JPH0662560U - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JPH0662560U
JPH0662560U JP844393U JP844393U JPH0662560U JP H0662560 U JPH0662560 U JP H0662560U JP 844393 U JP844393 U JP 844393U JP 844393 U JP844393 U JP 844393U JP H0662560 U JPH0662560 U JP H0662560U
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heat sink
laser diode
temperature
diode module
cooling element
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JP844393U
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Japanese (ja)
Inventor
訓弘 大村
広高 山根
貞利 井上
Original Assignee
宮崎電線工業株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザダイオードモジュールの異常な温度上
昇を防止する。 【構成】 レーザダイオードモジュール1に密着固定さ
れた第1のヒートシンク16の他に、これとは別体にさ
れた第2のヒートシンク22を設ける。そして、両者の
間に挟み込んだ第2の冷却素子21を用いて、第1のヒ
ートシンク16から強制的に熱を奪い、第2のヒートシ
ンク22の側に放熱する。第1のヒートシンク16は、
外気温の急上昇その他によってもほぼ安定した温度に保
たれ、これに密着固定されたレーザダイオードモジュー
ル1も、一定の適切な温度に保たれる。従って、外気温
の高いときに、レーザダイオードモジュール1の内部の
第1の冷却素子8を駆動しても、モジュール全体の温度
が上昇するおそれが無い。
(57) [Summary] [Purpose] To prevent abnormal temperature rise of the laser diode module. [Structure] In addition to the first heat sink 16 closely fixed to the laser diode module 1, a second heat sink 22 separate from the first heat sink 16 is provided. Then, by using the second cooling element 21 sandwiched between the two, the first heat sink 16 is forcibly deprived of heat and radiated to the second heat sink 22 side. The first heat sink 16 is
The temperature is maintained at a substantially stable temperature due to a sudden rise in the outside air temperature and the like, and the laser diode module 1 closely fixed to the temperature is also maintained at a constant appropriate temperature. Therefore, even if the first cooling element 8 inside the laser diode module 1 is driven when the outside air temperature is high, there is no possibility that the temperature of the entire module will rise.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、電気信号を光信号に変換する光通信等の分野に広く使用されている レーザダイオードを、熱的に保護する冷却機能を備えた半導体レーザ装置に関す る。 The present invention relates to a semiconductor laser device having a cooling function for thermally protecting a laser diode widely used in the field of optical communication for converting an electric signal into an optical signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

半導体レーザ装置は光通信等の分野に広く使用され、電気信号を光信号に変換 し、光ファイバ等に入力するために用いられる。 図2に、このような用途に使用されるレーザダイオードモジュールの主要部概 略図を示す。 このレーザダイオードモジュール1には、コネクタ2を介して光ファイバ3が 接続されている。この光ファイバ3に光信号を入力するために、レーザダイオー ド4が設けられている。また、このモジュールの内部には、光信号モニタ用の受 光素子5やレーザダイオード4とコネクタ2との間で光信号の結合に使用される アイソレータ6等が収容されている。 Semiconductor laser devices are widely used in the fields of optical communication and the like, and are used for converting electric signals into optical signals and inputting them into optical fibers or the like. FIG. 2 shows a schematic view of a main part of a laser diode module used for such an application. An optical fiber 3 is connected to the laser diode module 1 via a connector 2. A laser diode 4 is provided to input an optical signal to the optical fiber 3. In addition, a light receiving element 5 for monitoring an optical signal, an isolator 6 used for coupling an optical signal between the laser diode 4 and the connector 2 and the like are housed inside the module.

【0003】 このような構成のレーザダイオードモジュール1を駆動すると、レーザダイオ ード4は信号電流により発光し、その光が光ファイバ3を通じて伝送される。し かしながら、この発光の際に、レーザダイオード4は信号電流によって発熱する 。通常、レーザダイオードモジュール1は、異物の侵入を防止するために密閉構 造とされている。従って、レーザダイオード4が発熱すれば、レーザダイオード 4自身の温度が上昇する。レーザダイオード4は使用可能な温度が定められてお り、温度が異常上昇すれば、その特性が低下し、最終的には破損する。そこで、 従来、このようなレーザダイオードモジュール1の内部に温度検出のためのサー ミスタ7と、冷却のための冷却素子8を組み込み、強制的にレーザダイオードモ ジュール1の内部冷却を行なうようにしている。 この冷却素子8には、ペルチェ素子等が採用される。When the laser diode module 1 having such a configuration is driven, the laser diode 4 emits light by a signal current, and the light is transmitted through the optical fiber 3. However, during this light emission, the laser diode 4 generates heat due to the signal current. Usually, the laser diode module 1 has a hermetically sealed structure in order to prevent the entry of foreign matter. Therefore, if the laser diode 4 generates heat, the temperature of the laser diode 4 itself rises. The usable temperature of the laser diode 4 is determined, and if the temperature rises abnormally, the characteristics of the laser diode 4 deteriorate, and eventually the laser diode 4 is damaged. Therefore, conventionally, a thermistor 7 for temperature detection and a cooling element 8 for cooling are built in the laser diode module 1 to forcibly cool the inside of the laser diode module 1. There is. A Peltier element or the like is adopted as the cooling element 8.

【0004】 図3に、上記のようなレーザダイオードモジュールと、その冷却制御のための 回路を備えた半導体レーザ装置の概略図を示す。 図に示すように、レーザダイオードモジュール1の冷却制御のために、その外 部に冷却制御部10が設けられている。 この冷却制御部10は、温度検出部11、基準値設定部12、比較部13及び 冷却素子駆動部14から構成される。FIG. 3 shows a schematic diagram of a semiconductor laser device including the above laser diode module and a circuit for cooling control thereof. As shown in the figure, a cooling control unit 10 is provided outside the laser diode module 1 for cooling control of the laser diode module 1. The cooling control unit 10 includes a temperature detection unit 11, a reference value setting unit 12, a comparison unit 13, and a cooling element drive unit 14.

【0005】 温度検出部11は、図2に示したサーミスタ7の出力信号を受け入れて、その 信号によりレーザダイオードモジュール1の温度を検出する部分である。これは 信号電流を電圧に変換する負荷抵抗等から構成される。また、基準値設定部12 は、図2に示したレーザダイオード4を設定温度に保つために、その基準となる 温度に相当する信号を出力する回路で、可変抵抗器等から構成される。比較部1 3は温度検出部11と基準値設定部12の出力する電圧信号を比較し、その差に 相当する信号を出力する差動増幅器等から構成される。冷却素子駆動部14は、 比較部13の出力信号に応じて、図2に示す冷却素子8を駆動するための電流を 出力する電圧電流変換回路等から構成される。The temperature detection unit 11 is a unit that receives the output signal of the thermistor 7 shown in FIG. 2 and detects the temperature of the laser diode module 1 by the signal. It consists of a load resistor that converts the signal current into a voltage. The reference value setting unit 12 is a circuit that outputs a signal corresponding to the reference temperature in order to keep the laser diode 4 shown in FIG. 2 at the set temperature, and is composed of a variable resistor or the like. The comparison unit 13 is composed of a differential amplifier or the like that compares the voltage signals output from the temperature detection unit 11 and the reference value setting unit 12 and outputs a signal corresponding to the difference. The cooling element drive unit 14 is composed of a voltage-current conversion circuit or the like that outputs a current for driving the cooling element 8 shown in FIG. 2 according to the output signal of the comparison unit 13.

【0006】 なお、レーザダイオードモジュール1の内部で冷却素子8が駆動された場合、 冷却素子8の一端でレーザダイオード4から吸熱を行ない、他端で放熱が行なわ れる。この熱を外部に逃がすために、レーザダイオードモジュール1はアルミニ ウム板等から構成されるヒートシンク16上に直接密着するように固定されてい る。When the cooling element 8 is driven inside the laser diode module 1, one end of the cooling element 8 absorbs heat from the laser diode 4 and the other end radiates heat. In order to dissipate this heat to the outside, the laser diode module 1 is fixed so as to be in direct contact with the heat sink 16 composed of an aluminum plate or the like.

【0007】[0007]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

ところで、CATVシステム(テレビジョン共同視聴システム)等においても 、放送信号の中継のために光ケーブルが使用される。このシステムでは、屋外に 設置されるCATV中継器等にも半導体レーザ装置が組み込まれる。 ところが、電柱等に吊して固定される中継器に上記のような半導体レーザ装置 を組み込んだ場合、その温度制御の上で、従来次のような解決すべき課題が生じ ていた。 By the way, also in the CATV system (television joint viewing system) and the like, an optical cable is used for relaying a broadcast signal. In this system, a semiconductor laser device is also incorporated in a CATV repeater or the like installed outdoors. However, when the above semiconductor laser device is incorporated in a repeater suspended and fixed to a utility pole or the like, conventionally, the following problems to be solved have occurred in controlling the temperature thereof.

【0008】 図4に、半導体レーザ装置の温度特性図を示す。 CATVの中継器等は、日中屋外で直射日光にさらされる。従って、半導体レ ーザ装置の周囲の温度も、外気温の上昇に伴って急激に上昇する。同様に、図3 に示したヒートシンク16自体の温度も上昇する。 この図4は、縦軸に温度、横軸に時間をとったグラフである。ここで、レーザ ダイオードの温度TLは、予め設定温度T1に保たれるように制御される。この とき、例えば外気温TSが直射日光等により次第に上昇していくと、図3に示す ヒートシンク16も温度上昇し、このヒートシンク16に密着したレーザダイオ ードモジュール1の温度TMも上昇する。FIG. 4 shows a temperature characteristic diagram of the semiconductor laser device. CATV repeaters are exposed to direct sunlight outdoors during the day. Therefore, the temperature around the semiconductor laser device also rises rapidly as the outside air temperature rises. Similarly, the temperature of the heat sink 16 itself shown in FIG. 3 also rises. This FIG. 4 is a graph in which the vertical axis represents temperature and the horizontal axis represents time. Here, the temperature TL of the laser diode is controlled so as to be maintained at the preset temperature T1 in advance. At this time, for example, when the outside air temperature TS gradually rises due to direct sunlight or the like, the temperature of the heat sink 16 shown in FIG. 3 also rises, and the temperature TM of the laser diode module 1 in close contact with the heat sink 16 also rises.

【0009】 一方、レーザダイオードモジュール1に収容された図2に示すようなアイソレ ータ6等は、レーザダイオード4が発射する光を光ファイバ3に導くためのレン ズ系から構成される。従って、精密な機械特性が要求され、レーザダイオードモ ジュール全体の異常な温度上昇により信頼性や性能の劣化を生じるおそれがある 。 本考案は以上の点に着目してなされたもので、上記のようなレーザダイオード モジュール自体の異常な温度上昇を防止した構成の半導体レーザ装置を提供する ことを目的とするものである。On the other hand, the isolator 6 and the like housed in the laser diode module 1 as shown in FIG. 2 are composed of a lens system for guiding the light emitted by the laser diode 4 to the optical fiber 3. Therefore, precise mechanical characteristics are required, and there is a possibility that reliability and performance may deteriorate due to an abnormal temperature rise in the entire laser diode module. The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a semiconductor laser device configured to prevent an abnormal temperature rise of the laser diode module itself as described above.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案の半導体レーザ装置は、レーザダイオードと、このレーザダイオードを 冷却するための第1の冷却素子とを収容したレーザダイオードモジュールと、前 記レーザダイオードを設定温度に保つよう前記第1の冷却素子を制御する第1の 冷却制御部と、前記レーザダイオードモジュールに密着固定された第1のヒート シンクと、前記第1のヒートシンクと別体にされた第2のヒートシンクと、前記 第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの間に挟み込まれて両者に密着し て配置され、前記第1のヒートシンクから吸熱し前記第2のヒートシンク側に放 熱する第2の冷却素子と、前記レーザダイオードを設定温度に保つよう前記第2 の冷却素子を制御する第2の冷却制御部とを備えたことを特徴とするものである 。 The semiconductor laser device of the present invention comprises a laser diode, a laser diode module containing a first cooling element for cooling the laser diode, and the first cooling element for maintaining the laser diode at a preset temperature. A first cooling control section for controlling the heat sink, a first heat sink closely adhered to the laser diode module, a second heat sink separated from the first heat sink, and a first heat sink. The second cooling element, which is sandwiched between the second heat sinks and closely adhered to them, absorbs heat from the first heat sink and releases the heat to the second heat sink side, and the laser diode at a set temperature. And a second cooling control section for controlling the second cooling element so as to keep the above.

【0011】[0011]

【作用】[Action]

この半導体レーザ装置は、レーザダイオードモジュールに密着固定された第1 のヒートシンクの他に、これとは別体にされた第2のヒートシンクを設けている 。そして、両者の間に挟み込んだ第2の冷却素子を用いて、第1のヒートシンク から強制的に熱を奪い、第2のヒートシンクの側に放熱する。これにより、第1 のヒートシンクは、外気温の急上昇その他によってもほぼ安定した温度に保たれ 、これに密着固定されたレーザダイオードモジュールも一定の適切な温度に保た れる。従って、外気温の高いときに、レーザダイオードモジュールの内部の第1 の冷却素子を駆動しても、モジュール全体の温度が上昇するおそれが無い。 In this semiconductor laser device, in addition to the first heat sink closely fixed to the laser diode module, a second heat sink that is separate from the first heat sink is provided. Then, by using the second cooling element sandwiched between the two, the first heat sink is forcibly deprived of heat and radiated to the second heat sink side. As a result, the first heat sink is maintained at a substantially stable temperature due to a sudden rise in the outside air temperature and the like, and the laser diode module closely fixed to the first heat sink is also maintained at a constant appropriate temperature. Therefore, even if the first cooling element inside the laser diode module is driven when the outside air temperature is high, there is no possibility that the temperature of the entire module will rise.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

以下、本考案を図の実施例を用いて詳細に説明する。 図1は、本考案の半導体レーザ装置実施例を示す外観斜視図である。 この図に示すように、本考案の半導体レーザ装置は、先に図2を用いて説明し たようなレーザダイオードモジュール1に対し、第1のヒートシンク16を密着 固定すると共に、この第1のヒートシンク16の他に、更に第2のヒートシンク 22を設ける。 レーザダイオードモジュール1と第1のヒートシンク16の構成は、既に図3 を用いて説明したような従来のものと変わるところはない。また、このレーザダ イオードモジュール1の内部に設けられた第1の冷却素子8を駆動するために、 図3に示したと同様の構成の第1の冷却制御部10が設けられている。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is an external perspective view showing an embodiment of a semiconductor laser device of the present invention. As shown in this figure, in the semiconductor laser device of the present invention, the first heat sink 16 is closely fixed to the laser diode module 1 as described above with reference to FIG. In addition to 16, a second heat sink 22 is further provided. The configurations of the laser diode module 1 and the first heat sink 16 are the same as those of the conventional one as already described with reference to FIG. Further, in order to drive the first cooling element 8 provided inside the laser diode module 1, a first cooling controller 10 having the same configuration as that shown in FIG. 3 is provided.

【0013】 このレーザダイオードモジュール1には、やはり図2や図3を用いて説明した ようなコネクタ2及び光ファイバ3が接続され、図示しないレーザダイオードの 光を外部に導くように構成されている。 ここで、本考案の装置においては、先に説明したように、第1のヒートシンク 16の他に第2のヒートシンク22を設ける。この第2のヒートシンク22とし ては、半導体レーザ装置を収容するケースや、あるいはその他適当な金属製の大 型基板等を使用する。The laser diode module 1 is also connected to the connector 2 and the optical fiber 3 as described with reference to FIGS. 2 and 3, and is configured to guide the light of the laser diode (not shown) to the outside. . Here, in the device of the present invention, as described above, the second heat sink 22 is provided in addition to the first heat sink 16. As the second heat sink 22, a case for accommodating the semiconductor laser device, or another suitable large-sized substrate made of metal is used.

【0014】 第1のヒートシンク16と第2のヒートシンク22の間には、第2の冷却素子 21が両者に密着するように配置され挟み込まれる。この第2の冷却素子21は 、ペルチェ素子から構成され、その吸熱側の面を第1のヒートシンク16に密着 させ、放熱側の面を第2の冷却素子22に密着させている。また、この第2の冷 却素子21を駆動するために、第2の冷却制御部20が設けられ、温度制御のた めのサーミスタ23がレーザダイオードモジュール1の側面に固定されている。 この第2の冷却制御部20の構成は、第1の冷却制御部10と全く同一であり 、その内部回路の図示及び説明は重複するので省略する。A second cooling element 21 is arranged and sandwiched between the first heat sink 16 and the second heat sink 22 so as to be in close contact with both. The second cooling element 21 is composed of a Peltier element, and its heat absorbing side surface is in close contact with the first heat sink 16 and its heat radiating side surface is in close contact with the second cooling element 22. A second cooling controller 20 is provided to drive the second cooling element 21, and a thermistor 23 for temperature control is fixed to the side surface of the laser diode module 1. The configuration of the second cooling control unit 20 is completely the same as that of the first cooling control unit 10, and the illustration and description of the internal circuit thereof are omitted because they are duplicated.

【0015】 図5に、上記のような半導体レーザ装置の温度特性説明図を示す。 この図は、図4と同様に、横軸に時間をとり、縦軸に温度をとったグラフであ る。 ここで、図1に示したレーザダイオードモジュール1の内部に使用された図示 しないレーザダイオードの温度TLは、例えば図に示すように温度T1に設定さ れているものとする。この温度設定は第1の冷却制御部10により行なわれる。 一方、本考案においては、上記レーザダイオードモジュール1本体の温度を、 予め、例えば温度T2に設定しておく。この温度設定は第2の冷却制御部20に より行なわれる。FIG. 5 shows a temperature characteristic explanatory diagram of the semiconductor laser device as described above. Similar to FIG. 4, this figure is a graph in which time is plotted on the horizontal axis and temperature is plotted on the vertical axis. Here, it is assumed that the temperature TL of the laser diode (not shown) used inside the laser diode module 1 shown in FIG. 1 is set to the temperature T1 as shown in the figure, for example. This temperature setting is performed by the first cooling controller 10. On the other hand, in the present invention, the temperature of the main body of the laser diode module 1 is set to the temperature T2 in advance, for example. This temperature setting is performed by the second cooling control unit 20.

【0016】 上記のような設定で、図1に示した第1の冷却制御部10及び第2の冷却制御 部20を駆動すると、例えば図5に示すように、外気温TSが次第に温度上昇し たとしても、レーザダイオードのみならず、レーザダイオードモジュール1の温 度も一定範囲の温度に保持される。 即ち、図1に示すレーザダイオードモジュール1の内部において、レーザダイ オードは、図2に示したような第1の冷却素子によって冷却され、その熱は第1 のヒートシンク16に放熱される。従来は、これにより、第1のヒートシンク1 6が次第に温度上昇したが、本考案においては、第2の冷却素子21によって、 第1のヒートシンク16から熱を奪い、その熱を第2のヒートシンク22に放熱 する。第2の冷却制御部20はサーミスタ23によってレーザダイオードモジュ ール1の温度を測定し、その温度が設定温度T2になるように第2の冷却素子2 1を駆動する。 これにより、第1のヒートシンク16は、設定温度T2に近い温度に保たれ、 外気温上昇に関係なく、ほぼ一定の範囲の温度となる。When the first cooling control unit 10 and the second cooling control unit 20 shown in FIG. 1 are driven with the above settings, the outside air temperature TS gradually rises as shown in FIG. 5, for example. Even if it does, not only the temperature of the laser diode but also the temperature of the laser diode module 1 is maintained within a certain range of temperature. That is, in the laser diode module 1 shown in FIG. 1, the laser diode is cooled by the first cooling element as shown in FIG. 2, and the heat is radiated to the first heat sink 16. Conventionally, this has caused the temperature of the first heat sink 16 to gradually rise, but in the present invention, the second cooling element 21 draws heat from the first heat sink 16, and the heat is absorbed by the second heat sink 22. Dissipate heat to. The second cooling control unit 20 measures the temperature of the laser diode module 1 by the thermistor 23 and drives the second cooling element 21 so that the temperature becomes the set temperature T2. As a result, the first heat sink 16 is maintained at a temperature close to the set temperature T2, and has a temperature within a substantially constant range regardless of the rise in the outside air temperature.

【0017】 その結果、レーザダイオードモジュール1の内部に収容されたレーザダイオー ド以外の、他のアイソレータ等の部品についても、異常な温度上昇が防止され、 モジュール全体の信頼性と性能の安定化を図ることができる。 本考案は以上の実施例に限定されない。 上記実施例においては、レーザダイオードモジュール1を比較的大型の第1の ヒートシンク16に密着固定し、それを更に第2の冷却素子21を介して別の第 2のヒートシンクに固定した例を示したが、次のような構成を採用することによ り、従来よりも第1のヒートシンク16を十分に小型化することが可能になる。As a result, abnormal temperature rises are prevented even with respect to other components such as the isolator other than the laser diode housed inside the laser diode module 1, and the reliability and performance of the entire module are stabilized. Can be planned. The present invention is not limited to the above embodiments. In the above embodiment, the laser diode module 1 is closely fixed to the relatively large first heat sink 16 and then fixed to another second heat sink via the second cooling element 21. However, by adopting the following configuration, the first heat sink 16 can be made sufficiently smaller than the conventional one.

【0018】 図6に、その第1のヒートシンクを小型化した場合の実施例斜視図を示す。 図に示すように、この実施例では、レーザダイオードモジュール1とほぼ同サ イズの第1のヒートシンク16−1を、レーザダイオードモジュール1の底面に 張り付けるようにしている。このようにして第1のヒートシンク16−1をレー ザダイオードモジュール1と一体化してしまい、その第1のヒートシンク16− 1にペルチェ素子等から構成される第2の冷却素子21を介して、第2のヒート シンク22−1を接続固定している。FIG. 6 is a perspective view of an embodiment when the first heat sink is downsized. As shown in the figure, in this embodiment, a first heat sink 16-1 having substantially the same size as the laser diode module 1 is attached to the bottom surface of the laser diode module 1. In this way, the first heat sink 16-1 is integrated with the laser diode module 1, and the first heat sink 16-1 is connected to the first heat sink 16-1 via the second cooling element 21 including a Peltier element or the like. The second heat sink 22-1 is connected and fixed.

【0019】 本考案の半導体レーザ装置においては、レーザダイオードモジュール1の内部 に収容された第1の冷却素子8がレーザダイオードを冷却する際に、その放熱動 作を維持できる程度の第1のヒートシンクが設けられていればよい。第1のヒー トシンクの温度上昇は、第2の冷却素子21と第2のヒートシンク22−1によ って抑制する。従って、図2に示すような構成とし、全体として小型化と構成の 簡素化を図ることもできる。In the semiconductor laser device of the present invention, when the first cooling element 8 housed inside the laser diode module 1 cools the laser diode, the first heat sink that can maintain its heat radiation operation. Should be provided. The temperature rise of the first heat sink is suppressed by the second cooling element 21 and the second heat sink 22-1. Therefore, the configuration as shown in FIG. 2 can be used to reduce the size and simplify the configuration as a whole.

【0020】[0020]

【考案の効果】[Effect of device]

以上説明した本考案の半導体レーザ装置は、レーザダイオードモジュールを第 1のヒートシンクに密着固定し、レーザダイオードモジュールの内部に収容され た第1の冷却素子によってレーザダイオードモジュールを冷却する一方、第1の ヒートシンクと別体にされた第2のヒートシンクを設け、第1のヒートシンクと 第2のヒートシンクの間に挟み込まれ、両者に密着して配置された第2の冷却素 子によって、第1のヒートシンクを冷却し、レーザダイオードモジュールを設定 温度に保つようにしたので、レーザダイオードのみならずレーザダイオードモジ ュール全体も一定範囲の温度に保つことができる。これにより、レーザダイオー ドモジュールの内部に収容された各種の部品も、外気温の上昇に関わらず、一定 温度範囲に保たれ、信頼性と性能の安定化を図ることができる。 In the semiconductor laser device of the present invention described above, the laser diode module is adhered and fixed to the first heat sink, and the first cooling element housed inside the laser diode module cools the laser diode module, while the first A second heat sink that is separate from the heat sink is provided, and the first heat sink is sandwiched between the first heat sink and the second heat sink. Since the laser diode module is cooled and the laser diode module is maintained at the set temperature, not only the laser diode but also the entire laser diode module can be maintained within a certain temperature range. As a result, various components housed inside the laser diode module can be kept in a constant temperature range regardless of the rise in outside air temperature, and reliability and performance can be stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の半導体レーザ装置実施例を示す概略図
である。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of a semiconductor laser device of the present invention.

【図2】レーザダイオードモジュールの主要部概略図で
ある。
FIG. 2 is a schematic view of a main part of a laser diode module.

【図3】従来の半導体レーザ装置概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a conventional semiconductor laser device.

【図4】従来の半導体レーザ装置の温度特性説明図であ
る。
FIG. 4 is a diagram illustrating temperature characteristics of a conventional semiconductor laser device.

【図5】本考案の半導体レーザ装置の温度特性説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory diagram of temperature characteristics of the semiconductor laser device of the present invention.

【図6】本考案の半導体レーザ装置の変形例斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view of a modified example of the semiconductor laser device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザダイオードモジュール 3 光ファイバ 8 第1の冷却素子 10 第1の冷却制御部 16 第1のヒートシンク 20 第2の冷却制御部 21 第2の冷却素子 22 第2のヒートシンク 1 Laser Diode Module 3 Optical Fiber 8 First Cooling Element 10 First Cooling Control Section 16 First Heat Sink 20 Second Cooling Control Section 21 Second Cooling Element 22 Second Heat Sink

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 レーザダイオードと、このレーザダイオ
ードを冷却するための第1の冷却素子とを収容したレー
ザダイオードモジュールと、 前記レーザダイオードを設定温度に保つよう前記第1の
冷却素子を制御する第1の冷却制御部と、 前記レーザダイオードモジュールに密着固定された第1
のヒートシンクと、 前記第1のヒートシンクと別体にされた第2のヒートシ
ンクと、 前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの間
に挟み込まれて両者に密着して配置され、前記第1のヒ
ートシンクから吸熱し前記第2のヒートシンク側に放熱
する第2の冷却素子と、 前記レーザダイオードを設定温度に保つよう前記第2の
冷却素子を制御する第2の冷却制御部とを備えたことを
特徴とする半導体レーザ装置。
1. A laser diode module containing a laser diode and a first cooling element for cooling the laser diode; and a first cooling element for controlling the first cooling element so as to keep the laser diode at a preset temperature. No. 1 cooling control unit, and the first fixedly attached to the laser diode module.
A heat sink, a second heat sink separated from the first heat sink, a first heat sink and a second heat sink sandwiched between the first heat sink and the second heat sink, and the first heat sink and the second heat sink. A second cooling element that absorbs heat from a heat sink and radiates heat to the second heat sink side, and a second cooling control unit that controls the second cooling element to keep the laser diode at a set temperature are provided. Characteristic semiconductor laser device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154848A (en) * 1997-07-29 1999-02-26 Ando Electric Co Ltd Temperature control device for optical module
WO2017159492A1 (en) * 2016-03-16 2017-09-21 ウシオ電機株式会社 Laser light source device

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