JPH0682751B2 - Wafer check - Google Patents

Wafer check

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JPH0682751B2
JPH0682751B2 JP61032741A JP3274186A JPH0682751B2 JP H0682751 B2 JPH0682751 B2 JP H0682751B2 JP 61032741 A JP61032741 A JP 61032741A JP 3274186 A JP3274186 A JP 3274186A JP H0682751 B2 JPH0682751 B2 JP H0682751B2
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JP
Japan
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wafer
groove
mounting table
mask
holding
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吉則 島村
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Canon Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、コンタクト露光型半導体露光装置においてマ
スクを介して露光すべき半導体ウエハを吸着保持するた
めのウエハチャックに関する。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a wafer chuck for sucking and holding a semiconductor wafer to be exposed through a mask in a contact exposure type semiconductor exposure apparatus.

[発明の背景] 半導体製造プロセスのリングラフィー工程においては、
レジストを塗布した半導体ウエハをマスクまたはレチク
ルを介して露光し、パターンの転写を行う。このような
パターン転写用露光方式として、コンタクト方式、プロ
キシミティ方式、反射型投影方式、縮小レンズ投影方式
等が行われている。コンタクト方式においては、マスク
とウエハとを密着させて露光を行うため比較的高解像度
のパターンが得られる。このようなコンタクト露光型半
導体露光装置においては、ウエハは真空チャックにより
吸着保持されこの上にマスクが位置合せされて装着され
る。この場合、マスクとウエハ間にガスが封入されると
光の回折等により高解像度のパターンが得られなくな
る。従って、高解像パターンを得るためにはガストラッ
プを防止しマスクとウエハとを確実に密着させる必要が
あり、またマスクはウエハに対し精密に位置合せされて
いなければならない。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the lithographic process of a semiconductor manufacturing process,
A semiconductor wafer coated with a resist is exposed through a mask or a reticle to transfer a pattern. As such a pattern transfer exposure method, a contact method, a proximity method, a reflection type projection method, a reduction lens projection method and the like are used. In the contact method, a mask and a wafer are brought into close contact with each other to perform exposure, so that a relatively high-resolution pattern can be obtained. In such a contact exposure type semiconductor exposure apparatus, a wafer is adsorbed and held by a vacuum chuck, and a mask is aligned and mounted thereon. In this case, if a gas is sealed between the mask and the wafer, a high resolution pattern cannot be obtained due to light diffraction or the like. Therefore, in order to obtain a high resolution pattern, it is necessary to prevent the gas trap and ensure the close contact between the mask and the wafer, and the mask must be precisely aligned with the wafer.

[従来の技術] 従来の半導体露光装置のウエハチャックは例えば実開昭
54−54270号公報に示されている。この公知のウエハチ
ャックにおいては、ウエハ搭載用保持台上面に放射状の
溝が外周端部に達するまで払い面積に亘って形成されて
いるため、この溝に真空圧を作用させるとウエハが大き
く変形し、焼付け時にウエハ変形によるパターンの歪み
が大きくなり、またウエハ変形によりマスクとウエハと
のアライメントの精度が低下するという問題があり実用
上支障があった。
[Prior Art] A conventional wafer chuck of a semiconductor exposure apparatus is, for example, an actual wafer chuck.
No. 54-54270. In this known wafer chuck, since radial grooves are formed on the upper surface of the wafer mounting holder over the wiping area until reaching the outer peripheral end, when a vacuum pressure is applied to these grooves, the wafer is largely deformed. However, there is a problem in that the distortion of the pattern due to the deformation of the wafer during baking becomes large, and the accuracy of the alignment between the mask and the wafer decreases due to the deformation of the wafer, which is a problem in practical use.

[発明の目的] 本発明は、前記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、真空吸着時のウエハ変形量を小さくしてパターン
の歪みを抑制しまたマスクとウエハとのアライメント精
度を向上させて高解像、高精度のパターン焼付けを可能
とするウエハチャックの提供を目的とする。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and reduces the amount of wafer deformation during vacuum suction to suppress pattern distortion and improve the alignment accuracy between the mask and the wafer. An object of the present invention is to provide a wafer chuck that enables pattern printing with high resolution and high accuracy.

この目的を達成するため本発明のウエハチャックでは、
ウエハ搭載台の上面にウエハ保持用の溝を設けると共
に、前記ウエハ搭載台上面の中心付近から外周縁の内側
近傍までに亘る放射状の溝を前記ウエハ保持用の溝と分
離した状態で設け、前記ウエハ保持用の溝と前記放射状
の溝はそれぞれ異なる真空制御手段に連通している。
In order to achieve this object, the wafer chuck of the present invention,
A groove for holding a wafer is provided on the upper surface of the wafer mounting table, and a radial groove extending from the vicinity of the center of the upper surface of the wafer mounting table to the vicinity of the inside of the outer peripheral edge is provided in a state of being separated from the groove for holding the wafer. The wafer holding groove and the radial groove communicate with different vacuum control means.

[実施例] 第1図は本発明に係るウエハチャックの上面図であり、
第2図はそのII−C−II線に沿った縦断面図である。ウ
エハチャック1を構成するウエハ搭載台20の上面に、同
心円状の複数の溝3および中心付近から外周端縁の内側
部分までに亘る2本の放射状の溝2が形成されている。
2本の放射状の溝2は中心Cに関し対称位置に形成され
ている。各放射状の溝2は導通孔4を介して図示しない
真空源に連通している。また、各同心円状の溝3は導通
孔14を介して図示しない真空源に連通している。導通孔
4,14は各々電磁弁8,18を介して真空源または大気に切換
えて連通可能である。同心円状の溝3はウエハ保持用の
ものであり、放射状の溝2はウエハとマスク間のガス逃
し用のものである。各放射状の溝2は、ウエハ5および
マスク6のセット時の位置合せ用ウエハアライメントマ
ーク11およびマスクアライメントマーク12から外れた位
置に設けられる。ウエハ搭載台20の外周部にはシールゴ
ム9が設けられ、マスク6を搭載したマスクホルダ7と
ウエハ5を搭載したウエハ搭載台20との間に真空室10を
形成可能とする。
[Embodiment] FIG. 1 is a top view of a wafer chuck according to the present invention.
FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line II-C-II. A plurality of concentric grooves 3 and two radial grooves 2 extending from the vicinity of the center to the inside of the outer peripheral edge are formed on the upper surface of the wafer mounting table 20 that constitutes the wafer chuck 1.
The two radial grooves 2 are formed symmetrically with respect to the center C. Each radial groove 2 communicates with a vacuum source (not shown) through a conduction hole 4. Further, each of the concentric grooves 3 communicates with a vacuum source (not shown) via a conduction hole 14. Through hole
4 and 14 can be connected to each other by switching to a vacuum source or the atmosphere via solenoid valves 8 and 18, respectively. The concentric grooves 3 are for holding the wafer, and the radial grooves 2 are for releasing gas between the wafer and the mask. Each radial groove 2 is provided at a position deviated from the alignment wafer alignment mark 11 and the mask alignment mark 12 when the wafer 5 and the mask 6 are set. A seal rubber 9 is provided on the outer peripheral portion of the wafer mounting table 20, and a vacuum chamber 10 can be formed between the mask holder 7 on which the mask 6 is mounted and the wafer mounting table 20 on which the wafer 5 is mounted.

以上のような構成のウエハチャックにおいて、電磁弁8,
18を介して放射状の溝2および同心円状の溝3に真空圧
を作用させれば、第2図に示すように、放射状の溝2の
部分でウエハ5が凹状に適度に変形しウエハ5とマスク
6との間のガスを逃しガストラップの発生を防止する。
このとき同心円状の溝3の部分では溝巾が小さいため
(約1mm)ウエハ5はほとんど変形しない。
In the wafer chuck having the above structure, the solenoid valve 8,
When vacuum pressure is applied to the radial grooves 2 and the concentric circular grooves 3 via 18, as shown in FIG. 2, the wafer 5 is appropriately deformed into a concave shape at the radial grooves 2 and the wafer 5 The gas between the mask 6 and the mask 6 is released to prevent generation of a gas trap.
At this time, since the groove width of the concentric groove 3 is small (about 1 mm), the wafer 5 is hardly deformed.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明に係るウエハチャックにお
いては、ウエハ搭載台上面に放射状の溝を中心付近から
外周縁の内側までに亘って設けてあるため、ウエハとマ
スクのコンタクト時にこの放射状の溝に真空圧を作用さ
せることによりウエハが適度に変形してウエハ上面のガ
スを均一に確実に排出することができ、マスクとウエハ
との密着度が向上し高解像で精度の高いパターン焼付け
が可能となる。また、各放射状の溝はマスクとウエハと
の位置合せ用アライメントマークから外れた位置に設け
てあるため、位置合せ時にウエハ変形による位置ずれを
起すことはなく位置決め精度の信頼性が高まる。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, in the wafer chuck according to the present invention, since the radial grooves are provided on the upper surface of the wafer mounting table from near the center to the inside of the outer peripheral edge, the contact between the wafer and the mask is made. By applying vacuum pressure to these radial grooves, the wafer is appropriately deformed and the gas on the upper surface of the wafer can be discharged uniformly and surely, the adhesion between the mask and the wafer is improved, and the resolution is high and the accuracy is high. High-quality pattern printing becomes possible. Further, since each radial groove is provided at a position deviating from the alignment mark for aligning the mask and the wafer, the positional accuracy is improved without causing a displacement due to the deformation of the wafer during the alignment.

なお、放射状の溝2の本数は2本に限定されるものでは
ない。また同心円状の溝3はウエハを吸着して固定保持
できるように本数および形状を適宜選定可能である。
The number of radial grooves 2 is not limited to two. The number and shape of the concentric circular grooves 3 can be appropriately selected so that the wafer can be adsorbed and fixedly held.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に係るウエハチャックの上面図、第2図
は第1図のII−C−II線に沿った断面図である。 1:ウエハチャック 2:放射状の溝 3:同心円状の溝 4,14:導通孔 5:ウエハ 6:マスク 11:ウエハアライメントマーク 12:マスクアライメントマーク 20:ウエハ搭載台。
1 is a top view of a wafer chuck according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-C-II in FIG. 1: Wafer chuck 2: Radial groove 3: Concentric groove 4,14: Conducting hole 5: Wafer 6: Mask 11: Wafer alignment mark 12: Mask alignment mark 20: Wafer mounting table.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウエハ搭載台の上面にウエハ保持用の溝を
設けると共に、前記ウエハ搭載台上面の中心付近から外
周縁の内側近傍までに亘る放射状の溝を前記ウエハ保持
用の溝と分離した状態で設け、前記ウエハ保持用の溝と
前記放射状の溝はそれぞれ異なる真空制御手段に連通さ
れていることを特徴とするウエハチャック。
1. A groove for holding a wafer is provided on an upper surface of a wafer mounting table, and a radial groove extending from the vicinity of the center of the upper surface of the wafer mounting table to the vicinity of the inside of an outer peripheral edge is separated from the groove for holding the wafer. The wafer chuck, wherein the wafer holding groove and the radial groove are connected to different vacuum control means.
【請求項2】前記ウエハ搭載台上面は実質上円形であ
り、前記ウエハ保持用の溝は同心円状の複数の溝からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウエハ
チャック。
2. The wafer chuck according to claim 1, wherein the upper surface of the wafer mount is substantially circular, and the groove for holding the wafer comprises a plurality of concentric grooves.
【請求項3】前記放射状の溝は、ウエハとマスクとの位
置合せ用マークから外れた位置に設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項または第2項記載のウエハチャ
ック。
3. The wafer chuck according to claim 1, wherein the radial groove is provided at a position deviated from the alignment mark between the wafer and the mask.
【請求項4】前記真空制御手段はそれぞれ電磁弁を有
し、前記ウエハ保持用の溝と前記放射状の溝のそれぞれ
は前記電磁弁を介して真空源または大気に切り換えて連
通されることを特徴とする特許請求の範囲第1項から第
3項までのいずれか1項記載のウエハチャック。
4. The vacuum control means each have an electromagnetic valve, and each of the wafer holding groove and the radial groove is switched and communicated with a vacuum source or an atmosphere via the electromagnetic valve. The wafer chuck according to any one of claims 1 to 3, wherein:
【請求項5】前記放射状の溝は前記ウエハ搭載台上面の
中心に関し対称な複数本の溝を有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項から第4項までのいずれか1項記
載のウエハチャック。
5. The radial groove has a plurality of grooves symmetrical with respect to the center of the upper surface of the wafer mounting table, as claimed in any one of claims 1 to 4. Wafer chuck.
【請求項6】前記ウエハ搭載台の外周部に該ウエハ搭載
台とマスクホルダとの間を封止するためのシール材を設
け、ウエハを搭載したウエハ搭載台とマスクを搭載した
マスクホルダとの間に真空室を形成可能としたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項から第5項までのいずれ
か1項記載のウエハチャック。
6. A seal material for sealing between the wafer mounting table and the mask holder is provided on an outer peripheral portion of the wafer mounting table, and a wafer mounting table on which a wafer is mounted and a mask holder on which a mask is mounted are provided. The wafer chuck according to any one of claims 1 to 5, wherein a vacuum chamber can be formed therebetween.
【請求項7】前記放射状の溝は、真空圧を導入してウエ
ハを変形させウエハ上面のガスを逃すガストラップ防止
用の溝であることを特徴とする特許請求の範囲第1項か
ら第6項までのいずれか1項記載のウエハチャック。
7. The radial groove is a groove for preventing a gas trap that introduces a vacuum pressure to deform the wafer and let out gas on the upper surface of the wafer, thereby preventing gas trapping. The wafer chuck according to claim 1.
【請求項8】前記ウエハ保持用の溝は、真空圧導入時に
ウエハを変形させない程度に溝巾を狭くしたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項から第7項までのいずれか
1項記載のウエハチャック。
8. The wafer holding groove has a groove width narrowed to such an extent that the wafer is not deformed when a vacuum pressure is introduced, according to any one of claims 1 to 7. Wafer chuck described.
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