JPH067797A - プリント基板洗浄水再生装置 - Google Patents
プリント基板洗浄水再生装置Info
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- JPH067797A JPH067797A JP4193135A JP19313592A JPH067797A JP H067797 A JPH067797 A JP H067797A JP 4193135 A JP4193135 A JP 4193135A JP 19313592 A JP19313592 A JP 19313592A JP H067797 A JPH067797 A JP H067797A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄剤に浸漬したプリント基板をリンスした
洗浄水を全て再使用可能にすると共に、活性炭吸着装置
及び純粋装置の吸着除去率を向上する。 【構成】 洗浄水とオゾンガスとを接触させる接触装置
１と、その洗浄水に紫外線を照射する紫外線照射装置２
と、洗浄水が含有する含有物を吸着する活性炭吸着塔３
と、更に含有物を除去する純粋器４とを備える。本装置
を通過することにより、例えばＣＯＤ８１０ｐｐｍ等の
性状を有する汚染された洗浄水が、ＣＯＤ０．５ｐｐｍ
等の性状を有する再利用可能な水に再生される。 【効果】 洗浄剤の化学構造を変化させ、活性炭吸着装
置及び純粋装置における除去率を向上し、再利用可能な
ように洗浄水を再生することができる。
洗浄水を全て再使用可能にすると共に、活性炭吸着装置
及び純粋装置の吸着除去率を向上する。 【構成】 洗浄水とオゾンガスとを接触させる接触装置
１と、その洗浄水に紫外線を照射する紫外線照射装置２
と、洗浄水が含有する含有物を吸着する活性炭吸着塔３
と、更に含有物を除去する純粋器４とを備える。本装置
を通過することにより、例えばＣＯＤ８１０ｐｐｍ等の
性状を有する汚染された洗浄水が、ＣＯＤ０．５ｐｐｍ
等の性状を有する再利用可能な水に再生される。 【効果】 洗浄剤の化学構造を変化させ、活性炭吸着装
置及び純粋装置における除去率を向上し、再利用可能な
ように洗浄水を再生することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄剤に浸漬したプリ
ント基板を洗浄した洗浄水を再生するプリント基板洗浄
水再生装置に関する。
ント基板を洗浄した洗浄水を再生するプリント基板洗浄
水再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プリント基板の洗浄液として、フ
ロンを廃止して非イオン系の界面活性剤等の電子部品用
洗浄剤が使用されるようになってきている。この洗浄剤
を用いる洗浄方法では、部品実装とはんだ付けを終えた
プリント基板は洗浄剤に浸漬され、付着していたフラッ
クスや汚れを除去される。このプリント基板は、次に清
水又は純水の２〜３槽からなるリンス槽を通過し、この
間に付着した洗浄剤を洗い流された後、乾燥工程に送ら
れる。
ロンを廃止して非イオン系の界面活性剤等の電子部品用
洗浄剤が使用されるようになってきている。この洗浄剤
を用いる洗浄方法では、部品実装とはんだ付けを終えた
プリント基板は洗浄剤に浸漬され、付着していたフラッ
クスや汚れを除去される。このプリント基板は、次に清
水又は純水の２〜３槽からなるリンス槽を通過し、この
間に付着した洗浄剤を洗い流された後、乾燥工程に送ら
れる。
【０００３】このような工程において、リンス槽内の水
中には、プリント基板に付着した洗浄剤が次第に蓄積さ
れてくるので、第一リンス槽ではＣＯＤ（化学的酸素要
求量）が最大数万ｐｐｍに達し、又第二リンス槽でもＣ
ＯＤは数百ｐｐｍになるので、それぞれに相応した排液
処理がなされている。即ち、従来では、第一リンス槽の
排液は廃棄され、第二リンス槽の排液は、油吸着、活性
炭吸着、イオン交換処理をされた後再利用されている。
中には、プリント基板に付着した洗浄剤が次第に蓄積さ
れてくるので、第一リンス槽ではＣＯＤ（化学的酸素要
求量）が最大数万ｐｐｍに達し、又第二リンス槽でもＣ
ＯＤは数百ｐｐｍになるので、それぞれに相応した排液
処理がなされている。即ち、従来では、第一リンス槽の
排液は廃棄され、第二リンス槽の排液は、油吸着、活性
炭吸着、イオン交換処理をされた後再利用されている。
【０００４】しかしながら、第一リンス槽の排液を廃棄
処理する場合には、廃棄のために相当の費用を要すると
いう問題がある。又、第二リンス槽の排液の処理におい
ては、特にフラックス等の不純物の混入した洗浄剤は常
温においても水に対する親和性が低いため、洗浄剤が白
濁して活性炭やイオン交換による洗浄剤の吸着除去率が
低下し、処理水の再利用を繰り返すと、リンス水の水質
が低下してプリント基板に残渣が付着したり、イオン交
換樹脂が汚染されるという問題があった。
処理する場合には、廃棄のために相当の費用を要すると
いう問題がある。又、第二リンス槽の排液の処理におい
ては、特にフラックス等の不純物の混入した洗浄剤は常
温においても水に対する親和性が低いため、洗浄剤が白
濁して活性炭やイオン交換による洗浄剤の吸着除去率が
低下し、処理水の再利用を繰り返すと、リンス水の水質
が低下してプリント基板に残渣が付着したり、イオン交
換樹脂が汚染されるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術に於
ける上記問題を解決し、プリント基板を洗浄した洗浄水
を廃棄することなく再生可能にすると共に、活性炭吸着
装置及び純水装置による含有物の吸着除去率が大幅に向
上し吸着容量の増大したプリント基板洗浄水再生装置を
提供することを課題とする。
ける上記問題を解決し、プリント基板を洗浄した洗浄水
を廃棄することなく再生可能にすると共に、活性炭吸着
装置及び純水装置による含有物の吸着除去率が大幅に向
上し吸着容量の増大したプリント基板洗浄水再生装置を
提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、請求項１の発明は、洗浄剤に浸漬したプリ
ント基板を洗浄した洗浄水を再生するプリント基板洗浄
水再生装置において、前記洗浄水とオゾンガスとを接触
させる接触装置と、オゾンガスと接触した前記洗浄水に
紫外線を照射する紫外線照射装置と、前記洗浄水が含有
する含有物を吸着する活性炭吸着装置と、前記活性炭吸
着装置を通過後に前記洗浄水が含有する含有物を除去す
る純水装置と、を有することを特徴とし、請求項２の発
明は、上記に加えて、前記オゾンガスは、他の気体と混
合されていて、全混合ガス中において重量濃度で１０％
以上含まれていることを特徴とする。
するために、請求項１の発明は、洗浄剤に浸漬したプリ
ント基板を洗浄した洗浄水を再生するプリント基板洗浄
水再生装置において、前記洗浄水とオゾンガスとを接触
させる接触装置と、オゾンガスと接触した前記洗浄水に
紫外線を照射する紫外線照射装置と、前記洗浄水が含有
する含有物を吸着する活性炭吸着装置と、前記活性炭吸
着装置を通過後に前記洗浄水が含有する含有物を除去す
る純水装置と、を有することを特徴とし、請求項２の発
明は、上記に加えて、前記オゾンガスは、他の気体と混
合されていて、全混合ガス中において重量濃度で１０％
以上含まれていることを特徴とする。
【０００７】
【作 用】本発明によれば、請求項１の発明において
は、接触装置によりオゾンガスと洗浄水とを接触させる
ので、洗浄水中の洗浄剤は、オゾンガスの強力な酸化作
用により酸化されて酸化物になる。この洗浄水が紫外線
照射装置により紫外線を照射されると、洗浄剤は紫外線
のエネルギーを受けて著しくその化学構造を変化させ、
この段階で洗浄水中の白濁が消滅すると共に、電気伝導
度が大幅に上昇する。これは、洗浄剤に水酸基やカルボ
ン酸基が導入されたため、その水との親和性が著しく高
められたことによるものと推定される。この洗浄水は、
その化学構造の変化により白濁が消滅した状態になって
いるので、活性炭吸着装置及び純水装置に導入されたと
きに、その中の含有物の装置内における除去率が著しく
向上される。
は、接触装置によりオゾンガスと洗浄水とを接触させる
ので、洗浄水中の洗浄剤は、オゾンガスの強力な酸化作
用により酸化されて酸化物になる。この洗浄水が紫外線
照射装置により紫外線を照射されると、洗浄剤は紫外線
のエネルギーを受けて著しくその化学構造を変化させ、
この段階で洗浄水中の白濁が消滅すると共に、電気伝導
度が大幅に上昇する。これは、洗浄剤に水酸基やカルボ
ン酸基が導入されたため、その水との親和性が著しく高
められたことによるものと推定される。この洗浄水は、
その化学構造の変化により白濁が消滅した状態になって
いるので、活性炭吸着装置及び純水装置に導入されたと
きに、その中の含有物の装置内における除去率が著しく
向上される。
【０００８】請求項２の発明においては、オゾンガスを
含有する全混合ガス中にオゾンガスが重量濃度で１０％
以上含まれているので、その濃度が高いため洗浄剤と反
応しない未反応オゾンガスが殆ど発生しない。又、オゾ
ンガス濃度が高いのでその接触のために供給される全ガ
ス量が少なくなり、発泡性の高い洗浄剤がオゾンガスと
接触する時に発生する泡の量が非常に少なくなる。その
結果、未反応の排オゾンガスの処理が容易になる。
含有する全混合ガス中にオゾンガスが重量濃度で１０％
以上含まれているので、その濃度が高いため洗浄剤と反
応しない未反応オゾンガスが殆ど発生しない。又、オゾ
ンガス濃度が高いのでその接触のために供給される全ガ
ス量が少なくなり、発泡性の高い洗浄剤がオゾンガスと
接触する時に発生する泡の量が非常に少なくなる。その
結果、未反応の排オゾンガスの処理が容易になる。
【０００９】このような高濃度のオゾンガスを含む混合
ガスとしては、例えば固体高分子電解質膜電解法によ
り、重量濃度でオゾンガスを１０〜１５％以上含むもの
が得られる。一方、オゾンガス発生装置として例えば無
声放電式装置を使用する場合には、ガス中のオゾンガス
の濃度が重量で１〜３％という低い値になるため、未反
応のオゾンガスが生じてこれが無駄に排出されることに
なると共に、オゾンガスを含む空気等のガス量も多量に
なり、多くの泡が発生するため、これを処理した後排オ
ゾンガスを分解処理しなければならなくなる。又、この
オゾンガス発生装置では、その電極から不純物やＮＯｘ
等が発生し、これがオゾンガス中に混入し、更に洗浄液
中に混入する可能性があるが、前記の固体高分子電解質
膜電解法ではこのような不具合も防止される。
ガスとしては、例えば固体高分子電解質膜電解法によ
り、重量濃度でオゾンガスを１０〜１５％以上含むもの
が得られる。一方、オゾンガス発生装置として例えば無
声放電式装置を使用する場合には、ガス中のオゾンガス
の濃度が重量で１〜３％という低い値になるため、未反
応のオゾンガスが生じてこれが無駄に排出されることに
なると共に、オゾンガスを含む空気等のガス量も多量に
なり、多くの泡が発生するため、これを処理した後排オ
ゾンガスを分解処理しなければならなくなる。又、この
オゾンガス発生装置では、その電極から不純物やＮＯｘ
等が発生し、これがオゾンガス中に混入し、更に洗浄液
中に混入する可能性があるが、前記の固体高分子電解質
膜電解法ではこのような不具合も防止される。
【００１０】
【実 施 例】図１は、実施例のプリント基板洗浄水再
生装置の全体構成を示す。本装置は、洗浄剤に浸漬した
プリント基板をリンスした洗浄水である原水とオゾンガ
スとを接触させる接触装置１と、オゾンガスと接触した
原水に紫外線を照射する紫外線照射装置２と、原水が含
有する含有物を吸着する活性炭吸着装置である吸着塔３
と、吸着塔３を通過後に更に原水が含有する含有物を除
去する純水装置である純水器４とを備えている。
生装置の全体構成を示す。本装置は、洗浄剤に浸漬した
プリント基板をリンスした洗浄水である原水とオゾンガ
スとを接触させる接触装置１と、オゾンガスと接触した
原水に紫外線を照射する紫外線照射装置２と、原水が含
有する含有物を吸着する活性炭吸着装置である吸着塔３
と、吸着塔３を通過後に更に原水が含有する含有物を除
去する純水装置である純水器４とを備えている。
【００１１】接触装置１には、原水タンク５に注入され
た原水が、例えば３Ｌ／ｍｉｎ．の流量でロータメータ
６及び１０μｍのプレフィルタ７を通過して導入され
る。原水は、洗浄剤に浸漬したプリント基板をリンスし
た洗浄水であるため、洗浄剤及びフラックスや汚れ等を
含有し、例えば、ＣＯＤ８１０ｐｐｍ、ＢＯＤ（生化学
的酸素要求量）１２０ｐｐｍ、ＴＯＣ（有機体炭素）５
３０ｐｐｍ及びＮ−ＨＥＸ３３ｐｐｍから成る性状の汚
染された水で、原水タンク５内では白濁牛乳状を呈して
いる。そして接触装置１には、図２に例示するオゾンガ
ス発生装置で製造されたオゾンガスが２ｇｒ／ｈの流量
で導入され、この中で原水とオゾンガスとが接触・反応
し、原水中の洗浄剤等がオゾンガスにより酸化される。
た原水が、例えば３Ｌ／ｍｉｎ．の流量でロータメータ
６及び１０μｍのプレフィルタ７を通過して導入され
る。原水は、洗浄剤に浸漬したプリント基板をリンスし
た洗浄水であるため、洗浄剤及びフラックスや汚れ等を
含有し、例えば、ＣＯＤ８１０ｐｐｍ、ＢＯＤ（生化学
的酸素要求量）１２０ｐｐｍ、ＴＯＣ（有機体炭素）５
３０ｐｐｍ及びＮ−ＨＥＸ３３ｐｐｍから成る性状の汚
染された水で、原水タンク５内では白濁牛乳状を呈して
いる。そして接触装置１には、図２に例示するオゾンガ
ス発生装置で製造されたオゾンガスが２ｇｒ／ｈの流量
で導入され、この中で原水とオゾンガスとが接触・反応
し、原水中の洗浄剤等がオゾンガスにより酸化される。
【００１２】紫外線照射装置２は、紫外光を発生させる
８０Ｗのランプ２ａを備え、洗浄剤等の酸化物が生成し
ている原水に紫外線を照射する。この照射により、酸化
物となった洗浄剤が紫外線のエネルギーを受けてその化
学構造を著しく変化させ、白濁も消失する。
８０Ｗのランプ２ａを備え、洗浄剤等の酸化物が生成し
ている原水に紫外線を照射する。この照射により、酸化
物となった洗浄剤が紫外線のエネルギーを受けてその化
学構造を著しく変化させ、白濁も消失する。
【００１３】吸着塔３は、容積１５リットルで内部には
活性炭が充填されている。吸着塔３に上記の如く変化し
た洗浄剤を含有する原水が導入されると、洗浄剤が活性
炭に吸着され易い性状に変化しているので、原水中の洗
浄剤等の含有物は内部に充填されている活性炭によりそ
の相当部分を吸着される。
活性炭が充填されている。吸着塔３に上記の如く変化し
た洗浄剤を含有する原水が導入されると、洗浄剤が活性
炭に吸着され易い性状に変化しているので、原水中の洗
浄剤等の含有物は内部に充填されている活性炭によりそ
の相当部分を吸着される。
【００１４】この原水は、更に十分な再生処理をするた
めに、例えば紫外線発生ランプ８ａを備えた紫外線式の
殺菌塔８を経由して純水器４に入れられる。純水器４と
しては、逆浸透膜装置やイオン交換樹脂塔などが用いら
れるが、本実施例では、内部に陽イオン交換樹脂と陰イ
オン交換樹脂とを組み合わせて充填した複層床式の純水
製造装置としている。この純水器４及び３μのファイナ
ルフィルタ９により、更に原水中の有機化合物その他の
含有物が除去され、原水は最終的に再利用に供し得る純
水になる。そして本装置に導入された原水は、これを通
過することにより、最終的にその性状がＣＯＤ＝０．５
ｐｐｍ、ＢＯＤ＝１．５ｐｐｍ、ＴＯＣ＝０．８ｐｐ
ｍ、Ｎ−ＨＥＸ＝１ｐｐｍ、純度＝０．２μＳ／ｃｍと
いう良質の水に再生された。なお、実施例の装置におい
て、従来の如く吸着塔３及び純水器４のみを用いて同じ
原水を処理した場合には、処理水の性状は、ＢＯＤ＝３
１ｐｐｍ、ＣＯＤ＝３１ｐｐｍ、Ｎ−ＨＥＸ＝１１ｐｐ
ｍ、ＴＯＣ＝１１ｐｐｍであった。このことから、本発
明を適用することにより、洗浄剤等の吸着除去率が著し
く改善されたことが理解される。
めに、例えば紫外線発生ランプ８ａを備えた紫外線式の
殺菌塔８を経由して純水器４に入れられる。純水器４と
しては、逆浸透膜装置やイオン交換樹脂塔などが用いら
れるが、本実施例では、内部に陽イオン交換樹脂と陰イ
オン交換樹脂とを組み合わせて充填した複層床式の純水
製造装置としている。この純水器４及び３μのファイナ
ルフィルタ９により、更に原水中の有機化合物その他の
含有物が除去され、原水は最終的に再利用に供し得る純
水になる。そして本装置に導入された原水は、これを通
過することにより、最終的にその性状がＣＯＤ＝０．５
ｐｐｍ、ＢＯＤ＝１．５ｐｐｍ、ＴＯＣ＝０．８ｐｐ
ｍ、Ｎ−ＨＥＸ＝１ｐｐｍ、純度＝０．２μＳ／ｃｍと
いう良質の水に再生された。なお、実施例の装置におい
て、従来の如く吸着塔３及び純水器４のみを用いて同じ
原水を処理した場合には、処理水の性状は、ＢＯＤ＝３
１ｐｐｍ、ＣＯＤ＝３１ｐｐｍ、Ｎ−ＨＥＸ＝１１ｐｐ
ｍ、ＴＯＣ＝１１ｐｐｍであった。このことから、本発
明を適用することにより、洗浄剤等の吸着除去率が著し
く改善されたことが理解される。
【００１５】図２は、上記洗浄水再生装置に使用するオ
ゾンガスを発生させるのに好適なオゾンガス発生装置の
例を示す。オゾンガス発生装置１０は、陽極板１１及び
陰極板１２間に陽極１３及び陰極１４並びにそれらの間
に固体高分子電解質膜１５を設けて形成されている。こ
の装置では、開口１６からオゾンガス化するための純水
が供給され、その一部分が酸素、水素及びオゾンガスに
電気分解され、陽極側の開口１７からは酸素及びオゾン
ガスが取り出され、陰極側の開口１８からは水素が取り
出される。このような方法により製造されたオゾンガス
は、重量で１０〜１５％以上という極めて高濃度になっ
ていて、本発明の洗浄水再生装置に供給する場合にその
体積流量が十分小さくなる。このため、発泡性の強い被
処理液を処理するときに、未反応オゾンガスが殆ど発生
せず、発泡によって洗浄水再生装置の運転が悪影響を受
けず、装置の簡素化とコスト低減が図られる。なお、オ
ゾンガスは、乾燥した空気又は酸素気流中において７０
００〜８０００Ｖの高電圧で無声放電することによって
も製造できるが、この方法で得られるオゾンガスは、そ
の重量濃度が１〜３％で低いため、接触装置１に導入し
たときに原水と接触反応しないオゾンガスが発生する。
従って、本発明のプリント基板洗浄水再生装置に使用す
るオゾンガスの発生装置としては、図２に例示するよう
な固体高分子電解質膜式の電解装置を用いるのが望まし
い。
ゾンガスを発生させるのに好適なオゾンガス発生装置の
例を示す。オゾンガス発生装置１０は、陽極板１１及び
陰極板１２間に陽極１３及び陰極１４並びにそれらの間
に固体高分子電解質膜１５を設けて形成されている。こ
の装置では、開口１６からオゾンガス化するための純水
が供給され、その一部分が酸素、水素及びオゾンガスに
電気分解され、陽極側の開口１７からは酸素及びオゾン
ガスが取り出され、陰極側の開口１８からは水素が取り
出される。このような方法により製造されたオゾンガス
は、重量で１０〜１５％以上という極めて高濃度になっ
ていて、本発明の洗浄水再生装置に供給する場合にその
体積流量が十分小さくなる。このため、発泡性の強い被
処理液を処理するときに、未反応オゾンガスが殆ど発生
せず、発泡によって洗浄水再生装置の運転が悪影響を受
けず、装置の簡素化とコスト低減が図られる。なお、オ
ゾンガスは、乾燥した空気又は酸素気流中において７０
００〜８０００Ｖの高電圧で無声放電することによって
も製造できるが、この方法で得られるオゾンガスは、そ
の重量濃度が１〜３％で低いため、接触装置１に導入し
たときに原水と接触反応しないオゾンガスが発生する。
従って、本発明のプリント基板洗浄水再生装置に使用す
るオゾンガスの発生装置としては、図２に例示するよう
な固体高分子電解質膜式の電解装置を用いるのが望まし
い。
【００１６】次に、図１の装置により種々の被処理液を
３Ｌ／ｍｉｎ．の流量で処理した場合の処理例を示す。 〔処理例−１〕被処理液として荒川化学（株）製パイン
アルファ−ＳＴ１００Ｓを１０００ｍｇ／Ｌの割合で含
有した水溶液（フラックスを含まず）を処理した場合；
３Ｌ／ｍｉｎ．の流量で処理した場合の処理例を示す。 〔処理例−１〕被処理液として荒川化学（株）製パイン
アルファ−ＳＴ１００Ｓを１０００ｍｇ／Ｌの割合で含
有した水溶液（フラックスを含まず）を処理した場合；
【表１】
【００１７】〔処理例−２〕上記被処理液を図１の装置
において活性炭吸着及びイオン交換処理のみを行った場
合；
において活性炭吸着及びイオン交換処理のみを行った場
合；
【表２】
【００１８】〔処理例−３〕被処理液として花王（株）
製クリーンスルー７５０Ｌを１０００ｍｇ／Ｌの割合で
含有した水溶液（フラックスを３０％含む）を処理した
場合；
製クリーンスルー７５０Ｌを１０００ｍｇ／Ｌの割合で
含有した水溶液（フラックスを３０％含む）を処理した
場合；
【表３】
【００１９】〔処理例−４〕被処理液として花王（株）
製クリーンスルー７５０Ｈを３００ｍｇ／Ｌ又は３０ｍ
ｇ／Ｌ含有した水溶液（フラックスを１０％含む）を処
理した場合；（３００ｍｇ／Ｌ）のとき；
製クリーンスルー７５０Ｈを３００ｍｇ／Ｌ又は３０ｍ
ｇ／Ｌ含有した水溶液（フラックスを１０％含む）を処
理した場合；（３００ｍｇ／Ｌ）のとき；
【表４】 （３０ｍｇ／Ｌ）のとき；
【表５】
【００２０】〔処理例−５〕被処理液として荒川化学
（株）製パインアルファ−ＳＴ１００Ｓを３００ｍｇ／
Ｌ又は３０ｍｇ／Ｌの割合で含有した水溶液（フラック
スを１５％含む）を処理した場合；（３００ｍｇ／Ｌ）
のとき；
（株）製パインアルファ−ＳＴ１００Ｓを３００ｍｇ／
Ｌ又は３０ｍｇ／Ｌの割合で含有した水溶液（フラック
スを１５％含む）を処理した場合；（３００ｍｇ／Ｌ）
のとき；
【表６】 （３０ｍｇ／Ｌ）のとき；
【表７】
【００２１】〔処理例−６〕図１の装置において、オゾ
ンガスを図２に示す固体高分子電解質膜電解法による発
生装置に代えて無声放電式の発生装置から供給し、処理
例１と同じ被処理液を処理した場合；
ンガスを図２に示す固体高分子電解質膜電解法による発
生装置に代えて無声放電式の発生装置から供給し、処理
例１と同じ被処理液を処理した場合；
【表８】
【００２２】以上の各種処理例に示すように、本発明を
構成する接触装置１、紫外線照射装置２、吸着塔３及び
純水器４の全ての装置を使用し、固体高分子電解質膜電
解法により製造したオゾンガスを用いた場合には、何れ
の処理例でも電子部品の洗浄剤リンス用として再使用の
可能な処理水が得られた。そして処理例２と較べると明
らかなように、従来の方法である活性炭吸着とイオン交
換処理のみを行った場合よりも、洗浄剤の除去率は著し
く改善されている。このように、洗浄剤に浸漬した電子
部品をリンスするリンス槽の液は、本処理装置で処理さ
れることにより、そのリンス洗浄効果を何ら低下させる
ことなく再利用に供し得るものとなる。なお、処理例６
（表８）に示すように、無声放電式のオゾンガス発生装
置で発生させたオゾンガスを用いた場合には、処理水の
水質は、処理例２に示す従来の方法で処理したときより
もかなり改善されたが、処理例１の処理水の水質とは大
幅な差が生じた。これは、オゾンガスで処理するときの
泡の発生により、紫外線照射装置２における照射紫外線
が全範囲にわたり十分照射されず反応が阻害され、又吸
着塔３及び純粋器４による洗浄剤等の吸着除去率が低下
したためである。
構成する接触装置１、紫外線照射装置２、吸着塔３及び
純水器４の全ての装置を使用し、固体高分子電解質膜電
解法により製造したオゾンガスを用いた場合には、何れ
の処理例でも電子部品の洗浄剤リンス用として再使用の
可能な処理水が得られた。そして処理例２と較べると明
らかなように、従来の方法である活性炭吸着とイオン交
換処理のみを行った場合よりも、洗浄剤の除去率は著し
く改善されている。このように、洗浄剤に浸漬した電子
部品をリンスするリンス槽の液は、本処理装置で処理さ
れることにより、そのリンス洗浄効果を何ら低下させる
ことなく再利用に供し得るものとなる。なお、処理例６
（表８）に示すように、無声放電式のオゾンガス発生装
置で発生させたオゾンガスを用いた場合には、処理水の
水質は、処理例２に示す従来の方法で処理したときより
もかなり改善されたが、処理例１の処理水の水質とは大
幅な差が生じた。これは、オゾンガスで処理するときの
泡の発生により、紫外線照射装置２における照射紫外線
が全範囲にわたり十分照射されず反応が阻害され、又吸
着塔３及び純粋器４による洗浄剤等の吸着除去率が低下
したためである。
【００２３】又、処理例３から判断されるように、本装
置によれば、被処理液のＣＯＤが１０００ｍｇ／Ｌ程度
であっても十分な除去効果が得られるので、第一リンス
槽の排液も廃棄することなく使用可能になった。
置によれば、被処理液のＣＯＤが１０００ｍｇ／Ｌ程度
であっても十分な除去効果が得られるので、第一リンス
槽の排液も廃棄することなく使用可能になった。
【００２４】図３は、実施例のプリント基板洗浄水再生
装置を電子部品洗浄システムに適用する場合の一例を示
す。電子部品２０は、２００Ｌの洗浄剤槽２１内に浸漬
された後、順次第一リンス槽２２及び第二リンス槽２３
内で付着物をリンスされた後、乾燥工程に送られる。こ
のようなシステムにおいて、例えば電子部品が９００ｇ
ｒ／ｈの率で順次液を随伴するものとすれば、第一リン
ス槽２２は、使用後８時間で３６０００ｐｐｍの洗浄剤
濃度になる。そしてこの時から第二リンス槽２３に電子
部品が入れられてリンスされるとすれば、第二リンス槽
２３内には、約３２ｇｒ／ｈの率で洗浄剤が持ち込まれ
る。そして図示の如く、リンス再生装置１００で９００
Ｌ／ｈの率で、第二リンス槽２３内の被処理水を循環処
理するとすれば、第二リンス槽２３内は常に３６ｐｐｍ
の状態に保たれ、第二リンス槽として要求される水質が
維持される。例えばこのようにして、全ての洗浄水を廃
棄することなく連続使用することができる。
装置を電子部品洗浄システムに適用する場合の一例を示
す。電子部品２０は、２００Ｌの洗浄剤槽２１内に浸漬
された後、順次第一リンス槽２２及び第二リンス槽２３
内で付着物をリンスされた後、乾燥工程に送られる。こ
のようなシステムにおいて、例えば電子部品が９００ｇ
ｒ／ｈの率で順次液を随伴するものとすれば、第一リン
ス槽２２は、使用後８時間で３６０００ｐｐｍの洗浄剤
濃度になる。そしてこの時から第二リンス槽２３に電子
部品が入れられてリンスされるとすれば、第二リンス槽
２３内には、約３２ｇｒ／ｈの率で洗浄剤が持ち込まれ
る。そして図示の如く、リンス再生装置１００で９００
Ｌ／ｈの率で、第二リンス槽２３内の被処理水を循環処
理するとすれば、第二リンス槽２３内は常に３６ｐｐｍ
の状態に保たれ、第二リンス槽として要求される水質が
維持される。例えばこのようにして、全ての洗浄水を廃
棄することなく連続使用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、請求項１の
発明においては、接触装置によりオゾンガスと洗浄水と
を接触させ、更に洗浄水を紫外線照射装置により照射す
るので、その含有する洗浄剤等の化学構造を著しく変化
させ、活性炭吸着装置及び純水装置におけるそれらの除
去率を大幅に向上することができ、洗浄液の再使用が可
能になる。
発明においては、接触装置によりオゾンガスと洗浄水と
を接触させ、更に洗浄水を紫外線照射装置により照射す
るので、その含有する洗浄剤等の化学構造を著しく変化
させ、活性炭吸着装置及び純水装置におけるそれらの除
去率を大幅に向上することができ、洗浄液の再使用が可
能になる。
【００２６】請求項２の発明においては、上記に加え
て、オゾンガスを含有する全混合ガス中にオゾンガスが
重量濃度で１０％以上含まれているので、未反応オゾン
ガスの発生量を減少し、洗浄剤と接触するときの泡の発
生を少なくすることができる。その結果、未反応の排オ
ゾンガスの処理が容易になり、装置の簡素化や小形化を
図ることができる。
て、オゾンガスを含有する全混合ガス中にオゾンガスが
重量濃度で１０％以上含まれているので、未反応オゾン
ガスの発生量を減少し、洗浄剤と接触するときの泡の発
生を少なくすることができる。その結果、未反応の排オ
ゾンガスの処理が容易になり、装置の簡素化や小形化を
図ることができる。
【図１】実施例のプリント基板洗浄水再生装置の全体構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図２】上記装置に用いられるオゾンガス発生装置の説
明図である。
明図である。
【図３】電子部品を洗浄する工程の一例を示す説明図で
ある。
ある。
１ 接触装置 ２ 紫外線照射装置 ３ 吸着塔（活性炭吸着装置） ４ 純水器（純水装置） １０ 固体高分子電解質膜式電解装置（１０％以上の
オゾンガスを発生させる装置）
オゾンガスを発生させる装置）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/26 7511−4Ｅ (72)発明者 水谷 淳二 大阪府大阪市西淀川区御幤島６丁目７番５ 号 株式会社笹倉機械製作所内 (72)発明者 安田 正雄 神奈川県伊勢原市東成瀬40−16株式会社ピ ーエスカナガワ内 (72)発明者 森木 徹 神奈川県伊勢原市東成瀬40−16株式会社ピ ーエスカナガワ内
Claims (2)
- 【請求項１】 洗浄剤に浸漬したプリント基板を洗浄し
た洗浄水を再生するプリント基板洗浄水再生装置におい
て、 前記洗浄水とオゾンガスとを接触させる接触装置と、オ
ゾンガスと接触した前記洗浄水に紫外線を照射する紫外
線照射装置と、前記洗浄水が含有する含有物を吸着する
活性炭吸着装置と、前記活性炭吸着装置を通過後に前記
洗浄水が含有する含有物を除去する純水装置と、を有す
ることを特徴とするプリント基板洗浄水再生装置。 - 【請求項２】 前記オゾンガスは、他の気体と混合され
ていて、全混合ガス中において重量濃度で１０％以上含
まれていることを特徴とする請求項１に記載のプリント
基板洗浄水再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19313592A JP3325921B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | プリント基板洗浄水再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19313592A JP3325921B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | プリント基板洗浄水再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH067797A true JPH067797A (ja) | 1994-01-18 |
| JP3325921B2 JP3325921B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=16302863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19313592A Expired - Fee Related JP3325921B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | プリント基板洗浄水再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3325921B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07241598A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 水処理装置 |
| WO1998030734A1 (es) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Depeltronik, S.A. | Procedimiento para regenerar liquidos corrosivos, especialmente liquidos corrosivos para placas de circuitos impresos, y dispositivo para ello |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP19313592A patent/JP3325921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07241598A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 水処理装置 |
| WO1998030734A1 (es) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Depeltronik, S.A. | Procedimiento para regenerar liquidos corrosivos, especialmente liquidos corrosivos para placas de circuitos impresos, y dispositivo para ello |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3325921B2 (ja) | 2002-09-17 |
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