JPH0679148U - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JPH0679148U
JPH0679148U JP2375293U JP2375293U JPH0679148U JP H0679148 U JPH0679148 U JP H0679148U JP 2375293 U JP2375293 U JP 2375293U JP 2375293 U JP2375293 U JP 2375293U JP H0679148 U JPH0679148 U JP H0679148U
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connection electrode
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 突起電極25を有する半導体装置11と、突
起電極と接続する接続電極15と、接続電極と接続する
引き出し電極17と、接続電極と引き出し電極と補助パ
ターン19とにより設ける案内空間21とを有する基板
13と、接続電極と突起電極とを接続する導電性接着剤
23とを備える。 【効果】 案内空間の働きによって、実効的な導電性接
着剤の大きさを小さくすることができる。このため隣接
する接続電極間の短絡を、液晶表示装置の処理工程を増
加させることなく、防止することが可能となる。
(57) [Summary] The semiconductor device 11 having the protruding electrode 25, the connection electrode 15 connected to the protruding electrode, the extraction electrode 17 connected to the connection electrode, the connection electrode, the extraction electrode, and the auxiliary pattern 19 are formed. A substrate 13 having a guide space 21 to be provided and a conductive adhesive 23 for connecting the connection electrode and the protruding electrode are provided. [Effect] The size of the effective conductive adhesive can be reduced by the function of the guide space. Therefore, it is possible to prevent a short circuit between adjacent connection electrodes without increasing the number of processing steps of the liquid crystal display device.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は半導体装置に形成する突起電極と基板に形成する接続電極とを導電性 接着剤を用いて接続する接続構造に関し、とくに液晶表示装置に、この液晶表示 装置を駆動するための半導体装置を実装するための接続構造に関する。 The present invention relates to a connection structure in which a protruding electrode formed on a semiconductor device and a connection electrode formed on a substrate are connected using a conductive adhesive, and in particular, a liquid crystal display device is provided with a semiconductor device for driving the liquid crystal display device. Connection structure for implementation.

【0002】 導電性接着剤を用いて、半導体装置に形成した突起電極と、ガラスからなる基 板に形成した接続電極とを接続する、いわゆるチップオングラス(COG)技術 における従来例を、図7の平面図を用いて説明する。なお図7においては、突起 電極の図示は省略してある。A conventional example in a so-called chip-on-glass (COG) technique in which a protruding electrode formed on a semiconductor device and a connection electrode formed on a glass substrate are connected using a conductive adhesive is shown in FIG. Will be described with reference to the plan view of FIG. Note that, in FIG. 7, the protruding electrodes are not shown.

【0003】 図7に示すように、複数の接続電極15を一定の間隔寸法で基板に形成する。 さらにこの接続電極15と接続する引き出し電極17を設ける。As shown in FIG. 7, a plurality of connection electrodes 15 are formed on a substrate at regular intervals. Further, an extraction electrode 17 connected to this connection electrode 15 is provided.

【0004】 そして半導体装置に形成した突起電極と接続電極とを、導電性接着剤23を用 いて接続している。Then, the protruding electrodes formed on the semiconductor device and the connection electrodes are connected using a conductive adhesive 23.

【0005】 ここで、導電性接着剤23の形成量がばらついて量が多くなったり、形成位置 が所定位置からずれると、図7の矢印37に示すように、この導電性接着剤23 が硬化時の加熱により濡れ広がり、隣接する接続電極15どうしが、導電性接着 剤23によって短絡するという問題点が発生する。Here, when the amount of the conductive adhesive 23 formed varies and the amount of the conductive adhesive 23 is displaced from the predetermined position, the conductive adhesive 23 is cured as shown by an arrow 37 in FIG. There is a problem in that the connecting electrodes 15 adjacent to each other are short-circuited by the conductive adhesive 23 due to wetting and spreading due to heating at that time.

【0006】 そこでこの接続電極15どうしの短絡現象を防止するために、たとえば特開平 5−21521号公報に記載の手段が提案されている。この公報に記載の実装構 造を、図4の断面図を用いて説明する。Therefore, in order to prevent the short circuit phenomenon between the connection electrodes 15, for example, a means described in Japanese Patent Laid-Open No. 5-21521 has been proposed. The mounting structure described in this publication will be described with reference to the sectional view of FIG.

【0007】 図8に示すように、半導体装置11に形成した保護膜31の開口内の電極パッ ド29上に共通電極膜33を介して突起電極25を形成する。As shown in FIG. 8, the protruding electrode 25 is formed on the electrode pad 29 in the opening of the protective film 31 formed in the semiconductor device 11 via the common electrode film 33.

【0008】 基板13には接続電極15を設け、さらにこの接続電極15の周辺部に、この 接続電極15より膜厚が厚い枠材35を設ける。A connection electrode 15 is provided on the substrate 13, and a frame member 35 having a film thickness larger than that of the connection electrode 15 is provided on the periphery of the connection electrode 15.

【0009】 そして突起電極25と接続電極15とを導電性接着剤23を用いて接続する。Then, the protruding electrode 25 and the connection electrode 15 are connected using the conductive adhesive 23.

【0010】[0010]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

図8に示す実装構造においては、枠材35によって導電性接着剤23の濡れ広 がりを抑え、隣接する接続電極15どうしの短絡を防止することができるという 利点を有する。 The mounting structure shown in FIG. 8 has an advantage that the frame material 35 can suppress the wetting and spreading of the conductive adhesive 23 and prevent a short circuit between the adjacent connection electrodes 15.

【0011】 しかしながら、図8に示す実装構造においては、枠材35を形成しなければな らない。すなわち枠材35の材料の膜形成と、そのパターニング工程とを行う必 要があり、液晶表示装置の処理工程が増加するという課題を有する。However, in the mounting structure shown in FIG. 8, the frame member 35 must be formed. That is, it is necessary to perform the film formation of the material of the frame material 35 and the patterning process thereof, and there is a problem that the processing steps of the liquid crystal display device increase.

【0012】 本考案の目的は、上記課題を解決して、液晶表示装置の処理工程が増加するこ とがなく、隣接する接続電極どうしの短絡が発生しない液晶表示装置の実装構造 を提供することである。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a mounting structure of a liquid crystal display device in which the number of processing steps of the liquid crystal display device does not increase and a short circuit between adjacent connection electrodes does not occur. Is.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記目的を達成するために、本考案の液晶表示装置においては、下記記載の構 成を採用する。 In order to achieve the above object, the liquid crystal display device of the present invention adopts the following configuration.

【0014】 本考案の液晶表示装置は、突起電極を有する半導体装置と、突起電極と接続す る接続電極、接続電極と接続する引き出し電極、および接続電極と引き出し電極 と補助パターンとにより設ける案内空間を有する基板と、接続電極と突起電極と を接続する導電性接着剤とを備えることを特徴とする。A liquid crystal display device according to the present invention is a semiconductor device having a protruding electrode, a connection electrode connected to the protruding electrode, a lead electrode connected to the connection electrode, and a guide space provided by the connection electrode, the lead electrode, and an auxiliary pattern. And a conductive adhesive that connects the connection electrode and the protruding electrode.

【0015】 以下図面を用いて本考案の液晶表示装置における実装構造を説明する。図1は 本考案の液晶表示装置を示す平面図であり、図2は本考案の液晶表示装置の突起 電極と接続電極との領域での断面を示す断面図である。以下図1と図2とを交互 に用いて説明する。The mounting structure of the liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross section in a region of a protruding electrode and a connection electrode of the liquid crystal display device of the present invention. The following description will be made by alternately using FIG. 1 and FIG.

【0016】 基板13に接続電極15を設け、さらにこの接続電極15と接続し、接続電極 15よりパターン幅寸法が小さい引き出し電極17を設ける。A connection electrode 15 is provided on the substrate 13, and a lead-out electrode 17 connected to the connection electrode 15 and having a pattern width dimension smaller than that of the connection electrode 15 is provided.

【0017】 接続電極15は、半導体装置11に形成する突起電極15と接続する。そして 引き出し電極17は、図示しないが液晶表示装置の入力端子や出力端子、あるい は液晶表示装置の表示領域に接続している。The connection electrode 15 is connected to the protruding electrode 15 formed on the semiconductor device 11. The extraction electrode 17 is connected to an input terminal or an output terminal of the liquid crystal display device or a display area of the liquid crystal display device, which is not shown.

【0018】 そしてさらに接続電極15と引き出し電極17との近傍に補助パターン19を 設け、この接続電極15と引き出し電極17と補助パターン19とにより、案内 空間21を構成する。この案内空間21の幅寸法は2μmから10μmとする。Further, an auxiliary pattern 19 is further provided in the vicinity of the connection electrode 15 and the extraction electrode 17, and the connection electrode 15, the extraction electrode 17 and the auxiliary pattern 19 form a guide space 21. The width dimension of the guide space 21 is 2 μm to 10 μm.

【0019】 半導体装置11には電極パッド29が露出するように、開口部を有する保護膜 31を設け、この電極パッド29上に共通電極膜33を介して、突起電極25を 設ける。The semiconductor device 11 is provided with a protective film 31 having an opening so that the electrode pad 29 is exposed, and a protruding electrode 25 is provided on the electrode pad 29 via a common electrode film 33.

【0020】 さらに接続電極15と突起電極25とを接続する導電性接着剤23を両者の間 に設ける。Further, a conductive adhesive 23 for connecting the connection electrode 15 and the protruding electrode 25 is provided between the two.

【0021】 つぎに以上説明した実装構造の各構成要素を、製造方法も含めて詳細に説明す る。Next, each component of the mounting structure described above will be described in detail including the manufacturing method.

【0022】 基板13に設ける接続電極15と引き出し電極17と補助パターン19とは、 いずれも酸化インジウムスズ(ITO)のような透明導電膜で構成する。あるい は透明導電膜と、金(Au)やニッケル(Ni)などの金属膜との多層で、接続 電極15と引き出し電極17と補助パターン19とを構成しても良い。The connection electrode 15, the extraction electrode 17, and the auxiliary pattern 19 provided on the substrate 13 are all made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO). Alternatively, the connection electrode 15, the extraction electrode 17, and the auxiliary pattern 19 may be formed of a multilayer of a transparent conductive film and a metal film such as gold (Au) or nickel (Ni).

【0023】 接続電極15と引き出し電極17と補助パターン19との形成方法は、真空蒸 着法によって、基板13の全面に酸化インジウムスズを形成し、その後、フォト リソグラフィー技術とエッチング技術、いわゆるフォトエッチング技術により、 酸化インジウムスズをパターニングすることにより、同時に形成する。そしてこ の酸化インジウムスズのパターニング工程で、案内空間21も形成する。The connection electrode 15, the extraction electrode 17, and the auxiliary pattern 19 are formed by vacuum vapor deposition to form indium tin oxide on the entire surface of the substrate 13 and then photolithography and etching techniques, so-called photoetching. It is simultaneously formed by patterning indium tin oxide by a technique. Then, in this indium tin oxide patterning process, the guide space 21 is also formed.

【0024】 半導体装置11に形成したアルミニウム(Al)からなる電極パッド29の上 に、保護膜31を形成し、フォトエッチング技術とにより、電極パッド29が露 出するように、保護膜27に開口部を形成する。A protective film 31 is formed on the electrode pad 29 made of aluminum (Al) formed on the semiconductor device 11, and an opening is formed in the protective film 27 so that the electrode pad 29 is exposed by a photoetching technique. To form a part.

【0025】 この保護膜31は、窒化シリコン膜や不純物としてリン(P)を含有する酸化 シリコン膜などの無機材料、あるいはポリイミド膜などの有機材料、あるいはこ れらの無機材料膜と有機材料膜との積層膜で構成する。The protective film 31 is made of an inorganic material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film containing phosphorus (P) as an impurity, an organic material such as a polyimide film, or these inorganic material film and organic material film. And a laminated film.

【0026】 さらにその後、半導体装置11の全面に、アルミニウム、クロム(Cr)、銅 (Cu)、ニッケル、チタン(Ti)などの金属多層膜からなる共通電極膜33 を形成する。この共通電極膜33は、スパッタリング法や真空蒸着法により形成 する。After that, a common electrode film 33 made of a metal multilayer film of aluminum, chromium (Cr), copper (Cu), nickel, titanium (Ti) or the like is formed on the entire surface of the semiconductor device 11. The common electrode film 33 is formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method.

【0027】 さらに半導体装置11に形成した共通電極膜33の上に、感光性樹脂からなる メッキレジスト(図示せず)を厚さ10μm程度、回転塗布法により形成する。Further, a plating resist (not shown) made of a photosensitive resin is formed on the common electrode film 33 formed on the semiconductor device 11 to a thickness of about 10 μm by a spin coating method.

【0028】 その後、所定のフォトマスクを用いて、露光、現像処理を行い突起電極25を 形成する領域の電極パッド29上に開口部を有するメッキレジストを設ける。After that, using a predetermined photomask, exposure and development processing is performed to provide a plating resist having an opening on the electrode pad 29 in the region where the protruding electrode 25 is formed.

【0029】 その後、共通電極膜33をメッキの電極として用いて、メッキレジストの開口 内の共通電極膜33上に、金や銅からなる突起電極25を形成する。After that, using the common electrode film 33 as an electrode for plating, a protruding electrode 25 made of gold or copper is formed on the common electrode film 33 in the opening of the plating resist.

【0030】 その後、不要になったメッキレジストを除去し、さらに突起電極25をエッチ ングのマスクとして、突起電極25の非形成領域の共通電極膜33を除去する。After that, the unnecessary plating resist is removed, and the common electrode film 33 in the region where the protruding electrode 25 is not formed is removed using the protruding electrode 25 as an etching mask.

【0031】 導電性接着剤23は、主剤と導電粒と硬化剤とで構成する。そして主剤と導電 粒と硬化剤とを、ロール混練によって混ぜ合わせる。The conductive adhesive 23 is composed of a base material, conductive particles, and a curing agent. Then, the main agent, conductive particles, and curing agent are mixed by roll kneading.

【0032】 主剤としては、エポキシ系や、ウレタン系や、アクリル系などの有機材料で構 成する。さらに硬化剤としては、アミン系や酸無水物系の材料を用いる。この主 剤と硬化剤とは絶縁性を有する。The base material is made of an organic material such as epoxy, urethane, or acrylic. Further, as the curing agent, an amine-based or acid anhydride-based material is used. The main agent and the curing agent have an insulating property.

【0033】 導電粒としては、金、銀(Ag)、銅、アルミニウム、ニッケルなどの金属、 あるいはカーボンなどの導電性を有する材料で構成する。あるいはまた、導電粒 は弾性を有するスチレンとジビニルベンゼンとの共重合体からなるプラスチック ビーズに、ニッケル、金、銀などの金属膜を単層、あるいは多層にメッキ処理し て導電性薄膜を形成したものを用いても良い。The conductive particles are made of a metal such as gold, silver (Ag), copper, aluminum or nickel, or a conductive material such as carbon. Alternatively, the conductive particles are made of plastic beads made of a copolymer of styrene and divinylbenzene having elasticity, and a metal film of nickel, gold, silver or the like is plated in a single layer or multiple layers to form a conductive thin film. You may use the thing.

【0034】 導電粒の大きさは、10μm以下のものを用い、導電性接着剤23全体に対す る導電粒の混入量は、50重量%から80重量%程度とする。The size of the conductive particles is 10 μm or less, and the content of the conductive particles in the entire conductive adhesive 23 is about 50 to 80% by weight.

【0035】 つぎに突起電極25を形成した半導体装置11と、接続電極15を形成した基 板13との接続方法を説明する。Next, a method of connecting the semiconductor device 11 having the protruding electrodes 25 formed thereon and the substrate 13 having the connecting electrodes 15 formed thereon will be described.

【0036】 半導体装置11に形成した突起電極25の先端部に、導電性接着剤23をディ ップ法や印刷法によって形成する。A conductive adhesive 23 is formed on the tip of the protruding electrode 25 formed on the semiconductor device 11 by a dipping method or a printing method.

【0037】 その後、双眼顕微鏡を用いてガラスからなる基板13に形成した接続電極15 と、半導体装置11に形成した突起電極25とを位置合わせする。After that, the connection electrode 15 formed on the glass substrate 13 and the protruding electrode 25 formed on the semiconductor device 11 are aligned with each other using a binocular microscope.

【0038】 そして半導体装置11を基板13に軽く押圧して、加熱処理を行い、導電性接 着剤23を硬化させる。Then, the semiconductor device 11 is lightly pressed against the substrate 13 to perform heat treatment to cure the conductive adhesive 23.

【0039】 導電性接着剤23の硬化温度は、100℃から200℃に設定する。The curing temperature of the conductive adhesive 23 is set to 100 ° C. to 200 ° C.

【0040】 さらに半導体装置11と基板13との間に、エポキシ系や、ゴム系などの封止 樹脂(図示せず)を注入し、100℃から150℃の温度で硬化させ、図2に示 す構造となる。Further, an epoxy-based or rubber-based sealing resin (not shown) is injected between the semiconductor device 11 and the substrate 13 and cured at a temperature of 100 ° C. to 150 ° C., as shown in FIG. It becomes a structure.

【0041】 つぎに図1と図2とを用いて説明した実施例とは別の実施例を、図3から図6 を用いて説明する。なお図3から図6においては、突起電極との接続領域の基板 側に設ける接続電極、引き出し電極、補助パターン、および案内空間だけを図示 している。Next, another embodiment different from the embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIGS. 3 to 6. 3 to 6, only the connection electrode, the extraction electrode, the auxiliary pattern, and the guide space, which are provided on the substrate side of the connection region with the protruding electrode, are shown.

【0042】 図3(a)および図3(b)に示す実施例においては、対向する接続電極15 側の接続電極コーナー部15aに補助パターン19を形成して案内空間21を設 ける。補助パターン19の形状は「く」の字状として、対向する接続電極15間 の領域に案内空間21の開口端が向くようにしている。In the embodiment shown in FIGS. 3A and 3B, the guide pattern 21 is provided by forming the auxiliary pattern 19 on the connection electrode corner portion 15a on the side of the connection electrode 15 which faces the connection pattern. The shape of the auxiliary pattern 19 is a V shape so that the opening end of the guide space 21 faces the region between the opposing connection electrodes 15.

【0043】 図4に示す実施例においては、補助パターン19と接続電極15とを一体化し て、さらに案内空間21を接続電極15の領域にまで延長している。In the embodiment shown in FIG. 4, the auxiliary pattern 19 and the connection electrode 15 are integrated, and the guide space 21 is further extended to the region of the connection electrode 15.

【0044】 図5に示す実施例においては、接続電極15の周囲に補助パターン19を設け て案内空間21を設け、さらに引き出し電極17にも案内空間21を形成するよ うに補助パターン19を設ける。In the embodiment shown in FIG. 5, an auxiliary pattern 19 is provided around the connection electrode 15 to provide a guide space 21, and an auxiliary pattern 19 is also provided to the extraction electrode 17 so as to form the guide space 21.

【0045】 図6に示す実施例においては、接続電極15と引き出し電極17とのほぼ中心 部に案内空間21を設けている。In the embodiment shown in FIG. 6, a guide space 21 is provided substantially at the center between the connection electrode 15 and the extraction electrode 17.

【0046】 本考案においては、基板13の接続電極15と引き出し電極17と補助パター ン19とによる案内空間21を設けており、この案内空間21によって隣接する 接続電極15間の短絡の発生を抑えている。In the present invention, the guide space 21 is formed by the connection electrode 15, the extraction electrode 17, and the auxiliary pattern 19 of the substrate 13, and the guide space 21 suppresses the occurrence of a short circuit between the adjacent connection electrodes 15. ing.

【0047】 これは幅寸法が小さい隙間からなる案内空間21より、導電性接着剤23の成 分要素のうち、とくに主剤や硬化剤が毛細管現象によって、接続電極15と突起 電極25との接続領域から流れ出す現象が発生する。This is because, from the guide space 21 consisting of a gap with a small width dimension, among the constituent elements of the conductive adhesive 23, the main component and the curing agent, in particular, are capillarized by the capillarity phenomenon so that the connection region between the connection electrode 15 and the protruding electrode 25 is connected. The phenomenon that flows out from occurs.

【0048】 このため形成時のばらつきによって、導電性接着剤23の形成量が多くなって も、案内空間21を通過して導電性接着剤23の主剤と硬化剤が流れ出し、実効 的な導電性接着剤23の形成量が少なくなる。Therefore, even if the conductive adhesive 23 is formed in a large amount due to variations in the formation, the main component of the conductive adhesive 23 and the curing agent flow out through the guide space 21 to provide effective conductivity. The amount of adhesive 23 formed is reduced.

【0049】 そのため隣接する接続電極15間での短絡を防止することが可能となる。なお 接続領域から流れ出した導電性接着剤23の主剤や硬化剤は、前述のように絶縁 性を有しており、たとえ隣接する接続領域間で接触しても問題ない。Therefore, it becomes possible to prevent a short circuit between the adjacent connection electrodes 15. The base material and the curing agent of the conductive adhesive 23 flowing out from the connection area have an insulating property as described above, and there is no problem even if they contact each other between the adjacent connection areas.

【0050】 さらに図4と図5と図6とに示す実施例においては、接続電極15の中心部に まで案内空間21を設けている。このため導電性接着剤23の成分要素のうち主 剤や硬化剤が、形成した導電性接着剤23の中心部からも流れ出す。この結果、 隣接する接続電極15間の短絡防止硬化が他の実施例より高くなる。Further, in the embodiment shown in FIGS. 4, 5, and 6, the guide space 21 is provided up to the center of the connection electrode 15. Therefore, the main component and the curing agent among the component elements of the conductive adhesive 23 also flow out from the central portion of the formed conductive adhesive 23. As a result, the short circuit prevention curing between the adjacent connection electrodes 15 is higher than that of the other embodiments.

【0051】[0051]

【考案の効果】[Effect of device]

以上の説明で明らかなように、本考案の液晶表示装置の実装構造においては、 案内空間の働きによって、実効的な導電性接着剤の大きさを小さくすることがで きる。このため隣接する接続電極間の短絡を、液晶表示装置の処理工程を増加さ せることなく、防止することが可能となる。 As is clear from the above description, in the liquid crystal display device mounting structure of the present invention, the size of the effective conductive adhesive can be reduced by the function of the guide space. Therefore, it becomes possible to prevent a short circuit between adjacent connection electrodes without increasing the number of processing steps of the liquid crystal display device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の実施例における液晶表示装置を示す平
面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本考案の実施例における液晶表示装置を示す断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図3】本考案の他の実施例における液晶表示装置を示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図4】本考案の他の実施例における液晶表示装置を示
す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図5】本考案の他の実施例における液晶表示装置を示
す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図6】本考案の他の実施例における液晶表示装置を示
す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図7】従来例における液晶表示装置を示す平面図であ
る。
FIG. 7 is a plan view showing a liquid crystal display device in a conventional example.

【図8】従来例における液晶表示装置を示す断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 半導体装置 13 基板 15 接続電極 17 引き出し電極 19 補助パターン 21 案内空間 23 導電性接着剤 11 semiconductor device 13 substrate 15 connection electrode 17 extraction electrode 19 auxiliary pattern 21 guide space 23 conductive adhesive

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 突起電極を有する半導体装置と、 突起電極と接続する接続電極と、接続電極と接続する引
き出し電極と、接続電極と引き出し電極と補助パターン
とにより設ける案内空間とを有する基板と、 接続電極と突起電極とを接続する導電性接着剤とを備え
ることを特徴とする液晶表示装置。
1. A substrate having a semiconductor device having a protruding electrode, a connection electrode connected to the protruding electrode, a lead electrode connected to the connection electrode, and a guide space provided by the connection electrode, the lead electrode, and an auxiliary pattern, A liquid crystal display device comprising: a conductive adhesive that connects a connection electrode and a protruding electrode.
【請求項2】 接続電極と引き出し電極と補助パターン
とは同一材料で構成することを特徴とする請求項1に記
載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the connection electrode, the extraction electrode, and the auxiliary pattern are made of the same material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1999010928A1 (en) * 1997-08-21 1999-03-04 Citizen Watch Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2018156028A (en) * 2017-03-21 2018-10-04 三菱電機株式会社 Liquid crystal display panel and liquid crystal display using the same

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