JPH067614B2 - Semiconductor laser drive system - Google Patents

Semiconductor laser drive system

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JPH067614B2
JPH067614B2 JP63055747A JP5574788A JPH067614B2 JP H067614 B2 JPH067614 B2 JP H067614B2 JP 63055747 A JP63055747 A JP 63055747A JP 5574788 A JP5574788 A JP 5574788A JP H067614 B2 JPH067614 B2 JP H067614B2
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この発明は、半導体レーザを駆動する方法に関するもの
である。
The present invention relates to a method for driving a semiconductor laser.

<従来の技術> 半導体レーザは、ある種のPN接合に順方向電流I
流すことによりレーザ光を得るもので、Iと光出力P
oとの関係はリニアではなく、Iを増加していくと、
ある電流Ithでレーザ発振が始まり、以後はIの増
加と共にレーザ光出力Poも増加する。この特性を第2
図に示す。
<Prior Art> semiconductor laser, so as to obtain a laser light by flowing a forward current I F to certain PN junction, I F and the optical output P
The relationship with o is not linear, and as I F increases,
Laser oscillation starts at a certain current Ith, and thereafter, the laser light output Po also increases as I F increases. This characteristic is the second
Shown in the figure.

ところが、Ithや微分効率ηと呼ばれるIの変化に
対するPoの変化の割合は一定ではなく、周囲温度や個
体によって変化する。
However, the proportion of Po changes in the relative change of the I F called Ith and the differential efficiency η is not constant but varies with ambient temperature and individual.

このような半導体レーザを一定光出力で駆動するため
に、第3図に示す方式が一般に用いられている。1は半
導体レーザで、増幅器3の出力で制御される電流源4に
よって駆動される。また光出力はホトダイオード2によ
ってモニタされ、第3図では抵抗5によって電圧に変換
される。この電圧は増幅器3に入力され、全体で負帰還
ループを構成している。増幅器3の一方の入力には、基
準電圧Vrefが印加されており、結局光出力は基準電圧
で規定される一定値になる。
In order to drive such a semiconductor laser with a constant light output, the method shown in FIG. 3 is generally used. Reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, which is driven by a current source 4 controlled by the output of the amplifier 3. The light output is monitored by the photodiode 2 and converted into a voltage by the resistor 5 in FIG. This voltage is input to the amplifier 3 and constitutes a negative feedback loop as a whole. The reference voltage Vref is applied to one input of the amplifier 3, and the optical output eventually becomes a constant value defined by the reference voltage.

第3図は、定常的に一定光出力を得るための構成である
が、ある種の応用においては、一定光出力を高速でオン
・オフする必要が生じる。その場合は例えば、第4図に
示す構成が用いられる。第4図は第3図の構成に、アナ
ログスイッチ7と静電容量8で構成されるサンプルホー
ルド回路と、高速電流スイッチ6、およびバッファアン
プ9追加したものである。第4図の動作は次のようなも
のである。まず、電流スイッチ6を右側に、スイッチ7
をオンにして、基準電圧Vrefで規定される一定光出力
を得る。次に7をオープンにする。このとき、ホールド
容量8で電圧が保持されるので、半導体レーザを駆動す
る電流は、変化しない。そうして電流スイッチ6を高速
でオン・オフして、光出力をオン・オフする。
Although FIG. 3 shows a configuration for constantly obtaining a constant light output, it is necessary to turn the constant light output on and off at a high speed in some applications. In that case, for example, the configuration shown in FIG. 4 is used. FIG. 4 shows the configuration of FIG. 3 in which a sample hold circuit composed of an analog switch 7 and an electrostatic capacitance 8, a high speed current switch 6 and a buffer amplifier 9 are added. The operation of FIG. 4 is as follows. First, the current switch 6 on the right side, the switch 7
Is turned on to obtain a constant light output defined by the reference voltage Vref. Then open 7. At this time, since the voltage is held by the hold capacitor 8, the current driving the semiconductor laser does not change. Then, the current switch 6 is turned on / off at high speed to turn on / off the optical output.

第4図の構成の場合、容量8でホールドされる電圧はア
ナログ量のため、長時間一定値を保持するのは困難であ
る。長時間にわたって光出力を一定に保つことができる
ように考えられたのが次の第5図の駆動方法である。
In the case of the configuration of FIG. 4, since the voltage held by the capacitor 8 is an analog amount, it is difficult to maintain a constant value for a long time. The driving method shown in FIG. 5 was designed to keep the light output constant for a long time.

第5図は、第4図のサンプルホールド部とバッファアン
プを除いて、アップ/ダウン・カウンタ11とD/A変
換器10と発振器12を導入したもので、増幅器3はコ
ンパレータとして働く。アップ/ダウン・カウンタ11
は、コンパレータ3の出力が“HIGH”の場合、発振
器12の出力パルスをカウントアップして、逆に“LO
W”の場合カウントダウンする。カウント結果はD/A
変換器10でIに変換され、レーザダイオード1を駆
動する。第5図では、電流スイッチ6が右側に倒れた場
合に、全体として負帰還ループを構成して光出力は基準
電圧Vrefで規定される値になる。第5図の場合1カウ
ント分の誤差は生じるが、帰還ループ中にディジタルコ
ードとなる部分があるため、長時間ホールドについても
問題ない。但し、前述のように半導体レーザのI−P
o特性がリニアでないため、高精度で一定光出力を得る
には、高分解能のD/A変換器が必要になる。
FIG. 5 shows an arrangement in which an up / down counter 11, a D / A converter 10 and an oscillator 12 are introduced except for the sample and hold section and the buffer amplifier shown in FIG. 4, and the amplifier 3 functions as a comparator. Up / down counter 11
When the output of the comparator 3 is "HIGH", the output pulse of the oscillator 12 is counted up, and conversely "LO" is output.
If W ", count down. Count result is D / A.
It is converted into I F by the converter 10 and drives the laser diode 1. In FIG. 5, when the current switch 6 is tilted to the right, a negative feedback loop is formed as a whole and the optical output has a value defined by the reference voltage Vref. In the case of FIG. 5, an error of one count occurs, but since there is a portion that becomes a digital code in the feedback loop, there is no problem in holding for a long time. However, I F -P semiconductor laser as described above
Since the o characteristic is not linear, a high resolution D / A converter is required to obtain a constant light output with high accuracy.

<発明が解決しようとする問題点> 第5図の方式において、半導体レーザのI−Po特性
で、IがIthに満たない場合レーザ発振は起こらな
い。よって、IがIth以下の領域は制御に用いるこ
とができない。そのために、Iの量子化誤差に比べて
Poの量子化誤差は大きくなる。本発明は上述の問題点
を解決し、Poの制御精度を上げることを目的としてい
る。
<Problems to be Solved by the Invention> In the system of FIG. 5, laser oscillation does not occur when I F is less than I th in the I F -Po characteristics of the semiconductor laser. Therefore, the region where I F is Ith or less cannot be used for control. Therefore, the quantization error of Po is larger than the quantization error of I F. An object of the present invention is to solve the above problems and improve Po control accuracy.

<問題点を解決するための手段> 本発明の半導体レーザ駆動方式は、一定光出力を得るた
めの帰還ループ中に少なくとも2個のD/A変換器を有
するシステムを用いて行う半導体レーザ駆動方式に於い
て、一の上記D/A変換器で上記一定光出力に対して予
め設定された所定の値まで光出力を粗調整し、他の上記
D/A変換器で、上記予め設定された所定の値から上記
一定光出力まで光出力を微調整し、高精度の光出力を得
ることを特徴とするものである。
<Means for Solving the Problems> The semiconductor laser driving method of the present invention is a semiconductor laser driving method using a system having at least two D / A converters in a feedback loop for obtaining a constant optical output. In one of the above D / A converters, the light output is roughly adjusted to a predetermined value preset for the constant light output, and in the other D / A converter, the preset light output is set. The optical output is finely adjusted from a predetermined value to the constant optical output to obtain a highly accurate optical output.

第1図は本発明のブロック図であって、第1図におい
て、1はレーザダイオード、2は光出力モニタ用のホト
ダイオード、3,14はコンパレータ、4,13はそれ
ぞれ、D/A変換器10,15で制御される電流源、5
は抵抗、6は高速電流スイッチ、11,16はアップ/
ダウン・カウンタ、12は発振器である。第1図は、
1,2,3,11,10,4,6,1からなるフィード
バックループA、及び、1,2,14,16,15,1
3,6,1からなるフイードバックループBの2系統の
負帰還ループで構成されている。フィードバックループ
Aで光出力の粗調整(大まかな調整)を行ない、フィー
ドバックループBで微調整を行なう。
1 is a block diagram of the present invention. In FIG. 1, 1 is a laser diode, 2 is a photodiode for monitoring an optical output, 3 and 14 are comparators, and 4 and 13 are D / A converters 10, respectively. , 15 controlled current source, 5
Is a resistor, 6 is a high-speed current switch, 11 and 16 are up /
A down counter, 12 is an oscillator. Figure 1 shows
Feedback loop A consisting of 1, 2, 3, 11, 10, 4, 6, and 1, and 1, 2, 14, 16, 15, 1
The feedback loop B is composed of 3, 6, and 1 and is composed of two negative feedback loops. The feedback loop A performs coarse adjustment (rough adjustment) of the optical output, and the feedback loop B performs fine adjustment.

<作 用> 第1図で、各負帰還ループの動作は第5図と同じである
が、基準電圧1Vrefは目的とする光出力Po2より少
し低い光出力Po1を目標値として設定されており、基準
電圧2Vrefは目的とする光出力Po2を目標値として
設定されている。まず両方のカウンタ11,16をリセ
ットして、電流源4,13の電流をゼロにして、スイッ
チ6は右に倒してフィードバックループAを動作させ
る。このとき、電流源4の電流は、光出力がPo1になる
電流IF1を目標に増加して、やがて、IF1から±ΔI
F1の範囲で振動するようになる。ΔIF1は(D/A変換
器10がフルスケールになった場合の電流源4の電流)
÷(D/A変換器10の分解能)、即ち、D/A変換器
10の1LSBに相当する電流源4の電流である。ここ
で、D/A変換器10の分解能とは達成可能なアナログ
レベル数である。次にカウンタ11のカウントを停止し
て、その時点のカウント値をホールドする。このとき電
流源4の電流は、目標値IF1から±ΔIF1の範囲内の定
電流IF1′になる。次にフィードバックループBを動作
させる。レーザダイオード1の駆動電流は、IF1′に電
流源13の電流が加算され、電流源13の電流は光出力
がPo2になる値IF2を目標に増加して、フィードバック
ループAの場合と同様にIF2から±ΔIF2の範囲で振動
するようになる。ここにΔIF2は、D/A変換器15の
1LSB相当の電流源13の電流である。ここで、カウ
ンタ16のカウント動作を停止して、カウント値をホー
ルドすると、電流源13の電流は、その目標値IF2から
±ΔIF2の範囲内の定電流IF2′となる。結局レーザダ
イオード1の駆動電流は、IF1′+IF2′になり、その
目標値からの誤差は、フィードバックループAには依存
せず、フィードバックループBでの誤差のみ、即ち、±
ΔIF2以内となる。D/A変換器15がフルスケールに
なった場合の電流源13の電流は、IF1に比べて小さく
選ぶことが可能なので、ΔIF2は、1系統で同一分解能
のD/A変換器を使用する場合に比較して、非常に小さ
くすることができ、光出力Poを高精度で制御できる。
以上の様子は第6図を参照されたい。尚基準電圧1Vre
fを目的とする光出力Po2より少し高い値に設定して、
高い側から目的の光出力に接近させる場合と同様であ
る。
In Figure 1 <a create>, but the operation of the negative feedback loop is the same as FIG. 5, the reference voltage 1Vref 1 is set the optical output Po 1 slightly lower than the optical output Po 2 of interest as a target value Therefore, the reference voltage 2Vref 2 is set with the target optical output Po 2 as the target value. First, both counters 11 and 16 are reset to zero the currents of the current sources 4 and 13, and the switch 6 is tilted to the right to operate the feedback loop A. At this time, the current of the current source 4 increases with the target of the current I F1 at which the optical output becomes Po 1 , and then, from I F1 to ± ΔI.
It will vibrate in the F1 range. ΔI F1 (current of current source 4 when D / A converter 10 is in full scale)
÷ (resolution of D / A converter 10), that is, the current of the current source 4 corresponding to 1 LSB of the D / A converter 10. Here, the resolution of the D / A converter 10 is the number of achievable analog levels. Next, the count of the counter 11 is stopped and the count value at that time is held. At this time, the current of the current source 4 becomes a constant current I F1 ′ within the range of the target value I F1 of ± ΔI F1 . Next, the feedback loop B is operated. The driving current of the laser diode 1 is obtained by adding the current of the current source 13 to I F1 ′, and the current of the current source 13 is increased by targeting the value I F2 at which the optical output becomes Po 2, and the current of the feedback loop A is the same. Similarly, it comes to oscillate within a range of I F2 to ± ΔI F2 . Here, ΔI F2 is the current of the current source 13 corresponding to 1 LSB of the D / A converter 15. Here, when the count operation of the counter 16 is stopped and the count value is held, the current of the current source 13 becomes a constant current I F2 ′ within the range of the target value I F2 of ± ΔI F2 . Eventually, the drive current of the laser diode 1 becomes I F1 ′ + I F2 ′, and the error from the target value does not depend on the feedback loop A, only the error in the feedback loop B, that is, ±
Within ΔI F2 . The current of the current source 13 when the D / A converter 15 becomes full scale can be selected smaller than I F1 , so ΔI F2 uses a D / A converter of the same resolution in one system. The light output Po can be controlled very accurately as compared with the case where the light output Po is performed.
Refer to FIG. 6 for the above situation. The reference voltage is 1Vre
Set f to a value slightly higher than the desired optical output Po 2 ,
This is similar to the case of approaching the target light output from the higher side.

<実施例> 第7図に本発明の実施例を示す。第1図の電流スイッチ
6を106で構成、電流源4,13をそれぞれ104,
113で構成している。なお、第1図のコンパレータ
3,14および基準電圧1、基準電圧2は、第7図で
は、コンパレータ103と基準電圧Vref、および抵抗
,R,Rと、トランジスタQでまとめてあ
る。表1は、コントロールロジックと、カウンタ1,
2、Qおよび電流スイッチ106の動作の対応表であ
る。カウンタ2は大まかな調整用、カウンタ1は微調整
用で、コントロール信号R及びCが10→11→01→
00で一連の光出力設定サイクルになっている。
<Example> FIG. 7 shows an example of the present invention. The current switch 6 in FIG. 1 is composed of 106, the current sources 4 and 13 are respectively 104,
It is composed of 113. The comparators 3 and 14 and the reference voltage 1 and the reference voltage 2 in FIG. 1 are collectively shown in FIG. 7 by the comparator 103, the reference voltage Vref, the resistors R 1 , R 2 and R 3, and the transistor Q 1. is there. Table 1 shows the control logic, counter 1,
2 is a correspondence table of operations of 2, Q 1 and the current switch 106. The counter 2 is for rough adjustment, the counter 1 is for fine adjustment, and the control signals R and C are 10 → 11 → 01 →
00 is a series of light output setting cycles.

その他の実施例を第8図に示す。第9図は当該実施例に
おける調整動作の時間変化を示す図である。
Another embodiment is shown in FIG. FIG. 9 is a diagram showing a change with time of the adjusting operation in the embodiment.

第7図の前記実施例においてはフィードバックループA
(粗調整)の光出力目標値は最終的な光出力目標値以下
に設定されるが、第8図の実施例ではフイードバックル
ープA(粗調整)の光出力目標値(Po1)は最終的な光
出力目標値(Po2)以上に設定される。
In the embodiment of FIG. 7, the feedback loop A
Although the optical output target value of (coarse adjustment) is set to be equal to or lower than the final optical output target value, in the embodiment of FIG. 8, the optical output target value (Po 1 ) of feedback loop A (coarse adjustment) is final. It is set to be equal to or higher than the target light output value (Po 2 ).

表2は当該実施例における動作を表1に対応させて表わ
したものである。
Table 2 shows the operation in the embodiment in correspondence with Table 1.

更にその他の実施例を第10図に示す。第11図は当該
実施例の調整動作の時間変化を示す図である。表3は本
実施例における動作を表わしたものである。
Still another embodiment is shown in FIG. FIG. 11 is a diagram showing the change over time in the adjusting operation of this embodiment. Table 3 shows the operation in this embodiment.

本実施例では粗調整時の光出力目標値は最終的な光出力
目標値と同値に設定する。この方式では第7図、第8図
の実施例に比べ基準電圧切換え回路(R,R
,Q)が不要となることなどの利点がある。
In this embodiment, the light output target value at the time of coarse adjustment is set to the same value as the final light output target value. In this method, compared with the embodiment of FIGS. 7 and 8, the reference voltage switching circuits (R 1 , R 2 ,
There is an advantage such that R 3 and Q 1 ) are unnecessary.

なおフィードバックループB(微調整)を構成するカウ
ンタ1のイニシャライズ値はフルカウントの1/2にセッ
トされる。
The initialization value of the counter 1 which constitutes the feedback loop B (fine adjustment) is set to 1/2 of the full count.

<発明の効果> 以上詳細に説明したように、本発明は、一のD/A変換
器を有する帰還ループを用いた場合の光出力の精度と同
等の精度の光出力を得るシステムを、実現が容易な、上
記一のD/A変換器の分解能より低分解能のD/A変換
器で構成できるため、製品の低価格化が図れるという効
果を奏するものである。
<Effects of the Invention> As described in detail above, the present invention realizes a system that obtains an optical output with the same accuracy as the optical output when a feedback loop having one D / A converter is used. Since it can be configured with a D / A converter having a lower resolution than the resolution of the above-mentioned one D / A converter, it is possible to reduce the cost of the product.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、2系統の負帰還ループで構成した半導体レー
ザ駆動回路を示す図。第2図は、レーザダイオードの順
方向電流Iと光出力Poとの関係を示す図。第3図
は、一定光出力を得るための半導体レーザ駆動回路ブロ
ック例を示す図。第4図は、サンプルホールド回路を用
いた、一定光出力の高速スイッチングを行なうための半
導体レーザ駆動回路ブロック例を示す図。第5図は、光
出力設定フィードバックループにD/A変換器を挿入し
た、一定光出力の高速スイッチングを行なうための半導
体レーザ駆動回路ブロック例を示す図。第6図は、半導
体レーザのドライブ電流の時間変化及びI−Po特性
(2系統)を示す図。第7図は、本発明の実施例を示す
図。第8図は、本発明による他の実施例を示す図。第9
図は同他の実施例における半導体レーザのドライブ電流
の時間変化及びI−Po特性(2系統)を示す図。第
10図は本発明による更に他の実施例を示す図。第11
図は同更に他の実施例における半導体レーザのドライブ
電流の時間変化及びI−Po特性図である。 1,101…半導体レーザ(レーザダイオード)、 2,102…光出力モニタ用ホトダイオード、 3,103…増幅器(コンパレータ)、 4,104…電流源、 5,105…抵抗、 6,106…高速電流スイッチ、 7…アナログスイッ
チ、 8…電圧ホールド用静電容量、9…バッファアン
プ、 10,110…D/A変換器、 11,111…
アップ/ダウン・カウンタ、 12,112…発振器、
13,113…電流源、 14…増幅器(コンパレー
タ)、 15,115…D/A変換器、 16,116
…アップ/ダウン・カウンタ。
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor laser drive circuit composed of two negative feedback loops. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the forward current I F of the laser diode and the optical output Po. FIG. 3 is a diagram showing an example of a semiconductor laser drive circuit block for obtaining a constant light output. FIG. 4 is a diagram showing an example of a semiconductor laser drive circuit block for performing high-speed switching of a constant light output using a sample hold circuit. FIG. 5 is a diagram showing an example of a semiconductor laser drive circuit block in which a D / A converter is inserted in a light output setting feedback loop for performing high-speed switching of a constant light output. Figure 6 is a diagram showing a time change and I F -Po characteristics of the semiconductor laser drive current (2 strains). FIG. 7 is a diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a diagram showing another embodiment according to the present invention. 9th
Figure is a diagram showing a temporal change and I F -Po characteristics of the drive current of the semiconductor laser in the same alternative embodiment (2 strains). FIG. 10 is a view showing still another embodiment according to the present invention. 11th
Figure is a time change and I F -Po characteristic diagram of the drive current of the semiconductor laser in the further embodiment. 1, 101 ... Semiconductor laser (laser diode), 2, 102 ... Photo output monitoring photodiode, 3, 103 ... Amplifier (comparator), 4, 104 ... Current source, 5, 105 ... Resistor, 6, 106 ... High-speed current switch , 7 ... Analog switch, 8 ... Capacitance for voltage hold, 9 ... Buffer amplifier, 10, 110 ... D / A converter, 11, 111 ...
Up / down counter, 12, 112 ... Oscillator,
13, 113 ... Current source, 14 ... Amplifier (comparator), 15, 115 ... D / A converter, 16, 116
… Up / down counter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一定光出力を得るための帰還ループ中に少
なくとも2個のD/A変換器を有するシステムを用いて
行う半導体レーザ駆動方式に於いて、 一の上記D/A変換器で上記一定光出力に対して予め設
定された所定の値まで光出力を粗調整し、 他の上記D/A変換器で、上記予め設定された所定の値
から上記一定光出力まで光出力を微調整し、高精度の光
出力を得ることを特徴とする半導体レーザ駆動方式。
1. A semiconductor laser driving method using a system having at least two D / A converters in a feedback loop for obtaining a constant optical output, wherein one D / A converter is used. The light output is roughly adjusted to a predetermined value set in advance for a constant light output, and the other D / A converter finely adjusts the light output from the predetermined value set to the constant light output. The semiconductor laser driving method is characterized by obtaining high-precision optical output.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821386A (en) * 1981-07-30 1983-02-08 Fujitsu Ltd Controller for semiconductor laser
JPS6230466A (en) * 1985-07-31 1987-02-09 Ricoh Co Ltd Regulating method for output of semiconductor laser
JPH0614663B2 (en) * 1986-09-19 1994-02-23 株式会社リコー Optical scanning device

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