JPH07102066A - Production of alkoxysilane - Google Patents

Production of alkoxysilane

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Publication number
JPH07102066A
JPH07102066A JP26548093A JP26548093A JPH07102066A JP H07102066 A JPH07102066 A JP H07102066A JP 26548093 A JP26548093 A JP 26548093A JP 26548093 A JP26548093 A JP 26548093A JP H07102066 A JPH07102066 A JP H07102066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
alkoxysilane
polysiloxane
zirconium
sih
Prior art date
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Pending
Application number
JP26548093A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshibumi Hirose
広瀬俊文
Katsuya Ouchi
克哉 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Priority to US08/220,594 priority patent/US5391797A/en
Priority to EP94105156A priority patent/EP0618211A1/en
Publication of JPH07102066A publication Critical patent/JPH07102066A/en
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Abstract

PURPOSE:To produce a halogen-free alkoxysilane at a high yield while inhibiting side reactions. CONSTITUTION:An alkoxysilane of the general formula: R<1>aSi(OR<2>)4-a (wherein R<1> is an optionally substd. monovalent hydrocarbon group; R<2> is an optionally substd. alkyl group;.and a is 0, 1, 2, or 3) is reacted with a polysiloxane in the presence of a zirconium alkoxide or a chelate catalyst to produce an alkoxysilane of the general formula: R<3>bSiHc(OR<2>)4-(b+c) (wherein R<2> is the same as described above; R<3> is an optionally substd. monovalent hydrocarbon group; b is 1, 2, or 3; and c is 0, 1, or 2).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この出願発明は、シリコーン工業
における重要な中間体の1つであるアルコキシシランの
製造方法に関するものであり、さらに詳しくは、目的と
するアルコキシシランをハロゲンフリープロセスにより
高収率で製造する方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing an alkoxysilane, which is one of the important intermediates in the silicone industry. More specifically, the objective alkoxysilane can be produced at a high yield by a halogen-free process. It relates to a method of manufacturing at a rate.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平1−132590号公報には、一
般式 R1 aSi(OR24-a (式中、R1は置換または非置換の1価の炭化水素基を
表し、R2はアルキル基を表し、aは、0、1、2また
は3を表す)で示されるアルコキシシランとポリシロキ
サンとを、チタン化合物触媒存在下に反応させ、一般式 R3 bSiHc(OR24-(b+c) (式中、R2は上記と同じ、R3は置換または非置換の1
価の炭化水素基を表し、bは1、2または3を表し、c
は0、1または2を表す)で示されるアルコキシシラン
を得る方法が開示されている。この方法によれば、例え
ば、テトラメトキシシランと式Me3SiO−(MeH
SiO)40−SiOMe3で表されるポリメチルハイド
ロジェンシロキサンを反応させ、ジメトキシメチルシラ
ンを得ることができ、また、テトラエトキシシランと式
(Me2SiO)4で表されるオクタメチルシクロテトラ
シロキサンを反応させ、ジエトキシジメチルシランを得
ることができる。この方法においては、触媒として用い
られるチタン化合物によるポリシロキサンのSi−O結
合の開裂と、その部分への原料アルコキシシランからの
アルコキシ基の挿入反応(開重反応)により目的とする
アルコキシシランが生成するといわれている。
2. Description of the Related Art Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 1-132590 discloses that R 1 a Si (OR 2 ) 4-a (wherein R 1 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, R 1 2 represents an alkyl group, and a represents 0, 1, 2 or 3) and an alkoxysilane represented by the general formula R 3 b SiHc (OR 2 ) is reacted with a polysiloxane. 4- (b + c) (wherein R 2 is the same as above, R 3 is a substituted or unsubstituted 1
Represents a valent hydrocarbon group, b represents 1, 2 or 3, and c
Represents 0, 1 or 2) is disclosed. According to this method, for example, tetramethoxysilane and formula Me 3 SiO- (MeH
SiO) 40 -SiOMe 3 can be reacted with polymethylhydrogensiloxane to obtain dimethoxymethylsilane, and tetraethoxysilane and octamethylcyclotetrasiloxane represented by the formula (Me 2 SiO) 4 can be obtained. Can be reacted to obtain diethoxydimethylsilane. In this method, the target alkoxysilane is produced by the cleavage of the Si-O bond of the polysiloxane by the titanium compound used as a catalyst and the insertion reaction (opening reaction) of the alkoxy group from the raw material alkoxysilane into that portion. It is said that.

【0003】[0003]

【発明が解決すべき課題】この方法はハロゲンフリープ
ロセスであるため塩化水素やクロルシランを副生しない
ことが長所であるが、副反応生成物が多く、目的物の収
率が低下する上、精製が煩雑であるという問題点があっ
た。
Since this method is a halogen-free process, it has the advantage that hydrogen chloride and chlorosilane are not by-produced, but there are many side reaction products, which lowers the yield of the target product and the purification. There was a problem that was complicated.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】この出願発明は、このよ
うな従来技術の欠点を解決し、目的物のアルコキシシラ
ンを高収率で製造する方法を提供することを目的とす
る。この出願発明者等は、このような目的を達成するた
めに種々の触媒を検討した結果、ジルコニウムアルコキ
シドまたはキレート触媒の存在下に、アルコキシシラン
とポリシロキサンとを反応させると、主として解重合反
応が進行し、また従来法に比べて副生成物が少なく、目
的のアルコキシシランを高収率で製造することができ、
その結果、副生成物との分離も容易になるということを
見い出し、この出願発明を完成したものである。
The object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to provide a method for producing a desired alkoxysilane in a high yield. The inventors of the present application have studied various catalysts in order to achieve such an object, and as a result, when an alkoxysilane and a polysiloxane are reacted in the presence of a zirconium alkoxide or a chelate catalyst, a depolymerization reaction is mainly caused. Progressed, less by-products than the conventional method, it is possible to produce the desired alkoxysilane in high yield,
As a result, they have found that the separation from the by-products becomes easy, and have completed the invention of this application.

【0005】すなわち、この出願発明は、一般式、 R1 aSi(OR24-a (式中、R1、は置換または非置換の1価の炭化水素基
を表し、R2はアルキル基を表し、aは0、1、2また
は3を表す)で示されるアルコキシシランと、ポリシロ
キサンとを、ジルコニウムアルコキシドまたはキレート
触媒存在下に反応させることを特徴とする、一般式 R3 bSiHc(OR24-(b+c) (式中、R2は上記と同じ、R3は置換または非置換の1
価の炭化水素基を表し、bは1、2または3を表し、c
は0、1または2を表す。)で示されるアルコキシシラ
ンの製造方法である。この出願発明の方法に用いられる
アルコキシシランにおいて、R2Oで表されるアルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等があげられる。なかでもメトキシ基や
エトキシ基は反応性が高いので好ましい。 また、アル
コシキ基の結合数(4−a)は1から4までのものを用
いることができる。これらのうち結合数が3あるいは4
のものが反応性が高いので好ましい。
That is, the invention of the present application has the general formula R 1 a Si (OR 2 ) 4-a (wherein R 1 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and R 2 represents an alkyl group). represents a radical, a is an alkoxysilane represented by the representative) 0, 1, 2 or 3, and a polysiloxane, characterized by reacting in the presence of a zirconium alkoxide or chelate catalyst, the general formula R 3 b SiH c (OR 2 ) 4- (b + c) (wherein R 2 is the same as above, R 3 is a substituted or unsubstituted 1
Represents a valent hydrocarbon group, b represents 1, 2 or 3, and c
Represents 0, 1 or 2. ) Is a method for producing an alkoxysilane. In the alkoxysilane used in the method of the present invention, examples of the alkoxy group represented by R 2 O include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable because they have high reactivity. Moreover, the number of bonds (4-a) of the alkoxy group may be 1 to 4. Of these, the number of bonds is 3 or 4
Those having high reactivity are preferable.

【0006】このようなアルコキシシランにおいて、R
2で表される置換または非置換の1価の炭化水素基とし
ては、例えば、R1に示したようなアルキル基、クロロ
メチル基のような置換アルキル基、ビニル基、アリル基
などのアルケニル基、フェニル基、トリル基などのよう
なアリール基などがあげられる。好ましいアルコキシシ
ランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等をあげ
ることができる。なかでも、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシランが好ましい。
In such an alkoxysilane, R
The substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group represented by 2 is, for example, an alkyl group represented by R 1 , a substituted alkyl group such as a chloromethyl group, an alkenyl group such as a vinyl group or an allyl group. And aryl groups such as phenyl group and tolyl group. Preferred alkoxysilanes include, for example, methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane,
Examples thereof include tetramethoxysilane and tetraethoxysilane. Among them, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, tetramethoxysilane and tetraethoxysilane are preferable.

【0007】この出願発明の方法により得られるアルコ
キシシランの例としては、ジメチルメトキシシラン、ジ
メチルエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチ
ルジエトキシシラン、メチルビニルメトキシシラン、メ
チルフェニルメトキシシランなどの分子中にSi−H結
合を有するアルコキシシラン、ジメチルジメトキシシラ
ン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシ
シランなどの分子中にSi−H結合を含まないアルコキ
シシランがあげられる。
Examples of the alkoxysilane obtained by the method of the present invention include Si in the molecule of dimethylmethoxysilane, dimethylethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, methylvinylmethoxysilane, methylphenylmethoxysilane and the like. Examples thereof include alkoxysilane having no —H bond in the molecule, such as alkoxysilane having a —H bond, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, and dimethyldipropoxysilane.

【0008】この出願発明において、目的とするアルコ
キシシランがその分子中にSi−H結合を有するもので
ある場合には、原料として用いられるポリシロキサンは
分子中にSi−H結合を有するものが用いられる。この
ようなポリシロキサンの構造は、直鎖状、分岐状、環状
のいずれでもよく、これらの混合物でもよい。このよう
なポリシロキサンにおいて、ケイ素原子に結合した水素
原子以外の有機基としては、前記のR1に示したような
アルキル基、クロロメチル基のような置換アルキル基、
ビニル基、アリル基などのようなアルケニル基、フェニ
ル基、トリル基などのようなアリール基などをあげるこ
とができる。なかでもメチル基、エチル基などが価格の
点で好ましい。これらのポリシロキサンとしては次のよ
うなものがあげられる。
In the invention of this application, when the desired alkoxysilane has a Si--H bond in its molecule, the polysiloxane used as a raw material is one having a Si--H bond in the molecule. To be The structure of such a polysiloxane may be linear, branched or cyclic, or may be a mixture thereof. In such a polysiloxane, as the organic group other than the hydrogen atom bonded to the silicon atom, an alkyl group as shown in the above R 1 , a substituted alkyl group such as a chloromethyl group,
Examples thereof include an alkenyl group such as a vinyl group and an allyl group, and an aryl group such as a phenyl group and a tolyl group. Among them, methyl group, ethyl group and the like are preferable in terms of price. Examples of these polysiloxanes include the following.

【0009】[0009]

【化1】 (ただし、pは0〜100、qは0〜100の整数を示
す。)で表される直鎖状ポリハイドロジェンシロキサ
ン。
[Chemical 1] (However, p shows the integer of 0-100 and q shows the integer of 0-100.) Linear polyhydrogen siloxane represented.

【0010】[0010]

【化2】 (ただし、pは1〜100、qは0〜100の整数を示
す。)で表される直鎖状ポリハイドロジェンシロキサ
ン。
[Chemical 2] (However, p shows the integer of 1-100 and q shows the integer of 0-100.) Linear polyhydrogen siloxane represented.

【0011】[0011]

【化3】 (ただし、mは1〜6、nは0〜5の整数を示す。)で
表される環状ポリハイドロジェンシロキサン。
[Chemical 3] (However, m represents an integer of 1 to 6 and n represents an integer of 0 to 5).

【0012】このようなポリシロキサン中のSi−H結
合の含有量は、とくに制限されるものではないが、分子
中にSi−H結合を有するアルコキシシランの製造を目
的とする場合、この結合が多い方が目的とするアルコキ
シシランの収率が向上するので好ましい。前記のポリシ
ロキサンのさらに具体的な例としてはつぎのようなもの
があげられる。
The content of Si-H bond in such a polysiloxane is not particularly limited, but when the purpose is to produce an alkoxysilane having a Si-H bond in the molecule, the content of this bond is not limited. A larger amount is preferable because the yield of the desired alkoxysilane is improved. The following are more specific examples of the above polysiloxane.

【0013】[0013]

【化4】 [Chemical 4]

【0014】[0014]

【化5】 (CH32HSiO0.5単位とSiO2単位とからなり、
水素原子の含有量が1.03重量%で、25℃における
粘度が24cStの分岐状ポリメチルハイドロジェンシ
ロキサン、および
[Chemical 5] (CH 3 ) 2 HSiO consisting of 0.5 units and SiO 2 units,
A branched polymethylhydrogensiloxane having a hydrogen atom content of 1.03% by weight and a viscosity at 25 ° C. of 24 cSt, and

【0015】[0015]

【化6】 (nは3〜8の整数を示す。) これらの中でポリメチルハイドロジェンシロキサンが収
率とコストの点で好ましい。
[Chemical 6] (N represents an integer of 3 to 8.) Among these, polymethyl hydrogen siloxane is preferable in terms of yield and cost.

【0016】この出願発明において、目的とするアルコ
キシシランがその分子中にSi−H結合を含まないもの
である場合には、原料として用いられるポリシロキサン
は、分子中にSi−H結合を含まないものが用いられ
る。このようなポリシロキサンにおいて、ケイ素原子に
結合した水素原子以外の有機基としては、アルキル基、
ビニル基、アリル基などのようなアルケニル基、フェニ
ル基、トリル基などのようなアリール基など1価の炭化
水素基をあげることができる。1価の炭化水素基として
は、置換炭化水素基でもよく、クロロメチル基のような
ハロゲン置換炭化水素基が例示される。また、1価の炭
化水素基の炭素数は、10以下、さらには8以下が好ま
しい。とくに、メチル基、エチル基などが価格の点で好
ましい。
In the invention of this application, when the desired alkoxysilane does not contain a Si-H bond in its molecule, the polysiloxane used as a raw material does not contain a Si-H bond in the molecule. Things are used. In such a polysiloxane, an organic group other than a hydrogen atom bonded to a silicon atom is an alkyl group,
Examples of the monovalent hydrocarbon group include an alkenyl group such as a vinyl group and an allyl group, an aryl group such as a phenyl group and a tolyl group, and the like. The monovalent hydrocarbon group may be a substituted hydrocarbon group, and examples thereof include a halogen-substituted hydrocarbon group such as a chloromethyl group. Moreover, the carbon number of the monovalent hydrocarbon group is preferably 10 or less, and more preferably 8 or less. Particularly, a methyl group, an ethyl group and the like are preferable in terms of cost.

【0017】この出願発明において触媒として用いられ
るジルコニウムアルコキシドまたはキレートは、
The zirconium alkoxide or chelate used as a catalyst in the present invention is

【0018】[0018]

【化7】 (R2は前記に同じ、Y1、Y2は炭素数が1から8のア
ルキル基、アルコキシ基、dは0,1,2,3または
4)で示される。最も好ましいジルコニウムアルコキシ
ドまたはキレートは、(R2O)4Zr)で示されるジル
コニウムテトラアルコキシドであるが、(R2O)の一
部または全部が一般式
[Chemical 7] (R 2 is the same as above, Y 1 and Y 2 are alkyl groups and alkoxy groups having 1 to 8 carbon atoms, and d is 0, 1, 2, 3 or 4). The most preferable zirconium alkoxide or chelate is zirconium tetraalkoxide represented by (R 2 O) 4 Zr), but a part or all of (R 2 O) has a general formula.

【0019】[0019]

【化8】 で表される基で置換された化合物を用いてもよい。[Chemical 8] You may use the compound substituted by the group represented by.

【0020】具体的には、ジルコニウムテトラブトキシ
ド、ジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニウ
ムテトラメトキシド、ジルコニウムトリブトキシドモノ
アセチルアセトナート、ジルコニウムジブトキシドビス
アセチルアセトナート、ジルコニウムモノブトキシドト
リスアセチルアセトナート、ジルコニウムトリブトキシ
ドモノエチルアセトアセテート、ジルコニウムジブトキ
シドビスエチルアセトアセテート、ジルコニウムモノブ
トキシドトリスエチルアセトアセテート、ジルコニウム
テトラアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラエチ
ルアセトアセテートなどがあげられる。ジルコニウムア
ルコキシドは、ジルコニウムブトキシドがとくに好まし
い。
Specifically, zirconium tetrabutoxide, zirconium tetraisopropoxide, zirconium tetramethoxide, zirconium tributoxide monoacetylacetonate, zirconium dibutoxide bisacetylacetonate, zirconium monobutoxide trisacetylacetonate, zirconium tributoxide. Examples thereof include monoethyl acetoacetate, zirconium dibutoxide bisethyl acetoacetate, zirconium monobutoxide trisethyl acetoacetate, zirconium tetraacetyl acetonate, zirconium tetraethyl acetoacetate and the like. The zirconium alkoxide is particularly preferably zirconium butoxide.

【0021】これらのジルコニウムアルコキシドまたは
キレートとしてはそのままの形で使用してもよく、ま
た、アルコールやケトン、炭化水素などの適当な溶媒に
溶解して用いてもよい。
These zirconium alkoxides or chelates may be used as they are, or may be used by dissolving them in a suitable solvent such as alcohol, ketone or hydrocarbon.

【0022】この出願発明の反応温度は、所望反応生成
物が容易に溜出できる温度範囲内から選択される。この
目的のためには、低圧または高圧を用いることもできる
が、一般に本方法は、常圧下に実施するのが好ましい。
反応温度は、一般に約60〜300℃で行うが、好まし
くは、100〜200℃である。
The reaction temperature of the present invention is selected within a temperature range where the desired reaction product can be easily distilled. Low or high pressures may be used for this purpose, but it is generally preferred to carry out the process at normal pressure.
The reaction temperature is generally about 60 to 300 ° C, preferably 100 to 200 ° C.

【0023】この出願発明における各原料の添加方法と
しては、アルコキシシランの一部とジルコニウムアルコ
キシドまたはキレート触媒を混合してあらかじめ加熱し
ておき、これにアルコキシシランの残部とポリシロキサ
ンの混合物を滴下して反応させてもよく、あるいは、ア
ルコキシシランの全部とジルコニウムアルコキシドまた
はキレート触媒を混合してあらかじめ加熱しておき、こ
れにポリシロキサンを滴下して反応させてもよい。ま
た、アルコキシシラン、ポリシロキサンおよびジルコニ
ウムアルコキシドまたはキレート触媒を混合した後、加
熱して反応させてもよい。いずれの場合も反応生成物を
迅速に留去することが副反応を押さえる上からとくに望
ましい。
As a method of adding each raw material in the invention of this application, a part of alkoxysilane and zirconium alkoxide or chelate catalyst are mixed and heated in advance, and the mixture of the balance of alkoxysilane and polysiloxane is added dropwise thereto. Alternatively, all of the alkoxysilane and zirconium alkoxide or chelate catalyst may be mixed and heated in advance, and polysiloxane may be added dropwise to the mixture for reaction. Alternatively, the alkoxysilane, the polysiloxane, and the zirconium alkoxide or the chelate catalyst may be mixed and then heated and reacted. In either case, it is particularly desirable to distill off the reaction product rapidly in order to suppress side reactions.

【0024】この出願発明に用いられる触媒の量は、所
望の反応速度に応じて種々選択できる。一般には、約
0.1〜10重量%(出発化合物基準)、好ましくは約
0.5〜5重量%の範囲内である。
The amount of the catalyst used in the invention of this application can be variously selected according to the desired reaction rate. Generally, it will be in the range of about 0.1 to 10% by weight (based on the starting compound), preferably about 0.5 to 5% by weight.

【0025】この出願発明は、溶媒の存在下に反応を行
ってもよく、たとえば、反応混合物の粘度増加を押さえ
るために、不活性で、かつ、目的とするアルコキシシラ
ンの沸点よりも高い沸点を有する溶媒、例えば、トルエ
ンまたはキシレン等が好適に使用される。この出願発明
は、塩化水素やクロルシランを副生せず、しかも、好ま
しくない副反応生成物の量が少ないので、ハロゲンフリ
ーなアルコキシシランを高収率で製造することができ
る。
In the invention of this application, the reaction may be carried out in the presence of a solvent. For example, in order to suppress an increase in the viscosity of the reaction mixture, a boiling point which is inert and higher than that of the desired alkoxysilane is used. A solvent having such as toluene or xylene is preferably used. The invention of this application does not produce hydrogen chloride or chlorosilane as a by-product and has a small amount of undesirable side reaction products, so that a halogen-free alkoxysilane can be produced in a high yield.

【0026】[0026]

【実施例】つぎに実施例および比較例によってこの出願
発明を具体的に説明する。 実施例1 温度計、メカニカルスターラー、滴下ロート、精留管
(ラシヒリング充填、長さ30cm)、および蒸留ヘッ
ドを備えた容量300mlの4つ口フラスコに、テトラ
メトキシシラン10.00g(0.066mol 信越
化学社製)およびジルコニウムテトラブトキシド0.8
6g(0.0023mol、松本製薬社製)を加えた。
フラスコ内容物を攪拌しながら117℃に加熱し、これ
にテトラメトキシシラン31.04g(0.204mo
l)および 式 Me3SiO−(MeHSiO)4O−
SiOMe3のポリメチルハイドロジェンシロキサン1
7.30g(Si−H結合換算で0.270mol、信
越化学社製)の混合物を約1時間かけて滴下した。滴下
後、フラスコ内容物の温度を180℃程度まで昇温しな
がら、2時間攪拌を続けた。滴下開始から加熱攪拌終了
までの間に40〜62℃の沸点範囲の留分が23.37
g得られた。留分とフラスコ残分のガスクロマトグラフ
ィーと1H NMRによる分析の結果、原料ポリシロキ
サン中のSi−H基を基準にした収率は、Me(Me
O)2SiHが74%、Me(MeO)SiH2が2%、
(MeO)3SiHが3%、MeSi(OMe)3が4
%、未反応Si(OMe)4は0%であった。アルカリ
分解法で分析した残渣中の残留Si−H基は4%であっ
た(原料ポリシロキサン中のSi−H基基準)。
EXAMPLES Next, the invention of the present application will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. Example 1 Tetramethoxysilane (10.00 g) (0.066 mol Shin-Etsu) was placed in a four-necked flask having a capacity of 300 ml equipped with a thermometer, a mechanical stirrer, a dropping funnel, a rectification tube (Raschig ring filling, length 30 cm), and a distillation head. Chemical Co., Ltd.) and zirconium tetrabutoxide 0.8
6 g (0.0023 mol, Matsumoto Pharmaceutical Co., Ltd.) was added.
The contents of the flask were heated to 117 ° C. with stirring, and 31.04 g (0.204 mo) of tetramethoxysilane was added thereto.
l) and the formula Me 3 SiO- (MeHSiO) 4 O-
SiOMe 3 polymethyl hydrogen siloxane 1
A mixture of 7.30 g (0.270 mol in terms of Si—H bond, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added dropwise over about 1 hour. After the dropping, the temperature of the flask contents was raised to about 180 ° C. and stirring was continued for 2 hours. From the start of dropping to the end of heating and stirring, the fraction in the boiling point range of 40 to 62 ° C was 23.37.
g was obtained. As a result of gas chromatography and 1 H NMR analysis of the fraction and the residue of the flask, the yield based on the Si—H group in the raw polysiloxane was Me (Me
O) 2 SiH 74%, Me (MeO) SiH 2 2%,
(MeO) 3 SiH 3%, MeSi (OMe) 3 4
%, And unreacted Si (OMe) 4 was 0%. The residual Si—H group in the residue analyzed by the alkali decomposition method was 4% (based on the Si—H group in the raw material polysiloxane).

【0027】実施例2 実施例1と同様な装置を用い、そのフラスコにテトラメ
トキシシラン15.0g(0.099mol、信越化学
社製)およびジルコニウムテトラブトキシド0.86g
(0.0023mol、松本製薬社製)を加えた。フラ
スコ内容物を攪拌しながら117℃に加熱し、これにテ
トラメトキシシラン46.6g(0.306mol)お
よび式Me3SiO−(MeHSiO)40−SiOMe3
のポリメチルハイドロジェンシロキサン17.30g
(Si−H結合換算で0.270mol、信越化学社
製)の混合物を約1時間かけて滴下した。滴下後、フラ
スコ内容物の温度を180℃程度まで昇温しながら2時
間攪拌を続けた。滴下開始から加熱攪拌終了までの間に
40〜62℃の沸点範囲を有する留分が32.11g得
られた。留分とフラスコ残分のガスクロマトグラフィー
1H NMRによる分析の結果、原料ポリシロキサン
中のSi−H基を基準にした収率はMe(MeO)2
iHが81%、Me(MeO)SiH2が2%、(Me
O)3SiHが5%、MeSi(OMe)3が4%、未反
応Si(OMe)4は42%であった。アルカリ分解法
で分析した残渣中の残留Si−H基は4%であった(原
料ポリシロキサン中のSi−H基基準)。
Example 2 Using the same apparatus as in Example 1, 15.0 g of tetramethoxysilane (0.099 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 0.86 g of zirconium tetrabutoxide were placed in the flask.
(0.0023 mol, manufactured by Matsumoto Pharmaceutical Co., Ltd.) was added. The contents of the flask were heated to 117 ° C. with stirring, to which 46.6 g (0.306 mol) of tetramethoxysilane and the formula Me 3 SiO— (MeHSiO) 40 —SiOMe 3 were added.
Polymethyl hydrogen siloxane 17.30g
A mixture of (0.270 mol in terms of Si-H bond, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added dropwise over about 1 hour. After the dropping, stirring was continued for 2 hours while raising the temperature of the flask contents to about 180 ° C. From the start of dropping to the end of heating and stirring, 32.11 g of a fraction having a boiling point range of 40 to 62 ° C. was obtained. As a result of gas chromatography and 1 H NMR analysis of the fraction and the residue of the flask, the yield based on the Si—H group in the raw material polysiloxane was Me (MeO) 2 S.
81% iH, 2% Me (MeO) SiH 2 , (Me
O) 3 SiH was 5%, MeSi (OMe) 3 was 4%, and unreacted Si (OMe) 4 was 42%. The residual Si—H group in the residue analyzed by the alkali decomposition method was 4% (based on the Si—H group in the raw material polysiloxane).

【0028】実施例3 実施例1と同様な装置を用い、そのフラスコにメチルト
リメトキシシラン8.95g(0.066mol、信越
化学社製)およびジルコニウムジブトキシドビスアセチ
ルアセトナート0.98g(0.0023mol)を加
えた。フラスコ内容物を攪拌しながら100℃に加熱
し、これにメチルトリメトキシシラン27.70g
(0.204mol)および式Me3SiO−(MeH
SiO)4O−SiOMe3のポリメチルハイドロジェン
シロキサン17.30g(Si−H結合換算で0.27
0mol、信越化学社製)の混合物を約1時間かけて滴
下した。滴下後、フラスコ内容物の温度を180℃程度
まで昇温しながら2時間攪拌を続けた。滴下開始から加
熱攪拌終了までの間に40〜62℃の沸点範囲を有する
留分が23.41g得られた。留分とフラスコ残分のガ
スクロマトグラフィーと1H NMRによる分析の結
果、原料ポリシロキサン中のSi−H基を基準にした収
率は、Me(MeO)2SiHが77%、Me(Me
O)SiH2が3%、(MeO)3SiHが3%、未反応
MeSi(OMe)3が4%であった。アルカリ分解法
で分析した残渣中の残留Si−H基は0%であった(原
料ポリシロキサン中のSi−H基基準)。
Example 3 Using the same apparatus as in Example 1, 8.95 g of methyltrimethoxysilane (0.066 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 0.98 g of zirconium dibutoxide bisacetylacetonate (0. 0023 mol) was added. The contents of the flask were heated to 100 ° C. with stirring, and 27.70 g of methyltrimethoxysilane was added thereto.
(0.204mol) and the formula Me 3 SiO- (MeH
SiO) 4 O-SiOMe 3 polymethyl hydrogen siloxane 17.30 g (0.27 in terms of Si-H bond)
0 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added dropwise over about 1 hour. After the dropping, stirring was continued for 2 hours while raising the temperature of the flask contents to about 180 ° C. From the start of dropping to the end of heating and stirring, 23.41 g of a fraction having a boiling point range of 40 to 62 ° C. was obtained. As a result of gas chromatography and 1 H NMR analysis of the fraction and the residue of the flask, the yield based on the Si—H group in the raw material polysiloxane was 77% for Me (MeO) 2 SiH and Me (MeO) 2 SiH.
O) SiH 2 was 3%, (MeO) 3 SiH was 3%, and unreacted MeSi (OMe) 3 was 4%. The residual Si—H group in the residue analyzed by the alkali decomposition method was 0% (based on the Si—H group in the raw material polysiloxane).

【0029】実施例4 実施例1と同様な装置を用い、そのフラスコにメチルト
リメトキシシラン13.4g(0.099mol、信越
化学社製)およびジルコニウムジブトキシドビスアセチ
ルアセトナート0.98g(0.0023mol)を加
えた。フラスコ内容物を攪拌しながら100℃に加熱
し、これにメチルトリメトキシシラン41.62g
(0.306mol)および式Me3SiO−(MeH
SiO)4O−SiOMe3のポリメチルハイドロジェン
シロキサン17.30g(Si−H結合換算で0.27
0mol、信越化学社製)の混合物を約1時間かけて滴
下した。滴下後、フラスコ内容物の温度を180℃程度
まで昇温しながら2時間攪拌を続けた。滴下開始から加
熱攪拌終了までの間に40〜62℃の沸点範囲を有する
留分が41.03g得られた。留分とフラスコ残分のガ
スクロマトグラフィーと1H NMRによる分析の結
果、原料ポリシロキサン中のSi−H基を基準にした収
率はMe(MeO)2SiHが86%、Me(MeO)
SiH2が3%、(MeO)3SiHが4%、未反応Me
Si(OMe)3は46%であった。アルカリ分解法で
分析した残渣中の残留Si−H基は1%であった(原料
ポリシロキサン中のSi−H基基準)。
Example 4 Using the same apparatus as in Example 1, 13.4 g of methyltrimethoxysilane (0.099 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 0.98 g of zirconium dibutoxide bisacetylacetonate (0. 0023 mol) was added. The contents of the flask were heated to 100 ° C. with stirring, and 41.62 g of methyltrimethoxysilane was added thereto.
(0.306mol) and the formula Me 3 SiO- (MeH
SiO) 4 O-SiOMe 3 polymethyl hydrogen siloxane 17.30 g (0.27 in terms of Si-H bond)
0 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added dropwise over about 1 hour. After the dropping, stirring was continued for 2 hours while raising the temperature of the flask contents to about 180 ° C. From the start of dropping to the end of heating and stirring, 41.03 g of a fraction having a boiling point range of 40 to 62 ° C. was obtained. As a result of analysis by gas chromatography and 1 H NMR of the fraction and the residue of the flask, the yield based on the Si—H group in the raw material polysiloxane was 86% for Me (MeO) 2 SiH and Me (MeO).
SiH 2 3%, (MeO) 3 SiH 4%, unreacted Me
Si (OMe) 3 was 46%. The residual Si—H group in the residue analyzed by the alkali decomposition method was 1% (based on the Si—H group in the raw material polysiloxane).

【0030】比較例1 実施例1と同様な装置を用い、そのフラスコにテトラメ
トキシシラン10.00g(0.066mol、信越化
学社製)およびチタンテトラブトキシドモノマー0.2
3g(0.00068mol、和光純薬社製)を加え
た。フラスコ内容物を攪拌しながら110℃に加熱し、
これにテトラメトキシシラン31.04g(0.204
mol)および式Me3SiO−(MeHSiO)4O−
SiMe3のポリメチルハイドロジェンシロキサン1
7.30g(Si−H結合換算で0.270mol、信
越化学社製)の混合物を約1時間かけて滴下した。滴下
後、フラスコ内容物の温度を170℃程度まで昇温しな
がら2時間攪拌を続けた。滴下開始から加熱攪拌終了ま
での間に40〜62℃の沸点範囲を有する留分が22.
43g得られた。ガスクロマトグラフィーと1H NM
Rによる分析の結果、原料ポリシロキサン中のSi−H
基を基準にした収率はMe(MeO)2SiHが68
%、Me(MeO)SiH2が5%、(MeO)3SiH
が3%、MeSi(OMe)3が1%であった。アルカ
リ分解法で分析した残渣中の残留Si−H基は8%であ
った(原料ポリシロキサン中のSi−H基基準)。
Comparative Example 1 Using the same apparatus as in Example 1, 10.00 g of tetramethoxysilane (0.066 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 0.2 parts of titanium tetrabutoxide monomer were placed in the flask.
3 g (0.00068 mol, Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. Heat the contents of the flask to 110 ° C with stirring,
To this, 31.04 g (0.204 g) of tetramethoxysilane
mol) and the formula Me 3 SiO- (MeHSiO) 4 O-
SiMe 3 polymethyl hydrogen siloxane 1
A mixture of 7.30 g (0.270 mol in terms of Si—H bond, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added dropwise over about 1 hour. After dropping, stirring was continued for 2 hours while raising the temperature of the flask contents to about 170 ° C. A fraction having a boiling point range of 40 to 62 ° C. is 22. from the start of dropping to the end of heating and stirring.
43 g were obtained. Gas chromatography and 1 H NM
As a result of analysis by R, Si-H in the raw polysiloxane
The yield based on the group is 68 for Me (MeO) 2 SiH.
%, 5% Me (MeO) SiH 2 and (MeO) 3 SiH
Was 3% and MeSi (OMe) 3 was 1%. The residual Si—H group in the residue analyzed by the alkali decomposition method was 8% (based on the Si—H group in the raw material polysiloxane).

【0031】比較例2 実施例1と同様な装置を用い、そのフラスコにメチルト
リメトキシシラン8.95g(0.066mol、信越
化学社製)およびチタンテトラブトキシドモノマー0.
23g(0.00068mol、和光純薬社製)を加え
た。フラスコ内容物を攪拌しながら110℃に加熱し、
これにメチルトリメトキシシラン27.70g(0.2
04mol)および式Me3SiO−(MeHSiO)4
O−SiOMe3のポリメチルハイドロジェンシロキサ
ン17.30g(Si−H結合換算で0.270mo
l、信越化学社製)の混合物を約1時間かけて滴下し
た。滴下後、フラスコ内容物の温度を190℃程度まで
昇温しながら2時間攪拌を続けた。滴下開始から加熱攪
拌終了までの間に40〜62℃の沸点範囲を有する留分
が30.84g得られた。ガスクロマトグラフィーと1
H NMRによる分析の結果、原料ポリシロキサン中の
Si−H基を基準にした収率はMe(MeO)2SiH
が68%、Me(MeO)SiH2が17%、(Me
O)3SiHが0%、未反応MeSi(OMe)3は26
%であった。アルカリ分解法で分析した残渣中の残留S
i−H基は0%であった(原料ポリシロキサン中のSi
−H基基準)。
Comparative Example 2 Using the same apparatus as in Example 1, 8.95 g of methyltrimethoxysilane (0.066 mol, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and titanium tetrabutoxide monomer 0.1.
23 g (0.00068 mol, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. Heat the contents of the flask to 110 ° C with stirring,
27.70 g of methyltrimethoxysilane (0.2
04mol) and the formula Me 3 SiO- (MeHSiO) 4
17.30 g of polymethyl hydrogen siloxane of O-SiOMe 3 (0.270 mo in terms of Si-H bond)
1, a product of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added dropwise over about 1 hour. After dropping, stirring was continued for 2 hours while raising the temperature of the flask contents to about 190 ° C. From the start of dropping to the end of heating and stirring, 30.84 g of a fraction having a boiling point range of 40 to 62 ° C. was obtained. With gas chromatography 1
As a result of 1 H NMR analysis, the yield based on the Si—H group in the raw material polysiloxane was Me (MeO) 2 SiH.
68%, Me (MeO) SiH 2 17%, (Me
O) 3 SiH is 0%, unreacted MeSi (OMe) 3 is 26
%Met. Residual S in the residue analyzed by alkali decomposition method
The i-H group was 0% (Si in the raw polysiloxane
-H group basis).

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】[0033]

【発明の効果】以上のように、この出願発明は、ジルコ
ニウムアルコキシドまたはキレート触媒の存在下に、ア
ルコキシシランとポリシロキサンとを反応させることに
より、塩化水素やクロルシランなどの副生成物を抑制
し、目的とするアルコキシシランを高収率で製造すると
いう優れた効果を得ることができる。
As described above, the present invention suppresses by-products such as hydrogen chloride and chlorosilane by reacting an alkoxysilane with a polysiloxane in the presence of a zirconium alkoxide or a chelate catalyst, It is possible to obtain the excellent effect of producing the desired alkoxysilane in a high yield.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (1)一般式 R1 aSi(OR24-a (式中、R1は1価の置換または未置換炭化水素基、R2
は置換または未置換アルキル基、aは0、1、2または
3を表す)で示されるアルコキシシランと、ポリシロキ
サンとを、ジルコニウムアルコキシドまたはキレート触
媒存在下に反応させることを特徴とする一般式 R3 bSiHc(OR24-(b+c) (式中、R2は上記と同じ、R3は置換または非置換の1
価の炭化水素基、bは1、2または3、cは0、1また
は2を表す。)で示されるアルコキシシランの製造方
法。
1. A general formula R 1 a Si (OR 2 ) 4-a (wherein R 1 is a monovalent substituted or unsubstituted hydrocarbon group, R 2
Is a substituted or unsubstituted alkyl group, a is 0, 1, 2 or 3) and a polysiloxane is reacted with a polysiloxane in the presence of a zirconium alkoxide or a chelate catalyst. 3 b SiH c (OR 2 ) 4- (b + c) (wherein R 2 is the same as above, R 3 is a substituted or unsubstituted 1
A valent hydrocarbon group, b represents 1, 2 or 3 and c represents 0, 1 or 2. The manufacturing method of the alkoxysilane shown by these.
【請求項2】 ポリシロキサンが分子中にSi−H結合
を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の
アルコキシシランの製造方法。
2. The method for producing an alkoxysilane according to claim 1, wherein the polysiloxane has a Si—H bond in the molecule.
JP26548093A 1993-04-02 1993-09-30 Production of alkoxysilane Pending JPH07102066A (en)

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US08/220,594 US5391797A (en) 1993-04-02 1994-03-31 Process for preparing alkoxysilane
EP94105156A EP0618211A1 (en) 1993-04-02 1994-03-31 Process for preparing alkoxysilane

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6262289B1 (en) 1997-06-11 2001-07-17 Kaneka Corporation Process for preparing cyclic oligosiloxanes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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