JPH07115229A - 超電導論理回路 - Google Patents

超電導論理回路

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Publication number
JPH07115229A
JPH07115229A JP5260590A JP26059093A JPH07115229A JP H07115229 A JPH07115229 A JP H07115229A JP 5260590 A JP5260590 A JP 5260590A JP 26059093 A JP26059093 A JP 26059093A JP H07115229 A JPH07115229 A JP H07115229A
Authority
JP
Japan
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inductance
output
qfp
input
superconducting
Prior art date
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Pending
Application number
JP5260590A
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English (en)
Inventor
Korenori Oka
維禮 丘
Kazumasa Takagi
一正 高木
Mutsumi Hosoya
睦 細谷
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Hitachi Ltd
Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Hitachi Ltd
Research Development Corp of Japan
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Research Development Corp of Japan filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的はQFP多数決論理回路のマー
ジンを大きくし歩留まりを高くして実用性の有る規模の
QFP論理回路を提供することに有る。 【構成】 QFP100は3つの入力インダクタンス1
01a,101b,101cと3つの出力インダクタン
ス102a,102b,102cと接続されている。入
力インダクタンスの先端に前段のQFPが接続され、出
力インダクタンスの先端に次段のQFPが接続されてい
る。前段のQFPも次段のQFPも発火していない場
合、等価的にインダクタンスにみなせる。入出力インダ
クタンスはQFP100の負荷インダクタンスを構成
し、この小さい等価インダクタンスを通してQFP10
0と超電導ループを構成している。出力電流がQFP1
00の全出力電流の1/6になるために入出力インダク
タンス値はQFP100の負荷インダクタンス値の6倍
に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、極低温で動作する極低
温動作電子回路の中の、磁束量子パラメトロンを含む超
高速動作超電導論理回路に関する。
【0002】
【従来の技術】ジョセフソン効果を示す超電導素子(以
下、ジョセフソン素子と称す)を使ったデバイスである
磁束量子パラメトロン(以下、QFPと略す)、およ
び、QFPを用いて構成された論理回路は当技術分野で
は公知であり、ホソヤら;アイトリプルイー トランス
・アプライド・スパーコンダクチヴィチ1巻77−89
ページ1991年(Hosoya,et al., "Quantum Flux Par
ametron - A single quantum flux device for Josephs
on supercomputer," IEEE Trans. Applied Superconduc
tivity, vol. 1, pp.77-89, 1991)に調査報告され、開
示されている。
【0003】QFPの構成と基本動作を簡単に説明す
る。図2はQFPの概略図を示す。ジョセフソン素子1
11aと超電導励振インダクタンス112aの直列回路
と、ジョセフソン素子111bと超電導励振インダクタ
ンス112bの直列回路が並列の接続され、超電導ルー
プ115を構成している。励振入力インダクタンス11
4aと励振入力インダクタンス114bはそれぞれ励振
インダクタンス112aと励振インダクタンス112b
と磁気結合している。超電導ループ115は励振インダ
クタンス112aと励振インダクタンス112bの間で
入力線116と接続しており、ジョセフソン素子111
aとジョセフソン素子111bの間で接地している。Q
FPがスイッチする(発火するとも呼ぶ)時の振動をダ
ンプするため、ジョセフソン素子111aとジョセフソ
ン素子111bと並列にそれぞれにダンピング抵抗11
3aとダンピング抵抗113bが接続されている。
【0004】QFPはそれと並列に接続された負荷イン
ダクタンスと超電導ループを構成している。励振入力イ
ンダクタンス114aと励振入力インダクタンス114
bを介して超電導ループ115に励振磁束として奇数の
磁束量子を印加してQFPを発火させた場合、超電導ル
ープ115に永久超電導電流が流れる。ループ電流の極
性はQFPが発火する前に入力線116を通ってQFP
に挿入した入力電流の極性と同じである。理想のQFP
の場合、微小な入力電流に対して前記ループ電流が大き
いため、QFPは大きな増幅作用を持ち、論理回路を構
成できる。QFPを用いて構成できる最も簡単な論理ゲ
ートは多数決論理ゲートである。その論理演算の原理は
奇数個の同一信号レベルの入力電流を足して得られる出
力の極性が入力信号の多数極性に等しいことにある。Q
FPは足した出力を増幅させる役割である。QFPは入
力を挿入してから励振磁束を印加して発火させることに
よって初めて増幅作用が有るから、次の入力を増幅する
ために一旦励振磁束を取り除く必要が有る。このため
に、QFPの論理回路は交流電力が必要である。その上
に、QFPは2端子デバイスのため、信号の伝搬方向を
与えるには3相以上の多相交流電力が必要である。ま
た、QFPの負荷は前段と後段の回路から寄与されるこ
とが特徴である。前段の回路にも出力電流が流れること
は大きい増幅率が必要であることを意味し、例えば、3
入力の多数論理ゲートでは増幅率が4以上でなければな
らない。
【0005】多数論理回路では否定の演算を極性反転変
成器で実施する。しかし、ミクロン寸法の回路では強結
合の変成器が作成しにくい。結合が弱い場合、ある信号
レベルの出力電流を出すには一方の端子からはその4倍
の電流を、もう一方の端子からはその2倍の電流を入力
しなければならない。結局、多数決と否定の演算を一段
で実行するためにはQFPの増幅率が7以上でなければ
ならない。従来のQFP多数決論理回路では増幅率が8
で、信号レベルをQFPの全出力電流の1/8に設定し
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、実際に製作されるQFPは作製プロセスのバラツキ
によりすべてのデバイスが理想の特性を持たず、出力が
小さいものも有れば見かけ上の入力バイアスを持つもの
も有る。その上に、各々のゲートの特性を調べる方法も
無いため、後から調整することもできない。ゲート数が
多い回路ほど大きいバラツキを持つゲートの存在確率も
高くなるため、歩留まりも小さい、という問題があっ
た。言い替えれば、ゲート数が大きい回路を高い歩留ま
りで製作するにはバラツキに対してマージンが大きくな
ければならない。
【0007】従来のQFP多数決論理回路ではホソヤ
ら;アイトリプルイー トランス・アプライド・スパー
コンダクチヴィチ3巻3022-3028ページ1993年(Hos
oya, et al., "Margin Analysis of Quantum Flux Para
metron Logic Gates," IEEE Trans. Applied Supercond
uctivity,vol. 3, pp.3022-3028, June 1993)に解析し
たように数百のQFPしか持たない回路でも歩留まりが
30%以下であることが予想できた。
【0008】本発明は、QFP多数決論理回路のマージ
ンを大きくし、歩留まりを高くして実用規模のQFP論
理回路を提供することに有る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、QFPの特性と負荷インダクタンスを変えず、配線
インダクタンスを減らすことによって信号レベルを高く
する方法を提案する。
【0010】
【作用】QFPは特性と負荷インダクタンスが一定であ
れば出力磁束が一定である。この条件のもとでQFPの
インダクタンスの大部分を占める配線インダクタンスを
減らせば配線を流れる出力電流が大きくなる。結局、Q
FPの特性は変わっておらず、バラツキの変化も入力の
バラツキに限り若干大きくなるのに対して、信号レベル
が大幅に高くなるため、マージンは大きくなって歩留ま
りは指数的に向上する。
【0011】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例を示す。QFP
100は3つの入力インダクタンス101a,101
b,101cと3つの出力インダクタンス102a,1
02b,102cと接続されている。一般の場合、入力
インダクタンスの先端に前段のQFPが接続され、出力
インダクタンスの先端に次段のQFPが接続されてい
る。QFP100が発火した状態では前段のQFPも次
段のQFPも発火しておらず、等価的にインダクタンス
にみなせる。この等価インダクタンスは入出力インダク
タンスに比べて十分小さいため、無視しても差し支えな
い。ここ以下では簡略のため、入出力インダクタンスだ
けでQFP100の負荷インダクタンスを構成しQFP
100と超電導ループを構成しているという説明モデル
を使用するが、正確に微小の等価インダクタンスも含ま
れている。
【0012】論理回路内のQFPはすべて同じ特性を持
ち、QFP100の入力インダクタンスはその前段QF
Pの出力インダクタンスと同じであるため、QFP10
0の入力インダクタンスと出力インダクタンスは同じイ
ンダクタンス値を持っている。QFPは2端子デバイス
であり、その出力は入力インダクタンスと出力インダク
タンスに流れるため、結局、負荷インダクタンスは入力
インダクタンスと出力インダクタンスの並行回路と等価
である。出力インダクタンス値は負荷インダクタンス値
の6倍である。従来のQFP論理回路では負荷インダク
タンスは同じであるが最大8本の入出力インダクタンス
を持つことができるため、出力インダクタンス値は負荷
インダクタンス値の8倍であるが、信号電流は全出力電
流の1/8しかない。本発明の請求項1は入出力インダ
クタンスを25%減らすことにより、出力電流を33%
増大することにある。
【0013】信号レベルが高くなっただけで歩留まりが
大きくなるとは限らない。バラツキはどうなるかが問題
である。QFPの歩留まりを影響するバラツキの中でジ
ョセフソン素子の臨界電流のバラツキが最も重要であ
り、負荷インダクタンスが一定であれば入出力インダク
タンス値に関係しない。入出力インダクタンス値に関係
する入力電流のバラツキは歩留まりに若干の影響しかも
たらさない。全体的に、バラツキは若干増大するが、結
局、歩留まりは指数的に増大する。
【0014】一方、信号レベルがいくらでも高くするこ
とはできない。3入力多数決ゲートは最低3つの入力と
1つの出力があるため、信号電流は全出力電流の1/4
しか増大できない。ラッチとして使用されるQFPでは
入出力が1つずつの場合、信号電流がもっと大きくても
良いが前段と後段のQFPと負荷を部分的に共通してい
るため、制限されることもある。
【0015】図3は本発明の第2の実施例を示す。QF
P100は3つの入力インダクタンス101a,101
b,101cと1つの出力インダクタンス102aとダ
ミーインダクタンス103と接続されている。入出力イ
ンダクタンスとダミーインダクタンスは負荷インダクタ
ンスを構成する。出力電流がQFPの全出力電流の1/
6になるために、入出力インダクタンスは負荷インダク
タンスの6倍に、ダミーインダクタンスは負荷インダク
タンスの3倍に設定する。この実施例の回路では負荷イ
ンダクタンス一定の条件でダミーインダクタンスを増大
し、出力インダクタンスを減少すればもっと大きい出力
電流でも得られる。
【0016】図4は本発明の第3の実施例を示す。QF
P100は2つの入力インダクタンス101a,101
b、直流入力線104,1つの出力インダクタンス10
2aとダミーインダクタンス103と接続されている。
これは多数決論理ゲートをANDまたはOR演算ゲート
に使用するときの基本構造である。直流入力は抵抗を介
して挿入するため、超電導電流は流れない。入出力イン
ダクタンスとダミーインダクタンスだけで負荷インダク
タンスを構成し、出力電流がQFPの全出力電流の1/
6になるために、入出力インダクタンスは負荷インダク
タンスの6倍に、ダミーインダクタンスは負荷インダク
タンスの2倍に設定する。
【0017】図5は本発明の第4の実施例を示す。QF
P100は1つの入力インダクタンス101a、1つの
出力インダクタンス102aと、超電導極性反転変成器
106と接続されている。入出力インダクタンスと変成
器106で負荷インダクタンスを構成する。変成器10
6の出力電流がQFP100の全出力電流の1/6にな
るためにはQFP100の全出力電流の4/6の大きさ
の入力電流を挿入しなければならない。このように大き
い入力電流が必要なのは結合の弱い変成器しかできない
場合であり、もっと強い結合の変成器ができればダミー
インダクタンスで負荷インダクタンス値が調節できる。
出力電流をQFPの全出力電流の1/6にするために、
入出力インダクタンス値は負荷インダクタンス値の6倍
に、変成器106の入力インダクタンス値を負荷インダ
クタンス値の6/4倍に設定する。
【0018】一つの論理回路に請求項1の第1の実施例
から第3の実施例の回路と第4の実施例の回路をどんな
組合せで使用しても、信号レベルはQFPの全出力電流
の1/6以上とすれば本発明の目的は達成できる。
【0019】図6は本発明の第5の実施例を示す。QF
P100は3つの入力インダクタンス101a,101
b,101cと2つの出力インダクタンス102a、1
02bと接続されている。入出力インダクタンスは負荷
インダクタンスを構成し、出力電流がQFP100の全
出力電流の1/5になるために、入出力インダクタンス
値は負荷インダクタンス値の5倍に設定する。尚、請求
項1の第2実施例と第3実施例の回路のように入出力イ
ンダクタンスをダミーインダクタンス、直流入力線に置
き換えても良い。ただし、出力電流がQFPの全出力電
流の1/5になるようにインダクタンス値を設定する。
この条件では弱結合の変成器も使用でき、配線インダク
タンスも充分ある。QFPをラッチとして使用する場合
は負荷インダクタンスが一定の条件でダミーインダクタ
ンスを増大し、出力インダクタンスを減少してもっと大
きい出力電流を出すことも可能である。
【0020】図7は本発明の第6の実施例を示す。QF
P100は1つの入力インダクタンス101aと、超電
導極性反転変成器106と接続されている。入力インダ
クタンス101aと変成器106で負荷インダクタンス
を構成する。変成器106はその出力電流をQFP10
0の全出力電流の1/5にするために、QFP100の
全出力電流の4/5大きさの入力電流を挿入しなければ
ならないものとする。出力電流がQFPの全出力電流の
1/5になるために、入力インダクタンス101aは負
荷インダクタンスの5倍に、変成器106の入力インダ
クタンスを負荷インダクタンスの5/4倍に設定する。
【0021】一つの論理回路に第5の実施例の回路、入
出力インダクタンスをダミーインダクタンス又は直流入
力線に置き換えた回路と、第6の実施例の回路をどんな
組合せで使用してもこの発明の目的は達成できる。
【0022】
【発明の効果】本発明を用いれば、QFP多数決論理回
路の回路パラメータのバラツキをあまり悪化せずに信号
電流を大きくでき、マージンも拡大され、歩留まりも指
数的に向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による超電導論理回路の第1の実施例の
概略図。
【図2】磁束量子パラメトロンの概略図。
【図3】本発明による超電導論理回路の第2の実施例の
概略図。
【図4】本発明による超電導論理回路の第3の実施例の
概略図。
【図5】本発明による超電導論理回路の第4の実施例の
概略図。
【図6】本発明による超電導論理回路の第5の実施例の
概略図。
【図7】本発明による超電導論理回路の第6の実施例の
概略図。
【符号の説明】
100…………………磁束量子パラメトロン 101,101a,101b,101c………………超
電導入力インダクタンス 102,102a,102b,102c………………超
電導出力インダクタンス 103…………………超電導ダミーインダクタンス 104…………………直流入力線 105…………………磁束量子パラメトロン多数決論理
ゲート 106…………………超電導極性反転変成器 111a,111b…ジョセフソン素子 112a,112b…励振インダクタンス 113a,113b…ダンピング抵抗 114a,114b…励振入力インダクタンス 115…………………磁束量子パラメトロン内の超電導
ループ 116…………………入力線
フロントページの続き (72)発明者 細谷 睦 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】1つ以上の超電導入力インダクタンスと、
    1つ以上の超電導出力インダクタンスと、超電導ダミー
    インダクタンスが並列に接続された磁束量子パラメトロ
    ンを複数個有する超電導論理回路において、 励振磁束を任意の上記磁束量子パラメトロン100に印
    加し、該磁束量子パラメトロン100を発火した状態に
    させたとき、 該磁束量子パラメトロン100に接続された入力インダ
    クタンスと、出力インダクタンスと、ダミーインダクタ
    ンスに流れる全出力電流に対して一つの出力インダクタ
    ンスに流れる電流が該全出力電流の1/6以上あること
    を特徴とする超電導論理回路。
  2. 【請求項2】請求項1の超電導論理回路において、極性
    反転変成器が磁束量子パラメトロン100に並列に接続
    され、 1本の出力電流が上記極性反転変成器を介して出力され
    る場合、該極性反転変成器の出力電流が前記磁束量子パ
    ラメトロン100の全出力電流の1/6以上あることを
    特徴とする超電導論理回路。
  3. 【請求項3】請求項1の超電導論理回路において、出力
    インダクタンスの先端に奇数本の入力を持つ磁束量子パ
    ラメトロンからなる多数決論理ゲートが接続された場
    合、上記出力インダクタンスを流れる電流が前記磁束量
    子パラメトロン100の全出力電流の丁度1/5あり、
    これ以外の場合、その出力インダクタンスを流れる電流
    が前記磁束量子パラメトロン100の全出力電流の1/
    5以上あることを特徴とする超電導論理回路。
  4. 【請求項4】請求項3の超電導論理回路において、極性
    反転変成器が磁束量子パラメトロン100に並列に接続
    され、 1本の出力電流が極性反転変成器を介して磁束量子パラ
    メトロンからなる多数決論理ゲートに出力される場合、
    その極性反転変成器の出力電流が前記磁束量子パラメト
    ロン100の全出力電流の丁度1/5あり、磁束量子パ
    ラメトロンからなる多数決論理ゲートに出力されない場
    合、その極性反転変成器の出力電流が前記磁束量子パラ
    メトロン100の全出力電流の1/5以上あることを特
    徴とする超電導論理回路。
JP5260590A 1993-10-19 1993-10-19 超電導論理回路 Pending JPH07115229A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011234271A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 演算装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011234271A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 演算装置

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