JPH07110303A - 表面検査方法および表面検査装置 - Google Patents

表面検査方法および表面検査装置

Info

Publication number
JPH07110303A
JPH07110303A JP25594293A JP25594293A JPH07110303A JP H07110303 A JPH07110303 A JP H07110303A JP 25594293 A JP25594293 A JP 25594293A JP 25594293 A JP25594293 A JP 25594293A JP H07110303 A JPH07110303 A JP H07110303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
reflected
reflected light
inspected
blocking member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25594293A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihisa Taki
善久 瀧
Toru Kato
徹 加藤
Mitsuyoshi Koizumi
光義 小泉
Kenji Aiko
健二 愛甲
Nobuo Suzuki
信男 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP25594293A priority Critical patent/JPH07110303A/ja
Publication of JPH07110303A publication Critical patent/JPH07110303A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【構成】 被検査物の検査対象表面へ、斜めに光を照射
し、該光の反射光の強度を計測する表面検査方法におい
て、上記反射光の強度を計測する受光部の見込む視野を
制限する。これにより、内部反射光を遮断する。なお、
さらに、上記視野の中心部に遮断部材を置くことが望ま
しい。これにより、直接反射光を遮断し、検査精度を向
上させることができる。 【効果】 被検査物の表面が透視可能であっても、その
表面の検査を行なうことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面の異物の有無の検
査、表面状況の違いによる選別などに用いることのでき
る、物体の表面検査方法、および、表面検査装置に係
り、特に、磁気ヘッド、半導体など、表面が透視可能な
物質に覆われている物体の、透視可能な表面の検査に好
適な表面検査方法、および表面検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】物体表面の検査方法としては、物体表面
に斜方より光を当て、反射光をとらえて表面の異物や傷
などを検出する方法などの表面検査方法が、従来より知
られている。しかし、この方法では、被検査物の表面が
透明な場合、被検査物内部に存在する界面からの反射光
と、被検査物の表面の異物等からの反射光とを区別する
ことができず、十分な信頼性のある検査結果が得られな
かった。
【0003】また、透視可能な表面を有する物体の表面
に垂直に光を当てその反射光を落射式光学系(顕微鏡
等)により捕らえて、表面および内部の異物や傷などを
検出する方法が知られている。しかし、この方法でも、
表面の異物と内部の異物とを区別することはできない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、透視可
能な表面を有する物体の、表面のみの検査に用いること
のできる検査方法は、知られていなかった。これは、物
体の透視可能な表面を検査しようとしても、表面からの
反射光の検出信号に、透視物内部の不透視物等による反
射光の信号が重畳してしまい、表面と内部の信号の切り
分けが困難であったためである。ゆえに、従来の方法を
用いて、表面の定量検査を行うことは困難であった。
【0005】そこで本発明は、被検査物が透視可能な表
面を有していても、該表面の検査に用いることのでき
る、表面検査方法および表面検査装置を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、被検査物の検査対象表面へ、斜めに光
を照射し、該光の反射光の強度を計測する表面検査方法
において、上記反射光の強度を計測する受光部の見込む
視野を制限する。
【0007】なお、さらに、上記視野の中心部に遮断部
材を置くことが望ましい。これは、直接反射光を遮断し
て、表面の異物等に起因する散乱光のみを測定すること
により、S/N比を向上させることができるためであ
る。
【0008】また、本発明では、被検査物の表面に斜め
の入射光を照射する斜方照明系と、上記入射光の反射光
の強度を信号化する受光光学系と、該入射光の照射位置
を変化させるための搬送系と、該受光系より出力された
信号を処理する検出信号処理系と、斜方照明系、搬送
系、および検出信号処理系の動作を制御する制御装置と
を備える表面検査装置が提供される。ここで、上記受光
光学系は、受けた光の強度に応じて電気信号を出力する
光電気変換器を有し、さらに、上記入射光の照射位置か
ら上記光電気変換器までの反射光の光路内に、拡散する
上記反射光を集光するための対物レンズと、検査対象表
面以外の界面からの反射光を遮断する光分離用遮断部材
とを有する。
【0009】なお、上記受光光学系の、上記入射光の照
射位置から上記光電気変換器までの反射光の光路内に、
検査対象表面からの直接反射光を遮断する直接光遮断部
材を設けることが望ましい。これは、計測対象の反射光
から、直接反射光を除き、表面の異物等により散乱光の
みを計測することにより、検査のS/N比を向上させる
ことができるためである。
【0010】
【作用】図4に示すように、被検査物2が内部に不透視
物3を含有する透視物である場合、被検査物2の表面1
に垂直に落射照明光4を照射すると、被検査物2の表面
反射光5と、透視物2の内部にある不透視物3の反射光
(内部反射光)6とが同一経路となるため、透視物表面
1の反射光(表面反射光)5のみを内部反射光6から分
離して測定することは困難である。
【0011】このため、本発明では、図2(a)に示す
ように、斜方より光7を照射することで、光7の反射光
を、被検査物2の表面で反射した表面反射光9、10
と、被検査物2の内部で反射した内部反射光12とに分
離する。図2(a)は、本発明における光の経路を模式
的に表した説明図である。
【0012】入射光7は、被検査物2の表面1で、一部
が表面反射光9、10として反射し、残りが、被検査物
2の外界とは屈折率の異なる物質よりなる透視物2内部
に入り、屈折光11として示した光路を進む。なお、表
面反射光は、検査対象表面1に反射した直接反射光9
と、表面の汚れ(しみ、ゴミ、傷等)により入射光7が
散乱した散乱光10とよりなる。屈折光11は、内部の
異物3等、屈折率の異なる物質との界面で反射し、内部
反射光12となる。このとき、入射光7が斜めに入射す
ることにより、内部反射光12が表面1から出る位置
は、照射位置35から離れた場所になる。本発明は、こ
れを利用して、内部反射光12と表面反射光9、10と
を分離している。
【0013】なお、被検査物2として内部に磁気ヘッド
素子を有するアルミナ基板(アルミナは、磁気ヘッド用
アルミナとして一般に知られている組成のアルミナであ
る)を用いる場合、検査対象の表面から内部の磁気ヘッ
ド素子までの深さが20μm以上である場合、入射光7
の入射角(検査対象表面の法線と入射光7とのなす角)
は、60〜75°の間にあることが、最適な光分離性能
を得る上で好ましい。なお、ここでアルミナ基板とは、
セラミック板上に、アルミナ膜と磁気ヘッド素子とを順
次焼き付け、アルミナ膜で覆ったものである。ここで
は、アルミナ基板のアルミナ層(内部に磁気ヘッド素子
が存在している)を検査対象として想定した。
【0014】検査対象表面1に対して斜めに入射光7を
照射することにより、表面反射光9、10の径路と、内
部反射光12の経路とを異ならせることができるため、
内部反射光12の光路に、内部反射光12を遮断する光
分離用遮断部材15を設ける事で、受光部(光電気変換
器)の見込む視野を制限し、表面反射光9、10のみを
光電気変換器17に受けることができる。
【0015】なお、上記磁気ヘッド素子を有するアルミ
ナ基板の場合、光電気変換器17の約2mm前に、表面
反射光9、10を通すための100〜200μm幅のス
リットを有する光分離用遮断部材15を設けることで、
内部反射光12を遮断することができる。また、本発明
においては、反射光9、10、12の光路に、反射光を
集光するための対物レンズ13を配置し、反射光強度を
効率よく測定できる。
【0016】なお、入射光7の照射位置35から光電気
変換器17までの反射光の光路内の、光電気変換器の見
込む視野の中心部に、検査対象表面1からの直接反射光
9を遮断する直接光遮断部材14を設けると、検出精度
を向上させることができる。
【0017】検査対象表面1が清浄で平らな場合、入射
光7の表面反射光は、すべて直接反射光9として反射さ
れるが、検査対象表面1に汚れ(異物、しみ、傷など)
8があると、入射光7の一部は、汚れ8により乱反射し
て散乱光10となる。すなわち、表面に汚れ8が存在す
ると、表面反射光は、性質の異なる2種類の光として反
射される。これらの光を対物レンズ13で集光し、受け
た光の強度に応じて電気信号を出力する光電気変換器1
7に照射すると、光電気変換器17の出力する信号の電
圧は、図2(b)に示すようになる。汚れ8の存在する
表面の反射光による信号電圧19は、清浄表面の直接反
射光9による信号電圧18より低くなる。これは、汚れ
8による散乱光10の強度が、散乱のため直接反射光9
の強度より低くなることに起因する。
【0018】そこで、直接反射光9を遮断し、散乱光1
0のみを通過させる直接光遮断部材14を反射光の光路
内に設けることで、清浄表面に光を照射したときに得ら
れる信号電圧と、汚れの付着した表面に光を照射したと
きに得られる信号電圧との差を大きくすることが好まし
い。直接光遮断部材14を設けた場合の、光電気変換器
17の出力信号の電圧を図2(c)に示す。このように
すれば、清浄表面に光7を照射しても、直接反射光が遮
断されるため、光電気変換器17に入射する光が僅かに
なり、その光による信号の電圧21も微小なものにな
る。一方、汚れ8の存在する表面に光7を照射した場
合、汚れ8による散乱光10は、ほとんど遮断されるこ
となく光電気変換器17に到達するため、このとき出力
される信号の電圧22も、清浄表面の信号の電圧21に
比べてはるかに大きいものになる。ゆえに、信号電圧2
2と、信号電圧21との比は、直接光遮断部材14が無
い場合の信号電圧19と信号電圧18との比より大きく
なり、S/N比が向上する。
【0019】なお、上記磁気ヘッド用のアルミナ基板の
場合、2〜3mm幅の帯状の直接光遮断部材を用いれ
ば、直接反射光9を遮断できる。
【0020】
【実施例】次に、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。
【0021】(実施例1)本発明の一実施例である表面
検査装置の構成を図5に示す。本実施例の表面検査装置
は、被検査物2の表面1に斜めの入射光7を照射するた
めの斜方照明系と、該入射光7の被検査物2からの反射
光から、内部の非透過物等3による反射光12を除き、
表面1の直接反射光9と、汚れ(ゴミ、傷、しみなどの
表面の異常)8の凹凸による散乱光10のみを信号化す
る受光光学系と、被検査物2の表面1の検査箇所を変化
させるための搬送系と、上記受光系より出力された信号
を処理する検出信号処理系と、上記斜方照明系、上記搬
送系、および上記検出信号処理系の動作を制御する制御
装置とを備える。
【0022】上記斜方照明系は、レ−ザ電源28と、半
導体レーザ光源24と、集光レンズ26とを有し、75
°の入射角(被検査物2の表面1の法線と入射光7との
なす角)で被検査物表面1の検査箇所35にレーザー光
7を照射する機能を有する。
【0023】上記受光光学系は、拡散する反射光を集光
するための対物レンズ13と、被検査物表面1以外の界
面(被検査物2の検査対象表面1以外の表面や、被検査
物2の内部に存在する異物等との界面)からの反射光
(内部反射光)12を除くための光分離用遮断部材15
と、受けた光の強度に応じて電気信号を出力する光電気
変換器であるイメージセンサ17とを有する。
【0024】上記搬送系は、被検査物2を定められた方
向に定められた速度で搬送する搬送機構29と、該搬送
機構29の搬送速度等に関する制御のための情報の入力
を受け付ける制御盤とを有する。本実施例では、搬送機
構29は被検査物2を搬送するが、斜方照明系および受
光系を搬送するものであってもよい。
【0025】上記検出信号処理系は、画像処理装置31
を有し、上記受光系のイメージセンサ17より出力され
た信号を受け、該信号を処理して検査結果を得、該検査
結果を出力する機能を有する。
【0026】上記制御装置は、中央処理装置(CPU)
32と、入出力装置33とを有し、上記検出信号処理系
より出力された検査結果、および、入出力装置33を介
して入力を受け付けた動作指示に応じて、上記斜方照明
系、上記搬送系、および上記検出信号処理系の動作を制
御する。
【0027】斜方照明としての光源である半導体レ−ザ
24より照射される半導体レ−ザ光25は、集光レンズ
26で集光強化された半導体レ−ザ光7となり、被検査
物2の表面1に、斜めに入射される。本実施例の入射角
は、上述のように約75°である。
【0028】本実施例の被検査物2は、滑らかで平らな
表面1を有し、内部を透視可能な物質であるアルミナに
より形成された透明な板(幅1mm、長さ2mm)であ
り、内部に不透明な薄膜ヘッド素子である不透視物3を
有している。なお、上記薄膜ヘッド素子は、表面から3
0μmの深さの位置に設けられている。被検査物2が透
明であるため、入射光7は被検査物2の表面1で、2系
統の光に分離される。すなわち、一部は表面1で反射し
て表面反射光となり、残りは被検査物2の内部に侵入し
て屈折光11になる。屈折光11は、被検査物2の内部
の不透視物3や、被検査物2の入射した表面1以外の表
面で反射され、内部反射光12となる。
【0029】被検査物2の表面1に、異物(しみ、傷、
汚れなど)8がなければ、表面反射光はほぼすべて直接
反射光9となるが、異物8があると、入射光7の表面反
射光は、一部が直接反射光9となり、残りの一部は表面
1の異物により乱反射し、散乱光10となる。
【0030】対物レンズ13は、表面反射光(9および
10)および内部反射光12を入射させることのできる
位置に設置されており、これらの光は、レンズ13によ
って集光される。この対物レンズ13への入射光のう
ち、内部反射光12を除去するため、本実施例では、対
物レンズ13とイメージセンサ17との間に、光分離用
遮断部材15を設け、選別された光(表面反射光)のみ
がイメ−ジセンサ17に到達するようにしている。
【0031】上記光分離用遮断部材15として、本実施
例では、1次元の信号取り込みのため中央に幅100μ
m、長さ30mmのスリットを有する板材(厚さ50μ
m、縦2mm、横12.8mm)を使用した。なお、本
実施例では、該板材として、黒色アルマイト処理を施し
たアルミニウム板を用いたが、表面が黒色で、無反射の
部材であり、所定の形状を維持できるものであれば、ど
のような素材を用いてもよい。また、上記光分離用遮断
部材15の形状は、信号取り込み形態に合わせ、上記機
能を満たすものであれば、スリット構造ではなくてもよ
い。
【0032】イメ−ジセンサ17に到達した光は、電気
信号に変換される。本実施例では、イメージセンサ17
として、ラインセンサ(縦0.5mm、横12.8m
m)を使用している為、信号は1次元の採り込みとな
る。被検査物2表面の全域に亘り信号を採り込むため、
本実施例では搬送機構29により被検査物2を、あらか
じめ定められた一定速度(本実施例では60mm/秒)
で搬送する。搬送機構29により、被検査物2が一定の
速度で移動するため、検査箇所(入射光7の照射箇所)
35が一定速度で移動する。これにより、画像処理装置
31には、一定時間ごとに測定された反射光の強度が順
次蓄積されることになる。この被測定物全域の情報につ
いて、画像処理装置31は、例えば2値化処理(あるレ
ベルより大きいものを1とし、小さいものを0とする2
種類の信号に分ける処理)し、異物の部分の信号のみの
取り出しを行なう。この信号数をカウントすることで、
CPU32は汚れレベルを判定し、入出力装置33に出
力する。
【0033】本実施例では、表面1上の上記異物8とし
て、加工残渣、加工液、ワックス等が付着している被検
査物2を用い、表面反射光の強度を測定することにより
S/N比を測定したところ、その値は約1であった。
【0034】斜方から照明し、反射光を斜方で検出する
ことで、被検査物表面1での反射光と被検査物内部から
の反射光との光路が分離される。さらに、光分離用遮断
部材15を反射光の光路内に配置することで、被検査物
2内部からの反射光を除き、表面反射光のみを抽出する
ことができる。これにより、たとえ被検査物2が透明な
ものであっても、被検査物2内部の影響を受けずに、被
検査物2の表面1のみを検査できる。
【0035】(実施例2)本実施例では、S/N比を向
上させるため、表面反射光(9および10)のうち、直
接反射光9を除き、散乱光12のみがイメージセンサ1
7に到達するようにした。本実施例の構成を図3に示
す。直接反射光9を除くため、本実施例では、レンズ1
3とイメージセンサ17との間に、直接光遮断部材14
を設けた。他の構成は実施例1と同様である。本実施例
における受光光学系の各部材の配置を図1に示す。図1
(a)は、各部材の配置関係を示す模式的外観斜視図で
あり、図1(b)は、各部材間の距離を示す説明図であ
る。図1(a)に示すように、本実施例の受光光学系に
は、反射光(表面反射光および内部反射光)の光路に、
レンズ13、直接光遮断部材14、光分離用遮断部材1
5、イメージセンサ17が、この順で設けられている。
また、各部材間の距離は、図1(b)に示すように、本
実施例では、入射光7の照射箇所35からレンズ13ま
での距離は33mmであり、レンズ13から直接光遮断
部材14までの距離は18mmであり、直接光遮断部材
14から光分離用遮断部材15までの距離は192mm
であり、光分離用遮断部材15からイメージセンサ17
までの距離は2mmである。なお、図1では、図を見や
すくするために内部反射光12の図示は省略した。
【0036】上記直接光遮断部材14として、本実施例
では、帯状の部材(厚さ50μm、幅2mm、長さ8.
5mm)を使用した。なお、本実施例では、該帯状部材
として、黒色アルマイト処理を施したアルミニウム板を
用いたが、表面が黒色で、無反射の部材であり、所定の
形状を維持できるものであれば、どのような素材を用い
てもよい。また、上記直接光遮断部材14の形状は、信
号取り込み形態に合わせ、上記機能を満たすものであれ
ば、いかなる形状でもよく、帯状部材ではなくてもよ
い。
【0037】対物レンズ13に入射した光のうち、直接
光遮断部材14および光分離用遮断部材15とを通過す
るのは、散乱光10の一部のみである。この、遮断部材
14、15を通過した反射光16のみを測定すること
で、S/N比を向上させることができる。本実施例にお
けるS/N比は、約15であった。また、信号強度は、
5〜7μm程度の凹凸を有する異物8の検査において、
0.3Vであった。
【0038】本実施例2のように、直接光遮断部材14
を反射光の光路内に設けることで、直接反射光9の遮断
が可能となるため、散乱光10のみの信号を測定するこ
とができS/N比を向上させることができる。
【0039】(実施例3)実施例2と同様の表面検査装
置を用いて、不透視物の表面の検査を行なったところ、
同様の結果が得られた。これは、被検査物内部からの反
射光12が存在する表面が透明な物体の場合も、内部反
射光12が光分離用遮断部材15により除かれるため、
内部反射光12が存在しない不透視物と同様に異物によ
る散乱光10を測定できるからであると考えられる。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、被検査物の表面が透視
可能であっても、その表面の検査を行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】受光光学系の各部材の配置を示す説明図であ
る。
【図2】斜方照明と光分離用遮断部材および直接光遮断
部材とによる散乱光の抽出の説明図である。
【図3】光分離用遮断部材および直接光遮断部材を有す
る表面検査装置の構成図である。
【図4】従来方法(透視物落射照明方法)を示す説明図
である。
【図5】光分離用遮断部材を有する表面検査装置の構成
図である。
【符号の説明】
1…被検査物表面、 2…被検査物、 3…被検査物内
部の不透視物、 4…落射照明光、 5…被検査物表面
の反射光、 6…不透視物反射光、 7…斜方照明光、
8…異物、 9…直接反射光、 10…異物による散
乱光、 11…被検査物表面での屈折光、 12…被検
査物内部の不透視物による反射光、 13…対物レン
ズ、 14…直接光遮断部材、 15…光分離用遮断部
材、 16…遮断部材を通過した反射光、 17…イメ
−ジセンサ、 18…清浄表面の直接反射光による信号
電圧(直接光遮断部材無し)、 19…異物部の信号電
圧(直接光遮断部材無し)、 21…清浄表面の直接反
射光による信号電圧(直接光遮断部材有り)、 22…
異物部の信号電圧(直接光遮断部材有り)、 24…半
導体レ−ザ、 25…半導体レ−ザ光、 26…集光レ
ンズ、 28…半導体レ−ザ電源、 29…搬送機構、
30…制御盤、 31…画像処理装置、 32…CP
U、 33…入出力装置、 35…検査箇所。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 光義 東京都千代田区大手町2丁目6番2号 日 立電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 愛甲 健二 東京都千代田区大手町2丁目6番2号 日 立電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 鈴木 信男 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被検査物の検査対象表面へ、斜めに光を照
    射し、該光の反射光の強度を計測する表面検査方法にお
    いて、 上記反射光の強度を計測する受光部の見込む視野を制限
    することを特徴とする表面検査方法。
  2. 【請求項2】請求項1において、 前記視野の中心部に遮断部材を置くことを特徴とする表
    面検査方法。
  3. 【請求項3】被検査物の表面に斜めの入射光を照射する
    斜方照明系と、 上記入射光の反射光の強度を信号化する受光光学系と、 上記入射光の照射位置を変化させるための搬送系と、 上記受光系より出力された信号を処理する検出信号処理
    系と、 上記斜方照明系、上記搬送系、および上記検出信号処理
    系の動作を制御する制御装置とを備え、 上記受光光学系は、 受けた光の強度に応じて電気信号を出力する光電気変換
    器を有し、 さらに、上記入射光の照射位置から上記光電気変換器ま
    での反射光の光路内に、 拡散する上記反射光を集光するための対物レンズと、 検査対象表面以外の界面からの反射光を遮断する光分離
    用遮断部材とを有することを特徴とする表面検査装置。
JP25594293A 1993-10-13 1993-10-13 表面検査方法および表面検査装置 Pending JPH07110303A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25594293A JPH07110303A (ja) 1993-10-13 1993-10-13 表面検査方法および表面検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25594293A JPH07110303A (ja) 1993-10-13 1993-10-13 表面検査方法および表面検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07110303A true JPH07110303A (ja) 1995-04-25

Family

ID=17285721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25594293A Pending JPH07110303A (ja) 1993-10-13 1993-10-13 表面検査方法および表面検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07110303A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7267750B2 (en) 2001-01-17 2007-09-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Biosensor
JP2011203223A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7267750B2 (en) 2001-01-17 2007-09-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Biosensor
JP2011203223A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5076692A (en) Particle detection on a patterned or bare wafer surface
KR0127686B1 (ko) 결함용 레티클 검사장치 및 방법
US5037202A (en) Measurement of size and refractive index of particles using the complex forward-scattered electromagnetic field
US7643139B2 (en) Method and apparatus for detecting defects
US3814946A (en) Method of detecting defects in transparent and semitransparent bodies
KR100228026B1 (ko) 이물질 검사를 위한 방법 및 장치
US4402607A (en) Automatic detector for microscopic dust on large-area, optically unpolished surfaces
KR930011703B1 (ko) 십자선 검사장치 및 방법
JP2002188999A (ja) 異物・欠陥検出装置及び検出方法
EP0991935A1 (en) Method and installation for inspecting an article for defects
JP5889699B2 (ja) 磁気メディアの光学式検査方法及びその装置
JPH0518889A (ja) 異物検査方法およびその装置
US9500582B2 (en) Method for detecting buried layers
JPS6129453B2 (ja)
JPH07110303A (ja) 表面検査方法および表面検査装置
JPH0256626B2 (ja)
JP3102493B2 (ja) 異物検査方法及びその装置
CN111638226B (zh) 检测方法、图像处理器以及检测系统
JP3280401B2 (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JPH09281051A (ja) 検査装置
JPH06103272B2 (ja) X線露光用マスクのマスク上異物検査方法
JP3020546B2 (ja) 異物検査装置
JPH05188004A (ja) 異物検出装置
JPH03115844A (ja) 表面欠点検出方法
JPH0431748A (ja) 透明板状体の欠点検査方法