JPH0697086A - 半導体製造用流体材料供給装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 有効な漏洩事故防止対策を図り得て，更に液
体材料に対しその安定供給をも図り得る半導体製造用流
体材料供給装置。 【構成】 この装置Ａ₂ ´は半導体製造装置１に液体材
料を供給する供給源２´と，供給源２´により供給され
た液体材料を気化する気化器４と，気化器４と半導体製
造装置１とを接続する供給配管３´と，気化器４により
気化された材料の圧力が一定となるようにこの材料を供
給源２´側に循環させる循環配管５と，循環配管５中に
配設されて上記気化された材料を液化して回収する冷却
器６とを備えると共に，供給配管３´を二重配管構造に
してその内部配管３_a ´内に気化された材料を導くよう
に構成されている。上記構成により，有効な漏洩事故防
止対策を図り得て，更に液体材料に対しその安定供給を
も図り得る半導体製造用流体材料供給装置を得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用流体材料供
給装置に係り，詳しくは半導体製造装置に付随する気体
又は液体材料の供給装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より，半導体製造用流体材料の供給
方法として気体材料を半導体製造装置へ直接供給する方
法と，液体材料を気化して供給する方法（所謂泡式）と
が一般的に用いられてきた。図６は従来の半導体製造用
気体材料供給装置Ａ₁ の一例における概略構成を示す模
式図，図７は従来の半導体製造用液体材料供給装置Ａ₂
の一例における概略構成を示す模式図である。まず，気
体材料を直接供給する方法を用いる従来の気体材料供給
装置Ａ₁ の構成について略述する。即ち，図６に示す如
く従来の気体材料供給装置Ａ₁ は，主として半導体製造
装置１に気体材料を供給するボンベ等からなる供給源２
と，供給源２と半導体製造装置１とを接続する供給配管
３とから構成されている。次に，この気体材料供給装置
Ａ₁ の動作について略述する。即ち，供給源２よりシラ
ンガス等の気体材料が供給配管３を介して直接半導体製
造装置１へ供給される。この気体材料は大変毒性の強い
有毒ガスである。このため，気体材料の漏洩事故防止対
策として，定期的に供給配管３のリークチェックを行う
他，材料の漏洩感知器（不図示）を半導体製造装置１に
設置し，漏洩が発見された場合，供給源２側の緊急遮断
弁ＥＳＶの閉鎖並びに半導体製造装置１が設置されてい
る部屋全体の緊急排気措置が講ぜられてきた。このよう
にして安全性を担保していた。引続いて，液体材料を気
化して供給する方法を用いる従来の液体材料供給装置Ａ
₂ の構成について略述する。即ち，図７に示す如く従来
の液体材料供給装置Ａ₂ は，主として半導体製造装置１
に液体材料を供給するタンク等からなる供給源２´と，
供給源２´により供給された液体材料をキャリアガスで
泡だたせて気化する気化器４と，気化器４と半導体製造
装置１とを接続する供給配管３´とから構成されてい
る。次に，この液体材料供給装置Ａ₂ の動作について略
述する。即ち，供給源２´より珪酸エチル（ＴＥＯＳ）
等の液体材料が気化器４に供給される。液体材料が供給
された気化器４の中にＮ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ等の希ガス（キ
ャリアガス）が通され，泡を発生させる。この泡に含ま
れる液体材料の蒸気は，キャリアガスと共に保温された
供給配管３´内を輸送される。キャリアガスの流量は気
化器４の入口又は出口に設けられた流量制御器ＭＦＣ
（マスフローコントローラ）により制御される。この制
御により液体材料の蒸気の流量が間接的に制御される。
このようにして液体材料の蒸気を半導体製造装置１へ供
給していた。以上のように，従来はこれらの装置Ａ₁ 又
はＡ₂ を用いて半導体製造装置１への材料供給が行われ
ていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
半導体製造用気体材料供給装置Ａ₁ では以下のような問
題点がある。 （１）定期的な供給配管３のリークチェック時に配管内
の気体材料と不活性ガスとの置換を行うが，このために
長い時間（約１日以上）がかかり，この間半導体製造装
置１を停止させなければならない。従って半導体製造設
備をフル操業させる上での障害となり，運転効率が低下
するおそれがある。 （２）供給配管３のリークチェックを定期的に実施して
いたからといって，実際に気体材料の漏洩が生じた際の
人身事故や災害等の防止策とはならない。つまり，実際
に気体材料の漏洩が感知器により発見された時は，気体
材料は既に半導体製造工場内，または実験室内に放出さ
れてしまった後である。なお，上記供給配管のリークチ
ェックは，液体材料供給装置Ａ₂ については気化器４に
液体材料を入れたまま供給配管３´のリークチェックを
行えないことから，実際上適用困難である。 又，従来の半導体製造用液体材料供給装置Ａ₂ では以下
のような問題点がある。 （１）液体材料といえども珪酸エチル（ＴＥＯＳ）の蒸
気は強い毒性が確認されているため，気体材料と同様の
漏洩防止対策が必要である。しかし，前述の如く，供給
配管３´のリークチェックは適用困難である。 （２）実際の運転時には半導体製造装置１内に絶えず連
続的に液体材料の蒸気が取り入れられるとは限らない。
このため，供給配管３´内を流れる蒸気の濃度及び流量
を一定に制御し，移送することが困難である。例えば，
液体有機材料の珪酸エチル（ＴＥＯＳ），四塩化珪素
（ＳｉＣｌ₄ ）などを液体材料に用いたＣＶＤシリコン
酸化膜製造装置，および拡散熱処理装置またはエッチン
グ装置では，成膜またはエッチングを行なうか，又は行
なわないかの制御を，液体材料の蒸気を含むキャリアガ
スが半導体製造装置１に供給されるか，又は供給されな
いかの２状態の切り替えによって行っている。この切り
替えにより供給配管３´内にキャリアガスと蒸気の混合
ガスが流れたり，流れなかったりするため，ジュール・
トムソン効果等により供給配管３´内の温度が容易に変
動を受ける。その結果，キャリアガス中の材料の蒸気圧
が以下のクラペーロンの経験式で表されるように指数関
数的に変化し，ガス中の材料の蒸気の濃度が不安定にな
り易い。 クラペーロンの経験式（蒸気圧の温度変化を表す式）： ＬｏｇＰ＝ａ_v −ｂ_v ／Ｔ ここで，Ｐは蒸気圧，Ｔは絶対温度，ａ_v ，ｂ_v は定数
を示す。 本発明はこのような従来の技術における課題を解決する
ために，半導体製造用流体材料供給装置を改良し，有効
な漏洩事故防止対策を図り得て，更に液体材料に対しそ
の安定供給をも図り得る半導体製造用流体材料供給装置
の提供を目的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は，半導体製造装置に気体材料を供給する供給
源と，上記供給源と上記半導体製造装置とを接続する供
給配管とを備えた半導体製造用流体材料供給装置におい
て，上記供給配管を二重配管構造にしてその内側配管内
に上記気体材料を導いてなることを特徴とする半導体製
造用流体材料供給装置として構成されている。更には，
半導体製造装置に液体材料を供給する供給源と，上記供
給源により供給された液体材料を気化する気化装置と，
上記気化装置と上記半導体製造装置とを接続する供給配
管とを備えた半導体製造用流体材料供給装置において，
上記気化された材料の圧力が一定となるように該材料
を上記供給源側に循環させる循環手段を具備し，上記循
環手段に上記材料を液化して回収する回収手段を設けて
なることを特徴とする半導体製造用流体材料供給装置で
ある。更には，半導体製造装置に液体材料を供給する供
給源と，上記供給源により供給された液体材料を気化す
る気化装置と，上記気化装置と上記半導体製造装置とを
接続する供給配管とを備えた半導体製造用流体材料供給
装置において，上記気化された材料の圧力が一定となる
ように該材料を上記供給源側に循環させる循環手段を具
備し，上記循環手段に上記材料を液化して回収する回収
手段を設けると共に，上記供給配管を二重配管構造にし
てその内側配管内に上記気化された材料を導いてなるこ
とを特徴とする半導体製造用流体材料供給装置である。
更には，上記供給配管の内側配管内に導びかれる気体材
料の温度を直接又は間接的に検出する温度検出手段と，
上記温度検出手段により検出される温度に基づいて上記
材料を加熱する加熱手段とを設けてなる半導体製造用流
体材料供給装置である。更には上記供給配管の外側配管
内を排気する排気手段を設けてなる半導体製造用流体材
料供給装置である。更には，上記供給配管の外側配管内
の圧力を検出する圧力検出手段と，上記供給源からの気
体材料の供給を停止させる供給停止手段とを設け，上記
圧力検出手段により検出された圧力に基づいて上記排気
手段により上記外側配管内を排気すると共に，上記供給
停止手段により上記材料の供給を停止させてなる半導体
製造用流体材料供給装置である。

【０００５】

【作用】本発明によれば，気体材料を供給する供給源と
半導体製造装置とを接続する供給配管を二重配管構造に
して，その内側配管内に上記気体材料が導びかれる。従
って，供給配管の内側配管から万一気体材料が漏洩した
場合でも外側配管内に留まるため，工場内や実験室内等
へ該材料が漏洩するおそれが少なくなる。更に，液体材
料を供給する供給源の場合，上記供給源により供給され
た液体材料が気化装置により気化され，上記気化装置と
半導体製造装置とを接続する供給配管により上記気化さ
れた材料が上記半導体製造装置に供給される。この際，
循環手段により上記気化された材料の圧力が一定となる
ように該材料が上記供給源側に循環される。又，上記循
環手段に設けられた回収手段により上記材料が液化され
て回収される。従って，半導体製造装置側への材料供給
の有無に拘らず，常に供給配管内に一定流量の材料が流
れて同配管内の圧力状態が一定に保たれるため，液体材
料の蒸気濃度及び流量を安定させることができる。更
に，上記供給配管の内側配管内に導かれる気体材料の温
度が温度検出手段により直接的又は間接的に検出され，
上記温度検出手段により検出される温度に基づいて，加
熱手段により上記材料が加熱される。従って，供給配管
内の温度状態が一定に保たれるため，このことによって
も液体材料の蒸気濃度及び流量を安定させることができ
る。更に，上記供給配管の外側配管内が排気手段により
排気される。従って，供給配管の外側配管内が負圧に保
たれるため，内側配管から万一気体材料が漏洩した場合
でも外側配管内に留まり，工場内や実験室内等への該材
料の漏洩のおそれをより少なくすることができる。更
に，上記供給配管の外側配管内の圧力が圧力検出手段に
より検出され，上記圧力検出手段により検出された圧力
に基づいて上記排気手段により上記外側配管内が排気さ
れると共に，供給停止手段により上記供給源からの気体
材料の供給が停止される。従って，供給配管の外側配管
内の負圧が所定レベルとなった時に内側配管から気体材
料が漏洩したとして，外側配管内の自動排気及び供給源
の遮断を行うことにより，工場内や実験室内等への該材
料の漏洩のおそれをなくすことができる。その結果，有
効な漏洩防止対策を図り得て，更に液体材料に対しその
安定供給をも図り得る半導体製造用流体材料供給装置を
得ることができる。

【０００６】

【実施例】以下，添付図面を参照して本発明を具体化し
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の第１の実施例に係る半導体製造用気
体材料供給装置Ａ ₁ ´の概略構成を示す模式図，図２は
本発明の第２の実施例に係る半導体製造用液体材料供給
装置Ａ₂ ´の概略構成を示す模式図，図３は供給配管の
構造を示す斜視図，図４は供給配管の継目部の構造を示
す斜視図，図５は温度制御関連部分を示す説明図であ
る。また前記図６に示した従来の半導体製造用気体材料
供給装置Ａ₁ の一例における概略構成を示す模式図及び
図７の従来の半導体製造用液体材料供給装置Ａ₂ の一例
における概略構成を示す模式図と共通する要素には同一
符号を使用する。図１に示す如く，第１の実施例に係る
半導体製造用気体材料供給装置Ａ₁ ´は半導体製造装置
１へ気体材料を供給する供給源２及びこの気体材料の供
給配管３を備えている点で従来例と同様である。しか
し，この第１の実施例では供給配管３を二重配管構造に
して，その内側配管３_a 内に気体材料を導くように構成
されている点で従来例と異なる。以下，この装置Ａ₁ ´
について具体的に説明する。即ち，この装置Ａ₁ ´で
は，供給配管３を二重配管構造とし，内側に気体材料を
導く内側配管３_a ，そして内側配管３_a の外側に外側配
管３_b を設置する。各配管の直線部分は，図３に示す通
りである。内側配管３_a には通常市販されているステン
レス製の配管材料（配管径１／４インチ又は３／８イン
チ）を使用し，外部配管３_b には外径約４〜５ｃｍのス
テンレス製の真空配管材料を用いる。内側配管３_a と外
側配管３_b とを相互に固定するパーツＳについてその材
料は特に限定するものではなく，例えばプラスチック製
の加工しやすいものを用いればよい。但し，後述の如く
温度制御を行う配管においては耐熱，低熱伝達性の材料
を用いる。また，配管の継目箇所は図４に示す様に外側
配管３_b をフレキシブルチューブＦＴとし，継ぎ手Ｊは
市販のコネクタを用いる。このように供給配管３を二重
配管構造とすることにより，内側配管３_a から万一気体
材料が漏洩した場合でも外側配管３_b 内に留まるため，
工場内や実験室内等へ気体材料が漏洩するおそれが少な
くなる。

【０００７】又，外側配管３_b 内の圧力をモニタできる
様にポートを設け，このポートにバラトロンあるいはサ
ーモカップル等の真空計ＶＧ（圧力検出手段に相当）を
装備する。そして真空計ＶＧにより外側配管３_b 内の負
圧状態を監視し，予め設定した負圧（例えば１Ｔｏｒ
ｒ）より圧力が上昇した場合，自動的に外部配管３_b 内
を真空ポンプＰ（排気手段に相当）により排気し，かつ
気体材料の供給源２であるボンベ側の緊急遮断弁ＥＳＶ
が閉じるような構成とする。真空ポンプＰは市販のロー
タリーポンプを用い，又ボンベ側の緊急遮断弁ＥＳＶは
通常よく使われている電磁弁を用いれば良い。このよう
に供給配管３の外側配管３_b 内を負圧に保ち，この負圧
の変化により内側配管３_a からの気体材料の漏洩を連続
監視することができる。そして，万一気体材料が内側配
管３_a から漏れても外側配管３_b 内の自動排気及び供給
源２の遮断といった措置により漏れを止めて工場内や実
験室内等への気体材料の漏洩のおそれをなくすことがで
きる。又，漏洩感知を連続的に監視できるので，従来例
の配管のリークチェックにおける様な装置運転効率上の
問題点，つまり長い時間（約１日以上）半導体製造装置
を停止させなければならないということもなくなる。引
続いて，液体材料を扱う装置Ａ₂ ´について述べる。図
２に示す如く，第２の実施例に係る半導体製造用液体材
料供給装置Ａ₂ ´は，半導体製造装置１への液体材料の
供給源２´，気化器４（気化装置に相当）及び供給配管
３´を備えている点で従来例と同様である。しかし，こ
の第２の実施例では気化器４により気化された材料の圧
力が一定となるように材料を供給源２´側に循環させる
循環配管５（循環手段に相当）と，循環配管５中に配設
されて上記気化された材料を液化して回収する冷却器６
（回収手段に相当）とを設けると共に，図３，４に示す
ように供給配管３´を二重配管構造にしてその内側配管
３_a ´内に気化された材料を導くように構成されている
点で従来例と異なる。以下，この装置Ａ₂ ´について具
体的に説明する。即ち，この装置Ａ₂ ´では，気化器４
から取り出される供給配管３´の配管径をむやみに変え
ないで一定に保ち（例えば，１／４インチ，又は３／８
インチ管で統一する），かつ外部からの温度変動を受け
ないように一定温度に昇温し，保温する（例えば液体材
料が珪酸エチルの場合は約８０度に保つ）。前述の如き
気化された材料の外部への漏洩防止と上記保温のため，
気化器４から取り出された蒸気の移送用の供給配管３´
を図３に示すように二重配管構造にする。但し，この配
管途中には流量制御器ＭＦＣを付けない。これは蒸気を
流量制御器ＭＦＣ内に通すことにより，どうしても流量
制御器ＭＦＣ内で圧力の変化が発生し，不安定要因にな
るからである。従って，供給配管３´内の蒸気の流量制
御器ＭＦＣは，材料の蒸気が半導体製造装置１に供給さ
れないで冷却器６に向かう循環配管５中に設置する。そ
して，気化器４のキャリアガス入口側にも流量制御器Ｍ
ＦＣを設け，両方の流量制御器を用いて半導体製造装置
１へ実際に流れる蒸気量を制御する。

【０００８】次に，半導体製造装置１の反応室直前の供
給配管３´に三方弁Ｖを取り付ける。三方弁Ｖの取り付
け位置は，反応室（ＣＶＤチャンバもしくはエッチング
リアクタ）に極力近づける。これは，三方弁Ｖと半導体
製造装置１との間の供給配管３´内に閉じ込められる蒸
気量を少なくし，蒸気の供給開始時の濃度変化等をおさ
えるためである。ここで用いる三方弁Ｖは，液体材料の
蒸気を含むキャリアガスを半導体製造装置１に（供給す
る／供給しない）の切り替え動作をも要求される。この
ため，ガスの流れる方向を半導体製造装置１から送られ
てくる電気信号によって制御できるように市販の電磁弁
等によって構成する。三方弁Ｖの一方を半導体製造装置
１の反応室へ，他方を循環配管５を介して冷却器６側へ
接続する。そして，三方弁Ｖを冷却器６側へ切り替える
ことにより，液体材料の蒸気を含むキャリアガスは冷却
器６内へ導びかれ，ここでキャリアガス中の蒸気を再び
液化させる。即ち，室温以下（例えば０度）に冷やした
タンク等からなる冷却器６内に蒸気を含むキャリアガス
を減圧下で導入することにより，ジュール・トムソン効
果に従い温度の急激な低下が生じ，蒸気は液化するので
ある。冷却器６で液化してキャリアガスから分離された
液体材料は，液体材料回収配管を通じて再び液体材料供
給の元タンクである供給源２´に返される。また，分離
された後のキャリアガスは排気される。排気されたガス
の処理方法は周知の技術に従う。このように半導体製造
装置１側への材料供給の有無に拘らず，常に図２中の供
給配管３′内等に一定流量の材料が流れて同配管内の圧
力状態が一定に保たれるため，液体材料に対してその蒸
気濃度及び流量を安定させることができる。更に，液体
材料の蒸気を移送する場合は，移送中の液化防止のため
配管表面からの放熱等による材料温度の降下を防ぐ必要
がある。このため，供給配管３´の外側管壁に温度制御
用の電熱線ＥＨ（加熱手段に相当）と，熱電変換素子
（温度計）ＴＳ（温度検出手段に相当）とを取り巻く様
に設置し，熱電変換素子ＴＳにより検出される温度に基
づいて電熱線ＥＨにより蒸気を加熱し，その温度を制御
する。このように供給配管３´内の温度状態を一定に保
ち，このことによっても液体材料の蒸気濃度及び流量を
安定させることができる。更に，供給配管３´を二重配
管構造にして，前述の気体材料供給装置Ａ₁ ´と同様に
気化された材料の工場内や実験室内等への漏洩防止を図
ることができる。以上のようにこれら第１，第２の実施
例によれば，有効な漏洩事故防止対策を図り得て，更に
液体材料に対しその安定供給をも図り得る半導体製造用
流体材料供給装置を得ることができる。尚，上記第１，
第２の実施例では供給配管３，３´を内側配管と外側配
管とを各１本設けた二重配管構造としたが，実使用に際
しては１本の外側配管内に複数本の内側配管を設けた構
造としても良く，又，外側配管の代りに角ダクト等を用
いても良い。その場合，配管スペースをより小さくする
ことができる。尚，上記第２の実施例では，半導体製造
装置１が１台接続された場合を例示したが，実使用に際
しては上記第１の実施例の如く複数台接続しても良い。
その場合，半導体製造設備全体としての構造を簡略化す
ることができる。尚，上記第２の実施例では温度計によ
り供給配管３´内に導びかれる気体材料（液体材料の蒸
気）の温度を間接的に検出しているが，実使用に際して
は材料内に温度計を挿入して直接検出しても良く，更に
は温度計の機能を内蔵した自己制御型の電熱線を用いて
も良い。自己制御型の電熱線を用いた場合は温度計が不
要となり，その設置場所による材料温度のバラツキ等を
なくすことができる。

【０００９】

【発明の効果】本発明に係る半導体製造用流体材料供給
装置は，上記したように構成されているため，二重配管
構造化された供給配管の内側配管から万一気体材料が漏
洩した場合でも外側配管内に溜まるため，工場内や実験
室内等へ気体材料が漏洩するおそれが少なくなる。更
に，供給配管の外側配管内を負圧に保ち，この負圧の変
化により内側配管からの気体材料の漏洩を連続監視する
ことができる。そして，万一気体材料が内側配管から漏
れても外側配管内の自動排気及び供給源２の遮断といっ
た措置により漏れを止めて工場内や実験室内等への気体
材料の漏洩のおそれをなくすことができる。又，漏洩感
知を連続的に監視できるので，従来例における配管のリ
ークチエックの様な装置運転効率上の問題点，つまり長
い時間（約１日以上）半導体製造装置を停止させなけれ
ばならないということもなくなる。一方，液体材料を扱
う場合，半導体製造装置側への材料供給の有無に拘ら
ず，常に供給配管内に一定流量の材料が流れて同配管内
の圧力状態が一定に保たれるため，液体材料の蒸気濃度
及び流量を安定させることができる。更に，供給配管内
の温度状態を一定に保ち，このことによっても液体材料
の蒸気濃度及び流量を安定させることができる。その結
果，有効な漏洩事故防止対策を図り得て，更に液体材料
に対しその安定供給をも図り得る半導体製造用流体材料
供給装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例に係る半導体製造用気
体材料供給装置Ａ₁ ´の概略構成を示す模式図。

【図２】 本発明の第２の実施例に係る半導体製造用液
体材料供給装置Ａ₂ ´の概略構成を示す模式図。

【図３】 供給配管の構造を示す斜視図。

【図４】 供給配管の継目部の構造を示す斜視図。

【図５】 温度制御関連部分を示す説明図。

【図６】 従来の半導体製造用気体材料供給装置Ａ₁ の
一例における概略構成を示す模式図。

【図７】 従来の半導体製造用液体材料供給装置Ａ₂ の
一例における概略構成を示す模式図。

【符号の説明】

Ａ₁ ´…半導体製造用気体材料供給装置（半導体製造用
流体材料供給装置に相当） Ａ₂ ´…半導体製造用液体材料供給装置（半導体製造用
流体材料供給装置に相当） １…半導体製造装置 ２，２´…供給源 ３，３´…供給配管 ３_a ，３_a ´…内側配管 ３_b ，３_b ´…外側配管 ４…気化器（気化装置に相当） ５…循環配管（循環手段に相当） ６…冷却器（回収手段に相当） ＴＳ…熱電変換素子（温度計）（温度検出手段に相当） ＥＨ…電熱線（加熱手段に相当） Ｐ…真空ポンプ（排気手段に相当） ＶＧ…真空計（圧力検出手段に相当） Ｖ…三方弁 ＥＳＶ…緊急遮断弁（供給停止手段に相当）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体製造装置に気体材料を供給する供
   給源と，上記供給源と上記半導体製造装置とを接続する
   供給配管とを備えた半導体製造用流体材料供給装置にお
   いて，上記供給配管を二重配管構造にしてその内側配管
   内に上記気体材料を導いてなることを特徴とする半導体
   製造用流体材料供給装置。
2. 【請求項２】 半導体製造装置に液体材料を供給する供
   給源と，上記供給源により供給された液体材料を気化す
   る気化装置と，上記気化装置と上記半導体製造装置とを
   接続する供給配管とを備えた半導体製造用流体材料供給
   装置において，上記気化された材料の圧力が一定となる
   ように該材料を上記供給源側に循環させる循環手段を具
   備し，上記循環手段に上記材料を液化して回収する回収
   手段を設けてなることを特徴とする半導体製造用流体材
   料供給装置。
3. 【請求項３】 半導体製造装置に液体材料を供給する供
   給源と，上記供給源により供給された液体材料を気化す
   る気化装置と，上記気化装置と上記半導体製造装置とを
   接続する供給配管とを備えた半導体製造用流体材料供給
   装置において，上記気化された材料の圧力が一定となる
   ように該材料を上記供給源側に循環させる循環手段を具
   備し，上記循環手段に上記材料を液化して回収する回収
   手段を設けると共に，上記供給配管を二重配管構造にし
   てその内側配管内に上記気化された材料を導いてなるこ
   とを特徴とする半導体製造用流体材料供給装置。
4. 【請求項４】 上記供給配管の内側配管内に導びかれる
   気体材料の温度を直接又は間接的に検出する温度検出手
   段と，上記温度検出手段により検出される温度に基づい
   て上記材料を加熱する加熱手段とを設けてなる請求項１
   又は３記載の半導体製造用流体材料供給装置。
5. 【請求項５】 上記供給配管の外側配管内を排気する排
   気手段を設けてなる請求項１，３又は４記載の半導体製
   造用流体材料供給装置。
6. 【請求項６】 上記供給配管の外側配管内の圧力を検出
   する圧力検出手段と，上記供給源からの気体材料の供給
   を停止させる供給停止手段とを設け，上記圧力検出手段
   により検出された圧力に基づいて上記排気手段により上
   記外側配管内を排気すると共に，上記供給停止手段によ
   り上記材料の供給を停止させてなる請求項５記載の半導
   体製造用流体材料供給装置。