JPH0684975A - Method for assembling semiconductor chip - Google Patents

Method for assembling semiconductor chip

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Publication number
JPH0684975A
JPH0684975A JP23062592A JP23062592A JPH0684975A JP H0684975 A JPH0684975 A JP H0684975A JP 23062592 A JP23062592 A JP 23062592A JP 23062592 A JP23062592 A JP 23062592A JP H0684975 A JPH0684975 A JP H0684975A
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JP
Japan
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layer
film
adhesive layer
paste
paste layer
Prior art date
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Application number
JP23062592A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Kurosawa
哲也 黒澤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743Apparatus for manufacturing layer connectors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve wettability and to supply a stable film thickness by transferring an adhesive layer or a paste layer formed on a film to a lead frame, and fixing a semiconductor chip by the adhesive layer or the paste layer. CONSTITUTION:A gap 8 through which a synthetic resin film 7 is passed is provided in a vessel 6 in which an adhesive or paste is charged, and a layer 4 of predetermined thickness is transferred to the passed film 7. After the film 7 coated with the layer 4 is conveyed to a lead frame 3, a collet 14 is pressed by a suitable load to transfer the layer 4 to a bed on the frame 3. A predetermined semiconductor chip 5 is fixed to the transferred layer 4. Thus, excellent wettability fitted with the chip can be obtained in a predetermined film thickness. Further, various types of components to be fixed can be handled by designing the shape of the collet.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子をフィルム
に接着剤を用いてマウントする半導体素子の組立方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of assembling a semiconductor device, in which the semiconductor device is mounted on a film with an adhesive.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近のように集積度の高い半導体素子の
組立工程としては、リードフレームを利用する方式に代
えて、合成樹脂製フィルムに半導体素子をマウントする
方法も採られている。半導体素子をマウントするには、
適当な粘度の接着剤やペーストを利用する方法も利用し
ており、図1乃至図8により説明する。
2. Description of the Related Art Recently, as a process of assembling a semiconductor device having a high degree of integration, a method of mounting a semiconductor device on a synthetic resin film has been adopted instead of a method using a lead frame. To mount a semiconductor device,
A method using an adhesive or paste having an appropriate viscosity is also used, which will be described with reference to FIGS. 1 to 8.

【0003】リードフレームに半導体素子をマウントす
る方式としていわゆるポッティング方式も利用されてお
り、図1及び図2により説明する。一点ノズル1または
多点ノズル2を用いてリードフレーム3に滴下する接着
剤層4やペースト層4に半導体素子5を接触させ、かつ
適当な荷重により押圧して両者を固着する。被接着物と
しては、半導体素子5の外にセラミック基板なども適用
可能である。また、適当な粘度の接着剤層4を一点ノズ
ル1から半導体素子5に滴下する例の断面図を図3に、
または多点ノズル2からの例の断面図を図4に明らかに
する。
A so-called potting method is also used as a method for mounting a semiconductor element on a lead frame, which will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The semiconductor element 5 is brought into contact with the adhesive layer 4 or the paste layer 4 dropped onto the lead frame 3 by using the one-point nozzle 1 or the multi-point nozzle 2, and is pressed by an appropriate load to fix them. As the adherend, a ceramic substrate or the like can be applied in addition to the semiconductor element 5. Further, a cross-sectional view of an example in which the adhesive layer 4 having an appropriate viscosity is dropped from the one-point nozzle 1 onto the semiconductor element 5 is shown in FIG.
Or a cross-sectional view of an example from the multipoint nozzle 2 is shown in FIG.

【0004】更に、図5は、図3の状態を適当な荷重に
より押圧した断面図であり、図6は、図4の状態を適当
な荷重により押圧した断面図である。
Further, FIG. 5 is a sectional view in which the state of FIG. 3 is pressed by an appropriate load, and FIG. 6 is a sectional view in which the state of FIG. 4 is pressed by an appropriate load.

【0005】図7と図8は、接着剤層4またはペースト
層4内に発生したボイド(Void)6と、半導体素子
4の側面にはみだした接着剤層またはペースト層4を明
らかにした図である。
FIGS. 7 and 8 show the voids 6 generated in the adhesive layer 4 or the paste layer 4 and the adhesive layer or paste layer 4 protruding from the side surface of the semiconductor element 4. is there.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】一点ノズル1を用いて
滴下後の接着剤層4やペースト層4の形状は、円形にな
るために、半導体素子5を一定の荷重で押圧しても、角
が濡れない。一方、多点ノズル2を利用した際は、ノズ
ルの配列状態を変えることにより被接着材の表面や角な
どが良く濡れるが、滴下した接着剤層4やペースト層4
間の空気を巻込んで広がるので、一点ノズル1を使用し
た場合より気泡が残る頻度が大きい。
Since the shape of the adhesive layer 4 and the paste layer 4 after dropping using the one-point nozzle 1 is circular, even if the semiconductor element 5 is pressed with a constant load Does not get wet. On the other hand, when the multi-point nozzle 2 is used, the surface and corners of the adherend are well wetted by changing the nozzle arrangement state, but the dropped adhesive layer 4 or paste layer 4
Since the air in the gap is taken in and spread, air bubbles remain more frequently than when the single-point nozzle 1 is used.

【0007】被接着物である半導体素子用基板の寸法が
大きくなるにつれて、接着剤やペーストの吐出量が増え
るので、接着剤層4やペースト層4の厚さが大きくなる
か、厚さが不均一になってしまう。この難点を避けるに
は、半導体素子用基板の寸法毎に濡れ性や厚さの条件を
見付けることが必要になる。
As the size of the semiconductor element substrate, which is the object to be adhered, increases, the amount of adhesive or paste discharged increases. Therefore, the thickness of the adhesive layer 4 or the paste layer 4 increases or the thickness of the adhesive layer 4 increases. It becomes uniform. In order to avoid this difficulty, it is necessary to find conditions for wettability and thickness for each dimension of the semiconductor element substrate.

【0008】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、濡れ性の向上と安定した膜厚を供給する
ことを目的とする。
The present invention has been made under such circumstances, and it is an object of the present invention to improve wettability and supply a stable film thickness.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】フィルムに接着剤層また
はペースト層を一定の膜厚に塗布する工程と,このフィ
ルムの塗布面の反対側から押圧して接着剤層またはペー
スト層に接触する被固着物を転写する工程と,転写した
被固着物の接着剤層またはペースト層に半導体素子を固
着する工程とから成る点に本発明に係わる半導体素子の
組立方法の特徴がある。
[Means for Solving the Problems] A step of applying an adhesive layer or a paste layer to a film with a constant thickness, and a step of pressing from the opposite side of the coated surface of the film to contact the adhesive layer or the paste layer. The method of assembling a semiconductor device according to the present invention is characterized in that it includes a step of transferring a fixed material and a step of fixing a semiconductor element to the adhesive layer or paste layer of the transferred adhered material.

【0010】[0010]

【作用】本発明方法では、フィルムに塗布した接着剤層
またはペースト層をリードフレームなどの被固着物に転
写後、半導体素子を接着剤層またはペースト層により固
着する方式を採用する。被固着物に接着剤層またはペー
スト層を転写するには、接着剤層またはペースト層の入
った容器に設けた隙間を合成樹脂製のフィルムを通過さ
せことることにより、任意の幅と厚さの接着剤層または
ペースト層をフィルムに塗布後、塗布面と反対側からコ
レットを下降してフィルムから被固着物に接着剤層また
はペースト層だけを転写する方式を本発明に係わる半導
体素子の組立装置に採用する。これにより被固着物に
は、一定の厚さの接着剤層またはペースト層を形成し、
しかも濡れ性が良好に維持される。
In the method of the present invention, after the adhesive layer or paste layer applied to the film is transferred to the adherend such as a lead frame, the semiconductor element is fixed by the adhesive layer or paste layer. To transfer the adhesive layer or paste layer to the adherend, pass a synthetic resin film through the gap provided in the container containing the adhesive layer or paste layer, and set the desired width and thickness. After assembling the adhesive layer or the paste layer on the film, the collet is lowered from the side opposite to the coated surface to transfer only the adhesive layer or the paste layer from the film to the adherend. Adopted for equipment. This forms an adhesive layer or paste layer with a certain thickness on the adherend,
Moreover, good wettability is maintained.

【0011】従って多用化している被固着物の形状に合
わせてコレットを設計することにより、多品種の組立工
程に対応することができる。
Therefore, by designing the collet according to the shape of the adhered material that is being used more and more, it is possible to cope with the assembly process of many kinds.

【0012】[0012]

【実施例】本発明に係わる一実施例を図9乃至図15を
参照して説明する。図9は、本発明に係わる半導体素子
の組立方法に利用する装置の上面図、図10が図9のB
方向の側面図、図11が図9のA方向の側面図、図12
が全体の要部を明らかにする斜視図、図13と図14が
コレットによる押圧状態を示す断面図、図15が組立後
の断面図である.コレットによるダイボンディング工程
を行う本発明の半導体素子の組立方法は、従来のような
いわゆるポッティング方式は利用せず、図12の斜視図
に明らかにする装置を利用してリードフレームに半導体
素子をマウントする。即ち、接着剤層またはペ−スト層
4を充填する容器6には、図11に明らかなように合成
樹脂製のフィルム7が通れる隙間8を設け、通過するフ
ィルム7に接着剤層またはペ−スト層4を一定の厚さに
転写する方式を採る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a top view of an apparatus used in the method of assembling a semiconductor device according to the present invention, and FIG.
Side view in the direction of FIG. 11, FIG. 11 is a side view in the direction A of FIG. 9, and FIG.
Is a perspective view for clarifying the main part of the whole, FIGS. 13 and 14 are sectional views showing a pressed state by the collet, and FIG. 15 is a sectional view after assembly. The semiconductor element assembling method of the present invention in which the die bonding process is performed by the collet does not use the conventional so-called potting method, but mounts the semiconductor element on the lead frame using the device shown in the perspective view of FIG. To do. That is, the container 6 filled with the adhesive layer or the paste layer 4 is provided with a gap 8 through which the synthetic resin film 7 can pass, as shown in FIG. A method of transferring the strike layer 4 to a constant thickness is adopted.

【0013】接着剤層またはペ−スト層4を転写するに
当たっては、図11と図12に示すように、容器6に一
対のローラ9を設置してフィルム7が転送可能とすると
共に、図11に明らかにするように容器6から流れた接
着剤層またはペ−スト層4がフィルム7の搬送方向に沿
って移動する。このために接着剤層またはペ−スト層4
は、所定の粘度に調整する。
In transferring the adhesive layer or the paste layer 4, as shown in FIGS. 11 and 12, a pair of rollers 9 is installed in the container 6 so that the film 7 can be transferred. As will be apparent from FIG. 5, the adhesive layer or the paste layer 4 flowing from the container 6 moves along the transport direction of the film 7. To this end, an adhesive layer or paste layer 4
Is adjusted to a predetermined viscosity.

【0014】説明が前後するが、容器6には、図12な
どに示すように接着剤層層またはペ−スト層4を収容す
る部屋10を設けるが、その下部に壁11を形成して接
着剤層層またはペ−スト層4がローラの一方9を介して
隙間8に流れてフィルム7と一緒に搬送する状態とす
る。そして、図11に示すように容器6の端に対応する
隙間8部分には、マイクロメータ12を付設するストッ
パー13を設置して接着剤層4またはペースト層4量を
調整する。
Before and after the explanation, the container 6 is provided with a chamber 10 for accommodating the adhesive layer or the paste layer 4, as shown in FIG. The agent layer or the paste layer 4 flows into the gap 8 through one of the rollers 9 and is conveyed together with the film 7. Then, as shown in FIG. 11, a stopper 13 provided with a micrometer 12 is installed in the gap 8 corresponding to the end of the container 6 to adjust the amount of the adhesive layer 4 or the paste layer 4.

【0015】この結果、壁11から流出する接着剤層ま
たはペースト層4は、ローラ9の外周部分を伝わって、
ローラ9間に挟持するフィルム7に転写する。
As a result, the adhesive layer or paste layer 4 flowing out from the wall 11 travels along the outer peripheral portion of the roller 9,
Transfer to the film 7 held between the rollers 9.

【0016】一方、フィルム7を転送可能にするために
配置する一対のローラ9は、部屋10に近接する方を固
定状態にして、対応する下側を回転可能にする構成が選
択でき、図示しない例えばステッピングモータの稼働に
より回転させる。
On the other hand, the pair of rollers 9 arranged to enable the transfer of the film 7 can be selected such that the side closer to the room 10 is fixed and the corresponding lower side is rotatable, which is not shown. For example, it is rotated by operating a stepping motor.

【0017】なお、一対のローラ9は、フィルム7を転
送するのに便利なように複数箇所に形成することも可能
である。
The pair of rollers 9 can be formed at a plurality of locations for the convenience of transferring the film 7.

【0018】ストッパー12などにより所定量の接着剤
層4またはペースト層4を塗布したフィルム7は、図1
3に明らかにするように被固着物である例えばリードフ
レーム3の上に搬送後、コレット14を適当の荷重で押
圧して接着剤層またはペースト層4をリードフレーム3
上正確にはベッド部(図示せず)に転写する。なお、コ
レット14は、固着面積に対応する底部15を備えてい
る。
The film 7 coated with a predetermined amount of the adhesive layer 4 or the paste layer 4 by the stopper 12 or the like is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the collet 14 is pressed by an appropriate load after being transferred onto the adherend, for example, the lead frame 3, and the adhesive layer or the paste layer 4 is attached to the lead frame 3.
More precisely, it is transferred to the bed (not shown). The collet 14 has a bottom portion 15 corresponding to the fixed area.

【0019】図14は、コレット14を押圧工程で所定
の面積即ち底部15に対応する面積がフィルム7から引
離された状態を明らかにした。
FIG. 14 clarifies a state in which a predetermined area, that is, an area corresponding to the bottom portion 15 is separated from the film 7 in the step of pressing the collet 14.

【0020】この工程を終えてから、リードフレーム3
のベッド部に転写した接着剤層またはペースト層4に所
定の半導体素子5を固着してマウント工程を終える(図
15参照)。
After this step is completed, the lead frame 3
The predetermined semiconductor element 5 is fixed to the adhesive layer or the paste layer 4 transferred to the bed portion of (3) to finish the mounting process (see FIG. 15).

【0021】この一連の工程を終えてから、フィルム7
を1ピッチ搬送して、新たなフィルム7部分に同一工程
を繰返して所定の半導体素子5のダイボンディング工程
を量産的に行うことが可能になる。
After completing this series of steps, the film 7
It is possible to carry out the die-bonding step of a predetermined semiconductor element 5 in a mass-production manner by transporting 1 pitch for 1 pitch and repeating the same step for a new film 7 portion.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明に係わる半導体素子の組立方法に
より、一定の膜厚で半導体素子に応じた良好な濡れ性を
確保することができる。また、コレットの形状を設計す
ることにより、リードフレームなどに設置する分割した
ベッド部やスリット入りベッド部などあらゆる形状に対
応することが可能になる。即ち接着剤層4またはペース
ト層4の形状を文字や記号のようにすることができ、X
線での観察により確認できる。
By the method of assembling a semiconductor device according to the present invention, it is possible to secure good wettability according to the semiconductor device with a constant film thickness. Further, by designing the shape of the collet, it becomes possible to deal with any shape such as a divided bed portion installed on a lead frame or a slitted bed portion. That is, the shape of the adhesive layer 4 or the paste layer 4 can be made like a letter or a symbol, and X
It can be confirmed by observing with a line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来のポッティング工程に使用する一点ノズル
の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a single-point nozzle used in a conventional potting process.

【図2】従来のポッティング工程に使用する多点ノズル
の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a multipoint nozzle used in a conventional potting process.

【図3】従来の一点ノズルより接着剤層またはペースト
層をリードフレームに滴下した状態を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which an adhesive layer or a paste layer is dropped onto a lead frame from a conventional one-point nozzle.

【図4】従来の多点ノズルより接着剤層またはペースト
層をリードフレームに滴下した状態を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which an adhesive layer or a paste layer is dropped on a lead frame from a conventional multi-point nozzle.

【図5】従来の工程によりリードフレームに一点ノズル
より滴下した接着剤層またはペースト層に半導体素子を
マウント後の断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view after mounting a semiconductor element on an adhesive layer or a paste layer dropped on a lead frame from a single-point nozzle by a conventional process.

【図6】従来の工程によりリードフレームに多点ノズル
より滴下した接着剤層またはペースト層に半導体素子を
マウント後の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view after mounting a semiconductor element on an adhesive layer or a paste layer dropped from a multi-point nozzle on a lead frame by a conventional process.

【図7】図5に示した半導体素子の周囲に接着剤層また
はペースト層がはみだした状態を明らかにする上面図で
ある。
FIG. 7 is a top view showing a state in which an adhesive layer or a paste layer protrudes around the semiconductor device shown in FIG.

【図8】図6に示した半導体素子の周囲に接着剤層また
はペースト層がはみだした状態を明らかにする上面図で
ある。
FIG. 8 is a top view showing a state in which an adhesive layer or a paste layer protrudes around the semiconductor element shown in FIG.

【図9】本発明方法を行うのに使用する装置の上面を示
す図である。
FIG. 9 shows a top view of an apparatus used to carry out the method of the invention.

【図10】図9のB側面を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a B side surface of FIG. 9;

【図11】図9のA側面を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the A side surface of FIG. 9;

【図12】本発明方法を行うのに使用する装置の概略を
示す斜視図である。
FIG. 12 is a schematic perspective view of an apparatus used for carrying out the method of the present invention.

【図13】図12の装置による転写工程に続く圧着工程
を明らかにする断面図である。
13 is a cross-sectional view showing a pressure bonding step subsequent to the transfer step by the apparatus of FIG.

【図14】図13示す工程に続いてコレットを引上げる
工程の断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view of a step of pulling up the collet following the step shown in FIG.

【図15】本発明の最終工程である半導体素子と転写フ
ィルムの固着工程を明らかにする断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a step of fixing a semiconductor element and a transfer film, which is the final step of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:一点ノズル、 2:多点ノズル、 3:リードフレーム、 4:接着剤層またはペースト層、 5:半導体素子、 6:容器、 7:フィルム、 8:隙間、 9:ローラ、 10:部屋、 11:壁、 12:ストッパー、 13:マイクロメータ、 14:コレット、 15:底部。 1: Single-point nozzle, 2: Multi-point nozzle, 3: Lead frame, 4: Adhesive layer or paste layer, 5: Semiconductor element, 6: Container, 7: Film, 8: Gap, 9: Roller, 10: Room, 11: wall, 12: stopper, 13: micrometer, 14: collet, 15: bottom.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィルムに接着剤層またはペースト層を
一定の膜厚に塗布する工程と,前記フィルムの塗布面の
反対側から押圧して接着剤層またはペースト層のみを被
固着物に転写する工程と,転写した被固着物の接着剤層
またはペースト層に半導体素子を固着する工程とから成
ることを特徴とする半導体素子の組立方法。
1. A step of applying an adhesive layer or a paste layer to a film to a constant thickness, and pressing from the side opposite to the coated surface of the film to transfer only the adhesive layer or the paste layer to an adherend. A method of assembling a semiconductor device, comprising the steps of: fixing a semiconductor element to an adhesive layer or a paste layer of a transferred adherend.
JP23062592A 1992-08-31 1992-08-31 Method for assembling semiconductor chip Pending JPH0684975A (en)

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JP23062592A JPH0684975A (en) 1992-08-31 1992-08-31 Method for assembling semiconductor chip

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100465573B1 (en) * 2002-03-16 2005-01-13 주식회사 나래나노텍 Resin coating system for chip elements and method thereof

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