JPH0682725B2 - フラツトパツケ−ジｉｃのリ−ドピン浮き状態検出方法 - Google Patents
フラツトパツケ−ジｉｃのリ−ドピン浮き状態検出方法Info
- Publication number
- JPH0682725B2 JPH0682725B2 JP61285499A JP28549986A JPH0682725B2 JP H0682725 B2 JPH0682725 B2 JP H0682725B2 JP 61285499 A JP61285499 A JP 61285499A JP 28549986 A JP28549986 A JP 28549986A JP H0682725 B2 JPH0682725 B2 JP H0682725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead pin
- flat package
- floating state
- distance
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明はフラットパッケージICのリードピン浮き状態
検出方法に関する。
検出方法に関する。
＜従来の技術＞ LSI等の集積回路（以下ICとする）は様々な機械、装置
に使用されているが、基板への装着に当たってそのリー
ドピンの曲がりや欠損により正確な半田付けができない
問題がある。特に、フラットパッケージICではこれに特
有のリードピンの浮き上がり、浮き下がりの問題があ
り、従来この浮き状態の有効な検出方法がなく、その検
出方法の提案が要望されていた。
に使用されているが、基板への装着に当たってそのリー
ドピンの曲がりや欠損により正確な半田付けができない
問題がある。特に、フラットパッケージICではこれに特
有のリードピンの浮き上がり、浮き下がりの問題があ
り、従来この浮き状態の有効な検出方法がなく、その検
出方法の提案が要望されていた。
＜発明の概要＞ 本発明は上記要望に応えるためになされたもので、フラ
ットパッケージICのリードピンの浮き状態を検出する方
法を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、
フラットパッケージICの底面を支持し、該底面からフラ
ットパッケージICの一側面におけるリードピン群の最上
端までの距離を測定し、また該底面から該側面における
リードピン群の最下端までの距離を測定し、更に前記最
上端までの距離と最下端までの距離の差を求め、前記測
定値及び差の値に基づきフラットパッケージICのリード
ピンの浮き状態を評価することを基本的な特徴とするも
のである。本発明において、フラットパッケージICの底
面を支持することにより、リードピンを中空に浮かせそ
の状態を検出しうるようにする。そしてフラットパッケ
ージICの底面を基準とすることにより測定装置の機械的
誤差をなくし、精度の高い測定を可能にしたものであ
る。
ットパッケージICのリードピンの浮き状態を検出する方
法を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、
フラットパッケージICの底面を支持し、該底面からフラ
ットパッケージICの一側面におけるリードピン群の最上
端までの距離を測定し、また該底面から該側面における
リードピン群の最下端までの距離を測定し、更に前記最
上端までの距離と最下端までの距離の差を求め、前記測
定値及び差の値に基づきフラットパッケージICのリード
ピンの浮き状態を評価することを基本的な特徴とするも
のである。本発明において、フラットパッケージICの底
面を支持することにより、リードピンを中空に浮かせそ
の状態を検出しうるようにする。そしてフラットパッケ
ージICの底面を基準とすることにより測定装置の機械的
誤差をなくし、精度の高い測定を可能にしたものであ
る。
＜実施例＞ 以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
第１図においてＡは正面図、Ｂは側面図である。
本発明においてまずフラットパッケージIC100の底面を
支持し、リードピン101を中空に延出させる。この実施
例ではバキューム機構を備えたIC受け台102により、フ
ラットパッケージIC100の底面を吸着支持している。フ
ラットパッケージIC100は正常なものはそのリードピン1
01がほぼフラットパッケージIC100底面と同一のレベル
にあるが、このレベルから上にあるものを浮き上がり、
また下にあるものを浮き下がりと呼んでいる。
支持し、リードピン101を中空に延出させる。この実施
例ではバキューム機構を備えたIC受け台102により、フ
ラットパッケージIC100の底面を吸着支持している。フ
ラットパッケージIC100は正常なものはそのリードピン1
01がほぼフラットパッケージIC100底面と同一のレベル
にあるが、このレベルから上にあるものを浮き上がり、
また下にあるものを浮き下がりと呼んでいる。
まずフラットパッケージIC100の底面の位置を検出す
る。この実施例では基準面Ｏを設定し、基準面Ｏからの
距離Ｘを測定している。これは予めIC受け台102上に基
準モデルを置き、センサ１により測定してＸを求める。
センサ１は上下方向に走査可能な光センサを用いてお
り、その上下位置はリニアエンコーダ等により検出して
いる。このセンサ及び位置検出はこれに限定されるもの
ではなく任意である。また基準面Ｏを設定せず、フラッ
トパッケージIC100底面をそのまま基準面としても良
い。次にフラットパッケージIC100の４辺のうち１辺の
リードピン101群をまとめて検査する。つまり、第１図
Ｂに示すようにセンサ１を上下方向に走査して、１辺に
おけるリードピン101の基準面Ｏからの最上端までの距
離ａと最下端までの距離ｂを検出する。リードピン101
群中に浮き上がりや浮き下がりの生じたリードピン101
があると、ａとｂは第３図に示すように検出される。い
ま、センサ１の光遮断状態をONとすれば、最初のパルス
の立上りがｂとして、また最後のパルスの立下りがａと
して検出される。このａ、ｂはリニアエンコーダのパル
ス数として検出する。リードピン101が重なって浮いて
いる場合にはパルスにとぎれがなく、リードピン101の
厚みに対応するパルス幅ｔ以上のパルス幅を有する単一
のパルスとして検出されるが、いずれの場合にもａとし
て最終パルスの立ち下がりを検出すれば良い。ここで検
出したａ、ｂを第２図に示すように演算装置50において
Ｘと引算してUi＝Ｘ−ai、Di＝Ｘ−biを算出する。この
値がフラットパッケージIC100の底面を基準とした浮き
上がり、浮き下がりを示す値である。そして更に演算装
置51においてUiとDiを引算してTi＝Di−Uiを求める。こ
のTiはリードピン101の最上端と最下端の差を示すもの
でリードピン101の浮き状態のバラツキを示している。
る。この実施例では基準面Ｏを設定し、基準面Ｏからの
距離Ｘを測定している。これは予めIC受け台102上に基
準モデルを置き、センサ１により測定してＸを求める。
センサ１は上下方向に走査可能な光センサを用いてお
り、その上下位置はリニアエンコーダ等により検出して
いる。このセンサ及び位置検出はこれに限定されるもの
ではなく任意である。また基準面Ｏを設定せず、フラッ
トパッケージIC100底面をそのまま基準面としても良
い。次にフラットパッケージIC100の４辺のうち１辺の
リードピン101群をまとめて検査する。つまり、第１図
Ｂに示すようにセンサ１を上下方向に走査して、１辺に
おけるリードピン101の基準面Ｏからの最上端までの距
離ａと最下端までの距離ｂを検出する。リードピン101
群中に浮き上がりや浮き下がりの生じたリードピン101
があると、ａとｂは第３図に示すように検出される。い
ま、センサ１の光遮断状態をONとすれば、最初のパルス
の立上りがｂとして、また最後のパルスの立下りがａと
して検出される。このａ、ｂはリニアエンコーダのパル
ス数として検出する。リードピン101が重なって浮いて
いる場合にはパルスにとぎれがなく、リードピン101の
厚みに対応するパルス幅ｔ以上のパルス幅を有する単一
のパルスとして検出されるが、いずれの場合にもａとし
て最終パルスの立ち下がりを検出すれば良い。ここで検
出したａ、ｂを第２図に示すように演算装置50において
Ｘと引算してUi＝Ｘ−ai、Di＝Ｘ−biを算出する。この
値がフラットパッケージIC100の底面を基準とした浮き
上がり、浮き下がりを示す値である。そして更に演算装
置51においてUiとDiを引算してTi＝Di−Uiを求める。こ
のTiはリードピン101の最上端と最下端の差を示すもの
でリードピン101の浮き状態のバラツキを示している。
以上の測定をフラットパッケージIC100の４辺について
順次行ない、Ui,Di,Ti（ｉ＝1,2,3,4）の値を求め、こ
れらを記憶装置52に格納する。そして判定装置53におい
て、各辺におけるUi、Di、Tiの値を評価すると共に、こ
れらの４辺におけるバラツキを評価する。これにより、
各辺におけるリードピン101の浮き状態不良と、４辺の
リードピン101の浮き状態のバラツキ不良とを判定する
ことが出来る。つまり、或る辺の中だけの比較の場合、
その辺のリードピン群全体が同一の方向に浮いている
と、その辺のＵ、Ｄ、Ｔ値は正常として判断される欠点
がある。そのため４辺のU,D,T値を比較しその辺のリー
ドピン全体の浮き状態の異常を検出するようにしたもの
である。
順次行ない、Ui,Di,Ti（ｉ＝1,2,3,4）の値を求め、こ
れらを記憶装置52に格納する。そして判定装置53におい
て、各辺におけるUi、Di、Tiの値を評価すると共に、こ
れらの４辺におけるバラツキを評価する。これにより、
各辺におけるリードピン101の浮き状態不良と、４辺の
リードピン101の浮き状態のバラツキ不良とを判定する
ことが出来る。つまり、或る辺の中だけの比較の場合、
その辺のリードピン群全体が同一の方向に浮いている
と、その辺のＵ、Ｄ、Ｔ値は正常として判断される欠点
がある。そのため４辺のU,D,T値を比較しその辺のリー
ドピン全体の浮き状態の異常を検出するようにしたもの
である。
第４図と第５図にセンサ１装置の一実施例を示す。セン
サ１の本体10は第４図に示すようにコの字形をしてお
り、その凹部にフラットパッケージIC100のリードピン1
01を位置させる構造となっている。センサ１はこの実施
例では一対設けられており、フラットパッケージIC100
の相対する２辺を同時に測定できるようにしてある。本
体10内には発光ユニット11（この実施例ではレーザ コ
リメータ ユニットを用いている。）が設けられてお
り、ここからの赤外光は45度外面反射型のプリズム15に
より90度曲げられ0.1から0.2mm程度のピンホール13を通
って凹部に位置しているリードピン101に向かって照射
する。ピンホール13は光の拡散を防止するためのもの
で、リードピン101は厚みが薄いため、光ビームを絞ら
ないとその検出が不可能であるためである。凹部を通過
したビームは反対側に設けられたプリズム16により再び
90度に曲げられ両凸レンズ17で絞られて、更にスペーシ
ャルフィルタ14により絞られて受光素子12に受光され
る。ここでプリズム15、16を用いたのはセンサ１を小型
化するためである。フラットパッケージIC100のリード
ピン101の状態を検出するに当たって、フラットパッケ
ージIC100自体を動かすよりもセンサ１を動かす方がフ
ラットパッケージIC100の位置のヅレ等が生ずることな
く高精度の測定が可能となる。そのためにはセンサ１本
体を小型にする必要が有り、特にフラットパッケージIC
100のリードピン101の薄さに対応するためには光学系の
絞りが不可欠であり、これらを直線上に配置すると非常
に大型のものになる欠点がある。本実施例ではこの欠点
を改善するためにプリズム15、16を用いて光ビームを曲
げ、センサ１本体の小型化を図っている。また、ピンホ
ール13で絞ったビームもリードピン101に当たることに
より拡散する。この拡散光を排除するために両凸レンズ
17とスペーシャルフィルタ14とを受光素子12の全面に配
設してある。すなわち、両凸レンズ17は平行光のみを捉
え、更にスペーシャルフィルタ14上にその焦点を結ぶこ
とにより拡散光を完全に排除している。
サ１の本体10は第４図に示すようにコの字形をしてお
り、その凹部にフラットパッケージIC100のリードピン1
01を位置させる構造となっている。センサ１はこの実施
例では一対設けられており、フラットパッケージIC100
の相対する２辺を同時に測定できるようにしてある。本
体10内には発光ユニット11（この実施例ではレーザ コ
リメータ ユニットを用いている。）が設けられてお
り、ここからの赤外光は45度外面反射型のプリズム15に
より90度曲げられ0.1から0.2mm程度のピンホール13を通
って凹部に位置しているリードピン101に向かって照射
する。ピンホール13は光の拡散を防止するためのもの
で、リードピン101は厚みが薄いため、光ビームを絞ら
ないとその検出が不可能であるためである。凹部を通過
したビームは反対側に設けられたプリズム16により再び
90度に曲げられ両凸レンズ17で絞られて、更にスペーシ
ャルフィルタ14により絞られて受光素子12に受光され
る。ここでプリズム15、16を用いたのはセンサ１を小型
化するためである。フラットパッケージIC100のリード
ピン101の状態を検出するに当たって、フラットパッケ
ージIC100自体を動かすよりもセンサ１を動かす方がフ
ラットパッケージIC100の位置のヅレ等が生ずることな
く高精度の測定が可能となる。そのためにはセンサ１本
体を小型にする必要が有り、特にフラットパッケージIC
100のリードピン101の薄さに対応するためには光学系の
絞りが不可欠であり、これらを直線上に配置すると非常
に大型のものになる欠点がある。本実施例ではこの欠点
を改善するためにプリズム15、16を用いて光ビームを曲
げ、センサ１本体の小型化を図っている。また、ピンホ
ール13で絞ったビームもリードピン101に当たることに
より拡散する。この拡散光を排除するために両凸レンズ
17とスペーシャルフィルタ14とを受光素子12の全面に配
設してある。すなわち、両凸レンズ17は平行光のみを捉
え、更にスペーシャルフィルタ14上にその焦点を結ぶこ
とにより拡散光を完全に排除している。
以上の構成のセンサ１は第５図に示すように支持腕２に
支持され、この支持腕２はボールネジ４に係合してい
る。ボールネジ４はステッピングモータ３により回転さ
せられ、この回転により支持腕２は上下方向に移動する
構成となっている。この上下方向の位置はリニアエンコ
ーダ５により検出される。なお６はガイドである。この
ような装置を第５図に示すように２台配置してあり、そ
れぞれ一対のセンサ１の向きを変えてある。これにより
第１の装置によりフラットパッケージIC100の相対する
２辺の測定を実施したら、第２の装置によりフラットパ
ッケージIC100の他の相対する２辺の測定を実施し４辺
全部の測定を行なえるようになっている。なお、７はIC
受け台102を移動させるための回転台７であり、IC受け
台102上のフラットパッケージIC100を順次第１、第２の
装置の位置まで移動させるためのものである。
支持され、この支持腕２はボールネジ４に係合してい
る。ボールネジ４はステッピングモータ３により回転さ
せられ、この回転により支持腕２は上下方向に移動する
構成となっている。この上下方向の位置はリニアエンコ
ーダ５により検出される。なお６はガイドである。この
ような装置を第５図に示すように２台配置してあり、そ
れぞれ一対のセンサ１の向きを変えてある。これにより
第１の装置によりフラットパッケージIC100の相対する
２辺の測定を実施したら、第２の装置によりフラットパ
ッケージIC100の他の相対する２辺の測定を実施し４辺
全部の測定を行なえるようになっている。なお、７はIC
受け台102を移動させるための回転台７であり、IC受け
台102上のフラットパッケージIC100を順次第１、第２の
装置の位置まで移動させるためのものである。
＜発明の効果＞ 以上説明したように本発明によればフラットパッケージ
ICのリードピンの浮き状態を的確にかつ高精度に検出す
ることが可能である。
ICのリードピンの浮き状態を的確にかつ高精度に検出す
ることが可能である。
第１図は本発明法の説明図、第２図は本発明法の一手順
を示すブロック図、第３図は波形図、第４図はセンサの
構造を示す概略平面図、第５図はセンサ装置の全体を示
す斜視図である。 1:センサ,2:支持腕,3:ステッピングモータ,4:ボールネ
ジ,5:リニアエンコーダ,6:ガイド,7:回転台,10:本体,1
1:発光ユニット,12:受光素子,13:ピンホール,14:スペー
シャルフィルタ,15と16:プリズム,17:両凸レンズ,50と5
1:演算装置,52:記憶装置,53:判定装置。
を示すブロック図、第３図は波形図、第４図はセンサの
構造を示す概略平面図、第５図はセンサ装置の全体を示
す斜視図である。 1:センサ,2:支持腕,3:ステッピングモータ,4:ボールネ
ジ,5:リニアエンコーダ,6:ガイド,7:回転台,10:本体,1
1:発光ユニット,12:受光素子,13:ピンホール,14:スペー
シャルフィルタ,15と16:プリズム,17:両凸レンズ,50と5
1:演算装置,52:記憶装置,53:判定装置。
Claims (1)
- 【請求項１】フラットパッケージICの底面を支持し、該
底面からフラットパッケージICの一側面におけるリード
ピン群の最上端までの距離を測定し、また該底面から該
側面におけるリードピン群の最下端までの距離を測定
し、更に前記最上端までの距離と最下端までの距離の差
を求め、前記測定値及び差の値に基づきフラットパッケ
ージICのリードピンの浮き状態を評価することを特徴と
するフラットパッケージICのリードピンの浮き状態検出
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285499A JPH0682725B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | フラツトパツケ−ジｉｃのリ−ドピン浮き状態検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285499A JPH0682725B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | フラツトパツケ−ジｉｃのリ−ドピン浮き状態検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138748A JPS63138748A (ja) | 1988-06-10 |
| JPH0682725B2 true JPH0682725B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=17692315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61285499A Expired - Lifetime JPH0682725B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | フラツトパツケ−ジｉｃのリ−ドピン浮き状態検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682725B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60045385D1 (de) | 2000-10-13 | 2011-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren und einrichtung zur optischen übertragung |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP61285499A patent/JPH0682725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63138748A (ja) | 1988-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3511450B2 (ja) | 光学式測定装置の位置校正方法 | |
| JP2890578B2 (ja) | Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 | |
| JP2751435B2 (ja) | 電子部品の半田付状態の検査方法 | |
| CN100395877C (zh) | 包含光学测距仪的探针装置以及探针的检查方法 | |
| JPH11316112A (ja) | 集積回路の交差光軸検査システム | |
| JPS63292005A (ja) | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 | |
| EP0006473B1 (en) | Gap measurement method | |
| JPS6211110A (ja) | 間隔測定装置 | |
| JP4215220B2 (ja) | 表面検査方法及び表面検査装置 | |
| JPH0682725B2 (ja) | フラツトパツケ−ジｉｃのリ−ドピン浮き状態検出方法 | |
| EP0781991A2 (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| JP2599812B2 (ja) | 光学検査装置 | |
| JP3823488B2 (ja) | Ｉｃリード浮き検査装置及び検査方法 | |
| JPH0524196Y2 (ja) | ||
| JP2676780B2 (ja) | 半導体装置のリード曲り検査装置 | |
| JPS62272107A (ja) | 実装部品検査方法 | |
| JP2705458B2 (ja) | 実装基板外観検査装置 | |
| JPH06258041A (ja) | 半導体パッケージのリード検査方法及びその検査装置 | |
| JPH02253110A (ja) | 線状物体の形状検査装置 | |
| JP2000121333A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
| JP2522191B2 (ja) | Ｉｃリ―ド高さ測定装置 | |
| JPH0942946A (ja) | 電子部品の測定装置、測定方法及びキャリブレーションマスク | |
| JPH0765967B2 (ja) | 実装基板外観検査装置 | |
| JPH08247735A (ja) | 電子部品の端子検査装置 | |
| JPH0213807A (ja) | 位置検出素子による高さ検出方法 |