JPH067991A - Brazing filler metal and joining method for joining ceramic and metal - Google Patents
Brazing filler metal and joining method for joining ceramic and metalInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスと金属の
接合用ロウ材及びその接合方法に関し、特に850〜1000
℃の温度域で焼成されたセラミックスに金属を高強度で
接合するためのロウ材及びその接合方法に関する。ま
た、本発明は、電子部品用基板の製造に利用することが
できるセラミックスと金属の接合用ロウ材及びその接合
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a brazing material for joining ceramics and metal, and a joining method thereof, and particularly to 850 to 1000.
The present invention relates to a brazing material for joining a metal with high strength to ceramics fired in a temperature range of ℃ and a joining method thereof. The present invention also relates to a brazing material for joining ceramics and a metal, which can be used for manufacturing a substrate for electronic parts, and a joining method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、メタライズを施したセラミックス
基板に金属材を接合する場合、接合材として、 (1) 融点が183℃のハンダ（錫及び鉛から成る） (2) 融点が370℃の金−シリコンハンダ (3) 融点が780℃の銀ロウ（銀及び銅から成る） (4) 融点が500〜650℃の銀−銅−インジウムロウ (5) 融点が500〜650℃の銀−銅−錫ロウ 等が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a metal material is bonded to a ceramics substrate which has been metallized, the bonding material is (1) solder having a melting point of 183 ° C. (consisting of tin and lead) (2) gold having a melting point of 370 ° C. -Silicon solder (3) Silver wax with a melting point of 780 ℃ (consisting of silver and copper) (4) Silver-copper-indium solder with a melting point of 500-650 ℃ (5) Silver-copper with a melting point of 500-650 ℃- Tin wax etc. are used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
ス基板に金属材を接合した後、更に400〜450℃の加熱処
理を必要とする場合、例えば金属材を接合したセラミッ
クス基板にＩＣを取り付けるダイボンディング工程を必
要とする場合、そのダイボンディング工程以前に接合し
ておかなければならない部分（例えばリ−ド電極の接合
部分）は、上記400〜450℃の加熱処理温度範囲、特に45
0℃の温度でもその接合が外れないロウ材を用いて接合
しておく必要があった。By the way, when a heat treatment at 400 to 450 ° C. is required after the metal material is bonded to the ceramic substrate, for example, a die bonding step for attaching an IC to the ceramic substrate bonded to the metal material. If it is required, the portion that must be bonded before the die bonding step (for example, the bonding portion of the lead electrode) is in the heat treatment temperature range of 400 to 450 ° C., particularly 45 ° C.
It was necessary to bond with a brazing material that does not separate even at a temperature of 0 ° C.
【０００４】このため、この用途では、従来より使用さ
れている前記(1)のハンダ及び(2)の金−シリコンハンダ
を使用することができない。即ち、前記(1)及び(2)のハ
ンダは、いずれもその融点が400〜450℃の加熱処理温度
以下の183℃及び370℃であるので、この加熱処理時に溶
融し、例えばリ−ド電極などの部品が外れてしまうこと
になるから、使用することができない。従って、この用
途に用いるロウ材としては、従来のアルミナセラミック
ス基板の場合、上記加熱処理温度（400〜450℃）以上の
融点をもつ前記(3)の溶融温度780℃の銀ロウが従来から
用いられている。Therefore, the solder of (1) and the gold-silicon solder of (2) which have been conventionally used cannot be used in this application. That is, since the melting points of the solders of (1) and (2) are 183 ° C. and 370 ° C., which are lower than the heat treatment temperature of 400 to 450 ° C., they are melted during this heat treatment and, for example, lead electrodes are used. It cannot be used because parts such as will come off. Therefore, as the brazing material used for this purpose, in the case of the conventional alumina ceramics substrate, the silver brazing material having the melting point of 780 ° C. of the above (3) having the melting point of the above heat treatment temperature (400 to 450 ° C.) or more is conventionally used. Has been.
【０００５】一方、近年、低温焼成セラミックス基板内
に抵抗やコンデンサ等の受動部品を装着した基板が出現
している。この低温焼成セラミックス基板は、焼成温度
が850〜1000℃と低いため、該基板に金属材例えばリ−
ド電極を接合する場合、従来より広く用いられている前
記(3)の融点が780℃の銀ロウを使用すると、この基板の
焼成温度と近似するため、基板自体の強度が低下し、実
用に供し得るリ−ド付き基板を得ることができなかっ
た。On the other hand, in recent years, substrates in which passive components such as resistors and capacitors are mounted in a low temperature fired ceramics substrate have appeared. Since this low temperature fired ceramics substrate has a low firing temperature of 850 to 1000 ° C., a metal material such as a lead is used for the substrate.
In the case of bonding the electrode to the electrode, if a silver solder having a melting point of 780 ° C. (3), which has been widely used in the past, is used, the firing temperature of this substrate is approximated, and the strength of the substrate itself decreases, making it practical. It was not possible to obtain a usable leaded substrate.
【０００６】前述したダイボンディング工程での400〜4
50℃の加熱処理によって予め接合した金属のリ−ドが外
れない接合を得るため、前記(4)及び(5)のロウ、即ち、 (4) 融点が500〜650℃の銀−銅−インジウムロウ (5) 融点が500〜650℃の銀−銅−錫ロウ 等のロウの使用が検討されている。400 to 4 in the die bonding process described above
In order to obtain a bond in which the metal lead that has been previously bonded by the heat treatment at 50 ° C. does not come off, the solder of (4) and (5) above, that is, (4) the melting point of 500-650 ° C. is silver-copper-indium. Wax (5) The use of a wax such as a silver-copper-tin wax having a melting point of 500 to 650 ° C is being considered.
【０００７】しかしながら、本発明で対象とするセラミ
ックスでは、メタライズパタ−ン材料として主に銀−パ
ラジウムが用いられるため、ロウ材の銅とメタライズパ
タ−ン材料のパラジウムが固溶して脆くなり、その結
果、接合強度が低くなり、実用強度を示さない。そこ
で、耐熱温度が450℃を越え、しかも、低温焼成のセラ
ミックス及びメタライズパタ−ンの強度特性を損わない
接合用ロウ材、即ち銅成分を含まず500〜650℃で接合で
きるロウ材の開発が強く要望されている。However, in the ceramics to which the present invention is applied, silver-palladium is mainly used as a metallized pattern material, so that copper as a brazing material and palladium as a metallized pattern material become a solid solution and become brittle. As a result, the bonding strength becomes low and practical strength is not exhibited. Therefore, the development of a brazing filler metal that has a heat resistant temperature of over 450 ° C and does not impair the strength characteristics of low temperature fired ceramics and metallized patterns, that is, a brazing filler metal that does not contain a copper component and can be joined at 500 to 650 ° C. Is strongly requested.
【０００８】本発明は、上記要望に沿うセラミックスと
金属の接合用ロウ材及びその接合方法を提供することを
目的とする。特に、本発明は、低温焼成のセラミックス
及びメタライズパタ−ンの強度特性を損うことなく、し
かも、後工程の加熱処理時例えばダイボンディング時に
金属のリ−ドが外れることがないロウ材、即ち、銅成分
を含まず500〜650℃で接合できるロウ材を提供すること
及びこのロウ材を使用して低温焼成のセラミックス基板
に金属のリ−ドを接合する方法を提供することを目的と
する。It is an object of the present invention to provide a brazing material for joining ceramics and metal and a method for joining the same, which meets the above demands. In particular, the present invention is a brazing material that does not lose the metal lead during the heat treatment of the subsequent step, for example, during die bonding, without impairing the strength characteristics of the low temperature fired ceramics and the metallized pattern, that is, An object of the present invention is to provide a brazing material which does not contain a copper component and can be bonded at 500 to 650 ° C., and a method of bonding a metal lead to a low temperature fired ceramic substrate using the brazing material. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明では、銀及びイン
ジウムの特定組成から成るロウ材を特徴とし、これによ
って上記目的を達成したものである。即ち、本発明は、
「47〜66重量％の銀及び34〜53重量％のインジウムから
成ることを特徴とするセラミックスと金属の接合用ロウ
材料及びこのロウ材を用い、500〜650℃でセラミックス
と金属とを接合する方法。」を要旨とするものである。The present invention is characterized by a brazing material made of a specific composition of silver and indium, thereby achieving the above object. That is, the present invention is
"A brazing material for joining ceramics and metal, characterized by comprising 47 to 66% by weight of silver and 34 to 53% by weight of indium, and using this brazing material, joining of ceramics and metal at 500 to 650 ° C Method. "
【００１０】以下、本発明を詳細に説明すると、本発明
は、上記した銀及びインジウムの特定組成（47〜66重量
％の銀及び34〜53重量％のインジウム）から成るロウ材
であり、この特定組成とすることにより、該ロウ材はそ
の溶融温度が500〜650℃となる。その結果、この溶融温
度範囲である500〜650℃でセラミックスと金属を接合す
ることができるものである。上記特定組成範囲外に調合
したロウ材は、その溶融温度範囲が500〜650℃の範囲外
となり、本発明で意図する溶融温度（500〜650℃の溶融
温度）のロウ材が得られず、実用に供することができな
くなるので、好ましくない。The present invention will be described in detail below. The present invention is a brazing material comprising the above-mentioned specific composition of silver and indium (47 to 66% by weight of silver and 34 to 53% by weight of indium). By having a specific composition, the melting temperature of the brazing material becomes 500 to 650 ° C. As a result, it is possible to bond the ceramic and the metal in the melting temperature range of 500 to 650 ° C. The brazing material prepared outside the above specific composition range has a melting temperature range outside the range of 500 to 650 ° C., and a brazing material having a melting temperature intended for the present invention (melting temperature of 500 to 650 ° C.) cannot be obtained, It is not preferable because it cannot be put to practical use.
【００１１】本発明において、接合用セラミックスとし
ては、特に限定するものでないが、アルミナを第一成分
とし、850〜1000℃の温度範囲で焼成されるセラミック
スが好ましい。これは、低温焼成のセラミックス基板と
して使用されているものであり、本発明のロウ材及び接
合方法を電子部品用基板の製造に有効に利用することが
できるので、特に好ましい。また、本発明において、接
合用金属やメタライズの種類及び接合条件やロウ付け条
件（但し、温度条件は除く）は、任意であって特に限定
するものでない。In the present invention, the bonding ceramics are not particularly limited, but ceramics containing alumina as the first component and fired in a temperature range of 850 to 1000 ° C. are preferable. This is particularly preferable because it is used as a ceramic substrate for low-temperature firing, and the brazing material and the joining method of the present invention can be effectively utilized in the production of a substrate for electronic parts. Further, in the present invention, the type of the metal for joining and the metallization, the joining condition and the brazing condition (excluding the temperature condition) are optional and are not particularly limited.
【００１２】[0012]
【作用】ロウ材の原料となる成分の融点は、銀が960
℃、インジウムが156℃であり、一般的傾向として、銀
量が増加すれば融点は上昇し、一方、インジウム量が増
せば融点は下落する。各成分同志の配合比と融点につい
ては、金属学会編集の「金属デ−タブック等」に記され
ているが、銀とインジウムでは配合比が重量％で3.2：9
6.8で融点が最も低く、141℃になる。[Function] Silver has a melting point of 960
C., indium is 156.degree. C., and as a general tendency, the melting point rises as the amount of silver increases, while the melting point falls as the amount of indium increases. The mixing ratio and melting point of each component are described in "Metal Data Book, etc." edited by The Institute of Metals, but the mixing ratio of silver and indium is 3.2: 9 by weight%.
The lowest melting point is 6.8, which is 141 ° C.
【００１３】銀とインジウムの各金属成分の配合比と融
点の関係については、実験で確認することができ、特
に、本発明で意図する500〜650℃の溶融温度となる成分
組成については、本発明者等の実験により47〜66重量％
の銀及び34〜53重量％のインジウムの組成であることを
見出した。即ち、本発明は、上記特定組成範囲とするこ
とにより、初めてその溶融温度が500〜650℃の範囲とす
ることができるものであり、その結果、この溶融温度範
囲である500〜650℃でセラミックスと金属とを接合する
ことができる作用が生じるものである。The relationship between the blending ratio of each metal component of silver and indium and the melting point can be confirmed by an experiment, and in particular, regarding the component composition which is the melting temperature of 500 to 650 ° C. intended in the present invention, 47 to 66% by weight according to experiments by the inventors
It was found that the composition of the silver was 34 to 53% by weight of indium. That is, the present invention, by setting the above specific composition range, the melting temperature can be in the range of 500 ~ 650 ℃ for the first time, as a result, ceramics in this melting temperature range of 500 ~ 650 ℃. And an effect of being able to join the metal with each other occurs.
【００１４】[0014]
【実施例】次に、本発明の実施例１〜４を比較例１〜３
と共に挙げ、本発明をより詳細に説明する。 (1) ロウ材製造用原料及びロウ材の調合 実施例１〜４及び比較例１〜３で使用するロウ材製造用
原料としては、次のものを用いた。 錫原料：銀微粉末（約2μｍ、株式会社高純度化学研究
所製） インジウム原料：インジウム粉末（200メッシュパス以
下、株式会社高純度化学研究所製） 上記各原料を表１に規定する配合割合で混合し、ロウを
調合した。Next, Examples 1 to 4 of the present invention will be compared with Comparative Examples 1 to 3.
The present invention will be described in more detail with reference to FIG. (1) Raw material for brazing material and preparation of brazing material As the raw material for manufacturing brazing material used in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, the following materials were used. Tin raw material: silver fine powder (about 2 μm, manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.) Indium material: indium powder (200 mesh pass or less, manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.) And mixed to prepare a wax.
【００１５】(2) 接合試料の作成 900℃で焼成されたセラミックス基板上に銀−パラジウ
ムでパタ−ニングされた2.5ｍｍ角のランドを形成し、
そこに50μｍ厚みで表１に示す各種ロウを塗布する。次
に、その塗布面上に幅2ｍｍ×長さ10ｍｍ×厚み0.5ｍｍ
の42アロイ（42Ｎｉ−1Ｆｅ ｗｔ％合金）の先端2ｍｍ
を重ねて接合試料を作成した。以上の結果より、この試
料における接合面積は2ｍｍ×2ｍｍとなる。(2) Preparation of bonded sample A 2.5 mm square land patterned with silver-palladium was formed on a ceramic substrate fired at 900 ° C.,
The various waxes shown in Table 1 are applied there to a thickness of 50 μm. Next, on the coated surface, width 2mm x length 10mm x thickness 0.5mm
42 alloy (42Ni-1Fe wt% alloy) tip 2mm
Were overlapped with each other to prepare a joined sample. From the above results, the joint area in this sample is 2 mm × 2 mm.
【００１６】(3) 使用ロウの融点測定及び接合具合の評
価 上記接合試料を水素と窒素の混合雰囲気（水素：窒素＝
1：9）中で昇温し、ロウの溶け具合からその融点を測定
した。この測定結果を表１に示す。この融点を測定する
と共に接合具合を評価した。この接合具合の評価は、そ
の融点温度に5分間保持した後降温し、これに対して行
った。(3) Measurement of melting point of used wax and evaluation of joining condition The above joining sample was mixed with hydrogen and nitrogen in an atmosphere (hydrogen: nitrogen =
The temperature was raised in 1: 9) and the melting point of the wax was measured from the melting state of the wax. The results of this measurement are shown in Table 1. The melting point was measured and the bonding condition was evaluated. The bonding condition was evaluated by maintaining the melting point temperature for 5 minutes and then lowering the temperature.
【００１７】接合具合の評価の方法は、上記降温した接
合試料を窒素雰囲気中で450℃に再度加熱し、この温度
で5分間保持した後25℃まで冷却し、42アロイの8ｍｍ長
さ部分を90度折り曲げ、0.5ｍｍ／秒のスピ−ドで基板
に対し直角方向に向けて「引き剥がし試験」を行う。こ
の時の破壊強度から単位面積当りの強度（Ｋｇｆ／ｍｍ
2）に換算し、ロウ接合性を「接合強度」として評価し
た。その結果を表１に示す。The method of evaluating the bonding condition was to heat the above-cooled bonded sample again to 450 ° C. in a nitrogen atmosphere, hold at this temperature for 5 minutes, and then cool to 25 ° C., and measure the 8 mm long part of 42 alloy. Bend 90 degrees and perform a "peeling test" in the direction perpendicular to the substrate at a speed of 0.5 mm / sec. From the breaking strength at this time, the strength per unit area (Kgf / mm
It was converted to 2 ) and the brazability was evaluated as "bonding strength". The results are shown in Table 1.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】表１に示す結果より、銀及びインジウムの
各配合量とその融点の関係から850〜1000℃で焼成する
セラミックス基板に対する最適なロウ組成が決定され
る。そして、表１から明らかなように、本発明の規定範
囲（特定組成範囲：47〜66重量％の銀及び34〜53重量％
のインジウム）内である配合比のロウ（実施例１〜４）
では、リ−ドの引き剥がし強度（接合強度）は2Ｋｇｆ
／ｍｍ2以上であり、実用に耐えるものであることが理
解できる。From the results shown in Table 1, the optimum wax composition for the ceramic substrate fired at 850 to 1000 ° C. is determined from the relationship between the respective blending amounts of silver and indium and their melting points. And, as is clear from Table 1, the specified range of the present invention (specific composition range: 47 to 66% by weight of silver and 34 to 53% by weight).
(Indium) of the compounding ratio of wax (Examples 1 to 4)
Then, the peeling strength (joint strength) of the lead is 2 Kgf
/ Mm 2 or more, which can be understood to be practical.
【００２０】これに対し、本発明の規定範囲外であるロ
ウを用いた比較例１〜３では、リ−ドの引き剥がし強度
は2Ｋｇｆ／ｍｍ2に耐えていない。そして、融点の低い
ロウを使用した比較例１、２では接合強度が低く、特に
比較例２では450℃の熱処理で溶解した。逆に、融点の
高いロウを用いた比較例３では、セラミックスを破壊し
てしまい、実用に耐えないものであった。On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3 using the wax which is out of the specified range of the present invention, the peeling strength of the lead does not endure 2 kgf / mm 2 . Then, in Comparative Examples 1 and 2 in which the wax having a low melting point was used, the bonding strength was low, and particularly in Comparative Example 2, the heat treatment at 450 ° C. melted. On the contrary, in Comparative Example 3 in which the wax having a high melting point was used, the ceramics were destroyed and it was not practical.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、銀及び
インジウムの特定組成からなるロウ材を使用するもので
あり、これによってこのロウの溶融温度範囲である500
〜650℃でセラミックスと金属を接合することができ
る。特に、本発明は、850〜1000℃で焼成する低温焼成
セラミックス基板に適用することができ、この基板及び
電気配線の強度特性を損なうことなく、しかも、後工程
の例えばダイボンディング時に金属リ−ドが外れること
がない顕著な効果が生じる。そして、本発明は、電子部
品用基板の製造に利用することができ、電子部品に応用
することができる。As described in detail above, the present invention uses a brazing material having a specific composition of silver and indium, and the melting temperature range of this brazing is 500.
Ceramics and metals can be joined at ~ 650 ° C. In particular, the present invention can be applied to a low temperature fired ceramics substrate that is fired at 850 to 1000 ° C., without impairing the strength characteristics of this substrate and electric wiring, and further, in a later step such as die bonding. There is a remarkable effect that does not come off. The present invention can be applied to the manufacture of electronic component substrates and can be applied to electronic components.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｋ 101:42 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location B23K 101: 42
Claims (4)
ジウムから成ることを特徴とするセラミックスと金属の
接合用ロウ材。1. A brazing material for joining ceramics and metal, comprising 47 to 66% by weight of silver and 34 to 53% by weight of indium.
るロウ材を介し500〜650℃の範囲で金属を結合すること
を特徴とするセラミックスと金属の接合方法。2. A method for joining ceramics and a metal, wherein the metal is bonded to the ceramic at a temperature of 500 to 650 ° C. through a brazing material made of silver and indium.
れぞれの含有量が重量比で47〜66重量％の銀及び34〜53
重量％のインジウムから成り、溶融温度が500〜650℃で
あることを特徴とする請求項２に記載のセラミックスと
金属の接合方法。3. A brazing material composed of silver and indium, the respective contents of which are 47 to 66% by weight of silver and 34 to 53.
3. The method for joining ceramics and metal according to claim 2, wherein the joining temperature is 500 to 650 [deg.] C. and the melting point is indium.
し、850〜1000℃の温度範囲で焼成されるものであるこ
とを特徴とする請求項２に記載のセラミックスと金属の
接合方法。4. The method for joining ceramics and a metal according to claim 2, wherein the ceramics has alumina as a first component and is fired in a temperature range of 850 to 1000 ° C.
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|---|---|---|---|
| JP17364992A JP3161815B2 (en) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | Brazing material for joining ceramics and metal and joining method therefor |
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|---|---|
| JPH067991A true JPH067991A (en) | 1994-01-18 |
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| JP (1) | JP3161815B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010516478A (en) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | ユニヴァーシティー オブ メリーランド | High temperature solder material |
| CN110860817A (en) * | 2019-09-29 | 2020-03-06 | 北京时代民芯科技有限公司 | Solder sheet and power device chip packaging method using same |
| CN114315403A (en) * | 2021-12-22 | 2022-04-12 | 北京科技大学 | Wire-implanted reinforced brazing connection method for C/C and C/SiC composite material and metal |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP17364992A patent/JP3161815B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010516478A (en) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | ユニヴァーシティー オブ メリーランド | High temperature solder material |
| CN110860817A (en) * | 2019-09-29 | 2020-03-06 | 北京时代民芯科技有限公司 | Solder sheet and power device chip packaging method using same |
| CN114315403A (en) * | 2021-12-22 | 2022-04-12 | 北京科技大学 | Wire-implanted reinforced brazing connection method for C/C and C/SiC composite material and metal |
Also Published As
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|---|---|
| JP3161815B2 (en) | 2001-04-25 |
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