JPH07106349A - Manufacture of resin-molded semiconductor device - Google Patents

Manufacture of resin-molded semiconductor device

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JPH07106349A
JPH07106349A JP5244185A JP24418593A JPH07106349A JP H07106349 A JPH07106349 A JP H07106349A JP 5244185 A JP5244185 A JP 5244185A JP 24418593 A JP24418593 A JP 24418593A JP H07106349 A JPH07106349 A JP H07106349A
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lead
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Abstract

PURPOSE:To enable the title power system resin molded semiconductor device to be composed of the totally automated line structure by a method wherein the assembling and finishing steps of the semiconductor device are connected by an automatical transfer system. CONSTITUTION:A chip is mounted on an island of a first hooped lead frame 1 and after wire-bonding, in order to secure the heat radiation capacity and the current capacity, a heat sink of a second lead frame is sticked on the island before the molding step 22 so that the thickness of the second lead frame may attain an equal or greater thickness of the conventional strip type lead frame.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールド型半導体
装置の製造方法に関し、特に半導体チップの発熱量が大
きいため放熱性が要求されるパワー系の半導体装置の製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a resin-molded semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a power semiconductor device which requires heat dissipation because a semiconductor chip generates a large amount of heat.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のパワー系半導体装置の製造工程に
おけるリードフレームは、放熱性及び電流容量確保のた
め、チップを搭載するリードフレームのアイランド部の
厚さが0.4mm以上に制限されているため、リードフ
レームのフープ加工が困難であること、また、アウター
リード部が、リード成形加工及び製品の実装上厚さが
0.5mm程度に制限されているため、ヒートシンク部
を兼ねるアイランド部のみを所要の厚さに厚く加工した
短冊状の異形条リードフレームが用いられていた。図6
(a)〜(c)はこの短冊形リードフレームの上面図,
正面図及び側面図である。
2. Description of the Related Art In a conventional lead frame used for manufacturing a power semiconductor device, the thickness of the island portion of the lead frame on which a chip is mounted is limited to 0.4 mm or more in order to secure heat dissipation and current capacity. Therefore, it is difficult to process the hoop of the lead frame, and the outer lead part is limited to about 0.5 mm in thickness due to the lead forming process and the mounting of the product. A strip-shaped deformed strip lead frame thickly processed to a required thickness was used. Figure 6
(A) to (c) are top views of the strip-shaped lead frame,
It is a front view and a side view.

【0003】図6(a)〜(c)において、従来の短冊
形リードフレーム11は、ヒートシンク部を兼ねるアイ
ランド3Aが、他のリード4A等より厚く形成されたも
のである。この短冊形リードフレーム11を用いて半導
体装置を製造する場合について図7の製造ライン構成図
及び図8の半導体装置の断面図を用いて説明する。
In FIGS. 6A to 6C, a conventional strip-shaped lead frame 11 has an island 3A which also serves as a heat sink portion formed thicker than other leads 4A and the like. A case of manufacturing a semiconductor device using the strip-shaped lead frame 11 will be described with reference to the manufacturing line configuration diagram of FIG. 7 and the cross-sectional view of the semiconductor device of FIG.

【0004】まず、マガジンケース12から短冊形リー
ドフレーム11をマウント工程20におけるフルオート
マウンターに供給してチップ7をマウントし、ボンディ
ング工程21のフルオートボンダに自動搬送しチップ7
の電極とリード4Aとにワイヤ8をボンディングする。
次のモールド工程22への短冊形リードフレーム11の
搬送及びモールド金型へのセット等は、所定の治具を用
いる個別操作によって行なう。
First, the strip-shaped lead frame 11 is supplied from the magazine case 12 to the full auto mounter in the mounting step 20, the chip 7 is mounted, and the chip 7 is automatically transferred to the full automatic bonder in the bonding step 21.
The wire 8 is bonded to the electrode and the lead 4A.
The conveyance of the strip-shaped lead frame 11 to the next molding step 22, the setting in the molding die, and the like are performed by individual operations using a predetermined jig.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のリ
ードフレームを用いる半導体装置の製造方法では、部分
的に厚さの異なる異形条の短冊形リードフレームを用い
ているので、リードフレームの加工コストが高くなる。
又、リードフレームの主平面パターンの上下両面が一体
成形されるため、モールド金型へのセット上,自動搬送
による樹脂モールド加工が困難である。このため樹脂モ
ールド工程以降のアウターリードメッキ,樹脂バリ取
り,製品マーク,タイバー切断などの仕上げ工程を個別
加工にしなければならないという問題点がある。これら
各々の工程自体は自動化されているにもかかわらず、異
形系の短冊形リードフレームを用いるとライン全体の連
結による全自動化は困難であった。
As described above, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame, since strip-shaped lead frames of different shapes having different thicknesses are partially used, the lead frame is processed. High cost.
In addition, since the upper and lower surfaces of the main plane pattern of the lead frame are integrally molded, it is difficult to perform resin molding by automatic conveyance after setting in the molding die. Therefore, there is a problem in that finishing processes such as outer lead plating, resin deburring, product mark, and tie bar cutting after the resin molding process must be individually processed. Although each of these steps itself is automated, it has been difficult to fully automate the entire line by using a strip-shaped lead frame of irregular shape.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の樹脂モールド型
半導体装置の製造方法は、フープ状の第1のリードフレ
ームのアイランドの表面に半導体チップを固着する工程
と、前記半導体チップの電極と前記第1のリードフレー
ムのリードとをワイヤにより接続する工程と、半導体チ
ップが固着された前記アイランドの裏面にフープ状の第
2のリードフレームに設けられたヒートシンク部を少く
とも1枚接着する工程とを含むものである。
A method of manufacturing a resin-molded semiconductor device according to the present invention comprises a step of fixing a semiconductor chip to a surface of an island of a first lead frame having a hoop shape, an electrode of the semiconductor chip, and A step of connecting the leads of the first lead frame with a wire; and a step of adhering at least one heat sink portion provided on the hoop-shaped second lead frame to the back surface of the island to which the semiconductor chip is fixed. Is included.

【0007】[0007]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施例を説明するた
めの製造ラインの構成図、図2(a),(b)は第1の
実施例で用いるフープ状の第1及び第2のリードフレー
ムの上面図、図3は第1の実施例により製造された樹脂
モールド型半導体装置の断面図である。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a manufacturing line for explaining a first embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are hoop-shaped first and second lead frames used in the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of the resin mold type semiconductor device manufactured according to the first embodiment.

【0008】図2(a),(b)において、フープ状の
第1及び第2のリードフレーム1,2は、0.1〜0.
35mmの板厚の金属板から作られており、第1のリー
ドフレームにはアイランド3及びリード4が形成され、
第2のリードフレーム2にはヒートシンク5が形成され
ている。尚6Aは位置決め用ピン穴、6Bは送り穴であ
る。
In FIGS. 2A and 2B, the first and second hoop-shaped lead frames 1 and 2 are 0.1 to 0.
It is made of a metal plate having a thickness of 35 mm, and the island 3 and the lead 4 are formed on the first lead frame.
A heat sink 5 is formed on the second lead frame 2. 6A is a positioning pin hole and 6B is a feed hole.

【0009】フープ状リードフレームの板厚を0.1m
m以下にすると、所要のアイランド部及びヒートシンク
部の板厚を得るのに多数枚(4枚以上)のリードフレー
ムを張合せる必要があるため、製品の組立加工が複雑に
なり、コストが増加する。又フープ状リードフレームの
板厚を0.35mm以上にすると板厚が、厚過ぎて非弾
性が強くなり、フープ状の機械加工が困難となる。更
に、フープ状加工又は、組立ラインへの供給時の外力で
非弾性変形が生じるため、組立ラインへの適用が困難と
なる。以下、図1〜図3を用いて説明する。
The plate thickness of the hoop-shaped lead frame is 0.1 m.
If it is less than m, a large number (4 or more) of lead frames need to be bonded to obtain the required plate thickness of the island part and the heat sink part, which complicates the assembly process of the product and increases the cost. . If the plate thickness of the hoop-shaped lead frame is 0.35 mm or more, the plate thickness becomes too thick and the inelasticity becomes strong, which makes it difficult to machine the hoop-shaped lead frame. Furthermore, since it is inelastically deformed by the hoop processing or an external force at the time of supplying to the assembly line, it is difficult to apply it to the assembly line. Hereinafter, description will be made with reference to FIGS.

【0010】まずフープ状の第1のリードフレーム1を
マウント工程20におけるフルオートマウンタへ自動供
給し、そのアイランド3の表面にチップ7をAgPbS
n等からなるソフトソルダーでマウントしたのち、ボン
ディング工程21におけるフルオートボンダへ自動搬送
し、チップ7の電極とリード4とにAl又はAuのワイ
ヤ8をボンディングする。
First, the hoop-shaped first lead frame 1 is automatically supplied to the full automounter in the mounting step 20, and the chip 7 is AgPbS on the surface of the island 3.
After mounting with a soft solder made of n or the like, it is automatically conveyed to a fully automatic bonder in the bonding step 21, and an Al or Au wire 8 is bonded to the electrode of the chip 7 and the lead 4.

【0011】次に、ボンディング工程を経た第1のリー
ドフレーム1のアイランド3の裏面に、第2のリードフ
レーム2のヒートシンク5を重ねるように、金属ペース
ト9又は導電性接着剤を介して貼合せ、次で各リードフ
レームの位置決め用のピン穴6Aを合わせてモールド工
程22におけるフルオートモルダのモールド金型へ搬送
供給し、高熱伝導性のエポキシ樹脂10等を用いモール
ドする。
Next, the heat sink 5 of the second lead frame 2 is laminated on the back surface of the island 3 of the first lead frame 1 which has undergone the bonding process so as to be overlaid with a metal paste 9 or a conductive adhesive. Next, the positioning pin holes 6A of the respective lead frames are aligned and conveyed and supplied to the mold die of the full auto molder in the molding step 22, and the epoxy resin 10 having high thermal conductivity is used for molding.

【0012】以下仕上げ工程において樹脂バリ取り,リ
ード成形,リードメッキ,タイバー切断等を自動的に行
ない樹脂モールド型半導体装置を完成させる。
In the following finishing process, resin deburring, lead molding, lead plating, tie bar cutting, etc. are automatically performed to complete the resin mold type semiconductor device.

【0013】尚、上記実施例においては、第1のリード
フレームのアイランド部に1枚の第2のリードフレーム
のヒートシンク部を貼合せた場合について説明したが、
2枚以上のヒートシンク部を貼合せてもよい。又、第1
のリードフレームのアイランド部をヒートシンク部とし
て用いることも可能である。
In the above embodiment, the case where one heat sink portion of the second lead frame is bonded to the island portion of the first lead frame has been described.
You may stick two or more heat sink parts together. Also, the first
It is also possible to use the island portion of the lead frame as the heat sink portion.

【0014】このように第1の実施例によれば、樹脂モ
ールド直前にヒートシンク部をアイランド部に貼合せる
ことにより、図6に示した従来の短冊形リードフレーム
と同じ平面パターンを構成し、アイランド3とヒートシ
ンク5の貼合せ厚さを従来と同等以上にでき、しかも放
熱性及び電流容量を低下させることなく、マウントから
タイバー切断迄の組立及び仕上げ工程を自動搬送ライン
で連結した自動化連続加工ラインを構成できる。この
為、工程間のハンドリング工数が減るためラインの所要
人員を1/3〜1/4に削減できる。
As described above, according to the first embodiment, the heat sink portion is attached to the island portion immediately before the resin molding, thereby forming the same plane pattern as that of the conventional strip lead frame shown in FIG. 3 and the heatsink 5 can be pasted up to the same thickness or more, and the assembly and finishing process from mounting to tie bar cutting can be connected by an automatic transfer line without lowering heat dissipation and current capacity. Can be configured. For this reason, the number of handling steps between steps is reduced, and the number of personnel required for the line can be reduced to 1/3 to 1/4.

【0015】又、リードフレーム厚さが薄い(約0.1
〜0.3mm)フープ状リードフレームを用いている小
信号用半導体装置の組立加工ラインと共用が可能となり
設備費用及びフロアー面積の削減が見込まれる。更に従
来使用される部分的に厚さの異なる異形条の短冊形リー
ドフレームは、単純な素材では作ることができず、特殊
加工が必要でコスト高であったが、本実施例のフープ状
リードフレームは単純な素材でできるため製品1個当り
のコストを大幅に改善できる。
The lead frame is thin (about 0.1 mm).
(~ 0.3mm) It can be used together with an assembly processing line for small signal semiconductor devices that use hoop-shaped lead frames, and it is expected to reduce equipment costs and floor area. Furthermore, the strip-shaped lead frame of irregularly-shaped strip that is partially different in thickness, which has been conventionally used, cannot be made with a simple material and requires special processing, which is costly. Since the frame can be made of simple material, the cost per product can be greatly improved.

【0016】図4(a),(b)は本発明の第2の実施
例を説明するための第1及び第2のリードフレームの上
面図であり、図2(a),(b)と異なる所はヒートシ
ンク5Aを形を変えて、自立型樹脂モールドパッケージ
用としたものである。
FIGS. 4A and 4B are top views of the first and second lead frames for explaining the second embodiment of the present invention, and FIGS. The difference is that the heat sink 5A is changed in shape and used for a self-standing resin mold package.

【0017】図5(a),(b)は第2の実施例により
製造された樹脂モールド型半導体装置の平面図及び断面
図である。
5 (a) and 5 (b) are a plan view and a sectional view of a resin mold type semiconductor device manufactured by the second embodiment.

【0018】本第2の実施例においても、図1に示した
ように、第1のリードフレーム1のアイランド3にチッ
プ7をマウントし、ワイヤ8をボンディングしたのち、
アイランド3の裏面にヒートシンク5Aを貼合わせて樹
脂10でモールドする。
Also in the second embodiment, as shown in FIG. 1, after the chip 7 is mounted on the island 3 of the first lead frame 1 and the wire 8 is bonded,
The heat sink 5A is attached to the back surface of the island 3 and molded with the resin 10.

【0019】このように第2の実施例によると、リード
フレームの主平面パターンをプリント回路基板挿入実装
タイプの自立型樹脂モールドパッケージの構成に変える
ことで、自立型樹脂モールドパッケージの半導体装置に
ついても、マウントからタイバー切断迄を自動搬送で連
結した全自動化連続加工ラインの構成が可能である。
As described above, according to the second embodiment, by changing the main plane pattern of the lead frame to the structure of the printed circuit board insertion mounting type self-standing resin mold package, the semiconductor device of the self-standing resin mold package can also be used. It is possible to construct a fully automated continuous processing line that automatically connects from mounting to tie bar cutting.

【0020】尚、この第2の実施例では、第1及び第2
のリードフレームを高熱伝導タイプの絶縁物13を介し
貼合せ、熱的にチップ直下と接続させることまた、ヒー
トシンク5Aの一部を樹脂10から外部へ出し放熱性を
向上させた構造としている。
In the second embodiment, the first and second
The lead frame of (1) is bonded via an insulator 13 of a high heat conduction type, and is thermally connected directly under the chip. Further, a part of the heat sink 5A is exposed from the resin 10 to the outside to improve heat dissipation.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数枚の
フープ状リードフレームを用い、放熱性及び電流容量を
確保するため、チップマウントアイランド部及びヒート
シンク部が所要の厚さとなるように樹脂封止前の工程で
これらを貼合せ、組立加工することで、フープ状リード
フレームの自動供給による組立及び仕上げ工程間の自動
搬送が可能となり、全工程をフープ状リードフレームで
連結した全自動化ラインを構成でき、工程間のハンドリ
ング工数及びライン所要人員を大幅に削減できるという
効果がある。
As described above, according to the present invention, a plurality of hoop-shaped lead frames are used, and in order to secure the heat dissipation and the current capacity, the resin is formed so that the chip mount island portion and the heat sink portion have a required thickness. By bonding and assembling these in the process before sealing, it is possible to automatically transfer between the assembly and finishing processes by automatically supplying the hoop lead frame, and a fully automated line that connects all processes with the hoop lead frame. It is possible to significantly reduce the number of man-hours required for handling between processes and the number of personnel required for the line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を説明するための製造ラ
インの構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a manufacturing line for explaining a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施例で用いる第1及び第2のリードフ
レームの上面図。
FIG. 2 is a top view of first and second lead frames used in the first embodiment.

【図3】第1の実施例で製造された半導体装置の断面
図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device manufactured in the first embodiment.

【図4】本発明の第2の実施例で用いる第1及び第2の
リードフレームの上面図。
FIG. 4 is a top view of first and second lead frames used in a second embodiment of the present invention.

【図5】第2の実施例で製造された半導体装置の平面図
及び断面図。
5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured in a second embodiment.

【図6】従来の樹脂モールド型半導体装置の製造に用い
られる短冊形リードフレームの上面図,正面図及び側面
図。
FIG. 6 is a top view, a front view, and a side view of a strip-shaped lead frame used for manufacturing a conventional resin-molded semiconductor device.

【図7】従来の製造方法を説明するための製造ラインの
構成図。
FIG. 7 is a configuration diagram of a manufacturing line for explaining a conventional manufacturing method.

【図8】従来の製造方法により作られた半導体装置の断
面図。
FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor device manufactured by a conventional manufacturing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のリードフレーム 2,2A 第2のリードフレーム 3,3A アイランド 4,4A リード 5,5A ヒートシンク 6A 位置決め用ピン穴 6B 送り穴 7 チップ 8 ワイヤ 9 金属ペースト 10 樹脂 11 短冊形リードフレーム 12 マガジンケース 13 絶縁物 20 マウント工程 21 ボンディング工程 22 モールド工程 1 First Lead Frame 2, 2A Second Lead Frame 3, 3A Island 4, 4A Lead 5, 5A Heat Sink 6A Positioning Pin Hole 6B Feed Hole 7 Chip 8 Wire 9 Metal Paste 10 Resin 11 Strip Leadframe 12 Magazine Case 13 Insulator 20 Mounting process 21 Bonding process 22 Molding process

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フープ状の第1のリードフレームのアイ
ランドの表面に半導体チップを固着する工程と、前記半
導体チップの電極と前記第1のリードフレームのリード
とをワイヤにより接続する工程と、半導体チップが固着
された前記アイランドの裏面にフープ状の第2のリード
フレームに設けられたヒートシンク部を少くとも1枚接
着する工程とを含むことを特徴とする樹脂モールド型半
導体装置の製造方法。
1. A step of fixing a semiconductor chip to a surface of an island of a hoop-shaped first lead frame, a step of connecting an electrode of the semiconductor chip and a lead of the first lead frame with a wire, Bonding at least one heat sink portion provided on the second hoop-shaped lead frame to the back surface of the island to which the chip is fixed, the method for manufacturing a resin-molded semiconductor device.
【請求項2】 第1及び第2のリードフレームの板厚は
0.1〜0.35mmである請求項1記載の樹脂モール
ド型半導体装置の製造方法。
2. The method for manufacturing a resin-molded semiconductor device according to claim 1, wherein the plate thickness of the first and second lead frames is 0.1 to 0.35 mm.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5473565A (en) * 1977-11-24 1979-06-12 Hitachi Ltd Assembling method of semiconductor device and substrate used for such method

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JPS5473565A (en) * 1977-11-24 1979-06-12 Hitachi Ltd Assembling method of semiconductor device and substrate used for such method

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