JPH0695144A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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Publication number
JPH0695144A
JPH0695144A JP24212592A JP24212592A JPH0695144A JP H0695144 A JPH0695144 A JP H0695144A JP 24212592 A JP24212592 A JP 24212592A JP 24212592 A JP24212592 A JP 24212592A JP H0695144 A JPH0695144 A JP H0695144A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
insulating film
capacitor electrode
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP24212592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Ukai
育弘 鵜飼
Tomihisa Sunada
富久 砂田
Toshiya Inada
利弥 稲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hosiden Corp
Original Assignee
Hosiden Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Hosiden Corp filed Critical Hosiden Corp
Priority to JP24212592A priority Critical patent/JPH0695144A/en
Publication of JPH0695144A publication Critical patent/JPH0695144A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide the picture element of the liquid crystal display element which lessens the fluctuation in the ratio of the capacity of a control capacitor electrode and accumulation capacity capacitor electrode arising from the variation in production process. CONSTITUTION:The picture element of this liquid crystal display element consists of a transparent substrate 1 which is formed with an insulating film 24 on its front surface, a second substrate 5 which is formed with a common electrode 6 on its rear surface, a liquid crystal 7 which is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24, plural auxiliary pixel electrodes 4, the control capacitor electrode 2, the accumulation capacity capacitor electrode 12 and a TFT 8 which controls the on and off of the picture elements. The above-mentioned control capacitor electrode 2 and the accumulation capacity capacitor electrode 12 are formed on the front or rear surface of the insulating film 24 which is the same surface common with each other and such control capacitor electrode 2 and accumulation capacity capacitor electrode 13 are respectively formed between the auxiliary pixel electrodes 4 disposed to face each other via the insulating film 24.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、複数の副画素より成
る多階調表示可能な液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device comprising a plurality of sub-pixels and capable of multi-gradation display.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数の副画素より成る多階調表示可能な
液晶表示素子の先行技術を図7を参照して説明する。図
7(a)は板状の液晶表示素子から垂直に切出して示し
た1個の画素の平面を示す図であり、(b)は(a)に
おける直線b−bで示されるところの断面を矢印方向に
見た図であり、(c)は(a)における直線c−cで示
されるところの断面を矢印方向に見た図である。
2. Description of the Related Art A prior art of a liquid crystal display element capable of multi-gradation display comprising a plurality of sub-pixels will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a view showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and FIG. 7B is a cross section taken along a line bb in FIG. 7A. It is the figure seen in the arrow direction, and (c) is the figure which looked at the cross section which is shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【0003】図7において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板であり、その内面には制御コンデンサ電極
2が形成され、制御コンデンサ電極2の上面には画素全
面に亘り絶縁膜15が形成されている。この絶縁膜15
上面にはその右下隅に正方形の副画素電極41 と、正方
形の右下隅から小さな正方形を切除したほぼ正方形状の
画素全面に亘る副画素電極42 とが形成されると共に、
TFT8のソースとドレインが形成される。TFT8の
ドレインは副画素電極41 に接触形成されている。これ
らの上面には画素全面に亘り絶縁膜24が形成される。
この絶縁膜24上面には蓄積容量コンデンサ電極12が
形成されると共に、TFT8のソースとドレインに対応
するところにゲート電極が形成されている。
In FIG. 7, reference numeral 1 denotes a transparent substrate made of, for example, transparent glass, a control capacitor electrode 2 is formed on the inner surface thereof, and an insulating film 15 is formed on the entire surface of the pixel on the upper surface of the control capacitor electrode 2. There is. This insulating film 15
A square sub-pixel electrode 4 1 is formed in the lower right corner of the upper surface, and a sub-pixel electrode 4 2 is formed over the entire surface of a substantially square pixel obtained by cutting a small square from the lower right corner of the square.
The source and drain of the TFT 8 are formed. The drain of the TFT 8 is formed in contact with the subpixel electrode 4 1 . An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel.
A storage capacitor electrode 12 is formed on the upper surface of the insulating film 24, and a gate electrode is formed at a position corresponding to the source and drain of the TFT 8.

【0004】上述の如くに構成された液晶表示素子の先
行技術において、先ず副画素電極4 1 と共通電極6との
間には液晶コンデンサCLC1 が形成され、副画素電極4
2 と共通電極6との間には液晶コンデンサCLC3 が形成
される。副画素電極41 、4 2 と制御コンデンサ電極2
との間には、それぞれ、制御コンデンサCC2、CC3が形
成される。この先行技術においては、上述した通り、副
画素電極41 と副画素電極42 との間に形成されるL字
状のギャップを介して制御コンデンサ電極2と共通電極
6との間にもコンデンサCLC2 が形成されるに到る。制
御コンデンサ電極2は等価的に副画素電極でもあるとい
うことである。また、蓄積容量コンデンサ電極12と副
画素電極42 との間には蓄積容量CS3が形成される。
The tip of the liquid crystal display device constructed as described above
In the row technology, first, the sub-pixel electrode 4 1And the common electrode 6
Liquid crystal capacitor C betweenLC1Are formed, and the subpixel electrode 4 is formed.
2And a liquid crystal capacitor C between the common electrode 6 andLC3Formed
To be done. Sub-pixel electrode 41Four 2And control capacitor electrode 2
And a control capacitor CC2, CC3Shape
Is made. In this prior art, as described above,
Pixel electrode 41And sub-pixel electrode 42L-shape formed between and
Control capacitor electrode 2 and common electrode via a gap
Capacitor C between 6 andLC2Is formed. Control
It is said that the capacitor electrode 2 is equivalently a subpixel electrode.
Is to say. In addition, the storage capacitor electrode 12 and the sub
Pixel electrode 42Storage capacity C betweenS3Is formed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この先行技
術は、蓄積容量コンデンサ電極12とゲート電極とは同
一の絶縁層24に形成されている。そして、制御コンデ
ンサ電極2は副画素電極4の下層に形成されると共に、
TFT8は副画素電極41 に接続する構成を採用するも
のである。即ち、副画素電極41 は薄膜トランジスタ8
のドレインに直接接続していて所定の電圧Va が印加さ
れる。図7に示される画素の等価回路は、この副画素電
極41 から共通電極6に到るコンデンサの経路を順次に
たどれば、図8に示される通りのものとなる。この等価
回路において、各副画素電極に印加される電圧Vaは、
副画素電極容量CLCと蓄積容量CS の和と副画素電極容
量C LCに直列に接続される容量である制御コンデンサ容
量CC との間の容量比により決定される。上述の先行技
術においては、蓄積容量コンデンサ電極12と制御コン
デンサ電極2とを各別の絶縁膜に形成していたので、製
造プロセスのバラツキに起因してこれら電極により決定
される容量は変動し、この容量比は液晶表示素子の製造
プロセスのバラツキにより変動することになる。従っ
て、製造プロセスのバラツキに起因して各副画素電極4
に印加される電圧は変動する。
[Problems to be Solved by the Invention]
The storage capacitor capacitor electrode 12 and the gate electrode are the same.
It is formed on one insulating layer 24. And the control console
The sensor electrode 2 is formed below the sub-pixel electrode 4, and
TFT8 is the sub-pixel electrode 41Also adopt the configuration to connect to
Of. That is, the sub-pixel electrode 41Is the thin film transistor 8
Directly connected to the drain of theaIs applied
Be done. The equivalent circuit of the pixel shown in FIG.
Pole 41From the capacitor to the common electrode 6 sequentially
The trace will be as shown in FIG. This equivalent
In the circuit, the voltage Va applied to each subpixel electrode is
Subpixel electrode capacitance CLCAnd storage capacity CSSum and subpixel electrode capacity
Quantity C LCControl capacitor, which is the capacity connected in series with
Quantity CCIt is determined by the capacity ratio between and. Prior art mentioned above
In operation, the storage capacitor electrode 12 and the control capacitor are
Since the denser electrode 2 and the denser electrode 2 were formed on different insulating films,
Determined by these electrodes due to variations in fabrication process
The capacitance that is generated varies, and this capacitance ratio depends on the manufacturing of liquid crystal display elements.
It will fluctuate due to process variations. Obey
Therefore, due to the manufacturing process variation, each sub-pixel electrode 4
The voltage applied to V fluctuates.

【0006】この先行技術は、また、図7に示される如
く、絶縁膜を絶縁膜15と絶縁膜24の2枚も有してお
り、これは液晶表示素子の製造プロセス上有利なことで
はないのでこれを少なくしたい。この発明は、上述の通
りの問題を解消した液晶表示素子を提供する。
This prior art also has two insulating films, an insulating film 15 and an insulating film 24, as shown in FIG. 7, which is not advantageous in the manufacturing process of the liquid crystal display element. So I want to reduce this. The present invention provides a liquid crystal display device that solves the above problems.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上面に絶縁膜24が形成
された透明基板1と、下面に共通電極6が形成された第
2の基板5と、共通電極6と絶縁膜24との間に封入さ
れた液晶7と、複数の副画素電極4と、制御コンデンサ
電極2と、蓄積容量コンデンサ電極12と、画素をオ
ン、オフ制御するTFT8とより成る液晶表示素子にお
いて、制御コンデンサ電極2と蓄積容量コンデンサ電極
12とを互いに同一の共通する面である絶縁膜24上面
或は下面に形成し、これら制御コンデンサ電極2および
蓄積容量コンデンサ電極12は絶縁膜24を介して対向
配置された副画素電極4との間にそれぞれ制御コンデン
サ容量或は蓄積容量を形成するものであることを特徴と
する液晶表示素子を構成した。
A transparent substrate 1 having an insulating film 24 formed on its upper surface, a second substrate 5 having a common electrode 6 formed on its lower surface, and a space between the common electrode 6 and the insulating film 24. In the liquid crystal display element including the enclosed liquid crystal 7, the plurality of sub-pixel electrodes 4, the control capacitor electrode 2, the storage capacitor electrode 12, and the TFT 8 for controlling ON / OFF of the pixel, the control capacitor electrode 2 and the storage The capacitance capacitor electrode 12 is formed on the upper surface or the lower surface of the insulating film 24, which is the same common surface, and the control capacitor electrode 2 and the storage capacitor electrode 12 are opposed to each other via the insulating film 24. 4, a liquid crystal display element is formed which forms a control capacitor capacitance or a storage capacitance between the liquid crystal display device and the liquid crystal display device.

【0008】[0008]

【実施例】この発明の液晶表示素子の第1の実施例を図
1を参照して説明する。図1(a)は板状の液晶表示素
子から垂直に切出して示した1個の画素の平面を示す図
であり、(b)は(a)における直線b−bで示される
ところの断面を矢印方向に見た図であり、(c)は
(a)における直線c−cで示されるところの断面を矢
印方向に見た図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a view showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and FIG. 1B is a cross section taken along a line bb in FIG. It is the figure seen in the arrow direction, and (c) is the figure which looked at the cross section which is shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【0009】図1において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板である。透明基板1の内面には制御コンデ
ンサ電極2と、TFT8のソースとドレインおよび蓄積
容量コンデンサ電極12が形成される。TFT8のドレ
インは制御コンデンサ電極2に接触形成されている。こ
れらの上面には画素全面に亘り絶縁膜24が形成され
る。この絶縁膜24上面には副画素電極42 が形成され
ると共に、TFT8のソースとドレインに対応するとこ
ろにゲート電極が形成される。5は第2の透明基板であ
り、その内面には透明な共通電極6が形成されている。
そして、共通電極6と絶縁膜24との間に液晶7が封入
される。制御コンデンサ電極2の内の副画素電極42
より覆われていない部分が等価的に第1の副画素電極4
1 を構成する。なお、この第1の実施例の等価回路は図
9に示される如くになる。
In FIG. 1, reference numeral 1 is a transparent substrate made of, for example, transparent glass. The control capacitor electrode 2, the source and drain of the TFT 8 and the storage capacitor capacitor electrode 12 are formed on the inner surface of the transparent substrate 1. The drain of the TFT 8 is formed in contact with the control capacitor electrode 2. An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel. With this in the insulating film 24 top subpixel electrode 4 2 is formed, a gate electrode is formed at corresponding to the source and the drain of the TFT 8. A second transparent substrate 5 has a transparent common electrode 6 formed on the inner surface thereof.
Then, the liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24. A portion of the control capacitor electrode 2 which is not covered by the subpixel electrode 4 2 is equivalently equivalent to the first subpixel electrode 4
Make up 1 . The equivalent circuit of the first embodiment is as shown in FIG.

【0010】この第1の実施例においては、蓄積容量コ
ンデンサ電極12と制御コンデンサ電極2とは互いに同
一の共通する面である絶縁膜24の上面或は下面に形成
されている。両電極を同一の層上に形成することによ
り、液晶表示素子の製造プロセスにバラツキが生じて
も、蓄積容量コンデンサの容量および制御コンデンサの
容量比のバラツキは少なくなる。そして、制御コンデン
サ電極2は絶縁膜24を誘電体として形成されるもので
あることから、上述の先行技術と比較して、形成すべき
絶縁膜15を1枚省略することができる。また、副画素
電極42 とその上方に形成されている共通電極6との間
に絶縁膜は存在しないので、絶縁膜と配向膜との間の界
面における電荷の蓄積の問題は生じない。従って、この
液晶表示素子は焼き付き現象を抑制する効果をも奏する
ものである。即ち、液晶表示素子は、直流を印加して駆
動することによりパターン表示をすると、別のパターン
を表示したときに直前のパターンの残像が認められるよ
うになる。液晶表示素子は残像を防止するために交流に
より駆動するのであるが、この駆動中に絶縁膜に電荷が
トラップされるに到り、液晶に対して直流成分が印加さ
れるようになる。この第1の実施例は副画素電極42
方に絶縁膜は存在しないので、焼き付き現象は抑制され
る。
In this first embodiment, the storage capacitor electrode 12 and the control capacitor electrode 2 are formed on the same upper surface or lower surface of the insulating film 24 which is a common surface. By forming both electrodes on the same layer, even if variations occur in the manufacturing process of the liquid crystal display element, variations in the capacitance ratio of the storage capacitor and the capacitance ratio of the control capacitor are reduced. Since the control capacitor electrode 2 is formed by using the insulating film 24 as a dielectric, one insulating film 15 to be formed can be omitted as compared with the above-described prior art. Further, since the insulating film between the common electrode 6 formed subpixel electrodes 4 2 and its upper does not exist, there is no accumulation of problems charge at the interface between the insulating film and the alignment layer. Therefore, this liquid crystal display element also has an effect of suppressing the burn-in phenomenon. That is, when the liquid crystal display element displays a pattern by driving by applying a direct current, an afterimage of the immediately preceding pattern can be recognized when another pattern is displayed. The liquid crystal display element is driven by an alternating current in order to prevent an afterimage, but during this driving, charges are trapped in the insulating film and a direct current component is applied to the liquid crystal. Since this first embodiment the sub-pixel electrode 4 2 above the insulating film does not exist, the burn-in phenomenon is suppressed.

【0011】この発明の液晶表示素子の第2の実施例を
図2を参照して説明する。図2(a)は板状の液晶表示
素子から垂直に切出して示した1個の画素の平面を示す
図であり、(b)は(a)における直線b−bで示され
るところの断面を矢印方向に見た図であり、(c)は
(a)における直線c−cで示されるところの断面を矢
印方向に見た図である。
A second embodiment of the liquid crystal display element of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2A is a view showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and FIG. 2B is a sectional view taken along a line bb in FIG. It is the figure seen in the arrow direction, and (c) is the figure which looked at the cross section which is shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【0012】図2において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板である。透明基板1の内面には制御コンデ
ンサ電極2、TFT8のソースとドレインおよび蓄積容
量コンデンサ12が形成される。TFT8のドレインは
制御コンデンサ電極2に接触形成されている。これらの
上面には画素全面に亘り絶縁膜24が形成される。この
絶縁膜24上面には副画素電極41 と副画素電極42
形成されると共に、TFT8のソースとドレインに対応
するところにゲート電極が形成される。この場合、副画
素電極41 および副画素電極42 を形成するに先だっ
て、絶縁膜24の副画素電極41 が後に形成されるとこ
ろに制御コンデンサ電極2にまで達する開孔15Hを穿
設しておき、副画素電極41 を形成する際に副画素電極
1 が制御コンデンサ電極2に接触形成され様にする。
5は第2の透明基板であり、その内面には透明な共通電
極6が形成される。そして、共通電極6と絶縁膜24と
の間には液晶7が封入される。なお、制御コンデンサ電
極2の内の副画素電極41 と副画素電極42 との間のL
字状ギャップに対向する部分が等価的に第1の副画素電
極41 の一部を構成する。この第2の実施例の等価回路
は図9に示される如くになる。
In FIG. 2, reference numeral 1 is a transparent substrate made of, for example, transparent glass. The control capacitor electrode 2, the source and drain of the TFT 8 and the storage capacitor 12 are formed on the inner surface of the transparent substrate 1. The drain of the TFT 8 is formed in contact with the control capacitor electrode 2. An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel. Sub-pixel electrodes 4 1 and 4 2 are formed on the upper surface of the insulating film 24, and gate electrodes are formed at positions corresponding to the source and drain of the TFT 8. In this case, prior to forming the sub-pixel electrode 4 1 and the sub-pixel electrode 4 2 , an opening 15H reaching the control capacitor electrode 2 is formed in the insulating film 24 where the sub-pixel electrode 4 1 is formed later. The subpixel electrode 4 1 is formed so as to be in contact with the control capacitor electrode 2 when the subpixel electrode 4 1 is formed.
A second transparent substrate 5 has a transparent common electrode 6 formed on the inner surface thereof. Then, the liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24. In addition, L between the subpixel electrode 4 1 and the subpixel electrode 4 2 in the control capacitor electrode 2
The portion facing the letter-shaped gap equivalently constitutes a part of the first subpixel electrode 4 1 . The equivalent circuit of the second embodiment is as shown in FIG.

【0013】第2の実施例は互いに同一の層である絶縁
膜24上面に副画素電極41 と副画素電極42 とを形成
し、この副画素電極41 と制御コンデンサ電極2とを開
孔15Hを介して電気的に接続したものである。第2の
実施例は液晶7に電圧を印加する極板である制御コンデ
ンサ電極2の一部、副画素電極41 および副画素電極4
2 の上方には絶縁膜が殆ど存在しないに等しいので、絶
縁膜と配向膜との間の界面における電荷の蓄積は第1の
実施例と比較して更に抑制される。蓄積容量コンデンサ
電極12と制御コンデンサ電極2とは互いに同一の共通
する面である透明基板1と絶縁膜24との間の界面に形
成されていること、および制御コンデンサ電極2は絶縁
膜24を誘電体として形成されるものであること、につ
いては第1の実施例と同様である。また、副画素電極4
1 および42 とその上方に形成されている共通電極6と
の間に絶縁膜は存在しないので、絶縁膜と配向膜との間
の界面における電荷の蓄積の問題は生じない。従って、
この液晶表示素子は焼き付き現象を抑制する効果をも奏
するものである。
In the second embodiment, the subpixel electrode 4 1 and the subpixel electrode 4 2 are formed on the upper surface of the insulating film 24 which is the same layer, and the subpixel electrode 4 1 and the control capacitor electrode 2 are opened. It is electrically connected through the hole 15H. In the second embodiment, a part of the control capacitor electrode 2, which is a polar plate for applying a voltage to the liquid crystal 7, the sub-pixel electrode 4 1 and the sub-pixel electrode 4 are used.
Since there is almost no insulating film above 2 , the accumulation of charges at the interface between the insulating film and the alignment film is further suppressed as compared with the first embodiment. The storage capacitor electrode 12 and the control capacitor electrode 2 are formed on the same common surface, that is, at the interface between the transparent substrate 1 and the insulating film 24, and the control capacitor electrode 2 insulates the insulating film 24. The fact that it is formed as a body is the same as in the first embodiment. In addition, the subpixel electrode 4
Since 1 and 4 2 and the insulating film between the common electrode 6 formed on the upper does not exist, there is no accumulation of problems charge at the interface between the insulating film and the alignment layer. Therefore,
This liquid crystal display element also has an effect of suppressing the burn-in phenomenon.

【0014】この発明の液晶表示素子の第3の実施例を
図3を参照して説明する。図3(a)は板状の液晶表示
素子から垂直に切出して示した1個の画素の平面を示す
図であり、(b)は(a)における直線b−bで示され
るところの断面を矢印方向に見た図であり、(c)は
(a)における直線c−cで示されるところの断面を矢
印方向に見た図である。
A third embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3A is a view showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and FIG. 3B is a cross section taken along a line bb in FIG. 3A. It is the figure seen in the arrow direction, and (c) is the figure which looked at the cross section which is shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【0015】図3において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板である。透明基板1の内面には制御コンデ
ンサ電極2、TFT8のソースとドレインおよび蓄積容
量コンデンサ12が形成される。TFT8のドレインは
制御コンデンサ電極2に接触形成されている。これらの
上面には画素全面に亘り絶縁膜24が形成される。この
絶縁膜24上面には副画素電極41 および副画素電極4
2 が形成されると共に、TFT8のソースとドレインに
対応するところにゲート電極が形成される。5は第2の
透明基板であり、その内面には透明な共通電極6が形成
されている。そして、共通電極6と絶縁膜24との間に
液晶7が封入される。なお、制御コンデンサ電極2の内
の副画素電極41 と副画素電極42 との間のL字状ギャ
ップに対向する部分が等価的に第1の副画素電極41
一部を構成する。
In FIG. 3, reference numeral 1 is a transparent substrate made of, for example, transparent glass. The control capacitor electrode 2, the source and drain of the TFT 8 and the storage capacitor 12 are formed on the inner surface of the transparent substrate 1. The drain of the TFT 8 is formed in contact with the control capacitor electrode 2. An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel. The sub-pixel electrode 4 1 and the sub-pixel electrode 4 are formed on the upper surface of the insulating film 24.
2 is formed, and a gate electrode is formed at the location corresponding to the source and drain of the TFT 8. A second transparent substrate 5 has a transparent common electrode 6 formed on the inner surface thereof. Then, the liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24. The portion of the control capacitor electrode 2 facing the L-shaped gap between the subpixel electrode 4 1 and the subpixel electrode 4 2 equivalently constitutes a part of the first subpixel electrode 4 1. .

【0016】第3の実施例は、第2の実施例において副
画素電極41 と制御コンデンサ電極2とを開孔15Hを
介して電気的に接続することを省略し、副画素電極41
と制御コンデンサ電極2の重なりを副画素電極41 の面
積と同程度として副画素電極41 と制御コンデンサ電極
2との間に制御容量CC1を形成するものである。動作原
理は図2に示されるものと同様であり、光学的特性は図
3に示されるものと同様である。この第3の実施例の等
価回路は図9に示される如くになる。
A third embodiment, the sub-pixel electrodes 4 1 and the control capacitor electrode 2 through the opening 15H in the second embodiment is omitted to be electrically connected, the sub-pixel electrodes 4 1
And forms a control capacitor C C1 between the overlap of the control capacitor electrode 2 as the area about the same sub-pixel electrodes 4 1 and the sub-pixel electrode 4 1 and the control capacitor electrode 2 and the. The principle of operation is similar to that shown in FIG. 2, and the optical characteristics are similar to those shown in FIG. The equivalent circuit of the third embodiment is as shown in FIG.

【0017】この発明の液晶表示素子の第4の実施例を
図4を参照して説明する。図4(a)は板状の液晶表示
素子から垂直に切出して示した1個の画素の平面を示す
図であり、(b)は(a)における直線b−bで示され
るところの断面を矢印方向に見た図であり、(c)は
(a)における直線c−cで示されるところの断面を矢
印方向に見た図である。
A fourth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4A is a diagram showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and FIG. 4B is a sectional view taken along a line bb in FIG. 4A. It is the figure seen in the arrow direction, and (c) is the figure which looked at the cross section which is shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【0018】図4において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板である。透明基板1の内面には、副画素電
極41 および副画素電極42 が形成されると共に、TF
T8のソースとドレインが形成される。TFT8のドレ
インは制御コンデンサ電極2に接触形成されている。こ
れらの上面には画素全面に亘り絶縁膜24が形成され
る。この絶縁膜24上面には制御コンデンサ電極2が形
成されると共に、蓄積容量コンデンサ電極12が形成さ
れ、更にTFT8のソースとドレインに対応するところ
にゲート電極が形成される。5は第2の透明基板であ
り、その内面には透明な共通電極6が形成されている。
そして、共通電極6と絶縁膜24との間に液晶7が封入
される。なお、制御コンデンサ電極2は等価的に副画素
電極43をも構成する。この第4の実施例の等価回路は
図8に示される如くになる。
In FIG. 4, reference numeral 1 is a transparent substrate made of, for example, transparent glass. The sub-pixel electrode 4 1 and the sub-pixel electrode 4 2 are formed on the inner surface of the transparent substrate 1, and
The source and drain of T8 are formed. The drain of the TFT 8 is formed in contact with the control capacitor electrode 2. An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel. The control capacitor electrode 2 is formed on the upper surface of the insulating film 24, the storage capacitor electrode 12 is formed, and the gate electrode is formed at a position corresponding to the source and drain of the TFT 8. A second transparent substrate 5 has a transparent common electrode 6 formed on the inner surface thereof.
Then, the liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24. The control capacitor electrode 2 equivalently constitutes the subpixel electrode 43. The equivalent circuit of the fourth embodiment is as shown in FIG.

【0019】図4に示される第4の実施例は制御コンデ
ンサ電極2が副画素電極4の上方に形成されたものであ
り、図3に示される第3の実施例と比較すると、制御コ
ンデンサ電極2と副画素電極4の位置関係が上下逆転し
ている。この場合、蓄積容量コンデンサ電極12をゲー
ト電極と同時に形成することができる。そして、ゲート
電極に低抵抗材料を使用することができることから、蓄
積容量コンデンサ電極バスを低抵抗に形成することがで
きる。
The fourth embodiment shown in FIG. 4 is one in which the control capacitor electrode 2 is formed above the sub-pixel electrode 4. Compared with the third embodiment shown in FIG. The positional relationship between 2 and the sub-pixel electrode 4 is vertically inverted. In this case, the storage capacitor electrode 12 can be formed simultaneously with the gate electrode. Since the low resistance material can be used for the gate electrode, the storage capacitor electrode bus can be formed with low resistance.

【0020】この発明の液晶表示素子の第5の実施例を
図5を参照して説明する。図5(a)は板状の液晶表示
素子から垂直に切出して示した1個の画素の平面を示す
図であり、(b)は(a)における直線b−bで示され
るところの断面を矢印方向に見た図であり、(c)は
(a)における直線c−cで示されるところの断面を矢
印方向に見た図である。
A fifth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5A is a view showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and FIG. 5B is a sectional view taken along a line bb in FIG. It is the figure seen in the arrow direction, and (c) is the figure which looked at the cross section which is shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【0021】図5において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板である。透明基板1の内面には副画素電極
1 と副画素電極42 が形成されると共に、TFT8の
ソースとドレインが形成される。TFT8のドレインは
副画素電極41 に接触形成されている。これらの上面に
は画素全面に亘り絶縁膜24が形成される。この絶縁膜
24上面には制御コンデンサ電極2、蓄積容量コンデン
サ12が形成されると共に、TFT8のソースとドレイ
ンに対応するところにゲート電極が形成される。この場
合、制御コンデンサ電極2、蓄積容量コンデンサ12お
よびゲート電極が形成されるに先だって、絶縁膜24の
制御コンデンサ電極2が後に形成されるところに副画素
電極41 にまで達する開孔15Hを穿設しておき、制御
コンデンサ電極2を形成する際に制御コンデンサ電極2
が副画素電極41 に接触形成され様にする。5は第2の
透明基板であり、その内面には透明な共通電極6が形成
される。そして、共通電極6と絶縁膜24との間には液
晶7が封入される。なお、この第5の実施例の等価回路
は図9に示される如くになる。
In FIG. 5, reference numeral 1 is a transparent substrate made of, for example, transparent glass. The sub-pixel electrode 4 1 and the sub-pixel electrode 4 2 are formed on the inner surface of the transparent substrate 1, and the source and drain of the TFT 8 are formed. The drain of the TFT 8 is formed in contact with the subpixel electrode 4 1 . An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel. The control capacitor electrode 2 and the storage capacitor 12 are formed on the upper surface of the insulating film 24, and the gate electrode is formed at a position corresponding to the source and drain of the TFT 8. In this case, before the control capacitor electrode 2, the storage capacitor 12 and the gate electrode are formed, an opening 15H reaching the subpixel electrode 4 1 is formed where the control capacitor electrode 2 of the insulating film 24 is formed later. When the control capacitor electrode 2 is formed, the control capacitor electrode 2
Are formed in contact with the sub-pixel electrode 4 1 . A second transparent substrate 5 has a transparent common electrode 6 formed on the inner surface thereof. Then, the liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24. The equivalent circuit of the fifth embodiment is as shown in FIG.

【0022】図5に示される第5の実施例は図4に示さ
れる第4の実施例において制御コンデンサ電極2を副画
素電極41 に接触形成することにより制御コンデンサ容
量C C2を無限大にしたものに相当する。制御コンデンサ
容量CC3の方を無限大にする構成も採用することができ
る。この発明の液晶表示素子の第6の実施例を図6を参
照して説明する。図6(a)は板状の液晶表示素子から
垂直に切出して示した1個の画素の平面を示す図であ
り、(b)は(a)における直線b−bで示されるとこ
ろの断面を矢印方向に見た図であり、(c)は(a)に
おける直線c−cで示されるところの断面を矢印方向に
見た図である。
The fifth embodiment shown in FIG. 5 is shown in FIG.
In the fourth embodiment, the control capacitor electrode 2 is
Elementary electrode 41Control capacitor capacity by forming contact with
Quantity C C2Corresponds to the infinite. Control capacitor
Capacity CC3It is possible to adopt a configuration that makes the
It Referring to FIG. 6, a sixth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention is shown.
I will explain. FIG. 6A shows a plate-shaped liquid crystal display device.
It is a figure which shows the plane of one pixel cut out and shown vertically.
(B) is the same as the line bb in (a).
It is the figure which looked at the cross section of batter in the arrow direction, and (c) is in (a).
In the direction of the arrow in the section indicated by the straight line cc in
It is the figure seen.

【0023】図6において、1は例えば透明ガラスより
成る透明基板である。透明基板1の内面には制御コンデ
ンサ電極2、TFT8のボトムゲート電極および蓄積容
量コンデンサ12が形成される。これらの上面には画素
全面に亘り絶縁膜24が形成される。この絶縁膜24上
面には副画素電極41 および副画素電極42 が形成され
ると共に、TFT8のソースとドレインが形成される。
ここで、TFT8のドレインは副画素電極41 に接触形
成されている。5は第2の透明基板であり、その内面に
は透明な共通電極6が形成されている。そして、共通電
極6と絶縁膜24との間に液晶7が封入される。なお、
制御コンデンサ電極2の内の副画素電極41 と副画素電
極42 との間のL字状ギャップに対向する部分が等価的
に副画素電極41 の一部を構成する。この第6の実施例
の等価回路は図8に示される如くになる。
In FIG. 6, reference numeral 1 is a transparent substrate made of, for example, transparent glass. A control capacitor electrode 2, a bottom gate electrode of the TFT 8 and a storage capacitor 12 are formed on the inner surface of the transparent substrate 1. An insulating film 24 is formed on the upper surfaces of these over the entire surface of the pixel. The sub-pixel electrode 4 1 and the sub-pixel electrode 4 2 are formed on the upper surface of the insulating film 24, and the source and drain of the TFT 8 are formed.
Here, the drain of the TFT 8 is formed in contact with the subpixel electrode 4 1 . A second transparent substrate 5 has a transparent common electrode 6 formed on the inner surface thereof. Then, the liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the insulating film 24. In addition,
A portion of the control capacitor electrode 2 facing the L-shaped gap between the subpixel electrode 4 1 and the subpixel electrode 4 2 equivalently constitutes a part of the subpixel electrode 4 1 . The equivalent circuit of the sixth embodiment is as shown in FIG.

【0024】この第6の実施例の場合、制御コンデンサ
電極2、蓄積容量コンデンサ12およびボトムゲート電
極の三者を互いに同一の材料により同時に形成すること
ができ、製造プロセス上好都合である。また、副画素電
極41 および42 とその上方に形成されている共通電極
6との間に絶縁膜は存在しないので、絶縁膜と配向膜と
の間の界面における電荷の蓄積の問題は生じない。従っ
て、この液晶表示素子は焼き付き現象を抑制する効果を
も奏するものである。
In the case of the sixth embodiment, the control capacitor electrode 2, the storage capacitor 12 and the bottom gate electrode can be simultaneously formed of the same material, which is convenient in the manufacturing process. In addition, since there is no insulating film between the sub-pixel electrodes 4 1 and 4 2 and the common electrode 6 formed thereabove, there arises a problem of charge accumulation at the interface between the insulating film and the alignment film. Absent. Therefore, this liquid crystal display element also has an effect of suppressing the burn-in phenomenon.

【0025】ところで、図1から図5に到るこの発明の
実施例において、TFT8の構造は何れもトップゲート
構造のものを採用していた。しかし、TFT8の構造は
何もこれのみに限定される訳ではない。トップゲート構
造のものを採用する場合も、図10(a)に示されるス
タガー構造のもの、図10(b)に示されるコプラナー
構造のものの何れでも差し支えない。また、ボトムゲー
ト構造のものを採用する場合も、図10(c)に示され
る逆スタガー構造のもの、図10(d)に示される逆コ
プラナー構造のものの何れでも差し支えない。これらT
FT構造を実現する手法は各種開発されているが、これ
らについてはこの発明の要旨と直接的な関係はないので
詳述しない。
By the way, in the embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 to 5, the TFT 8 has a top gate structure. However, the structure of the TFT 8 is not limited to this. When the top gate structure is adopted, either the stagger structure shown in FIG. 10A or the coplanar structure shown in FIG. 10B may be used. Also, when the bottom gate structure is adopted, either the reverse stagger structure shown in FIG. 10C or the reverse coplanar structure shown in FIG. 10D may be used. These T
Various techniques for realizing the FT structure have been developed, but these are not described in detail because they have no direct relation to the gist of the present invention.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上の通りであって、この発明の液晶表
示素子は、制御コンデンサ電極2と蓄積容量コンデンサ
電極12とを互いに同一の共通する面である絶縁膜24
上面或は下面に形成したことにより、液晶表示素子の製
造プロセスにバラツキが生じても、蓄積容量コンデンサ
12の容量および制御コンデンサ電極の容量比のバラツ
キは少なくなる。その結果、製造プロセスのバラツキに
起因して各副画素電極4に印加される電圧が変動するこ
とは少なくなる。その上に、図7に示される液晶表示素
子の従来例と比較して形成されるべき絶縁膜の層を1層
省略することができる。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, the control capacitor electrode 2 and the storage capacitor electrode 12 are the same common surface of the insulating film 24.
Forming on the upper surface or the lower surface reduces variations in the capacitance of the storage capacitor 12 and the capacitance ratio of the control capacitor electrode even if variations occur in the manufacturing process of the liquid crystal display element. As a result, the voltage applied to each sub-pixel electrode 4 is less likely to change due to variations in the manufacturing process. In addition, one layer of an insulating film to be formed as compared with the conventional example of the liquid crystal display element shown in FIG. 7 can be omitted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の液晶表示素子の第1の実施例を説明
する図であり、(a)は板状の液晶表示素子から垂直に
切出して示した1個の画素の平面を示す図、(b)は
(a)における直線b−bで示されるところの断面を矢
印方向に見た図、(c)は(a)における直線c−cで
示されるところの断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of a liquid crystal display element of the present invention, (a) is a diagram showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, (B) is a view of the cross section indicated by the straight line bb in (a), viewed in the direction of the arrow, and (c) is a cross section indicated by the straight line cc of the (a), viewed in the direction of the arrow. It is a figure.

【図2】この発明の液晶表示素子の第2の実施例を説明
する図であり、(a)は板状の液晶表示素子から垂直に
切出して示した1個の画素の平面を示す図、(b)は
(a)における直線b−bで示されるところの断面を矢
印方向に見た図、(c)は(a)における直線c−cで
示されるところの断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a second embodiment of the liquid crystal display element of the present invention, FIG. 2 (a) is a diagram showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, (B) is a view of the cross section indicated by the straight line bb in (a), viewed in the direction of the arrow, and (c) is a cross section indicated by the straight line cc of the (a), viewed in the direction of the arrow. It is a figure.

【図3】この発明の液晶表示素子の第3の実施例を説明
する図であり、(a)は板状の液晶表示素子から垂直に
切出して示した1個の画素の平面を示す図、(b)は
(a)における直線b−bで示されるところの断面を矢
印方向に見た図、(c)は(a)における直線c−cで
示されるところの断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a third embodiment of the liquid crystal display element of the present invention, (a) showing a plane of one pixel vertically cut out from the plate-shaped liquid crystal display element, (B) is a view of the cross section indicated by the straight line bb in (a), viewed in the direction of the arrow, and (c) is a cross section indicated by the straight line cc of the (a), viewed in the direction of the arrow. It is a figure.

【図4】この発明の液晶表示素子の第4の実施例を説明
する図であり、(a)は板状の液晶表示素子から垂直に
切出して示した1個の画素の平面を示す図、(b)は
(a)における直線b−bで示されるところの断面を矢
印方向に見た図、(c)は(a)における直線c−cで
示されるところの断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 4 is a view for explaining a fourth embodiment of the liquid crystal display element of the present invention, (a) showing a plane of one pixel vertically cut out from the plate-like liquid crystal display element, (B) is a view of the cross section indicated by the straight line bb in (a), viewed in the direction of the arrow, and (c) is a cross section indicated by the straight line cc of the (a), viewed in the direction of the arrow. It is a figure.

【図5】この発明の液晶表示素子の第5の実施例を説明
する図であり、(a)は板状の液晶表示素子から垂直に
切出して示した1個の画素の平面を示す図、(b)は
(a)における直線b−bで示されるところの断面を矢
印方向に見た図、(c)は(a)における直線c−cで
示されるところの断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a fifth embodiment of the liquid crystal display element of the present invention, FIG. 5A is a diagram showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, (B) is a view of the cross section indicated by the straight line bb in (a), viewed in the direction of the arrow, and (c) is a cross section indicated by the straight line cc of the (a), viewed in the direction of the arrow. It is a figure.

【図6】この発明の液晶表示素子の第6の実施例を説明
する図であり、(a)は板状の液晶表示素子から垂直に
切出して示した1個の画素の平面を示す図、(b)は
(a)における直線b−bで示されるところの断面を矢
印方向に見た図、(c)は(a)における直線c−cで
示されるところの断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 6 is a view for explaining a sixth embodiment of the liquid crystal display element of the present invention, (a) showing a plane of one pixel vertically cut out from the plate-like liquid crystal display element, (B) is a view of the cross section indicated by the straight line bb in (a), viewed in the direction of the arrow, and (c) is a cross section indicated by the straight line cc of the (a), viewed in the direction of the arrow. It is a figure.

【図7】液晶表示素子の従来例を説明する図であり、
(a)は板状の液晶表示素子から垂直に切出して示した
1個の画素の平面を示す図、(b)は(a)における直
線b−bで示されるところの断面を矢印方向に見た図、
(c)は(a)における直線c−cで示されるところの
断面を矢印方向に見た図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a conventional example of a liquid crystal display element,
(A) is a diagram showing a plane of one pixel vertically cut out from a plate-shaped liquid crystal display element, and (b) is a sectional view taken along a line bb in (a) as seen in an arrow direction. Figure,
(C) is the figure which looked at the cross section shown by the straight line cc in (a) in the arrow direction.

【図8】液晶表示素子の等価回路である。FIG. 8 is an equivalent circuit of a liquid crystal display element.

【図9】液晶表示素子の他の等価回路である。FIG. 9 is another equivalent circuit of the liquid crystal display element.

【図10】TFT構造を示す図であり(a)はスタガー
構造のもの、(b)はコプラナー構造のもの、(c)は
逆スタガー構造のもの、(d)は逆コプラナー構造のも
のを示す。
10A and 10B are diagrams showing a TFT structure, FIG. 10A shows a staggered structure, FIG. 10B shows a coplanar structure, FIG. 10C shows an inverted staggered structure, and FIG. 10D shows an inverted coplanar structure. .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明基板 2 制御コンデンサ電極 41 副画素電極 42 副画素電極 5 第2の基板 6 共通電極 7 液晶 8 TFT 12 蓄積容量コンデンサ電極 24 絶縁膜1 Transparent Substrate 2 Control Capacitor Electrode 4 1 Sub-Pixel Electrode 4 2 Sub-Pixel Electrode 5 Second Substrate 6 Common Electrode 7 Liquid Crystal 8 TFT 12 Storage Capacitor Capacitor Electrode 24 Insulation Film

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上面に絶縁膜が形成された透明基板と、
下面に共通電極が形成された第2の基板と、共通電極と
絶縁膜との間に封入された液晶と、複数の副画素電極
と、制御コンデンサ電極と、蓄積容量コンデンサ電極
と、画素をオン、オフ制御するTFTとより成る液晶表
示素子において、制御コンデンサ電極と蓄積容量コンデ
ンサ電極とを互いに同一の共通する面である絶縁膜上面
或は下面に形成し、これら制御コンデンサ電極および蓄
積容量コンデンサ電極は絶縁膜を介して対向配置された
副画素電極との間にそれぞれ制御コンデンサ容量或は蓄
積容量を形成するものであることを特徴とする液晶表示
素子。
1. A transparent substrate having an insulating film formed on its upper surface,
A second substrate having a common electrode formed on its lower surface, a liquid crystal enclosed between the common electrode and an insulating film, a plurality of subpixel electrodes, a control capacitor electrode, a storage capacitor electrode, and a pixel turned on. In a liquid crystal display element including a TFT for controlling OFF, a control capacitor electrode and a storage capacitor electrode are formed on the same common surface, that is, an upper surface or a lower surface of an insulating film. Is a liquid crystal display device characterized in that it forms a control capacitor capacity or a storage capacity with a sub-pixel electrode arranged oppositely via an insulating film.
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