JPH0668999A - Condensing method for synchrotron radiation - Google Patents

Condensing method for synchrotron radiation

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JPH0668999A
JPH0668999A JP18671891A JP18671891A JPH0668999A JP H0668999 A JPH0668999 A JP H0668999A JP 18671891 A JP18671891 A JP 18671891A JP 18671891 A JP18671891 A JP 18671891A JP H0668999 A JPH0668999 A JP H0668999A
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JP
Japan
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synchrotron radiation
light
reflecting mirror
radiation
substrate
Prior art date
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Application number
JP18671891A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Okamura
茂 岡村
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable irradiation of a light having a constant intensity over the entire area of an object to be irradiated when a synchrotron radiation is swung in the vertical direction by putting a reflection mirror close to or apart from an electron storage ring in accordance with an incident glancing angle of the light to the reflection mirror. CONSTITUTION:A concave smooth reflection surface 12a of a reflection mirror 12 is irradiated with synchrotron radiation 11 emitted from an electron storage ring 10, and the radiation light 11 reflected on the reflection mirror 12 is radiated to an object to be irradiated. The reflection mirror 12 is put close to a ring 10 along the light axis 11a of the radiation light 11 in accordance with an increase in an incident glancing angle theta of the radiation light 11 to the reflection surface 12a and put apart from the ring 10 along the light axis 11a in accordance with a decrease in the incident glancing angle theta. Thus, when the radiation light 11 is swung by changing the glancing angle theta in the vertical direction to irradiate the entire area of a substrate 20, the radiation light 11 always forms an image on the substrate 20 by moving the position of the reflection mirror 12 along the light axis 11a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、反射鏡の反射面にシン
クロトロン放射光を照射し、この反射鏡により反射され
たシンクロトロン放射光を被照射物に照射するシンクロ
トロン放射光の集光方法、特にシンクロトロン放射光を
鉛直方向に振っても、一定の強度のシンクロトロン放射
光を被照射物の全域に照射することを可能にするシンク
ロトロン放射光の集光・走査法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is directed to irradiating a reflecting surface of a reflecting mirror with synchrotron radiation and irradiating an object with the synchrotron radiation reflected by the reflecting mirror. The present invention relates to a method for condensing and scanning synchrotron radiation, which allows irradiation of the entire area of an object to be irradiated with synchrotron radiation of constant intensity even if the synchrotron radiation is shaken in the vertical direction.

【0002】[0002]

【従来の技術】次に、従来のシンクロトロン放射光の集
光方法について図1及び図3により説明する。図1は、
反射鏡によるシンクロトロン放射光の集光方法を示す模
式的な要部側断面図、図3は、従来のシンクロトロン放
射光の集光方法を説明するための図で、同図(a) は反射
鏡の斜視図、同図(b) は被照射物に照射されたシンクロ
トロン放射光の強度分布図である。
2. Description of the Related Art Next, a conventional method for collecting synchrotron radiation light will be described with reference to FIGS. Figure 1
FIG. 3 is a schematic side sectional view showing a method of collecting synchrotron radiation by a reflecting mirror, and FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional method of collecting synchrotron radiation. A perspective view of the reflecting mirror, and FIG. 3B is an intensity distribution map of the synchrotron radiation emitted to the irradiation object.

【0003】図1に示すように電子等の荷電粒子eを水
平方向に光速に近い速度で周回させている電子蓄積リン
グ10から放射されるシンクロトロン放射光11は、ビーム
ライン(図示せず)内に配設されてシンクロトロン放射
光11の光軸11a とこのシンクロトロン放射光11を反射す
る反射面12a とがなす角度θ、すなわち、視斜角θが自
在に変えられる反射鏡12で反射された後にビームライン
の末端に配設した隔膜(図示せず)から大気中に取り出
され、マスク(図示せず)を介して被照射物、例えばレ
ジストを塗布した基板20に照射されていた。
As shown in FIG. 1, a synchrotron radiation light 11 emitted from an electron storage ring 10 which orbits charged particles e such as electrons in a horizontal direction at a speed close to the speed of light is a beam line (not shown). It is reflected by the reflector 12 which is arranged inside the optical axis 11a of the synchrotron radiation 11 and the reflecting surface 12a which reflects the synchrotron radiation 11, that is, the angle θ, that is, the viewing angle θ can be freely changed. After that, the film was taken out into the atmosphere from a diaphragm (not shown) arranged at the end of the beam line, and was irradiated to an object to be irradiated, for example, a substrate 20 coated with a resist through a mask (not shown).

【0004】このように電子蓄積リング10と基板20との
間に介在させる反射鏡12としては、シンクロトロン放射
光11の光軸11a に対して直交する方向に反射面が凹面と
なるように湾曲した反射鏡、例えば、反射面が円筒内面
の形状をもつ円筒鏡をその円筒母線に沿って湾曲させて
なるトロイダル鏡( 図3(a) 参照) 等が多く使用されて
いる。
As described above, the reflecting mirror 12 interposed between the electron storage ring 10 and the substrate 20 is curved so that the reflecting surface is concave in the direction orthogonal to the optical axis 11a of the synchrotron radiation 11. There are often used such reflecting mirrors, for example, a toroidal mirror (see FIG. 3 (a)) formed by bending a cylindrical mirror whose reflecting surface has the shape of an inner surface of a cylinder along its cylindrical generatrix.

【0005】これは、シンクロトロン放射光11を使って
集積回路等の転写 (露光) をするには、レジストを塗布
した基板20上で30×30mm程度の領域を均一に照射
する必要がある。
This means that in order to transfer (exposure) an integrated circuit or the like using the synchrotron radiation 11, it is necessary to uniformly irradiate an area of about 30 × 30 mm on the substrate 20 coated with the resist.

【0006】しかし、シンクロトロン放射光11は水平方
向には十分広いが、垂直方向には高々1mrad程度の
広がりしか無い。このため、トロイダル鏡等を用いて水
平方向に集光するだけでなく、この鏡を垂直方向に振動
させ、シンクロトロン放射光11を走査・拡大する必要が
ある。
However, the synchrotron radiation 11 is wide enough in the horizontal direction, but spreads only about 1 mrad in the vertical direction. For this reason, it is necessary to use a toroidal mirror or the like to focus light in the horizontal direction, and also to vibrate the mirror in the vertical direction to scan / enlarge the synchrotron radiation light 11.

【0007】ところが、トロイダル鏡の焦点距離はこの
鏡に入射するシンクロトロン放射光11の角度に強く依存
するため、垂直方向に走査・拡大する際、それぞれの位
置で集光条件が大きく異なり均一な照射が出来ないとい
う問題があった。
However, since the focal length of the toroidal mirror strongly depends on the angle of the synchrotron radiation 11 incident on this mirror, the focusing conditions greatly differ at each position when scanning and expanding in the vertical direction. There was a problem that irradiation was not possible.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、単純化のた
めに反射鏡12を円筒鏡とし、シンクロトロン放射光11の
光源である電子蓄積リング10からこの反射鏡12までの距
離をL1、また光源からシンクロトロン放射光11の結像位
置である基板20までの距離をL0とするとレンズの公式か
ら下式の関係を導かれる。
By the way, for simplicity, the reflecting mirror 12 is a cylindrical mirror, and the distance from the electron storage ring 10 which is the light source of the synchrotron radiation 11 to the reflecting mirror 12 is L 1 , When the distance from the light source to the substrate 20, which is the imaging position of the synchrotron radiation 11, is L 0 , the following formula is derived from the lens formula.

【0009】1/L1+1/(L0−L1)=1/F1 ここで、F1は、視斜角θの値がθ1 の場合における反射
面12a の曲率がRである円筒鏡形の反射鏡12の焦点距離
であって下式により表せる。
1 / L 1 + 1 / (L 0 −L 1 ) = 1 / F 1 where F 1 is a cylinder whose curvature of the reflecting surface 12 a is R when the value of the oblique angle θ is θ 1. It is the focal length of the mirror-shaped reflecting mirror 12 and can be expressed by the following formula.

【0010】F1 =R/( 2× Sinθ1) したがって、視斜角θの値をθ1 からθ2 に変えると、
基板20上におけるシンクロトロン放射光11の照射位置の
移動距離ΔSの近似式は、 ΔS= (L0−L1)× Tan( 2 ×( θ2 −θ1)) となる。
F 1 = R / (2 × Sin θ 1 ) Therefore, if the value of the oblique angle θ is changed from θ 1 to θ 2 ,
An approximate expression of the moving distance ΔS of the irradiation position of the synchrotron radiation 11 on the substrate 20 is ΔS = (L 0 −L 1 ) × Tan (2 × (θ 2 −θ 1 )).

【0011】このように基板20上におけるシンクロトロ
ン放射光11の照射位置は、視斜角θの値をθ1 からθ2
に変えることにより自在に変えることができるが、同時
に反射鏡12の焦点距離もF1からF2(F2 =R/( 2× Sin
θ2)) に変わるためにシンクロトロン放射光11の結像位
置もずれることとなる。
As described above, the irradiation position of the synchrotron radiation 11 on the substrate 20 is such that the value of the oblique angle θ changes from θ 1 to θ 2.
However, the focal length of the reflecting mirror 12 is also changed from F 1 to F 2 (F 2 = R / (2 × Sin
θ 2 )), the imaging position of the synchrotron radiation 11 is also displaced.

【0012】シンクロトロン放射光11の結像位置のずれ
をΔFとすると、ΔFは次式の通りとなる。 ΔF=R/2(1/ Sinθ2 −1/ Sinθ1) このため、θ2 >θ1 の場合にはθ1 の時よりもシンク
ロトロン放射光11の結像位置は反射鏡12に接近し、ま
た、θ2 <θ1 の場合にはθ1 の時よりもシンクロトロ
ン放射光11の結像位置は反射鏡12から離隔する方向に移
動することとなる。
If the deviation of the image formation position of the synchrotron radiation 11 is ΔF, ΔF is given by the following equation. ΔF = R / 2 (1 / Sinθ 2 −1 / Sinθ 1 ) Therefore, in the case of θ 2 > θ 1 , the image formation position of the synchrotron radiation 11 is closer to the reflecting mirror 12 than in the case of θ 1. Further, in the case of θ 21 , the image forming position of the synchrotron radiation 11 moves in the direction away from the reflecting mirror 12 as compared with the case of θ 1 .

【0013】したがって、反射鏡12と基板20との位置関
係を固定したままでシンクロトロン放射光11を鉛直方向
に振り、このシンクロトロン放射光11を基板20の全域に
照射しようとすると、その結像位置は基板20から除々に
ずれることとなる。
Therefore, if the synchrotron radiation 11 is swung in the vertical direction with the positional relationship between the reflecting mirror 12 and the substrate 20 fixed, and the synchrotron radiation 11 is applied to the entire area of the substrate 20, the result is The image position will gradually deviate from the substrate 20.

【0014】この結果、図3(b) に示すように、基板20
を照射しているシンクロトロン放射光11の照射範囲も除
々に変わり、均一な強度で基板20を照射することができ
ないという問題があった。
As a result, as shown in FIG. 3 (b), the substrate 20
The irradiation range of the synchrotron radiation 11 irradiating the substrate gradually changes, and there is a problem that the substrate 20 cannot be irradiated with a uniform intensity.

【0015】この図3(b) は、反射鏡12( 図3(a) 参
照) としてシンクロトロン放射光11の光軸に対して垂直
方向(円筒母線方向))の曲率Rが90mm、シンクロ
トロン放射光11の光軸11a と平行方向( 円筒子線方向)
の曲率R' が90000mmのものを使用し、また、シ
ンクロトロン放射光11の発光点(電子蓄積リング10) か
ら反射鏡12までの距離が1700mm、シンクロトロン
放射光11の発光点から基板20までの距離が9000mm
の条件で、視斜角θの値を26mradから28.7m
radに変えたときに、基板20上におけるシンクロトロ
ン放射光11の照射範囲を示すものである。
In FIG. 3 (b), the reflecting mirror 12 (see FIG. 3 (a)) has a curvature R of 90 mm in a direction (cylindrical generatrix direction) perpendicular to the optical axis of the synchrotron radiation 11 and a synchrotron. Direction parallel to optical axis 11a of synchrotron radiation 11 (direction of cylinder line)
Has a curvature R'of 90,000 mm, and the distance from the light emitting point of the synchrotron radiation 11 (electron storage ring 10) to the reflecting mirror 12 is 1700 mm, from the light emitting point of the synchrotron radiation 11 to the substrate 20. Distance is 9000mm
Under the condition of, the value of the oblique angle θ is changed from 26 mrad to 28.7 m.
This shows the irradiation range of the synchrotron radiation 11 on the substrate 20 when changed to rad.

【0016】本発明は、如上ような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は、シンクロトロン
放射光を鉛直方向に振っても、一定の強度のシンクロト
ロン放射光を被照射物の全域に照射することを可能にす
るシンクロトロン放射光の集光方法を提供することにあ
る。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to irradiate synchrotron radiation with a constant intensity even if the synchrotron radiation is shaken in the vertical direction. An object of the present invention is to provide a method for collecting synchrotron radiation that allows irradiation of the entire area of an object.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】前記目的は、図1に示す
ように反射鏡12の滑らかな凹状をした反射面12a に電子
蓄積リング10から放射されたシンクロトロン放射光11を
照射し、この反射鏡12により反射されたシンクロトロン
放射光11を被照射物20に照射するシンクロトロン放射光
の集光方法において、シンクロトロン放射光11が反射鏡
12の反射面12a に入射する視斜角θの増加に応じ、シン
クロトロン放射光11の光軸11a に沿って反射鏡12を電子
蓄積リング10に接近し、視斜角θの減少に応じ、シンク
ロトロン放射光11の光軸11a に沿って反射鏡12を電子蓄
積リング10から離隔することを特徴とするシンクロトロ
ン放射光の集光方法により達成される。
The object is to irradiate a smooth concave reflecting surface 12a of a reflecting mirror 12 with synchrotron radiation 11 emitted from an electron storage ring 10 as shown in FIG. In the method of condensing synchrotron radiation 11 which irradiates an object 20 with the synchrotron radiation 11 reflected by a reflecting mirror 12, the synchrotron radiation 11 is a reflecting mirror.
In response to an increase in the visual oblique angle θ incident on the reflecting surface 12a of 12, the reflecting mirror 12 approaches the electron storage ring 10 along the optical axis 11a of the synchrotron radiation 11, and the visual oblique angle θ decreases. This is achieved by a method of collecting synchrotron radiation, which is characterized in that the reflecting mirror 12 is separated from the electron storage ring 10 along the optical axis 11a of the synchrotron radiation 11.

【0018】[0018]

【作用】シンクロトロン放射光11の光源から反射鏡12ま
での距離をL1(L2)、シンクロトロン放射光11の光源から
その結像位置までの距離をL0(L0)、また、視斜角θの値
がθ12 ) の場合におけるシンクロトロン放射光11の
光軸11a に対して直交方向の曲率がRの反射鏡12の焦点
距離をF1( F2) とすると、レンズの公式より下式の関係
を導かれる。
[Function] The distance from the light source of the synchrotron radiation 11 to the reflecting mirror 12 is L 1 (L 2 ), the distance from the light source of the synchrotron radiation 11 to its image forming position is L 0 (L 0 ), and Let F 1 (F 2 ) be the focal length of the reflector 12 having a curvature R in the direction orthogonal to the optical axis 11a of the synchrotron radiation 11 when the value of the oblique angle θ is θ 12 ). , The following formula is derived from the lens formula.

【0019】 1/L1+1/(L0−L1)=1/F1 (1) 1/L2+1/(L0−L2)=1/F2 (2) F1=R/( 2× Sinθ1) (3) F2=R/( 2× Sinθ2) (4) したがって、視斜角θの値をθ1 からθ2 に変えるが、
シンクロトロン放射光11の光源からその結像位置(基板
20) までの距離L0は変更することなく、シンクロトロン
放射光11の光源から反射鏡12までの距離L2だけを変える
ことにより如上の(2) 式を成立させることができる。
1 / L 1 + 1 / (L 0 −L 1 ) = 1 / F 1 (1) 1 / L 2 + 1 / (L 0 −L 2 ) = 1 / F 2 (2) F 1 = R / (2 × Sinθ 1 ) (3) F 2 = R / (2 × Sinθ 2 ) (4) Therefore, the value of the visual oblique angle θ is changed from θ 1 to θ 2 ,
From the light source of the synchrotron radiation 11 to its imaging position (substrate
The above equation (2) can be established by changing only the distance L 2 from the light source of the synchrotron radiation 11 to the reflecting mirror 12 without changing the distance L 0 to 20).

【0020】すなわち、θ2 >θ1 であれば、反射鏡12
をシンクロトロン放射光11の光源に接近させれば、視斜
角θをθ1 からθ2 に変えた反射鏡12により反射された
シンクロトロン放射光11は基板20上で結像し、また、θ
2 <θ1 であれば、反射鏡12をシンクロトロン放射光11
の光源から離隔すれば、視斜角θをθ1 からθ2 に変え
た反射鏡12により反射されたシンクロトロン放射光11は
基板20上で結像することとなる。
That is, if θ 2 > θ 1 , then the reflecting mirror 12
Is brought close to the light source of the synchrotron radiation 11, the synchrotron radiation 11 reflected by the reflecting mirror 12 whose viewing angle θ is changed from θ 1 to θ 2 forms an image on the substrate 20, and θ
If 21 , the reflecting mirror 12 is moved to the synchrotron radiation 11
When separated from the light source of, the synchrotron radiation light 11 reflected by the reflecting mirror 12 whose viewing angle θ is changed from θ 1 to θ 2 is imaged on the substrate 20.

【0021】したがって、視斜角θを変えてシンクロト
ロン放射光11を鉛直方向に振っても基板20に全域に照射
する際に、反射鏡12の位置をシンクロトロン放射光11の
光軸12a に沿って移動することにより、シンクロトロン
放射光11の常に基板20上に結像できることとなる。
Therefore, even if the synchrotron radiation 11 is shaken in the vertical direction by changing the viewing angle θ, the position of the reflecting mirror 12 is aligned with the optical axis 12a of the synchrotron radiation 11 when irradiating the whole area on the substrate 20. By moving along, the synchrotron radiation 11 can always be imaged on the substrate 20.

【0022】かくして、本発明のシンクロトロン放射光
の集光方法は、シンクロトロン放射光を鉛直方向に振っ
ても、一定の強度のシンクロトロン放射光を基板の全域
に照射することを可能にする。
Thus, the method for collecting synchrotron radiation according to the present invention makes it possible to irradiate the whole area of the substrate with synchrotron radiation having a constant intensity even if the synchrotron radiation is shaken in the vertical direction. .

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の一実施例のシンクロトロン放
射光発生装置について図1及び図2を参照しながら説明
する。図1は、反射鏡によるシンクロトロン放射光の集
光方法を模式的に示す要部側断面図、図2は、本発明の
一実施例のシンクロトロン放射光発生装置を説明するた
めの図で、同図(a) は本発明の一実施例の要部側面図、
同図(b) は本発明の一実施例の要部正面図、同図(c) は
被照射物に照射されたシンクロトロ被照射物のシンクロ
トロン放射光の強度分布図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A synchrotron radiation light generating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a side sectional view of an essential part schematically showing a method of collecting synchrotron radiation by a reflecting mirror, and FIG. 2 is a diagram for explaining a synchrotron radiation generator of one embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a side view of an essential part of one embodiment of the present invention,
FIG. 1B is a front view of a main part of one embodiment of the present invention, and FIG. 1C is an intensity distribution chart of synchrotron radiation of a synchrotron irradiation object irradiated on the irradiation object.

【0024】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の一実施例のシンクロトロン放射光発生装
置は、図1及び図2に示す如く反射鏡12の左右への移動
量に応じて視斜角θが変わるように構成したものであっ
て、反射鏡12を電子蓄積リング10に接近 (紙面左方に移
動) させると視斜角θが大きくなり、また、反射鏡12を
電子蓄積リング10から離隔 (紙面右方に移動)させると
視斜角θが小さくなるように構成したものである。
In the present specification, the same parts, the same materials and the like are designated by the same reference numerals throughout the drawings. The synchrotron radiation light generating apparatus of one embodiment of the present invention is configured such that the viewing angle θ changes according to the amount of lateral movement of the reflecting mirror 12 as shown in FIGS. 1 and 2. When the reflecting mirror 12 is moved closer to the electron storage ring 10 (moved to the left on the paper surface), the visual oblique angle θ increases, and when the reflecting mirror 12 is moved away from the electron storage ring 10 (moved to the right on the paper surface), the visual tilt angle θ increases. The angle θ is configured to be small.

【0025】すなわち、本発明の一実施例のシンクロト
ロン放射光発生装置は、図2(a) 及び図2(b) に示すよ
うにビームライン内に互いに平行且つ離隔して敷設した
一対のレール14a よりなる水平移動ガイドレール14と、
互いに平行且つ離隔且つ対面した内側面に右上がりのガ
イド溝15a を設け、水平移動ガイドレール15の直上にこ
の水平移動ガイドレール14と平行状態でビームライン13
内に敷設された視射角設定ガイドレール15と、水平移動
ガイドレール14上を転動する転動ローラ16を裏面側の中
心部に固定するとともに、視射角設定ガイドレール15の
ガイド溝内15a を転動するガイドローラ17を表面 (鏡
面) 側の端部( 紙面右方向の端部) に固定した反射鏡12
と、水平移動ガイドレール14上を転動ローラ16を転動さ
せて反射鏡12を左右に自在に移動する水平移動装置(図
示せず)とを含ませて構成したものである。
That is, as shown in FIGS. 2A and 2B, the synchrotron radiation generator of one embodiment of the present invention comprises a pair of rails laid parallel to each other and separated from each other in the beam line. Horizontal movement guide rail 14 consisting of 14a,
Right upward guide grooves 15a are provided on the inner side surfaces which are parallel to each other and are separated from each other and face each other. Directly above the horizontal movement guide rail 15, the beam line 13 is parallel to the horizontal movement guide rail 14.
Inside the guide groove of the glancing angle setting guide rail 15, the glancing angle setting guide rail 15 and the rolling roller 16 rolling on the horizontally moving guide rail 14 are fixed to the center part on the back side. Reflecting mirror 12 with guide roller 17 rolling on 15a fixed to the end on the surface (mirror surface) side (the end on the right side of the paper).
And a horizontal moving device (not shown) for freely moving the reflecting mirror 12 to the left and right by rolling the rolling roller 16 on the horizontal moving guide rail 14.

【0026】如上の視射角設定ガイドレール15のガイド
溝15a の紙面左右方向の曲率は、前記した(1) 〜(4) 式
をもとに構成されているために、水平移動装置を介して
反射鏡12を電子蓄積リング(図示せず)に接近( 紙面左
方に移動) させるに従い視斜角θが連続的に大きくな
り、また反射鏡12を電子蓄積リングから離隔( 紙面右方
に移動) するに従い視斜角θが連続的に小さくなる。
Since the curvature of the guide groove 15a of the above glancing angle setting guide rail 15 in the left-right direction on the paper surface is based on the above-mentioned equations (1) to (4), the horizontal movement device is used. As the reflection mirror 12 is moved closer to the electron storage ring (not shown) (moved to the left on the paper surface), the viewing angle θ continuously increases, and the reflection mirror 12 is separated from the electron storage ring (to the right on the paper surface). As it moves, the viewing angle θ decreases continuously.

【0027】したがって、これを図1で説明すると反射
鏡12を実線で示す位置から点線で示す位置まで移動する
と、この反射鏡12の反射面12a により反射されたシンク
ロトロン放射光11は基板20上に結像しながらこの基板20
の上端から下端まで連続的に移動することとなる。
Therefore, to explain this with reference to FIG. 1, when the reflecting mirror 12 is moved from the position shown by the solid line to the position shown by the dotted line, the synchrotron radiation 11 reflected by the reflecting surface 12a of the reflecting mirror 12 is on the substrate 20. This substrate 20 while focusing on
It will move continuously from the upper end to the lower end.

【0028】このようにして基板20をその上端から下端
までを照射するシンクロトロン放射光11は、常に基板20
上で結像することとなるから、このシンクロトロン放射
光11の基板20上での照射範囲は図2(c) のように略一定
することとなる。なお、図2(c) のデータは、図3(b)
のデータを得た反射鏡12と同じものを使用して得られた
データであることは勿論である。
In this way, the synchrotron radiation 11 for irradiating the substrate 20 from its upper end to its lower end is always the substrate 20.
Since the image is formed above, the irradiation range of the synchrotron radiation 11 on the substrate 20 is substantially constant as shown in FIG. 2 (c). The data in Fig. 2 (c) is shown in Fig. 3 (b).
Of course, the data is obtained by using the same thing as the reflecting mirror 12 which obtained the data.

【0029】この結果、基板20の表面にレジスト(図示
せず)が塗布されておれば、このレジストは均一に露光
されることとなる。
As a result, if a resist (not shown) is applied to the surface of the substrate 20, this resist will be uniformly exposed.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、シンクロ
トロン放射光を鉛直方向に振っても、一定の強度のシン
クロトロン放射光を被照射物の全域に照射することを可
能にする。
As described above, the present invention makes it possible to irradiate the entire area of the object to be irradiated with synchrotron radiation having a constant intensity even if the synchrotron radiation is shaken in the vertical direction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】は、反射鏡によるシンクロトロン放射光の集光
方法を模式的に示す要部側断面図、
FIG. 1 is a side sectional view of an essential part schematically showing a method of collecting synchrotron radiation by a reflecting mirror,

【図2】は、本発明の一実施例のシンクロトロン放射光
発生装置を説明するための図、
FIG. 2 is a view for explaining a synchrotron radiation light generation device of one embodiment of the present invention,

【図3】は、従来のシンクロトロン放射光の集光方法を
説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional method for collecting synchrotron radiation light.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10は、電子蓄積リング、 11は、シンクロトロン放射光、 11a は、光軸、 12は、反射鏡、 12a は、反射面、 14は、水平移動ガイドレール、 14a はレール、 15は、視射角設定ガイドレール、 15a は、ガイド溝をそれぞれ示す。 10 is an electron storage ring, 11 is synchrotron radiation, 11a is an optical axis, 12 is a reflector, 12a is a reflecting surface, 14 is a horizontal guide rail, 14a is a rail, and 15 is a sight line. Corner setting guide rails, 15a indicate guide grooves, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 反射鏡(12)の滑らかな凹状をした反射面
(12a) に電子蓄積リング(10)から放射されたシンクロト
ロン放射光(11)を照射し、この反射鏡(12)により反射さ
れたシンクロトロン放射光(11)を被照射物(20)に照射す
るシンクロトロン放射光の集光方法において、 シンクロトロン放射光(11)が反射鏡(12)の反射面(12a)
に入射する視斜角 (θ) の増加に応じ、シンクロトロン
放射光(11)の光軸(11a) に沿って反射鏡(12)を電子蓄積
リング(10)に接近し、 前記視斜角 (θ) の減少に応じ、シンクロトロン放射光
(11)の光軸(11a) に沿って反射鏡(12)を電子蓄積リング
(10)から離隔することを特徴とするシンクロトロン放射
光の集光方法。
1. A smooth concave reflecting surface of a reflecting mirror (12)
The (12a) is irradiated with the synchrotron radiation (11) emitted from the electron storage ring (10), and the synchrotron radiation (11) reflected by the reflecting mirror (12) is applied to the irradiation target (20). In the method of collecting the synchrotron radiation to be applied, the synchrotron radiation (11) is reflected on the reflecting surface (12a) of the reflecting mirror (12).
In accordance with the increase of the visual oblique angle (θ) incident on the synchrotron radiation (11), the reflecting mirror (12) approaches the electron storage ring (10) along the optical axis (11a), Synchrotron radiation with decreasing (θ)
A reflector (12) is attached along the optical axis (11a) of (11) to the electron storage ring.
A method for collecting synchrotron radiation, characterized by separating from (10).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6289076B1 (en) 1997-05-06 2001-09-11 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Transmission system for synchrotron radiation light
US6289077B1 (en) 1997-05-06 2001-09-11 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Transmission system for synchrotron radiation light
US6295334B1 (en) 1997-05-06 2001-09-25 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Transmission system for synchrotron radiation light

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