JPH07106302A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH07106302A JPH07106302A JP24305793A JP24305793A JPH07106302A JP H07106302 A JPH07106302 A JP H07106302A JP 24305793 A JP24305793 A JP 24305793A JP 24305793 A JP24305793 A JP 24305793A JP H07106302 A JPH07106302 A JP H07106302A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト膜のエッチング速度を向上させるこ
とができるドライエッチング装置を提供する。 【構成】 真空容器（１）内のエッチング室（２）内に
は被処理物（４）が載置される。被処理物の上面より第
１のガス分散ノズル（１４）を介して少なくとも弗素を
含む反応性ガスを活性化した第１のガスが供給される。
水蒸気を含む第２のガスは、第２のガス分散ノズル（１
６）を介して供給される。前記第１のガス分散ノズル
（１４）のノズル口の開口端は、第２のガス分散ノズル
（１６）のノズル口の開口端よりも被処理物（４）に近
い側に設置されている。
とができるドライエッチング装置を提供する。 【構成】 真空容器（１）内のエッチング室（２）内に
は被処理物（４）が載置される。被処理物の上面より第
１のガス分散ノズル（１４）を介して少なくとも弗素を
含む反応性ガスを活性化した第１のガスが供給される。
水蒸気を含む第２のガスは、第２のガス分散ノズル（１
６）を介して供給される。前記第１のガス分散ノズル
（１４）のノズル口の開口端は、第２のガス分散ノズル
（１６）のノズル口の開口端よりも被処理物（４）に近
い側に設置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
係り、特に半導体基板上に塗布された有機高分子材料の
膜からなるレジストを灰化するために使用されるプラズ
マ分離型のドライエッチング装置に関する。
係り、特に半導体基板上に塗布された有機高分子材料の
膜からなるレジストを灰化するために使用されるプラズ
マ分離型のドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の製造に際しては、シ
リコン等の半導体基板上に各種の膜を堆積した後、写真
蝕刻法によりレジストパターンを形成し、これをマスク
として前記膜を選択的にエッチングし、エッチング終了
後に不要となったレジストを灰化することが行われてい
る。
リコン等の半導体基板上に各種の膜を堆積した後、写真
蝕刻法によりレジストパターンを形成し、これをマスク
として前記膜を選択的にエッチングし、エッチング終了
後に不要となったレジストを灰化することが行われてい
る。
【０００３】不要となったレジストを灰化する装置とし
ては、従来より被処理物に酸素プラズマを照射すること
によりレジストをエッチング除去する装置が使用されて
いる。しかし、この装置では酸素プラズマ中に被処理物
が配置されるため、被処理物表面の非レジスト部分が損
傷を受け、またレジストの残渣が生じるという問題があ
る。このようなことから、真空容器内に水蒸気を導入す
るとともに、マイクロ波プラズマにより反応性ガスを励
起させ、生成した活性種をプラズマ室と分離された真空
容器に輸送し、この真空容器内の非処理物と反応させて
エッチングを行うプラズマ分離型のドライエッチング装
置がある。
ては、従来より被処理物に酸素プラズマを照射すること
によりレジストをエッチング除去する装置が使用されて
いる。しかし、この装置では酸素プラズマ中に被処理物
が配置されるため、被処理物表面の非レジスト部分が損
傷を受け、またレジストの残渣が生じるという問題があ
る。このようなことから、真空容器内に水蒸気を導入す
るとともに、マイクロ波プラズマにより反応性ガスを励
起させ、生成した活性種をプラズマ室と分離された真空
容器に輸送し、この真空容器内の非処理物と反応させて
エッチングを行うプラズマ分離型のドライエッチング装
置がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに上記プラズマ
分離型ドライエッチング装置によるものでは、レジスト
のエッチング速度が小さく、エッチングの処理時間が長
くなるという問題があった。そこで本発明の目的は、上
記従来技術が有する問題点を解消し、レジスト膜のエッ
チング速度を向上させることができるドライエッチング
装置を提供することにある。
分離型ドライエッチング装置によるものでは、レジスト
のエッチング速度が小さく、エッチングの処理時間が長
くなるという問題があった。そこで本発明の目的は、上
記従来技術が有する問題点を解消し、レジスト膜のエッ
チング速度を向上させることができるドライエッチング
装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、真空容器内のエッチング室内に被処理物を載置し、
その上面より第１のガス分散ノズルを介して少なくとも
弗素を含む反応性ガスを活性化した第１のガスを供給す
ると共に、水蒸気を含む第２のガスを第２のガス分散ノ
ズルを介して供給するプラズマ分離型のドライエッチン
グ装置において、前記第１のガス分散ノズルのノズル口
の開口端は、第２のガス分散ノズルのノズル口の開口端
よりも被処理物に近い側に設置されていることを特徴と
するものである。
に、真空容器内のエッチング室内に被処理物を載置し、
その上面より第１のガス分散ノズルを介して少なくとも
弗素を含む反応性ガスを活性化した第１のガスを供給す
ると共に、水蒸気を含む第２のガスを第２のガス分散ノ
ズルを介して供給するプラズマ分離型のドライエッチン
グ装置において、前記第１のガス分散ノズルのノズル口
の開口端は、第２のガス分散ノズルのノズル口の開口端
よりも被処理物に近い側に設置されていることを特徴と
するものである。
【０００６】
【作用】このように本発明においては、第１のガス分散
ノズルのノズル口の開口端が、第２のガス分散ノズルの
ノズル口の開口端よりも被処理物に近い側に設置されて
いるので、被エッチング材料のエッチング速度をあげる
ことができる。
ノズルのノズル口の開口端が、第２のガス分散ノズルの
ノズル口の開口端よりも被処理物に近い側に設置されて
いるので、被エッチング材料のエッチング速度をあげる
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明によるドライエッチング装置の一
実施例を図面を参照して説明する。図１において、符号
１はドライエッチング装置の真空容器を示し、この真空
容器１の内側にはエッチング室２が形成されている。エ
ッチング室２内には載置台３が設置され、その上に被処
理物４が載置されている。真空容器１の底壁には、排気
管５が接続され、エッチング室２内のガスが排気され
る。また、真空容器１の天壁にはフッ素等のハロゲン元
素を含む反応ガスをエッチング室２内に供給するための
ガス導入管６が接続されている。このガス導入管６の途
中には放電管７が介挿されており、この放電管７にはマ
イクロ波電源８が接続されている。さらに真空容器１の
側壁には、水タンク９からエッチング室２内へ水蒸気を
輸送するためのガス導入管１０が接続されており、この
ガス導入管１０の途中には水蒸気流量を制御するための
マスフローコントローラー１１が介挿されている。
実施例を図面を参照して説明する。図１において、符号
１はドライエッチング装置の真空容器を示し、この真空
容器１の内側にはエッチング室２が形成されている。エ
ッチング室２内には載置台３が設置され、その上に被処
理物４が載置されている。真空容器１の底壁には、排気
管５が接続され、エッチング室２内のガスが排気され
る。また、真空容器１の天壁にはフッ素等のハロゲン元
素を含む反応ガスをエッチング室２内に供給するための
ガス導入管６が接続されている。このガス導入管６の途
中には放電管７が介挿されており、この放電管７にはマ
イクロ波電源８が接続されている。さらに真空容器１の
側壁には、水タンク９からエッチング室２内へ水蒸気を
輸送するためのガス導入管１０が接続されており、この
ガス導入管１０の途中には水蒸気流量を制御するための
マスフローコントローラー１１が介挿されている。
【０００８】図２から明らかなように、前記エッチング
室２の上部には、上部仕切板１２が架設され、その上方
が反応ガス室１３となっている。前記上部仕切板１２に
は、図２および図３から明らかなように、多数の内側ノ
ズル１４、１４…１４がエッチング室２に向かって突設
されている。これらの内側ノズル１４は、一定のノズル
径と一定のノズル長を有している。
室２の上部には、上部仕切板１２が架設され、その上方
が反応ガス室１３となっている。前記上部仕切板１２に
は、図２および図３から明らかなように、多数の内側ノ
ズル１４、１４…１４がエッチング室２に向かって突設
されている。これらの内側ノズル１４は、一定のノズル
径と一定のノズル長を有している。
【０００９】また、前記上部仕切板１２の下方には、所
定の間隔をあけて下部仕切板１５が架設され、この下部
仕切板１５には、前記各内側ノズル１４を同心的に取り
囲むように、外側ノズル１６がエッチング室２に向かっ
て突設されている。これらの外側ノズル１６のノズル長
は、その先端が内側ノズル１４の開口端よりも寸法ｄだ
け後退した位置に設定されている。言い換えれば、ＣＦ
4 とＯ2 ガスを供給する内側ノズル１４の開口端と被処
理物４の表面との距離が外側ノズル１６のそれよりも小
さい寸法に設定されている。
定の間隔をあけて下部仕切板１５が架設され、この下部
仕切板１５には、前記各内側ノズル１４を同心的に取り
囲むように、外側ノズル１６がエッチング室２に向かっ
て突設されている。これらの外側ノズル１６のノズル長
は、その先端が内側ノズル１４の開口端よりも寸法ｄだ
け後退した位置に設定されている。言い換えれば、ＣＦ
4 とＯ2 ガスを供給する内側ノズル１４の開口端と被処
理物４の表面との距離が外側ノズル１６のそれよりも小
さい寸法に設定されている。
【００１０】本発明はこのように構成されているから、
ガス導入管６を介してフッ素等のハロゲン元素を含む反
応性ガスを供給すると、ガス導入管６に介挿されている
放電管７がマイクロ波電源８により印加されプラズマを
発生し、反応性ガス中に活性種が生成される。生成され
た活性種は、ガス導入管６を通して反応ガス室１３内に
導かれる。ついで多数の内側ノズル１４よりエッチング
室２内へ供給され、被処理物４の表面に供給される。同
時にガス導入管１０を介して輸送された水蒸気は、一群
の外側ノズル１６を経由してエッチング室２内へ導かれ
る。
ガス導入管６を介してフッ素等のハロゲン元素を含む反
応性ガスを供給すると、ガス導入管６に介挿されている
放電管７がマイクロ波電源８により印加されプラズマを
発生し、反応性ガス中に活性種が生成される。生成され
た活性種は、ガス導入管６を通して反応ガス室１３内に
導かれる。ついで多数の内側ノズル１４よりエッチング
室２内へ供給され、被処理物４の表面に供給される。同
時にガス導入管１０を介して輸送された水蒸気は、一群
の外側ノズル１６を経由してエッチング室２内へ導かれ
る。
【００１１】図４は、内側ノズル１４の開口端と外側ノ
ズル１６の開口端との軸方向の距離ｄを横軸とし、エッ
チング速度を縦軸にとって両者の関係を表した図であ
る。内側ノズル１４の開口端の位置を固定し、外側ノズ
ル１６の開口端の位置を上下に移動したときのレジスト
のエッチング速度を調べたところ、図４に示す特性線が
得られた。ｄ＝０の位置は、内側ノズル１４の開口端と
外側ノズル１６の開口端とが一致して同一面内にある場
合である。ｄ＜０は外側ノズル１６の開口端が内側ノズ
ル１４の開口端よりも後退した場合を示している。逆
に、ｄ＞０の場合は外側ノズル１６の開口端が内側ノズ
ル１４のそれよりも前進している場合を示している。
ズル１６の開口端との軸方向の距離ｄを横軸とし、エッ
チング速度を縦軸にとって両者の関係を表した図であ
る。内側ノズル１４の開口端の位置を固定し、外側ノズ
ル１６の開口端の位置を上下に移動したときのレジスト
のエッチング速度を調べたところ、図４に示す特性線が
得られた。ｄ＝０の位置は、内側ノズル１４の開口端と
外側ノズル１６の開口端とが一致して同一面内にある場
合である。ｄ＜０は外側ノズル１６の開口端が内側ノズ
ル１４の開口端よりも後退した場合を示している。逆
に、ｄ＞０の場合は外側ノズル１６の開口端が内側ノズ
ル１４のそれよりも前進している場合を示している。
【００１２】次に内側ノズル１４と外側ノズル１６との
距離を変化させたときにエッチング速度が向上する理由
を説明する。本発明が使用している活性化されたフッ素
に、Ｈ2 Ｏガスを気相中で反応させる方法で、活性化さ
れたフッ素を供給するノズル（内側ノズル）とＨ2 Ｏガ
スを供給するノズル（外側ノズル）との距離（ｄ）が、
ｄ≧０のとき ２Ｆ＋Ｈ2 Ｏ→Ｏ＋２ＨＦ の反応がおきる。この反応によって大量の酸素の活性種
が得られるとともにフッ素がＨ2 Ｏガスの水素と反応し
てＨＦとなり活性化されたフッ素が存在しなくなるた
め、フッ素でエッチングされる膜がウエハ上に存在して
も、レジストだけをエッチングすることができる。一
方、ｄ＜０のときほとんどの活性種は上記反応が進行す
るが、ごく僅かの活性化されたフッ素がレジスト表面に
到達し、レジストの水素原子を引き抜く作用が加えられ
てより高速なエッチングが可能となる。これはフッ素を
供給する内側ノズルとウエハとの距離が外側ノズルより
近いため、活性化されたフッ素がウエハに到達する確率
が高くなったためである。また、フッ素がレジストの水
素原子を引き抜く効果については、通常のレジストエッ
チング装置（バレル型プラズマエッチング装置）に酸素
ガスとフッ素を含むガス（例えばＣＦ4 ガス）を小量加
えると、レジストのエッチング速度が向上する。これ
は、ＣＦ4 ガスを活性化して得られたフッ素が、レジス
ト中の水素原子を引き抜きレジスト中の化学結合を弱め
る効果があるためだと言われている。よって、ｄ＜０の
とき高速なエッチングが達成できる。
距離を変化させたときにエッチング速度が向上する理由
を説明する。本発明が使用している活性化されたフッ素
に、Ｈ2 Ｏガスを気相中で反応させる方法で、活性化さ
れたフッ素を供給するノズル（内側ノズル）とＨ2 Ｏガ
スを供給するノズル（外側ノズル）との距離（ｄ）が、
ｄ≧０のとき ２Ｆ＋Ｈ2 Ｏ→Ｏ＋２ＨＦ の反応がおきる。この反応によって大量の酸素の活性種
が得られるとともにフッ素がＨ2 Ｏガスの水素と反応し
てＨＦとなり活性化されたフッ素が存在しなくなるた
め、フッ素でエッチングされる膜がウエハ上に存在して
も、レジストだけをエッチングすることができる。一
方、ｄ＜０のときほとんどの活性種は上記反応が進行す
るが、ごく僅かの活性化されたフッ素がレジスト表面に
到達し、レジストの水素原子を引き抜く作用が加えられ
てより高速なエッチングが可能となる。これはフッ素を
供給する内側ノズルとウエハとの距離が外側ノズルより
近いため、活性化されたフッ素がウエハに到達する確率
が高くなったためである。また、フッ素がレジストの水
素原子を引き抜く効果については、通常のレジストエッ
チング装置（バレル型プラズマエッチング装置）に酸素
ガスとフッ素を含むガス（例えばＣＦ4 ガス）を小量加
えると、レジストのエッチング速度が向上する。これ
は、ＣＦ4 ガスを活性化して得られたフッ素が、レジス
ト中の水素原子を引き抜きレジスト中の化学結合を弱め
る効果があるためだと言われている。よって、ｄ＜０の
とき高速なエッチングが達成できる。
【００１３】図４から分かるように、ｄ＝０のときレジ
ストのエッチング速度が０．５μｍ／ｍｉｎであるのに
対し、ｄ＝−５ｍｍにおいては１μｍ／ｍｉｎであり、
エッチング速度は最大値を示している。また、図５およ
び図６は、本発明の他の実施例による分散ノズルの変形
例を示している。この実施例によれば、分散ノズルは、
反応性ガスの活性種を真空容器１内に供給する第１の分
散パイプ１８を有し、この下面には、一定の間隔をノズ
ル口１９、１９…１９が形成されている。この第１の分
散パイプ１８を両側から挟み込むように第２の分散パイ
プ２０が配置されている。この第２の分散パイプ２０
は、水蒸気を真空容器１内に放出するもので、二股の分
岐パイプ２１、２１を有している。これらの各分岐パイ
プ２１の下面には、一定の間隔をおいてノズル口２２、
２２…２２が穿設されている。この実施例においても、
水蒸気を供給する第２の分散パイプ２０を、活性種を供
給する第１の分散パイプ１８よりも距離ｄだけ上方へず
らせることにより、前記の実施例と同様にエッチング速
度の向上を期待できる。
ストのエッチング速度が０．５μｍ／ｍｉｎであるのに
対し、ｄ＝−５ｍｍにおいては１μｍ／ｍｉｎであり、
エッチング速度は最大値を示している。また、図５およ
び図６は、本発明の他の実施例による分散ノズルの変形
例を示している。この実施例によれば、分散ノズルは、
反応性ガスの活性種を真空容器１内に供給する第１の分
散パイプ１８を有し、この下面には、一定の間隔をノズ
ル口１９、１９…１９が形成されている。この第１の分
散パイプ１８を両側から挟み込むように第２の分散パイ
プ２０が配置されている。この第２の分散パイプ２０
は、水蒸気を真空容器１内に放出するもので、二股の分
岐パイプ２１、２１を有している。これらの各分岐パイ
プ２１の下面には、一定の間隔をおいてノズル口２２、
２２…２２が穿設されている。この実施例においても、
水蒸気を供給する第２の分散パイプ２０を、活性種を供
給する第１の分散パイプ１８よりも距離ｄだけ上方へず
らせることにより、前記の実施例と同様にエッチング速
度の向上を期待できる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば反応性ガスの活性種を供給するノズル口の開口
端を水蒸気を供給するノズル口よりも被処理物の表面に
近い位置に設定したから、有機高分子材料製の膜からな
るレジストのエッチング速度を向上させることができ
る。
によれば反応性ガスの活性種を供給するノズル口の開口
端を水蒸気を供給するノズル口よりも被処理物の表面に
近い位置に設定したから、有機高分子材料製の膜からな
るレジストのエッチング速度を向上させることができ
る。
【図１】本発明によるドライエッチング装置の一実施例
を示した縦断面図。
を示した縦断面図。
【図２】本発明の要部である分散ノズル部を拡大して示
した縦断面図。
した縦断面図。
【図３】同分散ノズル部を示した底面図。
【図４】内側ノズルと外側ノズルの開口端の寸法差とエ
ッチング速度との関係を示した特性図。
ッチング速度との関係を示した特性図。
【図５】本発明の他の実施例によるノズル部を示した平
面図。
面図。
【図６】同ノズル部を示した側面図。
１ 真空容器 ２ エッチング室 ６ 第１のガス導入管 ９ 水タンク １０ 第２のガス導入管 １２ 上側仕切板 １４ 内側ノズル １５ 下側仕切板 １６ 外側ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】真空容器内のエッチング室内に被処理物を
載置し、その上面より第１のガス分散ノズルを介して少
なくとも弗素を含む反応性ガスを活性化した第１のガス
を供給すると共に、水蒸気を含む第２のガスを第２のガ
ス分散ノズルを介して供給するプラズマ分離型のドライ
エッチング装置において、前記第１のガス分散ノズルの
ノズル口の開口端は、第２のガス分散ノズルのノズル口
の開口端よりも被処理物に近い側に設置されていること
を特徴とするプラズマ分離型のドライエッチング装置。 - 【請求項２】前記第１のガス分散ノズルは、反応性ガス
の活性種をエッチング室内に供給する複数個の内側ノズ
ルによって構成され、一方、第２のガス分散ノズルは各
内側ノズルを同心的に取り囲み水蒸気を供給する外側ノ
ズルとから構成されていることを特徴とする請求項１に
記載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】前記ガス分散ノズルは、反応性ガスの活性
種をエッチング室内に供給する直線状のノズル管と、こ
のノズル管を両側から挟み込むようにした二股状の第２
のノズル管とから構成されていることを特徴とする請求
項１に記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24305793A JP3330695B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24305793A JP3330695B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106302A true JPH07106302A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3330695B2 JP3330695B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=17098166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24305793A Expired - Fee Related JP3330695B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3330695B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016433A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Noritsu Koki Co Ltd | レジスト除去装置 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24305793A patent/JP3330695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016433A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Noritsu Koki Co Ltd | レジスト除去装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3330695B2 (ja) | 2002-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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