JPH0684464A - 電子銃カソードの欠陥検出方法 - Google Patents
電子銃カソードの欠陥検出方法Info
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- JPH0684464A JPH0684464A JP23455092A JP23455092A JPH0684464A JP H0684464 A JPH0684464 A JP H0684464A JP 23455092 A JP23455092 A JP 23455092A JP 23455092 A JP23455092 A JP 23455092A JP H0684464 A JPH0684464 A JP H0684464A
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- Japan
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- carbonate
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に検査を行ない、また検査に習熟する必
要をなくし、さらに画一的な検査を行なう。 【構成】 レーザ光１３を炭酸塩４の計測面１５に照射
し、この反射光から光位置検出素子１１により炭酸塩４
の表面高さを電圧に変換し、中央演算素子２４により光
位置検出素子１１の出力の電圧差、立上りピーク電圧、
光位置検出素子１１の出力の所定範囲の平均値等を演算
し、良否仕訳器２８により立上りピーク電圧が所定値を
越えている否かによりぶつ付着不良の存否を判定し、光
位置検出素子１１の出力の電圧差が所定値以下であるか
否かによりこすれ不良の存否を判定し、光位置検出素子
１１の出力の所定範囲の平均値が所定値以下であるか否
かにより欠け不良の存否を判定して、電子銃カソードが
良品であるか、不良品であるかを仕訳する。
要をなくし、さらに画一的な検査を行なう。 【構成】 レーザ光１３を炭酸塩４の計測面１５に照射
し、この反射光から光位置検出素子１１により炭酸塩４
の表面高さを電圧に変換し、中央演算素子２４により光
位置検出素子１１の出力の電圧差、立上りピーク電圧、
光位置検出素子１１の出力の所定範囲の平均値等を演算
し、良否仕訳器２８により立上りピーク電圧が所定値を
越えている否かによりぶつ付着不良の存否を判定し、光
位置検出素子１１の出力の電圧差が所定値以下であるか
否かによりこすれ不良の存否を判定し、光位置検出素子
１１の出力の所定範囲の平均値が所定値以下であるか否
かにより欠け不良の存否を判定して、電子銃カソードが
良品であるか、不良品であるかを仕訳する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はテレビジョン用、パー
ソナルコンピュータ用等の陰極線管の電子銃の熱電子発
生源となるカソードの欠陥を検出する方法に関するもの
である。
ソナルコンピュータ用等の陰極線管の電子銃の熱電子発
生源となるカソードの欠陥を検出する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６は電子銃カソードを示す斜視図であ
る。図に示すように、直径約２ｍｍの円筒形のキャップ
１にスリーブ２が取り付けられ、スリーブ２にディスク
３が取り付けられ、キャップ１の天頂面にＢａ（バリウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｃｌ（塩素）からなる
炭酸塩４が７０μｍの厚さに塗布されている。
る。図に示すように、直径約２ｍｍの円筒形のキャップ
１にスリーブ２が取り付けられ、スリーブ２にディスク
３が取り付けられ、キャップ１の天頂面にＢａ（バリウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｃｌ（塩素）からなる
炭酸塩４が７０μｍの厚さに塗布されている。
【０００３】この電子銃カソードを製造するには、まず
厚さが約０．２ｍｍの金属板を直径約２ｍｍの円筒形に
プレス成型したキャップ１、スリーブ２、ディスク３を
スポット溶接して組み立てる。つぎに、約４００〜５０
０個の組立完カソードを吹付用枠の穴に並べる。つぎ
に、炭酸塩を溶剤に混ぜて、これを吹付ノズルにより１
０〜１５回キャップ１の天頂面に吹き付けることによ
り、炭酸塩４を塗布する。
厚さが約０．２ｍｍの金属板を直径約２ｍｍの円筒形に
プレス成型したキャップ１、スリーブ２、ディスク３を
スポット溶接して組み立てる。つぎに、約４００〜５０
０個の組立完カソードを吹付用枠の穴に並べる。つぎ
に、炭酸塩を溶剤に混ぜて、これを吹付ノズルにより１
０〜１５回キャップ１の天頂面に吹き付けることによ
り、炭酸塩４を塗布する。
【０００４】このような電子銃カソードにおいては、電
子銃カソード完成後の欠陥検出として、炭酸塩４の塗布
厚、塗布重量、密度等の欠陥を検出する他、炭酸塩４の
表面状態の変動が陰極線管作動時の電子放出特性等に微
妙な影響を与えるため、炭酸塩４の表面状態欠陥を検出
している。この炭酸塩４の表面状態欠陥としては、外径
１〜２μｍ、長さ６〜１０μｍの針状の炭酸塩結晶体が
数十個固まった状態で塗布されるぶつ付着不良、塗布後
のハンドリング等で発生するこすれ不良、欠け不良等が
ある。
子銃カソード完成後の欠陥検出として、炭酸塩４の塗布
厚、塗布重量、密度等の欠陥を検出する他、炭酸塩４の
表面状態の変動が陰極線管作動時の電子放出特性等に微
妙な影響を与えるため、炭酸塩４の表面状態欠陥を検出
している。この炭酸塩４の表面状態欠陥としては、外径
１〜２μｍ、長さ６〜１０μｍの針状の炭酸塩結晶体が
数十個固まった状態で塗布されるぶつ付着不良、塗布後
のハンドリング等で発生するこすれ不良、欠け不良等が
ある。
【０００５】そして、従来電子銃カソードの炭酸塩４の
表面状態欠陥を検出するには、顕微鏡による拡大像を目
視判別している。しかも、炭酸塩４の表面状態欠陥は欠
陥発生状態が限定できないから、全電子銃カソードにつ
いてこの検査を実施する必要がある。
表面状態欠陥を検出するには、顕微鏡による拡大像を目
視判別している。しかも、炭酸塩４の表面状態欠陥は欠
陥発生状態が限定できないから、全電子銃カソードにつ
いてこの検査を実施する必要がある。
【０００６】なお、陰極線管に関連するものとしては、
特開昭５９−２１５６４０号公報が挙げられる。
特開昭５９−２１５６４０号公報が挙げられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような電
子銃カソードの欠陥検出方法においては、１個ごとに目
視判別しなければならないから、検査が面倒であり、ま
た検査に習熟しなければならないが、習熟に多くの時間
を要し、さらに判定基準に検査者の差がでるから、画一
的な検査を行なうことができない。
子銃カソードの欠陥検出方法においては、１個ごとに目
視判別しなければならないから、検査が面倒であり、ま
た検査に習熟しなければならないが、習熟に多くの時間
を要し、さらに判定基準に検査者の差がでるから、画一
的な検査を行なうことができない。
【０００８】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、容易に検査を行なうことができ、また検
査に習熟する必要がなく、さらに画一的な検査を行なう
ことができる電子銃カソードの欠陥検出方法を提供する
ことを目的とする。
されたもので、容易に検査を行なうことができ、また検
査に習熟する必要がなく、さらに画一的な検査を行なう
ことができる電子銃カソードの欠陥検出方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、電子銃カソードの炭酸塩の表
面状態欠陥を検出する方法において、光を上記炭酸塩に
照射し、この反射光から光電変換素子により炭酸塩の表
面高さを電気量に変換し、上記表面高さのパターンによ
り上記表面状態欠陥を検出する。
め、この発明においては、電子銃カソードの炭酸塩の表
面状態欠陥を検出する方法において、光を上記炭酸塩に
照射し、この反射光から光電変換素子により炭酸塩の表
面高さを電気量に変換し、上記表面高さのパターンによ
り上記表面状態欠陥を検出する。
【００１０】
【作用】この電子銃カソードの欠陥検出方法において
は、自動的に炭酸塩の表面状態欠陥を検出することがで
きる。
は、自動的に炭酸塩の表面状態欠陥を検出することがで
きる。
【００１１】
【実施例】図２はこの発明に係る電子銃カソードの欠陥
検出方法を実施するための装置を示す斜視図、図１は図
２に示した装置の一部を示すブロック図である。図に示
すように、ベース２９に軸受レール４０が取り付けら
れ、軸受レール４０にステージ３８が移動可能に支持さ
れ、ベース２９にモータブラケット４１が取り付けら
れ、モータブラケット４１にパルスモータ４２が取り付
けられ、パルスモータ４２の出力軸にボールねじ３９が
取り付けられ、ボールねじ３９の先端部が軸受レール４
０に回転可能に支持され、ボールねじ３９はステージ３
８に設けられた雌ねじと螺合している。また、ステージ
３８にガイドベース３７が取り付けられ、ガイドベース
３７にステージ３４が移動可能に支持され、ガイドベー
ス３７にパルスモータ３６が取り付けられ、パルスモー
タ３６の出力軸に送りねじ３５が取り付けられ、送りね
じ３５はステージ３４に設けられた雌ねじと螺合してい
る。また、ステージ３４に芯金３３が取り付けられ、芯
金３３に電子銃カソード３２が支持されている。また、
ベース２９にヘッドスタンド３０が取り付けられ、ヘッ
ドスタンド３０にマイクロメータ３１を介して計測ヘッ
ド８が取り付けられ、測定ヘッド８に信号線１７によっ
て信号処理部９が接続されている。また、測定ヘッド８
は半導体レーザ１２を有しており、半導体レーザ１２に
レーザ電源１０が接続され、半導体レーザ１２から波長
が７８０ｎｍのレーザ光１３が収束レンズ１４を介して
炭酸塩４の計測面１５に照射され、レーザ光１３の計測
面１５における反射光がコリメータレンズ１６を介して
光位置検出素子１１に照射される。そして、計測面１５
が標準位置にあり、反射光１３ａが光位置検出素子１１
の中央部に照射されたときには、光位置検出素子１１か
ら予め設定された電圧たとえば０Ｖが出力され、計測面
１５が高位置１５ｈ、低位値１５ｌにあり、反射光１３
ｈ、１３ｌが光位置検出素子１１の図１紙面右方部、左
方部に照射されたときには、光位置検出素子１１から計
測面１５の高さに応じた正負の電圧（最大絶対値５００
ｍＶ）が出力される。また、光位置検出素子１１に信号
線１７を介して信号処理部９の増幅器１８が接続され、
増幅器１８に信号線１９を介してデジタル変換器２０が
接続され、デジタル変換器２０に信号線２１を介して中
央演算素子２４が接続され、中央演算素子２４は計測ヘ
ッド８からの計測データを処理する。また、中央演算素
子２４に信号線２３を介して仕切値設定器２２が接続さ
れ、仕切値設定器２２は良否の仕切値、測定時の基準電
圧、測定タイミング、計測範囲等の入力情報を設定す
る。また、中央演算素子２４に信号線２５を介して表示
器２６が接続され、表示器２６には中央演算素子２４の
処理結果が表示される。また、中央演算素子２４に信号
線２７を介して良否仕訳器２８が接続され、良否仕訳器
２８は電子銃カソード３２が良品であるか、不良品であ
るかを仕訳する。また、中央演算素子２４、良否仕訳器
２８に信号線４５を介してプリンタ４６が接続されてお
り、プリンタ４６により中央演算素子２４、良否仕訳器
２８の処理結果がプリントアウトされる。
検出方法を実施するための装置を示す斜視図、図１は図
２に示した装置の一部を示すブロック図である。図に示
すように、ベース２９に軸受レール４０が取り付けら
れ、軸受レール４０にステージ３８が移動可能に支持さ
れ、ベース２９にモータブラケット４１が取り付けら
れ、モータブラケット４１にパルスモータ４２が取り付
けられ、パルスモータ４２の出力軸にボールねじ３９が
取り付けられ、ボールねじ３９の先端部が軸受レール４
０に回転可能に支持され、ボールねじ３９はステージ３
８に設けられた雌ねじと螺合している。また、ステージ
３８にガイドベース３７が取り付けられ、ガイドベース
３７にステージ３４が移動可能に支持され、ガイドベー
ス３７にパルスモータ３６が取り付けられ、パルスモー
タ３６の出力軸に送りねじ３５が取り付けられ、送りね
じ３５はステージ３４に設けられた雌ねじと螺合してい
る。また、ステージ３４に芯金３３が取り付けられ、芯
金３３に電子銃カソード３２が支持されている。また、
ベース２９にヘッドスタンド３０が取り付けられ、ヘッ
ドスタンド３０にマイクロメータ３１を介して計測ヘッ
ド８が取り付けられ、測定ヘッド８に信号線１７によっ
て信号処理部９が接続されている。また、測定ヘッド８
は半導体レーザ１２を有しており、半導体レーザ１２に
レーザ電源１０が接続され、半導体レーザ１２から波長
が７８０ｎｍのレーザ光１３が収束レンズ１４を介して
炭酸塩４の計測面１５に照射され、レーザ光１３の計測
面１５における反射光がコリメータレンズ１６を介して
光位置検出素子１１に照射される。そして、計測面１５
が標準位置にあり、反射光１３ａが光位置検出素子１１
の中央部に照射されたときには、光位置検出素子１１か
ら予め設定された電圧たとえば０Ｖが出力され、計測面
１５が高位置１５ｈ、低位値１５ｌにあり、反射光１３
ｈ、１３ｌが光位置検出素子１１の図１紙面右方部、左
方部に照射されたときには、光位置検出素子１１から計
測面１５の高さに応じた正負の電圧（最大絶対値５００
ｍＶ）が出力される。また、光位置検出素子１１に信号
線１７を介して信号処理部９の増幅器１８が接続され、
増幅器１８に信号線１９を介してデジタル変換器２０が
接続され、デジタル変換器２０に信号線２１を介して中
央演算素子２４が接続され、中央演算素子２４は計測ヘ
ッド８からの計測データを処理する。また、中央演算素
子２４に信号線２３を介して仕切値設定器２２が接続さ
れ、仕切値設定器２２は良否の仕切値、測定時の基準電
圧、測定タイミング、計測範囲等の入力情報を設定す
る。また、中央演算素子２４に信号線２５を介して表示
器２６が接続され、表示器２６には中央演算素子２４の
処理結果が表示される。また、中央演算素子２４に信号
線２７を介して良否仕訳器２８が接続され、良否仕訳器
２８は電子銃カソード３２が良品であるか、不良品であ
るかを仕訳する。また、中央演算素子２４、良否仕訳器
２８に信号線４５を介してプリンタ４６が接続されてお
り、プリンタ４６により中央演算素子２４、良否仕訳器
２８の処理結果がプリントアウトされる。
【００１２】つぎに、図１、図２に示した装置を使用し
て電子銃カソードの欠陥を検出する方法について説明す
る。まず、マイクロメータ３１により計測ヘッド８の高
さを調整し、芯金３３に電子銃カソード３２を取り付け
た状態で、パルスモータ３６、４２を作動すると、電子
銃カソード３２がＸ、Ｙ方向に移動し、レーザ光１３が
炭酸塩４の計測面１５上に走査される。この場合、光位
置検出素子１１から計測面１５の高さに応じた信号が出
力される。たとえば、図３に示すようなぶつ付着不良５
（図４(ａ)）、こすれ不良６（図４(ｂ)）、欠け不良７
（図４(ｃ)）を有する計測面１５をＮ、Ｍ、Ｐ方向に走
査すると、光位置検出素子１１から図５(ａ)〜(ｃ)に示
されるような信号が出力される。そして、計測面１５が
正常であるときには、光位置検出素子１１の出力の電圧
差はたとえば７０ｍＶであるのに対して、ぶつ付着不良
５部の立上りピーク電圧はたとえば４５０ｍＶであり、
またこすれ不良６部の光位置検出素子１１の出力の電圧
差はたとえば３２ｍＶで、正常時の約４０％であり、欠
け不良７部の光位置検出素子１１の出力の平均値はたと
えば−２８〜−１３５ｍＶである。したがって、中央演
算素子２４により光位置検出素子１１の出力の電圧差、
立上りピーク電圧、光位置検出素子１１の出力の所定範
囲の平均値等を演算し、良否仕訳器２８により立上りピ
ーク電圧が所定値を越えている否かによりぶつ付着不良
５の存否を判定し、光位置検出素子１１の出力の電圧差
が所定値以下であるか否かによりこすれ不良６の存否を
判定し、光位置検出素子１１の出力の所定範囲の平均値
が所定値以下であるか否かにより欠け不良７の存否を判
定すれば、電子銃カソード３２が良品であるか、不良品
であるかを仕訳することができる。
て電子銃カソードの欠陥を検出する方法について説明す
る。まず、マイクロメータ３１により計測ヘッド８の高
さを調整し、芯金３３に電子銃カソード３２を取り付け
た状態で、パルスモータ３６、４２を作動すると、電子
銃カソード３２がＸ、Ｙ方向に移動し、レーザ光１３が
炭酸塩４の計測面１５上に走査される。この場合、光位
置検出素子１１から計測面１５の高さに応じた信号が出
力される。たとえば、図３に示すようなぶつ付着不良５
（図４(ａ)）、こすれ不良６（図４(ｂ)）、欠け不良７
（図４(ｃ)）を有する計測面１５をＮ、Ｍ、Ｐ方向に走
査すると、光位置検出素子１１から図５(ａ)〜(ｃ)に示
されるような信号が出力される。そして、計測面１５が
正常であるときには、光位置検出素子１１の出力の電圧
差はたとえば７０ｍＶであるのに対して、ぶつ付着不良
５部の立上りピーク電圧はたとえば４５０ｍＶであり、
またこすれ不良６部の光位置検出素子１１の出力の電圧
差はたとえば３２ｍＶで、正常時の約４０％であり、欠
け不良７部の光位置検出素子１１の出力の平均値はたと
えば−２８〜−１３５ｍＶである。したがって、中央演
算素子２４により光位置検出素子１１の出力の電圧差、
立上りピーク電圧、光位置検出素子１１の出力の所定範
囲の平均値等を演算し、良否仕訳器２８により立上りピ
ーク電圧が所定値を越えている否かによりぶつ付着不良
５の存否を判定し、光位置検出素子１１の出力の電圧差
が所定値以下であるか否かによりこすれ不良６の存否を
判定し、光位置検出素子１１の出力の所定範囲の平均値
が所定値以下であるか否かにより欠け不良７の存否を判
定すれば、電子銃カソード３２が良品であるか、不良品
であるかを仕訳することができる。
【００１３】このような電子銃カソードの欠陥検出方法
においては、自動的に炭酸塩４の表面状態欠陥を検出す
ることができるから、容易に検査を行なうことができ、
また検査に習熟する必要がなく、さらに画一的な検査を
行なうことができる。また、サンプリング周期が４０ｋ
Ｈｚ（２４μｓ）と高速測定が可能であり、しかも炭酸
塩４は純白色に近く、反射率が高いから、±３μｍの精
度で測定することができる。
においては、自動的に炭酸塩４の表面状態欠陥を検出す
ることができるから、容易に検査を行なうことができ、
また検査に習熟する必要がなく、さらに画一的な検査を
行なうことができる。また、サンプリング周期が４０ｋ
Ｈｚ（２４μｓ）と高速測定が可能であり、しかも炭酸
塩４は純白色に近く、反射率が高いから、±３μｍの精
度で測定することができる。
【００１４】なお、上述実施例においては、１個の電子
銃カソード３２をＸ、Ｙ方向に移動したが、約４００〜
５００個の組立完カソードを吹付用枠の穴に並べ、炭酸
塩４を塗布したのちに、吹付用枠をＸ、Ｙ方向に移動し
て、吹付用枠の穴に並べられた全ての電子銃カソード３
２の表面状態欠陥を一度に検出してもよい。そして、顕
微鏡による拡大像を目視判別することにより、電子銃カ
ソード３２の表面状態欠陥を検出したときには、１個の
電子銃カソード３２について検査するのに約３秒を要し
たが、上述のように吹付用枠の穴に並べられた全ての電
子銃カソード３２の表面状態欠陥を一度に検出したとき
には、１個の電子銃カソード３２について検査時間が１
秒以下である。また、上述実施例においては、電子銃カ
ソード３２をＸ、Ｙ方向に移動したが、計測ヘッド８を
Ｘ、Ｙ方向に移動してもよく、また電子銃カソード３
２、計測ヘッド８を同時にまたは別々にＸ、Ｙ方向に移
動してもよい。
銃カソード３２をＸ、Ｙ方向に移動したが、約４００〜
５００個の組立完カソードを吹付用枠の穴に並べ、炭酸
塩４を塗布したのちに、吹付用枠をＸ、Ｙ方向に移動し
て、吹付用枠の穴に並べられた全ての電子銃カソード３
２の表面状態欠陥を一度に検出してもよい。そして、顕
微鏡による拡大像を目視判別することにより、電子銃カ
ソード３２の表面状態欠陥を検出したときには、１個の
電子銃カソード３２について検査するのに約３秒を要し
たが、上述のように吹付用枠の穴に並べられた全ての電
子銃カソード３２の表面状態欠陥を一度に検出したとき
には、１個の電子銃カソード３２について検査時間が１
秒以下である。また、上述実施例においては、電子銃カ
ソード３２をＸ、Ｙ方向に移動したが、計測ヘッド８を
Ｘ、Ｙ方向に移動してもよく、また電子銃カソード３
２、計測ヘッド８を同時にまたは別々にＸ、Ｙ方向に移
動してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る電
子銃カソードの欠陥検出方法においては、自動的に炭酸
塩の表面状態欠陥を検出することができるから、容易に
検査を行なうことができ、また検査に習熟する必要がな
く、さらに画一的な検査を行なうことができる。このよ
うに、この発明の効果は顕著である。
子銃カソードの欠陥検出方法においては、自動的に炭酸
塩の表面状態欠陥を検出することができるから、容易に
検査を行なうことができ、また検査に習熟する必要がな
く、さらに画一的な検査を行なうことができる。このよ
うに、この発明の効果は顕著である。
【図１】図２に示した装置の一部を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】この発明に係る電子銃カソードの欠陥検出方法
を実施するための装置を示す斜視図である。
を実施するための装置を示す斜視図である。
【図３】電子銃カソードの炭酸塩の表面を示す図であ
る。
る。
【図４】電子銃カソードの炭酸塩の表面状態欠陥を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】図１、図２に示した装置の光位置検出素子の出
力を示すグラフである。
力を示すグラフである。
【図６】電子銃カソードを示す斜視図である。
４…炭酸塩 １１…光位置検出素子 １２…半導体レーザ １３…レーザ光 ２４…中央演算素子 ３２…電子銃カソード
Claims (1)
- 【請求項１】電子銃カソードの炭酸塩の表面状態欠陥を
検出する方法において、光を上記炭酸塩に照射し、この
反射光から光電変換素子により炭酸塩の表面高さを電気
量に変換し、上記表面高さのパターンにより上記表面状
態欠陥を検出することを特徴とする電子銃カソードの欠
陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23455092A JPH0684464A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子銃カソードの欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23455092A JPH0684464A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子銃カソードの欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684464A true JPH0684464A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16972783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23455092A Pending JPH0684464A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子銃カソードの欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180035B2 (en) | 2002-06-25 | 2007-02-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device |
| KR20200035429A (ko) | 2017-07-31 | 2020-04-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 부품 및 반도체 제조 장치 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23455092A patent/JPH0684464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180035B2 (en) | 2002-06-25 | 2007-02-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device |
| KR20200035429A (ko) | 2017-07-31 | 2020-04-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 부품 및 반도체 제조 장치 |
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