行い、さらに、導電性ペーストを印刷、
充填して、ビアホール導体3gとなる導体30gを形成
し、同様に順次、絶縁層1fとなる絶縁膜、コイルパタ
ーン2fとなる導体、絶縁層1eとなる絶縁膜、ビアホ
ール導体3eとなる導体30eを形成し、この塗布重畳
した積層体を一体的に焼成することにより形成される。
The laminated body 1 of the laminated inductor component shown in FIGS. 1 to 3 has the insulating film 10 serving as the insulating layer 1i.
An insulating slip material containing a photo-curable monomer is applied onto the i by a doctor blade method or the like to coat and dry the insulating film 10h, and a through recess corresponding to the shape of the coil pattern 2h is formed. Processing, development processing, printing and filling with a conductive paste to form a conductor film 20h to be a coil pattern 2h, and then an insulating film to be an insulating layer 1g on the insulating film 10h and the conductor film 20h. Is applied and dried, and further, in order to form a through recess corresponding to the shape of the via-hole conductor 3g, a selective exposure process and a development process are performed, and a conductive paste is printed.
A conductor 30g to be the via-hole conductor 3g is formed by filling, and in the same manner, an insulating film to be the insulating layer 1f, a conductor to be the coil pattern 2f, an insulating film to be the insulating layer 1e, and a conductor 30e to be the via-hole conductor 3e. It is formed by integrally forming and firing the laminated body on which the coating is applied.

【0037】詳細には、図4に示す製造流れ図に基づい
て、必要に応じて、図5(イ)〜図5(マ)は主要工程
における平面状況を説明する図を用いて説明する。
In detail, based on the manufacturing flow chart shown in FIG. 4, FIGS. 5 (a) to 5 (m) will be described with reference to the drawings for explaining the planar state in the main steps, if necessary.

【0038】まず、図4に示す基体を準備する工程であ
る。
First, there is a step of preparing the substrate shown in FIG.

【0039】基体は、塗布重畳する基準面となるもので
あり、耐熱性樹脂、ガラス、セラミックなどが用いられ
る。
The substrate serves as a reference surface on which coating and superposition are performed, and heat resistant resin, glass, ceramics or the like is used.

【0040】次は、図4に示す最下絶縁層1iとなる絶
縁膜10i(焼成前を絶縁「膜」という)を形成する工
程である。
The next step is to form an insulating film 10i (the insulating film is a film before firing) which will be the lowermost insulating layer 1i shown in FIG.

【0041】絶縁膜10iは、セラミック粉末、ガラス
材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダと、有機又
は水系溶剤を均質混練して得られスリップ材を、例えば
100μm程度になるように、塗布、乾燥する工程、さ
らに、全面を露光処理して、光硬化可能なモノマーの重
合反応を発生させて、塗布膜を硬化する工程とから成
る。尚、絶縁膜10iの厚みは、塗布時に100μm程
度であっても、乾燥処理、焼成処理を行い、絶縁層1i
となる時には、その1/2程度の厚みにある。従って、
絶縁膜10iの厚みが100μmであっても、実際の絶
縁層1iの厚みは約50μm程度となる。
The insulating film 10i is obtained by homogeneously kneading a ceramic powder, a glass material, a photocurable monomer, an organic binder, and an organic or aqueous solvent, and a slip material is applied and dried to a thickness of, for example, about 100 μm. And the step of exposing the entire surface to light to cause a polymerization reaction of a photocurable monomer to cure the coating film. Even if the insulating film 10i has a thickness of about 100 μm at the time of application, the insulating film 1i is dried and baked to form the insulating layer 1i.
When it becomes, the thickness is about ½ of that. Therefore,
Even if the thickness of the insulating film 10i is 100 μm, the actual thickness of the insulating layer 1i is about 50 μm.

【0042】これにより、図5(イ)に示すように、基
体(図には現れない)上に、絶縁膜10iが形成され
る。
As a result, as shown in FIG. 5A, the insulating film 10i is formed on the substrate (not shown in the figure).

【0043】上述のセラミック粉末としては、クリスト
バライト、石英、コランダム(αアルミナ)、ムライ
ト、ジルコニア、コージェライト等の材料が挙げられ、
その粉末の平均粒径は、好ましくは1.0〜6.0μ
m、更に好ましくは1.5〜4.0μmである。これら
のセラミック材料は2種以上混合して用いられてもよ
い。
Examples of the above-mentioned ceramic powder include materials such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, zirconia, and cordierite.
The average particle size of the powder is preferably 1.0 to 6.0 μ.
m, and more preferably 1.5 to 4.0 μm. Two or more kinds of these ceramic materials may be mixed and used.

【0044】特に、コランダムを用いた場合、コスト的
に有利となる。尚、セラミック粉末の平均粒径が1.0
〜6.0μmと設定したのは、平均粒径が1.0μm未
満では、均質混合してスリップ化することが難しくな
り、、露光時に露光光が乱反射して充分な露光ができな
くなる。逆に平均粒径が6.0μmを超えると緻密で強
度の高い積層体本体1が得られない。
In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost. The average particle size of the ceramic powder is 1.0
When the average particle size is less than 1.0 μm, it is difficult to homogeneously mix and slip, and the exposure light is diffusely reflected at the time of exposure, so that sufficient exposure cannot be performed. On the contrary, if the average particle size exceeds 6.0 μm, the dense laminated body 1 having high strength cannot be obtained.

【0045】上述のガラス材料としては、複数の金属酸
化物を含むガラスフリットであり、850〜1050℃
で焼成した後に、コージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライト及びその置換誘導体の結晶
を少なくとも1種析出するものが挙げられる。
The above-mentioned glass material is a glass frit containing a plurality of metal oxides and has a temperature of 850 to 1050 ° C.
After calcination in 1., at least one crystal of cordierite, mullite, anorthite, sergian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof is precipitated.

【0046】特に、アノーサイトまたはセルジアンを析
出する結晶化ガラスフリットを用いると、より強度の高
い積層体本体が得られ、また、コージェライトまたはム
ライトを析出し得る結晶化ガラスフリットを用いると、
焼成後の熱膨張率が低いため、この積層インダクタ部品
上に所定回路を形成して、IC等のシリコンチップを配
置するには有効となる。
In particular, the use of a crystallized glass frit which deposits anorthite or sergian gives a laminated body having higher strength, and the use of a crystallized glass frit which deposits cordierite or mullite,
Since the coefficient of thermal expansion after firing is low, it is effective for forming a predetermined circuit on this laminated inductor component and arranging a silicon chip such as an IC.

【0047】上述の絶縁層の強度、熱膨張率を考慮した
最も好ましいガラス材料としては、B2 3 、Si
2 、Al2 3 、ZnO、アルカリ土類酸化物を含む
ガラスフリットである。この様なガラスフリットは、ガ
ラス化範囲が広くまた屈伏点が600〜800℃付近に
ある為、850〜1050℃程度の低温焼成に適し、且
つコイルパターン2b、2d、2f、2h、ビアホール
導体3c、3e、3gとなる銅系、銀系及び金系の導電
材料の焼結挙動に適している。
The most preferable glass materials in consideration of the strength and the coefficient of thermal expansion of the insulating layer are B 2 O 3 and Si.
A glass frit containing O 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and an alkaline earth oxide. Since such a glass frit has a wide vitrification range and a yield point around 600 to 800 ° C., it is suitable for low temperature firing at about 850 to 1050 ° C., and the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h, and the via-hole conductor 3c. It is suitable for the sintering behavior of copper-based, silver-based, and gold-based conductive materials of 3e and 3g.

【0048】ガラス材料はスリップ材中には、フリット
の状態で混合されている。このフリットの平均粒径は、
1.0〜5.0μm、好ましくは1.5〜3.5μmで
ある。尚平均粒径が1.0μm未満の場合は、スリップ
化することが困難なであり、露光時に露光光が乱反射し
て充分な露光ができなくなる。逆に平均粒径が5.0μ
mを超えると分散性が損なわれ、具体的には絶縁材料で
あるセラミック粉末間に均等に溶解分散できず、強度が
非常に低下してしまう。
The glass material is mixed in the slip material in a frit state. The average particle size of this frit is
It is 1.0 to 5.0 μm, preferably 1.5 to 3.5 μm. If the average particle size is less than 1.0 μm, it is difficult to make slipping, and the exposure light is diffusely reflected at the time of exposure, and sufficient exposure cannot be performed. Conversely, the average particle size is 5.0μ
When it exceeds m, the dispersibility is impaired, and specifically, it cannot be uniformly dissolved and dispersed between the ceramic powders which are the insulating materials, and the strength is extremely lowered.

【0049】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が10〜60wt%、好まし
くは30〜50wt%であり、ガラス材料が90〜40
wt%、好ましくは70wt%〜50wt%である。
The composition ratio of the above-mentioned ceramic material and glass material is such that when firing at a relatively low temperature of 850 to 1050 ° C., the ceramic material is 10 to 60 wt%, preferably 30 to 50 wt%. Is 90-40
wt%, preferably 70 wt% to 50 wt%.

【0050】ここで、セラミック材料が10wt%未
満、且つガラス材料が90wt%を越えると、絶縁層に
ガラス質が増加しすぎ、絶縁層の強度等からしても不適
切であり、また、セラミック材料が60wt%を越え、
且つガラス材料が40wt%未満となると、露光時に露
光光が乱反射して充分な露光ができなり、焼成後の絶縁
層の緻密性も損なわれる。
Here, if the ceramic material is less than 10 wt% and the glass material exceeds 90 wt%, the insulating layer is excessively vitreous, which is inappropriate from the viewpoint of the strength of the insulating layer. Material exceeds 60wt%,
Further, if the glass material is less than 40 wt%, the exposure light is diffusely reflected during the exposure and sufficient exposure can be performed, and the denseness of the insulating layer after firing is also impaired.

【0051】上述のセラミックやガラスなどの固形成分
の他に、スリップ材の構成材料としては、焼結によって
消失される光硬化可能なモノマー、有機バインダーと、
有機溶剤とを含んでいる。
In addition to the above-mentioned solid components such as ceramics and glass, the constituent material of the slip material is a photocurable monomer that is lost by sintering, an organic binder,
Contains an organic solvent.

【0052】光硬化可能なモノマーは、低温短時間の焼
成工程に対応するために、熱分解性に優れたものであ
り、光硬化可能なモノマーとしては、スリップ材の塗布
・乾燥後の露光によって、光重合される必要があり、遊
離ラジカルの形成、連鎖生長付加重合が可能で、2級も
しくは3級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば少
なくとも1つの重合可能なエチレン系基を有するブチル
アクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに
対応するアルキルメタクリレートが有効である。
The photo-curable monomer is excellent in thermal decomposability in order to cope with a low temperature and short-time baking process. As the photo-curable monomer, a slip material is applied by exposure after coating and drying. It is necessary to photopolymerize, free radical formation, chain growth addition polymerization are possible, and a monomer having a secondary or tertiary carbon is preferable, for example, butyl acrylate having at least one polymerizable ethylene group. Alkyl acrylates and their corresponding alkyl methacrylates are effective.

【0053】また、テトラエチレングリコールジアクリ
レート等のポリエチングリコールジアクリレートおよび
それらに対応するメタクリレートなどが挙げられる。
Further, there may be mentioned polyethylene glycol diacrylates such as tetraethylene glycol diacrylate and their corresponding methacrylates.

【0054】光硬化可能なモノマーは、露光処理によっ
て絶縁膜10eが硬化され、現像処理によって露光部分
以外の部分が容易に除去できるように所定量添加され
る。例えば、固形成分(セラミック材料及びガラス材
料) に対して5〜15wt%以下である。
The photo-curable monomer is added in a predetermined amount so that the insulating film 10e is cured by the exposure treatment and the portion other than the exposed portion can be easily removed by the development treatment. For example, it is 5 to 15 wt% or less with respect to the solid component (ceramic material and glass material).

【0055】有機バインダーは、光硬化可能なモノマー
同様に熱分解性の良好なものでなくてはならない。同時
にスリップの粘性を決めるものである為、固形分との濡
れ性も重視せねばならず、本発明者の検討によればアク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。添加量としては固形分に対して25
wt%以下が好ましい。
The organic binder must have good thermal decomposability like the photocurable monomer. At the same time, since it determines the viscosity of the slip, the wettability with the solid content must be emphasized.According to the study of the present inventor, a carboxyl group such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymer and an alcoholic hydroxyl group are determined. The ethylenically unsaturated compounds provided are preferred. Addition amount is 25 based on solid content
Wt% or less is preferable.

【0056】尚、溶剤として、有機系溶剤の他に、水系
溶剤を用いることができるが、この場合、光硬化可能な
モノマー及び有機バインダは、水溶性である必要があ
り、モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例え
ばカルボキシル基が付加されている。その付加量は酸価
で表せば2〜300あり、好ましくは5〜100であ
る。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定成分の粉
末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなる
ため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考
慮して、上述の範囲で適宜付加される。
As the solvent, in addition to the organic solvent, an aqueous solvent can be used. In this case, the photocurable monomer and the organic binder must be water-soluble, and the monomer and the binder should be used. , Hydrophilic functional groups such as carboxyl groups are added. The amount of addition is 2 to 300, preferably 5 to 100, when expressed by acid value. If the addition amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the powder of the fixed component will be poor, and if it is large, the thermal decomposability will be poor. In consideration of the above, it is appropriately added within the above range.

【0057】何れの系のスリップ材においても光硬化可
能なモノマー及び有機バインダは上述したように熱分解
性の良好なものでなくてはならないが、具体的には60
0℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。更に好ま
しくは500℃以下である。
In any type of slip material, the photo-curable monomer and the organic binder must have good thermal decomposability as described above, but specifically, 60
It must be capable of thermal decomposition below 0 ° C. More preferably, it is 500 ° C. or lower.

【0058】熱分解温度が600℃を越えると、絶縁層
内に残存してしまい、カーボンとしてトラップし、基板
を灰色に変色させたり、絶縁層の絶縁抵抗までも低下さ
せてしまう。またボイドとなりデラミネーションを起こ
すことがある。
When the thermal decomposition temperature exceeds 600 ° C., it remains in the insulating layer and is trapped as carbon, which causes the substrate to turn gray and the insulating resistance of the insulating layer to decrease. Also, it may become void and cause delamination.

【0059】また、スリップ材には、増感剤、光開始系
材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、光
開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロインエ
ステル類化合物などが挙げられる。
If desired, a sensitizer, a photoinitiator material, etc. may be added to the slip material. For example, examples of the photoinitiator-based material include benzophenones and acyloin ester compounds.

【0060】上述のスリップ材の塗布方法は、絶縁膜1
0i上の表面を均一にするために用いられるためであ
り、例えば、ドクターブレード法(ナイフコート法)、
ロールコート法、印刷法などが挙げられる。ドクターブ
レード法では、基体の表面状況にかかわらず、絶縁膜の
表面をブレードでさらえるために、塗布後の絶縁膜10
iの表面が平坦化することができる。
The coating method of the slip material described above is applied to the insulating film 1
This is because it is used for making the surface on 0i uniform, for example, a doctor blade method (knife coating method),
A roll coating method, a printing method and the like can be mentioned. In the doctor blade method, since the surface of the insulating film is exposed by the blade regardless of the surface condition of the substrate, the insulating film 10 after coating is applied.
The surface of i can be flattened.

【0061】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は、120℃
以下が望ましい。また、急激な乾燥は、表面にクラック
を発生される可能性があるため、急加熱は避けることが
重要となる。
As a drying method, a batch-type drying furnace or an in-line-type drying furnace is used, and the drying condition is 120 ° C.
The following is desirable. Also, rapid drying may cause cracks on the surface, so it is important to avoid rapid heating.

【0062】露光処理は、絶縁膜10iの光硬化させ
て、後述の絶縁膜10dの現像処理時に、この絶縁膜1
0iが侵されないようにするものであり、絶縁膜10i
の全面に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系露光光を、例
えば強度10〜20mJ/cm2 程度、時間15〜30
秒程度照射する。
In the exposure process, the insulating film 10i is photo-cured so that the insulating film 1d is developed at the time of developing the insulating film 10d which will be described later.
0i is prevented from being attacked, and the insulating film 10i
Low-pressure, high-pressure, and ultra-high-pressure mercury lamp-based exposure light over the entire surface of, for example, an intensity of about 10 to 20 mJ / cm 2 and a time of 15 to 30
Irradiate for about a second.

【0063】次は、図4に示す第1の絶縁膜である絶縁
膜10hを形成する工程である。
Next is a step of forming the insulating film 10h which is the first insulating film shown in FIG.

【0064】絶縁膜10hは、絶縁膜10i上に、上述
のスリップ材を塗布・乾燥する過程(図5(ロ)参照)
と、絶縁層1hに形成されるコイルパターン2hの形状
に対応して選択的に露光処理により、貫通凹部の溶化部
20h’を形成する過程(図5(ハ)参照)と、これを
現像処理により、溶化部20h’を除去して貫通凹部2
0hを形成する過程(図5(ニ)参照)により形成され
る。
The insulating film 10h is a process of applying and drying the above slip material on the insulating film 10i (see FIG. 5B).
And a process of forming a solubilized portion 20h 'of the through recess by selectively performing an exposure process corresponding to the shape of the coil pattern 2h formed on the insulating layer 1h (see FIG. 5C), and a development process thereof. To remove the solubilized portion 20h ′, and to remove the through recess 2
It is formed by the process of forming 0h (see FIG. 5D).

【0065】塗布・乾燥は、絶縁膜10iからのブレー
ドの間隔を制御して、例えば厚み150μmでスリップ
材を塗布し、上述の乾燥条件で乾燥をおこなう。尚、こ
のようにスリップ材の塗布時150μmてあっても、乾
燥、焼成した絶縁層1iの厚みは約75μmとなる。
The application / drying is performed by controlling the interval of the blade from the insulating film 10i, applying a slip material with a thickness of 150 μm, and drying under the above-mentioned drying conditions. Even when the slip material is coated with a thickness of 150 μm, the thickness of the dried and fired insulating layer 1i is about 75 μm.

【0066】露光処理は、絶縁膜10hの光硬化モノマ
ーが、光重合されるネガ型であるため、貫通凹部20h
となる溶化部20’hのみが露光光が照射されないよう
所定パターンのフォトターゲットを、絶縁膜10hの表
面に載置、又は近接配置して、低圧、高圧、超高圧の水
銀灯系露光光を、例えば強度10〜20mJ/cm2
度、時間15〜30秒程度照射する。この露光処理によ
り、絶縁膜10hの貫通凹部20hとなる以外の部分
が、光硬化可能なモノマーの光重合反応を起こす。尚、
露光装置は所謂写真製版技術に用いられる一般的なもの
でよい。
In the exposure process, since the photo-curable monomer of the insulating film 10h is a negative type which is photo-polymerized, the through recess 20h is formed.
A photo target having a predetermined pattern is placed on or close to the surface of the insulating film 10h so that only the solubilized portion 20′h that is to be exposed to the exposure light is exposed to low-pressure, high-pressure, and ultra-high-pressure mercury lamp-based exposure light. For example, irradiation is performed with an intensity of about 10 to 20 mJ / cm 2 and a time of about 15 to 30 seconds. By this exposure process, the portion of the insulating film 10h other than the through recess 20h causes a photopolymerization reaction of the photocurable monomer. still,
The exposure apparatus may be a general one used in so-called photolithography technology.

【0067】現像処理は、露光処理した絶縁膜10hの
溶化部20’hに、クロロセン、1,1,1−トリクロ
ロエタン、アルカリ現像溶剤などの現像液を、例えばス
プレー現像法やパドル現像法によって、噴射したり、接
触したりして、現像処理を行う。現像条件として、スプ
レー現像法で30秒程度の噴射により行われる。この現
像処理は、露光処理によって形成された溶化部20’h
が徐々に除去され、下の層の光硬化処理された絶縁膜1
0iが貫通凹部20hから露出するまで行われる。その
後、必要に応じて洗浄及び乾燥を行なう。
The developing treatment is carried out by applying a developing solution such as chlorocene, 1,1,1-trichloroethane or an alkaline developing solvent to the solubilized portion 20'h of the exposed insulating film 10h by, for example, a spray developing method or a paddle developing method. The developing process is performed by spraying or contacting. As a developing condition, spraying is performed by spraying for about 30 seconds. This developing process is performed by the solubilized portion 20'h formed by the exposure process.
Is gradually removed, and the lower layer is a photo-curing insulating film 1
This is performed until 0i is exposed from the through recess 20h. Then, if necessary, washing and drying are performed.

【0068】これにより、コイルパターン2hの形状に
対応し、その厚み部分が除去された貫通凹部20hを有
する絶縁膜10hが形成されることになる。
As a result, the insulating film 10h corresponding to the shape of the coil pattern 2h and having the penetrating recess 20h with its thickness removed is formed.

【0069】次は、図4に示すコイルパターン2hとな
るコイルパターン導体21hを形成する工程である。
Next is the step of forming the coil pattern conductor 21h to be the coil pattern 2h shown in FIG.

【0070】このコイルパターン導体21hは、例えば
Ag系導電性ペーストを用いてスクリーン印刷を、所定
形状に1回又は複数回行うことにより、貫通凹部20h
を充填して、さらに、乾燥して、露光処理による光硬化
で形成する(図5(ホ)参照)。
The coil pattern conductor 21h is subjected to screen printing once or a plurality of times in a predetermined shape by using, for example, an Ag-based conductive paste to form the through recess 20h.
And then dried and formed by photocuring by an exposure process (see FIG. 5E).

【0071】導電性ペーストは、金、銀、銅もしくはそ
の合金のうち少なくとも1つの金属材料、例えば銀の粉
末と、低融点ガラス成分と、光硬化モノマー、有機バイ
ンダーと及び有機溶剤とを均質混練したものが用いられ
る。特に、焼成温度が850〜1050℃と比較的低い
ため、絶縁膜の焼結挙動を考慮して、低融点ガラス成分
の屈伏点を700℃〜800となるものを使用すること
が重要である。
The conductive paste is a homogeneous mixture of at least one metal material of gold, silver, copper or alloys thereof, for example, a powder of silver, a low melting point glass component, a photocurable monomer, an organic binder and an organic solvent. What is done is used. In particular, since the firing temperature is relatively low at 850 to 1050 ° C., it is important to use a low melting point glass component having a sag point of 700 ° C. to 800 ° C. in consideration of the sintering behavior of the insulating film.

【0072】露光処理は、導体21hの光硬化モノマー
が光重合させて、後述の絶縁膜10gの現像処理時に、
この導体21hが侵されないようにするものであり、導
体21hの全面に上述露光条件で行う。
In the exposure process, the photo-curable monomer of the conductor 21h is photo-polymerized, and when the insulating film 10g described later is developed,
This conductor 21h is prevented from being attacked, and the entire surface of the conductor 21h is exposed under the above-mentioned exposure conditions.

【0073】これにより、絶縁膜10h内に、絶縁膜1
0hの厚みと略同等の厚みを有する導体21hが形成さ
れることになる。
As a result, the insulating film 1 is formed in the insulating film 10h.
The conductor 21h having a thickness substantially equal to the thickness of 0h is formed.

【0074】次は、図4に示す第2の絶縁膜である絶縁
膜10gを形成する工程である。
Next is a step of forming the insulating film 10g which is the second insulating film shown in FIG.

【0075】絶縁膜10gは、絶縁膜10h上に、上述
のスリップ材を塗布・乾燥する過程(図5(へ)参照)
と、絶縁層1ヘに形成されるビアホール導体3gの形状
に対応して選択的に露光処理により、貫通凹部の溶化部
30g’を形成する過程(図5(ト)参照)と、これを
現像処理により、溶化部30g’を除去して貫通凹部3
0gを形成する過程(図5(チ)参照)により形成され
る。
The insulating film 10g is a process of applying and drying the above-mentioned slip material on the insulating film 10h (see FIG. 5 (to)).
And a process of forming a solubilized portion 30g 'of the through recess by selectively performing an exposure process corresponding to the shape of the via-hole conductor 3g formed on the insulating layer 1 (see FIG. 5G), and developing the same. Through the treatment, the solubilized portion 30g 'is removed to remove the through recess 3
It is formed by the process of forming 0 g (see FIG. 5C).

【0076】塗布・乾燥は、絶縁膜10h表面からのブ
レードの間隔を制御して、例えば厚み100μmでスリ
ップ材を塗布し、上述の乾燥条件で乾燥をおこなう。
The application / drying is performed by controlling the distance between the blades from the surface of the insulating film 10h, applying a slip material with a thickness of 100 μm, and drying under the above-mentioned drying conditions.

【0077】露光処理、現像処理は、絶縁膜10gの厚
みは、絶縁膜10hに比較して薄いため、上述の露光条
件、現像条件に比較して、短時間、又は比較的弱い強
度、比較的薄い濃度で行うことも可能である。
In the exposure processing and the development processing, since the thickness of the insulating film 10g is thinner than that of the insulating film 10h, compared with the above-mentioned exposure conditions and development conditions, a short time, or a relatively weak strength, a relatively low strength. It is also possible to carry out at a low concentration.

【0078】尚、現像処理は、光硬化処理により形成さ
れた溶化部30g’が徐々に除去され、絶縁膜10gの
厚みが全て除去され、貫通凹部30gの底面から導体2
1hが露出するまで行われる。その後、必要に応じて洗
浄及び乾燥を行なう。
In the developing process, the solubilized portion 30g 'formed by the photo-curing process is gradually removed, the entire thickness of the insulating film 10g is removed, and the conductor 2 is removed from the bottom surface of the through recess 30g.
It is performed until 1h is exposed. Then, if necessary, washing and drying are performed.

【0079】これにより、ビアホール導体3gの形状に
対応し、その厚み部分が除去された貫通凹部30gを有
する絶縁膜10gが形成されることになる。
As a result, the insulating film 10g corresponding to the shape of the via-hole conductor 3g and having the penetrating recess 30g with its thickness removed is formed.

【0080】次は、図4に示すビアホール導体3gとな
る導体31gを形成する工程である。
Next is a step of forming the conductor 31g to be the via-hole conductor 3g shown in FIG.

【0081】導体31gは、例えばAg系導電性ペース
トを用いて、スクリーン印刷を所定形状に1回又は複数
回の印刷して、貫通凹部30gに充填し、乾燥して、露
光処理による光硬化を行い形成する(図5(リ)参
照)。
The conductor 31g is screen-printed into a predetermined shape one or more times by using, for example, an Ag-based conductive paste, is filled in the penetrating recess 30g, is dried, and is photo-cured by an exposure process. Then, it is formed (see FIG. 5 (i)).

【0082】導電性ペーストは、上述のコイルパターン
2hとなる導体21hに用いたものと同様、銀の粉末
と、低融点ガラス成分と、光硬化モノマー、有機バイン
ダーと及び有機溶剤とを均質混練したものが用いられ、
また、露光処理は導体膜21hと同様に上述露光条件で
行う。
The conductive paste was homogeneously kneaded with silver powder, a low melting point glass component, a photocurable monomer, an organic binder and an organic solvent, similarly to the one used for the conductor 21h to form the coil pattern 2h. Things are used,
In addition, the exposure process is performed under the above-mentioned exposure conditions as in the conductor film 21h.

【0083】これにより、絶縁膜10g内に、絶縁膜1
0gの厚みを貫通するビアホール導体3gとなる導体3
1gが形成されることになる。
As a result, the insulating film 1 is formed in the insulating film 10g.
A conductor 3 that becomes a via-hole conductor 3g that penetrates a thickness of 0 g.
1 g will be formed.

【0084】その後、図4に示す第1の絶縁膜の形成工
程、コイルパターンとなる導体膜の形成工程、第2の絶
縁膜の形成工程、ビアホール導体となる導体の形成工程
を積層構造に応じて所定回数繰り返す。
Thereafter, the first insulating film forming step, the coil film forming conductive film forming step, the second insulating film forming step, and the via hole conductor forming step shown in FIG. And repeat a predetermined number of times.

【0085】例えば、第1の絶縁膜である絶縁膜10f
を、スリップ材の塗布、乾燥(図5(ヌ)参照)、溶化
部20f’を形成するための選択的な露光処理(図5
(ル)参照)、貫通凹部20fを形成するための現像処
理(図5(ヲ)参照)により形成し、コイルパターン2
fとなる導体21fを導電性ペーストの充填、硬化処理
(図5(ワ)参照)により形成し、第2の絶縁膜である
絶縁膜10eを、スリップ材の塗布、乾燥(図5(カ)
参照)、溶化部30e’を形成するための選択的な露光
処理(図5(ヨ)参照)、貫通凹部30eを形成するた
めの現像処理(図5(タ)参照)により形成し、ビアホ
ール導体3eとなる導体31eを導電性ペーストの充
填、硬化処理(図5(レ)参照)により形成し、第1の
絶縁膜である絶縁膜10dを、スリップ材の塗布、乾燥
(図5(ソ)参照)、溶化部20d’を形成するための
選択的な露光処理(図5(ツ)参照)、貫通凹部20d
を形成するための現像処理(図5(ネ)参照)により形
成し、コイルパターン2dとなる導体21dを導電性ペ
ーストの充填、硬化処理(図5(ナ)参照)により形成
し、第2の絶縁膜である絶縁膜10cを、スリップ材の
塗布、乾燥(図5(ラ)参照)、溶化部30c’を形成
するための選択的な露光処理(図5(ム)参照)、貫通
凹部30cを形成するための現像処理(図5(ウ)参
照)により形成し、ビアホール導体3cとなる導体31
cを導電性ペーストの充填、硬化処理(図5(ヰ)参
照)により形成し、第1の絶縁膜である絶縁膜10b
を、スリップ材の塗布、乾燥(図5(ノ)参照)、溶化
部20b’を形成するための選択的な露光処理(図5
(オ)参照)、貫通凹部20bを形成するための現像処
理(図5(ク)参照)により形成し、コイルパターン2
bとなる導体21bを導電性ペーストの充填、硬化処理
(図5(ヤ)参照)により形成する。
For example, the insulating film 10f which is the first insulating film.
Of the slip material, drying (see FIG. 5 (n)), and selective exposure treatment for forming the solubilized portion 20f ′ (see FIG. 5).
(See (L)) and the coil pattern 2 formed by a developing process (see FIG. 5C) for forming the through recess 20f.
The conductor 21f to be f is formed by filling the conductive paste and curing treatment (see FIG. 5C), and the insulating film 10e that is the second insulating film is applied with a slip material and dried (FIG. 5F).
Via the via-hole conductor. Selective exposure processing for forming the solubilized portion 30e '(see FIG. 5 (yo)) and development processing for forming the penetrating recess 30e (see FIG. 5 (ta)). The conductor 31e to be 3e is formed by filling the conductive paste and curing the paste (see FIG. 5 (re)), and the insulating film 10d as the first insulating film is applied with a slip material and dried (FIG. 5 (so)). Selective exposure process for forming the solubilized portion 20d '(see FIG. 5 (T)), the through recess 20d
And a conductor 21d to be the coil pattern 2d are formed by a conductive paste filling process and a curing process (see FIG. 5A). The insulating film 10c, which is an insulating film, is coated with a slip material, dried (see FIG. 5A), selectively exposed to form a solubilized portion 30c ′ (see FIG. 5M), and the penetrating recess 30c. Conductor 31 which is formed by a development process for forming a via hole (see FIG. 5C) and becomes the via-hole conductor 3c.
Insulating film 10b, which is the first insulating film, is formed by filling conductive paste with a conductive paste and hardening treatment (see FIG. 5 (ヰ)).
Of the slip material, drying (see FIG. 5C), and selective exposure treatment for forming the solubilized portion 20b ′ (see FIG. 5C).
(See (e)) and the coil pattern 2 formed by the developing process (see FIG. 5C) for forming the penetrating recess 20b.
The conductor 21b to be b is formed by filling the conductive paste and curing the paste (see FIG. 5A).

【0086】次は、図4に示す最上絶縁層1aとなる絶
縁膜10aを形成する工程である。
Next is a step of forming the insulating film 10a to be the uppermost insulating layer 1a shown in FIG.

【0087】絶縁膜10aは、絶縁膜10b及びコイル
パターン2bとなる導体21b上にスリップ材の塗布・
乾燥して形成される(図5(マ)参照)。この絶縁膜1
0aは、導体膜21bが外部衝撃から保護のために形成
されるものであるため、その厚みは、絶縁膜10iと同
様に例えば100μm程度あれば充分である。
The insulating film 10a is formed by applying a slip material onto the insulating film 10b and the conductor 21b to be the coil pattern 2b.
It is formed by drying (see FIG. 5 (m)). This insulating film 1
Since 0a is formed to protect the conductor film 21b from an external impact, it is sufficient that its thickness is, for example, about 100 μm, like the insulating film 10i.

【0088】また、絶縁膜10aは単なる単板状態であ
るため、特に選択的な露光処理や現像処理を行う必要は
ない。
Further, since the insulating film 10a is simply a single plate state, it is not necessary to perform selective exposure processing or development processing.

【0089】次は、図4に示す基体の分離工程である。
この分離により、未焼成状態の積層体本体が達成される
ことになる。尚、上述の工程を、複数個の部品が抽出で
きるように形成しておき、この時点で、個々の部品の形
状に応じて分割溝を形成してもよい。
Next is the step of separating the substrate shown in FIG.
By this separation, an unfired laminated body is achieved. The above process may be formed so that a plurality of parts can be extracted, and at this time, the dividing groove may be formed according to the shape of each part.

【0090】次は、図4に示す一体焼成の工程である。Next is the step of integral firing shown in FIG.

【0091】絶縁膜10a〜10i、コイルパターン2
b、2d、2f、2hとなる導体21b、21d、21
f、21h及びビアホール導体3c、3e、3gと導体
31c、31e、31gから成る上述の積層体本体を一
体焼成を行う。
Insulating films 10a to 10i, coil pattern 2
b, 2d, 2f, 2h conductors 21b, 21d, 21
The above-mentioned laminated body including f, 21h, via-hole conductors 3c, 3e, 3g and conductors 31c, 31e, 31g is integrally fired.

【0092】焼成は、脱バインダー過程と焼結過程から
なる。脱バインダー過程は、絶縁膜10a〜10i、コ
イルパターン2b、2d、2f、2hとなる導体21
b、21d、21f、21h及びビアホール導体3c、
3e、3gと導体31c、31e、31gに含まれる有
機成分を消失するためであり、例えば600℃以下であ
る。また、焼結過程は、絶縁膜10a〜10iのガラス
成分を充分に軟化させて、セラミック粉末の粒界に均一
に充填させ、積層体本体1の一定強度を達成させ、同時
に、導体21b、21d、21f、21h及び導体31
c、31e、31gの銀系粉末を粒成長させて、低抵抗
化させるとともに、絶縁層と一体化させるものであり、
酸化性雰囲気又は中性雰囲気でピーク温度850〜10
50℃で行う。
Firing consists of a binder removal process and a sintering process. In the debinding process, the conductors 21 that become the insulating films 10a to 10i and the coil patterns 2b, 2d, 2f, and 2h are formed.
b, 21d, 21f, 21h and the via-hole conductor 3c,
This is because organic components contained in 3e and 3g and the conductors 31c, 31e, and 31g disappear, and the temperature is, for example, 600 ° C. or lower. In the sintering process, the glass components of the insulating films 10a to 10i are sufficiently softened to uniformly fill the grain boundaries of the ceramic powder to achieve the constant strength of the laminated body 1, and at the same time, the conductors 21b and 21d. , 21f, 21h and conductor 31
c, 31e, and 31g of silver-based powder are grain-grown to lower the resistance and to be integrated with the insulating layer.
Peak temperature of 850 to 10 in oxidizing or neutral atmosphere
Perform at 50 ° C.

【0093】これにより、絶縁膜10a〜10iが絶縁
層1a〜1iとなり、導体21b、21d、21f、2
1hがコイルパターン2b、2d、2f、2hとなり、
導体31c、31e、31gがビアホール導体3c、3
e、3gとなり、積層体本体1が形成される。その後、
焼結された積層体本体1を、必要に応じて分割溝に沿っ
て分割を行い、個々の積層インダクタ部品の形状とす
る。
As a result, the insulating films 10a to 10i become the insulating layers 1a to 1i, and the conductors 21b, 21d, 21f and 2 are formed.
1h becomes coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h,
The conductors 31c, 31e, 31g are the via-hole conductors 3c, 3g.
e becomes 3 g, and the laminated body 1 is formed. afterwards,
The sintered laminated body 1 is divided along the dividing grooves as needed to form individual laminated inductor components.

【0094】次は、図4に示す端子電極の形成工程であ
る。
Next is the step of forming the terminal electrodes shown in FIG.

【0095】端子電極4、端子電極5は、焼成された積
層体本体1で、コイルパターン2bの他端、コイルパタ
ーン2hの一端が延出する端部に、銀系導電性ペースト
の焼きつけを行い、さらにその表面にメッキ層を被着し
て形成される。
The terminal electrodes 4 and 5 are the laminated body 1 that has been fired, and the silver-based conductive paste is baked on the other end of the coil pattern 2b and the end where one end of the coil pattern 2h extends. Further, a plating layer is further deposited on the surface thereof.

【0096】上述の積層インダクタ部品の製造方法にお
いて、絶縁膜10a〜10iが、スリップ材の塗布によ
って形成され、積層体本体1がその塗布の繰り返しによ
る重畳であるため、従来のグリーンシート多層のように
グリーンシートを予め形成する必要がなく、一連のイン
ライン製造工程で簡単に形成できる。
In the above-described method for manufacturing a laminated inductor component, since the insulating films 10a to 10i are formed by applying the slip material, and the laminated body 1 is overlapped by repeating the application, the conventional green sheet multi-layer structure is obtained. It is not necessary to previously form the green sheet, and the green sheet can be easily formed by a series of in-line manufacturing steps.

【0097】また、絶縁膜10a〜10iの厚みの制御
がブレードなどの高さによって精度よく制御できる。こ
のため、コイルパターン2b、2d、2f、2hの厚み
を規制する第1の絶縁膜10b、10d、10f、10
hの比較的厚くし、また、ビアホール導体3c、3e、
3gの厚み方向の長さを規制する第2の絶縁膜10c、
10e、10gの厚みをの比較的薄くすることができ、
目的に応じた(導体抵抗や露光、現像処理の条件などを
考慮した)絶縁膜10a〜10Iの厚みが容易に達成で
きる。
Further, the thickness of the insulating films 10a to 10i can be controlled accurately by the height of the blade or the like. Therefore, the first insulating films 10b, 10d, 10f, 10 that regulate the thickness of the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h.
h is relatively thick, and the via-hole conductors 3c, 3e,
A second insulating film 10c that regulates the length of 3g in the thickness direction,
The thickness of 10e and 10g can be made relatively thin,
It is possible to easily achieve the thickness of the insulating films 10a to 10I according to the purpose (considering the conductor resistance, the exposure condition, the developing condition, etc.).

【0098】また、重畳工程中において、最上層に位置
する絶縁膜が下層に位置する絶縁膜10b〜10iやコ
イルパターン2b、2d、2f、2hとなる導体21
b、21d、21f、21hやビアホール導体3c、3
e、3gとなる導体31c、31e、31gの構造や積
層状態に係わらず常に均一な表面とすることができるた
め、従来の印刷多層のように積層の増加により表面が歪
んだりすることが一切ないため、その絶縁膜上に処理が
確実に行えるとともに、積層数を任意に増加することが
できる。
Further, during the superimposing step, the conductor 21 is formed such that the uppermost insulating film becomes the lower insulating films 10b to 10i and the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h.
b, 21d, 21f, 21h and via-hole conductors 3c, 3
Since a uniform surface can always be obtained irrespective of the structure and laminated state of the conductors 31c, 31e, and 31g that are e and 3g, the surface is never distorted due to an increase in the number of layers as in the conventional printed multilayer. Therefore, the treatment can be surely performed on the insulating film, and the number of stacked layers can be arbitrarily increased.

【0099】特に、コイルパターン2b、2d、2f、
2hとなる導体21b、21d、21f、21hやビア
ホール導体3c、3e、3gとなる導体31c、31
e、31gが、位置ずれにより貫通凹部20b、20
d、20f、20h、30c、30e、30gから若干
外れて、絶縁膜10b〜10hに存在しても、それを吸
収して最上層に位置する絶縁膜の表面を均一面とするこ
とができる。
In particular, the coil patterns 2b, 2d, 2f,
The conductors 21b, 21d, 21f and 21h which are 2h and the conductors 31c and 31 which are the via hole conductors 3c, 3e and 3g.
e, 31g are penetrated recesses 20b, 20
Even if the insulating films 10b to 10h are slightly deviated from d, 20f, 20h, 30c, 30e, and 30g, they can be absorbed and the surface of the insulating film located in the uppermost layer can be made a uniform surface.

【0100】また、コイルパターン2b、2d、2f、
2hに関して、コイルパターン2b、2d、2f、2h
となる導体21b、21d、21f、21hは、第1の
絶縁膜である絶縁膜10b、10d、10f、10hの
厚み全体を貫通する所定形状の貫通凹部20b、20
d、20f、20hへの導電性ペーストの印刷・充填に
より形成される。
The coil patterns 2b, 2d, 2f,
2h, coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h
The conductors 21b, 21d, 21f, and 21h to be the through holes 20b and 20 having a predetermined shape penetrate the entire thickness of the insulating films 10b, 10d, 10f, and 10h that are the first insulating films.
It is formed by printing and filling conductive paste on d, 20f, and 20h.

【0101】従って、貫通凹部20b、20d、20
f、20hの形状によって、コイルパターン2b、2
d、2f、2hの形状が規制されるため、絶縁層1b、
1d、1f、1hの厚みと略同一の厚みを有する低導体
抵抗で、且つ所定形状のコイルパターン2b、2d、2
f、2hを簡単に形成することができる。
Therefore, the through recesses 20b, 20d, 20
Depending on the shapes of f and 20h, coil patterns 2b and 2
Since the shapes of d, 2f, and 2h are restricted, the insulating layer 1b,
The coil patterns 2b, 2d, 2 having a low conductor resistance and a predetermined shape and having a thickness substantially the same as the thicknesses of 1d, 1f, 1h.
f and 2h can be easily formed.

【0102】また、貫通凹部20b、20d、20f、
20hが選択的な露光処理と現像処理によって形成され
るため、位置精度の高い露光処理によって、所定形状の
貫通凹部20b、20d、20f、20hを形成するこ
とができる。また、現像処理が下層のビアホール導体3
c、3e、3gとなる導体31c、31e、31gの表
面が露出するまで行われるため、コイルパターン2b、
2d、2f、2hとビアホール導体3c、3e、3gと
の接続が確実に行うことができる。
Further, the through recesses 20b, 20d, 20f,
Since 20h is formed by the selective exposure process and the development process, the through recesses 20b, 20d, 20f, 20h having a predetermined shape can be formed by the exposure process with high positional accuracy. In addition, the development process is performed on the lower layer via-hole conductor 3
Since the process is performed until the surfaces of the conductors 31c, 31e, and 31g to be c, 3e, and 3g are exposed, the coil pattern 2b,
2d, 2f, 2h and the via-hole conductors 3c, 3e, 3g can be reliably connected.

【0103】さらに、所定形状の貫通凹部20b、20
d、20f、20hへの導電性ペーストの充填であるた
め、従来のスクリーン印刷で発生した印刷ダレが一切な
く、導電性ペーストが流出することなく、コイルパター
ン2b、2d、2f、2hの高密度化にも容易に対応で
きる。
Further, the through recesses 20b, 20 having a predetermined shape are formed.
Since the d, 20f, and 20h are filled with the conductive paste, there is no printing sag generated by the conventional screen printing, the conductive paste does not flow out, and the high density of the coil patterns 2b, 2d, 2f, and 2h. It can be easily adapted to.

【0104】また、ビアホール導体3c、3e、3gに
関しても、コイルパターン2b、2d、2f、2hと同
様に、貫通凹部30c、30e、30gの形状によっ
て、ビアホール導体3c、3e、3gの形状が規制され
るため、比較的大きな形状で、絶縁層1c、1e、1g
の厚みを比較的薄くすることにより、低導体抵抗で、且
つ所定形状のビアホール導体3c、3e、3gを簡単に
形成することができる。
Regarding the via-hole conductors 3c, 3e, 3g, the shapes of the via-hole conductors 3c, 3e, 3g are restricted by the shapes of the through recesses 30c, 30e, 30g, as in the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h. Therefore, the insulating layers 1c, 1e, 1g have a relatively large shape.
By making the thickness relatively small, the via-hole conductors 3c, 3e, 3g having a low conductor resistance and a predetermined shape can be easily formed.

【0105】また、選択的な露光処理と現像処理によっ
て貫通凹部30c、30e、30gが形成され、その貫
通凹部30c、30e、30内の導電性ペーストの充填
を行うことから、形状、位置の精度が高く、コイルパタ
ーン2b、2d、2f、2hとの接続信頼性が向上し、
導電性ペーストの流出がなく、高密度化にも容易に対応
できる。
Further, since the penetrating recesses 30c, 30e, 30g are formed by the selective exposure process and the developing process and the conductive paste is filled in the penetrating recesses 30c, 30e, 30, the accuracy of the shape and the position is improved. Is high, the connection reliability with the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h is improved,
There is no outflow of the conductive paste, and it is possible to easily handle high density.

【0106】このような、コイルパターン2b、2d、
2f、2hとビアホール導体3c、3e、3gとの組み
合わせにより、極めて導体抵抗が低く、インダクタンス
特性に優れた積層インダクタ部品となる。
Such coil patterns 2b, 2d,
The combination of 2f, 2h and the via-hole conductors 3c, 3e, 3g provides a laminated inductor component having extremely low conductor resistance and excellent inductance characteristics.

【0107】尚、上述の製造方法では、第1の絶縁膜を
スリップ材塗布により形成し、その後コイルパターン形
状に応じて選択的な露光処理し、現像処理して貫通凹部
を形成し、コイルパターンとなる導体膜を形成し、さら
にその表面に、第2の絶縁膜をスリップ材塗布により形
成し、その後ビアホール導体形状に応じて選択的な露光
処理し、現像処理して貫通凹部を形成し、ビアホール導
体となる導体を形成していたが、コイルパターン形状に
応じた貫通凹部の形成の工程とビアホール導体形状に応
じた貫通凹部の形成の工程とを、1対の第1の絶縁膜と
第2の絶縁膜で同時に形成しても構わない。勿論この時
にはビアホール導体用の貫通凹部は、コイルパターン用
の貫通凹部から露出することになるため、第2の絶縁膜
上に第1の絶縁膜を重畳した状態で行うものである。
In the above-described manufacturing method, the first insulating film is formed by applying a slip material, and thereafter, selective exposure processing is performed according to the coil pattern shape, and development processing is performed to form the penetrating recesses. Forming a conductor film, and then forming a second insulating film on the surface by applying a slip material, and then subjecting it to a selective exposure treatment according to the via-hole conductor shape and a development treatment to form a through recess, Although the conductor to be the via-hole conductor is formed, the step of forming the through-hole recess corresponding to the coil pattern shape and the step of forming the through-hole recess corresponding to the via-hole conductor shape are combined with a pair of the first insulating film and the first insulating film. Two insulating films may be formed at the same time. Of course, at this time, the through-hole concave portion for the via-hole conductor is exposed from the through-hole concave portion for the coil pattern, so that the first insulating film is superposed on the second insulating film.

【0108】同様に、コイルパターン形状に応じた貫通
凹部に導電性ペーストを充填する工程とビアホール導体
形状に応じた貫通凹部に導電性ペーストを充填する工程
とを同時の工程で形成しても構わない。
Similarly, the step of filling the through-hole recess corresponding to the shape of the coil pattern with the conductive paste and the step of filling the through-hole recess depending on the shape of the via-hole conductor with the conductive paste may be formed simultaneously. Absent.

【0109】この製造方法の概略は、第2の絶縁膜をス
リップ材塗布により形成し、その後ビアホール導体形状
に応じて選択的な露光処理する。続いて、第1の絶縁膜
をスリップ材塗布により形成し、その後コイルパターン
形状に応じて選択的に露光処理する。その後、上層に第
1の絶縁膜、下層に第2の絶縁膜となった両絶縁膜に対
して一括的に現像処理して、第1の絶縁膜からコイルパ
ターン形状に応じた貫通凹部を形成し、コイルパターン
用の貫通凹部から第2の絶縁膜からビアホール導体形状
に応じた貫通凹部を形成する。続いて、この貫通凹部に
コイルパターンとなる導体膜及びビアホール導体となる
導体を導電性ペーストを充填する。
The outline of this manufacturing method is that the second insulating film is formed by applying a slip material, and thereafter, selective exposure processing is performed according to the shape of the via-hole conductor. Subsequently, a first insulating film is formed by applying a slip material, and then an exposure process is selectively performed according to the coil pattern shape. Then, the first insulating film is formed on the upper layer and both insulating films are formed on the lower layer as the second insulating film, and a development process is collectively performed to form a penetrating recess corresponding to the coil pattern shape from the first insulating film. Then, a through recess corresponding to the via hole conductor shape is formed from the second insulating film from the through recess for the coil pattern. Then, a conductive film serving as a coil pattern and a conductor serving as a via-hole conductor are filled in the penetrating recess with a conductive paste.

【0110】また、貫通凹部は別々の工程で形成し、コ
イルパターンとなる導体膜及びビアホール導体となる導
体を同一工程で形成しても構わない。
The through recesses may be formed in separate steps, and the conductor film to be the coil pattern and the conductor to be the via hole conductor may be formed in the same step.

【0111】この製造方法の概略は、第2の絶縁膜をス
リップ材塗布により形成し、その後ビアホール導体形状
に応じて選択的な露光処理し、現像処理によりビアホー
ル導体用の貫通凹部を形成する。続いて、第1の絶縁膜
をスリップ材塗布により形成し、その後コイルパターン
形状に応じて選択的な露光処理し、現像処理によりコイ
ルパターン用の貫通凹部を形成する。このとき、コイル
パターン用の貫通凹部内にビアホール導体用貫通凹部が
存在することになり、コイルパターン用の貫通凹部の形
成時に、ビアホール導体用貫通凹部に入り込んだ第1の
絶縁膜をも除去することができる。続いて、この貫通凹
部にコイルパターンとなる導体膜及びビアホール導体と
なる導体を導電性ペーストを充填する。
The outline of this manufacturing method is that the second insulating film is formed by applying a slip material, and then a selective exposure process is performed according to the shape of the via-hole conductor, and a through recess for the via-hole conductor is formed by a developing process. Subsequently, a first insulating film is formed by applying a slip material, and then, a selective exposure process is performed according to the coil pattern shape, and a through recess for the coil pattern is formed by a developing process. At this time, the via-hole conductor through-recess is present in the coil-pattern through-recess, and the first insulating film that has entered the via-hole conductor through-recess is also removed when the coil pattern through-recess is formed. be able to. Then, a conductive film serving as a coil pattern and a conductor serving as a via-hole conductor are filled in the penetrating recess with a conductive paste.

【0112】このような製造方法では、貫通凹部の形成
工程や導電性ペーストの充填工程が集約できるため、製
造方法の簡略化が達成できる。
In such a manufacturing method, since the step of forming the through recess and the step of filling the conductive paste can be integrated, the manufacturing method can be simplified.

【0113】また、図4、図5の製造方法では、コイル
パターンとなる導体膜、ビアホール導体となる導体とな
る導電性ペーストに光硬化可能なモノマーを含有する導
電性ペーストを用い、夫々の貫通凹部に充填した後、そ
の導体膜及び導体の全体を露光処理により光硬化させて
いる。これは、その上部に形成される絶縁膜に貫通凹部
を形成するために現像処理した時、導体膜及び導体が浸
食されない組成を有する導電性ペーストを用いれば、こ
の導電性ペーストの充填後の光硬化処理が不要となる。
Further, in the manufacturing method shown in FIGS. 4 and 5, a conductive film which becomes a conductor film which becomes a coil pattern and a conductor which becomes a via hole conductor is made of a conductive paste containing a photo-curable monomer, and each of them is penetrated. After filling the concave portion, the entire conductor film and conductor are photo-cured by an exposure process. This is because if a conductive paste having a composition that does not corrode the conductive film and the conductor when developing is performed to form a through recess in the insulating film formed on the upper part of the conductive film, the No curing process is required.

【0114】尚、上述の実施例で、最も基本的な積層イ
ンダクタ部品で説明したが、積層体本体の厚み方向へ貫
通穴を形成し、コイルパターン2b、2d、2f、2h
の中央部分にE型フェライトコア部材を挿入してもよ
い。
Although the most basic laminated inductor component has been described in the above embodiment, through holes are formed in the thickness direction of the laminated body to form the coil patterns 2b, 2d, 2f, 2h.
You may insert an E-type ferrite core member in the center part of.

【0115】また、端子電極4、5を積層体本体1の端
部に形成されているが、積層体本体の表面又は裏面に形
成しても構わない。この場合には、一連に接続されたコ
イルパターンの両端から積層体本体1の主面にビアホー
ル導体を延出させることによって達成される。
Further, although the terminal electrodes 4 and 5 are formed at the end portions of the laminated body 1, the terminal electrodes 4 and 5 may be formed on the front surface or the back surface of the laminated body. In this case, this is achieved by extending via-hole conductors from both ends of the coil patterns connected in series to the main surface of the laminate body 1.

【0116】さらに、積層体本体1には、複数のコイル
パターン2を形成しても構わないし、また、この複数の
コイルパターン2どうしを容量結合させて、L−Cのフ
ィルタ回路、共振回路、トランスを構成しても構わな
い。
Further, a plurality of coil patterns 2 may be formed on the laminate body 1, and the plurality of coil patterns 2 may be capacitively coupled to each other to form an LC filter circuit, a resonance circuit, A transformer may be configured.

【0117】さらに、積層体本体の一部に、コイルパタ
ーン2と接続する内部配線を内装したり、さらに表面に
コイルパターン2と接続する表面配線を形成したりして
も構わない。
Further, internal wirings connected to the coil pattern 2 may be provided in a part of the laminated body main body, or surface wirings connected to the coil pattern 2 may be formed on the surface.

【0118】また、上述の実施例において、スリップ材
のセラミック成分ととしては、Fe2 3 などのフェラ
イト磁性体粉末を所定量添加して、透磁率を所定値に制
御することもできる。
Further, in the above-mentioned embodiment, as the ceramic component of the slip material, a predetermined amount of ferrite magnetic powder such as Fe 2 O 3 may be added to control the magnetic permeability to a predetermined value.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上のように、第1の発明によれば、コ
イルパターンが第1の絶縁層の厚みと同一の厚みとする
ことができるため、導体抵抗を極め小さくできる積層イ
ンダクタ部品が簡単に形成できる。
As described above, according to the first invention, since the coil pattern can have the same thickness as the thickness of the first insulating layer, the laminated inductor component which can minimize the conductor resistance is simple. Can be formed into

【0120】また、第2の発明では、導体抵抗が小さい
コルパターン及びコイルパターン間を接続するビアホー
ル導体が簡単に形成することができる。しかもビアホー
ル導体、コイルパターンが選択的な露光処理と現像処理
によって形成された貫通凹部の形状が決まるため、形状
の精度を高めることが簡単であり、また、貫通凹部への
導電性ペーストの充填が簡単に行うことができる。
Further, in the second invention, the via-hole conductor for connecting the cor pattern and the coil pattern, which has a low conductor resistance, can be easily formed. Moreover, since the shape of the through-hole recess formed by the via-hole conductor and the coil pattern being selectively exposed and developed determines the shape accuracy, it is also easy to fill the through-hole recess with the conductive paste. Easy to do.

【0121】さらに、積層数の増加やコイルパターンの
形状に係わらず、常に絶縁膜の表面が均一となり、ビア
ホール導体の形成、コイルパターンの形成が容易とな
る。
Further, regardless of the increase in the number of laminated layers and the shape of the coil pattern, the surface of the insulating film is always uniform, and the via hole conductor and the coil pattern can be easily formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る積層インダクタ部品の外観斜視図
である。
FIG. 1 is an external perspective view of a laminated inductor component according to the present invention.

【図2】図1中のX−X線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX in FIG.

【図3】(a)は図1中のY−Y線断面図であり、
(b)は図1中のZ−Z線断面図である。
3 (a) is a sectional view taken along the line YY in FIG.
(B) is the ZZ sectional view taken on the line in FIG.

【図4】本発明の積層インダクタ部品の製造工程を説明
するための流れ図である。
FIG. 4 is a flow chart for explaining a manufacturing process of the laminated inductor component of the present invention.

【図5】(イ)〜(マ)は、製造における主要工程の平
面図である。
5A to 5C are plan views of main steps in manufacturing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1i・・・・・・・絶縁層 1b、1d、1f、1h・・第1の絶縁層 1c、1e、1g・・・・・第2の絶縁層 10a〜10i・・・絶縁膜 10b、10d、10f、10h・・第1の絶縁膜 10c、10e、10g・・・・・第2の絶縁膜 2b、2d、2f、2h・・・・・・コイルパターン 21b、21d、21f、21h・・・・・・コイルパ
ターンとなる導体 3c、3e、3g・・・・・・・・・ビアホール導体 31c、31e、31g・・・・・・ビアホール導体と
なる導体 20b、20d、20f、20h30c、30e、30
g・・・・・貫通凹部 4、5・・・・・端子電極
1a to 1i ... Insulating layer 1b, 1d, 1f, 1h ... First insulating layer 1c, 1e, 1g ... Second insulating layer 10a to 10i ... Insulating film 10b First insulating film 10c, 10e, 10g ... Second insulating film 2b, 2d, 2f, 2h ... Coil pattern 21b, 21d, 21f, 21h .... Coil pattern conductors 3c, 3e, 3g ..... Via hole conductors 31c, 31e, 31g ..... Via hole conductors 20b, 20d, 20f, 20h30c , 30e, 30
g ... Penetration recess 4, 5 ... Terminal electrode

フロントページの続き (72)発明者 坂ノ上 聡浩 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 古橋 和雅 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 末永 弘 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内Front page continuation (72) Inventor Sakahiro Satoshi Hiroshi 1-1 Yamashita-cho, Kokubun-shi, Kagoshima Kyocera stock company Kagoshima Kokubun factory (72) Inventor Kazuma Kobashi 1-1 Yamashita-cho, Kokubun-shi Kagoshima Kyocera stock-type Company Kagoshima Kokubun Plant (72) Inventor Hiroshi Suenaga 1-1 Yamashita-cho, Kokubun City, Kagoshima Prefecture Kyocera Stock Company Kagoshima Kokubun Plant

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コイルパターン形状の貫通孔が形成さ
れ、該貫通孔にコイルパターン導体が充填された第1の
セラミック絶縁膜と、ビアホールを有し、該ビアホール
内にビアホール導体が充填された第2のセラミック絶縁
膜とを重畳積層させたものを含む積層体を焼成処理する
ことを特徴とする積層インダクタ部品の製造方法。
1. A first ceramic insulating film having a coil pattern-shaped through hole formed therein, the through hole being filled with a coil pattern conductor, and a via hole, wherein the via hole is filled with a via hole conductor. A method of manufacturing a laminated inductor component, comprising: firing a laminated body including a laminated body of the ceramic insulating film of No. 2 and a laminated body.
【請求項2】 請求項1記載の積層インダクタ部品の製
造方法であって、 前記コイルパターン導体を充填させた第1のセラミック
絶縁膜が (1)光硬化可能なモノマーを含有するガラス・セラミ
ックのスリップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工
程 (2)前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
して、前記絶縁膜にコイルパターン形状の貫通孔を形成
する工程 (3)前記貫通孔内にコイルパターン導体を充填する工
程より成り、且つ前記ビアホール導体を充填させた第2
のセラミック絶縁膜が (4)光硬化可能なモノマーを含有するガラス・セラミ
ックのスリップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工
程 (5)前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
して、前記絶縁膜にビアホールを形成する工程 (6)前記ビアホール内にビアホール導体を充填する工
程により成ることを特徴とする積層インダクタ部品の製
造方法。
2. The method for manufacturing a laminated inductor component according to claim 1, wherein the first ceramic insulating film filled with the coil pattern conductor is (1) a glass-ceramic containing a photocurable monomer. Step of applying and drying a slip material to form an insulating film (2) Step of selectively exposing and developing the insulating film to form a through hole having a coil pattern shape in the insulating film (3) A second step of filling the through hole with a coil pattern conductor and filling the via hole conductor;
(4) A step of applying and drying a glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer to form an insulating film (5) a selective exposure treatment and a development treatment for the insulating film And (6) a step of filling a via hole in the insulating film to fill the via hole with a via hole conductor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012227409A (en) * 2011-04-21 2012-11-15 Toko Inc Electronic component
JP2020194976A (en) * 2020-08-25 2020-12-03 株式会社村田製作所 Inductor component
US11869708B2 (en) 2017-09-20 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing an inductor component

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