JPH0677570A - 光ファイバ増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 励起光／信号光の合波用の光ファイバカップ
ラを使用しない新規な光ファイバ増幅器を得る。 【構成】 誘導放出遷移を有するイオンを少なくともコ
ア部分に含有し、光励起により反転分布を形成して特定
の波長において光増幅作用を有する光増幅用ファイバを
備える光ファイバ型増幅器において、４ポート１-１，
１-２，１-３，１-４を有する光サーキュレータ１を使
用し、信号入力用及び信号出力用の２本のファイバが光
サーキュレータ１の互いに光学的に結合してない２箇所
のポートに接続され、前記光サーキュレータ１の残され
たポートのうちの一方に前記増幅用ファイバが接続さ
れ、該増幅用ファイバの他端がレーザに光学的に結合さ
れたレーザモジュールピグテイルファイバの端部に接続
され、前記増幅用ファイバとレーザモジュールピグテイ
ルファイバとの接続部に信号光を反射しレーザ光を通過
させるフィルタを挿入している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバを伝送媒体
とした光通信の分野において使用される光ファイバ増幅
器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ファイバ増幅器は、図９に示す
ような構成になっており、増幅用ファイバとして希土類
添加光ファイバ９を使用し、励起光源として半導体レー
ザ（励起用ＬＤ）１１を使用し、励起光と信号光の合波
にはＷＤＭファイバカップラ１０を使用する。光ファイ
バ増幅器内の信号光が通過するパス（光通路）８と１３
との間の少なくとも１箇所に偏波無依存動作アイソレー
タ１２を挿入する。

【０００３】なお、励起においては、２個のレーザダイ
オード（ＬＤ）を互いに偏波が直交するように配置して
偏波合成する方法、増幅用ファイバの両端に光ファイバ
カップラ（ＷＤＭファイバカップラ）及び励起用ＬＤを
配置し双方向励起を行う方法がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術のいずれの方法においても、励起光と信号光の合
波には光ファイバカップラを使用するため、この部分で
の信号光及び励起光の過剰損失の発生は避れられないと
いう問題があった。

【０００５】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、励起光／信号光の
合波用の光ファイバカップラを使用しない新規な光ファ
イバ増幅器を提供することにある。

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書及び添付図面によって明らかにす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、誘導放出遷移を有するイオンを少なくと
もコア部分に含有し、光励起により反転分布を形成して
特定の波長において光増幅作用を有する光増幅用ファイ
バを備える光ファイバ型増幅器において、４ポートを有
する光サーキュレータを使用し、信号入力用及び信号出
力用の２本のファイバが光サーキュレータの互いに光学
的に結合してない２箇所のポートに接続され、前記光サ
ーキュレータの残されたポートのうちの一方に前記増幅
用ファイバが接続され、該増幅用ファイバの他端がレー
ザに光学的に結合されたレーザモジュールピグテイルフ
ァイバの端部に接続され、前記増幅用ファイバとレーザ
モジュールピグテイルファイバとの接続部に信号光を反
射しレーザ光を通過させるフィルタを挿入していること
を最も主要な特徴とする。

【０００８】

【作用】前述の手段によれば、光サーキュレータ及びバ
ンドパスフィルタを用いた光ファイバ増幅器の構造にす
ることにより、光ファイバカップラを使用せずに光ファ
イバ増幅器が構成できるので、カップラ部分での過剰損
失発生による利得の低下を防止することができる。

【０００９】また、本発明において使用するバンドパス
フィルタの特性を狭帯域反射特性にすることにより、利
得の向上及び雑音特性の向上をはかることができる。

【００１０】ここで、図面を参照して本発明の光ファイ
バ増幅器の基本構成と動作原理を説明する。図１は、本
発明による光ファイバ増幅器の基本構成を説明するため
の模式構成図であり、１は光サーキュレータ、２は信号
入力用光ファイバ（以後、入力ファイバと称す）、３は
信号出力用光ファイバ（以後、出力ファイバと称す）、
４はバンドパスフィルタ、５は無反射終端、６は増幅用
光ファイバ、７は励起光源である。

【００１１】前記光サーキュレータ１は、Ｂｉ置換ＹＩ
Ｇ等のファラディ効果（磁気光学効果）を有する素子に
より構成されており、その機能は各ポートに入力した光
を順々に伝達する素子である。すなわち、光サーキュレ
ータ１のポート１-１に入力した光はポート１-２に出力
され、ポート１-２に入力された光はポート１-３に出力
される。同様に、ポート１-３に入力された光はポート
１-４に出力され、ポート１-４に入力された光はポート
１-１に出力される。同時に、光サーキュレータでは、
各ポート間の伝達は、光アイソレータとしての特性を有
しており、ポート１-１からポート１-２への損失（順方
向損失）は低く（通常１ｄB程度）、ポート１-２からポ
ート１-１への損失（逆方向阻止比）は３０ｄB以上とな
る。また、入射する信号光の偏波面に無依存で動作する
素子も実現されている。

【００１２】前記増幅用光ファイバ６は、石英系光ファ
イバ、多成分系光ファイバ、フッ化物系光ファイバ、カ
ルコゲナイド系光ファイバ等の光ファイバの少なくとも
コア部分に希土類元素等の誘導放出遷移を有するイオン
（活性イオン）を添加したものである。活性イオンの吸
収波長に対応する励起光と、誘導放出遷移に一致する波
長の信号光を同時にファイバ内に伝搬させることで、活
性イオンの誘導放出現象を介して信号光の増幅を行うも
のである。

【００１３】前記バンドパスフィルタ４は、増幅用光フ
ァイバ６と励起用光源７のピグティル光ファイバの間に
設置されるものであり、励起光は透過し、信号光は反射
する特性を有する。このような特性のフィルタは、誘電
体多層コーティングにより実現できる。

【００１４】前記励起用光源７は、固体レーザ、半導体
レーザ等が使用される。

【００１５】前記無反射終端５は、光ファイバ端の斜め
研磨や、高屈折率液中に光ファイバを漬けることにより
実現されるもので、増幅された信号光が出力ファイバ中
で反射された場合に、ポート１-３からポート１-４を介
してポート１-１等に回り込むことを防ぐ。

【００１６】次に、光ファイバ増幅器としての動作につ
いて説明する。まず、信号光の伝搬について説明する。
入力ファイバ２に入射した信号光は、光サーキュレータ
１のポート１-１よりポート１-２に出射される。ついで
信号光は、ポート１-２より増幅用光ファイバ６内を伝
搬し、バンドパスフィルタ４により反射され、再度増幅
用光ファイバ６内を逆方向に伝搬し、光サーキュレータ
１のポート１-２よりポート１-３に出射し、出力光ファ
イバ３より出射される。一方、励起光については、励起
用光源７よりピグテイル光ファイバを介して、バンドパ
スフィルタ４を透過し、増幅用光ファイバ６内を伝搬す
る。

【００１７】ところで、増幅用光ファイバ６内では、以
上の説明から明らかなように、励起光及び信号光が同時
に伝搬されることから、信号光の増幅が行われる。最終
的に、入力ファイバ２に入射した信号光は、増幅され出
力ファイバ３より出射される。つまり、本発明は、光サ
ーキュレータ１とバンドパスフィルタ４を使用すること
により光増幅器が構成される。

【００１８】ここで、前記光サーキュレータ１について
簡単に説明する。

【００１９】図２は、前記光サーキュレータ１の動作を
説明するための図であり、２-１，２-２，２-３は入出
力ファイバ、２-４，２-７，２-１０はルチル結晶、２-
５，２-９はλ／４波長板（２-２２，２-１９）、２-
６，２-８は、４５度回転ファラデーローテータであ
る。

【００２０】なお、前記ルチル結晶２-４，２-７，２-
１０中に記載されている実線及び破線の矢印は、各々常
光線、異常光線に対する光路を示している。

【００２１】まず、入力ファイバ２-１にｘ偏波を入力
した場合（２-１１に偏波状態を図示）を説明する。ル
チル結晶２-４は、ｘ偏波が常光線になるように設置し
てあるため、実線矢印に従い進みλ／４波長板２-５に
入射する。λ／４波長板２-５を通過し偏波面が４５度
（２-１３に図示、以後偏波面の角度表記はｘ軸から反
時計回りの角度で示す）となり、ファラデーローテータ
２-６を通過し偏波面が９０度（２-１４に図示）とな
る。ついで、ルチル結晶２-７に入射するが、このルチ
ル結晶２-７は、９０度偏波が常光線になるように設置
されている。ルチル結晶２-７中の実線矢印に従い進行
した光は、ファラデーローテータ２-８を通過し１３５
度偏波（２-１５に図示）になり、λ／４波長板２-９を
通過し９０度偏波（２-１６に図示）になる。最後のル
チル結晶２-１０は、９０度偏波が異常光線になるよう
に設置されており、その結果、光線は破線矢印の方向に
進み入出力ファイバ２-２より出射する。

【００２２】入出力ファイバ２-２にＹ偏波を入力した
場合（２-１７に偏波状態を図示）を説明する。ルチル
結晶２-１０は、９０度偏波（２-１８に図示）が異常光
線になるように設置してあるため、破線矢印に従い進み
λ／４波長板２-９を通過し偏波面が１３５度（２-１９
に図示）となり、ファラデーローテータ２-８を通過し
偏波面が１８０度（２-２０に図示）となる。ついで、
ルチル結晶２-７に入射するが、このルチル結晶２-７は
９０度偏波が常光線になるように設置されている。ルチ
ル結晶２-７中の破線矢印に従い進行した光は、ファラ
デーローテータ２-６を通過し２２５度偏波（２-２１に
図示）になり、λ／４波長板２-５を通過し１８０度偏
波（２-２２に図示）になる。最後のルチル結晶２-４
は、９０度偏波が異常光線になるように設置されてお
り、その結果、光線は実線矢印の方向に進み入出力ファ
イバ２-３より出射する。

【００２３】以上直線偏波入射について示したが、任意
の偏波に対して図２の素子は動作する。

【００２４】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。

【００２５】（実施例１）本実施例１は、図１に示すも
のと同一の光ファイバ増幅器構成とした。増幅用光ファ
イバとしては、Ｐｒを５００ppm.wt添加したＺrＦ-Ｂa
Ｆ-ＬiＦ-ＹＦ-ＡlＦ-ＮaＦ(ＺＢＹＬiＡＮ)系単一モー
ドフッ化物ガラス光ファイバである。コアクラッド間の
比屈折率差は３.５％、カットオフ波長は０.８μmであ
る。励起用光源は、発振波長１.０１７μmのＩnＧaＡs
系歪量子井戸構造レーザであり、２００mAの駆動電流に
よりピグテイルファイバ出力８０mWを得た。高い励起光
量を実現するために、同一特性の半導体レーザを使用し
た励起用光源を２個用意し、偏波合成の技術により合波
し、トータルでのピグテイルファイバ出力１２５mWを実
現した。

【００２６】無反射終端は、当該ファイバの端部を１０
度の角度に斜め研磨した後、高屈折率のマッチングオイ
ル（Ｎ_D：１.６）中に漬けた。使用した光サーキュレー
タ１は、動作波長１.３０μmで偏波無依存動作するもの
であり、順方向挿入損失１.０ｄBで逆方向阻止比は３０
ｄBであった。

【００２７】バンドパスフィルタ４の設置は、励起用光
源のピグテイルファイバ端、及びそれに接続されるＰｒ
添加フッ化物光ファイバ端には、各々ガラス製Ｖ溝ブロ
ックが装着され端面研磨されている。バンドパスフィル
タ４は、励起用光源のピグテイルファイバ端のＶ溝端面
に、直接真空蒸着により誘電体多層膜を形成したもので
あり、波長１.０１７μmでの透過率９８％、波長１.２
５〜１.３５μmでの反射率９８％である。端面にバンド
パスフィルタが蒸着されたピグテイルファイバのＶ溝ブ
ロックと、Ｐｒ添加光ファイバのＶ溝ブロックは、相互
のコア位置が一致するように整列した状態で、ＵＶ接着
剤により接着固定した。

【００２８】図３に本実施例１の光ファイバ増幅器にお
ける励起光量に対する増幅利得の測定結果を示す。信号
波長は１.３０μmであり、入射光量は−４５ｄBmであ
る。励起光量２０mWで利得０ｄB（無損失動作）を、励
起光量１２５mWで信号利得３２ｄBを実現した。

【００２９】図４は、その増幅利得の信号光波長依存性
を示す図である。励起光量は１００mW、入射した信号光
量は−４５ｄBmである。最大信号光利得は１.３１μmで
得られており３０ｄBであった。３ｄB利得が低下する波
長幅は約３０ｎmであった。

【００３０】（実施例２）本実施例２は、図１に示すも
のと同一の光ファイバ増幅器構成とした。増幅用光ファ
イバとしては、Ｅｒを１００ppm.wt添加したＳiＯ₂-Ｇe
Ｏ₂-Ａl₂Ｏ₃コア単一モード石英系光ファイバである。
コアクラッド間の比屈折率差は１.０％、カットオフ波
長は０.９μmである。励起用光源は、発振波長０.９８
μmのＩnＧaＡｓ系歪量子井戸構造レーザであり、１８
０mAの駆動電流によりピグテイルファイバ出力５０mWを
得た。本実施例２では、励起には半導体レーザ１個のみ
を使用した。

【００３１】無反射終端は、当該ファイバの端部を１０
度の角度に斜め研磨した後、高屈折率のマッチングオイ
ル（Ｎ_D：１.６）中に漬けた。

【００３２】使用した光サーキュレータ１は、動作波長
１.５５μmであり、偏波無依存動作するもので順方向挿
入損失１.０ｄBであり、逆方向阻止比は３０ｄBであっ
た。

【００３３】バンドパスフィルタの設置は、励起用光源
のピグテイルファイバ端とＥｒ添加光ファイバ端を別個
にマイクロトーチの火炎により加熱しコアのドーパント
を拡散させ、１.５５μmでのモードフィールド径を１５
μmに拡大する。ついで、モードフィールドを拡大した
部分で両ファイバを切断し、融着接続する。融着接続さ
れたファイバは、シリコン基盤上にＵＶ硬化接着剤によ
り接着固定し、融着接続部をファイバに直角方向に３０
μmの幅でカットする。

【００３４】一方、バンドパスフィルタ４は、厚さ３０
μm（形状は、一辺が０.５mmの正方形）のポリイミド膜
上に誘電体多層膜を形成したものであり、その特性は、
波長０.９８μmでの透過率９８％、波長１.５０〜１.６
０μmでの反射率９８％である。このバンドパスフィル
タチップを、前述のファイバの切断部分に挿入した後Ｕ
Ｖ接着剤で固定した。

【００３５】図５に励起光量に対する増幅利得の測定結
果を示す。信号波長は１.５５μmであり、入射光量は−
４５ｄBｍである。励起光量約１０mWで利得０ｄB（無損
失動作）を、励起光量５０mWで信号利得３０ｄBを実現
した。

【００３６】図６は、増幅利得の信号光波長依存性であ
る。励起光量３０mW、入射した信号光量は−４５ｄBmで
ある。最大信号光利得は１.５３３μmで得られており２
７ｄBであった。一方、Ｅｒ添加光ファイバの第２の増
幅ピークである波長１.５５０μmでは信号光利得２３ｄ
Bが得られた。

【００３７】（実施例３）本実施例３は、実施例２の構
成において使用するバンドパスフィルタ４を以下のよう
な特性を有する複合型フィルタに交換した。波長０.９
８μmの励起光の波長領域では透過率９８％であり、中
心波長１.５５０μm、半値全幅１ｎｍ、中心波長での反
射率９５％の狭帯域の反射特性である。増幅特性は、信
号光波長を１.５５０μm（入射信号光量−４５ｄBm）で
励起光量５０mWで信号光利得において波長１.５５０μm
以外のＡＳＥ（蛍光成分が増幅された光）が反射されな
いために、Ｅｒ添加光ファイバ内でのＡＳＥ光量が実施
例２に比べて低く抑えられるためである。

【００３８】（実施例４）実施例４は、実施例１と同様
に図１に示すものと同一の光増幅器構成とした。増幅用
光ファイバとしては、Ｐｒを５００ppm.wt添加したＺr
Ｆ-ＢaＦ-ＬiＦ-ＹＦ-ＡlＦ-ＮaＦ(ＺＢＹＬiＡＮ)系単
一モードフッ化物ガラス光ファイバである。コアクラッ
ド間の比屈折率差は３.５％、カットオフ波長は０.８μ
mである。

【００３９】励起用光源は、発振波長１.０１７μmのＩ
ｎＧａＡｓ系歪量子井戸構造レーザであり、２００mAの
駆動電流によりピグテイルファイバ出力８０mWを得た。
高い励起光量を実現するために、同一特性の半導体レー
ザを使用した励起用光源を２個用意し、偏波合波の技術
により合波し、トータルでのピグテイルファイバ出力１
２５mWを実現した。

【００４０】無反射終端は、当該ファイバの端部を１０
度の角度に斜め研磨した後、高屈折率のマッチングオイ
ル（Ｎ_D：１.６）中に漬けた。

【００４１】使用した光サーキュレータは、動作波長
１.３０μmであり、偏波無依存動作するものであり順方
向挿入損失１.０ｄBであり、逆方向阻止比は３０ｄBで
あった。

【００４２】バンドパスフィルタ４の設置は、励起用光
源のピグテイルファイバ端、及びそれに接続されるＰｒ
添加フッ化物光ファイバ端には、各々ガラス製Ｖ溝ブロ
ックが装着され端面研磨されている。図７に示すよう
に、バンドパスフィルタ４は、励起用光源に接続された
ピグテイルファイバ上に機械加工により作製されたグレ
ーティングにより行った。具体的には、当該ファイバと
１００mm半径の円弧状に溝を切られたブロック７-１に
光ファイバ７-２を埋め込んだ後、ブロック上にホトリ
ソグラフィー技術を用いてホログラフィック・グレーテ
ィング７-３を作製した。グレーティングのブレーズ波
長は、１.３１μmで最大回折効率が得られるように調整
した。当該グレーティングの波長１.０１７μmでの透過
率は９０％、波長１.３１μmでの反射率９８％である。
反射特性は、中心波長１.３１μm、半値全幅０.１nmで
あった。

【００４３】励起光量が１５０mW、入射した信号光量が
−４５ｄBｍの条件において、最大信号光利得は１.３１
μmで得られており３０ｄBであった。３ｄB利得が低下
する波長幅はグレーテイングの特性を反映して約０.０
５nmであった。

【００４４】（実施例５）実施例５は、実施例４と同様
に図１に示すものと同一の光増幅器構成とした。増幅用
光ファイバとしては、Ｐｒを５００ppm.wt添加したＰｒ
をＺrＦ-ＢaＦ-ＬiＦ-ＹＦ-ＡlＦ-ＮaＦ(ＺＢＹＬiＡ
Ｎ)系単一モードフッ化物ガラス光ファイバである。コ
アクラッド間の比屈折率差は３.５％、カットオフ波長
は０.８μmである。励起用光源は、発振波長１.０１７
μmのＩnＧaＡs系歪量子井戸構造レーザであり、２００
mAの駆動電流によりピグテイルファイバ出力８０mWを得
た。高い励起光量を実現するために、同一特性の半導体
レーザを使用した励起用光源を２個用意し、偏波合成の
技術により合波し、トータルでのピグテイルファイバ出
力１２５mWを実現した。

【００４５】無反射終端は、当該ファイバの端部を１０
度の角度に斜め研磨した後、高屈折率のマッチングオイ
ル（Ｎ_D：１.６）中に漬けた。

【００４６】使用した光サーキュレータ１は、動作波長
１.３０μmであり、偏波無依存動作するもので順方向挿
入損失１.０ｄBであり、逆方向阻止比は３０ｄBであっ
た。

【００４７】バンドパスフィルタ４の設置は、励起用光
源のピグテイルファイバ端、及びそれに接続されるＰｒ
添加フッ化物光ファイバ端には、各々ガラス製Ｖ溝ブロ
ックが装着され端面研磨されている。バンドパスフィル
タは、ピグテイルファイバ上に光誘起屈折率変化現象を
利用してファイバグレーティングを作製した。

【００４８】その作製方法を図８を用いて説明する。当
該ファイバ（８-５）を平面基板上に固定した後、アレ
キサンドライトレーザ８-１の４次高長波（波長０.２４
μm）を用いた。レーザ光を、ビームエキスパンダ８-２
で拡大・平行ビーム化した後、ハーフミラー８-４、可
動全反射ミラー８-３により構成される２光束干渉系に
より、当該ファイバ８-５上に干渉縞を形成した（干渉
縞を８-６に図示）。干渉縞の各ピーク位置では、ファ
イバコア内に添加されたＧｅＯ₂の吸収飽和し、その結
果として屈折率が変化する。この結果、ファイバ内に屈
折率グレーティングが作製できる。当該グレーティング
の波長１.０１７μmでの透過率は９５％、波長１.３１
μmでの反射率９９％である。反射特性は、中心波長１.
３１μm、半値全幅０.０５nmであった。

【００４９】励起光量が１５０mW、入射した信号光量が
−４５ｄBｍの条件において、最大信号光利得は１.１３
μmで得られており３３ｄBであった。３ｄB利得が低下
する波長幅はグレーティングの特性を反映して約０.１
オングストロームであった。

【００５０】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。

【００５１】例えば、本発明において述べた光ファイバ
増幅器の構成は、Ｐｒ添加フッ化物光ファイバやＥｒ添
加石英系光ファイバに限定されるものでないことは明ら
かである。使用する増幅用光ファイバとしては、マトリ
ックスガラスとしてフッ化物ガラス、石英系ガラス、多
成分系ガラス、ゲルマニウム系ガラス、カルコゲナイド
系ガラス等の幅広いガラスが使用でき、活性イオンとし
てはＨｏ，Ｔｍ，Ｎｉ，Ｃｒ等のレーザ遷移を有する遷
移金属イオン及び希土類イオン等が使用できる。

【００５２】また、使用する増幅用光ファイバに合わせ
て、バンドパスフィルタの特性及び光サーキュレータの
動作波長を選択することにより、事実上ほぼ全ての光フ
ァイバ増幅器に本発明の構成が適用できることは当然で
ある。

【００５３】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、光ファイバカップラを使用せずに光ファイバ増幅器
を構成することができるので、構成が単純化され、カッ
プラ部分での過剰損失発生による利得の低下を防止する
ことができる。

【００５４】また、本発明において使用するバンドパス
フィルタの特性を狭帯域反射特性にすることにより、利
得の向上及び雑音特性の向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による光ファイバ増幅器の基本構成を
説明するための模式構成図、

【図２】 本発明による光ファイバ増幅器の光サーキュ
レータの動作を説明するための図、

【図３】 本発明の実施例１の光ファイバ増幅器の励起
光量に対する増幅利得の測定結果を示す図、

【図４】 本実施例１における増幅利得の信号光波長依
存性を示す図、

【図５】 本発明の実施例２の光ファイバ増幅器におけ
る励起光量に対する増幅利得の測定結果を示す図、

【図６】 本実施例２における増幅利得の信号光波長依
存性を示す図、

【図７】 本発明の実施例４の光ファイバ増幅器で使用
したファイバ形グレーティングを示す図、

【図８】 本発明の実施例５の光ファイバ増幅器で使用
したファイバ形グレーティングの作製方法を説明するた
めの図。

【図９】 従来技術で構成した光ファイバ増幅器の概略
構成説明するための図。

【符号の説明】 １…光サーキュレータ、１-１，１-２，１-３，１-４…
ポート、２…入力ファイバ、２-１，２-２，２-３…入
出力ファイバ、２-４，２-７，２-９…ルチル結晶、２-
６，２-８…ファラデーローテータ、２-１１〜２-２２
…各偏波状態を示す図、３…出力ファイバ、４…バンド
パスフィルタ、５…無反射終端、６…増幅用光ファイ
バ、７…励起光源、７-１…ブロック、７-２…光ファイ
バ、７-３…グレーテイング、８-１…４次高長波（波長
０.４２μm）発振アレキサンドライトレーザ、８-２…
ビームエキスパンダ、８-３…可動形全反射ミラー、８-
４…ハーフミラー、８-５…基板上に固定したファイ
バ、８-６…干渉縞の光強度分布、９…希土類添加光フ
ァイバ、１０…ＷＤＭファイバカップラ、１１…半導体
レーザ、１２…偏波無依存動作アイソレータ、１３…出
力用光ファイバ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大石 泰丈 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘導放出遷移を有するイオンを少なくと
   もコア部分に含有し、光励起により反転分布を形成して
   特定の波長において光増幅作用を有する光増幅用ファイ
   バを備える光ファイバ型増幅器において、４ポートを有
   する光サーキュレータを使用し、信号入力用及び信号出
   力用の２本のファイバが光サーキュレータの互いに光学
   的に結合してない２箇所のポートに接続され、前記光サ
   ーキュレータの残されたポートのうちの一方に前記増幅
   用ファイバが接続され、該増幅用ファイバの他端がレー
   ザに光学的に結合されたレーザモジュールピグテイルフ
   ァイバの端部に接続され、前記増幅用ファイバとレーザ
   モジュールピグテイルファイバとの接続部に信号光を反
   射しレーザ光を通過させるフィルタを挿入していること
   を特徴とする光ファイバ増幅器。