JPH0674499B2 - ポリパラキシリレン薄膜の形成方法 - Google Patents
ポリパラキシリレン薄膜の形成方法Info
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- JPH0674499B2 JPH0674499B2 JP59089038A JP8903884A JPH0674499B2 JP H0674499 B2 JPH0674499 B2 JP H0674499B2 JP 59089038 A JP59089038 A JP 59089038A JP 8903884 A JP8903884 A JP 8903884A JP H0674499 B2 JPH0674499 B2 JP H0674499B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- ppx
- film
- forming
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は電子部品や電子回路等の材料として広く用い
られているAl基板上にポリパラキシリレン薄膜を形成さ
せる方法の改良に関するものである。
られているAl基板上にポリパラキシリレン薄膜を形成さ
せる方法の改良に関するものである。
電子部品や電子回路等の電子材料としてAl基板は広く使
用されている。
用されている。
そしてこのAl基板上にポリパラキシリレンあるいはその
誘導体の薄膜を蒸着にて形成させたものも知られてい
る。
誘導体の薄膜を蒸着にて形成させたものも知られてい
る。
このポリパラキシリレン（以下PPXと略称する）はユニ
オンカーバイド社（UCC）が開発したものであるが、蒸
着コーティングが可能なこと、誘電損失が小さいこと、
絶縁耐圧が大きいことなどのすぐれた性質を有するた
め、電子部品、電子回路等への応用が期待されている。
オンカーバイド社（UCC）が開発したものであるが、蒸
着コーティングが可能なこと、誘電損失が小さいこと、
絶縁耐圧が大きいことなどのすぐれた性質を有するた
め、電子部品、電子回路等への応用が期待されている。
ところが、このAl基板上に蒸着されたPPX膜は、Al基板
との密着性が悪く、ちょっとした引掻き傷ででもたやす
くPPX膜が剥離してしまうという欠点があるため、未だ
広く応用されるまでには至っていない。
との密着性が悪く、ちょっとした引掻き傷ででもたやす
くPPX膜が剥離してしまうという欠点があるため、未だ
広く応用されるまでには至っていない。
そしてこのようなAl基板上へのPPX膜の密着性を改善す
るために、 サンドブラストでAl表面をあらしたうえでPPXを蒸着
する。
るために、 サンドブラストでAl表面をあらしたうえでPPXを蒸着
する。
硫酸−重クロム酸の混液でAlをエッチングしたのちPP
Xを蒸着する。
Xを蒸着する。
の方法が知られている。
しかしながら、の方法では得られたPPX膜の表面状態
の影響が電気特性に敏感に作用するコンデンサや微少回
路等には使用できないこと、またの方法ではPPXのAl
基板への密着性は確かに向上するが、この混酸水溶液に
よるエッチングがかなり強力であるため、Al基板表面は
かなり粗くなり、密着不良がでやすい。しかしてこのエ
ッチング条件のコントロールが難しいこと、さらにクロ
ムを用いるため、廃液処理が高価につくこと、 など夫々に欠点が指摘されている。
の影響が電気特性に敏感に作用するコンデンサや微少回
路等には使用できないこと、またの方法ではPPXのAl
基板への密着性は確かに向上するが、この混酸水溶液に
よるエッチングがかなり強力であるため、Al基板表面は
かなり粗くなり、密着不良がでやすい。しかしてこのエ
ッチング条件のコントロールが難しいこと、さらにクロ
ムを用いるため、廃液処理が高価につくこと、 など夫々に欠点が指摘されている。
本発明者らは、上記したような特性を有するPPX膜をAl
基板上に施すために、Al基板を陽極酸化して、その上に
PPXを蒸着することや、Al基板上にAlを蒸着したのち、
その上にPPXを蒸着することなどAl基板とPPX蒸着膜との
密着性向上を目的として検討したが、まだ満足するに至
らず、さらに改良を加えた結果、この発明の方法を見出
したものである。
基板上に施すために、Al基板を陽極酸化して、その上に
PPXを蒸着することや、Al基板上にAlを蒸着したのち、
その上にPPXを蒸着することなどAl基板とPPX蒸着膜との
密着性向上を目的として検討したが、まだ満足するに至
らず、さらに改良を加えた結果、この発明の方法を見出
したものである。
即ち、この発明は脱脂、アルカリエッチングなどの前処
理を行ったAl基板をNaOH250〜500g/とZnO2〜100g/
の組成の混合水溶液に浸漬してAl基板上に予めZn皮膜を
形成させたのち、このZn皮膜の上にPPX薄膜を形成せし
める方法であり、Al基板とPPX膜の間に双方に密着性の
よいZn皮膜を形成せしめたことを特徴とするものであ
る。
理を行ったAl基板をNaOH250〜500g/とZnO2〜100g/
の組成の混合水溶液に浸漬してAl基板上に予めZn皮膜を
形成させたのち、このZn皮膜の上にPPX薄膜を形成せし
める方法であり、Al基板とPPX膜の間に双方に密着性の
よいZn皮膜を形成せしめたことを特徴とするものであ
る。
ここでPPX膜の形成方法としては、例えば真空蒸着法、
プラズマ重合などが挙げられる。
プラズマ重合などが挙げられる。
以下、この発明のPPX薄膜の形成方法についてその工程
を追って詳細に説明する。
を追って詳細に説明する。
即ち、この発明はAl基板を （１）トリクレン洗浄あるいはアセトン浸漬などによっ
て表面脱脂し、 （２）60〜70℃の５％NaOH水溶液に15秒間浸漬して表面
をアルカリエッチングする。
て表面脱脂し、 （２）60〜70℃の５％NaOH水溶液に15秒間浸漬して表面
をアルカリエッチングする。
（３）濃度20〜30％の硝酸の10〜30℃の液に３〜５秒浸
漬する。
漬する。
（４）硝酸:H2O＝3:1の硝酸水溶液と１水素２弗化アン
モニウム120g/の混合水溶液の10〜30℃液に５〜６秒
浸漬して酸性エッチングを行なう。
モニウム120g/の混合水溶液の10〜30℃液に５〜６秒
浸漬して酸性エッチングを行なう。
（５）再度（３）の硝酸水溶液に３〜５秒浸漬する。
（６）NaOH250〜500g/とZnO5〜100g/の混合水溶液
に20〜30℃で20〜30秒間浸漬してAl基板上にZn膜を形成
させる。
に20〜30℃で20〜30秒間浸漬してAl基板上にZn膜を形成
させる。
（７）純水洗浄 （８）N2ガス吹付け乾燥 したのち、Al基板のZn膜上にPPX薄膜を蒸着にて形成さ
せるものである。
せるものである。
要するにこの発明は、Al基板とPPX蒸着薄膜との間にZn
膜を介在せしめることが特徴である。
膜を介在せしめることが特徴である。
しかして、この発明でZn皮膜形成のために用いるNaOHと
ZnOの混合液の組成は、 NaOH250〜500g/、ZnO2〜100g/が好ましい。
ZnOの混合液の組成は、 NaOH250〜500g/、ZnO2〜100g/が好ましい。
ZnOが２〜100g/であれば、均質なZn膜が得られる濃度
であり、2g/未満では均質な膜が得られず、100g/を
超えると均質な膜は得られるが、ZnOを均一に溶解させ
るのが困難であり、Znが沈澱するため、これ以上の濃度
にするのは無意味である。
であり、2g/未満では均質な膜が得られず、100g/を
超えると均質な膜は得られるが、ZnOを均一に溶解させ
るのが困難であり、Znが沈澱するため、これ以上の濃度
にするのは無意味である。
また、NaOHを250〜500g/としたのは、ZnOを溶解する
のに十分な濃度であり、250g/未満ではZnOを溶解する
のに不十分であり、500g/を超えるとAl基板をエッチ
ングすることになる。
のに十分な濃度であり、250g/未満ではZnOを溶解する
のに不十分であり、500g/を超えるとAl基板をエッチ
ングすることになる。
実際に150×70×1mmの寸法もAl基板を３枚用意し、上記
した工程にて前処理を行ない、これをNaOH400g/、ZnO
30g/の20〜30℃混合水溶液に30秒間浸漬してAl基板上
にZn皮膜を形成せしめ、その後このZn皮膜上にPPX薄膜
を蒸着させた。
した工程にて前処理を行ない、これをNaOH400g/、ZnO
30g/の20〜30℃混合水溶液に30秒間浸漬してAl基板上
にZn皮膜を形成せしめ、その後このZn皮膜上にPPX薄膜
を蒸着させた。
かくして得たPPX薄膜を蒸着したAl基板を試験片とし
て、JIS K-5400のゴバン目試験に基づいて該試験片の
ほぼ中央に、直交する縦横11本づつの平行線を1mmの間
隔で引いて、1cm2の中に100個のマス目ができるようゴ
バン目状の切り傷をつけた。
て、JIS K-5400のゴバン目試験に基づいて該試験片の
ほぼ中央に、直交する縦横11本づつの平行線を1mmの間
隔で引いて、1cm2の中に100個のマス目ができるようゴ
バン目状の切り傷をつけた。
このような試験片３枚のうち２枚以上についてPPX薄膜
面にあらわれたゴバン目状の傷の状態を観察した。
面にあらわれたゴバン目状の傷の状態を観察した。
なお比較として Al基板上にAlを蒸着したもの Al基板を陽極酸化したもの Al基板をアルカリエッチングしたもの Al基板をアルカリエッチングし、さらに酸性エッチン
グしたもの 硫酸−重クロム酸混液にてAl基板をエッチングしたも
の の夫々の処理をしたものについてもPPXの薄膜を蒸着に
て形成させ、本発明の方法によるものと同様にゴバン目
状の切り傷を入れ、その傷の状態を観察した。
グしたもの 硫酸−重クロム酸混液にてAl基板をエッチングしたも
の の夫々の処理をしたものについてもPPXの薄膜を蒸着に
て形成させ、本発明の方法によるものと同様にゴバン目
状の切り傷を入れ、その傷の状態を観察した。
それらの結果は第１表の通りである。
なお上表の評価点数はPPX薄膜上に付したゴバン目傷の
状態から第２表の如き基準で判定したものである。
状態から第２表の如き基準で判定したものである。
また、この発明においてNaOH400g/に添加するZnOの量
と、それにより形成したZn皮膜によるPPX薄膜のAl基板
に対する密着性の度合いについて調べたところ、第３表
の如くZnO2g/以上で良好な結果を示すことが認められ
た。
と、それにより形成したZn皮膜によるPPX薄膜のAl基板
に対する密着性の度合いについて調べたところ、第３表
の如くZnO2g/以上で良好な結果を示すことが認められ
た。
Claims (2)
- 【請求項１】Al基板上にZnの薄層を形成したのち、この
Zn薄層上にポリパラキシリレンまたはその誘導体の薄膜
を形成させることを特徴とするポリパラキシリレン薄膜
の形成方法。 - 【請求項２】前記Znの薄層の形成をNaOH250〜500g/と
ZnO2〜100g/の混合水溶液にAl基板を浸漬して行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のポリパラ
キシリレン薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089038A JPH0674499B2 (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | ポリパラキシリレン薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089038A JPH0674499B2 (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | ポリパラキシリレン薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234963A JPS60234963A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0674499B2 true JPH0674499B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=13959718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089038A Expired - Lifetime JPH0674499B2 (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | ポリパラキシリレン薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0674499B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153986A (en) * | 1991-07-17 | 1992-10-13 | International Business Machines | Method for fabricating metal core layers for a multi-layer circuit board |
| EP1943549A2 (en) * | 2005-09-19 | 2008-07-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Composite layer having improved adhesion, and fluid focus lens incorporating same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137785B2 (ja) * | 1972-11-14 | 1976-10-18 | ||
| US3840387A (en) * | 1973-05-01 | 1974-10-08 | Union Carbide Corp | Masking process by thermal repelling of coating |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP59089038A patent/JPH0674499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234963A (ja) | 1985-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |