JP2814987B2 - Semiconductor laser module - Google Patents

Semiconductor laser module

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JP2814987B2 JP11008996A JP11008996A JP2814987B2 JP 2814987 B2 JP2814987 B2 JP 2814987B2 JP 11008996 A JP11008996 A JP 11008996A JP 11008996 A JP11008996 A JP 11008996A JP 2814987 B2 JP2814987 B2 JP 2814987B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザモジ
ュールに関し、半導体レーザ素子と光ファイバとを有す
る半導体レーザモジュールの構造に関する。
The present invention relates to a semiconductor laser module, and more particularly to a structure of a semiconductor laser module having a semiconductor laser element and an optical fiber.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の従来の半導体レーザモジュール
を図3を用いて以下に説明する。図3は、従来の半導体
レーザモジュールの一例を示す縦断面である。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor laser module of this type will be described below with reference to FIG. FIG. 3 is a longitudinal section showing an example of a conventional semiconductor laser module.

【0003】図3を参照して、半導体レーザ素子1のレ
ーザ光はレンズ6を介して光ファイバピグテール9と光
学的に結合されている。熱電子冷却素子(「ペルチェク
ーラ」という)は、ペルチェクーラ上基板5a、ペルチ
ェ素子5c、及びペルチェクーラ下基板5bから成り、
予め組立てられた単体の部品として製造されている。
Referring to FIG. 3, laser light from semiconductor laser device 1 is optically coupled to optical fiber pigtail 9 via lens 6. The thermoelectric cooling element (referred to as “Peltier cooler”) includes a Peltier cooler upper substrate 5a, a Peltier cooler 5c, and a Peltier cooler lower substrate 5b,
It is manufactured as a pre-assembled single part.

【0004】ペルチェクーラは、ペルチェクーラ下基板
5bによって、パッケージ底板10内壁上にマウントさ
れ、ペルチェクーラ上基板5a上には、光軸調整された
レーザ素子1、レンズ6、ホルダ7、スライドリング
8、及びファイバピグテール9から成る光学結合系がマ
ウント(搭載)された構造となっている。
The Peltier cooler is mounted on the inner wall of the package bottom plate 10 by a Peltier cooler lower substrate 5b. On the Peltier cooler upper substrate 5a, a laser element 1, a lens 6, a holder 7, a slide ring 8 whose optical axis is adjusted. , And an optical coupling system including a fiber pigtail 9 is mounted.

【0005】また、レーザ素子1がヒートシンク2を介
してマウントされているキャリア3上には、温度モニタ
用のサーミスタ4がマウントされている。さらに、ファ
イバピグテール9は、パッケージへの導入部でハンダシ
ール12により封止されている。
A thermistor 4 for temperature monitoring is mounted on a carrier 3 on which the laser element 1 is mounted via a heat sink 2. Further, the fiber pigtail 9 is sealed by a solder seal 12 at an introduction portion into the package.

【0006】次に、図3に示した従来の半導体モジュー
ルの動作原理を説明する。半導体レーザ素子1の放出す
るレーザ光は、上述した構成により、光ファイバ内に導
入され、パッケージ外部に信号として取り出される。
Next, the operation principle of the conventional semiconductor module shown in FIG. 3 will be described. The laser beam emitted from the semiconductor laser device 1 is introduced into the optical fiber and extracted as a signal outside the package by the above-described configuration.

【0007】上記した構成からなる半導体レーザモジュ
ールは、光ファイバ通信等の分野で広く用いられている
が、通信の伝送品質を確保するために出力される信号は
十分安定なものでなければならない。一方、半導体レー
ザ素子は、温度特性をもっており、温度によりレーザ光
の特性は大きく変動する。
The semiconductor laser module having the above-described configuration is widely used in the field of optical fiber communication and the like, but a signal output in order to ensure communication transmission quality must be sufficiently stable. On the other hand, semiconductor laser devices have temperature characteristics, and the characteristics of laser light vary greatly with temperature.

【0008】従って、このタイプの半導体レーザモジュ
ールでは、内部にサーミスタ及びペルチェクーラを有
し、動作時には、常時サーミスタによって、レーザ素子
直近の温度を監視し、ペルチェクーラの入力にフィード
バックをかけ、半導体レーザモジュールの雰囲気の温度
が変化してもレーザチップの温度を一定に保持できる様
な構造となっている。
Accordingly, this type of semiconductor laser module has a thermistor and a Peltier cooler inside. During operation, the temperature near the laser element is constantly monitored by the thermistor, and the input of the Peltier cooler is fed back to operate the semiconductor laser module. The structure is such that the temperature of the laser chip can be kept constant even if the temperature of the atmosphere of the module changes.

【0009】一般的には、レーザモジュールの動作保証
温度範囲T=−40〜65℃に対し、レーザチップ温度
LD=25℃となる様温度制御を行う。
Generally, temperature control is performed so that the laser chip temperature T LD = 25 ° C. with respect to the operation guarantee temperature range T = −40 to 65 ° C. of the laser module.

【0010】厳密には、レーザ素子は発熱源であり、雰
囲気温度T=25℃でレーザ素子に通電すると、レーザ
チップ温度TLDは25℃より数℃上昇するが、簡単のた
めに、レーザ素子の発熱を無視すると、雰囲気温度が2
5℃よりも低い場合は、ペルチェクーラは加熱装置とし
て動作させて、TLD=25℃に制御を行う。一方、雰囲
気温度が25℃より高い場合には、ペルチェクーラに流
す電流を反転させ、冷却装置として動作させる。
Strictly speaking, the laser element is a heat source, and when the laser element is energized at an ambient temperature T = 25 ° C., the laser chip temperature T LD rises by a few degrees from 25 ° C. Neglecting the heat generated by
If it is lower than 5 ° C., the Peltier cooler is operated as a heating device to control T LD = 25 ° C. On the other hand, when the ambient temperature is higher than 25 ° C., the current flowing through the Peltier cooler is reversed to operate as a cooling device.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザモジュールでは、上述した様に、ペルチェクーラ上に
光学結合系、すなわちレーザ素子、レンズ、ホルダー、
ファイバピグテール等が構成されているために、以下の
ような問題点を有している。
In this conventional semiconductor laser module, as described above, an optical coupling system, that is, a laser element, a lens, a holder,
Due to the configuration of the fiber pigtail and the like, there are the following problems.

【0012】(1)第1の問題点は、パッケージの高さ
が高い、ということである。
(1) The first problem is that the height of the package is high.

【0013】(2)第2の問題点は、機械的衝撃に対す
る耐力が低い、ということである。
(2) The second problem is that the resistance to mechanical shock is low.

【0014】上記第1の問題点については、その構成
上、光学結合系とペルチェクーラの物理的寸法の制約に
よって、図3に示した従来技術の半導体レーザモジュー
ルにおいては、パッケージの高さは、およそ約10mm
程度とされている。
Regarding the first problem, the height of the package in the prior art semiconductor laser module shown in FIG. 3 is limited by the restrictions on the physical dimensions of the optical coupling system and the Peltier cooler due to its configuration. About 10mm
Degree.

【0015】また、上記第2の問題点については、ペル
チェクーラ単体の機械的衝撃の耐力は1500G以上の
実力を有しているが、ペルチェクーラ上にかなりの重量
を有する光学結合系がマウントされているため、衝撃印
加時にペルチェクーラに加わる負荷が大きくなり、50
0G程度の機械的衝撃の印加により、ペルチェクーラの
破壊が発生してしまう。
[0015] Regarding the second problem, although the Peltier cooler has a mechanical shock resistance of 1500 G or more, an optical coupling system having a considerable weight is mounted on the Peltier cooler. As a result, the load applied to the Peltier cooler when an impact is applied increases,
The application of a mechanical shock of about 0 G causes the Peltier cooler to break.

【0016】次に、半導体レーザモジュールのパッケー
ジ高さを低減するための従来技術として、例えば特開平
5−226779号公報には、図4に縦断面図として示
すような半導体レーザモジュールの構造が提案されてい
る。
Next, as a prior art for reducing the package height of a semiconductor laser module, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-226779 proposes a structure of a semiconductor laser module as shown in FIG. Have been.

【0017】図4を参照して、上記特開平5−2267
79号公報に記載の半導体レーザモジュールにおいて
は、ペルチェクーラ下基板を廃して、パッケージ底板1
0内壁上に直接ペルチェ素子5cをマウントする構造と
されている。しかしながら、この場合、ペルチェクーラ
下基板1枚分(約0.5mm)のパッケージ薄型化の効
果しかなく、又機械的衝撃に対する耐力の改善について
は効果はない。
Referring to FIG.
In the semiconductor laser module described in JP-A-79-79, the substrate below the Peltier cooler is eliminated and
The Peltier element 5c is mounted directly on the inner wall of the Peltier 0. However, in this case, there is only an effect of reducing the thickness of the package for one Peltier cooler lower substrate (approximately 0.5 mm), and there is no effect in improving the resistance to mechanical shock.

【0018】従って、本発明は、上記事情に鑑みて為さ
れたものであって、その目的は、ペルチェクーラを備え
た半導体レーザモジュールにおいて、パッケージの薄型
化を図ると共に、機械的衝撃に対する耐力を向上する半
導体レーザモジュールを提供することにある。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to reduce the thickness of a package in a semiconductor laser module having a Peltier cooler and to reduce the resistance to mechanical shock. An object of the present invention is to provide an improved semiconductor laser module.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、半導体レーザ素子と光ファイバとを備え
た半導体レーザモジュールにおいて、温度調整素子が該
半導体レーザモジュールのパッケージの天板と底板間で
挾持され、前記パッケージの天板と底板のうち温度調整
対象となる一方の板の内壁面側に、光学結合系が配設さ
れてなることを特徴としたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor laser module having a semiconductor laser element and an optical fiber, wherein a temperature adjusting element is provided on a top plate and a bottom plate of a package of the semiconductor laser module. An optical coupling system is provided on the inner wall surface side of one of the top plate and the bottom plate of the package which is to be subjected to temperature adjustment, between the top plate and the bottom plate of the package.

【0020】本発明においては、前記半導体レーザ素子
を搭載したキャリアと、前記半導体レーザ素子と前記光
ファイバとを光学的に結合する光学系と、が共に、前記
パッケージの天板と底板のうち温度調整対象となる一方
の板の内壁面上に配設されてなることを特徴とする。
In the present invention, the carrier on which the semiconductor laser device is mounted and an optical system for optically coupling the semiconductor laser device and the optical fiber are both provided on the top plate and the bottom plate of the package. It is arranged on the inner wall surface of one plate to be adjusted.

【0021】また、本発明においては、該半導体レーザ
素子を搭載したキャリアが、温度調整素子の温度調整対
象の基板内壁上にマウントされていることを特徴とす
る。
Further, in the present invention, the carrier on which the semiconductor laser device is mounted is mounted on the inner wall of the substrate to be temperature-controlled by the temperature control device.

【0022】本発明の概要を以下に説明する。近年、こ
の種の半導体レーザモジュールに対する要求規格が厳し
くなっており、パッケージの高さについては例えば6m
m以下、機械的衝撃に対する耐力1500G以上が要求
されている。
The outline of the present invention will be described below. In recent years, the required standard for this type of semiconductor laser module has become strict.
m or less, and a resistance to mechanical shock of 1500 G or more is required.

【0023】本発明に係る半導体レーザモジュールにお
いては、温度調整素子であるペルチェ素子を、パッケー
ジの天板と底板間で挾持した構成とし、光学結合系の全
部又は一部を、温度調整対象とされるパッケージ板内壁
又はペルチェクーラの基板内壁に構成することによっ
て、上述の要求規格を満足する半導体レーザモジュール
を提供するものである。ここで、温度調整素子であるペ
ルチェ素子について、例えば冷却時において、上基板か
ら吸熱動作、下基板から放熱動作を行う際には、冷却対
象とされるパッケージ天板内壁側に光学結合系の全部又
は一部を配設する構成とする。そしてペルチェ素子に流
す電流の向きを反転することによって、ペルチェ素子を
加熱素子として用いる場合には、ペルチェ素子の上基板
から放熱がなされ、このため上基板が温度調整対象基板
となり、当該上基板に当接したパッケージ天板側が加熱
されることになる。
In the semiconductor laser module according to the present invention, the Peltier element as the temperature adjusting element is sandwiched between the top plate and the bottom plate of the package, and all or a part of the optical coupling system is subjected to temperature adjustment. A semiconductor laser module that satisfies the above-mentioned required standard is provided by forming the inner wall of a package plate or the inner wall of a Peltier cooler substrate. Here, for the Peltier element which is a temperature adjusting element, for example, when performing a heat absorbing operation from the upper substrate and a heat releasing operation from the lower substrate during cooling, the entire optical coupling system is provided on the inner wall side of the package top plate to be cooled. Alternatively, a configuration in which a part is provided is adopted. Then, when the Peltier element is used as a heating element, heat is radiated from the upper substrate of the Peltier element by reversing the direction of the current flowing through the Peltier element. The package top plate side that is in contact is heated.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図面を
参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態の
構成を説明するための縦断面図である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view for explaining the configuration of the first embodiment of the present invention.

【0025】図1を参照して、ペルチェクーラ上基板5
a、ペルチェ素子5c、ペルチェクーラ下基板5bから
なるペルチェクーラは、パッケージ天板11及びパッケ
ージ底板10間に挾持されてマウントされている。サー
ミスタ4及びヒートシンク2を介して半導体レーザチッ
プ1が、キャリア3上にマウントされており、さらにキ
ャリア3と、レンズ6、スライドリング8及びファイバ
ピグテール9が固定されたホルダ7から成る光学結合系
は、パッケージ天板11内壁上に構成されている。この
場合、ペルチェクーラ上基板5aがペルチェ素子による
温度調整対象基板とされている。
Referring to FIG. 1, Peltier cooler upper substrate 5
a, a Peltier cooler composed of a Peltier element 5c and a Peltier cooler lower substrate 5b is mounted so as to be sandwiched between a package top plate 11 and a package bottom plate 10. An optical coupling system in which a semiconductor laser chip 1 is mounted on a carrier 3 via a thermistor 4 and a heat sink 2 and a holder 7 to which a carrier 3, a lens 6, a slide ring 8 and a fiber pigtail 9 are fixed is provided. , On the inner wall of the package top plate 11. In this case, the Peltier cooler upper substrate 5a is a substrate whose temperature is to be adjusted by the Peltier element.

【0026】このように、本発明の第1の実施形態にお
いては、ペルチェクーラをパッケージ天板とパッケージ
底板間に挾持し、光学結合系をパッケージ天板上に構成
したことにより、パッケージの高さを、例えば10mm
から約半分の6mm程度にまで薄型化することが可能と
なる。機械的衝撃に対する耐力も、ペルチェクーラ単体
の機械的衝撃耐力である1500G以上まで引き上げる
ことが可能となる。
As described above, in the first embodiment of the present invention, the Peltier cooler is sandwiched between the package top plate and the package bottom plate, and the optical coupling system is formed on the package top plate. Is, for example, 10 mm
It is possible to reduce the thickness to about 6 mm, that is, about half. The resistance to mechanical shock can be increased to 1500 G or more, which is the mechanical shock resistance of the Peltier cooler alone.

【0027】図2は、本発明の第2の実施形態を説明す
るための縦断面図である。図2を参照して、本発明の第
2の実施形態においては、前記第1の実施形態と異な
り、サーミスタ4及びヒートシンク2を介して半導体レ
ーザチップ1がマウントされているキャリア3は、ペル
チェクーラ上基板5aの内壁上にマウントされているこ
とを特徴としている。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, in the second embodiment of the present invention, unlike the first embodiment, the carrier 3 on which the semiconductor laser chip 1 is mounted via the thermistor 4 and the heat sink 2 is a Peltier cooler. It is characterized in that it is mounted on the inner wall of the upper substrate 5a.

【0028】前記第1及び第2の実施形態の半導体レー
ザモジュールの動作原理をあわせて説明する。
The operating principle of the semiconductor laser modules of the first and second embodiments will be described together.

【0029】半導体レーザチップ1のレーザ光が信号と
してパッケージ外部に取り出されるしくみについては、
上記従来技術と同様である。また、レーザチップ1の温
度は、その直近にマウントされたサーミスタ4により検
知され、サーミスタ4の出力信号が一定となるようペル
チェクーラ5cの動作にフィードバックをかける構造に
ついても従来と同様であるが、本発明の実施の形態は、
ペルチェクーラ5cによって、パッケージ雰囲気に曝さ
れているパッケージ天板11又はパッケージ天板11内
壁上にマウントされたペルチェクーラ上基板5a自体の
温度を変化させ、レーザ素子1直近の温度を制御するこ
とになる。
The mechanism by which the laser light of the semiconductor laser chip 1 is extracted out of the package as a signal is described below.
This is the same as the above-mentioned prior art. Further, the temperature of the laser chip 1 is detected by the thermistor 4 mounted in the vicinity of the laser chip 1, and the structure for feeding back the operation of the Peltier cooler 5 c so that the output signal of the thermistor 4 becomes constant is the same as the conventional one. Embodiments of the present invention
The temperature of the package top plate 11 exposed to the package atmosphere or the Peltier cooler upper substrate 5a itself mounted on the inner wall of the package top plate 11 is changed by the Peltier cooler 5c to control the temperature in the vicinity of the laser element 1. Become.

【0030】このため、本発明の実施の形態において
は、半導体レーザモジュールの雰囲気温度によってパッ
ケージ天板11の温度が変化しないように、従来の半導
体レーザモジュールに使用されるペルチェクーラより
も、高い冷却能力を備えたペルチェクーラが必要とされ
るが、これは、現状のペルチェクーラの技術により対応
可能とされている。
Therefore, in the embodiment of the present invention, the cooling temperature is higher than that of the Peltier cooler used in the conventional semiconductor laser module so that the temperature of the package top plate 11 does not change due to the ambient temperature of the semiconductor laser module. A capable Peltier cooler is required, which can be accommodated by current Peltier cooler technology.

【0031】本発明の第2の実施形態は、第1の実施形
態に比べて、雰囲気温度の影響を受けにくく、ペルチェ
クーラに要求される冷却能力は低くて済む。
The second embodiment of the present invention is less susceptible to the influence of the ambient temperature than the first embodiment, and requires a lower cooling capacity for the Peltier cooler.

【0032】以上、本発明の実施の形態を説明したが、
本発明は前記形態にのみ限定されるものでなく、本発明
の原理に準ずる各種形態及び変形を含むことは勿論であ
る。
The embodiment of the present invention has been described above.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but includes various embodiments and modifications in accordance with the principles of the present invention.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ペルチェクーラをパッケージ天板とパッケージ底板間に
挾持し、光学結合系をパッケージ天板上に構成、又は一
部をペルチェクーラのプレート内壁上に構成したことに
よって、従来、ペルチェクーラの高さと光学結合系の高
さの和できまる物理的寸法に制限されていたパッケージ
の高さを薄型化し、且つ機械的衝撃耐力を改善すること
ができる。本発明に係る半導体レーザモジュールによれ
ば、パッケージ高さを10mmから約半分の6mm程度
まで薄型化することが可能とされ、ペルチェクーラ単体
の機械的衝撃耐力である1500G以上までその機械的
衝撃耐力を引き上げることが可能となる。
As described above, according to the present invention,
Conventionally, the Peltier cooler is sandwiched between the package top plate and the package bottom plate, and the optical coupling system is configured on the package top plate, or a part is configured on the inner wall of the Peltier cooler. The height of the package, which has been limited to the physical dimensions that can be summed up by the height of the system, can be reduced in thickness, and the mechanical shock resistance can be improved. According to the semiconductor laser module of the present invention, the package height can be reduced from 10 mm to about half, that is, about 6 mm, and its mechanical shock resistance is increased to 1500 G or more, which is the mechanical shock resistance of the Peltier cooler alone. Can be raised.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態を説明するための図で
ある。
FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施形態を説明するための図で
ある。
FIG. 2 is a diagram for explaining a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の半導体レーザモジュールを説明するため
の図である。
FIG. 3 is a view for explaining a conventional semiconductor laser module.

【図4】従来の別の半導体レーザモジュールを説明する
ための図である。
FIG. 4 is a view for explaining another conventional semiconductor laser module.

【符号の説明】 1 半導体レーザ素子 2 ヒートシンク 3 キャリア 4 サーミスタ 5 ペルチェクーラ 5a ペルチェクーラ上基板 5b ペルチェクーラ下基板 5c ペルチェ素子 6 レンズ 7 ホルダ 8 スライドリング 9 ファイバピグテール 10 パッケージ底板 11 パッケージ天板 12 ハンダ 13 モニタ用フォトダイオード[Description of Signs] 1 Semiconductor laser element 2 Heat sink 3 Carrier 4 Thermistor 5 Peltier cooler 5a Peltier cooler upper substrate 5b Peltier cooler lower substrate 5c Peltier element 6 Lens 7 Holder 8 Slide ring 9 Fiber pigtail 10 Package bottom plate 11 Package top plate 12 Solder 13 Photodiode for monitor

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体レーザ素子と光ファイバとを備えた
半導体レーザモジュールにおいて、 温度調整素子が該半導体レーザモジュールのパッケージ
の天板と底板間で挾持され、前記パッケージの天板と底
板のうち温度調整対象となる一方の板の内壁面側に光学
結合系を配設してなることを特徴とする半導体レーザモ
ジュール。
1. A semiconductor laser module having a semiconductor laser element and an optical fiber, wherein a temperature adjusting element is sandwiched between a top plate and a bottom plate of a package of the semiconductor laser module, and a temperature adjustment element is provided between the top plate and the bottom plate of the package. A semiconductor laser module comprising an optical coupling system disposed on an inner wall surface side of one plate to be adjusted.
【請求項2】前記半導体レーザ素子を搭載したキャリア
と、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとを光学的
に結合する光学系と、が共に、前記パッケージの天板と
底板のうち温度調整対象となる一方の板の内壁面上に配
設されたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ
モジュール。
2. A carrier on which the semiconductor laser device is mounted, and an optical system for optically coupling the semiconductor laser device and the optical fiber are both a temperature adjustment target of a top plate and a bottom plate of the package. 2. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein said semiconductor laser module is disposed on an inner wall surface of said one plate.
【請求項3】半導体レーザ素子と光ファイバとを備えた
半導体レーザモジュールにおいて、 温度調整素子が該半導体レーザモジュールのパッケージ
の天板と底板間で挾持され、 該半導体レーザ素子を搭載したキャリアが、前記温度調
整素子の温度調整対象の基板内壁上にマウントされてい
ることを特徴とする半導体レーザモジュール。
3. A semiconductor laser module comprising a semiconductor laser element and an optical fiber, wherein a temperature adjusting element is sandwiched between a top plate and a bottom plate of a package of the semiconductor laser module, and a carrier on which the semiconductor laser element is mounted is: A semiconductor laser module mounted on an inner wall of a substrate whose temperature is to be adjusted by the temperature adjusting element.
【請求項4】半導体レーザ素子と光ファイバとを備えた
半導体レーザモジュールにおいて、 温度調整素子がその上基板及び下基板を該半導体レーザ
モジュールのパッケージの天板と底板とに当接して配設
され、 前記半導体レーザ素子を搭載したキャリアが、温度調整
対象となる前記上基板又は下基板のいずれかの基板に当
接した前記パッケージ板内壁、又は前記温度調整対象と
なる前記基板の内壁上に配設されると共に、 前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとを光学的に結
合する光学結合系が、前記温度調整対象となる前記基板
に当接した前記パッケージ板側に配設されてなることを
特徴とする半導体レーザモジュール。
4. A semiconductor laser module comprising a semiconductor laser element and an optical fiber, wherein a temperature adjusting element is provided with an upper substrate and a lower substrate in contact with a top plate and a bottom plate of a package of the semiconductor laser module. A carrier on which the semiconductor laser element is mounted is disposed on an inner wall of the package plate in contact with one of the upper substrate and the lower substrate to be subjected to temperature adjustment, or on an inner wall of the substrate to be subjected to temperature adjustment. And an optical coupling system for optically coupling the semiconductor laser element and the optical fiber is disposed on the package plate side in contact with the substrate to be subjected to the temperature adjustment. Semiconductor laser module.
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