JPH0666227B2 - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0666227B2 JPH0666227B2 JP9782587A JP9782587A JPH0666227B2 JP H0666227 B2 JPH0666227 B2 JP H0666227B2 JP 9782587 A JP9782587 A JP 9782587A JP 9782587 A JP9782587 A JP 9782587A JP H0666227 B2 JPH0666227 B2 JP H0666227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- thin film
- capacitor
- silicon monoxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種の電子機器に用いられるコンデンサに関
する。
する。
従来の技術 誘電体として、プラスチックフィルム，金属化成膜，セ
ラミックス等を用いたコンデンサが使用されてきた。
ラミックス等を用いたコンデンサが使用されてきた。
発明が解決しようとする問題点 本発明は前述のような誘電体層を組入れることなく、電
解重合で得られる薄膜を利用した新しいタイプのコンデ
ンサを提供するものである。
解重合で得られる薄膜を利用した新しいタイプのコンデ
ンサを提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、チオフェンまたはその誘導体の電解重合法に
よる重合薄膜の導電体，半導体特性領域のものの片面上
に一酸化硅素薄膜を真空蒸着し、これに重ねてアルミニ
ウム電極を設け、他面にはアルミニウムと別種の金属か
らなる電極を直接付着させる。
よる重合薄膜の導電体，半導体特性領域のものの片面上
に一酸化硅素薄膜を真空蒸着し、これに重ねてアルミニ
ウム電極を設け、他面にはアルミニウムと別種の金属か
らなる電極を直接付着させる。
なお、上記の別種金属電極は、電解重合中に箔等の形状
で陽電極として用いて重合体付着体となったものをその
まま利用しても良く、重合体膜を金属箔等から離脱させ
て、新に蒸着法で金属膜電極を形成させても良い。
で陽電極として用いて重合体付着体となったものをその
まま利用しても良く、重合体膜を金属箔等から離脱させ
て、新に蒸着法で金属膜電極を形成させても良い。
又、これらの電解重合膜は製膜後に、純水，純溶剤等で
洗滌し、遊り塩，残留溶媒，未反応モノマー等を除去し
て、乾燥後に前述の加工を行う。
洗滌し、遊り塩，残留溶媒，未反応モノマー等を除去し
て、乾燥後に前述の加工を行う。
前記チオフェンの誘導体には、メチルチオフェン，エチ
ルチオフェン，イソプロピルチオフェン等があり、電解
重合時に支持電解質として用いる塩類には、ホウ弗化リ
チウム，パラトルエンスルホネート，過塩素酸銀，過塩
素酸リチウム，塩化銅，ホウ弗化テトラブチルアミン，
過塩素酸テトラブチルアミン等があり、これらを単独又
は混合して用いる。溶媒にはベンゾニトリル，アセトニ
トリル，ニトロベンゼン、オルソジクロルベンゼン，ジ
メチルスルフェート，水，等がある。
ルチオフェン，イソプロピルチオフェン等があり、電解
重合時に支持電解質として用いる塩類には、ホウ弗化リ
チウム，パラトルエンスルホネート，過塩素酸銀，過塩
素酸リチウム，塩化銅，ホウ弗化テトラブチルアミン，
過塩素酸テトラブチルアミン等があり、これらを単独又
は混合して用いる。溶媒にはベンゾニトリル，アセトニ
トリル，ニトロベンゼン、オルソジクロルベンゼン，ジ
メチルスルフェート，水，等がある。
作用 本発明者は、電解重合法で得られるフオフェン及びその
誘導体の重合薄膜の導電体，半導体特性領域のものの片
面上に一酸化硅素薄膜を真空蒸着法で形成し、この上に
重ねてアルミニウムを真空蒸着等で形成した系について
種々、実験，研究の結果、片面に上記の２層薄膜を形成
し、他面にアルミニウムとは別種の金属を直接付着させ
た系では、電極作用により、極めて大容量で、かつ、も
れ電極の小なるコンデンサが得られ、更には一酸化硅素
膜を設けない系に比して格段に高い耐電圧を示すことを
確認した。又、一酸化硅素薄膜がこれらのコンデンサの
優れた誘電特性に寄与しているのではなく、電解重合膜
の電極作用のためにこの特性が達成されていることも同
時に確認した。
誘導体の重合薄膜の導電体，半導体特性領域のものの片
面上に一酸化硅素薄膜を真空蒸着法で形成し、この上に
重ねてアルミニウムを真空蒸着等で形成した系について
種々、実験，研究の結果、片面に上記の２層薄膜を形成
し、他面にアルミニウムとは別種の金属を直接付着させ
た系では、電極作用により、極めて大容量で、かつ、も
れ電極の小なるコンデンサが得られ、更には一酸化硅素
膜を設けない系に比して格段に高い耐電圧を示すことを
確認した。又、一酸化硅素薄膜がこれらのコンデンサの
優れた誘電特性に寄与しているのではなく、電解重合膜
の電極作用のためにこの特性が達成されていることも同
時に確認した。
なお、上記の別種金属種としては、アルミニウムより仕
事関数の大なる金属を用いるのがよい。
事関数の大なる金属を用いるのがよい。
実施例 実施例によるコンデンサの構成および特性を表に示す。
ここに用いたチオフェン、メチルチオフェンの各重合体
は、それぞれアセトニトリル−ホウ弗化リチウム系，ベ
ンゾニトリル−過塩素酸リチウム系で電解重合させた膜
厚５μｍのものであり、塩／溶媒（比），モノマー／溶
媒（比）はともに２ｇ／１８０ｇ（比）とした。電極Ｂ
に用いたPt,Ni,Co箔はいずれも６μｍ厚である。これら
は重合時の陽電極をそのまま用いたものである。一酸化
硅素膜は真空蒸着法で形成し、その膜厚はSio厚欄に表
記した。
ここに用いたチオフェン、メチルチオフェンの各重合体
は、それぞれアセトニトリル−ホウ弗化リチウム系，ベ
ンゾニトリル−過塩素酸リチウム系で電解重合させた膜
厚５μｍのものであり、塩／溶媒（比），モノマー／溶
媒（比）はともに２ｇ／１８０ｇ（比）とした。電極Ｂ
に用いたPt,Ni,Co箔はいずれも６μｍ厚である。これら
は重合時の陽電極をそのまま用いたものである。一酸化
硅素膜は真空蒸着法で形成し、その膜厚はSio厚欄に表
記した。
これらのコンデンサは有極性であり、アルミニウム電極
側を正として時に高い耐電圧が得られ、表中の値はこの
時の値を記した。
側を正として時に高い耐電圧が得られ、表中の値はこの
時の値を記した。
表から明確なように、これらのコンデンサは極めて大き
なる容量を示すとともにそのもれ電流は小で、耐電圧も
大きく向上する。更に重合膜の膜厚は電解時の条件を設
定すれば電気量的に制御でき、均一超薄膜化でき、１μ
ｍ厚以下の長尺膜，広巾膜も得ることが出来た。この膜
厚でも表中の諸特性は維持されており、より特性の向上
したものさえあった。この膜により巻回構造，積層構造
のコンデンサも製造できた。
なる容量を示すとともにそのもれ電流は小で、耐電圧も
大きく向上する。更に重合膜の膜厚は電解時の条件を設
定すれば電気量的に制御でき、均一超薄膜化でき、１μ
ｍ厚以下の長尺膜，広巾膜も得ることが出来た。この膜
厚でも表中の諸特性は維持されており、より特性の向上
したものさえあった。この膜により巻回構造，積層構造
のコンデンサも製造できた。
又、他の誘導体重合膜，電極材系でも同様な結果が得ら
れた。
れた。
発明の効果 本発明によれば、チオフェンまたはその誘導体重合膜の
電極効果により、大容量でもれ電流が小でかつ高耐電圧
の優れたコンデンサが得られ、重合体膜の超薄膜化によ
り、更に小型，軽量で乾式のコンデンサが得られる。
電極効果により、大容量でもれ電流が小でかつ高耐電圧
の優れたコンデンサが得られ、重合体膜の超薄膜化によ
り、更に小型，軽量で乾式のコンデンサが得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】チオフェンまたはその誘導体の電解重合で
得られる重合体膜の片面上に一酸化硅素薄膜を蒸着し、
前記一酸化硅素薄膜の蒸着膜面上にアルミニウムからな
る電極を設け、前記重合体膜の他方の面上に前記電極と
異なる金属からなる電極を設けたことを特徴とするコン
デンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9782587A JPH0666227B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9782587A JPH0666227B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262827A JPS63262827A (ja) | 1988-10-31 |
| JPH0666227B2 true JPH0666227B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14202503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9782587A Expired - Fee Related JPH0666227B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666227B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP9782587A patent/JPH0666227B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63262827A (ja) | 1988-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3483438A (en) | Capacitor having electrode coated with conductive solid polymer electrolyte | |
| JPH0666227B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH06124858A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0766896B2 (ja) | フイルムコンデンサ | |
| JPH0258818A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0666225B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPS62118509A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3241758B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3150327B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH0666226B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH0666223B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH0666224B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPH02224316A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS63262820A (ja) | コンデンサ | |
| JPH0763045B2 (ja) | コンデンサ | |
| JP2696982B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS63262824A (ja) | コンデンサ | |
| JPS63262826A (ja) | コンデンサ | |
| JP2734652B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2730345B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPS63262822A (ja) | コンデンサ | |
| JPH0740537B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPH0917686A (ja) | コンデンサ | |
| JPH02290008A (ja) | 金属化プラスチックフィルムコンデンサ | |
| JP2776113B2 (ja) | コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |