JPH067643B2 - Low frequency amplifier - Google Patents
Low frequency amplifierInfo
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- JPH067643B2 JPH067643B2 JP59269015A JP26901584A JPH067643B2 JP H067643 B2 JPH067643 B2 JP H067643B2 JP 59269015 A JP59269015 A JP 59269015A JP 26901584 A JP26901584 A JP 26901584A JP H067643 B2 JPH067643 B2 JP H067643B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ラジオ受信機等の電子機器に用いる低周波増
幅器に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low frequency amplifier used for electronic equipment such as a radio receiver.
従来の技術 近年、各種電子機器の小型化，低コスト化に対する要求
が高まってきており、これに伴い各種部品に対する小型
化，低コスト化の要求が高まっている。また、小型化に
伴う使用電池の小型化により機器の省電流化が大きな問
題となってきている。2. Description of the Related Art In recent years, there have been increasing demands for miniaturization and cost reduction of various electronic devices, and accordingly, demands for miniaturization and cost reduction of various components are also increasing. In addition, due to the miniaturization of the batteries used with the miniaturization, the current saving of the device has become a big problem.
通常、小型電子機器に用いる低周波増幅器は省電流化，
高効率化という点からＢ級動作として用いている。この
場合、出力段トランジスタのベース・エミッタ間電圧対
コレクタ電流特性が非線形であるためクロスオーバー歪
が生じる。このため、トランジスタはその非線形性が問
題とならない状態に無信号時の動作点を設定し、無信号
時においてもコレクタバイアス電流を流しておく必要が
ある。この動作点設定は出力負荷の状態によって変って
くる。負荷としてスピーカを用い出力負荷のインピーダ
ンスが低くなった場合、負荷インピーダンスが高い場合
と比べ同一の出力電圧変化を得るために必要な出力電流
変化が大きくなるため、ベース・エミッタ間電圧対コレ
クタ電流特性がより線形に近くなるように動作点を設定
する。つまりコレクタバイアス電流をより多く流す状態
に動作点を設定する必要がある。この状態で負荷として
インピーダンスの高いもの、一例として３００Ωのイヤ
ホンを用いた場合には出力負荷電流よりも出力トランジ
スタのバイアス電流の方が大きくなる場合も生じ、省電
流化という点から問題を生じてしまう。従って、負荷イ
ンピーダンスに応じて適切なバイアス状態を個々に設定
する必要がある。Usually, low-frequency amplifiers used in small electronic equipment save current.
It is used as a class B operation from the viewpoint of high efficiency. In this case, crossover distortion occurs because the base-emitter voltage-collector current characteristic of the output stage transistor is non-linear. For this reason, it is necessary for the transistor to set the operating point in the absence of signal so that its nonlinearity does not matter, and to allow the collector bias current to flow even in the absence of signal. This operating point setting changes depending on the state of the output load. When a speaker is used as the load and the output load impedance is low, the output current change required to obtain the same output voltage change is larger than when the load impedance is high, so the base-emitter voltage-collector current characteristics Set the operating point so that is closer to linear. That is, it is necessary to set the operating point in a state where more collector bias current flows. In this state, if a load with high impedance, for example, an earphone of 300Ω is used, the bias current of the output transistor may become larger than the output load current, which causes a problem in terms of current saving. I will end up. Therefore, it is necessary to individually set an appropriate bias state according to the load impedance.
第４図に従来の回路を示す。第４図において、トランジ
スタ１５，２４は電流供給用であり、トランジスタ１４
とカレントミラー回路を構成し、定電流源１３の電流Ｉ
に等しい電流が各トランジスタのコレクタ電流として負
荷回路に供給される。トランジスタ１７，１８は差動増
幅回路を構成しており、トランジスタ１９，２０は差動
増幅回路の能動負荷である（抵抗１０，１２，１６，２
１，２２，２３は差動増幅回路のバイアス用であ
る。）。この差動増幅回路の出力はトランジスタ１７の
コレクタから信号増幅用トランジスタ２９のベースに入
力され、このトランジスタ２９によってトランジスタ３
０，３１，３５，３６で構成されるＢ級プッシュプル出
力回路を駆動する。トランジスタ２４、ダイオード３
３、抵抗２６，３２，３４は出力回路のバイアス回路を
構成する。抵抗３２，３４はダイオード３３のバイアス
用である。この回路でトランジスタ３０，３１のベース
・エミッタ間電圧は次式で与えられる。FIG. 4 shows a conventional circuit. In FIG. 4, the transistors 15 and 24 are for supplying current, and the transistor 14
And a current mirror circuit, and the current I of the constant current source 13
Is supplied to the load circuit as the collector current of each transistor. The transistors 17 and 18 form a differential amplifier circuit, and the transistors 19 and 20 are active loads of the differential amplifier circuit (resistors 10, 12, 16, 2).
Reference numerals 1, 22 and 23 are for biasing the differential amplifier circuit. ). The output of this differential amplifier circuit is input from the collector of the transistor 17 to the base of the signal amplifying transistor 29, and this transistor 29 causes the transistor 3
The class B push-pull output circuit composed of 0, 31, 35 and 36 is driven. Transistor 24, diode 3
3. The resistors 26, 32 and 34 form a bias circuit of the output circuit. The resistors 32 and 34 are for biasing the diode 33. In this circuit, the base-emitter voltage of the transistors 30 and 31 is given by the following equation.
ＶBE30＝（ＶD33＋ＶBE28）−（ＶBE31＋ＶR26）…(1) ＶBE31＝（ＶBE30＋ＶR26）−（ＶD33＋ＶBE28）…(2) 但し、 ＶBE28：トランジスタ２８のベース・エミッタ間電圧 ＶBE30：トランジスタ３０のベース・エミッタ間電圧 ＶBE31：トランジスタ３１のベース・エミッタ間電圧 ＶD33：ダイオード３３の順方向電圧降下 ＶR26：抵抗２６の両端における電圧降下 無信号動作状態においては、出力トランジスタ３５，３
６のコレクタ電流が等しく、かつトランジスタ３０，３
１が上記(1)式および(2)式を満足する状態で動作してい
る。出力トランジスタ３５，３６のコレクタバイアス電
流を変化させるには、トランジスタ３０，３１の無信号
時にベース・エミッタ間電圧を変化させればよい。その
ため、従来抵抗２６の抵抗値を変化させることにより対
応しており第４図に示すようにスイッチ３，４は連動し
ており、スイッチ３が開いた場合はスイッチ４はイヤホ
ン負荷５側に接続されている。抵抗２６はこの状態で適
切なバイアス状態となるように設定されている。次にス
イッチ３が閉じた場合、スイッチ４はスピーカ負荷６側
に接続される。スイッチ３が閉じることにより抵抗２７
が抵抗２６と並列に接続されるため、この並列抵抗両端
での電圧降下が小さくなる。従って(1)式および(2)式に
おけるＶR26の値が小さくなり、トランジスタ３０，３
１のベース・エミッタ間電圧が大きくなり、トランジス
タ３０、３１のコレクタ電流が大きくなる。この電流が
出力トランジスタ３５，３６のベース電流となるため、
出力トランジスタのコレクタバイアス電流も増加する。
抵抗２７の値は抵抗２６と並列に接続された状態で、ス
ピーカ駆動時に適切なバイアス状態となるような値に設
定する。以上のようにスイッチ３の開閉により、負荷に
応じた適切なバイアス状態を選択出来るようにすること
は可能になる。 V BE30 = (V D33 + V BE28) - (V BE31 + V R26) ... (1) V BE31 = (V BE30 + V R26) - (V D33 + V BE28) ... (2) However, V BE28: the base of the transistor 28 emitter voltage V BE30: voltage between the base and emitter of the transistor 30 V BE31: voltage between the base and emitter of the transistor 31 V D33: forward voltage drop V R26 diode 33: in the voltage drop across the no-signal operating conditions at both ends of the resistor 26 Is the output transistor 35, 3
6 have the same collector current and have transistors 30, 3
1 operates in a state of satisfying the expressions (1) and (2). To change the collector bias currents of the output transistors 35 and 36, the base-emitter voltage may be changed when the transistors 30 and 31 are not signaled. Therefore, this is dealt with by changing the resistance value of the conventional resistor 26, and the switches 3 and 4 are interlocked as shown in FIG. 4, and when the switch 3 is opened, the switch 4 is connected to the earphone load 5 side. Has been done. The resistor 26 is set to have an appropriate bias state in this state. Next, when the switch 3 is closed, the switch 4 is connected to the speaker load 6 side. When the switch 3 is closed, the resistance 27
Is connected in parallel with the resistor 26, so that the voltage drop across the parallel resistor becomes small. Therefore, the value of V R26 in the equations (1) and (2) becomes small, and the transistors 30, 3
The base-emitter voltage of 1 increases, and the collector currents of the transistors 30 and 31 increase. Since this current becomes the base current of the output transistors 35 and 36,
The collector bias current of the output transistor also increases.
The value of the resistor 27 is set to a value such that an appropriate bias state is obtained when the speaker is driven in a state where the resistor 27 is connected in parallel with the resistor 26. As described above, by opening / closing the switch 3, it becomes possible to select an appropriate bias state according to the load.
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第４図に示す従来の構成においては、こ
の回路をＩＣ化する場合、バイアス切換のためにスイッ
チ３を構成するａ，ｂの２つの端子を外付端子として持
たねばならず、ＩＣパツケージのピン数が増加する。前
記のような小型化，低コスト化の要求が高まるなかで、
ピン数増加によるＩＣパツケージの大型化，高コスト化
が問題となってきた。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention However, in the conventional configuration shown in FIG. 4, when this circuit is integrated into an IC, two terminals a and b constituting the switch 3 for bias switching are provided as external terminals. Therefore, the number of pins in the IC package increases. Amid the increasing demand for smaller size and lower cost,
Increasing the number of pins has made IC packages larger and more costly.
問題点を解決するための手段 本発明は、上記の問題点を解決するため、バイアス回路
に電流を供給する第１のトランジスタと互いにコレクタ
を接続し、スイッチの開閉により動作あるいは非動作と
なるバイアス回路への電流供給用の第２のトランジスタ
を設けたことを特長とするものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention connects a first transistor that supplies a current to a bias circuit and a collector to each other, and a bias that is activated or deactivated by opening or closing a switch. The feature is that a second transistor for supplying current to the circuit is provided.
作用 本発明は、低周波増幅器の電源ラインとの間にバイアス
電流切換用スイッチを構成出来るため、ＩＣ化した場
合、１端子の追加でバイアス電流を切換えることが可能
となり、ＩＣパツケージの小型化及びそれに伴う低コス
ト化を計ることが出来るものである。Effect According to the present invention, since a bias current switching switch can be formed between the power supply line of the low frequency amplifier and the IC, it is possible to switch the bias current by adding one terminal, thereby reducing the size of the IC package. The cost can be reduced accordingly.
実施例 第１図は本発明における第１の実施例を示す。第１図の
回路構成はトランジスタ４０の追加および抵抗２７の廃
止以外は第４図の回路と同一である。Embodiment 1 FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. The circuit configuration of FIG. 1 is the same as the circuit of FIG. 4 except that the transistor 40 is added and the resistor 27 is eliminated.
第１図のバイアス切換回路について以下に述べる。第４
図の回路説明で述べたように、トランジスタ３０，３１
のベース・エミッタ間電圧はそれぞれ(1)式および(2)式
で与えられる。第４図の回路ではトランジスタ３０、３
１のベース・エミッタ間電圧を変化させ、バイアス状態
を変化させるため、抵抗２６の値を変化させることによ
ってその両端での電圧降下を変化させている。これに対
し、第１図では抵抗２６の値を一定とし、抵抗２６に供
給される電流を変化させることによってもその両端での
電圧降下を変化させることが可能である。第１図におい
て、トランジスタ１４，１５，２４，４０はそれぞれベ
ースがお互いに接続されており、トランジスタ１４，１
５，２４のエミッタはすべて電源ラインに接続されてい
る。従ってこれら３つのトランジスタはカレントミラー
回路を構成しており、定電流源１３の電流Ｉに等しい電
流が各トランジスタのコレクタ電流として流れる。スイ
ッチ３を閉じた場合、トランジスタ４０のエミッタが電
源ラインに接続され動作状態となり、トランジスタ１
４，１５，２４，４０はカレントミラー回路を構成し、
トランジスタ４０のコレクタ電流もＩとなる。トランジ
スタ２４，４０のコレクタは抵抗２６と接続されている
ため、抵抗２６に供給される電流は２Ｉとなる。スイッ
チ３と連動するスイッチ４はイヤホン負荷６側に接続さ
れているスイッチ３を開いた場合、トランジスタ４０は
非動作となるため、抵抗２６に供給される電流はＩとな
り、抵抗２６両端での電圧降下が小さくなるため、出力
トランジスタ３５、３６のコレクタ電流が増加する。こ
の場合、スイッチ３と連動するスイッチ４はスピーカ負
荷５側に接続されている。本実施例ではＩ＝５０μＡに
対し、出力トランジスタ３５，３６のコレクタ電流は約
５ｍＡ変化する。本実施例をＩＣ化する場合には、スイ
ッチ３の端子ａのみの１端子の追加でバイアス電流切換
を行うことが出来る。The bias switching circuit of FIG. 1 will be described below. Fourth
As described in the circuit description of the figure, the transistors 30, 31
The base-emitter voltage of is given by equations (1) and (2), respectively. In the circuit of FIG. 4, transistors 30, 3
In order to change the base-emitter voltage of 1 to change the bias state, the voltage drop across the resistor 26 is changed by changing the value of the resistor 26. On the other hand, in FIG. 1, it is also possible to change the voltage drop across the resistor 26 by keeping the value of the resistor 26 constant and changing the current supplied to the resistor 26. In FIG. 1, the bases of the transistors 14, 15, 24, and 40 are connected to each other.
The emitters of 5, 24 are all connected to the power supply line. Therefore, these three transistors form a current mirror circuit, and a current equal to the current I of the constant current source 13 flows as a collector current of each transistor. When the switch 3 is closed, the emitter of the transistor 40 is connected to the power supply line to be in operation and the transistor 1
4, 15, 24, 40 form a current mirror circuit,
The collector current of the transistor 40 also becomes I. Since the collectors of the transistors 24 and 40 are connected to the resistor 26, the current supplied to the resistor 26 is 2I. When the switch 4 that is linked to the switch 3 is opened on the earphone load 6 side, the transistor 40 is deactivated, so that the current supplied to the resistor 26 becomes I and the voltage across the resistor 26 becomes Since the drop is small, the collector currents of the output transistors 35 and 36 increase. In this case, the switch 4 interlocking with the switch 3 is connected to the speaker load 5 side. In this embodiment, the collector current of the output transistors 35 and 36 changes by about 5 mA with respect to I = 50 μA. When this embodiment is integrated into an IC, the bias current can be switched by adding only one terminal a of the switch 3.
第２図は本発明における第２の実施例を示す。本実施例
は抵抗４１の追加以外は第１図に示す第１の実施例と同
一である。本実施例ではスイッチ３が閉じた場合、トラ
ンジスタ４０のエミッタおよび電源ライン間に抵抗４１
が挿入され、この抵抗値によって出力回路のバイアス状
態が適切な状態になるようにトランジスタ４０のコレク
タ電流を制御出来る。電流値の制御は、実施例の回路を
ＩＣ化した場合には、トランジスタ２４，４０のエミッ
タ面積を変化させて行ってもよい。また、トランジスタ
１４，２４、４０の各エミッタ，電源ライン間にそれぞ
れ抵抗を挿入し、抵抗比によって電流値を制御してもよ
い。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. This embodiment is the same as the first embodiment shown in FIG. 1 except that the resistor 41 is added. In this embodiment, when the switch 3 is closed, a resistor 41 is connected between the emitter of the transistor 40 and the power supply line.
Is inserted, and the collector current of the transistor 40 can be controlled by this resistance value so that the bias state of the output circuit becomes appropriate. The current value may be controlled by changing the emitter areas of the transistors 24 and 40 when the circuit of the embodiment is integrated into an IC. Further, a resistor may be inserted between each emitter of the transistors 14, 24 and 40 and the power supply line, and the current value may be controlled by the resistance ratio.
また、第３図に示す第３の実施例のようにトランジスタ
４０と同時に動作あるいは非動作となる他のトランジス
タ４２によって別回路５０を駆動することも可能であ
る。Further, as in the third embodiment shown in FIG. 3, it is also possible to drive the separate circuit 50 by another transistor 42 which operates or does not operate simultaneously with the transistor 40.
なお、バイアス回路以外の回路形成は実施例に限定され
るものではない。The circuit formation other than the bias circuit is not limited to the embodiment.
発明の効果 以上のように本発明は、電源ラインとの間に開閉スイッ
チを構成し、その開閉により出力負荷に応じて出力トラ
ンジスタのコレクタバイアス電流を設定することで省電
流化を計ることを可能にすると共に、ＩＣ化に際して１
ピンの端子追加で回路を実現出来るため、パツケージの
小型化によるＩＣの小型化および低コスト化を計ること
も可能にするものである。Effect of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to save the current by configuring the open / close switch between the power supply line and the open / close switch to set the collector bias current of the output transistor according to the output load. And to make it IC 1
Since a circuit can be realized by adding pin terminals, it is possible to reduce the size and cost of the IC by reducing the size of the package.
第１図は本発明の第１の実施例における回路図、第２図
は第２の実施例における回路図、第３図は第３の実施例
における回路図、第４図は従来の回路図である。 １……入力端子、２……電源ライン、３，４……スイッ
チ、５……スピーカ（低インピーダンス負荷）、６……
イヤホン（高インピーダンス負荷）、７，８，１１，３
８……コンデンサー、１０，１２，１６，２１，２２，
２３，２６，２７，３２，３４，３６，３７，４１……
抵抗、１４，１５，１７，１８，１９，２０，２４，２
８，２９，３０，３１，３５，３６，４０，４２……ト
ランジスタ、１３……定電流源、３３……ダイオード、
５０……トランジスタ４２によって電流を供給される別
の回路。1 is a circuit diagram of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of the second embodiment, FIG. 3 is a circuit diagram of the third embodiment, and FIG. 4 is a conventional circuit diagram. Is. 1 ... Input terminal, 2 ... Power line, 3, 4 ... Switch, 5 ... Speaker (low impedance load), 6 ...
Earphones (high impedance load), 7, 8, 11, 3
8 ... Condenser 10, 12, 16, 21, 22, 22
23, 26, 27, 32, 34, 36, 37, 41 ...
Resistance, 14, 15, 17, 18, 19, 20, 24, 2
8, 29, 30, 31, 35, 36, 40, 42 ... Transistor, 13 ... Constant current source, 33 ... Diode,
50 ... Another circuit supplied with current by the transistor 42.
Claims (1)
ランジスタのベースとを接続し、上記第１のトランジス
タのコレクタと上記第２のトランジスタのコレクタと第
３のトランジスタのベースと第１の抵抗の一方とを接続
し、上記第３のトランジスタのコレクタと第１の抵抗の
他方とを接続し、第３のトランジスタのエミッタと信号
増幅用の第４のトランジスタのコレクタとを接続し、上
記第３および第４のトランジスタにバイアス電流を供給
して上記第３のトランジスタのコレクタおよびエミッタ
からコンプリメンタリ接続された出力段の第５および第
６のトランジスタ駆動用の信号電流を各々取り出すよう
に構成するとともに、電源ライン、あるいはアースと上
記第２のトランジスタのエミッタ間に設けられたスイッ
チの開閉により上記第２のトランジスタを動作あるいは
非動作とすることによって、上記第３のトランジスタの
コレクタ電圧を変化させて、上記第５および第６のトラ
ンジスタの無信号時のコレクタ電流を変化させ、無信号
時の出力トランジスタのバイアス電流を変化させるよう
に構成したことを特徴とする低周波増幅器。1. A base of a first transistor and a base of a second transistor are connected to each other, and the collector of the first transistor, the collector of the second transistor, the base of the third transistor and the first transistor are connected to each other. One of the resistors is connected, the collector of the third transistor is connected to the other of the first resistors, the emitter of the third transistor is connected to the collector of the fourth transistor for signal amplification, and A bias current is supplied to the third and fourth transistors so that the signal currents for driving the fifth and sixth transistors of the complementary output stages are respectively extracted from the collector and emitter of the third transistor. At the same time, by opening and closing the switch provided between the power line or ground and the emitter of the second transistor, By operating or not operating the second transistor, the collector voltage of the third transistor is changed to change the collector currents of the fifth and sixth transistors when there is no signal, and the collector current of the third transistor when there is no signal is changed. A low-frequency amplifier characterized in that it is configured to change the bias current of an output transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269015A JPH067643B2 (en) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Low frequency amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269015A JPH067643B2 (en) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Low frequency amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145908A JPS61145908A (en) | 1986-07-03 |
| JPH067643B2 true JPH067643B2 (en) | 1994-01-26 |
Family
ID=17466483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269015A Expired - Lifetime JPH067643B2 (en) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Low frequency amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067643B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3732872C1 (en) * | 1987-09-30 | 1989-06-01 | Telefunken Electronic Gmbh | Integrated transistor push-pull amplifier |
| JP2005257851A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Konica Minolta Opto Inc | Optical unit, image pickup device, and mobile terminal |
| GB2482338A (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-01 | Just Audio Ltd | Portable headphone amplifier with user-selectable bias |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162609A (en) * | 1979-06-06 | 1980-12-18 | Toshiba Electric Equip Corp | Electric power amplifier |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP59269015A patent/JPH067643B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145908A (en) | 1986-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |