JPH07109913B2 - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
- Publication number
- JPH07109913B2 JPH07109913B2 JP3062480A JP6248091A JPH07109913B2 JP H07109913 B2 JPH07109913 B2 JP H07109913B2 JP 3062480 A JP3062480 A JP 3062480A JP 6248091 A JP6248091 A JP 6248091A JP H07109913 B2 JPH07109913 B2 JP H07109913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mode
- laser
- etalon
- pump
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/08022—Longitudinal modes
- H01S3/08031—Single-mode emission
- H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094034—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a dye
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
- H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0078—Frequency filtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザに関し、特に、
光学的にポンピングされるモードロックレーザに関す
る。
光学的にポンピングされるモードロックレーザに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】連続波（ＣＷ）モードロックレーザは、
極短光パルスを生成するのに重要である。このようなレ
ーザ（例：衝突パルスモードロックレーザ）は、ピコ秒
以下の光パルスの安定な光源である。この極短光パルス
は、分光学から電気光サンプリングまでの技術の超高速
現象の観察に使用される。
極短光パルスを生成するのに重要である。このようなレ
ーザ（例：衝突パルスモードロックレーザ）は、ピコ秒
以下の光パルスの安定な光源である。この極短光パルス
は、分光学から電気光サンプリングまでの技術の超高速
現象の観察に使用される。
【０００３】種々の型のノイズがＣＷモードロックレー
ザからの極短光パルスに付随することが知られている。
そのようなレーザのノイズは、振幅ノイズと位相ノイズ
とに分類できる。Ｕ．Ｋｅｌｌｅｒ他の論文（ＩＥＥＥ
Ｊ．ＱｕａｎｔＥＬＥＣＴ．の第２５巻３号の２８０−
２８８ページ）とｖｏｎ ｄｅｒ Ｌｉｎｄｅ他の論文
（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．Ｂ，３９ ２０１−２１７ペ
ージ）を参照のこと。
ザからの極短光パルスに付随することが知られている。
そのようなレーザのノイズは、振幅ノイズと位相ノイズ
とに分類できる。Ｕ．Ｋｅｌｌｅｒ他の論文（ＩＥＥＥ
Ｊ．ＱｕａｎｔＥＬＥＣＴ．の第２５巻３号の２８０−
２８８ページ）とｖｏｎ ｄｅｒ Ｌｉｎｄｅ他の論文
（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．Ｂ，３９ ２０１−２１７ペ
ージ）を参照のこと。
【０００４】この振幅ノイズは、実験では高感度性能を
制限しながら、信号検知バンド幅内の測定変動の原因と
なる。この高感度は、ショットノイズ処理のみに制限さ
れる感度を意味する。また、位相ノイズは、実験の仮分
解能を低下させる測定ノイズを生成する。
制限しながら、信号検知バンド幅内の測定変動の原因と
なる。この高感度は、ショットノイズ処理のみに制限さ
れる感度を意味する。また、位相ノイズは、実験の仮分
解能を低下させる測定ノイズを生成する。
【０００５】光プローブビームが測定下の変数に比例し
て変調されるような光プローブの実験では、光プローブ
ビームを生成するレーザの振幅スペクトルを理解するこ
とは重要である。従来技術ではレーザの振幅スペクトル
の理解は、スペクトル中に現れるソースノイズを分析せ
ずに、スペクトルを単に分析するのみであった。振幅ス
ペクトルのノイズの影響を除去するかまたは改善する技
術が工夫されている。それは、例えば、検知バンド幅の
減少またはチョッピング技術による検知信号のより高い
周波数への移行である。
て変調されるような光プローブの実験では、光プローブ
ビームを生成するレーザの振幅スペクトルを理解するこ
とは重要である。従来技術ではレーザの振幅スペクトル
の理解は、スペクトル中に現れるソースノイズを分析せ
ずに、スペクトルを単に分析するのみであった。振幅ス
ペクトルのノイズの影響を除去するかまたは改善する技
術が工夫されている。それは、例えば、検知バンド幅の
減少またはチョッピング技術による検知信号のより高い
周波数への移行である。
【０００６】振幅ノイズは、プローブビームの光学強度
の変動を引き起こす。検知バンド幅内に強度変動を生じ
ると、測定された変数の対応する変動は、測定値のＳＮ
比を悪化させる。検知バンド幅を減少することにより、
測定装置に入力される振幅ノイズの量を減らすことが可
能である。都合の悪いことに、この方法を光学プローブ
実験に用いると、長い測定時間が必要となり、測定変数
の長期間変動の影響を受けやすくなってしまう。
の変動を引き起こす。検知バンド幅内に強度変動を生じ
ると、測定された変数の対応する変動は、測定値のＳＮ
比を悪化させる。検知バンド幅を減少することにより、
測定装置に入力される振幅ノイズの量を減らすことが可
能である。都合の悪いことに、この方法を光学プローブ
実験に用いると、長い測定時間が必要となり、測定変数
の長期間変動の影響を受けやすくなってしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この問題を解決するた
めに、提案されている方法は、チョッピング技術による
検知信号のより高い周波数への移行である。その理由
は、多くのレーザのノイズは、周波数の増加と共に減少
するからである。チョッピング周波数における残留振幅
ノイズは、ある測定時間での最低検知信号を制限するこ
とにより、感受性を減少させる。振幅ノイズピークが、
パワースペクトルに現れると、通常の技術でこのチョッ
ピング周波数をノイズピークから離すようにする。衝突
パルスモードロックレーザのようなレーザでは、ノイズ
ピークは、通常の間隔で、背景ノイズレベルの４０ｄＢ
以上で数百ｋＨｚの幅をもって発生する。
めに、提案されている方法は、チョッピング技術による
検知信号のより高い周波数への移行である。その理由
は、多くのレーザのノイズは、周波数の増加と共に減少
するからである。チョッピング周波数における残留振幅
ノイズは、ある測定時間での最低検知信号を制限するこ
とにより、感受性を減少させる。振幅ノイズピークが、
パワースペクトルに現れると、通常の技術でこのチョッ
ピング周波数をノイズピークから離すようにする。衝突
パルスモードロックレーザのようなレーザでは、ノイズ
ピークは、通常の間隔で、背景ノイズレベルの４０ｄＢ
以上で数百ｋＨｚの幅をもって発生する。
【０００８】従来技術では、振幅ノイズ分析、その悪影
響の解析と振幅ノイズの存在下で効果的に実験を行う幾
つかの手法が開発されてきたが、振幅ノイズのソースの
特定には何等努力は払われなかった。しかも、振幅ノイ
ズのレベルを削除したり、減少したりするための装置や
技術は開発されていない。
響の解析と振幅ノイズの存在下で効果的に実験を行う幾
つかの手法が開発されてきたが、振幅ノイズのソースの
特定には何等努力は払われなかった。しかも、振幅ノイ
ズのレベルを削除したり、減少したりするための装置や
技術は開発されていない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この振幅ノイズは、光ポ
ンプモードロックレーザにおいて、光ポンプモードロッ
クレーザに光学的に接続された連続波（ＣＷ）ポンプレ
ーザ内のキャビティ内またはキャビティ外モード選択素
子を有することにより、著しく改善される。このモード
選択素子は、ポンプレーザから生成される光ビームを、
名目上単一周波数ですなわち、単一縦軸方向モードで動
作させる。このモード選択は、空間配置または固体材料
のファブリペローエタロンで実現される。
ンプモードロックレーザにおいて、光ポンプモードロッ
クレーザに光学的に接続された連続波（ＣＷ）ポンプレ
ーザ内のキャビティ内またはキャビティ外モード選択素
子を有することにより、著しく改善される。このモード
選択素子は、ポンプレーザから生成される光ビームを、
名目上単一周波数ですなわち、単一縦軸方向モードで動
作させる。このモード選択は、空間配置または固体材料
のファブリペローエタロンで実現される。
【００１０】本発明の実施例では、モードロックレーザ
は、標準の衝突パルスモードロックレーザであり、ポン
プレーザはアルゴンレーザである。このアルゴンレーザ
は、キャビティ内ファブリペローエタロンを有してお
り、このエタロンによって単一の縦軸方向モードでポン
プ光ビームを生成する。
は、標準の衝突パルスモードロックレーザであり、ポン
プレーザはアルゴンレーザである。このアルゴンレーザ
は、キャビティ内ファブリペローエタロンを有してお
り、このエタロンによって単一の縦軸方向モードでポン
プ光ビームを生成する。
【００１１】
【実施例】前述したように、振幅ノイズは、図１に示さ
れるような、そのポンプレーザが連続波（ＣＷ）モード
で動作する光ポンプモードロックレーザにとって問題で
あった。衝突パルスモードロックレーザと、ポンピング
用のＣＷアルゴンイオンレーザとの組合わせは、図３の
カーブ３２に示されるような振幅ノイズスペクトルの疑
似変調サイドバンドを表す。ポンプレーザに出力された
光ビームは、縦軸方向モード発振に起因するポンプレー
ザキャビティ周回(round-trip)周波数の調和周波数でわ
ずかな量の疑似変調を含むことが確認されている。
れるような、そのポンプレーザが連続波（ＣＷ）モード
で動作する光ポンプモードロックレーザにとって問題で
あった。衝突パルスモードロックレーザと、ポンピング
用のＣＷアルゴンイオンレーザとの組合わせは、図３の
カーブ３２に示されるような振幅ノイズスペクトルの疑
似変調サイドバンドを表す。ポンプレーザに出力された
光ビームは、縦軸方向モード発振に起因するポンプレー
ザキャビティ周回(round-trip)周波数の調和周波数でわ
ずかな量の疑似変調を含むことが確認されている。
【００１２】ポンプレーザからの疑似変調とモードロッ
クレーザから出力された光ビームパルスとを混合するこ
とにより、モードロックレーザから出力された光ビーム
中に一組の離散型個別ノイズ疑似変調サイドバンドが生
成された。このモードロックレーザから出力された光ビ
ーム中の一組の離散型ノイズ疑似変調サイドバンドは、
ＣＷポンプレーザを単一縦軸方向モードで動作させるこ
とにより、除去できるか、少なくとも、相当量減少でき
ることが確認された。
クレーザから出力された光ビームパルスとを混合するこ
とにより、モードロックレーザから出力された光ビーム
中に一組の離散型個別ノイズ疑似変調サイドバンドが生
成された。このモードロックレーザから出力された光ビ
ーム中の一組の離散型ノイズ疑似変調サイドバンドは、
ＣＷポンプレーザを単一縦軸方向モードで動作させるこ
とにより、除去できるか、少なくとも、相当量減少でき
ることが確認された。
【００１３】図１は、従来の光学ポンプモードロックレ
ーザ装置を示している。この装置は、モードロックレー
ザ１０に光学結合されたＣＷポンプレーザ２０を有す
る。このＣＷポンプレーザ２０はアルゴンイオンレーザ
で、モードロックレーザ１０は衝突パルスモードロック
レーザである。この両方のレーザとも公知であり、以下
に簡単に説明する。
ーザ装置を示している。この装置は、モードロックレー
ザ１０に光学結合されたＣＷポンプレーザ２０を有す
る。このＣＷポンプレーザ２０はアルゴンイオンレーザ
で、モードロックレーザ１０は衝突パルスモードロック
レーザである。この両方のレーザとも公知であり、以下
に簡単に説明する。
【００１４】一般的に、ポンプレーザは連続波で広バン
ドで動作する。即ち、ポンプレーザは複数の波長で同時
に動作する。このポンプレーザは少なくとも各端部に特
定のの周波数で透過な材料の包囲体２０１を有する。ま
た、ＣＷポンプレーザ２０は、アルゴンイオンを含むプ
ラズマチューブ２０２と、反射面２０４，２０５を有す
る。他のイオンとしては、ＫｒとＮｄ：ＹＡＧである。
反射面２０４，２０５は、所定距離離間配置され、その
間で光共振キャビティを形成し、プラズマチューブ内の
励起イオンからコヒーレントな誘導放出をし、公称ポン
プ波長周囲の出力光ビーム２０６を生成する。反射面２
０４，２０５は、高反射ミラー等によって構成される。
図１に示すように、ポンプレーザからの光ビーム２０６
をミラー２０７を介してモードロックレーザ１０に結合
する必要がある。
ドで動作する。即ち、ポンプレーザは複数の波長で同時
に動作する。このポンプレーザは少なくとも各端部に特
定のの周波数で透過な材料の包囲体２０１を有する。ま
た、ＣＷポンプレーザ２０は、アルゴンイオンを含むプ
ラズマチューブ２０２と、反射面２０４，２０５を有す
る。他のイオンとしては、ＫｒとＮｄ：ＹＡＧである。
反射面２０４，２０５は、所定距離離間配置され、その
間で光共振キャビティを形成し、プラズマチューブ内の
励起イオンからコヒーレントな誘導放出をし、公称ポン
プ波長周囲の出力光ビーム２０６を生成する。反射面２
０４，２０５は、高反射ミラー等によって構成される。
図１に示すように、ポンプレーザからの光ビーム２０６
をミラー２０７を介してモードロックレーザ１０に結合
する必要がある。
【００１５】このモードロックレーザの例として、カラ
ーセンターレーザ、衝突パルスモードロックレーザ等が
ある。またこのモードロック技術には、受動モードロッ
ク技術、能動モードロック技術、付加パルスモードロッ
ク技術などが含まれる。
ーセンターレーザ、衝突パルスモードロックレーザ等が
ある。またこのモードロック技術には、受動モードロッ
ク技術、能動モードロック技術、付加パルスモードロッ
ク技術などが含まれる。
【００１６】一般的に、レーザが、縦軸方向キャビティ
モードまたは横方向キャビティモードで一旦動作する
と、この異なるモード間の位相関係は、ランダムにな
る。レーザのモードロックは、モード間の明確な位相関
係を確立するためのメカニズムを採用する。ここでの説
明は縦軸方向モードロックに限定する。そのようなプロ
セスでは、レーザの仮出力は、モード分離周波数ν（こ
れはキャビティ周回時間の逆数である）で、モード間の
コヒーレント相互作用により変調される。
モードまたは横方向キャビティモードで一旦動作する
と、この異なるモード間の位相関係は、ランダムにな
る。レーザのモードロックは、モード間の明確な位相関
係を確立するためのメカニズムを採用する。ここでの説
明は縦軸方向モードロックに限定する。そのようなプロ
セスでは、レーザの仮出力は、モード分離周波数ν（こ
れはキャビティ周回時間の逆数である）で、モード間の
コヒーレント相互作用により変調される。
【００１７】複数ｎのモードがロックされると、出力は
短パルス列で、周回時間をｎで割った値の幅を持つ。レ
ーザのゲインバンド幅はｎの数を制限し、最短パルス
は、大きなバンド幅システムから生成される。このパル
ス幅は、バンド幅を減少させるために、エタロンをレー
ザキャビティ内に挿入することにより、増加する。この
モードロックプロセスは、自由走レーザ内で振動するモ
ード間位相コヒーレンスを単に確立するものではない。
むしろ、モード間のコヒーレント相互作用とロッキング
メカニズムのため、より多くの数の縦軸方向モードが、
モードロックレーザに現れる。
短パルス列で、周回時間をｎで割った値の幅を持つ。レ
ーザのゲインバンド幅はｎの数を制限し、最短パルス
は、大きなバンド幅システムから生成される。このパル
ス幅は、バンド幅を減少させるために、エタロンをレー
ザキャビティ内に挿入することにより、増加する。この
モードロックプロセスは、自由走レーザ内で振動するモ
ード間位相コヒーレンスを単に確立するものではない。
むしろ、モード間のコヒーレント相互作用とロッキング
メカニズムのため、より多くの数の縦軸方向モードが、
モードロックレーザに現れる。
【００１８】常磁性イオンレーザのモードロッキング
は、ＣＷレーザと繰返しＱスイッチレーザの両方を動作
させるＣＷポンプシステムで観測される。このＣＷレー
ザは、受動モードロック技術、溶融状態色素のような可
飽和吸収体または追加パルスモードロッキングを採用
し、吸収体ロスをなくすために必要な短パルスを生成す
るために、レーザモードを位相ロックさせる。
は、ＣＷレーザと繰返しＱスイッチレーザの両方を動作
させるＣＷポンプシステムで観測される。このＣＷレー
ザは、受動モードロック技術、溶融状態色素のような可
飽和吸収体または追加パルスモードロッキングを採用
し、吸収体ロスをなくすために必要な短パルスを生成す
るために、レーザモードを位相ロックさせる。
【００１９】活性モードロッキング、周波数νでレーザ
キャビティの振幅または位相のいずれかを変調するキャ
ビティ内要素の挿入は、パルスレーザとＣＷポンプレー
ザの両方に使用される。共通の常磁性イオンレーザによ
り達成されたパルス幅は、ガスレーザで観測されるそれ
よりも短く、モードロック色素レーザ、カラーセンター
レーザ、半導体レーザからのパルスである１−１０ピコ
秒より長い。
キャビティの振幅または位相のいずれかを変調するキャ
ビティ内要素の挿入は、パルスレーザとＣＷポンプレー
ザの両方に使用される。共通の常磁性イオンレーザによ
り達成されたパルス幅は、ガスレーザで観測されるそれ
よりも短く、モードロック色素レーザ、カラーセンター
レーザ、半導体レーザからのパルスである１−１０ピコ
秒より長い。
【００２０】図１においては、モードロックレーザ１０
が衝突パルスレーザとして図示されている。このような
モードロックレーザの詳細は、米国特許第４４００８１
４号明細書に記載されている。
が衝突パルスレーザとして図示されている。このような
モードロックレーザの詳細は、米国特許第４４００８１
４号明細書に記載されている。
【００２１】図１に示すように、ミラー１０１−１０７
は、リングレーザキャビティを形成するように配置され
ている。ミラー１０１−１０７は１００％の反射性で、
ミラー１０２は部分透過性で、結合されるべきリングレ
ーザキャビティ内で生成されたパルスをキャビティから
透過させる。ミラー１０３−１０６の曲率の選択は、レ
ーザが最低横軸モードで動作できるようなものである。
は、リングレーザキャビティを形成するように配置され
ている。ミラー１０１−１０７は１００％の反射性で、
ミラー１０２は部分透過性で、結合されるべきリングレ
ーザキャビティ内で生成されたパルスをキャビティから
透過させる。ミラー１０３−１０６の曲率の選択は、レ
ーザが最低横軸モードで動作できるようなものである。
【００２２】さらに、ミラー１０３と１０４（１０ｃｍ
の半径）は、生成された光パルスをゲインストリーム１
１０内に集光させるようにして、このゲインストリーム
１１０を間に挟む形で対向配置されている。このゲイン
ストリーム１１０は、ローダマイン(Rhodamine）６Ｇを
エチレングリコール中に５１４５オングストロームポン
プ光の約９０％を吸収する濃度で含む。ミラー１０５と
１０６（５ｃｍの半径）は、生成された光パルスを吸収
ストリーム１１１内に集光させるようにして、この吸収
ストリーム１１１を間に挟む形で対向配置されている。
この吸収ストリーム１１１は、ＤＯＤＣＩ（diethyloxa
dicarbocyanine iodide)をエチレングリコール中に吸収
ピーク（５８０ｍｍ）で約２０％の信号ロスとなるよう
な濃度で含む。
の半径）は、生成された光パルスをゲインストリーム１
１０内に集光させるようにして、このゲインストリーム
１１０を間に挟む形で対向配置されている。このゲイン
ストリーム１１０は、ローダマイン(Rhodamine）６Ｇを
エチレングリコール中に５１４５オングストロームポン
プ光の約９０％を吸収する濃度で含む。ミラー１０５と
１０６（５ｃｍの半径）は、生成された光パルスを吸収
ストリーム１１１内に集光させるようにして、この吸収
ストリーム１１１を間に挟む形で対向配置されている。
この吸収ストリーム１１１は、ＤＯＤＣＩ（diethyloxa
dicarbocyanine iodide)をエチレングリコール中に吸収
ピーク（５８０ｍｍ）で約２０％の信号ロスとなるよう
な濃度で含む。
【００２３】ミラー１０３−１０６の曲率は、増幅領域
と吸収領域（ＡａとＡｂのそれぞれ）のビームクロス部
分と、増幅器と吸収体分子クロス部分（σａとσｂのそ
れぞれ）を含む安定条件を達成させるよう選択される。
これらのパラメータは、式ｓ＝ｋ（Ａａ・σｂ）／（Ａ
ｂ・σａ）の関係がある。
と吸収領域（ＡａとＡｂのそれぞれ）のビームクロス部
分と、増幅器と吸収体分子クロス部分（σａとσｂのそ
れぞれ）を含む安定条件を達成させるよう選択される。
これらのパラメータは、式ｓ＝ｋ（Ａａ・σｂ）／（Ａ
ｂ・σａ）の関係がある。
【００２４】この実施例では、飽和は定在波で表される
ため、ｋは２で、ミラーの曲率は、ビームクロス領域Ａ
ａとＡｂが、パラメータｓを１よりはるかに大きくする
ようにして、選択される。
ため、ｋは２で、ミラーの曲率は、ビームクロス領域Ａ
ａとＡｂが、パラメータｓを１よりはるかに大きくする
ようにして、選択される。
【００２５】ゲイン媒体の回復時間に比較して短い先行
パルスの後時間遅延をして１つのパルスがそこを通過す
るように、ゲインストリーム１１０を配置することを避
けることが好ましい。短い時間遅延の条件は、１つのパ
ルスの振幅を他のそれよりも大きくし、そして、それ
が、干渉パターンのコントラストを悪化させる。これに
対する１つの例外がおきるのは、ゲインストリーム１１
０が吸収ストリーム１１１に完全に反対する時である。
その後、２つのパルスがゲインストリーム１１０を全く
同時に通過し、ゲインストリーム１１０中の干渉パター
ンを吸収ストリーム１１１中に形成されるそれと同じよ
うにする。この条件は、いくらかの付加的なパルス短縮
を生成する。
パルスの後時間遅延をして１つのパルスがそこを通過す
るように、ゲインストリーム１１０を配置することを避
けることが好ましい。短い時間遅延の条件は、１つのパ
ルスの振幅を他のそれよりも大きくし、そして、それ
が、干渉パターンのコントラストを悪化させる。これに
対する１つの例外がおきるのは、ゲインストリーム１１
０が吸収ストリーム１１１に完全に反対する時である。
その後、２つのパルスがゲインストリーム１１０を全く
同時に通過し、ゲインストリーム１１０中の干渉パター
ンを吸収ストリーム１１１中に形成されるそれと同じよ
うにする。この条件は、いくらかの付加的なパルス短縮
を生成する。
【００２６】ゲインストリーム１１０を生成するのに使
用されるノズルは、従来から市販のステンレススチール
製のノズルで、その内部厚さは、０．０１５インチであ
る。一方、吸収ストリーム１１１を生成するのに使用さ
れるノズルは、約１０ミクロンの厚さを有する吸収スト
リームを生成するようここに記述するような方法で構成
される。ゲインストリーム１１０は、連続アルゴンレー
ザ２０でポンピングされ、その出力光ビーム２０６は、
ミラー１０３で結合される。レーザ２０からのこのポン
プビームは、ミラー１０３で反射され、そのビームがゲ
イン媒体ストリーム１１０に注入する。
用されるノズルは、従来から市販のステンレススチール
製のノズルで、その内部厚さは、０．０１５インチであ
る。一方、吸収ストリーム１１１を生成するのに使用さ
れるノズルは、約１０ミクロンの厚さを有する吸収スト
リームを生成するようここに記述するような方法で構成
される。ゲインストリーム１１０は、連続アルゴンレー
ザ２０でポンピングされ、その出力光ビーム２０６は、
ミラー１０３で結合される。レーザ２０からのこのポン
プビームは、ミラー１０３で反射され、そのビームがゲ
イン媒体ストリーム１１０に注入する。
【００２７】図１に示された光学ポンプモードロックレ
ーザ装置では、ＣＷアルゴンイオンポンプレーザが衝突
パルスモードロックレーザに結合され、その振幅ノイズ
スペクトルは、図３のカーブ３２に示す通りである。こ
のカーブの側波帯と補助ピークは、ポンプレーザキャビ
ティとモードロックレーザキャビティとの縦軸方向モー
ド鼓動周波数の高調波の非直線結合から発生する。
ーザ装置では、ＣＷアルゴンイオンポンプレーザが衝突
パルスモードロックレーザに結合され、その振幅ノイズ
スペクトルは、図３のカーブ３２に示す通りである。こ
のカーブの側波帯と補助ピークは、ポンプレーザキャビ
ティとモードロックレーザキャビティとの縦軸方向モー
ド鼓動周波数の高調波の非直線結合から発生する。
【００２８】図３の振幅ノイズスペクトルを生成するた
めに、衝突パルスモードロックレーザは、約３ワットで
５１４ｎｍのスペクトルラインのアルゴンイオンレーザ
（コヒーレントモデルＩ−２００Ｉ）でポンピングされ
る。この衝突パルスモードロックレーザのキャビティ長
は約１００ＭＨｚパルスの繰返し周波数に初期設定され
た。この衝突パルスモードロックレーザの出力は、波長
６２５ｎｍで１００ｆｓの持続時間を有する出力光ビー
ムのパルスを有するリングレーザキャビティの２つの出
力ビームの各々に対して約２５−３０ｍＷである。
めに、衝突パルスモードロックレーザは、約３ワットで
５１４ｎｍのスペクトルラインのアルゴンイオンレーザ
（コヒーレントモデルＩ−２００Ｉ）でポンピングされ
る。この衝突パルスモードロックレーザのキャビティ長
は約１００ＭＨｚパルスの繰返し周波数に初期設定され
た。この衝突パルスモードロックレーザの出力は、波長
６２５ｎｍで１００ｆｓの持続時間を有する出力光ビー
ムのパルスを有するリングレーザキャビティの２つの出
力ビームの各々に対して約２５−３０ｍＷである。
【００２９】図３の周波数スパンでは、光学ポンプモー
ドロックレーザ装置は、振幅ノイズを有する疑似側波帯
を有し、その振幅ノイズは、数百ｋＨｚのバンド幅を有
するバックグラウンド上約４０−５０ｄＢを生成する。
図３のカーブ３１は、衝突パルスモードロックレーザか
らの出力光ビームがブロックされたときの測定システム
用のシステムノイズを形成する。
ドロックレーザ装置は、振幅ノイズを有する疑似側波帯
を有し、その振幅ノイズは、数百ｋＨｚのバンド幅を有
するバックグラウンド上約４０−５０ｄＢを生成する。
図３のカーブ３１は、衝突パルスモードロックレーザか
らの出力光ビームがブロックされたときの測定システム
用のシステムノイズを形成する。
【００３０】疑似側波帯の除去とこれによる振幅ノイズ
の劇的な減少は、本発明によれば、モード選択素子をポ
ンプレーザと組合わせて配置し、ポンプレーザを単一縦
軸方向モード動作させることである。キャビティ内とキ
ャビティ外ファブリペローエタロンがこのモード選択素
子として使用される。これらのエタロンは、離間配置さ
れた反射面を有し、この反射面間に空気または固体材料
（例：溶融シリカ）を有する。本発明の代表的な実施例
が図２に示されている。この本発明の装置が疑似振幅ノ
イズ側波帯を除去する様子が図３のカーブ３３に示され
ている。このカーブ３３は、図２の装置の振幅ノイズス
ペクトルを表す。
の劇的な減少は、本発明によれば、モード選択素子をポ
ンプレーザと組合わせて配置し、ポンプレーザを単一縦
軸方向モード動作させることである。キャビティ内とキ
ャビティ外ファブリペローエタロンがこのモード選択素
子として使用される。これらのエタロンは、離間配置さ
れた反射面を有し、この反射面間に空気または固体材料
（例：溶融シリカ）を有する。本発明の代表的な実施例
が図２に示されている。この本発明の装置が疑似振幅ノ
イズ側波帯を除去する様子が図３のカーブ３３に示され
ている。このカーブ３３は、図２の装置の振幅ノイズス
ペクトルを表す。
【００３１】ポンプレーザ２１は、キャビティ内ファブ
リペローエタロン２１９かキャビティ外ファブリペロー
エタロン２４０のいずれかを有し、ポンプ光ビーム２３
をほぼ単一縦軸方向モードに強制する。このキャビティ
内ファブリペローエタロン２１９は、離間配置された反
射面２１６，２１７とキャビティ材料２１８を有する。
誘電体コーティングまたは他の公知技術がこのエタロン
反射面に使用される。
リペローエタロン２１９かキャビティ外ファブリペロー
エタロン２４０のいずれかを有し、ポンプ光ビーム２３
をほぼ単一縦軸方向モードに強制する。このキャビティ
内ファブリペローエタロン２１９は、離間配置された反
射面２１６，２１７とキャビティ材料２１８を有する。
誘電体コーティングまたは他の公知技術がこのエタロン
反射面に使用される。
【００３２】空気または溶融シリカのような固体材料は
キャビティ材料２１８として使用される。ファブリペロ
ーエタロン２１９のようなキャビティ内エタロンの使用
が好ましいが、ＣＷレーザの出力面に光学結合されるキ
ャビティ外エタロンの使用も可能である。そのようなキ
ャビティ外エタロンの例としてファブリペローエタロン
２４０があるが、これは、離間配置された反射面２４
１，２４２とキャビティ材料２４３を有する。また、誘
電体コーティングまたは他の公知技術がこのエタロン反
射面に使用され、空気または溶融シリカのような固体材
料キャビティ材料２４３として使用される。
キャビティ材料２１８として使用される。ファブリペロ
ーエタロン２１９のようなキャビティ内エタロンの使用
が好ましいが、ＣＷレーザの出力面に光学結合されるキ
ャビティ外エタロンの使用も可能である。そのようなキ
ャビティ外エタロンの例としてファブリペローエタロン
２４０があるが、これは、離間配置された反射面２４
１，２４２とキャビティ材料２４３を有する。また、誘
電体コーティングまたは他の公知技術がこのエタロン反
射面に使用され、空気または溶融シリカのような固体材
料キャビティ材料２４３として使用される。
【００３３】ポンプレーザ２１は、更に、包囲体２１１
と反射面２１４、２１５とプラズマチューブ２１２を有
する。これらの構成要素は、ポンプレーザ２０用に前記
した構成要素と類似である。反射面２１４、２１５は、
その間で光共振キャビティを形成するような関係に離間
配置される。
と反射面２１４、２１５とプラズマチューブ２１２を有
する。これらの構成要素は、ポンプレーザ２０用に前記
した構成要素と類似である。反射面２１４、２１５は、
その間で光共振キャビティを形成するような関係に離間
配置される。
【００３４】プリズム２１３は、ポンプレーザ２１用の
キャビティ内分散素子である。その分散効果が単一のス
ペクトルのみを発振させるのに使用されるのは、ブリュ
ースター(Brewster)角プリズムである。レーザの別のス
ペクトル線は、反射面２１４を含むプリズム構成をポン
プレーザ２１の縦軸方向についてずらすことにより、得
られる。このプリズムがレーザを単一スペクトル線で動
作させても、キャビティ内エタロン２１９のないレーザ
の出力は、多くの明白な周波数がスペクトル線のゲイン
プロフィールの下で現れることを示唆している。レーザ
にキャビティ内エタロン２１９を入れることにより、単
一縦軸方向モード動作が可能である。このプリズム装置
と組合わせると、キャビティ内エタロンは、単一縦軸モ
ード動作と単一スペクトル線動作を提供できる。
キャビティ内分散素子である。その分散効果が単一のス
ペクトルのみを発振させるのに使用されるのは、ブリュ
ースター(Brewster)角プリズムである。レーザの別のス
ペクトル線は、反射面２１４を含むプリズム構成をポン
プレーザ２１の縦軸方向についてずらすことにより、得
られる。このプリズムがレーザを単一スペクトル線で動
作させても、キャビティ内エタロン２１９のないレーザ
の出力は、多くの明白な周波数がスペクトル線のゲイン
プロフィールの下で現れることを示唆している。レーザ
にキャビティ内エタロン２１９を入れることにより、単
一縦軸方向モード動作が可能である。このプリズム装置
と組合わせると、キャビティ内エタロンは、単一縦軸モ
ード動作と単一スペクトル線動作を提供できる。
【００３５】他の代表的なキャビティ内分散素子には、
回析格子などがある。この回析格子は、高解像度または
低解像度のいずれかで実現可能できる。低解像度格子
は、ブリュースター角プリズムのそれに比較して低分散
である。かくして、低解像度格子は、単一スペクトル線
を選択するのに適している。これに対し、高解像度格子
は、非常に高分散で、同時モードスペクトル線選択性の
別の利点がある。従って、高解像度格子は、キャビティ
内エタロンとしてもキャビティ内分散素子としても使用
できる。ポンプレーザとして使用されるある種のレーザ
は、単一スペクトル線で動作するが、単一スペクトル線
選択性を確保するのに、キャビティ内分散素子は必ずし
も必要ない。
回析格子などがある。この回析格子は、高解像度または
低解像度のいずれかで実現可能できる。低解像度格子
は、ブリュースター角プリズムのそれに比較して低分散
である。かくして、低解像度格子は、単一スペクトル線
を選択するのに適している。これに対し、高解像度格子
は、非常に高分散で、同時モードスペクトル線選択性の
別の利点がある。従って、高解像度格子は、キャビティ
内エタロンとしてもキャビティ内分散素子としても使用
できる。ポンプレーザとして使用されるある種のレーザ
は、単一スペクトル線で動作するが、単一スペクトル線
選択性を確保するのに、キャビティ内分散素子は必ずし
も必要ない。
【００３６】このエタロンは、本質的にバンドパスフィ
ルタで、このエタロンにより選択された１つのモード以
外のキャビティ内縦軸モードに十分な損失を導入する。
このモードは、いつでも単一のレーザ発振である。ファ
ブリペローエタロンの光学パス長は、どのモードが選択
されるべきかを決定する。光学パス長は、反射面間のの
実際の離間距離とエタロンのキャビティ内の材料の屈折
率に依存する。
ルタで、このエタロンにより選択された１つのモード以
外のキャビティ内縦軸モードに十分な損失を導入する。
このモードは、いつでも単一のレーザ発振である。ファ
ブリペローエタロンの光学パス長は、どのモードが選択
されるべきかを決定する。光学パス長は、反射面間のの
実際の離間距離とエタロンのキャビティ内の材料の屈折
率に依存する。
【００３７】所望のモードを選択するエタロンを設定す
る技術は公知である。例えば、固体溶融シリカキャビテ
ィ内エタロンは、アルゴンイオンレーザ内で所望の縦軸
モードを抽出するには、約１ｃｍの長さを有する。キャ
ビティ内エタロンを、レーザ２１の縦軸に関し、エタロ
ンをずらしたり、エタロンのキャビティ材料の屈折率を
温度変調、電流変調させることにより、他の縦軸方向モ
ードに合わせることもできる。
る技術は公知である。例えば、固体溶融シリカキャビテ
ィ内エタロンは、アルゴンイオンレーザ内で所望の縦軸
モードを抽出するには、約１ｃｍの長さを有する。キャ
ビティ内エタロンを、レーザ２１の縦軸に関し、エタロ
ンをずらしたり、エタロンのキャビティ材料の屈折率を
温度変調、電流変調させることにより、他の縦軸方向モ
ードに合わせることもできる。
【００３８】キャビティ内ファブリペローエタロン２１
２がポンプレーザに採用されると、光ビーム２２，２３
は、同一である。その理由は、キャビティ外エタロン２
４０が使用されないからである。ポンプ光ビーム２３
は、モードロックレーザ４０に結合されて、レーザを光
学的にポンピングする。出力光ビーム４１がモードロッ
クレーザ４０から出射する。
２がポンプレーザに採用されると、光ビーム２２，２３
は、同一である。その理由は、キャビティ外エタロン２
４０が使用されないからである。ポンプ光ビーム２３
は、モードロックレーザ４０に結合されて、レーザを光
学的にポンピングする。出力光ビーム４１がモードロッ
クレーザ４０から出射する。
【００３９】ＣＷモード動作と適当な波長またはモード
ロックレーザをポンピングする波長範囲のレーザもポン
プレーザ２１として採用できる。同様に、能動モードロ
ッキング、受動モードロッキング、付加パルスモードロ
ッキングによるモードロック動作ができるいかなるレー
ザもモードロックレーザ４０として使用できる。カーブ
３３を得るために、キャビティ内エタロン２１９は、衝
突パルスモードロックレーザと結合されたＣＷアルゴン
イオンポンプレーザと共に使用された。
ロックレーザをポンピングする波長範囲のレーザもポン
プレーザ２１として採用できる。同様に、能動モードロ
ッキング、受動モードロッキング、付加パルスモードロ
ッキングによるモードロック動作ができるいかなるレー
ザもモードロックレーザ４０として使用できる。カーブ
３３を得るために、キャビティ内エタロン２１９は、衝
突パルスモードロックレーザと結合されたＣＷアルゴン
イオンポンプレーザと共に使用された。
【００４０】他の実施例として、衝突パルスモードロッ
クレーザと結合されたクリプトンイオンポンプレーザ
と、色素中心モードロックレーザと結合されたＮｄ：Ｙ
ＡＧポンプレーザとが考えられる。
クレーザと結合されたクリプトンイオンポンプレーザ
と、色素中心モードロックレーザと結合されたＮｄ：Ｙ
ＡＧポンプレーザとが考えられる。
【００４１】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、光
ポンプモードロックレーザに光学的に接続された連続波
（ＣＷ）ポンプレーザ内のキャビティ内またはキャビテ
ィ外モード選択素子を有することにより、振幅ノイズレ
ベルが著しく改善される。
ポンプモードロックレーザに光学的に接続された連続波
（ＣＷ）ポンプレーザ内のキャビティ内またはキャビテ
ィ外モード選択素子を有することにより、振幅ノイズレ
ベルが著しく改善される。
【図１】従来技術による光ポンプモードロックレーザの
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明の光ポンプモードロックレーザの説明図
である。
である。
【図３】第１図と第２図の装置のノイズスペクトルを表
すグラフである。
すグラフである。
１０ モードロックレーザ ２０ ＣＷポンプレーザ ２１ ポンプレーザ ２３ 光ビーム ２０１ 包囲体 ２０２ プラズマチューブ ２０４ 反射面 ２０５ 反射面 ２０６ 光ビーム ２１２ プラズマチューブ ２１６ 反射面 ２１７ 反射面 ２１８ キャビティ材料 ２１９ ファブリペローエタロン ２４１ 反射面 ２４２ 反射面 ２４３ キャビティ材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル エス ヒュートマーカ アメリカ合衆国 08628 ニュージャージ ィ、トレントン、ローワー フェリー ロ ード 732 (72)発明者 マーチン シー ナス アメリカ合衆国 07704 ニュージャージ ィ、フェア ヘブン、リンカーン アベニ ュー 146 (72)発明者 ピーター アール スミス アメリカ合衆国 07090 ニュージャージ ィ、ウエストフィールド、ベンソン プレ イス 201 (56)参考文献 特開 平１−143376（ＪＰ，Ａ)
Claims (10)
- 【請求項１】 第１光ビームを生成する連続波（ＣＷ）
ポンプレーザと、 前記第１光ビームに応答して、第２光ビームを生成する
モードロックレーザとを有する光学装置において、 前記ポンプレーザは、その間に複数の縦軸モードを生成する光共振キャビティ
を形成するように 離間配置された第１と第２の反射面
と、 前記光共振キャビティに光学的に結合され、第１光ビー
ムのみを単一の周波数で動作するように制限する形で、
複数のモードから単一の縦軸方向モードを選択する選択
手段とを有することを特徴とする光学装置。 - 【請求項２】 前記選択手段は、前記光共振キャビティ
内に配置されたファブリペローエタロンを有し、前記エ
タロンは、単一の縦軸方向モードの選択が可能となる十
分な所定距離はなれて離間配置された第３と第４の反射
面を有することを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項３】 前記エタロンは、第３と第４の反射面の
間に空気を有することを特徴とする請求項２の装置。 - 【請求項４】 前記エタロンは、第３と第４の反射面の
間に固体材料を有することを特徴とする請求項２の装
置。 - 【請求項５】 前記固体材料は溶融シリカであることを
特徴とする請求項４の装置。 - 【請求項６】 前記選択手段は、前記光共振キャビティ
外に配置されたファブリペローエタロンを有し、前記エ
タロンは、単一の縦軸方向モードの選択が可能となる十
分な所定距離はなれて離間配置された第３と第４の反射
面を有し、前記第３反射面は前記光共振キャビティに光
学的に結合され、前記第１光ビームは、前記第４反射面
から放射されることを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項７】 前記エタロンは、第３と第４の反射面の
間に空気を有することを特徴とする請求項６の装置。 - 【請求項８】 前記エタロンは、第３と第４の反射面の
間に固体材料を有することを特徴とする請求項６の装
置。 - 【請求項９】 前記固体材料は溶融シリカであることを
特徴とする請求項８の装置。 - 【請求項１０】 前記モードロックレーザは、衝突パル
スモードロックレーザであることを特徴とする請求項１
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US502096 | 1990-03-30 | ||
| US07/502,096 US5042040A (en) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Amplitude noise reduction for optically pumped modelocked lasers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225290A JPH04225290A (ja) | 1992-08-14 |
| JPH07109913B2 true JPH07109913B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=23996320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3062480A Expired - Fee Related JPH07109913B2 (ja) | 1990-03-30 | 1991-03-05 | 光学装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5042040A (ja) |
| EP (1) | EP0449526B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07109913B2 (ja) |
| DE (1) | DE69100518T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5212711A (en) * | 1992-02-18 | 1993-05-18 | At&T Bell Laboratories | Harmonically mode-locked laser |
| JP3222340B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2001-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 単一縦モードレーザー |
| US7838794B2 (en) | 1999-12-28 | 2010-11-23 | Gsi Group Corporation | Laser-based method and system for removing one or more target link structures |
| US20040134894A1 (en) * | 1999-12-28 | 2004-07-15 | Bo Gu | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
| US6281471B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-08-28 | Gsi Lumonics, Inc. | Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material |
| US7723642B2 (en) * | 1999-12-28 | 2010-05-25 | Gsi Group Corporation | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
| US6887804B2 (en) | 2000-01-10 | 2005-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Passivation processing over a memory link |
| US7671295B2 (en) | 2000-01-10 | 2010-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Processing a memory link with a set of at least two laser pulses |
| WO2001051243A2 (en) | 2000-01-10 | 2001-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser system and method for processing a memory link with a burst of laser pulses having ultrashort pulsewidths |
| AUPQ555400A0 (en) * | 2000-02-11 | 2000-03-02 | Macquarie Research Limited | Laser system and methods |
| US6972268B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-12-06 | Gsi Lumonics Corporation | Methods and systems for processing a device, methods and systems for modeling same and the device |
| DE102005052758A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-16 | Leica Microsystems | Substrathalterungseinrichtung zur Verwendung in einem Positionsmessgerät |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2331900A1 (fr) * | 1975-11-13 | 1977-06-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif interrupteur selectif en longueur d'onde |
| US4019157A (en) * | 1976-04-06 | 1977-04-19 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Method and apparatus for tuning high power lasers |
| US4227159A (en) * | 1978-01-24 | 1980-10-07 | Allied Chemical Corporation | Common-resonator pre-locked laser |
| US4400814A (en) * | 1981-05-01 | 1983-08-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Subpicosecond ring laser |
| JPS6016479A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 単一周波数発振レ−ザ装置 |
| US4755016A (en) * | 1985-11-06 | 1988-07-05 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Coherent lightwave transmitters |
| FR2598861A1 (fr) * | 1986-05-14 | 1987-11-20 | Centre Nat Rech Scient | Laser a impulsions femtosecondes stables. |
| JPH01143376A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Sony Corp | レーザ光源 |
| US4930131A (en) * | 1989-01-06 | 1990-05-29 | At&T Bell Laboratories | Source of high repetition rate, high power optical pulses |
-
1990
- 1990-03-30 US US07/502,096 patent/US5042040A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3062480A patent/JPH07109913B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-22 EP EP91302522A patent/EP0449526B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-22 DE DE91302522T patent/DE69100518T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0449526A2 (en) | 1991-10-02 |
| EP0449526A3 (en) | 1992-01-29 |
| DE69100518D1 (de) | 1993-11-25 |
| EP0449526B1 (en) | 1993-10-20 |
| JPH04225290A (ja) | 1992-08-14 |
| DE69100518T2 (de) | 1994-03-31 |
| US5042040A (en) | 1991-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6038055A (en) | Method and device for generating phase-coherent light pulses | |
| Bigio et al. | Injection-locking unstable resonator excimer lasers | |
| Harris et al. | Pulse generation in a cw dye laser by mode− locked synchronous pumping | |
| JPH0851246A (ja) | 環境変化に対して安定な受動型モードロック・レーザー | |
| JPH07109913B2 (ja) | 光学装置 | |
| JP5517818B2 (ja) | 光源装置及びこれを用いた撮像装置 | |
| Fontaine et al. | Chirp in a mode-locked ring dye laser | |
| Runge | A continuous mode-locked dye laser pumped in the red | |
| US3978429A (en) | Mode-locked laser | |
| Komarov et al. | Generation of stationary ultra-short pulses by a passive mode-locking solid-state laser | |
| Shank et al. | Mode-locking of dye lasers | |
| Mourou | Spectral hole burning in dye solutions | |
| Yamashita et al. | Intracavity second‐harmonic generation in a synchronously mode‐locked cw dye laser | |
| Kortz | Characterization of pulsed Nd: YAG active/passive mode-locked laser | |
| JP3171265B2 (ja) | 固体パルスレーザ装置 | |
| JPH0212227A (ja) | 光パルス発生装置 | |
| JPS609357B2 (ja) | レーザ発生装置 | |
| Dienes | Mode-locked CW dye lasers | |
| Wittmann et al. | Generation of frequency tunable femtosecond pulses in a cw pumped linear dispersion-balanced passive mode-locked Rhodamine 6G dye laser | |
| Mandl et al. | Single-mode operation of a long-pulse flashlamp pumped dye laser | |
| Ducasse et al. | Methods for the generation of ultrashort laser pulses: Mode-locking | |
| Golub et al. | Simultaneous operation of distributed feedback and grating tuned dye lasers | |
| JPH06152015A (ja) | 短パルス光機能装置 | |
| Asimov et al. | Frequency locking in a high-power coaxial dye laser under two-frequency pulsed injection conditions | |
| Klimek et al. | Single-frequency operation of a long-pulse e-beam excited XeF (CA) laser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |