JPH069232U - Package structure of surface acoustic wave device - Google Patents
Package structure of surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH069232U JPH069232U JP5418292U JP5418292U JPH069232U JP H069232 U JPH069232 U JP H069232U JP 5418292 U JP5418292 U JP 5418292U JP 5418292 U JP5418292 U JP 5418292U JP H069232 U JPH069232 U JP H069232U
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- acoustic wave
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- wave device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本考案は、簡単な構造により、入出力電極間の
アイソレーションを改善して、通過帯域以外の周波数
が、比較的大きく減衰せしめられ得るようにした、弾性
表面波素子のパッケージ構造を提供することを目的とす
る。
【構成】セラミック製のチップキャリア11と、該チッ
プキャリアの内面に載置された弾性表面波素子12と、
該チップキャリアの開放した上部をシーム溶接等により
気密的に封止する金属製のリッド13とを含む、弾性表
面波素子のパッケージ構造10において、上記リッド
が、その少なくとも一部分にて、該弾性表面波素子の上
面付近まで下方に向かって突出する突起部13aを備え
ており、上記チップキャリア及びリッドにより画成され
るパッケージの内部空間が、該突起部により、入出力電
極の間で仕切られるように、弾性表面波素子のパッケー
ジ構造10を構成する。
(57) [Summary] [Object] The present invention has a simple structure to improve the isolation between the input and output electrodes so that frequencies other than the pass band can be relatively greatly attenuated. It is an object to provide a package structure for a wave element. [Structure] A ceramic chip carrier 11 and a surface acoustic wave element 12 mounted on the inner surface of the chip carrier,
A package structure 10 for a surface acoustic wave device, comprising: a metal lid 13 that hermetically seals an open upper portion of the chip carrier by seam welding or the like. The wave element is provided with a protrusion 13a that protrudes downward to the vicinity of the upper surface of the wave element so that the internal space of the package defined by the chip carrier and the lid is partitioned between the input / output electrodes by the protrusion. Then, the package structure 10 of the surface acoustic wave device is constructed.
Description
【0001】[0001]
本考案は、セラミック製のチップキャリアの内面に弾性表面波素子を載置し、 該チップキャリアの開放した上部を金属製のリッドにより気密的に封止するよう にした、弾性表面波素子のパッケージ構造に関するものである。 The present invention is a package of a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave device is placed on the inner surface of a ceramic chip carrier, and an open upper part of the chip carrier is hermetically sealed by a metal lid. It is about structure.
【0002】[0002]
従来、このような弾性表面波素子のパッケージ構造は、例えば図5に示すよう に構成されている。即ち、図5において、弾性表面波素子のパッケージ構造1は 、セラミック製のチップキャリア2と、該チップキャリア2の内面に載置され且 つ導電性接着剤等によってボンディングされた弾性表面波素子3と、該チップキ ャリア2の開放した上部をシーム溶接等により気密的に封止する、コバール等の 金属製のリッド4と、から構成されている。 Conventionally, such a surface acoustic wave device has a package structure, for example, as shown in FIG. That is, referring to FIG. 5, a package structure 1 of a surface acoustic wave device comprises a ceramic chip carrier 2 and a surface acoustic wave device 3 mounted on the inner surface of the chip carrier 2 and bonded by a conductive adhesive or the like. And a lid 4 made of metal such as Kovar for airtightly sealing the open upper portion of the tip carrier 2 by seam welding or the like.
【0003】 ここで、上記弾性表面波素子4は、その入出力電極部3a,3bが、金または アルミニウム等の極細線等から成るボンディングワイヤ5により、上記チップキ ャリア2の両端付近に設けられたボンディングパッド(図示せず)に対して、電 気的に接続され得るようになっている。Here, in the surface acoustic wave element 4, the input / output electrode portions 3a and 3b are provided near both ends of the chip carrier 2 by bonding wires 5 made of ultrafine wires such as gold or aluminum. It can be electrically connected to a bonding pad (not shown).
【0004】 このように構成された弾性表面波素子のパッケージ構造1によれば、弾性表面 波素子4は、チップキャリア2の内面に対して、導電性接着剤により機械的に固 定され且つ電気的に接続されると共に、ボンディングワイヤ5によって、該チッ プキャリア2のボンディングパッドに対して、電気的に接続され得るようになっ ている。According to the surface acoustic wave device package structure 1 configured as described above, the surface acoustic wave device 4 is mechanically fixed to the inner surface of the chip carrier 2 by a conductive adhesive and is electrically fixed. The chip carrier 2 can be electrically connected to the bonding pad of the chip carrier 2 as well.
【0005】[0005]
しかしながら、このような弾性表面波素子のパッケージ構造1においては、弾 性表面波素子3の上面が、リッド4により覆われることにより、外部に対しては 遮断されているが、該リッド4により包囲された内部空間においては、その入出 力電極3a,3bの間がほぼ等間隔に空いている。 However, in such a surface acoustic wave device package structure 1, the upper surface of the elastic surface acoustic wave device 3 is covered with the lid 4 to be shielded from the outside, but is surrounded by the lid 4. In the created internal space, spaces between the input / output electrodes 3a and 3b are substantially evenly spaced.
【0006】 これにより、該弾性表面波素子3の入力電極3a側の3aから3bへの直達波 が、この内部空間を伝達することによって、該弾性表面波素子3の出力電極3b 側にまで、達することになる。As a result, the direct wave from 3a to 3b on the input electrode 3a side of the surface acoustic wave element 3 is transmitted to the internal space to reach the output electrode 3b side of the surface acoustic wave element 3. Will be reached.
【0007】 このため、入出力電極3a,3bの間のアイソレーションがあまり良好とはい えず、通過帯域以外の周波数の減衰量が大きくならず、性能が劣化してしまうと いう問題があった。Therefore, the isolation between the input / output electrodes 3a and 3b is not so good, and the amount of attenuation of frequencies other than the pass band does not increase, resulting in deterioration of performance. .
【0008】 本考案は、以上の点に鑑み、簡単な構造により、入出力電極間のアイソレーシ ョンを改善して、通過帯域以外の周波数が、比較的大きく減衰せしめられ得るよ うにした、弾性表面波素子のパッケージ構造を提供することを目的としている。In view of the above points, the present invention has a simple structure to improve the isolation between the input and output electrodes so that frequencies other than the pass band can be relatively greatly attenuated. It is an object to provide a package structure for a surface acoustic wave device.
【0009】[0009]
上記目的は、本考案によれば、セラミック製のチップキャリアと、該チップキ ャリアの内面に載置された弾性表面波素子と、該チップキャリアの開放した上部 をシーム溶接等により気密的に封止する金属製のリッドとを含む、弾性表面波素 子のパッケージ構造において、上記リッドが、その少なくとも一部分にて、該弾 性表面波素子の上面付近まで下方に向かって突出する突起部を備えており、上記 チップキャリア及びリッドにより画成されるパッケージの内部空間が、該突起部 により、入出力電極の間で仕切られるように構成されていることを特徴とする、 弾性表面波素子のパッケージ構造により、達成される。 According to the present invention, the above object is to hermetically seal a chip carrier made of ceramic, a surface acoustic wave element mounted on the inner surface of the chip carrier, and an open upper part of the chip carrier by seam welding or the like. In a package structure of a surface acoustic wave element including a metal lid, the lid includes a protrusion protruding downward at least at a part thereof to a position near an upper surface of the elastic surface wave element. The package structure of the surface acoustic wave device is characterized in that the internal space of the package defined by the chip carrier and the lid is configured to be partitioned between the input and output electrodes by the protrusion. Is achieved by
【0010】[0010]
上記構成によれば、リッドが、下方に突出した突起部を有していることにより 、弾性表面波素子の上方に位置する内部空間が、該突起部によって仕切られるこ とになることから、該弾性表面波素子の入力電極側の3aから3bへの直達波は 、該突起部によって遮断されることにより、出力電極側に達しないので、入出力 電極間のアイソレーションが改善され得ることになり、通過帯域以外の周波数の 減衰量が大きくなって、性能が向上せしめられ得ることになる。 According to the above structure, since the lid has the protrusion protruding downward, the internal space located above the surface acoustic wave element is partitioned by the protrusion. The direct wave from 3a to 3b on the input electrode side of the surface acoustic wave element does not reach the output electrode side by being blocked by the protrusion, so that the isolation between the input and output electrodes can be improved. However, the amount of attenuation of frequencies other than the pass band becomes large, and the performance can be improved.
【0011】[0011]
以下、図面に示した実施例に基づいて、本考案を詳細に説明する。 図1は、本考案による弾性表面波素子のパッケージ構造の一実施例を示してい る。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a surface acoustic wave device package structure according to the present invention.
【0012】 弾性表面波素子のパッケージ10は、セラミック製のチップキャリア11と、 該チップキャリア11の内面に載置され且つ導電製接着剤等によりボンディング された弾性表面波素子12と、該チップキャリア11の開放した上部を、シーム 溶接等により気密的に封止する、コバール等の金属製のリッド13と、から構成 されており、リッド13はチップキャリア11のアースラインに導通し、アース 接地される。The package 10 of the surface acoustic wave device includes a chip carrier 11 made of ceramic, a surface acoustic wave device 12 mounted on the inner surface of the chip carrier 11 and bonded by a conductive adhesive, and the chip carrier. It is composed of a lid 13 made of metal such as Kovar that hermetically seals the open upper part of 11 by seam welding or the like. The lid 13 is electrically connected to the ground line of the chip carrier 11 and grounded. It
【0013】 以上の構成は、図5に示した従来の弾性表面波素子のパッケージ構造と同様の 構成であるが、本考案による弾性表面波素子のパッケージ構造10においては、 上記リッド13が、図2に示すように、その少なくとも一部分にて、中央領域に て、下方に向かって突出する突起部13aを備えている。The above structure is similar to the conventional surface acoustic wave device package structure shown in FIG. 5, but in the surface acoustic wave device package structure 10 according to the present invention, the lid 13 is As shown in FIG. 2, at least a part thereof is provided with a protrusion 13a protruding downward in the central region.
【0014】 この突起部13aは、その下端が、該弾性表面波素子12の上面付近まで延び ており、これにより、上記チップキャリア11及びリッド13により画成される パッケージの内部空間が、該弾性表面波素子12の上方にて、該突起部13aに より、入出力電極12a,12bの間で仕切られるようになっている。The lower end of the protrusion 13a extends to the vicinity of the upper surface of the surface acoustic wave element 12, so that the internal space of the package defined by the chip carrier 11 and the lid 13 is made elastic. Above the surface acoustic wave element 12, the projection 13a partitions the input / output electrodes 12a and 12b.
【0015】 本考案による弾性表面波素子のパッケージ構造10は、以上のように構成され ており、リッド13は、下方に突出した突起部13aを有していることにより、 該弾性表面波素子12の上方に位置する内部空間が、該突起部13aによって仕 切られることになる。The package structure 10 of the surface acoustic wave device according to the present invention is configured as described above, and since the lid 13 has the protrusion 13a protruding downward, the surface acoustic wave device 12 is formed. The internal space located above the space is partitioned by the protrusion 13a.
【0016】 従って、該弾性表面波素子12の入力電極12a側の振動は、該突起部13a によって遮断されることにより、出力電極12b側には達し得ない。かくして、 入出力電極間のアイソレーションが改善され得ることになる。Therefore, the vibration of the surface acoustic wave element 12 on the side of the input electrode 12a cannot reach the side of the output electrode 12b because it is blocked by the protrusion 13a. Thus, the isolation between the input and output electrodes can be improved.
【0017】 図3は、上述したリッド13に設けられる突起部13aの他の形成例を示して いる。図3(A)の場合には、突起部13aは、比較的大きな面積を有するよう に形成されており、これにより、弾性表面波素子12の入出力電極間のアイソレ ーションが、さらに改善され得るようになっている。FIG. 3 shows another example of forming the protrusion 13 a provided on the lid 13 described above. In the case of FIG. 3 (A), the protrusion 13a is formed to have a relatively large area, which can further improve the isolation between the input and output electrodes of the surface acoustic wave element 12. It is like this.
【0018】 また、図3(B)の場合には、該突起部13aは、リッド13のほぼ全体に亘 って広がるように形成されており、これによって、弾性表面波素子12の上方の 内部空間は、非常に狭くなっていることから、より一層アイソレーションが改善 され得るようになっている。In addition, in the case of FIG. 3B, the protrusion 13 a is formed so as to spread over almost the entire lid 13, so that the internal portion above the surface acoustic wave element 12 is formed. Since the space is very narrow, the isolation can be further improved.
【0019】 また、図4は、本考案による弾性表面波素子のパッケージ構造の他の実施例を 示しており、図4(A)の場合には、弾性表面波素子12の入出力電極間にて、 複数個、図示の場合には3個の突起部13b,13c,13dが連続的に並んで 配設されており、これによりアイソレーションが改善され得るようになっている 。FIG. 4 shows another embodiment of the surface acoustic wave device package structure according to the present invention. In the case of FIG. Thus, a plurality of protrusions 13b, 13c, 13d, in the illustrated case, are arranged in a line, so that the isolation can be improved.
【0020】 また、図4(B)の場合には、リッド13は、そのほぼ全体に亘って、少しだ け下方に突出した突起部13eと、該突起部13eの中央領域にて、さらに下方 に突出した第二の突起部13fとを備えている。このような二重突起構造によっ て、弾性表面波素子12の入出力電極間のアイソレーションが、より一層改善さ れ得るようになっている。Further, in the case of FIG. 4B, the lid 13 has a protruding portion 13e that protrudes downward a little over substantially the entire portion thereof, and a lower portion in a central region of the protruding portion 13e. And a second protrusion 13f protruding in the direction. With such a double protrusion structure, the isolation between the input and output electrodes of the surface acoustic wave element 12 can be further improved.
【0021】[0021]
【考案の効果】 以上述べたように、本考案によれば、簡単な構造により、入出力電極間のアイ ソレーションを改善して、通過帯域以外の周波数が、比較的大きく減衰せしめら れ得るようにした、極めて優れた弾性表面波素子のパッケージ構造が提供され得 ることになる。As described above, according to the present invention, with a simple structure, the isolation between the input and output electrodes can be improved, and frequencies other than the pass band can be relatively attenuated. Thus, an extremely excellent surface acoustic wave device packaging structure can be provided.
【図1】本考案による弾性表面波素子のパッケージ構造
の一実施例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a surface acoustic wave device package structure according to the present invention.
【図2】図1の実施例におけるリッドの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a lid in the embodiment of FIG.
【図3】図1の実施例で使用されるリッドの変形例を示
し、(A)及び(B)はそれぞれ断面図である。FIG. 3 shows a modified example of the lid used in the embodiment of FIG. 1, and (A) and (B) are cross-sectional views, respectively.
【図4】図1の実施例で使用されるリッドの他の変形例
を示し、(A)及び(B)はそれぞれ斜視図である。FIG. 4 shows another modified example of the lid used in the embodiment of FIG. 1, and (A) and (B) are perspective views, respectively.
【図5】従来の弾性表面波素子のパッケージ構造の一例
を示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional surface acoustic wave device package structure.
10 弾性表面波素子のパッケージ 11 チップキャリア 12 弾性表面波素子 12a 入力電極 12b 出力電極 13 リッド 13a,13b,13c,13d,13f 突起部 10 surface acoustic wave device package 11 chip carrier 12 surface acoustic wave device 12a input electrode 12b output electrode 13 lid 13a, 13b, 13c, 13d, 13f protrusion
Claims (1)
ップキャリアの内面に載置された弾性表面波素子と、該
チップキャリアの開放した上部をシーム溶接等により気
密的に封止する金属製のリッドとを含む、弾性表面波素
子のパッケージ構造において、 上記リッドが、その少なくとも一部分にて、該弾性表面
波素子の上面付近まで下方に向かって突出する突起部を
備えており、上記チップキャリア及びリッドにより画成
されるパッケージの内部空間が、該突起部により、入出
力電極の間で仕切られるように構成されていることを特
徴とする、弾性表面波素子のパッケージ構造。1. A ceramic chip carrier, a surface acoustic wave device mounted on an inner surface of the chip carrier, and a metal lid for hermetically sealing an open upper portion of the chip carrier by seam welding or the like. In a package structure for a surface acoustic wave device, the lid includes at least a part of a protrusion projecting downward to a vicinity of an upper surface of the surface acoustic wave device. A package structure of a surface acoustic wave device, characterized in that the internal space of the package defined by (4) is configured to be partitioned between the input / output electrodes by the protrusion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5418292U JPH069232U (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Package structure of surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5418292U JPH069232U (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Package structure of surface acoustic wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH069232U true JPH069232U (en) | 1994-02-04 |
Family
ID=12963408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5418292U Pending JPH069232U (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Package structure of surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH069232U (en) |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP5418292U patent/JPH069232U/en active Pending
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