JPH0712942U - Semiconductor pressure transducer - Google Patents
Semiconductor pressure transducerInfo
- Publication number
- JPH0712942U JPH0712942U JP4487693U JP4487693U JPH0712942U JP H0712942 U JPH0712942 U JP H0712942U JP 4487693 U JP4487693 U JP 4487693U JP 4487693 U JP4487693 U JP 4487693U JP H0712942 U JPH0712942 U JP H0712942U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- diaphragm
- differential pressure
- semiconductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤフラム部以外の変形や温度変化による
影響を軽減防止し、高精度な測定を行い得るようにす
る。
【構成】 基板１に環状のダイヤフラム部２を設け、さ
らにその外側に環状の薄肉部２１を形成する。基板１の
裏面外周部を台座４に接合し、薄肉部２１より内側部分
を台座４から浮かせる。
(57) [Summary] [Purpose] To prevent the effects of deformation and temperature changes other than the diaphragm part, and to enable highly accurate measurement. [Structure] An annular diaphragm portion 2 is provided on a substrate 1, and an annular thin portion 21 is formed outside thereof. The outer periphery of the back surface of the substrate 1 is joined to the pedestal 4, and the portion inside the thin portion 21 is floated from the pedestal 4.
Description
【０００１】[0001]
本考案は差圧あるいは圧力を検出する半導体圧力変換器に関する。 The present invention relates to a semiconductor pressure converter for detecting a differential pressure or pressure.
【０００２】[0002]
従来、この種の半導体圧力変換器としてはＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラ ムを利用したものが知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力変換器は 、半導体結晶からなる基板（以下半導体基板という）の表面に不純物の拡散もし くはイオン打ち込み技術によりピエゾ抵抗領域として作用するゲージを形成する と共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成し、裏面の一部をエッチングによって 除去することにより厚さ２０μｍ〜５０μｍ程度の薄肉部、すなわちダイヤフラ ム部を形成して構成したもので、ダイヤフラム部の表裏面に測定圧力をそれぞれ 加えると、ダイヤフラム部の変形に伴いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗 変化に伴う出力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するものである。 Conventionally, as this type of semiconductor pressure converter, one using a Si (silicon) semiconductor diaphragm is known. This Si diaphragm type semiconductor pressure converter forms a gauge acting as a piezoresistive region on the surface of a substrate made of a semiconductor crystal (hereinafter referred to as a semiconductor substrate) by an impurity diffusion or ion implantation technique, and also vapor deposition of Al, etc. Is used to form leads, and a portion of the back surface is removed by etching to form a thin portion with a thickness of 20 μm to 50 μm, that is, a diaphragm portion. The measurement pressure is applied to the front and back surfaces of the diaphragm portion, respectively. When added, the specific resistance of the gauge changes with the deformation of the diaphragm, and the output voltage due to the resistance change at this time is detected and the differential pressure or pressure is measured.
【０００３】 図４および図５はこのような半導体圧力変換器の従来例を示す平面図および断 面図で、半導体基板１は（１００）面のｎ型単結晶Ｓｉからなり、エッチングに よりその裏面中央部を環状に除去されることにより差圧または圧力に感応する薄 肉円環状の感圧ダイヤフラム部２を備え、またこのダイヤフラム部２の表面側に はピエゾ領域として作用し差圧または圧力を検出する差圧検出用ゲージ３（３Ａ ，３Ｂ）が設けられ、台座４上に静電接合されている。台座４は、半導体基板１ と熱膨張係数が近似したパイレックスガラス、セラミックス等によって形成され 、前記半導体基板１の裏面に形成された凹陥部５を介してダイヤフラム部２の裏 面側に測定すべき圧力Ｐ1 ，Ｐ2 のうちの一方（Ｐ2 ）を導く貫通孔６が形成さ れている。FIG. 4 and FIG. 5 are a plan view and a sectional view showing a conventional example of such a semiconductor pressure transducer. The semiconductor substrate 1 is made of n-type single crystal Si of (100) plane, and is formed by etching. It is equipped with a thin ring-shaped pressure sensitive diaphragm part 2 that responds to the pressure difference or pressure by removing the central part of the back surface in an annular shape. Also, the surface side of this diaphragm part 2 acts as a piezo region and acts as a differential pressure or pressure. A differential pressure detection gauge 3 (3A, 3B) for detecting the pressure difference is provided and electrostatically joined to the pedestal 4. The pedestal 4 is made of Pyrex glass, ceramics or the like having a thermal expansion coefficient similar to that of the semiconductor substrate 1, and should be measured on the back surface side of the diaphragm portion 2 via the recessed portion 5 formed on the back surface of the semiconductor substrate 1. A through hole 6 for guiding one of the pressures P1 and P2 (P2) is formed.
【０００４】 前記差圧検出用ゲージ３は、前記感圧ダイヤフラム部２の表面で径方向中央に 拡散またはイオン打ち込み法によって４つ形成されており、ホイールストーンブ リッジに結線されることでダイヤフラム部２の表裏面に加えられた測定すべき圧 力Ｐ1 ，Ｐ2 の差圧信号を差動的に出力する。測定差圧または圧力はそれぞれ最 大１４０Ｋｇｆ／ｃｍ2 ，４２０Ｋｇｆ／ｃｍ2 程度である。 また、４つの差圧検出用ゲージ３のうち半径方向の２つの差圧検出用ゲージ３ Ａは、折り返しゲージを形成することで、低濃度（１０19 個／ｃｍ3 ）で所定 のシート抵抗を有し、結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係数が最大とな る＜１１０＞の結晶軸方向と平行な２つのゲージ部３ａ，３ａと、ゲージ部３ａ ，３ａの一端を互いに連結する連結部３ｂと、ゲージ部３ａ，３ａの他端にそれ ぞれ接続された２つのリードアウト部３ｃ，３ｃとからなり、連結部３ｂとリー ドアウト部３ｃ，３ｃがゲージ部３ａ，３ａに対するこれらの影響を除くため一 般に高濃度（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成し ている。一方、接線方向の２つの差圧検出用ゲージ３Ｂは、折り返しゲージを形 成せず、低濃度（１０19 個／ｃｍ3 ）で所定のシート抵抗を有し、結晶面方位 （１００）においてピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向と平行 な１つのゲージ部３ａと、ゲージ部３ａの端部にそれぞれ接続され高濃度（１０ 21 個／ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成する２つのリードア ウト部３ｃ，３ｃとで構成されている。Four differential pressure detection gauges 3 are formed on the surface of the pressure-sensitive diaphragm portion 2 at the center in the radial direction by a diffusion or ion implantation method, and are connected to a wheel stone bridge to form the diaphragm portion 2. The differential pressure signals of the pressures P1 and P2 to be measured applied to the front and back surfaces of are differentially output. Maximum measured differential pressure or pressure is 140 kgf / cm2 , 420 Kgf / cm2 It is a degree. Further, the two differential pressure detection gauges 3A in the radial direction of the four differential pressure detection gauges 3 form a folding gauge to reduce the concentration (10).19 Pieces / cm3 ) Has a predetermined sheet resistance, and the two gauge parts 3a, 3a parallel to the <110> crystal axis direction having the maximum piezoresistance coefficient in the crystal plane orientation (100) and the gauge parts 3a, 3a. It is composed of a connecting portion 3b that connects one end to each other and two lead-out portions 3c and 3c that are connected to the other ends of the gauge portions 3a and 3a, respectively. The connecting portion 3b and the lead-out portions 3c and 3c are the gauge portion. In order to eliminate these effects on 3a and 3a, high concentrations (10twenty one Pieces / cm3 ) Conductivity type (p+ (Type) semiconductor material region is formed. On the other hand, the two tangential direction differential pressure detection gauges 3B do not form a turnback gauge, and the low concentration (1019 Pieces / cm3 ) Has a predetermined sheet resistance and is connected to one gauge part 3a parallel to the crystal axis direction of <110> that has the maximum piezoresistive coefficient in the crystal plane orientation (100) and the end part of the gauge part 3a. High concentration (10 twenty one Pieces / cm3 ) Conductivity type (p+ (Type) two lead-out portions 3c, 3c forming a semiconductor material region.
【０００５】 差圧検出用ゲージ３のピエゾ抵抗係数はｐ型，ｎ型共に半導体基板１への不純 物のドーピング量が多くなるにつれて低下する。このため、差圧検出用ゲージ３ の比抵抗の変化率を大きくして、圧力に対する感度を上げ大きな出力電圧を得る には不純物濃度を低く設定する。また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型とｎ型で異なり 、ｐ型の方がより大きく、このためｎ型半導体上にｐ型抵抗層を設けるのが一般 的である。The piezoresistance coefficient of the differential pressure detecting gauge 3 decreases as the doping amount of impurities in the semiconductor substrate 1 increases for both p-type and n-type. Therefore, the impurity concentration is set low in order to increase the rate of change of the specific resistance of the differential pressure detection gauge 3 to increase the sensitivity to pressure and obtain a large output voltage. The p-type resistance coefficient differs between p-type and n-type, and the p-type is larger. Therefore, it is general to provide a p-type resistance layer on an n-type semiconductor.
【０００６】[0006]
上記した従来の半導体圧力変換器において、ダイヤフラム部２は差圧（Ｐ1 − Ｐ2 ）（圧力測定は片側の圧力が０）に比例して変形する。この時、ダイヤフラ ム部２にのみ圧力が加わるものであれば差圧（または圧力）を正確に測定するこ とができるが、実際には変換器全体に圧力Ｐ1 ，Ｐ2 が作用しているため、ダイ ヤフラム部２以外の部分もこの圧力差（Ｐ1 −Ｐ2 ）によって変形する。そして 、この変形は当然のことながら圧力差が大きいほど大きく、ダイヤフラム部２に 応力（変形）を生じさせる。つまり、ダイヤフラム部２は、その表裏面に直接働 く圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差圧によって変形すると同時に、ダイヤフラム部２以外の部 分の変形を受けて変形する。したがって、差圧（または圧力）を正確には測定す ることができないという問題があった。 また、このような問題は温度変化によっても同様なことが言える。すなわち、 温度変化によって変換器が伸縮すると、変換器全体に応力が生じ、この応力がダ イヤフラム部２に加わると出力がシフトし、測定誤差を生じる。 In the conventional semiconductor pressure converter described above, the diaphragm portion 2 is deformed in proportion to the differential pressure (P1 -P2) (pressure measured on one side is 0). At this time, the differential pressure (or pressure) can be accurately measured if pressure is applied only to the diaphragm part 2, but in reality, the pressures P1 and P2 act on the entire transducer. The parts other than the diaphragm part 2 are also deformed by this pressure difference (P1 -P2). This deformation naturally increases as the pressure difference increases, and causes stress (deformation) in the diaphragm portion 2. That is, the diaphragm portion 2 is deformed by the pressure difference between the pressures P1 and P2 that directly act on the front and back surfaces thereof, and at the same time, is deformed by the deformation of the portions other than the diaphragm portion 2. Therefore, there is a problem that the differential pressure (or pressure) cannot be accurately measured. Moreover, such a problem can be said to be the same even when the temperature changes. That is, when the transducer expands and contracts due to temperature change, stress is generated in the entire transducer, and when this stress is applied to the diaphragm portion 2, the output shifts and a measurement error occurs.
【０００７】 本考案は上記したような従来の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とす るところは、差圧または圧力によるダイヤフラム部以外の部分の変形や温度変化 による影響を軽減防止し、高精度な測定を行い得るようにした半導体圧力変換器 を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to prevent the influence of the deformation or the temperature change of the portion other than the diaphragm portion due to the differential pressure or the pressure. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor pressure transducer capable of performing highly accurate measurement.
【０００８】[0008]
上記目的を解決するため本考案に係る半導体圧力変換器は、半導体結晶からな る基板の一方の面に凹陥部を形成することにより薄肉部を形成し、前記基板の他 方の面の前記薄肉部上にピエゾ抵抗領域として作用するゲージを設け、前記基板 の一方の面の外周部を台座に固着した半導体圧力変換器において、前記基板の薄 肉部と周囲固着部との間に変形容易な環状の薄肉部を形成したものである。 In order to solve the above-mentioned object, a semiconductor pressure converter according to the present invention forms a thin portion by forming a concave portion on one surface of a substrate made of a semiconductor crystal, and the thin wall portion on the other surface of the substrate. In a semiconductor pressure transducer in which a gauge acting as a piezoresistive region is provided on the base portion and the outer peripheral portion of one surface of the substrate is fixed to a pedestal, it is easy to deform between the thin portion of the substrate and the peripheral fixing portion. An annular thin portion is formed.
【０００９】[0009]
本考案において、ダイヤフラム部を形成する薄肉部は差圧または圧力によって 変形する。この時、薄肉部の外側に形成された変形容易な環状の薄肉部も変形す る。また、周囲固着部も差圧もしくは圧力によって変形すると、環状薄肉部に応 力（変形）を生じさせる。しかし、この環状薄肉部の応力（変形）は厚肉部の存 在によって遮断されているため、薄肉部は環状薄肉部に生じる応力（変形）の影 響を受けることがなく、薄肉部に加えられる差圧または圧力によってのみ変形す る。 また、温度変化によって環状薄肉部および周囲固着部が変形した場合も、薄肉 部は同様に影響を受けることがない。 In the present invention, the thin portion forming the diaphragm portion is deformed by a differential pressure or pressure. At this time, the easily deformable annular thin portion formed on the outer side of the thin portion is also deformed. Further, when the peripheral fixing portion is also deformed by the differential pressure or the pressure, a reaction (deformation) is generated in the annular thin portion. However, since the stress (deformation) of this annular thin-walled portion is blocked by the presence of the thick-walled portion, the thin-walled portion is not affected by the stress (deformation) generated in the annular thin-walled portion, and is not added to the thin-walled portion. It is deformed only by the applied differential pressure or pressure. Further, even if the annular thin portion and the peripheral fixing portion are deformed by the temperature change, the thin portion is not affected in the same manner.
【００１０】[0010]
以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明する。 図１は本考案に係る半導体圧力変換器の一実施例を示す断面図である。なお、 図４および図５と同一構成部材のものに対しては同一符号をもって示し、その説 明を省略する。本実施例は半導体基板１の裏面外周寄りに凹陥部２０を形成する ことによりゲージ３が埋め込み形成されたダイヤフラム部（薄肉部）２の外側に 変形容易な環状の薄肉部２１を設けたものである。ダイヤフラム部２と環状薄肉 部２１とは、環状の厚肉部２２によって仕切られており、この厚肉部２２の裏面 ２２ａとダイヤフラム部２の内側に設けられている円板状の厚肉部２３の裏面２ ３ａは台座４の表面から離間している。 その他の構成は上記した従来の変換器と同様である。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a semiconductor pressure converter according to the present invention. The same components as those in FIGS. 4 and 5 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In this embodiment, an easily deformable annular thin portion 21 is provided outside the diaphragm portion (thin portion) 2 in which the gauge 3 is embedded by forming the recessed portion 20 near the outer periphery of the back surface of the semiconductor substrate 1. is there. The diaphragm portion 2 and the annular thin portion 21 are partitioned by an annular thick portion 22, and a back surface 22 a of the thick portion 22 and a disc-shaped thick portion 23 provided inside the diaphragm portion 23. The back surface 23a of the above is separated from the front surface of the pedestal 4. Other configurations are the same as those of the conventional converter described above.
【００１１】 図２は上記構成からなる半導体圧力変換器の差圧測定時における変形を示す図 である。差圧測定時にダイヤフラム部２の表裏面に測定すべき圧力Ｐ1 ，Ｐ2 （ 図においてはＰ1 ＞Ｐ2 の場合を示す）が印加されると、ダイヤフラム部２と環 状薄肉部２１はともに台座４側に変形する。また、圧力Ｐ1 ，Ｐ2 は変換器全体 に作用しているため、差圧が大きいと台座４の上面に固着されている周囲固着部 ２４も変形し、この変形によって環状薄肉部２１を変形させる。つまり、環状薄 肉部２１は、表裏面に加えられる圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差および周囲固着部２４の変 形に伴って変形する。しかし、このような環状薄肉部２１の変形は厚肉部２２に よって遮断されているため、ダイヤフラム部２には何等影響を及ぼすことがない 。また、厚肉部２２は温度変化による環状薄肉部２１の変形を遮断する。したが って、ダイヤフラム部２は、ダイヤフラム部２に加えられる差圧（または圧力） によってのみ変形し、正確な差圧（圧力）測定を可能にする。FIG. 2 is a diagram showing the deformation of the semiconductor pressure transducer having the above-described structure when measuring the differential pressure. When pressures P1 and P2 (P1> P2 are shown in the figure) to be measured are applied to the front and back surfaces of the diaphragm portion 2 when measuring the differential pressure, both the diaphragm portion 2 and the annular thin portion 21 are located on the pedestal 4 side. Transforms into. Further, since the pressures P1 and P2 act on the entire transducer, if the differential pressure is large, the peripheral fixing portion 24 fixed to the upper surface of the pedestal 4 is also deformed, and the annular thin portion 21 is deformed by this deformation. That is, the annular thin portion 21 is deformed due to the difference between the pressures P1 and P2 applied to the front and back surfaces and the deformation of the peripheral fixing portion 24. However, since the deformation of the annular thin portion 21 is blocked by the thick portion 22, the diaphragm portion 2 is not affected at all. Further, the thick portion 22 blocks deformation of the annular thin portion 21 due to temperature change. Therefore, the diaphragm portion 2 is deformed only by the differential pressure (or pressure) applied to the diaphragm portion 2, which enables accurate differential pressure (pressure) measurement.
【００１２】 図３は本考案の他の実施例を示す断面図である。この実施例は半導体基板１の 裏面中央部に設けた円形の凹陥部３０のため薄肉部を形成する部分を円板状の差 圧感圧用ダイヤフラム部２としたものである。その他の構成は上記実施例と同様 である。 このような構成においても上記実施例と同様に差圧または圧力によるダイヤフ ラム部以外の部分の変形や温度変化による影響を防止することができる。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, the circular concave portion 30 provided in the central portion of the back surface of the semiconductor substrate 1 forms a thin portion in a disk-shaped differential pressure sensitive diaphragm portion 2. Other configurations are the same as those in the above embodiment. Even in such a configuration, it is possible to prevent the influence of the deformation or temperature change of the portion other than the diaphragm portion due to the differential pressure or the pressure, as in the above embodiment.
【００１３】[0013]
以上説明したように本考案に係る半導体圧力変換器によれば、基板のダイヤフ ラムを形成する薄肉部の外側に厚肉部と環状薄肉部を形成したので、簡単な構成 にも拘らずダイヤフラム部を形成する薄肉部を、ダイヤフラム部自体に加えられ る差圧または圧力のみによって変形させることができて、差圧または圧力による ダイヤフラム部以外の部分の変形による影響を何等受けず、したがって、差圧ま たは圧力を高精度に測定することができ、変換器の測定精度を向上させることが できる。また、温度変化による影響をも軽減することができる。 As described above, according to the semiconductor pressure transducer of the present invention, the thick wall portion and the annular thin wall portion are formed outside the thin wall portion forming the diaphragm of the substrate. The thin-walled part that forms the can be deformed only by the differential pressure or pressure applied to the diaphragm part itself, and is not affected by the deformation of parts other than the diaphragm part due to the differential pressure or pressure. Alternatively, the pressure can be measured with high accuracy, and the measurement accuracy of the transducer can be improved. Further, it is possible to reduce the influence of temperature change.
【図１】本考案に係る半導体圧力変換器の一実施例を示
す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a semiconductor pressure converter according to the present invention.
【図２】半導体圧力変換器の差圧測定時における変形を
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a deformation of a semiconductor pressure transducer when measuring a differential pressure.
【図３】本考案の他の実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention.
【図４】半導体圧力変換器の従来例を示す平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view showing a conventional example of a semiconductor pressure converter.
【図５】同変換器の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the converter.
１ 半導体基板 ２ ダイヤフラム部（薄肉部） ３Ａ 半径方向の差圧検出用ゲージ ３Ｂ 接線方向の差圧検出用ゲージ ３ａ ゲージ部 ３ｂ 連結部 ３ｃ リードアウト部 ４ 台座 ５ 凹陥部 ２０ 凹陥部 ２１ 薄肉部 ２２ 厚肉部 ２３ 厚肉部 ２４ 周囲固着部 1 Semiconductor Substrate 2 Diaphragm Section (Thin Section) 3A Radial Differential Pressure Detection Gauge 3B Tangent Direction Differential Pressure Detection Gauge 3a Gauge Section 3b Connecting Section 3c Lead-out Section 4 Pedestal 5 Recessed Section 20 Recessed Section 21 Thin Section 22 Thick part 23 Thick part 24 Peripheral fixed part
Claims (1)
陥部を形成することにより薄肉部を形成し、前記基板の
他方の面の前記薄肉部上にピエゾ抵抗領域として作用す
るゲージを設け、前記基板の一方の面の外周部を台座に
固着した半導体圧力変換器において、 前記基板の薄肉部と周囲固着部との間に変形容易な環状
の薄肉部を形成したことを特徴とする半導体圧力変換
器。1. A thin portion is formed by forming a concave portion on one surface of a substrate made of a semiconductor crystal, and a gauge acting as a piezoresistive region is provided on the thin portion on the other surface of the substrate. In a semiconductor pressure transducer in which an outer peripheral portion of one surface of the substrate is fixed to a pedestal, an easily deformable annular thin portion is formed between the thin portion of the substrate and a peripheral fixing portion. converter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4487693U JPH0712942U (en) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Semiconductor pressure transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4487693U JPH0712942U (en) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Semiconductor pressure transducer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0712942U true JPH0712942U (en) | 1995-03-03 |
Family
ID=12703701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4487693U Pending JPH0712942U (en) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Semiconductor pressure transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712942U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002195905A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Minebea Co Ltd | Sanitary pressure transducer dealing with high temperature |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP4487693U patent/JPH0712942U/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002195905A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Minebea Co Ltd | Sanitary pressure transducer dealing with high temperature |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2544435B2 (en) | Multi-function sensor | |
| US7508040B2 (en) | Micro electrical mechanical systems pressure sensor | |
| US6006607A (en) | Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm | |
| JPH09232595A (en) | Pressure detection device | |
| JPH04130276A (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| EP0111640B1 (en) | Pressure sensor with semi-conductor diaphragm | |
| JP2895262B2 (en) | Composite sensor | |
| JPH0712942U (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JPH04178533A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP2694593B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP2573540Y2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| EP2250476A1 (en) | A low pressure transducer using beam and diaphragm | |
| JP2512220B2 (en) | Multi-function sensor | |
| JP3327088B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| JP2001124645A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH06102128A (en) | Semiconductor composite function sensor | |
| JPH10142086A (en) | Semiconductor pressure sensor, its manufacturing method, and differential pressure transmitter using the same | |
| JPH0875581A (en) | Semiconductor pressure converter | |
| JPH0712940U (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP2573539Y2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP2002116106A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH06300774A (en) | Acceleration sensor | |
| JPH0254137A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH0755619A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| RU2169912C1 (en) | Microelectron pressure transducer |