JPH0711356A - ボンディング用Auワイヤのインゴットの製造方法 - Google Patents

ボンディング用Auワイヤのインゴットの製造方法

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JPH0711356A
JPH0711356A JP5157266A JP15726693A JPH0711356A JP H0711356 A JPH0711356 A JP H0711356A JP 5157266 A JP5157266 A JP 5157266A JP 15726693 A JP15726693 A JP 15726693A JP H0711356 A JPH0711356 A JP H0711356A
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伸 高浦
Shigeo Shioda
重雄 塩田
Koichiro Mukoyama
光一郎 向山
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】溶湯を得てから鋳造までの間により確実な攪拌
及び不純物の除去を行うようにして、99.99%のAuを用
いながら、伸線加工時における断線不良や作製されたワ
イヤの機械的特性のばらつきを低減できるインゴットの
製造方法を提供する。 【構成】99.99%以上のAuを真空若しくは不活性ガスの
減圧雰囲気中にて溶解した後、そこに所望量の添加元素
を添加する。これにより得られた溶湯a’を攪拌した
後、鋳造温度で所定時間静置して溶湯a’表面に浮上す
る不純物を除去する。除去後の溶湯a’から分析用試料
を採取し定量分析を行う。分析結果から算出されたAu
若しくは添加元素の不足分を添加する。これにより得ら
れた溶湯a’を再度攪拌し、その後、鋳造温度で再度静
置して溶湯a’表面に浮上する不純物を除去する。除去
後の溶湯からインゴットaを鋳造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のチップ電
極と外部リードを接続する為に用いるボンディング用A
uワイヤ,Au合金ワイヤのインゴットの製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種インゴットの製造方法とし
て、99.999%の高純度Auと所定量の添加元素とを真空
若しくは不活性ガスの減圧雰囲気中にて溶解するもの
(例えば特公平2-45336 号)や、これにより得られた溶
湯を攪拌しながら表面に浮上する不純物を除去した後に
インゴットを鋳造するもの等が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら従来の製造
方法においては、溶湯を攪拌しながら不純物の除去を行
うことから攪拌及び不純物の除去が不充分で、製造され
たインゴット中に添加元素の偏りが生じると共に不純物
が多く介在し、該インゴットからワイヤを作製する際の
歩留りを極端に低下させ伸線加工時に断線が多発する不
具合があると共に、出来上がったワイヤの機械的特性に
も悪影響を与えていた。
【0004】また従来の方法においては、前述の如く溶
湯の攪拌及び不純物の除去が不充分になることから、不
純物の少ない99.999%の高純度Auを用いることを余儀
無くされ、ワイヤの作製コストが高騰する欠点があっ
た。
【0005】本発明はこのような従来事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、溶湯を得て
から鋳造までの間により確実な攪拌及び不純物の除去を
行うようにして、99.99%のAuを用いながら、伸
線加工時における断線不良や作製されたワイヤの機械的
特性のばらつきを低減できる、ボンディング用Auワイ
ヤのインゴットの製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに本発明の製造方法は、請求項1では、:99.9
9%以上のAuを真空若しくは不活性ガスの減圧雰囲気
中にて溶解しこれに所望量の添加元素を添加するか、ま
たは、これと同じ組成のAu合金を真空若しくは不活性
ガスの減圧雰囲気中にて溶解する工程、:これにより
得られた溶湯を攪拌する工程、:攪拌後の溶湯を鋳造
温度で所定時間静置して溶湯表面に浮上する不純物を除
去する工程、:除去後の溶湯からインゴットを鋳造す
る工程からなることを特徴とする。
【0007】また請求項2では、上記からまでの工
程に加えて、:不純物除去後の溶湯から分析用試料を
採取し定量分析を行う工程、:分析結果から算出され
たAu若しくは添加元素の不足分を添加する工程、:
これにより得られた溶湯を再度攪拌する工程、:攪拌
後の溶湯を鋳造温度で再度静置して溶湯表面に浮上する
不純物を除去する工程、:除去後の溶湯からインゴッ
トを鋳造する工程を備えてなることを特徴とする。
【0008】
【作用】請求項1記載の方法によれば、Au原料中に含
まれていた不純物成分は攪拌中に溶湯から分離し溶湯中
の不純物として浮上してくるが、攪拌後の溶湯を鋳造温
度で所定時間静置することから、溶湯中の不純物を分
離,浮上せしめるにより充分な時間を確保でき、確実な
不純物除去が行える。よって、不純物を多く含む99.
99%のAuを用いながら、伸線加工時における断線不
良や作製されたワイヤの機械的特性のばらつきを低減で
きる。
【0009】また請求項2記載の方法によれば前述の作
用に加えて、定量分析の前,後に溶湯を静置すると共
に、その定量分析中にも静置を行えることから、溶湯中
の不純物を分離,浮上せしめるに極めて充分な時間を確
保でき、より確実な不純物除去が行える。同時に、定量
分析の前,後に溶湯の攪拌を行うことから、添加元素の
偏りのないより確実な攪拌がなされる。よって、不純物
を多く含む99.99%のAuを用いながら前述の断線
不良や機械的特性のばらつきの低減をより効果的になし
得る。
【0010】
【実施例】以下、実施例について図面を参照して説明す
る。図1に示す装置は、本発明製造方法の実施に用いる
真空溶解炉を備えた鋳造装置で、内部の真空雰囲気を維
持する装置本体1内に、るつぼ2と該るつぼ2を囲繞す
る加熱溶解用の高周波コイル3を配設してなる。装置本
体1の下面側には、るつぼ2内の溶湯a’の取出口4と
引出棒4a、前記溶湯a’を冷却しながら取出口4から取
り出すための冷却装置5、冷却された溶湯(即ち、イン
ゴットa)を連続して引き出すためのローラ6等が設け
られている。
【0011】装置本体1上面部位には、るつぼ2内の溶
湯a’を攪拌するための攪拌棒7と、その溶湯a’から
分析用のサンプルを定量採取するための採取棒8と、そ
の溶湯a’表面に浮き上がる不純物を除去するための除
去棒9とが設けられると共に、それら攪拌棒7,採取棒
8,除去棒9により夫々の作業を行う際ののぞき窓10が
開設される。
【0012】採取棒8は図2に示すように、先端外周に
凹部81を多段状に形成した軸部8aと、その軸部8a外周に
回動自在に嵌装した筒状カバー8bからなる。前記カバー
8bには凹部81を開閉するための開孔82が多段状に設けら
れ、筒状カバー8bの回動で凹部81を開閉して、凹部81内
に溶湯a’のサンプルを採取できるようになっている。
【0013】装置本体1の内部には、上記採取棒8の挿
通孔11に連通する前室12が設けられる。前室12は、隔壁
13を介して本体1内部と区画され、その隔壁13に通孔14
と開閉扉14aを設けてなる。そうして、採取棒8の出し
入れを行うに際し、一旦前室12内にて待機させた状態で
開閉扉14aを開閉して前室12内を真空若しくは大気中雰
囲気にし、本体1内部の真空雰囲気を維持できるように
なっている。
【0014】装置本体1の側面部位には、るつぼ2内へ
の99.99%以上のAuまたは母合金若しくは添加元素の供
給を行うための供給口15と開閉扉15a が設けられる。装
置本体1内部にはそれら供給口15に連通する前室16が設
けられ、前室16は隔壁17により本体1内部と区画され
る。隔壁17には通孔18と開閉扉18a が設けられる。上記
供給口15の下方には、先端部分を前室16内に位置せしめ
た添加棒19を摺動自在に挿通する。そうして、添加棒19
の摺動操作によって上記Au,母合金,添加元素等をる
つぼ2に供給するに際し、扉15a ,18a の時差開閉によ
り前室16内を真空若しくは大気中雰囲気にして、本体1
内部の真空雰囲気を維持できるようになっている。
【0015】以下に、上記の装置を用いた本発明の製造
方法について説明する。 (第1工程)まず、99.99%以上のAuをるつぼ2に入
れ、装置本体1内を減圧して真空雰囲気とした後にAr
等の不活性ガスを導入し、その状態でるつぼ2内を加熱
してAuを溶解せしめる。その後、所望量の添加元素を
金属単体若しくは母合金で供給口15から添加棒19の先端
部19a にのせ、扉15a を閉じて前室16内を減圧して真空
雰囲気とした後に扉18a を開き、添加棒19を摺動操作し
てるつぼ2内に供給し、扉18a を密閉した後るつぼ2内
を加熱して添加元素を溶解せしめる。
【0016】(第2工程)次に、上記のようにして得ら
れた溶湯a’を、攪拌棒7を回動させて均一に攪拌す
る。
【0017】(第3工程)攪拌後、その溶湯a’を鋳造
温度で所定時間(本実施例では10分)静置し、溶湯a’
表面に浮上する不純物を除去棒9で除去する。
【0018】(第4工程)不純物除去後の溶湯a’か
ら、採取棒8を操作して分析用試料を採取して定量分析
を行い、その結果から設定比率に対して不足している9
9.99%以上のAu若しくは合金元素の補充量を算出す
る。このようにして溶湯a’からサンプルを採取して成
分分析を行うことは、その分析に掛かる時間だけ溶湯を
静置することができ、不純物の分離,除去に極めて有用
である。さらに、溶湯a’段階で成分分析を行って不足
する99.99%以上のAu若しくは合金元素を添加できるの
で、出来上がったインゴットaの成分比率を当初の設定
比率により近いものとし得る。
【0019】(第5工程)上記算出された99.99%以上の
Au若しくは合金元素を、添加棒19を用いて、その補充
量だけるつぼ2内に供給する。
【0020】(第6工程)添加後、攪拌棒7を再度回動
させて均一に溶解,攪拌する。
【0021】(第7工程)攪拌後、静置により溶湯a’
表面に浮上する溶湯a’内の不純物を除去棒9で再度除
去する。
【0022】(第8工程)不純物の除去後、引出棒4aを
引き抜き、冷却装置5で冷却された溶湯a’、即ちイン
ゴットaを取出口4から連続して引き出す。
【0023】以下に、上記のようにして得られたインゴ
ットaの特性に関する試験結果を説明する。表1中の本
発明実施品は請求項2に記載される製造方法、即ち、上
述の第1工程から第8工程を経て得られた20Kgのインゴ
ットから通常の工程を経て伸線加工したボンディング用
ワイヤ、従来品は従来の製造方法で得た20Kgのインゴッ
トから通常の工程を経て伸線加工したボンディング用ワ
イヤで、これら両者について、伸線加工した際のインゴ
ット1Kg当りの断線回数と、φ25μmまで伸線したワイ
ヤにおける機械的特性のばらつきを測定した。結果も表
中に記す。
【0024】
【表1】
【0025】以上の測定結果から、99.99%のAuを用い
てなる本発明実施品が、従来の方法からなる比較品に比
して、伸線加工時における断線不良や作製されたワイヤ
の機械的特性のばらつきの改善に、極めて優れた特性を
奏することが確認できた。
【0026】尚、本実施例においては上述の如く、第1
工程において99.99%以上のAuを真空雰囲気中にて溶解
しこれに所望量の添加元素を添加するものとしたが、こ
れと同じ組成のAu合金を真空若しくは不活性ガスの減
圧雰囲気中にて溶解するものとしても上記同様の作用効
果を得ることができる。
【0027】表2中に示す本発明実施品は、請求項1に
記載される製造方法、即ち、上述の第1工程から第3工
程を経た後、第4工程から第7工程を省略して直接第8
工程に至った場合に得られた20Kgのインゴットから通常
の工程を経て伸線加工したボンディング用ワイヤで、該
ワイヤについて、伸線加工した際のインゴット1Kg当り
の断線回数と、φ25μmまで伸線したワイヤにおける機
械的特性のばらつきを測定した。結果も同表中に記す。
【0028】
【表2】
【0029】以上の測定結果によれば、前述の実施例に
より得られる表1中の結果よりはやや劣るものの、同表
1中に記載される従来の方法からなる比較品に比して、
伸線加工時における断線不良や作製されたワイヤの機械
的特性のばらつきの改善に優れた特性を奏することが確
認できた。
【0030】
【発明の効果】本発明に係るインゴットの製造方法によ
れば、溶湯中の不純物を分離,浮上せしめるに極めて充
分な時間を確保でき、より確実な不純物除去が行えると
同時に、添加元素の偏りのないより確実な攪拌がなされ
る。
【0031】従って、作製されるワイヤの伸線加工時に
おける断線不良や機械的特性のばらつき改善に優れた特
性を奏するインゴットを、99.99%以上のAuを用
いて低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る製造方法の実施に用いる装置の一
例を示す縦断正面図。
【図2】図1に示す装置の採取棒の要部を拡大して示す
断面図。
【符号の説明】
1:装置本体 2:るつぼ
7:攪拌棒 8:採取棒 9:除去棒
a’:溶湯 a:インゴット

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 99.99%以上のAuを真空若しくは
    不活性ガスの減圧雰囲気中にて溶解しこれに所望量の添
    加元素を添加するか、これと同じ組成のAu合金を真空
    若しくは不活性ガスの減圧雰囲気中にて溶解する第1工
    程、これにより得られた溶湯を攪拌する第2工程、攪拌
    後の溶湯を鋳造温度で所定時間静置して溶湯表面に浮上
    する不純物を除去する第3工程、除去後の溶湯からイン
    ゴットを鋳造する第4工程からなることを特徴とするボ
    ンディング用Auワイヤのインゴットの製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の第1工程から第3工程ま
    でに加えて、不純物除去後の溶湯から分析用試料を採取
    し定量分析を行う第4工程、分析結果から算出されたA
    u若しくは添加元素の不足分を添加する第5工程、これ
    により得られた溶湯を再度攪拌する第6工程、攪拌後の
    溶湯を鋳造温度で再度静置して溶湯表面に浮上する不純
    物を除去する第7工程、除去後の溶湯からインゴットを
    鋳造する第8工程を備えてなることを特徴とするボンデ
    ィング用Auワイヤのインゴットの製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003048052A (ja) * 2001-08-02 2003-02-18 Nittetsu Micro Metal:Kk 伸線用インゴットの製造方法及び製造装置
KR100840402B1 (ko) * 2006-08-21 2008-06-23 포항공과대학교 산학협력단 감압 유도 용해로를 이용한 합금 제조 방법
JP2008254056A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンディングワイヤ用母材の製造方法およびボンディングワイヤ
JP2009527111A (ja) * 2006-02-13 2009-07-23 ヴェー ツェー ヘレーウス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ボンディングワイヤ
CN114921656A (zh) * 2022-05-17 2022-08-19 有研亿金新材料有限公司 降低高纯金碳含量的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003048052A (ja) * 2001-08-02 2003-02-18 Nittetsu Micro Metal:Kk 伸線用インゴットの製造方法及び製造装置
JP4672203B2 (ja) * 2001-08-02 2011-04-20 株式会社日鉄マイクロメタル 金ボンディングワイヤ用インゴットの製造方法
JP2009527111A (ja) * 2006-02-13 2009-07-23 ヴェー ツェー ヘレーウス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ボンディングワイヤ
KR100840402B1 (ko) * 2006-08-21 2008-06-23 포항공과대학교 산학협력단 감압 유도 용해로를 이용한 합금 제조 방법
JP2008254056A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンディングワイヤ用母材の製造方法およびボンディングワイヤ
CN114921656A (zh) * 2022-05-17 2022-08-19 有研亿金新材料有限公司 降低高纯金碳含量的方法
CN114921656B (zh) * 2022-05-17 2024-01-26 有研亿金新材料有限公司 降低高纯金碳含量的方法

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