JPH0666569A - 半導体ヨーレイトセンサ - Google Patents
半導体ヨーレイトセンサInfo
- Publication number
- JPH0666569A JPH0666569A JP4223072A JP22307292A JPH0666569A JP H0666569 A JPH0666569 A JP H0666569A JP 4223072 A JP4223072 A JP 4223072A JP 22307292 A JP22307292 A JP 22307292A JP H0666569 A JPH0666569 A JP H0666569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- yaw rate
- electrode
- rate sensor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規なる構成を採用した半導体ヨーレイトセ
ンサを提供することにある。 【構成】 シリコン基板１の中央部に凹部２が形成さ
れ、凹部２内に梁構造が形成されている。梁の先端に錘
が形成されており、錘の下面とその下面と対向する凹部
２の底面には電極５が設けられ、錘部４，電極５間に交
流電力を加えて静電気により錘を励振させる。そして、
錘の励振方向に対し直交する軸方向において錘の一面と
同錘面と対向する基板壁面に電極６が対向配置され、対
向電極間の容量の変化が電気的に検出されて同方向に働
くヨーレイトが検出される。
ンサを提供することにある。 【構成】 シリコン基板１の中央部に凹部２が形成さ
れ、凹部２内に梁構造が形成されている。梁の先端に錘
が形成されており、錘の下面とその下面と対向する凹部
２の底面には電極５が設けられ、錘部４，電極５間に交
流電力を加えて静電気により錘を励振させる。そして、
錘の励振方向に対し直交する軸方向において錘の一面と
同錘面と対向する基板壁面に電極６が対向配置され、対
向電極間の容量の変化が電気的に検出されて同方向に働
くヨーレイトが検出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ヨーレイトセ
ンサに関するものである。
ンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ヨーレイトセンサとして圧電セラ
ミックスを利用したものが自動車の姿勢制御や民生のビ
デオカメラの手振れ防止用に使用されている。さらに、
特公平３−７４９２６号公報には、回転速度に対応した
力を片持ち梁上に回転軸と垂直になるようにピエゾ抵抗
素子によって検出するようになっている。つまり、片持
ち梁の振動による変形は検出せずに片持ち梁の捩れによ
る変形のみをピエゾ抵抗素子により検出するものであ
る。
ミックスを利用したものが自動車の姿勢制御や民生のビ
デオカメラの手振れ防止用に使用されている。さらに、
特公平３−７４９２６号公報には、回転速度に対応した
力を片持ち梁上に回転軸と垂直になるようにピエゾ抵抗
素子によって検出するようになっている。つまり、片持
ち梁の振動による変形は検出せずに片持ち梁の捩れによ
る変形のみをピエゾ抵抗素子により検出するものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、用途やコスト
面等において現行のヨーレイトセンサでは十分ではなか
った、そこで、この発明の目的は、新規なる構成を採用
した半導体ヨーレイトセンサを提供することにある。
面等において現行のヨーレイトセンサでは十分ではなか
った、そこで、この発明の目的は、新規なる構成を採用
した半導体ヨーレイトセンサを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、図１２に示
すように、半導体基板の一部に当該基板と離間した梁構
造を形成し、その梁の先端に形成した錘の一面と同錘面
と対向する基板壁面に交流電力を加えて静電気により錘
を励振させ、当該錘の励振方向に対し直交する軸方向に
おいて錘の一面と同梁面と対向する基板壁面に電極を対
向配置して当該対向電極間の容量の変化を電気的に検出
して同方向に働くヨーレイトを検出するようにした半導
体ヨーレイトセンサをその要旨するものである。
すように、半導体基板の一部に当該基板と離間した梁構
造を形成し、その梁の先端に形成した錘の一面と同錘面
と対向する基板壁面に交流電力を加えて静電気により錘
を励振させ、当該錘の励振方向に対し直交する軸方向に
おいて錘の一面と同梁面と対向する基板壁面に電極を対
向配置して当該対向電極間の容量の変化を電気的に検出
して同方向に働くヨーレイトを検出するようにした半導
体ヨーレイトセンサをその要旨するものである。
【０００５】
【作用】梁の先端に形成した錘の一面と対向する基板壁
面に交流電力を加えて静電気により錘を励振させる。そ
の状態で、錘の励振方向に対し直交する軸方向において
対向電極間の容量の変化が電気的に検出されて同方向に
働くヨーレイトが検出される。
面に交流電力を加えて静電気により錘を励振させる。そ
の状態で、錘の励振方向に対し直交する軸方向において
対向電極間の容量の変化が電気的に検出されて同方向に
働くヨーレイトが検出される。
【０００６】
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図１には、半導体ヨーレイトセンサ
の平面図を示し、図２には図１のＡ−Ａ断面図を示す。
尚、以下の説明において三次元方向を表すに際し、図１
での左右方向をＸ軸方向とし、上下方向をＹ軸方向と
し、紙面に直交する方向をＺ軸方向とする。
に従って説明する。図１には、半導体ヨーレイトセンサ
の平面図を示し、図２には図１のＡ−Ａ断面図を示す。
尚、以下の説明において三次元方向を表すに際し、図１
での左右方向をＸ軸方向とし、上下方向をＹ軸方向と
し、紙面に直交する方向をＺ軸方向とする。
【０００７】シリコン基板１は平板で、かつ長方形に形
成されている。そのシリコン基板１の中央部分には長方
形の凹部２（深さ；Ｔ）が形成されている。その凹部２
の内部において図中左側面からはビーム３が延設され、
同ビーム３は幅狭（幅；ＷB）となっている。ビーム３
の先端には錘部４が形成され、錘部４はビーム３よりも
幅広で、かつ正方形状となっている。ビーム３と錘部４
とは同一の厚みとなっている。又、錘部４の一側面（図
１での上面）と凹部２の内壁とは僅かに離間している
（距離ｄ１）。同様に、錘部４の他側面（図１での下
面）と凹部２の内壁とは僅かに離間している（距離ｄ
１）。同様に、錘部４の底面（図２での下面）と凹部２
の底面とは僅かに離間している（距離ｄ２）。
成されている。そのシリコン基板１の中央部分には長方
形の凹部２（深さ；Ｔ）が形成されている。その凹部２
の内部において図中左側面からはビーム３が延設され、
同ビーム３は幅狭（幅；ＷB）となっている。ビーム３
の先端には錘部４が形成され、錘部４はビーム３よりも
幅広で、かつ正方形状となっている。ビーム３と錘部４
とは同一の厚みとなっている。又、錘部４の一側面（図
１での上面）と凹部２の内壁とは僅かに離間している
（距離ｄ１）。同様に、錘部４の他側面（図１での下
面）と凹部２の内壁とは僅かに離間している（距離ｄ
１）。同様に、錘部４の底面（図２での下面）と凹部２
の底面とは僅かに離間している（距離ｄ２）。
【０００８】このように、本センサは片持ち梁構造とな
っている。この構造は、表面マイクロマシニング技術を
用いて犠牲層エッチング等で距離ｄ２を有する隙間が形
成されている。
っている。この構造は、表面マイクロマシニング技術を
用いて犠牲層エッチング等で距離ｄ２を有する隙間が形
成されている。
【０００９】又、ビーム３は、電極となる錘部４に対す
る配線領域をなしている。凹部２の底面における錘部４
との対向面には電極部５が形成されるとともに、電極部
５に対向する部分、即ち、錘部４自身が電極となってい
る。さらに、凹部２の内側壁における錘部４との対向面
（図１での凹部２の上側の面）には電極部６が形成され
るとともに、電極部６に対向する部分、即ち、錘部４自
身が電極となっている。電極５は、静電気を与える電極
である。又、電極６は錘部４の変位を検出するため電極
であり、錘部４との間で容量を形成するためのものであ
る。この構造において、錘部４，電極５，６はそれぞれ
絶縁されている。
る配線領域をなしている。凹部２の底面における錘部４
との対向面には電極部５が形成されるとともに、電極部
５に対向する部分、即ち、錘部４自身が電極となってい
る。さらに、凹部２の内側壁における錘部４との対向面
（図１での凹部２の上側の面）には電極部６が形成され
るとともに、電極部６に対向する部分、即ち、錘部４自
身が電極となっている。電極５は、静電気を与える電極
である。又、電極６は錘部４の変位を検出するため電極
であり、錘部４との間で容量を形成するためのものであ
る。この構造において、錘部４，電極５，６はそれぞれ
絶縁されている。
【００１０】図３には、半導体ヨーレイトセンサの電気
回路図を示す。電極６と錘部４とによりコンデンサ部７
が形成され、同コンデンサ部７の錘部４側には発振器８
が接続されている。又、コンデンサ部７の電極６側には
インピーダンスＺL が接続され、同インピーダンスＺL
はコンデンサ９と抵抗１０から構成されている。さら
に、コンデンサ９には電源１１が接続されている。
回路図を示す。電極６と錘部４とによりコンデンサ部７
が形成され、同コンデンサ部７の錘部４側には発振器８
が接続されている。又、コンデンサ部７の電極６側には
インピーダンスＺL が接続され、同インピーダンスＺL
はコンデンサ９と抵抗１０から構成されている。さら
に、コンデンサ９には電源１１が接続されている。
【００１１】インピーダンスＺL の一端にはインピーダ
ンス変換用オペアンプ１２が接続されている。よって、
コンデンサ部７での容量変化に伴うα点での電圧変化が
オペアンプ１２にてインピーダンス変換される。ここ
で、図２の電極５と錘部（電極）４との間に、図４に示
す交流電圧Ｖs （＝Ｖ・ｓｉｎωs ｔ）が印加される。
この状態において、図５に示すコリオリの力による錘部
４の変位が発生すると、インピーダンス変換用オペアン
プ１２の非反転入力端子（図３でのα点）には、図６に
示す波形が表れる。
ンス変換用オペアンプ１２が接続されている。よって、
コンデンサ部７での容量変化に伴うα点での電圧変化が
オペアンプ１２にてインピーダンス変換される。ここ
で、図２の電極５と錘部（電極）４との間に、図４に示
す交流電圧Ｖs （＝Ｖ・ｓｉｎωs ｔ）が印加される。
この状態において、図５に示すコリオリの力による錘部
４の変位が発生すると、インピーダンス変換用オペアン
プ１２の非反転入力端子（図３でのα点）には、図６に
示す波形が表れる。
【００１２】図３のオペアンプ１２の出力は反転増幅回
路１３に接続されている。反転増幅回路１３はオペアン
プ１４と抵抗１５，１６とから構成されている。そし
て、反転増幅回路１３によりインピーダンス変換用オペ
アンプ１２からの信号が反転増幅される。
路１３に接続されている。反転増幅回路１３はオペアン
プ１４と抵抗１５，１６とから構成されている。そし
て、反転増幅回路１３によりインピーダンス変換用オペ
アンプ１２からの信号が反転増幅される。
【００１３】一方、クロック発生回路１７は、電圧調整
器１８と２つのコンパレータ１９，２０と電源２１，２
２とノアゲート２３と抵抗２４とコンデンサ２５とから
構成されている。そして、クロック発生回路１７にて図
６でのサンプルホールド期間Ｔ1,Ｔ2 が生成される。
器１８と２つのコンパレータ１９，２０と電源２１，２
２とノアゲート２３と抵抗２４とコンデンサ２５とから
構成されている。そして、クロック発生回路１７にて図
６でのサンプルホールド期間Ｔ1,Ｔ2 が生成される。
【００１４】サンプルホールド回路２６は、２つのオペ
アンプ２７，２８と、スイッチ２９，３０，３１，３２
と、コンデンサ３３，３４，４７，４８とから構成され
ている。そして、クロック発生回路１７による図６での
サンプルホールド期間Ｔ1 ，Ｔ2 においてスイッチ２
９，３０，３１，３２が開閉動作され、この期間内でサ
ンプルホールドが行われる。
アンプ２７，２８と、スイッチ２９，３０，３１，３２
と、コンデンサ３３，３４，４７，４８とから構成され
ている。そして、クロック発生回路１７による図６での
サンプルホールド期間Ｔ1 ，Ｔ2 においてスイッチ２
９，３０，３１，３２が開閉動作され、この期間内でサ
ンプルホールドが行われる。
【００１５】差動増幅回路３５は、オペアンプ３６，３
７，３８と抵抗３９，４０，４１，４２，４３．４４，
４５と電源４６とから構成されている。そして、サンプ
ルホールド回路２６の出力値のうちのサンプルホールド
期間Ｔ1 ，Ｔ2 での各出力値のピーク値の差分（図６で
のΔ）が算出され、その差分値が増幅される。
７，３８と抵抗３９，４０，４１，４２，４３．４４，
４５と電源４６とから構成されている。そして、サンプ
ルホールド回路２６の出力値のうちのサンプルホールド
期間Ｔ1 ，Ｔ2 での各出力値のピーク値の差分（図６で
のΔ）が算出され、その差分値が増幅される。
【００１６】そして、オペアンプ３８の出力端子にてセ
ンサ出力Ｖout が得られるようになっている。次に、こ
のように構成した半導体ヨーレイトセンサの作用を説明
する。
ンサ出力Ｖout が得られるようになっている。次に、こ
のように構成した半導体ヨーレイトセンサの作用を説明
する。
【００１７】図２の電極５と錘部（電極）４との間に、
交流電圧Ｖs （＝Ｖ・ｓｉｎωs ｔ）を印加する。ここ
で、ωs は回転角速度である。よって、次式による静電
気力ＦE が発生する。
交流電圧Ｖs （＝Ｖ・ｓｉｎωs ｔ）を印加する。ここ
で、ωs は回転角速度である。よって、次式による静電
気力ＦE が発生する。
【００１８】 ＦE ＝ε0 ・Ｓ・Ｖs 2 ／２ｄ2・・・（１） そして、Ｚ方向に次式の変位が発生する。
【００１９】
【数１】
【００２０】・・・（２） ここで、ε0 は誘電率、Ｓは対向電極面積、ｄは電極間
距離、Ｌはビームの長さ、Ｌｍは錘部４の長さ、Ｉz は
Ｚ軸方向のビーム３の断面積二次モーメント、Ｅはヤン
グ率である。
距離、Ｌはビームの長さ、Ｌｍは錘部４の長さ、Ｉz は
Ｚ軸方向のビーム３の断面積二次モーメント、Ｅはヤン
グ率である。
【００２１】前記（２）式を時間ｔにて微分すると速度
Ｖz は Ｖz ＝ｄＤz ／ｄｔ・・・（３） で表されるように振動する。
Ｖz は Ｖz ＝ｄＤz ／ｄｔ・・・（３） で表されるように振動する。
【００２２】この時、Ｚ軸と直交するＸ軸に回転角速度
ωが加わった時、コリオリの力Ｆｃ Ｆｃ＝２ｍＶz ω・・・（４） がＹ軸方向に発生する。
ωが加わった時、コリオリの力Ｆｃ Ｆｃ＝２ｍＶz ω・・・（４） がＹ軸方向に発生する。
【００２３】ただし、ｍは錘部４の質量である。コリオ
リの力ＦｃによりＹ軸方向に変位ＤY が発生し、次式で
表される。
リの力ＦｃによりＹ軸方向に変位ＤY が発生し、次式で
表される。
【００２４】
【数２】
【００２５】・・・（５） ここで、ＩＹはＺ軸方向の断面二次モーメントである。
これにより電極間の容量Ｃy が次式で表される。
これにより電極間の容量Ｃy が次式で表される。
【００２６】
【数３】
【００２７】・・・（６） ただし、Ｓy は対向電極面積であり、ｄy は対向電極間
隔である。このＣy の変化により出力端子（出力電圧）
Ｖout には（７）式に示す電圧Ｖωが発生する。
隔である。このＣy の変化により出力端子（出力電圧）
Ｖout には（７）式に示す電圧Ｖωが発生する。
【００２８】
【数４】
【００２９】・・・（７） つまり、回転角速度ωに対応して出力Ｖωが変化し、角
速度ωがＶωの変化として求められる。
速度ωがＶωの変化として求められる。
【００３０】次に、この信号の回路処理を図３に基づい
て説明する。錘部４に印加する入力波形は、図４に示す
ように正弦波であり、これにより錘部４にはコリオリの
力により（５）式に示すように図５の入力信号の２倍の
周波数の正弦波に従い変位する。これにより、（７）
式、図６に示すインピーダンス変換用オペアンプ１２の
非反転入力端子αにおける波形が発生する。
て説明する。錘部４に印加する入力波形は、図４に示す
ように正弦波であり、これにより錘部４にはコリオリの
力により（５）式に示すように図５の入力信号の２倍の
周波数の正弦波に従い変位する。これにより、（７）
式、図６に示すインピーダンス変換用オペアンプ１２の
非反転入力端子αにおける波形が発生する。
【００３１】図６のサンプルホールド期間Ｔ1,Ｔ2 にお
けるコンデンサ部７の入力波形の歪みの最も大きい部
分、つまり、錘部４の変位のピーク部をオペアンプ２
７，２８でピークホールドし、オペアンプ３６，３７で
その差分を増幅することにより角速度ωに対応した電圧
出力Ｖout が得られる。
けるコンデンサ部７の入力波形の歪みの最も大きい部
分、つまり、錘部４の変位のピーク部をオペアンプ２
７，２８でピークホールドし、オペアンプ３６，３７で
その差分を増幅することにより角速度ωに対応した電圧
出力Ｖout が得られる。
【００３２】ここで、外乱ノイズとしては周波数ｆａ
（Ｙ方向への）の加速度が印加された場合を考える。 ｆａ≪２πωs・・・（８） であれば、図７に示す入力波形に対し図８に示すように
加速度は片側のみの変位とみなせ、図９の出力波形も歪
みのない波形が現れる。
（Ｙ方向への）の加速度が印加された場合を考える。 ｆａ≪２πωs・・・（８） であれば、図７に示す入力波形に対し図８に示すように
加速度は片側のみの変位とみなせ、図９の出力波形も歪
みのない波形が現れる。
【００３３】図３の回路処理では、この波形はキャンセ
ルされる。例えば、片持ち梁の固有振動数を４ＫＨｚ以
上とし、ωs ／２π＝３ＫＨｚとすれば自動車における
加速度の周波数成分は最大で３００Ｈｚ程度であるから
（８）式は成立する。
ルされる。例えば、片持ち梁の固有振動数を４ＫＨｚ以
上とし、ωs ／２π＝３ＫＨｚとすれば自動車における
加速度の周波数成分は最大で３００Ｈｚ程度であるから
（８）式は成立する。
【００３４】又、温度等による変動はさらに周波数成分
は低いため十分に（８）式は満足する。このようにして
センシングは処理回路により角速度以外のノイズはほと
んどキャンセルされ、精度の高い角速度検出が可能とな
る。
は低いため十分に（８）式は満足する。このようにして
センシングは処理回路により角速度以外のノイズはほと
んどキャンセルされ、精度の高い角速度検出が可能とな
る。
【００３５】このように本実施例では、シリコン基板１
（半導体基板）の一部にシリコン基板１と離間した梁構
造を形成し、その梁の先端に形成した錘の一面と同錘面
と対向する基板壁面に交流電力を加えて静電気により錘
を励振させ、当該錘の励振方向に対し直交する軸方向に
おいて錘の一面と同錘面と対向する基板壁面に電極６を
対向配置して対向電極間の容量の変化を電気的に検出し
て同方向に働くヨーレイトを検出するようにした。この
ようにして、新規なる構成を採用した半導体ヨーレイト
センサとなる。
（半導体基板）の一部にシリコン基板１と離間した梁構
造を形成し、その梁の先端に形成した錘の一面と同錘面
と対向する基板壁面に交流電力を加えて静電気により錘
を励振させ、当該錘の励振方向に対し直交する軸方向に
おいて錘の一面と同錘面と対向する基板壁面に電極６を
対向配置して対向電極間の容量の変化を電気的に検出し
て同方向に働くヨーレイトを検出するようにした。この
ようにして、新規なる構成を採用した半導体ヨーレイト
センサとなる。
【００３６】尚、この発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、例えば、静電気の印加部位を図１０，１１
に示すように凹部２の一側面に励振用電極４８を配置
し、凹部２の底面に検出用電極４９を配置してもよい。
のではなく、例えば、静電気の印加部位を図１０，１１
に示すように凹部２の一側面に励振用電極４８を配置
し、凹部２の底面に検出用電極４９を配置してもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、新
規なる構成を採用した半導体ヨーレイトセンサを提供で
きる優れた効果を発揮する。
規なる構成を採用した半導体ヨーレイトセンサを提供で
きる優れた効果を発揮する。
【図１】半導体ヨーレイトセンサの平面を示す図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ断面を示す図である。
【図３】半導体ヨーレイトセンサの電気回路を示す図で
ある。
ある。
【図４】入力信号波形を示す図である。
【図５】変位量を示す図である。
【図６】信号波形を示す図である。
【図７】信号波形を示す図である。
【図８】変位量を示す図である。
【図９】信号波形を示す図である。
【図１０】別例の半導体ヨーレイトセンサの平面を示す
図である。
図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ断面を示す図である。
【図１２】本発明の原理説明図である。
１ シリコン基板（半導体基板） ６ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一部に当該基板と離間した
梁構造を形成し、その梁の先端に形成した錘の一面と同
錘面と対向する基板壁面に交流電力を加えて静電気によ
り錘を励振させ、当該錘の励振方向に対し直交する軸方
向において錘の一面と同梁面と対向する基板壁面に電極
を対向配置して当該対向電極間の容量の変化を電気的に
検出して同方向に働くヨーレイトを検出するようにした
ことを特徴とする半導体ヨーレイトセンサ。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22307292A JP3462225B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体ヨーレイトセンサ |
| US08/109,504 US5461916A (en) | 1992-08-21 | 1993-08-20 | Mechanical force sensing semiconductor device |
| US08/508,170 US5627318A (en) | 1992-08-21 | 1995-07-27 | Mechanical force sensing semiconductor device |
| US08/834,129 US5872024A (en) | 1992-08-21 | 1997-04-14 | Method for manufacturing a mechanical force sensing semiconductor device |
| US09/181,615 US6227050B1 (en) | 1992-08-21 | 1998-10-28 | Semiconductor mechanical sensor and method of manufacture |
| US09/742,448 US6422078B2 (en) | 1992-08-21 | 2000-12-22 | Semiconductor mechanical sensor |
| US09/749,693 US6463803B2 (en) | 1992-08-21 | 2000-12-28 | Semiconductor mechanical sensor |
| US09/947,409 US6550331B2 (en) | 1992-08-21 | 2001-09-07 | Semiconductor mechanical sensor |
| US10/358,691 US6868727B2 (en) | 1992-08-21 | 2003-02-05 | Semiconductor mechanical sensor |
| US10/899,729 US6938486B2 (en) | 1992-08-21 | 2004-07-27 | Semiconductor mechanical sensor |
| US11/062,935 US7040165B2 (en) | 1992-08-21 | 2005-02-22 | Semiconductor mechanical sensor |
| US11/210,006 US7407827B2 (en) | 1992-08-21 | 2005-08-23 | Semiconductor mechanical sensor |
| US12/215,884 US7685877B2 (en) | 1992-08-21 | 2008-06-30 | Semiconductor mechanical sensor |
| US12/381,356 US7866210B2 (en) | 1992-08-21 | 2009-03-11 | Semiconductor mechanical sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22307292A JP3462225B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体ヨーレイトセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0666569A true JPH0666569A (ja) | 1994-03-08 |
| JP3462225B2 JP3462225B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=16792396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22307292A Expired - Lifetime JP3462225B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体ヨーレイトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3462225B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500549A (en) * | 1993-12-13 | 1996-03-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor |
| US5895851A (en) * | 1994-11-17 | 1999-04-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor with a vibrating movable section with vertical and horizontal displacement detection |
| US6028332A (en) * | 1997-06-30 | 2000-02-22 | Denso Corporation | Semiconductor type yaw rate sensor |
| US6137150A (en) * | 1994-10-28 | 2000-10-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor physical-quantity sensor having a locos oxide film, for sensing a physical quantity such as acceleration, yaw rate, or the like |
| KR100717695B1 (ko) * | 1999-03-29 | 2007-05-11 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치 제조 방법 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22307292A patent/JP3462225B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500549A (en) * | 1993-12-13 | 1996-03-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor |
| US6137150A (en) * | 1994-10-28 | 2000-10-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor physical-quantity sensor having a locos oxide film, for sensing a physical quantity such as acceleration, yaw rate, or the like |
| US5895851A (en) * | 1994-11-17 | 1999-04-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor yaw rate sensor with a vibrating movable section with vertical and horizontal displacement detection |
| US6028332A (en) * | 1997-06-30 | 2000-02-22 | Denso Corporation | Semiconductor type yaw rate sensor |
| KR100717695B1 (ko) * | 1999-03-29 | 2007-05-11 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3462225B2 (ja) | 2003-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5392650A (en) | Micromachined accelerometer gyroscope | |
| US6550331B2 (en) | Semiconductor mechanical sensor | |
| Weinberg et al. | Error sources in in-plane silicon tuning-fork MEMS gyroscopes | |
| EP2577324B1 (en) | Mems inertial sensor and method of inertial sensing | |
| Maenaka et al. | A study of silicon angular rate sensors using anisotropic etching technology | |
| JP3409520B2 (ja) | 角速度センサ | |
| JP5301767B2 (ja) | 慣性センサ | |
| US6089088A (en) | Vibrating microgyrometer | |
| An et al. | Dual-axis microgyroscope with closed-loop detection | |
| JP2011141281A (ja) | 角速度のための振動マイクロ−メカニカルセンサー | |
| CN105683709A (zh) | 改进的正交补偿 | |
| JPH06123632A (ja) | 力学量センサ | |
| JPH08159776A (ja) | 角速度センサ | |
| JP3462225B2 (ja) | 半導体ヨーレイトセンサ | |
| KR100254114B1 (ko) | 2축 동시 측정용 압전 회전 센서 및 그 측정 회로 | |
| JP2886431B2 (ja) | 振動ジャイロセンサー | |
| JP3409476B2 (ja) | 振動ジャイロの駆動方法 | |
| JP3319015B2 (ja) | 半導体ヨーレイトセンサ | |
| JP3449130B2 (ja) | 力学量センサおよびそれを用いた集積回路 | |
| JPH09218040A (ja) | 角速度センサの自己診断方法 | |
| JPH0762616B2 (ja) | 振動ジャイロ | |
| JP3181368B2 (ja) | ジャイロ装置 | |
| JPS6047913A (ja) | 角速度・加速度測定装置 | |
| KR100264385B1 (ko) | 반도체각속도센서 | |
| JPH05322579A (ja) | ジャイロ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 10 |