JPH07113723B2 - The liquid crystal display device - Google Patents

The liquid crystal display device

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JPH07113723B2
JPH07113723B2 JP16321387A JP16321387A JPH07113723B2 JP H07113723 B2 JPH07113723 B2 JP H07113723B2 JP 16321387 A JP16321387 A JP 16321387A JP 16321387 A JP16321387 A JP 16321387A JP H07113723 B2 JPH07113723 B2 JP H07113723B2
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liquid crystal
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Inventor
育弘 鵜飼
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ホシデン株式会社
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【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はアモルファスシリコンの半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチ素子としたアクテイブ液晶表示装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION "relates" This invention relates Akuteibu liquid crystal display device in which the thin film transistor having a semiconductor layer of amorphous silicon switch element.

「従来の技術」 アクテイブ液晶表示装置は第1図に示すようにガラスのような透明基板11及び12が近接対向して設けられ、その周縁部にはスペーサ13が介在され、これら透明基板11,1 "Background of the Invention" Akuteibu liquid crystal display device is provided with transparent substrates 11 and 12 are closely opposed, such as glass, as shown in FIG. 1, a spacer 13 is interposed at its periphery, these transparent substrates 11, 1
2間に液晶14が封入されている。 Liquid crystal 14 is sealed between the 2. 一方の透明基板11の内面に表示電極15が複数形成され、これら各表示電極15に接してそれぞれスイッチング素子として薄膜トランジスタ16が形成され、その薄膜トランジスタ16のドレインは表示電極15に接続されている。 Display electrodes 15 on the inner surface of one transparent substrate 11 is formed with a plurality, their respective thin-film transistors 16 as switching elements in contact with each of the display electrodes 15 are formed, the drain of the TFT 16 is connected to the display electrode 15. これら複数の表示電極15 The plurality of display electrodes 15
と対向して他方の透明基板12の内面に透明な共通電極17 And opposite to the transparent common electrode on the inner surface of the other transparent substrate 12 17
が形成されている。 There has been formed.

表示電極15は例えば画素電極であって第2図に示すように、透明基板11上に正方形のものが行及び列に、つまりマトリクス状に近接配置されており、表示電極15の各行配列と近接し、かつこれに沿ってそれぞれゲートバス18 Display electrodes 15, as shown in Figure 2 a pixel electrode for example, the row and column that square on the transparent substrate 11, i.e. are disposed close to the matrix, close to the row array of display electrodes 15 respectively, and along which the gate bus 18
が形成され、また表示電極15の各列配列と近接してそれに沿ってソースバス(データ線)19がそれぞれ形成されている。 There is formed, and the source bus (data lines) 19 therealong in close proximity to each column array of display electrodes 15 are formed. これら各ゲートバス18及びソースバス19の交差点において薄膜トランジスタ16が設けられ、各薄膜トランジスタ16のゲートは両バスの交差点位置においてゲートバス18に接続され、各ソースはソースバス19にそれぞれ接続され、更に各ドレインは表示電極15に接続されている。 These thin film transistors 16 in the intersection of the gate bus 18 and the source bus 19 is provided, the gate of the thin film transistors 16 is connected to the gate bus 18 at the intersection positions of both buses, each source is connected to the source bus 19, and each the drain is connected to the display electrode 15.

これらゲートバス18とソースバス19との各一つを選択してそれら間に電圧を印加し、その電圧が印加された薄膜トランジスタ16のみが導通し、その導通した薄膜トランジスタ16のドレインに接続された表示電極15に電荷を蓄積して表示電極15と共通電極17との間の部分の液晶14のみに電圧を印加し、これによってその表示電極15の部分のみが光透明或は光遮断となり、選択的な表示が行われる。 Select each one of these gate bus 18 and the source bus 19 by applying a voltage between them, and conducts only a thin film transistor 16 that its voltage is applied, which is connected to the drain of the thin film transistor 16 which is the conductive Display only the liquid crystal 14 in the portion between the display electrode 15 by accumulating charges in the electrodes 15 and the common electrode 17 a voltage is applied to, whereby only portions of the display electrodes 15 is a light transparent or light blocking, selective Do not display is performed. この表示電極15に蓄積した電荷を放電させることによって表示を消去させることができる。 It is possible to erase the display by discharging the charge accumulated in the display electrode 15.

薄膜トランジスタ16は第3図に示すように、透明基板11 TFT 16, as shown in FIG. 3, the transparent substrate 11
上に画素電極15とソースバスとがITOのような透明導電膜によって形成され、画素電極15及びソースバス19間にまたがってアモルファスシリコンの半導体層21が形成され、更にその半導体層21上に窒化シリコンなどのゲート絶縁膜22が形成される。 And the source bus pixel electrode 15 is formed by a transparent conductive film of ITO on top, a semiconductor layer 21 of amorphous silicon is formed over between the pixel electrodes 15 and the source bus 19, further nitride thereon semiconductor layer 21 the gate insulating film 22 such as silicon is formed. このゲート絶縁膜22上に半導体層21を介して画素電極15及びソースバス19とそれぞれ一部重なってゲート電極23が形成される。 The gate insulating film 22 pixel electrode 15 through the semiconductor layer 21 above and the source bus 19 and the gate electrode 23 partially overlapped, respectively, are formed. このようにしてゲート電極23とそれぞれ対向した画素電極15、ソースバス19はそれぞれドレイン電極15a、ソース電極19aを構成し、これら電極15a,19a、半導体層21、ゲート絶縁膜2 Thus the pixel electrode 15 facing each gate electrode 23, source bus 19, respectively drain electrode 15a, and a source electrode 19a, the electrodes 15a, 19a, semiconductor layer 21, a gate insulating film 2
2、ゲート電極23によって薄膜トランジスタ16が構成される。 2, the thin film transistor 16 is constituted by the gate electrode 23.

「発明が解決しようとする問題点」 従来のこの種の液晶表示装置においては温度変化に応じてコントラストが変化し、つまり第4図に示すように温度が上昇するとコントラストが低下する。 Contrast changes according to the temperature variation in the liquid crystal display device of the 'invention will to Problems Solved "conventional this type, i.e. the temperature as shown in FIG. 4 the contrast decreases when increasing.

また表示面の照度が変化すると第5図に示すようにコントラストが変化する。 The contrast is changed as shown in FIG. 5 when the illuminance of the display plane changes.

さらにカラー液晶表示装置の場合は第6図に示すように表示面の照度が変化すると色度が変化する。 Further changes chromaticity when the illuminance of the display surface as shown in FIG. 6 is changed in the case of a color liquid crystal display device.

この発明の目的は周囲温度、照度などの使用条件の変化に拘らず表示特性が変化しないようにすることを可能とする液晶表示装置を提供することにある。 The purpose of this invention to provide a liquid crystal display device which enables to make it ambient temperature, irrespective display characteristics to changes in operating conditions, such as illuminance does not change.

「問題点を解決するための手段」 透明基板上に画素電極とソース電極が形成され、これら画素電極及びソース電極間にわたって上記透明基板上にアモルファスシリコンの半導体層が形成され、その半導体層上にゲート絶縁膜が形成され、そのゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されている薄膜トランジスタを、スイッチング素子としたアクティブ液晶表示装置において、 上記画素電極と同一材でこれと同時に上記透明基板上に形成された一対の電極と、これら電極を覆って上記半導体層と同一材でこれと同時に形成されたアモルファスシリコン層と、上記アモルファスシリコン層を覆って上記ゲート絶縁膜と同一材でこれと同時に形成された絶縁膜と、その絶縁膜を覆って上記ゲート電極と同一材でこれと同時に形成された遮光層とよりな The "means for solving the problems" pixel electrode and the source electrode on a transparent substrate is formed, a semiconductor layer of amorphous silicon is formed on the transparent substrate over between the pixel electrode and the source electrode, on that semiconductor layer the gate insulating film is formed, a thin film transistor having a gate insulating film gate electrode on are formed, in an active liquid crystal display device with switching elements, which as is simultaneously formed on the transparent substrate with the pixel electrode of the same material a pair of electrodes, and the amorphous silicon layer formed simultaneously therewith in the same material and the semiconductor layer over the electrodes, which to have been simultaneously formed in the same material and the gate insulating film covering the amorphous silicon layer an insulating film, it more in the insulating film of the same material and the gate electrode covering therewith the light-shielding layer formed at the same time 温度センサと、 上記画素電極と同一材でこれと同時に上記透明基板上に形成された一対の電極と、これら電極を覆って上記半導体層と同一材でこれと同時に形成されたアモルファスシリコン層と、そのアモルファスシリコン層を覆って上記ゲート絶縁膜と同一材でこれと同時に形成された絶縁膜とよりなる照度センサと、 上記透明基板の上記温度センサ及び上記照度センサと反対側の面に形成され、これら温度センサ及び照度センサをそれぞれ遮光する遮光層とを設ける。 A temperature sensor, a pair of electrodes which to have been simultaneously formed on the transparent substrate in the same material and the pixel electrode, and an amorphous silicon layer formed simultaneously therewith in the same material and the semiconductor layer over the electrodes, an illuminance sensor more as an insulating film which to have been simultaneously formed in the same material and the gate insulating film covering the amorphous silicon layer is formed on the opposite surface with the temperature sensor and the illumination sensor of the transparent substrate, providing a light shielding layer for shielding these temperature sensors and the illuminance sensor, respectively.

「実施例」 第7図にこの発明を白黒液晶表示装置に適用した例を示す。 It indicates "Examples" Example of the present invention is applied to a monochrome liquid crystal display device in FIG. 7. 入力端子31からの映像信号はシフトレジスタ32のデータ端子に入力されると共に、クロック発生回路33に入力される。 Video signal from the input terminal 31 is inputted to the data terminal of the shift register 32, it is inputted to the clock generation circuit 33. クロック発生回路33では入力された映像信号の画素周期と同期したクロックが発生され、このクロックによりシフトレジスタ32がシフトされる。 Clock synchronized with the pixel period of the video signal inputted in the clock generation circuit 33 is generated, the shift register 32 is shifted by the clock. またこのクロックは画素カウンタ34で計数され、水平周期のクロックが作られる。 Also this clock is counted by the pixel counter 34 is made a clock of horizontal period. 画素カウンタ34の出力クロックは水平カウンタ35で計数され、垂直周期のクロックが作られ、このクロックはゲート用シフトレジスタ36のデータ入力端子へ供給され、このシフトレジスタ36は画素カウンタ34 Output clock of the pixel counter 34 is counted by the horizontal counter 35, the clock of the vertical period is made, the clock is supplied to the data input terminal of the gate shift register 36, the shift register 36 pixel counter 34
の出力クロックによりシフト制御される。 It is shift control by the output clock. シフトレジスタ36の並列出力はゲート駆動回路37によりアクテイブ液晶表示素子38のゲートバス18(第2図)の対応するものがそれぞれ駆動される。 Parallel output of the shift register 36 is a corresponding one of the gate bus 18 of Akuteibu liquid crystal display device 38 (FIG. 2) are driven respectively by a gate drive circuit 37. 一方シフトレジスタ32により直列並列変換された映像信号は画素カウンタ34の出力クロックによりラッチ回路39にラッチされ、ラッチ回路39の出力はソース駆動回路41を通じて液晶表示素子38のソースバス19(第2図)の対応するものがそれぞれ駆動される。 Meanwhile serial-parallel converted video signal by the shift register 32 is latched in the latch circuit 39 by the output clock of the pixel counter 34, a source bus 19 (FIG. 2 of the liquid crystal display device 38 through the source driving circuit 41 outputs the latch circuit 39 corresponding ones are driven respectively). ソース駆動回路41の動作電圧は電源42より印加される。 Operating voltage of the source driver circuit 41 is applied from the power source 42.

この液晶表示素子は透過形のものであり、第8図に示すように液晶表示素子38は表示装置匣体42の開口を塞ぐように匣体42に取付けられ、匣体42内に配されたバックライト用光源43よりの光により液晶表示素子38の背面に光が入射される。 The liquid crystal display device is of transmissive type, the liquid crystal display device 38 as shown in FIG. 8 is attached to Kushigetai 42 so as to close the opening of the display device Napishtim- body 42, arranged in Kushigetai 42 light is incident on the back surface of the liquid crystal display element 38 by the light from the backlight source 43. 光源43から放射される光の輝度は調光器 Brightness of the light emitted from the light source 43 is dimmer
44により制御される。 It is controlled by 44.

この発明においては第7図,第8図に示すように液晶表示素子38は周囲温度に応じた信号を出力する温度センサ Figure 7 in the present invention, the temperature sensor is a liquid crystal display device 38 as shown in FIG. 8 for outputting a signal corresponding to the ambient temperature
45が、液晶表示素子38の薄膜トランジスタ16が形成された面に、アモルファスシリコンにより構成される。 45, the surface on which the thin film transistors 16 of the liquid crystal display element 38 is formed, composed of amorphous silicon. 例えば第9図及び第10図に示すように互に噛みあった櫛歯状電極46,47が、画素電極15、ソースバス19と同時に、同一材で基板11上に形成され、櫛歯状電極46,47を覆ってアモルファスシリコン層48が、半導体層21と同時に形成される。 For example Fig. 9 and 10 comb-like electrodes 46 and 47 that had chewed each other as shown in figure, the pixel electrode 15, simultaneously with the source bus 19 are formed on the substrate 11 in the same material, the interdigital electrode amorphous silicon layer 48 over the 46 and 47, the semiconductor layer 21 is formed simultaneously with. アモルファスシリコン層48上に絶縁膜49がゲート絶縁膜22と同時に形成される。 Insulating film 49 on the amorphous silicon layer 48 is formed simultaneously with the gate insulating film 22. 更に必要に応じて絶縁膜49、基板11の温度センサ45と対向する面にそれぞれ遮光層51,52が形成される。 Insulating film 49 if necessary, each light-shielding layers 51 and 52 on the surface facing the temperature sensor 45 of the substrate 11 is formed. 遮光層51はゲート電極23と同時に形成することができる。 Shielding layer 51 can be formed simultaneously with the gate electrode 23.

また基板11の薄膜トランジスタ16が形成された面に、液晶表示素子38に入射される外来光53の照度に応じた信号を出力する照度センサ54がアモルファスシリコンで形成される。 Also on the surface the thin film transistor 16 is formed of a substrate 11, an illuminance sensor 54 that outputs a signal corresponding to the illuminance of the external light 53 incident on the liquid crystal display device 38 is formed of amorphous silicon. 照度センサ54も温度センサ45とほぼ同様な構造のものとされる。 Illuminance sensor 54 is also as of substantially the same structure as the temperature sensor 45. すなわち櫛歯状電極55,56が互に噛合って基板11上に形成され、これら電極55,56を覆ってアモルファスシリコン層57が形成される。 That comb-shaped electrodes 55 and 56 are mutually formed on the substrate 11 meshes, amorphous silicon layer 57 is formed over these electrodes 55 and 56. アモルファスシリコン層57上に絶縁膜58が形成され照度センサ54が得られる。 Illuminance sensor 54 insulating film 58 on the amorphous silicon layer 57 is formed is obtained. 基板11の照度センサ54と対向する面に遮光層59が形成される。 Shielding layer 59 is formed on the surface facing the illumination sensor 54 of the substrate 11.

第7図に示すように温度センサ45の出力に応じて電源42 Power supply 42 in response to the output of the temperature sensor 45 as shown in FIG. 7
の電圧が制御され、つまりソース駆動回路41の駆動トランジスタの電源電圧が制御される。 The voltage of the control, i.e. the power supply voltage of the driving transistor of the source drive circuit 41 is controlled. アモルファスシリコンの比抵抗は温度が1桁変化すると、1.5桁変化し、温度の上昇につれて抵抗値は低下する。 If the specific resistance of the amorphous silicon temperature changes by one digit, 1.5 digit changes, the resistance value with increasing temperature decreases. 周囲温度が上昇すると画素電極15に印加される実効電圧が低下し、コントランストが低下し、輝度も低下するが、温度センサ45の出力により電源42が制御されて、ソース駆動回路41よりのソース駆動信号振幅が大とされ、液晶のONレベルがほぼ一定に保持される。 Effective voltage drops to the ambient temperature is applied to the pixel electrode 15 when raised, and decreases con trans DOO, luminance decreases, but the power supply 42 is controlled by the output of the temperature sensor 45, than the source driver circuit 41 the source drive signal amplitude is large, the liquid crystal of the oN level is maintained substantially constant.

照度センサ54は外来光53の照度に応じた出力を出す、つまりアモルファスシリコンは光導電性を有し、照度が1 Illuminance sensor 54 issues an output corresponding to the illuminance of the external light 53, i.e. the amorphous silicon has a photoconductive, illuminance 1
桁変化するとアモルファスシリコンの比抵抗は1桁変化し、照度が高くなるに従って抵抗値は小さくなる。 When the digit change the resistivity of the amorphous silicon is changed by one digit, the resistance value in accordance with the illuminance becomes higher the smaller. 照度センサ54の出力は制御部61により調光器44が制御され、 The output of the illuminance sensor 54 is more dimmer 44 to the control unit 61 is controlled,
外来光53の照度が高くなるとバックライト用光源43の放射光の照度が高くされる。 Illumination of emitted light of the backlight light source 43 when the illumination of the external light 53 is high is high. 制御部61としては第8図に示すように、照度センサ54の出力は必要に応じて増幅器62 The control unit 61 as shown in FIG. 8, the output of the illuminance sensor 54 is optionally an amplifier 62
で増幅され、その増幅出力は加算器63で基準電源64からの基準値に加算され、その加算出力により調光器44が制御される。 In amplified, the amplified output is added to the reference value from the reference power supply 64 in the adder 63, the dimmer 44 by the addition output is controlled.

第11図にこの発明をカラー液晶表示装置に適用した例を示す。 An example of applying the invention to a color liquid crystal display device in FIG. 11. 入力端子31からのカラー映像信号はクロマ回路65 Color video signal from the input terminal 31 is chroma circuit 65
により赤色信号R、緑色信号G、青色信号Bの各色信号と同期信号とに分離される。 Red signal R, green signal G, is separated into the respective color signals and synchronization signals of the blue signal B by. これら3つの色信号は可変利得増幅回路66R,66G,66Bでそれぞれ増幅され、ペデスタルレベル調整回路67を通じて信号反転回路68に入力される。 These three color signals are variable gain amplifier circuit 66R, 66G, are amplified by 66B, is input to the signal inversion circuit 68 via a pedestal level adjusting circuit 67. 信号反転回路68から赤色信号R、緑色信号G、青色信号Bとこれらをそれぞれレベル反転した反転色信号,,とが出力される。 Signal inverting circuit 68 from the red signal R, green signal G, and the inverted chrominance signal ,, they were each level inversion and blue signal B is outputted. これら6つの色信号は交流ビデオ信号回路69に入力され、各フィールドごとに赤色信号R、緑色信号G、青色信号Bと、3つの反転色信号,,とが交互に取出されてRGBスイッチング回路7 These six color signals are input to an AC video signal circuit 69, RGB switching circuit 7 red signal for each field R, green signal G, and a blue signal B, 3 one and the inverted chrominance signal ,, are taken alternately
1に入力される。 Is input to the 1. RGBスイッチング回路71はその各3つの色信号をアクテイブカラー液晶表示素子38の色配列に合せソース駆動回路41へ供給する。 RGB switching circuit 71 supplies the source driver circuit 41 combined the respective three color signals to the color arrangement of Akuteibu color liquid crystal display device 38. ソース駆動回路41はカラー液晶パネル38の各色配列に合った信号V 1 ,V 2 ,V 3を選びソースバスに供給する。 Source driving circuit 41 supplies the source bus select signals V 1, V 2, V 3 to suit each color arrangement of the color liquid crystal panel 38.

一方クロマ回路65により分離された同期信号は同期制御回路72に入力される。 Meanwhile synchronizing signal separated by the chroma circuit 65 is input to the synchronization control circuit 72. 同期制御回路72はその入力された垂直同期信号と同期してそのフィールド信号を交流ビデオ信号回路69へ供給し、水平同期信号と同期した水平信号をRGBスイッチ回路71へ供給し、また画素端子と同期したクロック信号をソース駆動回路41へ供給し、更に水平同期信号と同期したクロック信号をゲート駆動回路37 Synchronization control circuit 72 in synchronization with the inputted vertical synchronizing signal and supplies the field signal to the AC video signal circuit 69 supplies a horizontal signal synchronized with the horizontal synchronizing signal to the RGB switch circuit 71, also the pixel terminal provides a synchronization clock signal to the source driver circuit 41, the gate drive circuit 37 a clock signal further synchronized with the horizontal synchronizing signal
へ供給する。 Supplied to. ゲート駆動回路37は液晶表示素子38のゲートバスを各ラインごとに順次選択駆動する。 The gate drive circuit 37 sequentially selects drive the gate bus of the liquid crystal display device 38 for each line.

この例ではカラー液晶表示素子38の薄膜トランジスタ16 TFT 16 of the color liquid crystal display device 38 in this example
が形成された基板11の面に温度センサ45、照度センサ5 Temperature sensor 45 on the surface of the substrate 11 but is formed, the illumination sensor 5
4、更にカラーセンサ73が形成される。 4, are further color sensor 73 is formed. 温度センサ45、 Temperature sensor 45,
照度センサ54は第9図に示したものと同様のものを使用することができる。 The illumination sensor 54 can be used the same as those shown in FIG. 9. カラーセンサ73としては例えば第12 The color sensor 73 for example 12
図に示すものが使用される。 Those shown in the figure is used. すなわち、基板11の内にアモルファスシリコンの光センサ75R,75G,75Bが形成される。 That is, the optical sensor 75R of amorphous silicon of the substrate 11, 75G, 75B are formed. 各光センサ75R,75G,75Bは同一構成で、Hpinホトダイオードを用いた場合で、透明電極76が共通に形成される。 Each photosensor 75R, 75G, 75B in the same configuration, in the case of using Hpin photodiode, a transparent electrode 76 is commonly formed. 電極76は画素電極15と同時に形成できる。 Electrode 76 may be formed simultaneously with the pixel electrode 15. 電極76上にアモルファスシリコンのp形層77が形成され、p形層 p-type layer 77 of amorphous silicon is formed on the electrode 76, the p-type layer
77の上にアモルファスシリコンのi形層78が形成され、 77 i-type layer 78 of amorphous silicon is formed on the,
i形層78上にアモルファスシリコンのn形層79が形成され、n形層79上に電極81が形成される。 n-type layer 79 of amorphous silicon on the i-type layer 78 is formed, the electrode 81 is formed on the n-type layer 79. これらアモルファスシリコンの各層は半導体層21の形成時に不純物を制御して形成することができる。 Each layer of these amorphous silicon can be formed by controlling the impurity during formation of the semiconductor layer 21. これら各光センサ75R,75 Each of the optical sensors 75R, 75
G,75Bと対向して基板12の内面に赤色フィルタ82R、緑色フィルタ82G、青色フィルタ82Bがそれぞれ形成されてカラーセンサ73が得られる。 G, 75B opposed to the red filter 82R on the inner surface of the substrate 12, the green filter 82G, the color sensor 73 to obtain a blue filter 82B are formed respectively. 光センサ75R,75G,75Bの各電極81から外来光53の赤色成分、緑色成分、青色成分の各照度と対応した出力が得られ、つまり外来光53の分光特性が得られる。 Light sensor 75R, 75G, the red component of the external light 53 from the respective electrodes 81 of the 75B, the green component, the output corresponding to each illumination of the blue component obtained, i.e. the spectral characteristics of the external light 53 is obtained.

第11図に示した例では温度センサ45の出力により可変利得増幅回路66R,66G,66Bの各利得を制御してソース駆動回路41に供給されるソース駆動信号の振幅を制御し、かつ温度センサ45の出力をペデスタルレベル補償回路83へ供給し、ペデスタルレベル調整回路67へ供給する基準電圧を制御し、温度変動にもとずく液晶のOFFレベルの変動を補償し、そのOFFレベルを一定にして良好なコントラストを得る。 In the example shown in FIG. 11 to control the amplitude of the variable gain amplifier circuit 66R, 66G, source drive signal by controlling the respective gains of 66B is supplied to the source driver circuit 41 by the output of the temperature sensor 45 and the temperature sensor the output of 45 is supplied to the pedestal level compensation circuit 83 controls the reference voltage to be supplied to the pedestal level adjustment circuit 67, to compensate for variations in original Nuisance LCD OFF level to temperature variations, and the OFF level constant obtain a good contrast.

照度センサ54の出力によるバックライト用光源に対する制御は第7図について述べた場合と同一である。 Control for backlight light source according to the output of the illuminance sensor 54 is the same as described for Figure 7.

カラーセンサ73により周囲光、つまり外来光53の分光特性の平衡がとれてない状態が検出されるとこれに応じてバックライト光の分光特性を制御して補償する。 Ambient light by the color sensor 73, that is compensated by controlling the spectral characteristics of the backlight in response to this the state where the equilibrium is not taken of the spectral characteristics of the external light 53 is detected. そのためバックライト光用光源43として赤色光源43R、緑色光源43G、青色光源43Bが設けられ、調光器44の出力は調光器84R、84G、84Bにそれぞれ供給され、調光器84R,84G、 Therefore backlight light source 43 as a red light source 43R, green light source 43G, the blue light source 43B is provided, the output dimmer dimmer 44 84R, 84G, are supplied to 84B, dimmers 84R, 84G,
84Bの各出力で赤色光源43R、緑色光源43G、青色光源43B Red light source 43R on each output of 84B, the green light source 43G, the blue light source 43B
がそれぞれ点灯される。 There are lit, respectively. 調光器84R,84G,84Bがカラーセンサ73の光センサ75R,75G,75Bの各出力でそれぞれ制御され、外来光53の各色成分の不平衡に応じてカラー液晶表示素子38の表示着色が補償される。 Dimmers 84R, 84G, 84B are optical sensors 75R of the color sensor 73, 75G, are controlled by the respective outputs of 75B, display the coloring of the color liquid crystal display device 38 is compensated in accordance with the unbalance of each color component of the external light 53 It is.

「発明の効果」 以上述べたようにこの発明によればアクテイブ液晶表示素子の基板の薄膜トランジスタの形成面に、温度センサ、照度センサが設けられ、周囲温度の変動によるコントラストの変化や外来光の照度変動によるコントラストの変化を補償し、常に良好なコントラストを得ることが可能とされ、しかもこれらセンサは薄膜トランジスタの形成と同一工程で作ることができる。 The forming surface of the thin film transistor substrate of Akuteibu liquid crystal display device according to the present invention as mentioned "effect of invention" above, a temperature sensor, an illuminance sensor is provided, the illumination of the contrast variation and extraneous light due to changes in ambient temperature to compensate for changes in contrast due to variations, always it is possible to obtain a good contrast, yet these sensors can be made by forming a thin film transistor in the same step.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図は液晶表示素子の一部を示す断面図、第2図は液晶表示素子の電気的回路図、第3図は薄膜トランジスタの構成例を示す断面図、第4図は液晶表示素子のコントラスト−周囲温度特性図、第5図はコントラスト−周囲照度特性図、第6図は周囲光照度による色度変化特性図、第7図はこの発明を白黒液晶表示装置に適用した例を示すブロック図、第8図はその断面図、第9図は温度センサ45、照度センサ54の断面図、第10図は温度センサの平面図、第11図はこの発明をカラー液晶表示装置に適用した例を示すブロック図、第12図はカラーセンサを示す断面図である。 Sectional view showing a portion of FIG. 1 is a liquid crystal display device, an electrical circuit diagram of Figure 2 the liquid crystal display device, FIG. 3 is a sectional view showing a configuration example of a thin film transistor, Fig. 4 the contrast of the liquid crystal display device - ambient temperature diagram, Fig. 5 contrast - ambient illuminance characteristic diagram, Figure 6 is a chromaticity variation characteristic diagram according to the ambient light illuminance, FIG. 7 is a block diagram showing an example in which the present invention is applied to a monochrome liquid crystal display device, Figure 8 is a sectional view thereof, FIG. 9 is a temperature sensor 45, a cross-sectional view of the illuminance sensor 54, FIG. 10 is a plan view of the temperature sensor, FIG. 11 shows an example in which the present invention is applied to a color liquid crystal display device block diagram, FIG. 12 is a sectional view showing a color sensor.

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】透明基板上に画素電極とソース電極とが形成され、これら画素電極及びソース電極間にわたって上記透明基板上にアモルファスシリコンの半導体層が形成され、その半導体層上にゲート絶縁膜が形成され、そのゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されてなる薄膜トランジスタを、スイッチング素子としたアクティブ液晶表示装置において、 上記画素電極と同一材でこれと同時に上記透明基板上に形成された一対の電極と、これら電極を覆って上記半導体層と同一材でこれと同時に形成されたアモルファスシリコン層と、上記アモルファスシリコン層を覆って上記ゲート絶縁膜と同一材でこれと同時に形成された絶縁膜と、その絶縁膜を覆って上記ゲート電極と同一材でこれと同時に形成された遮光層とよりなる温度センサと、 1. A pixel electrode on a transparent substrate and the source electrode is formed, the semiconductor layer of amorphous silicon on the transparent substrate over between the pixel electrode and the source electrode formation, a gate insulating film on that semiconductor layer is formed, a thin film transistor gate electrode to the gate insulating film is formed, an active liquid crystal display device with switching elements, a pair of electrodes which to have been simultaneously formed on the transparent substrate with the pixel electrode of the same material When the amorphous silicon layer formed simultaneously therewith to cover the electrodes with the same material and the semiconductor layer, an insulating layer formed simultaneously therewith in the same material and the gate insulating film covering the amorphous silicon layer, a temperature sensor more the light-shielding layer which to have been simultaneously formed in the same material as the gate electrode over the insulating film, 記画素電極と同一材でこれと同時に上記透明基板上に形成された一対の電極と、これら電極を覆って上記半導体層と同一材でこれと同時に形成されたアモルファスシリコン層と、そのアモルファスシリコン層を覆って上記ゲート絶縁膜と同一材でこれと同時に形成された絶縁膜とよりなる照度センサと、 上記透明基板の上記温度センサ及び上記照度センサと反対側の面に形成され、これら温度センサ及び照度センサをそれぞれ遮光する遮光層と、 を具備することを特徴とする液晶表示装置。 A serial pixel electrode and the same pair of formed and at the same time the transparent substrate with material electrode, an amorphous silicon layer formed simultaneously therewith in the same material and the semiconductor layer covering the electrodes, the amorphous silicon layer an illuminance sensor more the insulating film formed at the same time in the same material and the gate insulating film to cover the formed on the opposite surface with the temperature sensor and the illumination sensor of the transparent substrate, and these temperature sensors the liquid crystal display device characterized by comprising a light-shielding layer for shielding the illumination sensor, respectively, the.
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