JPH0712525A - Thickness measuring instrument using confocal scanning system laser microscope - Google Patents

Thickness measuring instrument using confocal scanning system laser microscope

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JPH0712525A
JPH0712525A JP14963093A JP14963093A JPH0712525A JP H0712525 A JPH0712525 A JP H0712525A JP 14963093 A JP14963093 A JP 14963093A JP 14963093 A JP14963093 A JP 14963093A JP H0712525 A JPH0712525 A JP H0712525A
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thickness
confocal scanning
laser microscope
laser
beam splitter
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Yukihiro Iwasaki
幸弘 岩崎
Shigeru Tachikawa
茂 立川
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Abstract

PURPOSE:To provide a thickness measuring instrument which can measure the thickness data between two surfaces with a greatly different reflection factor without reducing the reproduction accuracy of data. CONSTITUTION:A 1/4 wavelength plate 53 is installed so that it can be loading into and out of the light path of reflection light from a beam splitter 50 for body in addition to a confocal scanning type laser microscope body 70 and then a beam splitter 54 for separation is installed at a later stage. Two laser beams 2c and 2d separated by the 1/4 wavelength plate 53 and the beam splitter 54 for separation are applied to a first photomultiplier 55 and a second photomultiplier 56, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、共焦点走査方式レーザ
顕微鏡を用いて対象物、たとえば半導体製造工程に用い
られる薄膜等の厚さを測定する厚さ計測装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thickness measuring device for measuring the thickness of an object, for example, a thin film used in a semiconductor manufacturing process, using a confocal scanning laser microscope.

【0002】[0002]

【従来の技術】共焦点走査方式レーザ顕微鏡は、従来よ
り主として半導体集積回路の製造に際してウェハーやマ
スク上に形成されたパターンの幅等の寸法を計測するの
に利用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a confocal scanning type laser microscope has been used mainly for measuring dimensions such as a width of a pattern formed on a wafer or a mask when manufacturing a semiconductor integrated circuit.

【0003】共焦点走査方式レーザ顕微鏡の原理図を図
6に示す。レーザ発振器1から出射されたレーザ光2a
はミラー3で反射され、レンズ4で絞ってピンホール5
に通される。ピンホール5を通過したレーザ光2aは、
ビームスプリッタ6を透過して対物レンズ7で収束され
て、試料(ウェハーやマスクあるいはレチクル)8に照
射される。試料8の表面で反射された反射光2bは、前
記ビームスプリッタ6で反射されて、ピンホール9を通
過して光電子増倍管10で受光および増幅される。
FIG. 6 shows the principle of a confocal scanning laser microscope. Laser light 2a emitted from the laser oscillator 1
Is reflected by the mirror 3 and squeezed by the lens 4 to pinhole 5
Passed through. The laser light 2a that has passed through the pinhole 5 is
The light passes through the beam splitter 6, is converged by the objective lens 7, and is irradiated onto the sample (wafer, mask, or reticle) 8. The reflected light 2b reflected on the surface of the sample 8 is reflected by the beam splitter 6, passes through the pinhole 9, and is received and amplified by the photomultiplier tube 10.

【0004】このようなレーザ顕微鏡で寸法測定を行な
う時は、レーザ光2aの焦点Fの位置を図6(a)のよ
うにパターン11の下(またはパターン11の上)の位
置に合わせて固定する。そして、スキャンコントローラ
12により試料8を高周波でX軸方向にスキャンさせな
がら、図示しないXYステージでY軸方向にゆっくりと
移動させる。このとき、図6(a)のようにビームスポ
ットがパターン11の下を通過している時は反射光2b
はすべてピンホール9を通過するので、光電子増倍管1
0の出力は高くなる。これに対し、図6(b)のように
ビームスポットがパターン11の上を通過している時
は、反射光2bはピンホール9の位置でフォーカスせ
ず、その大部分がそのピンホール9により遮られるので
光電子増倍管10の出力は小さくなる。したがって、ス
キャンコントローラ12によるスキャンに同期して光電
子増倍管10の出力に応じた輝度をテレビモニタ13上
に順次描いていくことにより、パターンの拡大画像14
がテレビモニタ13に映し出され、その拡大画像14に
基づいてパターン11の線幅の自動計測等を高精度で行
なうことが可能となる。
When performing dimension measurement with such a laser microscope, the position of the focal point F of the laser beam 2a is fixed to the position below (or above) the pattern 11 as shown in FIG. 6 (a). To do. Then, while the sample 8 is scanned in the X-axis direction at a high frequency by the scan controller 12, the sample 8 is slowly moved in the Y-axis direction by an XY stage (not shown). At this time, when the beam spot is passing under the pattern 11 as shown in FIG.
All pass through the pinhole 9, so the photomultiplier tube 1
The output of 0 becomes high. On the other hand, when the beam spot is passing over the pattern 11 as shown in FIG. 6B, the reflected light 2b is not focused at the position of the pinhole 9 and most of it is due to the pinhole 9. Since it is blocked, the output of the photomultiplier tube 10 becomes small. Therefore, by enlarging the brightness according to the output of the photomultiplier tube 10 on the television monitor 13 in synchronization with the scan by the scan controller 12, the enlarged image 14 of the pattern is obtained.
Is displayed on the television monitor 13, and the line width of the pattern 11 can be automatically measured based on the enlarged image 14 with high accuracy.

【0005】以上の原理を用いた共焦点走査方式レーザ
顕微鏡の具体例を図7を参照して説明する。図7は、米
国Siscan−Systems社の製品である共焦点
走査方式レーザ顕微鏡(商品名Siscan−IIA)の
装置構成図であって、これは、信号ケーブル15で相互
に接続された光学モジュール16とワークステーション
17により構成されている。
A specific example of a confocal scanning type laser microscope using the above principle will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a device configuration diagram of a confocal scanning type laser microscope (trade name Siscan-IIA), which is a product of Siscan-Systems in the United States, and includes an optical module 16 interconnected with a signal cable 15. It is composed of a workstation 17.

【0006】光学モジュール16は、エアサスペンショ
ン18で支持された基台19上にXYステージ20が取
り付けられ、さらにその上部にスキャナー21が設置さ
れている。試料はスキャナー21上に真空吸着によりチ
ャックされて保持されるようになっている。スキャナー
21の上方にはフォーカス装置22が配置され、レーザ
ーヘッド23から出射されるレーザ光を対物レンズ7で
収束してスキャナー21上の試料に照射する。そして、
レーザーヘッド23内には前記図6に示した光学系が収
容されている。また、レーザヘッド23に隣接して、試
料のレーザ照射位置付近の画像を撮影するためのズーム
レンズ付テレビカメラ24が下方に向けて配設されてい
る。さらに、基台19の下方には、電気回路シャーシ2
5、試料をチャックするための真空機器等の各種インジ
ケータ26、レーザ用電源27や、試料をハンドリング
してスキャナー21上にセットするとともに、そこから
取り外すためのロボットの制御装置等が設けられてい
る。
In the optical module 16, an XY stage 20 is mounted on a base 19 supported by an air suspension 18, and a scanner 21 is installed on the XY stage 20. The sample is chucked and held on the scanner 21 by vacuum suction. A focus device 22 is arranged above the scanner 21, and the laser light emitted from the laser head 23 is converged by the objective lens 7 to irradiate the sample on the scanner 21. And
The laser head 23 accommodates the optical system shown in FIG. Further, a TV camera with a zoom lens 24 for taking an image of the vicinity of the laser irradiation position of the sample is provided adjacent to the laser head 23 so as to face downward. Further, below the base 19, the electric circuit chassis 2
5. Various indicators 26 such as a vacuum device for chucking the sample, a laser power source 27, a robot controller for handling the sample and setting it on the scanner 21 and removing it from the scanner 21 are provided. .

【0007】一方、ワークステーション17には、操作
盤(キーボード)28、テレビモニタ13、プリンタ2
9、CPUを含む制御装置30が備えられ、前記光学モ
ジュール16を全てこのワークステーション17から操
作できるようになっているとともに、テレビモニタ13
には、レーザ光による観測画像とテレビカメラ24によ
る撮影画像、および操作に必要なメニューなどが表示さ
れるようになっている。
On the other hand, the workstation 17 includes an operation panel (keyboard) 28, a television monitor 13, and a printer 2.
9. A control device 30 including a CPU is provided so that all the optical modules 16 can be operated from this workstation 17, and a television monitor 13 is also provided.
On the screen, an observation image by laser light, an image taken by the television camera 24, a menu necessary for operation, and the like are displayed.

【0008】つぎに、図7の共焦点走査方式レーザ顕微
鏡のシステム構成を図8に示す。試料8は、ウェハー・
ハンドリング・ロボット31によりスキャナー21上に
搬送されてチャックされている。レーザ発振器1からの
レーザ光2aは前記光学モジュール16を介して対物レ
ンズ7から出射され、試料8に照射される。そして、そ
の反射光2bは光電子増倍管10で受光される。
Next, FIG. 8 shows a system configuration of the confocal scanning type laser microscope of FIG. Sample 8 is a wafer
The handling robot 31 conveys it onto the scanner 21 and chucks it. The laser beam 2a from the laser oscillator 1 is emitted from the objective lens 7 through the optical module 16 and is applied to the sample 8. Then, the reflected light 2b is received by the photomultiplier tube 10.

【0009】ワークステーション17のコンピュータ・
システム30はバス32を介して各部を制御する。すな
わち、ウェハーハンドラー制御部33はウェハー・ハン
ドリング・ロボット31を駆動して、試料8の搬出、搬
入を行なう。また、XYステージモータ制御部34は、
XYステージ20を駆動して、試料8の所望の被検査箇
所をレーザ光2aのスキャン範囲として位置決めを行な
う。また、Z軸フォーカス制御部35は、対物レンズ7
を上下方向に動かすことにより、試料8上のパターンの
下または上に焦点を合わせる。そして、焦点があったら
対物レンズ7の高さをそこに固定する。
Computer of workstation 17
The system 30 controls each unit via a bus 32. That is, the wafer handler control unit 33 drives the wafer handling robot 31 to carry out and carry in the sample 8. In addition, the XY stage motor control unit 34
The XY stage 20 is driven to position the desired inspected portion of the sample 8 as the scan range of the laser beam 2a. In addition, the Z-axis focus control unit 35 controls the objective lens 7
Is moved up and down to focus on the bottom or top of the pattern on the sample 8. Then, if there is a focus, the height of the objective lens 7 is fixed there.

【0010】スキャン制御および同期回路36は、スキ
ャン制御としてスキャン用波形の読み出しや同期制御を
行なうものである。ライン・スキャン波形メモリ37
は、サイン波等のスキャン用波形を記憶しており、スキ
ャン制御および同期回路36からの指令により、記憶し
ているスキャン波形を高速(たとえば2kHz)で読み
出す。読み出されたスキャン波形は、D/Aコンバータ
38でアナログ波形に変換され、アンプ39aを介して
スキャナー21のアクチュエータ(ボイス・コイル・モ
ータ、圧電素子等)をX軸方向に駆動し、レーザ光2a
照射位置をスキャニングする。スキャニング速度は速度
フィードバックにより規定速度に保持されている。
The scan control / synchronization circuit 36 performs scanning waveform read and synchronization control as scan control. Line scan waveform memory 37
Stores a scan waveform such as a sine wave, and reads the stored scan waveform at high speed (for example, 2 kHz) according to a command from the scan control and synchronization circuit 36. The read scan waveform is converted into an analog waveform by the D / A converter 38, and the actuator (voice coil motor, piezoelectric element, etc.) of the scanner 21 is driven in the X-axis direction via the amplifier 39a, and laser light is emitted. 2a
Scan the irradiation position. The scanning speed is maintained at the specified speed by speed feedback.

【0011】前記光電子増倍管10の出力は、アンプ3
9bを介してA/Dコンバータ40でディジタル信号に
変換される。ピクセルタイミングおよび同期回路41
は、各走査で連続して得られる光電子増倍管10の検出
情報とX軸上の位置との対応関係を取るものであって、
A/Dコンバータ40から順次出力されるデータに対
し、1走査ライン上のアドレスを与えてライン・スキャ
ン・ピクセル・メモリ42に取り込む。なお、ライン・
スキャン歪みメモリ43は、スキャン用波形と実際のス
キャナー21の動きのずれ等を補正して、正確なパター
ンがライン・スキャン・ピクセル・メモリ42に取り込
まれるようにするものである。
The output of the photomultiplier tube 10 is the amplifier 3
It is converted into a digital signal by the A / D converter 40 via 9b. Pixel timing and synchronization circuit 41
Represents a correspondence relationship between the detection information of the photomultiplier tube 10 obtained continuously in each scan and the position on the X axis.
An address on one scanning line is given to the data sequentially output from the A / D converter 40, and the data is taken into the line scan pixel memory 42. In addition, line
The scan distortion memory 43 corrects the deviation between the scanning waveform and the actual movement of the scanner 21 so that an accurate pattern is captured in the line scan pixel memory 42.

【0012】試料8のスキャニングは、XYステージ2
0のY軸を一定速度でゆっくり動かしながら行なわれ、
このとき、各スキャン毎にライン・スキャン・ピクセル
・メモリ42の内容がビデオ・ディスプレイ・メモリ4
4に順次取り込まれていき、これによってXY平面上の
所望の範囲のパターン画像がテレビモニタ13上のイメ
ージモニタ45の表示領域に表示される。また、テレビ
モニタ13上のグラフィックモニタ46の表示領域に
は、イメージモニタ45上においてカーソルで指示した
Y軸位置のX軸方向の光電子増倍管10の検出波形が表
示される。パターン幅の計測では、イメージモニタ45
上においてカーソルで指示した範囲について、ビデオ・
ディスプレイ・メモリ44に記憶されているパターンの
ピクセル数をカウントし、カーソル内のY軸方向各位置
のカウント値を平均した値を自動演算し、その結果が数
値としてテレビモニタ13上に表示されるようになって
いる。
The sample 8 is scanned by the XY stage 2.
It is performed while slowly moving the Y axis of 0 at a constant speed,
At this time, the contents of the line scan pixel memory 42 are stored in the video display memory 4 for each scan.
4, the pattern image in a desired range on the XY plane is displayed in the display area of the image monitor 45 on the television monitor 13. Further, in the display area of the graphic monitor 46 on the television monitor 13, the detected waveform of the photomultiplier tube 10 in the X-axis direction at the Y-axis position designated by the cursor on the image monitor 45 is displayed. When measuring the pattern width, the image monitor 45
For the range indicated by the cursor above,
The number of pixels of the pattern stored in the display memory 44 is counted, a value obtained by averaging the count values at each position in the Y-axis direction within the cursor is automatically calculated, and the result is displayed as a numerical value on the television monitor 13. It is like this.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体製造
工程においては、ウェハーやマスクに形成されたパター
ンの線幅を計測するというような平面的な寸法の測定が
要求されるとともに、ウェハーやマスクに形成された膜
の厚さの測定が要求される場合が多くある。しかしなが
ら、従来のレーザ顕微鏡は、前述したように平面的な寸
法の測定に用いることはできても、厚さ方向の寸法を測
定することはできなかった。
By the way, in the semiconductor manufacturing process, it is required to measure a plane dimension such as measuring a line width of a pattern formed on a wafer or a mask, and a wafer or a mask is required to be measured. Often it is required to measure the thickness of the formed film. However, although the conventional laser microscope can be used for measuring the planar dimension as described above, it cannot measure the dimension in the thickness direction.

【0014】そこで、本願発明者らは、前記レーザ顕微
鏡を用いて厚さを計測する方法を考案した。前述したよ
うに、平面的な寸法の計測においては、Z軸のフォーカ
ス位置を固定してレーザ光をX、Y軸方向にスキャンさ
せていたのに対して、その厚さ計測方法は、厚さを構成
する計測対象物の上面および下面の2つの表面を通過す
るようにフォーカス軸を動作させて、レーザ光の反射強
度が最大となる位置、いわゆるピーク位置を各表面につ
いて求め、その差から前記計測対象物の厚さを求めよう
とするものである。
Therefore, the inventors of the present invention have devised a method of measuring the thickness using the laser microscope. As described above, in the measurement of the planar dimension, the focus position of the Z axis is fixed and the laser light is scanned in the X and Y axis directions. The focus axis is operated so as to pass through the two surfaces of the upper and lower surfaces of the object to be measured, and a position where the reflection intensity of the laser light is maximum, that is, a so-called peak position is obtained for each surface, and from the difference, It is intended to obtain the thickness of the measurement object.

【0015】ところが、たとえばマスクのガラス基板上
に形成されたクロムパターンの厚さを計測する場合、前
記2つの表面は上面側がクロム面、下面側がガラス面と
なり、レーザ光に対して高反射率を有するクロムと、高
透過率を有するガラスとでは、レーザ光の反射率が大き
く異なるために、反射強度を検出する光電子増倍管をど
ちらの面からの反射光にも適切な感度に設定することは
困難であった。
However, for example, when measuring the thickness of a chrome pattern formed on a glass substrate of a mask, the two surfaces have a chromium surface on the upper surface side and a glass surface on the lower surface side, and thus have a high reflectance for laser light. Since the reflectance of laser light differs greatly between the chrome that has it and the glass that has high transmittance, set the photomultiplier tube that detects the reflection intensity to an appropriate sensitivity for the reflected light from either side. Was difficult.

【0016】したがって、計測の手順としては、光電子
増倍管の感度を一方の表面からの反射光に対して適正に
なるように調整を行なった後に1度フォーカス軸の動作
を行ない、さらに、他方の表面からの反射光に対して適
正になるように調整をやり直した後にもう1度フォーカ
ス軸の動作を行なわなければならなかった。
Therefore, as a measurement procedure, the sensitivity of the photomultiplier tube is adjusted to be appropriate for the reflected light from one surface, and then the focus axis is operated once, and then the other. It was necessary to perform the operation of the focus axis again after re-adjusting so as to be appropriate for the light reflected from the surface of.

【0017】しかしながら、このように2度のフォーカ
ス軸の動作によって各表面の反射強度のピーク位置を求
めようとした場合、フォーカス軸を動作させるためのメ
カニズムの位置再現精度がばらつく影響を受けて、計測
データの再現精度が低下するという問題があった。
However, when the peak position of the reflection intensity of each surface is to be obtained by the two movements of the focus axis in this manner, the position reproduction accuracy of the mechanism for operating the focus axis is affected by variations, There is a problem in that the accuracy of reproduction of measurement data decreases.

【0018】本発明は、前記の課題を解決するためにな
されたものであって、計測対象物の厚さを構成する2つ
の表面の反射率が大きく異なる場合であっても、計測デ
ータの再現精度を低下させることなく測定することので
きる共焦点走査方式レーザ顕微鏡を用いた厚さ計測装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and even if the reflectances of two surfaces constituting the thickness of the object to be measured are greatly different, the measurement data can be reproduced. It is an object of the present invention to provide a thickness measuring device using a confocal scanning type laser microscope which can perform measurement without lowering accuracy.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明の共焦点走査方式レーザ顕微鏡を用いた厚
さ計測装置は、厚さ計測を行なう対象物に対して厚さ計
測測定点となる2点にフォーカス軸を動作させてレーザ
光を照射する共焦点走査方式レーザ顕微鏡本体と、前記
対象物の2点で反射された前記レーザ光の反射光を分離
する分離器と、この分離器を通して得られた2つの反射
光の反射強度をそれぞれ測定する第1、第2の光電子増
倍管とを具備してなり、前記第1、第2の光電子増倍管
は、前記対象物の2点の反射率に応じてその感度が異な
るように設定されていることを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, a thickness measuring apparatus using a confocal scanning laser microscope according to the present invention is a thickness measuring and measuring method for an object to be measured for thickness. A confocal scanning type laser microscope main body for irradiating a laser beam by operating a focus axis at two points, and a separator for separating the reflected light of the laser beam reflected by the two points of the object; A first and a second photomultiplier tube for respectively measuring the reflection intensities of the two reflected lights obtained through the separator, wherein the first and second photomultiplier tubes are the object The sensitivity is set to be different depending on the reflectance of the two points.

【0020】[0020]

【作用】本発明の共焦点走査方式レーザ顕微鏡を用いた
厚み計測装置によれば、レーザ光の反射光が分離器によ
って分離され第1、第2の光電子増倍管に入射されると
ともに、前記各光電子増倍管が、前記対象物の2点の反
射率に応じてその感度が異なるように設定されているの
で、フォーカス軸を1度移動させるだけで、前記2つの
反射光それぞれの反射強度のピーク位置を的確に検出す
ることができる。
According to the thickness measuring apparatus using the confocal scanning laser microscope of the present invention, the reflected light of the laser light is separated by the separator and is incident on the first and second photomultiplier tubes, and Since each photomultiplier tube is set to have different sensitivities according to the reflectances of the two points of the target object, the reflection intensity of each of the two reflected lights can be obtained by only moving the focus axis once. The peak position of can be accurately detected.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1〜図5を参照
して説明する。なお、本実施例の厚さ計測装置は、前述
した従来の共焦点走査方式レーザ顕微鏡を基本として、
その本体に後述する1/4波長板、およびビームスプリ
ッタを付加し、2つの光電子増倍管を備えた構成のもの
である。図1は、本実施例の厚さ計測装置における光学
系を示す図であって、図中の符号1はレーザ発振器、4
7、48、49はターニングミラー、50は本体用ビー
ムスプリッタ、51はビームエキスパンダ、52はコリ
メータレンズ、7は対物レンズである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The thickness measuring device of the present embodiment is based on the conventional confocal scanning laser microscope described above,
A quarter wave plate and a beam splitter, which will be described later, are added to the main body, and two photomultiplier tubes are provided. FIG. 1 is a diagram showing an optical system in the thickness measuring apparatus of the present embodiment, in which reference numeral 1 denotes a laser oscillator, 4
Reference numerals 7, 48 and 49 are turning mirrors, 50 is a beam splitter for the main body, 51 is a beam expander, 52 is a collimator lens, and 7 is an objective lens.

【0022】以上の各機器の構成は、従来の共焦点走査
方式レーザ顕微鏡におけるものと同様であるが、本実施
例においては前記各機器が備えられた共焦点走査方式レ
ーザ顕微鏡本体70に加えて、1/4波長板(分離器)
53、分離用ビームスプリッタ(分離器)54、および
第1、第2の光電子増倍管55、56が設置されてい
る。前記1/4波長板53は、本体用ビームスプリッタ
50からの反射光2bの光路上に設置されており、1/
4波長板移動機構57と接続されて光路内外への出し入
れが自在とされている。また、この1/4波長板53の
後段には分離用ビームスプリッタ54が設置されてい
る。そして、前記分離用ビームスプリッタ54の反射光
2cの光路上には第1の光電子増倍管(以下、PMT1
という)55が設置され、分離用ビームスプリッタ54
の透過光2dの光路上にはターニングミラー58を介し
て第2の光電子増倍管(以下、PMT2という)56が
設置されている。
The configuration of each device described above is similar to that of the conventional confocal scanning laser microscope, but in the present embodiment, in addition to the confocal scanning laser microscope main body 70 equipped with each device described above. , 1/4 wave plate (separator)
53, a beam splitter (separator) 54 for separation, and first and second photomultiplier tubes 55 and 56 are installed. The quarter-wave plate 53 is installed on the optical path of the reflected light 2b from the main-body beam splitter 50.
It is connected to the four-wave plate moving mechanism 57 so that it can be freely taken in and out of the optical path. Further, a separating beam splitter 54 is installed at the subsequent stage of the quarter wave plate 53. A first photomultiplier tube (hereinafter referred to as PMT1) is provided on the optical path of the reflected light 2c of the separating beam splitter 54.
55) is installed, and the beam splitter 54 for separation
A second photomultiplier tube (hereinafter referred to as PMT2) 56 is installed on the optical path of the transmitted light 2d via a turning mirror 58.

【0023】前記1/4波長板53は、人工水晶製の複
数の板体が貼り合わされたものであって、その内部にレ
ーザ光を透過させてレーザ光の偏光状態を直線偏光から
円偏光(互いに直交する偏光成分を等しく持つ偏光状
態)に変換させる偏光素子である。なお、1/4波長板
53は、人工水晶製の1枚の板体からなるものでもよ
い。一方、前記分離用ビームスプリッタ54は、直線偏
光のレーザ光に対してはこの全部を反射、または透過
(偏光方向による)させるが、円偏光のレーザ光に対し
てはこの1/2を反射させ残りの1/2を透過させると
いった作用を持つ偏光プリズムである。なお、本実施例
の光学系においては、レーザ発振器1から出射されたレ
ーザ光2aが試料8で反射されて前記1/4波長板53
に入射されるまでの間に、図示しない他の偏光素子を透
過することによって偏光状態が調整され、1/4波長板
53に入射される時点では反射光2bは直線偏光になっ
ている。
The quarter-wave plate 53 is formed by laminating a plurality of plates made of artificial quartz, and transmits the laser light inside thereof to change the polarization state of the laser light from linearly polarized light to circularly polarized light ( It is a polarizing element for converting into a polarization state having polarization components that are orthogonal to each other. The quarter-wave plate 53 may be a plate made of artificial quartz. On the other hand, the beam splitter 54 for separation reflects or transmits all of the linearly polarized laser light (depending on the polarization direction), but reflects half of the circularly polarized laser light. It is a polarizing prism that has the function of transmitting the other half. In the optical system of the present embodiment, the laser light 2a emitted from the laser oscillator 1 is reflected by the sample 8 and the quarter wavelength plate 53 is formed.
The polarized state is adjusted by passing through another polarizing element (not shown) before being incident on the optical system, and the reflected light 2b is linearly polarized at the time of being incident on the quarter wavelength plate 53.

【0024】したがって、本実施例を従来のレーザ顕微
鏡として使用するときには、前記1/4波長板53を光
路外に出しておけば反射光2bは直線偏光のまま分離用
ビームスプリッタ54に入射され、ここでレーザ光の全
部がPMT1、55に向けて反射されてパターン画像を
作り出し、パターン幅の計測を行なうことができる。ま
た、本実施例を厚さ計測装置として使用するときには、
1/4波長板53を光路内に入れておけば反射光2bは
直線偏光から円偏光に変換されて分離用ビームスプリッ
タ54に入射されるので、レーザ光の1/2は分離用ビ
ームスプリッタ54によってPMT1、55に向けて反
射され、残りの1/2は分離用ビームスプリッタ54を
透過してPMT2、56に入射されて、反射光の反射強
度がそれぞれ検出されるようになっている。
Therefore, when this embodiment is used as a conventional laser microscope, if the quarter-wave plate 53 is out of the optical path, the reflected light 2b is incident on the beam splitter 54 for separation as linearly polarized light. Here, all of the laser light is reflected toward the PMTs 1 and 55 to create a pattern image, and the pattern width can be measured. When using this embodiment as a thickness measuring device,
If the quarter-wave plate 53 is placed in the optical path, the reflected light 2b is converted from linearly polarized light into circularly polarized light and is incident on the separating beam splitter 54, so that 1/2 of the laser light is separated by the separating beam splitter 54. Are reflected toward the PMTs 1 and 55, and the other half is transmitted through the beam splitter 54 for separation and is incident on the PMTs 2 and 56, and the reflection intensities of the reflected light are detected.

【0025】ここで、図2を用いて厚さ計測を行なう際
の原理を説明する。ここでは、基板(たとえばマスクや
ウェハー)59上に形成された対象物(たとえばパター
ン)60の厚さdを測定するものとする。図2(a)に
示したように、対象物60上のA位置と対象物60を外
れたB位置とで、対物レンズ7をフォーカス軸方向(Z
軸方向)にそれぞれ移動させる。このとき得られるレー
ザ光の反射強度は図2(b)に示すようになり、Z軸上
のピーク位置がA位置とB位置とで異なる。A位置での
ピーク61は対象物60の表面によるものであり、B位
置でのピーク62は基板59の表面によるものである。
そこで、このピーク位置の差が対象物60の厚さdとし
て求められることになる。
Here, the principle of thickness measurement will be described with reference to FIG. Here, it is assumed that the thickness d of the object (eg, pattern) 60 formed on the substrate (eg, mask or wafer) 59 is measured. As shown in FIG. 2A, the objective lens 7 is moved in the focus axis direction (Z) at the position A on the object 60 and the position B off the object 60.
Respectively) in the axial direction. The reflection intensity of the laser light obtained at this time is as shown in FIG. 2B, and the peak position on the Z axis differs between the A position and the B position. The peak 61 at the A position is due to the surface of the object 60, and the peak 62 at the B position is due to the surface of the substrate 59.
Therefore, the difference between the peak positions is obtained as the thickness d of the object 60.

【0026】しかしながら、マスクを試料としてガラス
基板上に形成されたクロムパターンの厚さを測定する場
合などでは、前記A位置、すなわちクロム面上と、前記
B位置、すなわちガラス面上とではレーザ光の反射率が
大きく異なり、クロム面の反射率の方が非常に高いの
で、実際の計測においては、前述した図2(b)のよう
に2つのピーク61、62が同程度の高さで検出できる
わけではなく、たとえば、図2(c)あるいは図2
(d)のようになり、片方のピークしか検出できないこ
とになる。そこで、各計測位置毎の反射率に応じた感度
で検出できるように2つの光電子増倍管が必要となるわ
けである。
However, when the thickness of the chrome pattern formed on the glass substrate is measured using the mask as a sample, laser light is emitted at the position A, that is, the chrome surface, and at the position B, that is, the glass surface. The reflectivity of the chrome surface is very different and the reflectivity of the chrome surface is much higher. Therefore, in actual measurement, the two peaks 61 and 62 are detected at the same height as shown in FIG. 2B. It is not possible, for example, as shown in FIG.
As shown in (d), only one peak can be detected. Therefore, two photomultiplier tubes are required so that detection can be performed with sensitivity according to the reflectance at each measurement position.

【0027】つぎに、前記の計測原理を利用して、厚さ
計測を行なう際の具体的な手法の一例について説明す
る。この例における測定対象物は、前記と同様にマスク
のガラス基板63上に形成されたクロムパターン64と
する。図3は、厚さ計測を行なう手順の流れを示したも
のであるが、以下、これに基づいて説明する。
Next, an example of a specific method for measuring the thickness using the above-mentioned measurement principle will be described. The object to be measured in this example is the chrome pattern 64 formed on the glass substrate 63 of the mask as described above. FIG. 3 shows the flow of the procedure for measuring the thickness, which will be described below.

【0028】(1) 試料8における厚さ計測箇所を含
む所定範囲のX、Y2次元の画像を通常のパターン幅測
定時と同様の方法で作成する。この際には、X軸方向に
レーザ光をスキャニングさせつつ、Y軸方向にXYステ
ージ20を定速移動させて1000〜16000倍の倍
率のX、Y2次元の画像を得るようにする。なお、この
時点ではZ軸(フォーカス軸)は一定の位置に固定した
ままにしておくとともに、1/4波長板53は光路外へ
出しておく。
(1) An X, Y two-dimensional image in a predetermined range including the thickness measurement portion of the sample 8 is created by the same method as in the normal pattern width measurement. At this time, while scanning the laser beam in the X-axis direction, the XY stage 20 is moved at a constant speed in the Y-axis direction to obtain an X, Y two-dimensional image with a magnification of 1000 to 16000 times. At this point, the Z axis (focus axis) is kept fixed at a fixed position, and the quarter-wave plate 53 is out of the optical path.

【0029】(2) 図4に示したように、前記X、Y
2次元の画像上に2つのカーソル65、66を表示させ
て、厚さ計測を行なう箇所、すなわちクロムパターン6
4上の所定の箇所(A位置)およびガラス基板63上の
所定の箇所(B位置)をオペレータが指定する。
(2) As shown in FIG. 4, the X, Y
The two cursors 65 and 66 are displayed on the two-dimensional image to measure the thickness, that is, the chrome pattern 6
The operator designates a predetermined position (position A) on the surface 4 and a predetermined position (position B) on the glass substrate 63.

【0030】(3) XYステージ20を前記指定箇所
に移動させる。この際には、XYステージ制御回路がY
軸を制御して、カーソル65、66で指示されたY軸位
置でレーザ光のX軸方向のスキャンが行なわれるように
XYステージ20の位置決めを行なう。
(3) The XY stage 20 is moved to the designated place. In this case, the XY stage control circuit
The axes are controlled to position the XY stage 20 so that the laser beam is scanned in the X-axis direction at the Y-axis position designated by the cursors 65 and 66.

【0031】(4) 1/4波長板53を光路内に移動
させ、PMT1、55、PMT2、56それぞれにレー
ザ光が入射されるようにする。
(4) The quarter-wave plate 53 is moved into the optical path so that the laser light is incident on each of PMT1, 55, PMT2, 56.

【0032】(5) PMT1、55においてA位置に
対するコントラスト調整、すなわちクロムパターン64
からの反射光に対する感度調整を行ない、A位置からの
信号を飽和しない程度に大きくして感度よく検出できる
ようにする。この感度調整は、具体的にはPMT1、5
5の入力電圧を調整することにより行なわれるものであ
って、たとえば入力電圧を700Vと設定する。なお、
このとき、B位置からの信号に対しては感度が低くなり
すぎて検出が困難になってもよい。
(5) In the PMTs 1 and 55, the contrast adjustment for the A position, that is, the chrome pattern 64
The sensitivity adjustment for the reflected light from is performed, and the signal from the position A is made large enough not to be saturated so that it can be detected with high sensitivity. This sensitivity adjustment is specifically performed by PMT1 and PMT5.
This is performed by adjusting the input voltage of No. 5 and, for example, the input voltage is set to 700V. In addition,
At this time, the sensitivity may be too low for the signal from the B position to make detection difficult.

【0033】(6) (5)と同様に、PMT2、56
においてB位置に対するコントラスト調整、すなわちガ
ラス基板63からの反射光に対する感度調整を行ない、
B位置からの信号を飽和しない程度に大きくする。ここ
では、PMT2、56の入力電圧をたとえば1000V
と設定する。なお、このとき、A位置からの信号に対し
ては感度が高くなりすぎて飽和してしまってもよい。
(6) Similar to (5), PMTs 2, 56
At B, contrast adjustment for position B, that is, sensitivity adjustment for reflected light from the glass substrate 63,
The signal from the B position is made large enough not to be saturated. Here, the input voltage of the PMTs 2 and 56 is, for example, 1000V.
And set. At this time, the sensitivity of the signal from the position A may become too high and the signal may be saturated.

【0034】(7) Z軸のフォーカス位置をクロム面
の上方の、反射強度のデータ収集を行なう最も高い位置
Zmax まで移動させる。ただし、この説明に用いるフォ
ーカス位置を表わす記号Zは、フォーカスの位置の高さ
を表わすのではなく、フォーカスを移動させるステップ
数を表わすものとする。
(7) The focus position of the Z axis is moved to the highest position Zmax above the chrome surface where the reflection intensity data is collected. However, the symbol Z representing the focus position used in this description does not represent the height of the focus position but represents the number of steps for moving the focus.

【0035】(8) X軸方向のスキャニングを行な
い、PMT1、55の出力信号のうちA位置に対応する
データをサンプリングして、A位置近傍の一定領域内の
データを平均処理し、その値をZmax におけるA位置の
反射強度とする。またそれと同時に、PMT2、56の
出力信号のうちB位置に対応するデータをサンプリング
して、B位置近傍の一定領域内のデータを平均処理し、
その値をZmax におけるB位置の反射強度とする。
(8) Scanning in the X-axis direction is performed, data corresponding to the A position in the output signals of the PMTs 1 and 55 is sampled, data in a fixed area near the A position is averaged, and the value is calculated. The reflection intensity at the position A in Zmax is used. At the same time, the data corresponding to the B position in the output signals of the PMTs 2 and 56 is sampled, and the data in a certain area near the B position is averaged.
Let that value be the reflection intensity at the B position in Zmax.

【0036】(9) Z軸を移動させてフォーカスの位
置を前回より10nmだけ低い位置に設定し直す。な
お、この移動距離は測定の再現性が良い4〜16nmの
範囲で設定するのが望ましい。
(9) The Z axis is moved to reset the focus position to a position lower by 10 nm than the previous time. It should be noted that this moving distance is preferably set within the range of 4 to 16 nm, which provides good measurement reproducibility.

【0037】(10) 前記フォーカスの位置が、デー
タ収集を行なう最も低い位置Zmin に達するまで
(8)、(9)の手順を繰り返す。
(10) The steps (8) and (9) are repeated until the focus position reaches the lowest position Zmin for data collection.

【0038】(11) フォーカスの位置がZmin に達
したらスキャニングを終了する。そこで、この時点にお
いては、各データによって図5(a)に示したような反
射強度のピークをもつ2つの曲線67、68を得ること
ができる。
(11) When the focus position reaches Zmin, the scanning is finished. Therefore, at this point, two curves 67 and 68 having the peaks of the reflection intensity as shown in FIG. 5A can be obtained from each data.

【0039】(12) 前記2つの曲線67、68のそ
れぞれのピークの頂点、すなわち反射強度の最大点のフ
ォーカス位置を求め、それぞれZ1 、Z2 とする。
(12) The focus positions of the peaks of the two curves 67, 68, that is, the maximum points of the reflection intensity, are obtained and set as Z 1 and Z 2 , respectively.

【0040】(13) (12)で求めたZ1 、Z2
10nm間隔の離散的なデータであるので、精度を向上
させるために補間処理を行なう。すなわち、図5(b)
に示したように、ピーク位置Z1 とその前後の位置Z1
−1、Z1 +1におけるデータの3点から2次曲線69
を求め、その2次曲線69のピーク位置を改めてZ1´
として求める。また同様にして、Z2´ を求める。
(13) Since Z 1 and Z 2 obtained in (12) are discrete data at intervals of 10 nm, interpolation processing is performed to improve accuracy. That is, FIG. 5B
As shown in, the peak position Z 1 and the positions Z 1 before and after the peak position Z 1
Quadratic curve 69 from three points of data at −1, Z 1 +1
And the peak position of the quadratic curve 69 is re-established as Z 1
Ask as. Similarly, Z 2 ′ is calculated.

【0041】(14) Z1´、Z2´の位置の差を求め
る。ただし、前述したように、Z1´、Z2´自体はステ
ップ数を示しているので、距離を算出する際にはZ
1´、Z2´の差にステップサイズΔZ、この場合は10
nmを掛ける必要がある。すなわち、Z1´、Z2´間の
距離Wは、 W=ΔZ×(Z1´−Z2´) として求めることができる。
(14) The difference between the positions of Z 1 ′ and Z 2 ′ is calculated. However, as described above, Z 1 ′ and Z 2 ′ themselves indicate the number of steps, so when calculating the distance, Z
1 ', Z 2' difference in step size ΔZ of, in this case 10
It is necessary to multiply by nm. That is, the distance W between Z 1 ′ and Z 2 ′ can be calculated as W = ΔZ × (Z 1 ′ −Z 2 ′).

【0042】(15) 測定対象物の材料の違いや構造
による補正係数c、dを用いて最終的な計測結果を求め
る。すなわち、厚さ計測値W1 は、 W1 =c×W+d となる。なお、c、dの値は各測定対象物に応じてオペ
レータが入力するが、この例の場合を含めて通常はc=
1.0、d=0である。
(15) The final measurement result is obtained by using the correction coefficients c and d depending on the material of the measurement object and the structure. That is, the thickness measurement value W 1 is W 1 = c × W + d. The values of c and d are input by the operator according to each measurement object, but normally in the case of this example, c =
1.0 and d = 0.

【0043】(16) 以上のようにして求められた計
測結果W1 をクロムパターン64の厚さとしてテレビモ
ニタ13上のグラフィックモニタ46領域に表示する。
(16) The measurement result W 1 obtained as described above is displayed in the graphic monitor 46 area on the television monitor 13 as the thickness of the chrome pattern 64.

【0044】前述したように、本実施例の厚さ計測装置
によれば、PMT1、55、PMT2、56がそれぞれ
クロム面、およびガラス面の反射率に応じて反射強度の
ピークが適度に大きくなるように感度調整されているの
で、双方のPMT55、56からのデータを合わせれば
2つのピーク位置を確実に検出することができる。した
がって、データ収集の際にフォーカス軸の移動を1回だ
け行なえばよいので、従来の厚さ計測方法の欠点であ
る、フォーカス軸の動作を2回行なうためにフォーカス
軸を動作させるメカニズムの位置再現性がばらつく影響
を受けて、計測データの再現精度が低下するという問題
点を解決することができる。
As described above, according to the thickness measuring apparatus of this embodiment, the peaks of the reflection intensity of PMT1, 55, PMT2 and 56 are appropriately increased depending on the reflectances of the chrome surface and the glass surface, respectively. Since the sensitivity is adjusted as described above, two peak positions can be reliably detected by combining the data from both PMTs 55 and 56. Therefore, it is necessary to move the focus axis only once when collecting data, which is a drawback of the conventional thickness measuring method. The position reproduction of the mechanism for operating the focus axis to perform the focus axis operation twice is performed. It is possible to solve the problem that the accuracy of reproduction of measured data is deteriorated due to the influence of variations in the characteristics.

【0045】また、厚さ計測装置の構成が、従来の共焦
点走査方式レーザ顕微鏡本体に、1/4波長板(1/4
波長板移動機構57を含む)53、分離用ビームスプリ
ッタ54、PMTを追加するのみで実現できるものであ
るので、装置自体を容易に製作することができる。さら
に、1/4波長板53を移動させるだけで従来通りのパ
ターン幅計測装置としての使用と、厚さ計測装置として
の使用の変更が可能であるので、非常にコンパクトなシ
ステム構成が可能となる。
Further, the thickness measuring device has a structure in which a conventional confocal scanning type laser microscope main body is equipped with a quarter wavelength plate (1/4 wavelength plate).
Since it can be realized only by adding the wave plate moving mechanism 57) 53, the beam splitter 54 for separation, and the PMT, the device itself can be easily manufactured. Further, since it is possible to change the use as a conventional pattern width measuring device and the use as a thickness measuring device just by moving the quarter-wave plate 53, a very compact system configuration is possible. .

【0046】以上に本発明の一実施例を説明したが、本
発明は前記実施例に限定されるものではなく、各部の具
体的な構成において種々の設計的な変更を行ない得るこ
とは勿論である。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and it is needless to say that various design changes can be made in the concrete configuration of each part. is there.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の厚
さ計測装置によれば、レーザ光の反射光が分離器によっ
て分離され第1、第2の光電子増倍管に入射されるとと
もに、各光電子増倍管は、前記対象物の2点の反射率に
応じてその感度が異なるように設定されているので、フ
ォーカス軸を1度移動させるだけで、前記2つの反射光
それぞれの反射強度のピーク位置を的確に検出すること
ができる。したがって、従来の厚さ計測方法の場合のよ
うに、2回のフォーカス軸の動作における位置再現性が
ばらつく影響を受けることもなく、測定データの高い再
現精度を得ることができる。
As described in detail above, according to the thickness measuring apparatus of the present invention, the reflected light of the laser light is separated by the separator and is incident on the first and second photomultiplier tubes. Since each photomultiplier tube is set to have different sensitivities according to the reflectances of the two points of the object, it is only necessary to move the focus axis once to reflect each of the two reflected lights. The peak position of the intensity can be accurately detected. Therefore, unlike the case of the conventional thickness measuring method, high reproducibility of measurement data can be obtained without being influenced by the position reproducibility in the two movements of the focus axis.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の厚さ計測装置の光学系の一実施例を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of an optical system of a thickness measuring device of the present invention.

【図2】本発明における厚さ計測の原理を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing the principle of thickness measurement in the present invention.

【図3】前記実施例を用いた厚さ計測の手順を示すフロ
ー図である。
FIG. 3 is a flow chart showing a procedure of thickness measurement using the embodiment.

【図4】厚さ計測における計測位置を設定するテレビモ
ニタ画面を示す正面図である。
FIG. 4 is a front view showing a television monitor screen for setting a measurement position in thickness measurement.

【図5】レーザ光の反射強度曲線の一例を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a reflection intensity curve of laser light.

【図6】共焦点走査方式レーザ顕微鏡の原理を示す図で
ある。
FIG. 6 is a diagram showing the principle of a confocal scanning laser microscope.

【図7】共焦点走査方式レーザ顕微鏡の具体例を示す正
面図である。
FIG. 7 is a front view showing a specific example of a confocal scanning laser microscope.

【図8】同例におけるシステム構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a system configuration in the example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 試料 53 1/4波長板(分離器) 54 分離用ビームスプリッタ(分離器) 55 第1の光電子増倍管(PMT1) 56 第2の光電子増倍管(PMT2) 63 ガラス基板 64 クロムパターン 70 共焦点走査方式レーザ顕微鏡本体 8 sample 53 1/4 wavelength plate (separator) 54 separation beam splitter (separator) 55 first photomultiplier tube (PMT1) 56 second photomultiplier tube (PMT2) 63 glass substrate 64 chromium pattern 70 Confocal scanning laser microscope body

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 厚さ計測を行なう対象物に対して厚さ計
測測定点となる2点にフォーカス軸を動作させてレーザ
光を照射する共焦点走査方式レーザ顕微鏡本体と、前記
対象物の2点で反射された前記レーザ光の反射光を分離
する分離器と、この分離器を通して得られた2つの反射
光の反射強度をそれぞれ測定する第1、第2の光電子増
倍管とを具備してなり、前記第1、第2の光電子増倍管
は、前記対象物の2点の反射率に応じてその感度が異な
るように設定されていることを特徴とする共焦点走査方
式レーザ顕微鏡を用いた厚さ計測装置。
1. A confocal scanning type laser microscope main body which irradiates a laser beam by operating a focus axis at two points which are thickness measurement measuring points for an object for which thickness measurement is to be performed; A separator for separating the reflected light of the laser light reflected at a point, and first and second photomultiplier tubes for respectively measuring the reflection intensities of the two reflected lights obtained through the separator are provided. The confocal scanning laser microscope is characterized in that the first and second photomultiplier tubes are set to have different sensitivities according to the reflectances of the two points of the object. The thickness measuring device used.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006237003A (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Leica Microsystems Cms Gmbh Photoelectron multiplication system and microscope
JP2006337033A (en) * 2005-05-31 2006-12-14 Nikon Corp Measuring apparatus having confocal optical system
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