JPH0682488A - 光変成器用センサ - Google Patents
光変成器用センサInfo
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- JPH0682488A JPH0682488A JP4232197A JP23219792A JPH0682488A JP H0682488 A JPH0682488 A JP H0682488A JP 4232197 A JP4232197 A JP 4232197A JP 23219792 A JP23219792 A JP 23219792A JP H0682488 A JPH0682488 A JP H0682488A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流検出精度の向上と信号処理系の簡略化が
図れる光変成器用センサを提供する。 【構成】 ファラデー素子４１面を指向する第一のファ
イババンドル２２の端面を凸球面研磨するとともに研磨
部表面に誘電体膜１０を形成してこれを偏光子となす。
そして、この誘電体膜１０にて偏角を微妙に変化させた
多数の偏光を同時に形成してファラデー素子４１に導
く。光の入射角度は、透光方向に対して０〜４５度程度
とする。ファラデー素子４１を透過する複数の光は、磁
場の強さに応じて夫々偏光面が回転し、検光子４２に導
かれるが、検光子４２の位置を更に調整することで任意
光量の光がデジタル的に出力される。
図れる光変成器用センサを提供する。 【構成】 ファラデー素子４１面を指向する第一のファ
イババンドル２２の端面を凸球面研磨するとともに研磨
部表面に誘電体膜１０を形成してこれを偏光子となす。
そして、この誘電体膜１０にて偏角を微妙に変化させた
多数の偏光を同時に形成してファラデー素子４１に導
く。光の入射角度は、透光方向に対して０〜４５度程度
とする。ファラデー素子４１を透過する複数の光は、磁
場の強さに応じて夫々偏光面が回転し、検光子４２に導
かれるが、検光子４２の位置を更に調整することで任意
光量の光がデジタル的に出力される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の性質を利用して電
流／電圧を計測する光変成器のセンサに関する。
流／電圧を計測する光変成器のセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電力計測システムにおいて、制御
装置等のデジタル化に加え、電流・電圧計測用変成器に
光を応用した光ＣＴ（電流変成器）、ＰＤ（電圧変成
器）が用いられてきている。
装置等のデジタル化に加え、電流・電圧計測用変成器に
光を応用した光ＣＴ（電流変成器）、ＰＤ（電圧変成
器）が用いられてきている。
【０００３】光ＣＴは、ファラデー効果を応用して導体
電流を検出するものである。即ち、通電により生じてい
る磁界中にファラデー素子を配置し、これに直線偏光を
入射させると、その偏光面が磁界の強さに比例して回転
するので、この回転角を測定することで磁界の強さ、即
ち導体の一次電流を検出する。
電流を検出するものである。即ち、通電により生じてい
る磁界中にファラデー素子を配置し、これに直線偏光を
入射させると、その偏光面が磁界の強さに比例して回転
するので、この回転角を測定することで磁界の強さ、即
ち導体の一次電流を検出する。
【０００４】他方、光ＰＤは、ポッケルス効果を応用し
て電圧を検出するものである。即ち、ポッケルス素子に
電圧を印加し、それに直線偏光を入射させると、光は素
子の屈折率の相違により、速度の異なる二つの直交した
直偏光成分に分かれて進み（複屈折現象）、素子の出口
では両者間に印加電圧に比例した位相差が生じている。
この位相差を測定することで導体の電圧を検出する。
て電圧を検出するものである。即ち、ポッケルス素子に
電圧を印加し、それに直線偏光を入射させると、光は素
子の屈折率の相違により、速度の異なる二つの直交した
直偏光成分に分かれて進み（複屈折現象）、素子の出口
では両者間に印加電圧に比例した位相差が生じている。
この位相差を測定することで導体の電圧を検出する。
【０００５】現在、これら光ＣＴ、光ＰＤに採用されて
いる光変成器用センサは、図４に示すような基本的構造
を有している。即ち、光ＣＴ用センサでは、偏光子４０
と検光子４２との間に磁気光学結晶又はガラスから成る
ファラデー素子４１を挟み込んでサンドイッチ構造と
し、発光素子４３からの光を光ファイバ４４を通して偏
光子４０に入射する。偏光された光は検光子４２から光
ファイバ４５を通して取り出され、受光素子４６に導か
れる。光ＰＤ用センサの場合もほぼ同様な構成となり、
ファラデー素子４１に代え、ポッケルス素子が挟み込ま
れる。このような光変成器用センサでは、偏光面の回転
角（偏角）あるいは位相差が検光子４２により光量変化
を伴った信号として出力される。
いる光変成器用センサは、図４に示すような基本的構造
を有している。即ち、光ＣＴ用センサでは、偏光子４０
と検光子４２との間に磁気光学結晶又はガラスから成る
ファラデー素子４１を挟み込んでサンドイッチ構造と
し、発光素子４３からの光を光ファイバ４４を通して偏
光子４０に入射する。偏光された光は検光子４２から光
ファイバ４５を通して取り出され、受光素子４６に導か
れる。光ＰＤ用センサの場合もほぼ同様な構成となり、
ファラデー素子４１に代え、ポッケルス素子が挟み込ま
れる。このような光変成器用センサでは、偏光面の回転
角（偏角）あるいは位相差が検光子４２により光量変化
を伴った信号として出力される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光変成器用センサで検出できる偏角あるいは位相差
は一般に小さく、実際に適用される電力計測用途では数
度のオーダとなる。そのため、外乱の影響を受け易く、
検出精度に限界があった。しかも偏角等が小さいことか
ら検光子４２を偏光子４０に対して好適なクロスニコル
の位置、即ち、透過光強度が最も少ない位置（直交位
置）にセットすることができず、ある適当な角度（通常
４５度程度）にセットしなければならない。そのため、
消光位置での誤差を低減させるための方策が別途必要で
あった。また、出力信号が微弱なため、ＳＮ比（ノイズ
比）が悪く、この取出した信号に対して何らかの処理を
施して使用する必要があり、信号処理系が複雑になる問
題もあった。
来の光変成器用センサで検出できる偏角あるいは位相差
は一般に小さく、実際に適用される電力計測用途では数
度のオーダとなる。そのため、外乱の影響を受け易く、
検出精度に限界があった。しかも偏角等が小さいことか
ら検光子４２を偏光子４０に対して好適なクロスニコル
の位置、即ち、透過光強度が最も少ない位置（直交位
置）にセットすることができず、ある適当な角度（通常
４５度程度）にセットしなければならない。そのため、
消光位置での誤差を低減させるための方策が別途必要で
あった。また、出力信号が微弱なため、ＳＮ比（ノイズ
比）が悪く、この取出した信号に対して何らかの処理を
施して使用する必要があり、信号処理系が複雑になる問
題もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する本
発明の構成は、偏光子と検光子との間にファラデー素子
又はポッケルス素子を配するとともに、前記偏光子の入
光側及び前記検光子の出光側に夫々複数の光ファイバ群
からなる第一及び第二のファイババンドルを設けてなる
光変成器用センサであって、前記ファラデー素子面又は
ポッケルス素子面を指向する前記第一のファイババンド
ルの端面を凸球面研磨するとともに研磨部表面に誘電体
膜を形成し、この誘電体膜を前記偏光子としたことを特
徴とする。なお、この構成において、前記研磨部表面に
形成された誘電体膜から前記ファラデー素子面又はポッ
ケルス素子面に入光する複数の光は、透光方向に対して
０〜４５度の入光角度のものを含むものとする。
発明の構成は、偏光子と検光子との間にファラデー素子
又はポッケルス素子を配するとともに、前記偏光子の入
光側及び前記検光子の出光側に夫々複数の光ファイバ群
からなる第一及び第二のファイババンドルを設けてなる
光変成器用センサであって、前記ファラデー素子面又は
ポッケルス素子面を指向する前記第一のファイババンド
ルの端面を凸球面研磨するとともに研磨部表面に誘電体
膜を形成し、この誘電体膜を前記偏光子としたことを特
徴とする。なお、この構成において、前記研磨部表面に
形成された誘電体膜から前記ファラデー素子面又はポッ
ケルス素子面に入光する複数の光は、透光方向に対して
０〜４５度の入光角度のものを含むものとする。
【０００８】上記目的を達成する本発明の他の構成は、
偏光子と検光子との間にファラデー素子又はポッケルス
素子を配するとともに、前記偏光子の入光側及び前記検
光子の出光側に複数の光ファイバ群からなる第一及び第
二のファイババンドルを設けてなる光変成器用センサで
あって、前記偏光子は、前記光ファイバ数と同数の偏光
子片を二次元的に配し、且つ透光方向を夫々異ならしめ
てなることを特徴とする。なお、前記検光子には二つの
直角プリズムの斜面に誘電体膜を形成して成るポラロイ
ズドビームスプリッタを用いた。
偏光子と検光子との間にファラデー素子又はポッケルス
素子を配するとともに、前記偏光子の入光側及び前記検
光子の出光側に複数の光ファイバ群からなる第一及び第
二のファイババンドルを設けてなる光変成器用センサで
あって、前記偏光子は、前記光ファイバ数と同数の偏光
子片を二次元的に配し、且つ透光方向を夫々異ならしめ
てなることを特徴とする。なお、前記検光子には二つの
直角プリズムの斜面に誘電体膜を形成して成るポラロイ
ズドビームスプリッタを用いた。
【０００９】
【作用】請求項１，２又は５記載の発明にあっては、第
一のファイババンドルで案内された光がその端面に形成
された凸球面研磨部、誘電体膜から複数の角度（０度〜
４５度を含む）をもってファラデー素子面又はポッケル
ス素子面に入光する。ファラデー素子等では入光角度に
応じて偏光面の異なる複数の光を透光し、検光子に導
く。これら光は第二のファイババンドルで案内されて外
部に導かれる。
一のファイババンドルで案内された光がその端面に形成
された凸球面研磨部、誘電体膜から複数の角度（０度〜
４５度を含む）をもってファラデー素子面又はポッケル
ス素子面に入光する。ファラデー素子等では入光角度に
応じて偏光面の異なる複数の光を透光し、検光子に導
く。これら光は第二のファイババンドルで案内されて外
部に導かれる。
【００１０】他方、請求項３〜５記載の発明にあって
は、第一のファイババンドルで案内された光は、偏光子
を透過する際に各偏光子片によって夫々異なる偏光を受
ける。その結果、偏光面の異なる複数の光となってファ
ラデー素子又はポッケルス素子を透光し、検光子を経て
第二のファイババンドルに導かれる。検光子にポラロイ
ドビームスプリッタを用いる場合は特定方向の振動波の
みが抽出され、第二のファイババンドルに導かれる。
は、第一のファイババンドルで案内された光は、偏光子
を透過する際に各偏光子片によって夫々異なる偏光を受
ける。その結果、偏光面の異なる複数の光となってファ
ラデー素子又はポッケルス素子を透光し、検光子を経て
第二のファイババンドルに導かれる。検光子にポラロイ
ドビームスプリッタを用いる場合は特定方向の振動波の
みが抽出され、第二のファイババンドルに導かれる。
【００１１】したがって、一つの光源からの光が、ファ
イババンドルを構成する光ファイバの数だけ細分化され
て処理されることになり、デジタル処理が可能となる。
イババンドルを構成する光ファイバの数だけ細分化され
て処理されることになり、デジタル処理が可能となる。
【００１２】
【実施例】次に図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１３】（第一実施例）図１は本発明の第一実施例
に係る光ＣＴ用センサの基本構成図であり、従来品と同
一機能を有する部品については同一名称、同一符号を付
している。図１を参照すると、本実施例の光ＣＴセンサ
は、光源からファラデー素子４１への直線偏光及びファ
ラデー素子４１を経た偏光を外部に導く導光手段とし
て、夫々、複数の光ファイバを束ねた第一及び第二のフ
ァイババンドル１１，１２を用いるとともに、入光側の
第一のファイババンドル１１の端面を凸球面研磨し、研
磨部表面に誘電体膜１０を形成してこれを偏光子とした
ものである。凸球面研磨は、端面から出光する複数の光
が、ファラデー素子４１の表面に透光方向（主軸方向）
に対して０〜４５度の角度範囲をもって入光する程度に
研磨する。例えば、ファイババンドル１１の直径をｄ、
球面の半径をＲとすると、Ｒ＝（√２）・ｄ／２の関係
を満足するように研磨する。誘電体膜１０には例えばＺ
ｒＯ2，ＭｇＦ2系のものを用いる。また、各ファイババ
ンドル１１，１２には、例えばフェイスプレイトと呼ば
れる大口径の画像伝送ファイバ群を用いる。光ファイバ
数は多い程精度が向上するが、本実施例では１０2〜１
０4本を束ねたものとする。各ファイババンドル１１，
１２は、光ファイバの配列に合わせたレンズアレィを介
してファラデー素子４１及び検光子４２に夫々カップリ
ングさせてある。
に係る光ＣＴ用センサの基本構成図であり、従来品と同
一機能を有する部品については同一名称、同一符号を付
している。図１を参照すると、本実施例の光ＣＴセンサ
は、光源からファラデー素子４１への直線偏光及びファ
ラデー素子４１を経た偏光を外部に導く導光手段とし
て、夫々、複数の光ファイバを束ねた第一及び第二のフ
ァイババンドル１１，１２を用いるとともに、入光側の
第一のファイババンドル１１の端面を凸球面研磨し、研
磨部表面に誘電体膜１０を形成してこれを偏光子とした
ものである。凸球面研磨は、端面から出光する複数の光
が、ファラデー素子４１の表面に透光方向（主軸方向）
に対して０〜４５度の角度範囲をもって入光する程度に
研磨する。例えば、ファイババンドル１１の直径をｄ、
球面の半径をＲとすると、Ｒ＝（√２）・ｄ／２の関係
を満足するように研磨する。誘電体膜１０には例えばＺ
ｒＯ2，ＭｇＦ2系のものを用いる。また、各ファイババ
ンドル１１，１２には、例えばフェイスプレイトと呼ば
れる大口径の画像伝送ファイバ群を用いる。光ファイバ
数は多い程精度が向上するが、本実施例では１０2〜１
０4本を束ねたものとする。各ファイババンドル１１，
１２は、光ファイバの配列に合わせたレンズアレィを介
してファラデー素子４１及び検光子４２に夫々カップリ
ングさせてある。
【００１４】また、従来の受光素子４６に変え、二次元
ＣＣＤ１３を使用している。
ＣＣＤ１３を使用している。
【００１５】検光子４２には、ポラロイドフィルム等が
用いられるが、好ましくはポラロイドビームスプリッタ
（ＰＢＳ）を用いる。これは二つの直角プリズムの斜面
（４５°カット面）に例えばＺｒＯ2，ＭｇＦ2系の誘電
体膜を成膜したもので、入射光に平行な振動波（Ｐ波）
と垂直な振動波（Ｓ波）のうち、入射角度がブリュスタ
ー角（例えば４５°）のときには後者をカットする。こ
れにより入射角度依存度が大きく、透光及び反射偏光の
状態が大きく変化する検光子が得られる。例えば、４５
度入射の場合、透光はほぼ直線偏光となり、０度入射の
場合は殆ど偏光されない。
用いられるが、好ましくはポラロイドビームスプリッタ
（ＰＢＳ）を用いる。これは二つの直角プリズムの斜面
（４５°カット面）に例えばＺｒＯ2，ＭｇＦ2系の誘電
体膜を成膜したもので、入射光に平行な振動波（Ｐ波）
と垂直な振動波（Ｓ波）のうち、入射角度がブリュスタ
ー角（例えば４５°）のときには後者をカットする。こ
れにより入射角度依存度が大きく、透光及び反射偏光の
状態が大きく変化する検光子が得られる。例えば、４５
度入射の場合、透光はほぼ直線偏光となり、０度入射の
場合は殆ど偏光されない。
【００１６】このような構成の光ＣＴ用センサでは、発
光素子４３で発光された光が第一のファイババンドル１
１で案内されてその端面の偏光子（誘電体多層膜１０）
から複数の角度をもって出光される。ファラデー素子４
１では、これら複数の光のうち透光方向に対して０〜４
５度のものを受光する。そして、まず、検光子４２を調
整してクロスニコルの状態をつくる。この状態で、磁場
をかけると、ファラデー素子４１で偏光の向きが回転す
るためにクロスニコルの状態からずれて透光量が増す。
ここで検光子４２を回転させると更に透光量が変化す
る。したがって、検光子４２の角度を種々調整すること
により任意の出力光が得られる。この出力光を第二のフ
ァイババンドル１２で受光することで、光ファイバの数
及び配列に対応する光信号として取り出される。
光素子４３で発光された光が第一のファイババンドル１
１で案内されてその端面の偏光子（誘電体多層膜１０）
から複数の角度をもって出光される。ファラデー素子４
１では、これら複数の光のうち透光方向に対して０〜４
５度のものを受光する。そして、まず、検光子４２を調
整してクロスニコルの状態をつくる。この状態で、磁場
をかけると、ファラデー素子４１で偏光の向きが回転す
るためにクロスニコルの状態からずれて透光量が増す。
ここで検光子４２を回転させると更に透光量が変化す
る。したがって、検光子４２の角度を種々調整すること
により任意の出力光が得られる。この出力光を第二のフ
ァイババンドル１２で受光することで、光ファイバの数
及び配列に対応する光信号として取り出される。
【００１７】これにより、みかけ上、デジタル信号とし
て処理することができ、二次元ＣＣＤ１３及び後段の信
号処理系にて各光信号のレベルに対応する値の電流を検
出することができる。したがって、磁場の強度、即ち、
一次導体を流れる電流の計測精度が一本の光ファイバで
のアナログ信号計測による従来のものに比べて格段に向
上する。
て処理することができ、二次元ＣＣＤ１３及び後段の信
号処理系にて各光信号のレベルに対応する値の電流を検
出することができる。したがって、磁場の強度、即ち、
一次導体を流れる電流の計測精度が一本の光ファイバで
のアナログ信号計測による従来のものに比べて格段に向
上する。
【００１８】（第二実施例）図２は本発明の第二実施例
に係る光ＣＴ用センサの基本構成図であり、ファラデー
素子４１の入光側にフィルム状の偏光子２０を設けると
ともに、出光側に前述のポラロイドビームスプリッタ２
１を設けて検光子となし、更に、偏光子２０の入光側及
びポラロイドビームスプリッタ２１の出光側に、その端
面を球面研磨しない第一及び第二のファイババンドル２
２，２３を配している。偏光子２０は、図３に示すよう
に、各ファイババンドル２２，２３の光ファイバ数と同
数のフィルム状の偏光子片２０’を二次元的に配列する
とともに、各偏光子片２０’の透光方向を夫々異ならし
めてなる。この偏光子２０は、例えば透光面部を二次元
的に複数の格子群に分割し、各分割部位に、夫々膜厚の
異なる同一材質又は材質の異なる同一膜厚の誘電体膜を
配列することで実現する。
に係る光ＣＴ用センサの基本構成図であり、ファラデー
素子４１の入光側にフィルム状の偏光子２０を設けると
ともに、出光側に前述のポラロイドビームスプリッタ２
１を設けて検光子となし、更に、偏光子２０の入光側及
びポラロイドビームスプリッタ２１の出光側に、その端
面を球面研磨しない第一及び第二のファイババンドル２
２，２３を配している。偏光子２０は、図３に示すよう
に、各ファイババンドル２２，２３の光ファイバ数と同
数のフィルム状の偏光子片２０’を二次元的に配列する
とともに、各偏光子片２０’の透光方向を夫々異ならし
めてなる。この偏光子２０は、例えば透光面部を二次元
的に複数の格子群に分割し、各分割部位に、夫々膜厚の
異なる同一材質又は材質の異なる同一膜厚の誘電体膜を
配列することで実現する。
【００１９】ファイババンドル２２，２３を構成する光
ファイバの数及び対応する偏光子片２０’の数は多い程
好ましいが、本実施例では、第一実施例と同様、１０2
〜１０4程度とする。
ファイバの数及び対応する偏光子片２０’の数は多い程
好ましいが、本実施例では、第一実施例と同様、１０2
〜１０4程度とする。
【００２０】このような構成の光ＣＴ用センサでは、第
一のファイババンドル２２で案内された光が偏光子２０
を透過する際に、図３に示すように、入光部位に応じて
偏光状態の異なる光となってファラデー素子４１に導か
れる。そしてポラロイドビームスプリッタ２１で入射光
に平行な振動波（Ｐ波）のみが抽出され、第二のファイ
ババンドル２３を経て二次元ＣＣＤ１３に導かれる。し
たがって、第一実施例と同様あるいはより顕著な効果が
得られる。
一のファイババンドル２２で案内された光が偏光子２０
を透過する際に、図３に示すように、入光部位に応じて
偏光状態の異なる光となってファラデー素子４１に導か
れる。そしてポラロイドビームスプリッタ２１で入射光
に平行な振動波（Ｐ波）のみが抽出され、第二のファイ
ババンドル２３を経て二次元ＣＣＤ１３に導かれる。し
たがって、第一実施例と同様あるいはより顕著な効果が
得られる。
【００２１】なお、第一及び第二実施例では、光ＣＴ用
センサの例について説明したが、光ＰＤ用センサについ
てもほぼ同様の説明が妥当する。この場合は、前記ファ
ラデー素子４１に代え、ポッケルス素子を配する。
センサの例について説明したが、光ＰＤ用センサについ
てもほぼ同様の説明が妥当する。この場合は、前記ファ
ラデー素子４１に代え、ポッケルス素子を配する。
【００２２】また、上記説明において、誘電体膜を多層
膜としても良い。この場合は、特性上、偏光子の中心部
の光は偏光が殆どかからずに透光するため、この部位の
光を入力信号の校正に使用することができ、発光光源の
精度要求を緩やかにすることもできる。
膜としても良い。この場合は、特性上、偏光子の中心部
の光は偏光が殆どかからずに透光するため、この部位の
光を入力信号の校正に使用することができ、発光光源の
精度要求を緩やかにすることもできる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光変成器
用センサでは、偏光子の入光側及び検光子の出光側に夫
々複数の光ファイバ群からなる第一及び第二のファイバ
バンドルを配するとともに、その端面が凸球面研磨され
た第一のファイババンドルとその研磨部表面の誘電体膜
を介して光の入射を行い、複数の偏光状態を形成してフ
ァラデー素子又はポッケルス素子を透光させる構成にし
たので、検光子（第二のファイババンドル）から任意光
量の複数の光信号が得られ、みかけ上、光信号のデジタ
ル処理が可能となる。したがって、一本の光ファイバに
より微弱な光量変化をとらえていた従来のこの種のセン
サに比べて外乱の影響を受けにくくなり、電気系の耐雑
音性も増して電流又は電圧の検出精度が格段に向上す
る。
用センサでは、偏光子の入光側及び検光子の出光側に夫
々複数の光ファイバ群からなる第一及び第二のファイバ
バンドルを配するとともに、その端面が凸球面研磨され
た第一のファイババンドルとその研磨部表面の誘電体膜
を介して光の入射を行い、複数の偏光状態を形成してフ
ァラデー素子又はポッケルス素子を透光させる構成にし
たので、検光子（第二のファイババンドル）から任意光
量の複数の光信号が得られ、みかけ上、光信号のデジタ
ル処理が可能となる。したがって、一本の光ファイバに
より微弱な光量変化をとらえていた従来のこの種のセン
サに比べて外乱の影響を受けにくくなり、電気系の耐雑
音性も増して電流又は電圧の検出精度が格段に向上す
る。
【００２４】上記効果は、偏光子を二次元的に配列され
た複数の偏光子片にて構成した場合もほぼ同様となる
が、検光子にポラロイドビームスプリッタを用いた場合
は、外乱の影響をより受けにくくなり、電流又は電圧の
検出精度も更に向上する。
た複数の偏光子片にて構成した場合もほぼ同様となる
が、検光子にポラロイドビームスプリッタを用いた場合
は、外乱の影響をより受けにくくなり、電流又は電圧の
検出精度も更に向上する。
【００２５】更に、本発明によれば、受光系及び後段の
信号処理系は、単一信号からの情報抽出ではなくなるの
で、その構成を簡略化することができ、コスト的にも有
利となる。
信号処理系は、単一信号からの情報抽出ではなくなるの
で、その構成を簡略化することができ、コスト的にも有
利となる。
【図１】本発明の第一実施例に係る光変成器用センサの
基本構成図。
基本構成図。
【図２】本発明の第二実施例に係る光変成器用センサの
基本構成図。
基本構成図。
【図３】本発明の第二実施例による偏光子の概略構成
図。
図。
【図４】従来の光変成器用センサの基本構成図。
１０…誘電体膜 １１，１２，２２，２３…ファイババンドル １３…二次元ＣＣＤ ２０，４０…偏光子 ２０’…偏光子片 ４１…ファラデー素子 ４２…検光子 ４３…発光素子 ４４，４５…光ファイバ ４６…受光素子
Claims (5)
- 【請求項１】 偏光子と検光子との間にファラデー素子
を配するとともに、前記偏光子の入光側及び前記検光子
の出光側に夫々複数の光ファイバ群からなる第一及び第
二のファイババンドルを設けてなる光変成器用センサで
あって、前記ファラデー素子面を指向する前記第一のフ
ァイババンドルの端面を凸球面研磨するとともに研磨部
表面に誘電体膜を形成し、この誘電体膜を前記偏光子と
したことを特徴とする光変成器用センサ。 - 【請求項２】 前記研磨部表面に形成された誘電体膜か
ら前記ファラデー素子面に入光する複数の光は、透光方
向に対して０〜４５度の入光角度のものを含むことを特
徴とする請求項１記載の光変成器用センサ。 - 【請求項３】 偏光子と検光子との間にファラデー素子
を配するとともに、前記偏光子の入光側及び前記検光子
の出光側に複数の光ファイバ群からなる第一及び第二の
ファイババンドルを設けてなる光変成器用センサであっ
て、前記偏光子は、前記光ファイバ数と同数の偏光子片
を二次元的に配し、且つ各偏光子片の透光方向を夫々異
ならしめてなることを特徴とする光変成器用センサ。 - 【請求項４】 前記検光子は二つの直角プリズムの斜面
に誘電体膜を形成して成るポラロイズドビームスプリッ
タであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
の項記載の光変成器用センサ。 - 【請求項５】 前記ファラデー素子に代えてポッケルス
素子を配したことを特徴とする請求項１ないし４のいず
れかの項記載の光変成器用センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232197A JPH0682488A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光変成器用センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232197A JPH0682488A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光変成器用センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682488A true JPH0682488A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16935516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4232197A Pending JPH0682488A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光変成器用センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8233753B2 (en) | 2005-06-29 | 2012-07-31 | Nec Corporation | Electric field sensor, magnetic field sensor, electromagnetic field sensor and electromagnetic field measuring system using these sensors |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4232197A patent/JPH0682488A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8233753B2 (en) | 2005-06-29 | 2012-07-31 | Nec Corporation | Electric field sensor, magnetic field sensor, electromagnetic field sensor and electromagnetic field measuring system using these sensors |
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