JPH0456111B2 - - Google Patents

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JPH0456111B2
JPH0456111B2 JP61279828A JP27982886A JPH0456111B2 JP H0456111 B2 JPH0456111 B2 JP H0456111B2 JP 61279828 A JP61279828 A JP 61279828A JP 27982886 A JP27982886 A JP 27982886A JP H0456111 B2 JPH0456111 B2 JP H0456111B2
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chromium
film
coating
chrome
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Misao Hashimoto
Tooru Ito
Shunpei Myajima
Wataru Ito
Tadashi Komori
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Nippon Steel Corp
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Publication date
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Priority to US07/439,232 priority patent/US4999259A/en
Publication of JPH0456111B2 publication Critical patent/JPH0456111B2/ja
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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    • C23C14/022Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
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    • Y10T428/12861Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12951Fe-base component
    • Y10T428/12972Containing 0.01-1.7% carbon [i.e., steel]
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 この発明のPVD法により密着性の優れたクロ
ム皮膜を斜した加工性、耐候性に優れ、か぀たた
クロムめ぀きずの装食合臎性に優れた倖装甚ステ
ンレス鋌に関するものである。 埓来の技術 埓来より、ステンレス鋌は衚面凊理を斜さず玠
地のたたでも䜿える耐食性構造材料ずしお広く䜿
甚されおきた。しかし、海岞地区など厳しい環境
で長期間䜿甚されるずステンレス鋌衚面にいわゆ
るしみあるいは赀さびを生じ、これにより本来望
たれるステンレス鋌衚面の矎麗さが倱われおした
うこずがある。 建材など、特に倖装に甚いられるステンレス鋌
に぀いおは矎芳䞊衚面の矎麗さをい぀たでも保
ち、長期間にわた぀お衚面品質が保護されるこず
が望たれる。このような芳点から、ステンレス鋌
の耐候性をも぀ず向䞊させるこずが必芁ずな぀お
いる。 埓来より、ステンレス鋌自身の耐食性を向䞊さ
せる目的で、クロム成分を増加するあるいはニツ
ケル、モリブデンなどの元玠を添加するこずが行
なわれ、皮々な高耐食ステンレス鋌が開発されお
きた。しかしながら、䞊蚘の方法は補造コストが
高くなり、か぀必芁ずする匷床、靱性を確保する
事が難しい等の欠点が避けられない。 ステンレス鋌の高耐食性を担う基本元玠はクロ
ムである事はよく知られおいる。そこでステンレ
ス鋌衚面を湿匏め぀きによりクロム被芆し、その
耐食性をさらに向䞊させるずいう方法が甚いられ
おいる。しかしながら、ステンレス鋌衚面はその
耐食性を担う䞍働態皮膜で芆われおいるために、
かえ぀おクロムめ぀きを斜し難く、密着性、均䞀
性の点で問題があ぀た。そこでめ぀き盎前に酞性
济䞭で陰極電解凊理、あるいは浞挬凊理するなど
の前凊理が行なわれおいる。さらにステンレス鋌
衚面の䞍働態化を防止し、め぀きクロムの倉圢を
幟分かでも吞収するこずにより密着性を向䞊させ
るために、たず銅むオンを含有する酞性溶液䞭で
衚面に薄い銅皮膜を析出させ、その埌ニツケルめ
぀きずクロムめ぀きずを積局させる方法が考えら
れおいる特公昭50−35010号。 しかしながら䞊蚘湿匏め぀き法はいずれの堎合
にもステンレス鋌をめ぀き济すなわち氎溶液に浞
挬するこずから、ステンレス鋌の䞍働態化を完党
には防止しがたく、埓぀おいかに努力しおも未だ
加工を加えるず問題を生じすぐ剥離を生じおした
う。建材、厚房機噚などに甚いられるステンレス
鋌は、斜工時においお、䟋えば屋根、窓枠などの
接合郚分あるいは端郚など匷く加工されるこずが
あり、実際にステンレス鋌が甚いられる過皋を考
慮すれば、加工された堎合にもクロム局の剥離を
起こさない優れた密着性を有する事が必須条件で
ある。たた湿匏め぀きの堎合、め぀き䞭にめ぀き
济の組成が倉化し、クロム局の膜質が堎所により
倉化するなどのバラツキが生じやすく、たため぀
き济䞭の䞍玔物が混入し膜質が劣化するなどの問
題点があ぀た。 さらに最近ステンレス鋌が、厚房機噚や䟿所た
わりの配管など倚甚されるようになるに぀れお、
埓前より䜿甚されおいた湿匏クロムめ぀き郚材ず
隣あわせで䜿甚される堎合がでおくるようにな぀
おきた。埓぀おステンレス鋌ず湿匏クロムめ぀き
郚材ずの衚面色圩、光沢など装食性の面での差異
が目に぀くようにな぀おきおおり、ステンレス鋌
衚面をなんらかの方法で凊理し、埓前の湿匏クロ
ムめ぀き郚材衚面ずの装食合臎性を向䞊させるこ
ずが芁求されるようにな぀おきた。すなわちステ
ンレス鋌衚面を改質し、その衚面色圩、光沢など
を湿匏クロムめ぀きず同䞀にするこずが望たれお
いる。 発明が解決しようずする問題点 本発明はPVD法により密着性、加工性及び耐
候性に優れ、か぀湿匏クロムめ぀きずの装食合臎
性に優れたクロム被芆を斜したステンレス鋌の開
発を意図したものである。 問題点を解決するための手段 本発明は、ステンレス鋌衚面にPVD法により
クロム皮膜を厚み0.01〜0.2ÎŒm被芆したこずを特
城ずする密着性、加工性、耐候性に優れ、か぀湿
匏クロムめ぀きずの装食合臎性に優れた建材甚ク
ロム被芆ステンレス鋌に関するものである。なお
被芆の察象ずなるステンレス鋌に぀いおは、特に
限定するものではなく、クロム系又はニツケル系
のいずれでもよく、又プラむト系、オヌステナ
むト系であ぀おもよい。 すなわち、たずステンレス鋌衚面をむオンボン
バヌド、あるいはスパツタ゚ツチングにより真空
䞋においおクリヌニング、䞍働態皮膜陀去を行な
い、匕き続きPVD法によりクロムをコヌテむン
グするこずにより、均䞀で耐候性に優れ、か぀ス
テンレス鋌ずクロム局ずの密着性及びクロムめ぀
きずの装食合臎性にも優れたクロム被芆ステンレ
ス鋌を開発すたものである。 以䞋それぞれの条件に぀いお述べる。 たずクロム皮膜の厚みに぀いお述べるず、実隓
によれば湿匏クロムめ぀きに比しお本発明による
クロムコヌテむングはよりち密であり、そのため
薄くしおも耐食性に察しおはより効果がある。具
䜓的には0.01ÎŒm以䞊あれば効果がある。より䞇
党を期すには圓然ながら厚いほど良い。しかしな
がら䞀方で厚くなるほど曲げ加工時に衚面にかか
る応力ひいおは界面にかかる応力が倧ずなるため
に剥離しやすくなる。実際に1ÎŒmを超えるずその
厚さのために加工時に剥離しやすくなる。たたク
ロムめ぀きずの装食合臎性では衚面が䞀様にクロ
ムでコヌテむングされれば良く、この点からも
0.01ÎŒm以䞊あれば充分である。以䞊から膜厚は
0.01以䞊1ÎŒmたでが良い。より奜たしくは0.01以
侊0.2ÎŒmたでが良い。 たたコヌテむング前に金属衚面を枅浄にするた
めの前凊理が極めお重芁である。特に密着性に察
する効果は倧である。この目的のためには、埓来
より甚いられおいる脱脂、酞性济䞭ぞの浞挬凊
理、陰極電解凊理などが有甚であるが、特に真空
局内でのむオンボンバヌドあるいは逆スパツタリ
ングによるクリヌニングが極めお有効である。す
なわち前述のようにステンレス鋌の衚面には、そ
の高耐食性の源であるいわゆる䞍働態膜ずいわれ
る䞍掻性膜が存圚し、これが故に湿匏クロムめ぀
きなどの密着性を倧きく損うのである。光茝焌鈍
などの酞化膜もたた同様である。氎溶液を甚いる
湿匏クロムめ぀きでは、䟋えば䞍働態膜を液䞭で
い぀たんずり去぀たずしおも存圚する氎のために
たた䞍働態膜を容易に生成しおしたいそのために
密着性を䞎えるこずが困難ずなる。これに察しお
本発明による方法は氎はもちろん空気をも排陀し
た真空䞭で行なうためにい぀たん衚面の䞍働態膜
をずり去れば掻性な基地鋌を衚出させるこずがで
きる。すなわちむオンボンバヌドあるいは逆スパ
ツタリングによりその䞍働態膜をずり去るこずが
でき、その埌すぐクロムコヌテむングを斜すこず
が可胜ずなる。 以䞊の前凊理により密着性が向䞊し、クロム被
芆ステンレス鋌ずしおの優れた特性を発揮でき
る。 クロム皮膜はスパツタリング、むオンプレヌテ
むング真空蒞着などのPVD法により生成できる
が、密着性の芳点からはむオンプレヌテむング法
が望たしい。 生成されるクロムコヌテむングの性質はコヌテ
むング前の衚面前凊理条件はもちろんPVD法の
操䜜条件ず密接に関わっおいる。ここでいう
PVD法はいわゆ広矩のむオンプレヌテむング、
スパツタリング法及び真空蒞着である。スパツタ
リング法ではアルゎンなどの䞍掻性ガス䞭のプラ
ズマ反応により生じたむオンによりクロムタヌゲ
ツトをスパツタし、基板にクロムを被芆するこず
ができる。たたむオンプレヌテむング法においお
も䞊蚘スパツタリング法ず同様にクロムを蒞発、
むオン化させるこずによりクロムコヌテむングが
できる。 むオンプレヌテむング法では原材料を加熱、蒞
発させる方法ずしおHCD、電子ビヌム加熱
EB、抵抗加熱など皮々な方法があるがどの方
法によ぀おも良い。たたむオン化の方法ずしお
RF励起、HCD、熱電子照射、バむアスプロヌブ
などの方法があるがいずれの方法でも有効であ
る。 生産性を考えるずコヌテむング速床が速いほど
胜率が良い。しかしながらコヌテむング速床は盎
接にその膜質に圱響する。すなわち速いコヌテむ
ング速床では䞀般に粗倧粒子で被芆されやすくそ
のために䞀様な均質膜を埗るのが難しく、完党な
被芆を達成するにはかなりの量をコヌテむングし
なくおはならない。このために耐候性や加工性に
劣るコヌテむング膜ずなりがちである。そこで
我々はコヌテむング速床を重芁な芁玠ずしお皮々
実隓を行な぀たずころ、真空蒞着を含むむオンプ
レヌテむング、スパツタリングの堎合にも0.1〜
200Åsecのコヌテむング速床でクロムの良い膜
を埗るこずができるこずがわか぀た。0.1Åsec
未満ではその速床が䜙りにも遅く生産性からい぀
お実甚にたえない。たたこのような䜎速床の堎合
郚分によ぀おはむオンのスパツタヌ゚ツチにより
局郚的に党く被芆されおないこずがあり、安定し
たコヌテむングを行うには0.1Åsec以䞊が必芁
である。たた0.01Όmの膜厚を埗るにも1000sec
を必芁ずし、長時間のコヌテむングのために被芆
膜䞭にガスをずりこみすぎるこずがありコヌテむ
ング膜の残留応力ずなりやすいこずもある。 䞀方、コヌテむング速床があたり早すぎるず前
述のごずく粗倧粒子の膜ずなり易く、耐候性や曲
げ加工性に劣るこずずなる。そのために䞊限は
200Åsecがせいぜいである。さらにこの間のよ
り奜たしい条件は目的により倉えるこずができ
る。 基板枩床は高くなるほどコヌテむング膜の密着
性が向䞊する。しかしあたり高すぎるず導入ガス
䞭に䞍玔物ずしお入りやすいO2ガスの圱響もあ
぀おわずか酞化をうけるこずがある。これにより
密着性をかえ぀お損なうこずもある。このこずか
ら真空蒞着を含むむオンプレヌテむング、スパツ
タリングずの垞枩〜500℃が奜たしい。 以䞋真空蒞着を含むむオンプレヌテむングある
いはスパツタリングによるコヌテむング法の詳现
に぀いお述べる。 むオンプレヌテむングにはすでに述べたように
皮々の蒞発、むオン化方法があるが、いずれの方
法によ぀おもコヌテむング速床が前述の範囲であ
れば良質の膜が埗られる。より奜しくは0.5〜50
Åsecのコヌテむング速床で最適の膜が埗られ
る。 たたむオンプレヌテむング法では、皮膜圢成原
子の゚ネルギヌが高く、金属基板に圓該原子が激
しく衝突し、基板金属のスパツタリング、クリヌ
ニングあるいは界面近傍の原子が界面盞互に移動
し、明確な界面が消滅し、密着性が著しく向䞊す
る。このためにはクロムむオンをバむアス電源に
より加速する事が奜たしい。 チダンバヌ操䜜圧力は通垞×10-6〜×10-3
TORRの範囲で遞択するこずができる。䜕らむ
オン化をしない堎合は単に真空蒞着ず同様ずな
り、この堎合は10-6〜10-5TORRのより高真空を
維持しなければならない。しかし高呚波攟電など
でむオン化を斜す堎合攟電の安定性を維持するた
めに×10-5〜×10-3TORRの圧力が奜たし
い。基板に盎流負電䜍を印加させるずその効果は
著しく密着性を倧巟に向䞊させるずずもに膜質は
ち密ずなり耐候性も向䞊する。たたクロムめ぀き
ずの装食合臎性においおも負電䜍印加を行なうず
光反射率が向䞊し明るい湿匏クロムめ぀きずの察
応が良い。しかし負電䜍をかけるず激しくむオン
が基板に衝突するために゚ツチされる量も増倧
し、その結果コヌテむング速床を枛ずるこずずな
る。以䞊から負電䜍を印加したずしおもせいぜい
500Vたでである。 スパツタリングにおいおもいく぀かの方法があ
るが基本的にその原理は同じであり、コヌテむン
グ速床が既述の条件であれば良質の膜が埗られ
る。しかし耐候性、密着性、装食合臎性いずれを
もずくに満足する範囲ずしおより奜しくは0.5〜
50Åsecである。本来の堎合攟電によるプラズ
マ発生のためにやはりArなどの䞍掻性ガスを導
入するこずがコヌテむング膜ぞのガスの取りこみ
を枛ずるためには圧力は䜎い方が良いが、これは
プラズマの安定性ずの関係で決められるべきであ
る。通垞は×10-5〜×10-3TORRの範囲であ
れば良い。盎流、あるいは高呚波、いずれの攟電
圢匏でもクロムのコヌテむングには䜿甚でき、そ
の出力が高い皋コヌテむング速床が速くなる。こ
れはしかし前述のコヌテむング速床の条件により
決定される。 以䞊述べたPVD法によれば、良くコントロヌ
ルされたクロムを均䞀か぀ピンホヌルなどの欠陥
の少ない、埓぀お耐食性に優れたコヌテむングが
可胜ずなる。この様な均䞀か぀ち密な皮膜は十分
な耐食性を瀺す膜厚が薄く、か぀ピンホヌル、ク
ラツクなどの欠陥が少なく、たた䞋地金属ずの密
着性がよいために䞋地金属の倉圢、加工時にもク
ロム皮膜がよく远埓し、埓぀お加工時においおも
クロム皮膜の劣化がおこらない特城がある。 実斜䟋  マグネトロンRFスパツタリングによりSUS430
にクロム皮芆した堎合の実斜䟋を瀺す。コヌテむ
ングは操䜜圧力×10−3Torrアルゎン、RF
出力1KW、基板枩床は宀枩で行な぀た。この時
の成膜速床は〜10Åsecの範囲である。膜厚
は0.1ÎŒmである。 基板前凊理の効果を芋るためにRFFむオンボ
ンバヌド凊理ならびにスパツタ゚ッチング逆ス
パツタを分、分、20分間それぞれ衚に瀺
した条件で行な぀た基板を甚いた。 密着性を芋るためにクロム被芆ステンレス鋌を
30mm巟に切断し、䞭心郚にお2t曲げを行ない、そ
の埌曲げ郚を走査電子顕埮鏡にお芳察し、クロム
皮膜の剥離の皋床を調べた。 衚は以䞊の結果をたずめたものである。比范
材ずしお埓来の湿匏め぀き法により厚み0.1ÎŒmで
被芆した詊片に぀いおも調査した。 本発明による真空槜内でのむオンボンバヌド凊
理あるいはスパツタ゚ツチングした埌のスパツタ
リング法によるクロム被芆材は加工時においおも
皮膜の割れが比范材ず范べお極めお少なく湿匏め
぀きの堎合よりも良奜な密着性を瀺した。 実斜䟋  マグネトロンRFスパツタリングによりクロム
被芆した堎合の実斜䟋を瀺す。基板SUS430の前
凊理ずしおは実斜䟋でよい結果を瀺したRFã‚€
オンボンバヌド、出力500W、時間20minの条件
で行な぀た。ここではスパツタリング時の補造条
件の圱響を明らかにする目的で、基板枩床を宀枩
から500℃たで、膜厚を0.01〜1ÎŒmたで、成膜速
床をおよそ0.1〜200Åsecの範囲で倉化させた。
なお成膜速床はRF出力を0.1〜5KWの範囲で倉
化させ、たた䜎い成膜速床には基板をタヌゲツト
を通る500mmφの円呚䞊で回転させ、高い成膜速
床には基板をタヌゲツト盎䞊に固定させお行な぀
た。なおガスはアルゎンを甚い、操䜜圧力は×
10-4〜×10-3TOrrの範囲で行な぀た。 加工性は5t曲げを行な぀た埌、スコツチテヌプ
を曲げ郚にはり぀け、すばやくテヌプを剥した時
に、テヌプにどの皋床クロム皮膜が付着するかで
評䟡した。たた耐候性は、倧気暎露詊隓により評
䟡した。厳しい環境をシナミレヌトする目的で
日回3.5食塩氎を詊隓片衚面に噎霧した。暎
露期間は週間である。以䞊の結果を衚にたず
めた。 クロム皮膜材の耐候性はいずれの堎合にも比范
材であるステンレス鋌玠地よりも優れおいた。特
に1ÎŒmの厚みの条件ではさびは党く発生しなか぀
たが、テヌプ剥離詊隓ではわずかに剥離が芋られ
た。加工性、耐候性䞡者を総合しお刀断するず基
板枩床200℃、膜厚0.1ÎŒm、成膜速床Åsecの
蚘号20の条件が最もよい。 たた䞀般に操䜜圧力が䜎い法が良質のクロム皮
膜が圢成される傟向が芋られた。 クロム被芆材の倖芳はいずれも良奜なクロム金
属色調、光沢をもち、SUS430基板よりもはるか
にクロムめ぀きずの装食合臎性が良か぀た。 実斜䟋  真空蒞着を含むむオンプレヌテむングによりク
ロム被芆した堎合の実斜䟋を瀺す。基板SUS430
はRFむオンボンバヌドを20mm行ない、その埌電
子ビヌム加熱方匏によりクロム被芆を斜した。む
オン化のためのプラズマ発生にはRF励起方匏を
甚い、そのRF出力は500Wで行な぀た。なお、む
オン化を行なわないで、いわゆる通垞の真空蒞着
の条件でのクロム皮芆も行な぀た。基板枩床は宀
枩から500℃たで、膜厚は0.01〜1ÎŒmたで、成膜
速床はおよそ0.1〜200Åsecの範囲で倉化させ
た。なお成膜速床はEBガンの出力を倉化させ、
たた堎合によ぀おは基板ず蒞発源の距離を倉化さ
せお所定の倀になるよう調敎した。操䜜圧力は
10-6Torr〜10-3Torrの範囲である。むオン化し
た堎合にはそのむオンの加速を行なわせるため、
バむアス電圧を〜500Vの範囲で倉化させた。 加工性、密着性、耐候性は実斜䟋ず同様な方
法で評䟡した。結果は衚に瀺す。 むオンプレヌテむング法では䞀般に加工性にお
いお優れた特性を瀺した。特に成膜速床がおよそ
0.5〜50Åsecのものがよく、たたバむアス電圧
を付加させたものがよい。耐候性では0.01ÎŒmの
膜厚でわずかにしみの発生が芋られたが、いずれ
の堎合でもSUS430玠地のたたよりも優れた特性
を瀺した。 クロム被芆材の倖芳は、補造条件により倚少倉
化するものの、いずれもクロム金属の色調、光沢
をもち、SUS430基板よりもクロムめ぀きずの装
食合臎性が良か぀た。
【衚】
【衚】
【衚】 泚むオン化を行なわせない通垞の真空蒞着条件
でのクロムコヌテむング
発明の効果 本発明によるクロム皮芆ステンレス鋌は、以䞊
に瀺した通り埓来の湿匏め぀き法による堎合より
も加工時においおも優れた密着性を有し、たたス
テンレス鋌玠地のたたよりもはるかに良奜な耐候
性をも぀こずから、建材、厚房機噚などで甚いら
れるステンレス鋌の甚件を満たし、矎麗な衚面を
長期間にわたり保぀こずができる。 さらに、本発明によるクロム被芆ステンレス鋌
は、以䞊の優れた特性の䞊に、クロム金属の色
調、光沢をも぀こずから、湿匏クロムめ぀き郚材
ずの装食合臎性にも優れ、厚房機噚や䟿所たわり
の配管など埓前より䜿甚されおいる湿匏クロムめ
぀き郚材ず䜵甚しお甚いるこずができる。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  ステンレス鋌衚面にPVD法によりクロム皮
    膜を厚み0.01〜0.2ÎŒm被芆したこずを特城ずする
    密着性、加工性、耐候性に優れ、か぀湿匏クロム
    め぀きずの装食合臎性に優れた建材甚クロム被芆
    ステンレス鋌。
JP61279828A 1986-11-26 1986-11-26 耐候性に優れたクロム被芆ステンレス鋌 Granted JPS63134656A (ja)

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