JPH0661548A - Magnetoresistance transducer - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗トランスデュー
サに関する。更に詳細には、本発明は、磁気抵抗トラン
スデューサ用導体構成の改良に関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to magnetoresistive transducers. More specifically, the present invention relates to improvements in conductor configurations for magnetoresistive transducers.
【0002】[0002]
【従来技術及びその問題点】磁気媒体技術の絶えざる進
歩につれて、データ記憶密度の増大が可能になる。活発
な開発分野の1つとして、高出力の読取りトランスデュ
ーサの分野が挙げられる。この種のトランスデューサが
小型化するにつれて、データ密度が増大する。磁気抵抗
(MR)薄膜技術は、特に更に小さい読取りトランスデ
ューサの製造についての前途有望な研究領域を提供して
きた。この種の技術における導電性薄膜は、半導体技術
における技法に類似した技法を用いてサブストレート上
に形成される。2. Description of the Related Art With the continuous development of magnetic media technology, it is possible to increase the data storage density. One of the active development areas is the area of high power read transducers. As the size of this type of transducer becomes smaller, the data density increases. Magnetoresistive (MR) thin film technology has provided a promising area of research, especially for the fabrication of smaller read transducers. The conductive thin film in this type of technology is formed on the substrate using techniques similar to those in semiconductor technology.
【0003】単一ストライプMRトランスデューサ(或
いは、Voegeliに許可された米国特許第3,860,965号に開
示されているような、双ストライプMRトランスデュー
サの2つのMRストライプまたはエレメント)における
MRストライプまたはエレメントは、磁気媒体のトラッ
ク幅に比較して長くなければならない。このようにし
て、トランスデューサは安定領域状態を与える。MRス
トライプに接触を取ってストライプに電源を提供しまた
MRストライプを使って磁束(即ち、データ)を検知す
るために、様々な構成が提案されてきた。The MR stripe or element in a single-stripe MR transducer (or two MR stripes or elements of a dual-stripe MR transducer, such as disclosed in US Pat. No. 3,860,965 issued to Voegeli) is used for magnetic media. Must be long compared to the track width. In this way, the transducer provides a stable region condition. Various configurations have been proposed to contact the MR stripe to provide power to the stripe and to sense magnetic flux (ie, data) using the MR stripe.
【0004】図1(a)及び(b)に示す従来技術によ
るこの種の導体構成の1つでは、各MRストライプ16
と接触するための2つの導体12、14を備える。図に
おいて、電流方向を「i」で示し、磁界方向を「H」で
示し、磁化方向を「M」で示す。これらの表示方法は、
本出願全体に渡って適用されるものとする。In one prior art conductor configuration of the type shown in FIGS. 1A and 1B, each MR stripe 16 is shown.
It comprises two conductors 12, 14 for contact with. In the figure, the current direction is indicated by "i", the magnetic field direction is indicated by "H", and the magnetization direction is indicated by "M". These display methods are
It shall apply throughout this application.
【0005】ここに示す構成では、導体がMRストライ
プの上に配置されているので、導体上位構成(conducto
rs-over arrangement)と称し、理髪店の渦巻状の看板
のような形のバイアスMRヘッドに用いられる。導体上
位構成は、トランスデューサシールド(図示せず)また
は他方のMRストライプ(双ストライプMRトランスデ
ューサの場合)と短絡を起こし易い。この種の短絡は、
トランスデューサの空気ベアリング表面を形成するため
に用いられるラップ仕上げ工程における導体の汚れに起
因するか、動作しているディスクドライブ内においてデ
ィスク表面の粗部に遭遇することに起因する。In the structure shown here, since the conductor is arranged on the MR stripe, the conductor upper structure (conducto) is used.
rs-over arrangement) and is used for a bias MR head having a shape like a spiral signboard of a barber shop. The conductor superstructure is susceptible to shorts with the transducer shield (not shown) or the other MR stripe (for a bi-stripe MR transducer). This kind of short circuit
Either due to conductor contamination in the lapping process used to form the air bearing surface of the transducer, or due to encountering disk surface roughness within a working disk drive.
【0006】トランスジューサの空気ベアリング表面に
沿った導体の長さは非常に重要な意味を持つ。図1
(a)での導体の長さは、長くて約400μm程度、短
くて40μm程度である。この寸法が長ければ長い程、
トランスデューサ空気ベアリング表面をラップ仕上げ
(lapping)する結果として、或いは既に述べたように
ディスクの粗部に接触した結果として、トランスデュー
サシールド(図示せず)とMR導体の間、或いは双スト
ライプトランスデューサの場合には2つのMR導体の間
に短絡が起こり易くなる。The length of the conductor along the air bearing surface of the transducer has a very important meaning. Figure 1
The length of the conductor in (a) is about 400 μm at the longest and about 40 μm at the shortest. The longer this dimension is,
Between the transducer shield (not shown) and the MR conductor, or in the case of a bi-striped transducer, as a result of lapping the transducer air bearing surface, or contact with the rough portion of the disk as previously described. Is likely to cause a short circuit between the two MR conductors.
【0007】図2(a)及び(b)に示す、先行技術で
検討された配置は、適切にも先端配置(tip arrangemen
t)と呼ばれる。チップトランスデューサは、MRエレ
メント26に対して電流を流すように配置された導体2
2、24を有する。これは、アメリカ合衆国ニューヨー
ク州 Armonk の International Business Machinesによ
って開発された構成であることは良く知られている。先
端配置されたトランスデューサを使用した者の経験によ
ると、この種の構成においてはトラックの縁におけるレ
スポンスが不均一になる傾向がある。それは、1つに
は、導体(トラックの縁)の縁では、電流「i」により
磁界「H」が色々な方向にかかるからである。The arrangements discussed in the prior art, shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), are properly tip arrangements.
t). The chip transducer is a conductor 2 arranged to pass a current to the MR element 26.
2 and 24. It is well known that this is a configuration developed by International Business Machines in Armonk, NY, USA. Experience with those who use tip-mounted transducers tends to result in non-uniform response at the track edges in this type of configuration. This is partly because at the edge of the conductor (track edge), the magnetic field "H" is applied in different directions by the current "i".
【0008】図2(a)において、電流「i」によって
誘導される磁界「H」の方向は、トラックの縁でこの電
流が磁界を曲げないとしても、同じにはならない。従っ
て、磁化「M」は、トラックの縁において不均一に回転
する。従って、トラックの縁で生じるレスポンスは同じ
でなく、その結果、トラックのプロファイルは非対称と
なる。In FIG. 2 (a), the direction of the magnetic field "H" induced by the current "i" is not the same, even if this current does not bend the magnetic field at the edge of the track. Therefore, the magnetization "M" rotates non-uniformly at the edges of the track. Therefore, the responses occurring at the edges of the tracks are not the same, resulting in an asymmetric track profile.
【0009】同様に、1つの単一領域MRトランスデュ
ーサを用いて高いトラック密度を再生するためには、M
Rエレメント(或いは、双ストライプトランスデューサ
構成の場合には複数のエレメント)の長さもまたトラッ
クの幅よりも非常に大きくなければならない。1つのや
り方は、トラックに沿って高い分解能を得るために、M
RトランスデューサのMRセンサ部分を、2つの磁気シ
ールドの間に配置することである。MR読取りエレメン
トにおいて、活性部分はMRエレメント内の検知電流が
流れる部分として定義され、一般に、MRエレメントと
の間で電流を流入・流出させる導体リードを配置した結
果決まる。リードとMRエレメントは組になって、記録
された情報に対して好ましくない誘導性のレスポンスを
引き起こす単巻コイルを構成する。このレスポンスの大
きさは、この種のコイルが覆うトラックの本数によって
決定される。Similarly, to reproduce high track densities with one single area MR transducer, M
The length of the R element (or elements in the case of a bi-stripe transducer configuration) must also be much larger than the width of the track. One way is to get high resolution along the track by M
The MR sensor part of the R transducer is placed between two magnetic shields. In an MR read element, the active portion is defined as the portion of the MR element through which the sense current flows and is generally determined by the placement of conductor leads in and out of the MR element. The reed and MR element together form a single turn coil that causes an unwanted inductive response to the recorded information. The magnitude of this response is determined by the number of tracks covered by this type of coil.
【0010】従って、MRトランスデューサの現状の技
術は、導体配置と関連した様々な問題を孕んでいる。こ
れらの問題には、短絡に起因する低い歩留り、トラック
の縁に一様な磁界がないために起こるトラックプロファ
イルの対称性が乏しいこと、及びトラック間干渉を起こ
す誘導による信号の拾い上げ(inductive pickup)の問
題が含まれる。Therefore, the current state of the art for MR transducers has various problems associated with conductor placement. These problems include low yield due to short circuits, poor track profile symmetry due to lack of uniform magnetic field at the track edges, and inductive pickup due to inductive inter-track interference. The problem of is included.
【0011】[0011]
【目的】本発明は、短絡、トラックの縁における対称性
の欠如、及び、誘導によって信号を拾い上げるという問
題を、完全に排除できないとしても、最小限に抑制する
ように改良された磁気抵抗トランスデューサにおける電
流導体の配置を提供することを目的とする。The present invention is directed to a magnetoresistive transducer that is improved to minimize, if not completely eliminate, the problems of short circuits, lack of symmetry at the edges of tracks, and picking up signals by induction. It is intended to provide an arrangement of current conductors.
【0012】[0012]
【概要】本発明の好ましい実施例においては、単一スト
ライプまたは双ストライプのトランスデューサについて
の導体構成が提供される。この導体構成では、導体中の
磁界を同じ方向に向けて、対称的なトラックプロファイ
ルを与え、これによりトラックの縁のレスポンスを改善
する。空気ベアリング表面における導体部分も最小限に
抑えて短絡の可能性を少なくし、それによって装置の歩
留り及び信頼性を改善する。SUMMARY In a preferred embodiment of the present invention, conductor configurations for single-stripe or bi-stripe transducers are provided. In this conductor configuration, the magnetic fields in the conductors are oriented in the same direction, giving a symmetrical track profile, which improves the response at the edges of the tracks. The conductor portion at the air bearing surface is also minimized to reduce the possibility of short circuits, thereby improving device yield and reliability.
【0013】本発明の一実施例においては、導体構成に
よって磁気抵抗感知エレメントの活性部分の幅を制限す
ることにより、誘導による拾い上げを最小限に抑制す
る。双ストライプ磁気抵抗トランスデューサに関する用
途に有用な本発明の別の実施例においては、各磁気抵抗
ストライプに対して互いに重なるように導体を配置し、
これらの導体をコモンモードリジェクションによって誘
導による拾い上げを打ち消すために差動的に結合するこ
とによって、誘導による拾い上げを最小限に抑制する。In one embodiment of the present invention, the conductive configuration limits the width of the active portion of the magnetoresistive sensing element to minimize inductive pick-up. Another embodiment of the invention, useful in applications involving bi-stripe magnetoresistive transducers, is to arrange conductors on top of each other for each magnetoresistive stripe,
Inductive pick-up is minimized by differentially coupling these conductors by common mode rejection to cancel the inductive pick-up.
【0014】[0014]
【実施例】本発明は、図面を参照しながら実施例の説明
を検討する最も良く理解される。本発明は、磁気抵抗
(MR)トランスデューサ用のユニークな導体構成を提
供する。本発明の開示事項を応用することにより、様々
なタイプのMRトランスデューサを製造することが可能
であり、こうして製造されたMRトランスデューサは全
て、性質としてトラックの断面形状が対称的であり、誘
導による拾い上げに影響されず、ラップ仕上げ工程での
汚染による短絡を起こすおそれが少ない。The present invention is best understood by considering the description of the embodiments with reference to the drawings. The present invention provides a unique conductor configuration for a magnetoresistive (MR) transducer. By applying the disclosure of the present invention, it is possible to manufacture various types of MR transducers, and the MR transducers manufactured in this way all have a symmetrical track cross-sectional shape, and are capable of being picked up by induction. There is little risk of causing a short circuit due to contamination during the lapping process.
【0015】図3に示すMRトランスデューサの構成に
おいて、MRエレメントとの間で電流を流すためにMR
エレメント36に接触するように導体32、34が配置
される。これらの導体は全体としてはL字形に構成さ
れ、「L」字の広い方の部分がMRエレメントに接触す
る。図に示す導体は、MRエレメントに接続される導体
部分の導体幅が5μmから25μmまでであり、MRエ
レメントに重なる導体部分の導体幅が2μmから5μm
までであることが好ましい。In the configuration of the MR transducer shown in FIG. 3, the MR element is used to pass a current between the MR element and the MR element.
The conductors 32 and 34 are arranged so as to contact the element 36. These conductors are generally L-shaped, with the wider portion of the "L" contacting the MR element. In the conductor shown in the figure, the conductor width of the conductor portion connected to the MR element is 5 μm to 25 μm, and the conductor width of the conductor portion overlapping the MR element is 2 μm to 5 μm.
Is preferably up to.
【0016】図において、導体内を流れる電流「i」を
矢印によって示す。このように、電流は、導体32によ
ってMRエレメントに流入し、導体34によってMRエ
レメントから流出し、MRエレメントには一様な電流注
入が行われる。図に示すように、本発明の重要な性質
は、各トラックの縁における導体内の電流のために、導
体内の磁界「H」の方向が同じであるということであ
る。このように、本発明は、トラックの縁において一様
な磁界を提供する。この事実は、トラックの縁における
レスポンスに好ましくない影響を及ぼすことなく対称的
なトラックのプロファイルを維持するために重要であ
る。磁化「M」は、トランスデューサの活性部分を横断
する対角線として示される。In the figure, the current "i" flowing in the conductor is indicated by an arrow. Thus, current flows into the MR element by conductor 32 and out of the MR element by conductor 34, providing a uniform current injection into the MR element. As shown, an important property of the invention is that the direction of the magnetic field "H" in the conductor is the same due to the current in the conductor at the edge of each track. Thus, the present invention provides a uniform magnetic field at the track edges. This fact is important for maintaining a symmetrical track profile without adversely affecting the response at the track edges. The magnetization "M" is shown as a diagonal line across the active portion of the transducer.
【0017】図3(b)は、本発明におけるトランスデ
ューサ空気ベアリング表面を示す。ここで導体32、3
4の断面形状はテーパ状の狭い台形である。この狭い断
面形がトランスデューサの空気ベアリング表面に対して
非常に小さい導体表面しか与えないことに注意された
い。従って、空気ベアリング表面を作るためにトランス
デューサをラップ仕上げる際に、導体が汚染されて他の
トランスデューサ構成部分と短絡を起こす可能性は比較
的小さい。更に、本発明に従って製造された導体によっ
て占められる面積は小さいので、後で詳細に検討するよ
うに、誘導による拾い上げが極めて少なくなる。上述の
検討は、磁化の方向がバイアスがかけられた状態である
ように示された、導体上位構成のトランスデューサにつ
いてなされていることに注意されたい。本発明は、既に
検討した例示の実施例に限定されるものでなく、本発明
を実施するに当たっては、MRエレメントの、またその
他のタイプのエレメントの下側にある導体も使用するこ
とができる。更に、本発明は、MRエレメントにバイア
スをかけるために使われる方法に依存しない。この構成
は双ストライプMRトランスデューサにも同様に使用で
きる。FIG. 3 (b) shows the transducer air bearing surface of the present invention. Where conductors 32 and 3
The cross section of No. 4 is a narrow trapezoid with a taper shape. Note that this narrow cross-section gives a very small conductor surface to the air bearing surface of the transducer. Therefore, when lapping the transducer to create the air bearing surface, the conductor is less likely to become contaminated and short circuit with other transducer components. Moreover, the small area occupied by the conductors manufactured in accordance with the present invention results in very low inductive pick-up, as will be discussed in more detail below. It should be noted that the above discussion was made for a conductor superposed transducer, where the direction of magnetization was shown to be biased. The present invention is not limited to the exemplary embodiments discussed above, but conductors underneath the MR element and other types of elements may also be used in the practice of the invention. Furthermore, the invention does not depend on the method used to bias the MR element. This configuration can be used for dual stripe MR transducers as well.
【0018】本発明の他の側面は、検出エレメント(M
Rエレメント)の1回巻きコイル及びその電気リードの
性質に起因する誘導による拾い上げを最小限に抑制する
電気的な接触をMRトランスデューサ(或いは、例えば
ホール効果装置のような他のソリッドステートセンサ)
に与えることである。例えば双エレメントMRセンサの
ような差動センサを使用する場合、本発明は、誘導によ
る拾い上げを除去し、トラック間干渉を著しく減少させ
る手段を提供する。According to another aspect of the present invention, the detection element (M
The MR transducer (or other solid state sensor, such as a Hall effect device) for electrical contact that minimizes inductive pick-up due to the nature of the single turn coil of the R element) and its electrical leads.
Is to give to. When using a differential sensor, such as a dual element MR sensor, the present invention provides a means of eliminating inductive pick-up and significantly reducing track-to-track interference.
【0019】図4の(a)から(d)までは、本発明に
基づいた導体配列を様々なMRトランスデューサ構成に
適用する場合の事例に関する平面図である。図4(a)
は、導体42、43がMRエレメント44に接触する、
理髪店の渦巻状の看板のような形のMRセンサ構造のた
めの導体構成を示す。同図で、磁気媒体上のトラックは
破線45で示すように配置される。ここで、破線45の
内の線の存在する部分がトラックを示し、破線45のと
ぎれている部分がトラック間の分離部分を示す。図4
(a)に示すトランスデューサの活性部分に対するトラ
ックの相対位置は、図4(b)及び(c)においても同
じであるが、説明を簡単にするために図4(a)にのみ
示す。FIGS. 4 (a) to 4 (d) are plan views of examples in which the conductor arrangement according to the present invention is applied to various MR transducer configurations. Figure 4 (a)
Means that the conductors 42, 43 contact the MR element 44,
2 shows a conductor configuration for a MR sensor structure in the shape of a barbershop spiral sign. In the figure, the tracks on the magnetic medium are arranged as indicated by a broken line 45. Here, the portion of the broken line 45 where the line exists indicates the track, and the broken portion of the broken line 45 indicates the separated portion between the tracks. Figure 4
The relative position of the track to the active portion of the transducer shown in (a) is the same in FIGS. 4 (b) and 4 (c), but is shown only in FIG. 4 (a) for the sake of simplicity.
【0020】図4(a)に示す構成においては、導体を
相互に小さな間隔を保って近接配置してセンサの活性部
分の幅を最小限にすることによって、誘導による拾い上
げを最小限に抑制する。こうすれば、センサが1つのト
ラックの上に位置する場合、MRレスポンスと誘導によ
るレスポンスのいずれに関しても隣接トラックに対して
事実上検出しない。In the configuration shown in FIG. 4A, the conductors are placed close to each other with a small spacing between them to minimize the width of the active portion of the sensor, thereby minimizing inductive pick-up. . In this way, if the sensor is located on one track, it will effectively detect neither MR response nor inductive response to adjacent tracks.
【0021】図4(b)は、MRエレメント44aと接
触するように配置された導体42a、43aを示す。こ
こに示す配置は、柔軟近接層(soft adjacent layer)
(SALバイアスされた)MRトランスデューサに応用
されている。図4(b)の実施例の動作は、図4(a)
の場合と同じである。従って、活性領域を選定されたト
ラックに制限して、誘導による拾い上げを最小限に抑制
するように、これらの導体の間に間隔が置かれる。FIG. 4 (b) shows the conductors 42a, 43a arranged in contact with the MR element 44a. The arrangement shown here is a soft adjacent layer.
It has been applied to (SAL biased) MR transducers. The operation of the embodiment shown in FIG. 4B is as shown in FIG.
Is the same as in. Therefore, a spacing is placed between these conductors to limit the active area to the selected tracks and to minimize inductive pick-up.
【0022】図4(c)は、双ストライプMRトランス
デューサに使用できる導体配列を示す。導体46、47
による第1の対は、一対のMRエレメント50のうちの
第1のエレメントと接触し、導体48、49による第2
の対は一対のMRエレメントの第2のエレメントにと接
触するように配置される。この構成において、MRエレ
メントは、同じ位置に置かれる、つまり一方のエレメン
トが他方のエレメントの上に重ねて置かれる。図4
(c)の構成においては、検出エレメントの活性領域を
制限するために導体の対同士を近接して配置する。更
に、差動出力は各検出エレメントを使って検出すること
によって生成され、差動信号が組合わされると、コモン
モード・リジェクションによって誘導による拾い上げを
打ち消す。この種の差動検出動作は、双ストライプMR
トランスデューサ(例えば、Voegeliに許可された米国
特許第3,860,965号参照)の場合に有効である。重要で
あることは、各MRストライプの性質が同じである場
合、すなわちこれの範囲と位置の両方について同じ領域
を覆っている場合に限って、差動信号が打ち消しあうと
いう点である。FIG. 4 (c) shows a conductor array that can be used in a bi-stripe MR transducer. Conductors 46, 47
Of the MR element 50 is in contact with the first pair of MR elements 50 and the second pair of conductors 48, 49
Are arranged in contact with the second element of the pair of MR elements. In this configuration, the MR elements are co-located, i.e. one element overlying the other. Figure 4
In the configuration of (c), the conductor pairs are arranged close to each other to limit the active area of the detection element. In addition, a differential output is produced by sensing with each sensing element, which, when combined with the differential signal, cancels the inductive pick-up by common mode rejection. This type of differential detection operation is performed by a double stripe MR.
Useful in the case of a transducer (see, eg, US Pat. No. 3,860,965 granted to Voegeli). What is important is that the differential signals cancel each other out only if the MR stripes are of the same nature, that is, they cover the same area both in terms of their range and their position.
【0023】本発明の他の実施例の構成を図4(d)に
示す。この構成では、双ストライプMRトランスデュー
サは、一対のMR検出エレメント50aに接続された2
つの導体対46a/47a、48a/49aを有する。
本発明のこの実施例において、MRエレメントは、図4
(c)の実施例と同様に相互に重ねて配置されるが、多
数のトラックからの磁界を検出するので、各MRエレメ
ントからの誘導による拾い上げは比較的大きい。ただ
し、これらの磁界は、組み合わさった状態でMRエレメ
ントによって検出され、2つのエレメント信号は差動的
に結合されたとき互いに差を取られる。従って、導体パ
ターンはトラックに対して範囲と位置の面で事実上同じ
部分を覆うので、正味の誘導による拾い上げは殆どゼロ
である。従って、導体リードの導電率が、当該導体が接
続されるMRエレメントの導電率の少なくとも10倍で
ある限り、MRエレメントのレスポンスは、センサがそ
の上に中心位置を合わせられているトラックにほぼ制限
される。The structure of another embodiment of the present invention is shown in FIG. In this configuration, the bi-striped MR transducer has two MR detector elements 50a connected to each other.
It has one conductor pair 46a / 47a, 48a / 49a.
In this embodiment of the invention, the MR element is shown in FIG.
Similar to the embodiment of (c), they are arranged on top of each other, but since magnetic fields from a large number of tracks are detected, pick-up by induction from each MR element is relatively large. However, these fields are detected by the MR element in combination and the two element signals are subtracted from each other when differentially coupled. Thus, the conductor pattern covers virtually the same area in area and position with respect to the track, so the net inductive pick-up is almost zero. Therefore, as long as the conductivity of the conductor lead is at least 10 times the conductivity of the MR element to which it is connected, the response of the MR element is substantially limited to the track on which the sensor is centered. To be done.
【0024】図5(a)から(c)までは、MRエレメ
ントの出力が差動的に接続され、活性領域が第1のトラ
ック「B」の中心に置かれ、隣のトラック「A」がトラ
ンスデューサの1つの導体に沿って配置された双ストラ
イプMRトランスデューサの例を示す。図5(a)の例
は、動作中の本発明の1つの実施例を示す。これら3つ
の例全てのにおいて、MRの活性領域は同じであり、M
Rエレメントのオフセットはない。5 (a) to 5 (c), the outputs of the MR elements are differentially connected, the active region is located at the center of the first track "B", and the adjacent track "A" is Figure 3 shows an example of a bi-stripe MR transducer placed along one conductor of the transducer. The example of FIG. 5 (a) illustrates one embodiment of the present invention in operation. In all three of these cases, the MR active region is the same and M
There is no R element offset.
【0025】図5(a)は、2つのMRエレメント(図
示せず)と差動増幅器57の間に接続された第1の導体
対51、53及び第2の導体対52、54を有する本発
明の好ましい実施例を示す。トランスデューサの活性領
域59はトラック「B」上に中心を合わせて図示してあ
る。図において、導体とMRエレメントの組み合わせで
構成されたこれらの単一巻きコイルは、同一の領域を持
っており、重なり合っている。動作に関して説明すれ
ば、この構成においては、トラック「B」に対するデー
タ読み取りのMRレスポンスは高く、他方では、誘導に
よるレスポンスは打ち消される。更に、この構成におい
ては、トラック「A」に対してはMRレスポンスも誘導
性レスポンスも与えない。FIG. 5A shows a book having a first conductor pair 51, 53 and a second conductor pair 52, 54 connected between two MR elements (not shown) and a differential amplifier 57. A preferred embodiment of the invention is shown. The transducer active area 59 is shown centered on track "B". In the figure, these single turn coils made up of a combination of conductors and MR elements have the same area and are overlapping. In operation, in this configuration, the MR response of reading data for track "B" is high, while the inductive response is canceled. Further, in this configuration, neither MR response nor inductive response is given to the track "A".
【0026】図5(b)は、2つのMRエレメント68
と差動増幅器67の間に接続された第1の導体対61、
63及び第2の導体対62、64を示す。トランスデュ
ーサの活性領域69の中心は、トラック「B」上に位置
する。図において、導体とMRエレメントの組み合わせ
で構成された単一巻きコイルは同じ領域を有するが重な
ってはいない。その動作に当たっては、この構成におい
ては、トラック「B」に対するデータ読み取りのMRレ
スポンスは高いが、トラック「B」からの誘導性のレス
ポンスは打ち消される。更に、この構成においては、ト
ラック「A」に対してはMRレスポンスはない。この構
成においては、第1のMRエレメント及びそれに関連付
けられた導体リードによって形成されたコイルを磁束が
貫通するので、トラック「A」に対してはある程度の誘
導性のレスポンスを生じるが、一方、磁束は、第2のM
R導体及びそれに関連付けられた導体リードによって形
成されたコイルを殆どまたは全く貫通しない。この構成
は、反復的でない誘導による拾い上げを引き起こす。FIG. 5B shows two MR elements 68.
And a first conductor pair 61 connected between the differential amplifier 67 and
63 and a second conductor pair 62, 64 are shown. The center of the transducer active area 69 is located on track "B". In the figure, single-turn coils made up of a combination of conductors and MR elements have the same area but are not overlapping. In this operation, in this configuration, the MR response of the data read to the track “B” is high, but the inductive response from the track “B” is canceled. Further, in this configuration, there is no MR response for track "A". In this configuration, the magnetic flux penetrates the coil formed by the first MR element and its associated conductor leads, thus producing some inductive response to track "A", while Is the second M
Little or no penetration is made through the coil formed by the R conductor and its associated conductor lead. This configuration causes non-repetitive guided pickup.
【0027】図5(c)は、2つのMRエレメント78
と差動増幅器77の間に接続された第1の導体対71、
73及び第2の導体対72、74を示す。トランスデュ
ーサの活性領域79はその中心がトラック「B」上に置
かれているように図示されている。図において、導体と
MRエレメントの組み合わせで構成されたこれらの単一
巻きコイルは異なった部分を有しており、またオフセッ
トはかかっていない。その動作に当たっては、この構成
においては、トラック「B」上のデータの読出しのMR
レスポンスは高いが、トラック「B」からの誘導性のレ
スポンスは打ち消される。この構成においては、第1の
MRエレメントとそれに関連付けられた導体リードによ
って形成されたコイルを磁束が貫通するので、トラック
「A」に対してはある程度の誘導性レスポンスを生じる
が、一方、磁束は第2のMR導体とそれに関連付けられ
た導体リードによって形成されたコイルを殆どまたは全
く貫通しない。この構成も、反復的でない誘導による拾
い上げを引き起こす。FIG. 5C shows two MR elements 78.
And a first conductor pair 71 connected between the differential amplifier 77 and
73 and a second conductor pair 72, 74 are shown. The active area 79 of the transducer is shown with its center located on track "B". In the figure, these single-turn coils made up of a combination of conductors and MR elements have different parts and are not offset. In this operation, the MR for reading the data on the track "B" is used in this configuration.
The response is high, but the inductive response from track "B" is canceled. In this configuration, the magnetic flux penetrates the coil formed by the first MR element and its associated conductor leads, thus producing some inductive response to track "A", while the magnetic flux Little or no penetration is made through the coil formed by the second MR conductor and its associated conductor leads. This configuration also causes non-repetitive guided pickup.
【0028】図5(b)及び(c)に関して検討した上
記の例は、誘導による拾い上げが抑制されないという点
で許容されない2つの導体構成を示す。従って、これら
の構成は、本発明の判定基準、すなわち誘導による拾い
上げの減少または排除には適合しない。全体的に、本発
明の好ましい1つの実施例は、既に検討したように、図
5(a)に示す構成である。特に、双ストライプMRト
ランスデューサに対しては、本発明の好ましい実施例
は、図4(d)に示す構成において図3(a)に示す導
体を使用する。The above examples discussed with respect to FIGS. 5 (b) and 5 (c) show two conductor configurations which are unacceptable in that the inductive pick-up is not suppressed. Therefore, these configurations do not meet the criteria of the present invention, namely the reduction or elimination of guided pickup. Overall, one preferred embodiment of the present invention is the configuration shown in Figure 5 (a), as previously discussed. In particular, for bi-stripe MR transducers, the preferred embodiment of the present invention uses the conductor shown in FIG. 3 (a) in the configuration shown in FIG. 4 (d).
【0029】好ましい実施例を参照して本発明について
説明したが、当業者にとっては、本発明の精神及び射程
から逸脱することなしに上述したもの以外の別の構成や
応用で置き換えれることを容易に理解できるはずであ
る。従って、本発明は本願特許請求の範囲によってのみ
限定されるべきである。Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, those skilled in the art can readily substitute other configurations and applications than those described above without departing from the spirit and scope of the invention. You should understand. Accordingly, the invention should only be limited by the claims included below.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば対称なトラックプロファイルが得られ、またトラッ
クの縁のレスポンスが改善される。As described in detail above, according to the present invention, a symmetrical track profile is obtained and the response of the edge of the track is improved.
【図1】従来技術による導体構成の一例を説明する図。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a conductor configuration according to a conventional technique.
【図2】従来技術による導体構成の別の例を説明する
図。FIG. 2 is a diagram illustrating another example of a conductor configuration according to the related art.
【図3】本発明の一実施例の導体構成を説明する図。FIG. 3 is a diagram illustrating a conductor configuration according to an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の一実施例の導体構成を説明する図。FIG. 4 is a diagram illustrating a conductor configuration according to an embodiment of the present invention.
【図5】本発明の一実施例の導体構成を説明する図。FIG. 5 is a diagram illustrating a conductor configuration according to an embodiment of the present invention.
12、14:導体 16:MRストライプ 22、24:導体 26、44:MRエレメント 32、34、42、43:導体 36、44a、50a、68、78:MRエレメント 42a、43a、46、47、51、52、53、5
4、61、62、63、64、71、72、73、7
4:導体 57、67、77:差動増幅器12, 14: Conductor 16: MR stripe 22, 24: Conductor 26, 44: MR element 32, 34, 42, 43: Conductor 36, 44a, 50a, 68, 78: MR element 42a, 43a, 46, 47, 51 , 52, 53, 5
4, 61, 62, 63, 64, 71, 72, 73, 7
4: conductor 57, 67, 77: differential amplifier
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ジェイ・ディビッドソン アメリカ合衆国アイダホ州イーグル・ステ ィルウエル・ドライブ 1156 (72)発明者 ビクター・ダブリュー・ヘスタマン アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス・ヒルズ・キャナリオ・ウエイ 12715 (72)発明者 ルング・テ・トラン アメリカ合衆国カリフォルニア州サラト ガ・ウッドブレイ・ドート 5085 (72)発明者 ギオラ・ジェイ・タルノポルスキィ アメリカ合衆国カリフォルニア州パロ・ア ルト・ジャクソン・ドライブ 525 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Robert Jay Davidson Eagle Steelwell Drive, Idaho, USA 1156 (72) Inventor Victor W. Hesterman Los Altos Hills Canario, USA Way 12715 (72) Inventor Lung Te Trang Saratoga, California, United States 5085 (72) Inventor Guiola Jay Tarnopolskiy Palo Alto Jackson Drive, CA 525
Claims (9)
リング表面を有する磁気抵抗トランスデューサ: (a)少なくとも1つの磁気抵抗エレメント; (b)電流を前記磁気抵抗エレメントとの間で運ぶ導
体:前記導体は前記ベアリング表面において小さな導体
領域を構成し、また前記導体に添った磁界は同じ方向に
走る。1. A magnetoresistive transducer having the following (a) and (b) and having an air bearing surface: (a) at least one magnetoresistive element; (b) carrying an electric current to and from the magnetoresistive element. Conductor: The conductor constitutes a small conductor area at the bearing surface, and the magnetic field along the conductor runs in the same direction.
とする請求項1記載の磁気抵抗トランスデューサ。2. The magnetoresistive transducer according to claim 1, wherein the conductor has a conductor upper structure.
を取っており、空気ベアリング表面から見たときは、狭
いテーパ上のプロファイルを有することを特徴とする請
求項1または2記載の磁気抵抗トランスデューサ。3. The conductor has an L-shaped configuration when viewed from above and has a narrow taper profile when viewed from the air bearing surface. Magnetoresistive transducer as described.
ないし5μmの幅の前記磁気抵抗エレメントに重なるL
字状の追加の部分比較的狭いリード部分を含むことを特
徴とする請求項3記載の磁気抵抗トランスデューサ。4. The conductor is 5 μm to 25 μm of 2 μm
L overlying the magnetoresistive element with a width of .about.
Magnetoresistive transducer according to claim 3, characterized in that it comprises an additional portion of a letter-shape and a relatively narrow lead portion.
徴とする磁気抵抗トランスデューサ: (a)少なくとも1つの磁気抵抗エレメント; (b)電流を前記磁気抵抗エレメントとの間で運ぶ少な
くとも2つの導体:前記少なくとも2つの導体はわずか
に離間した状態で最小の領域を覆うように配置され、ト
ランスデューサの活性領域を定義されたトラック区域に
限定する。5. A magnetoresistive transducer comprising the following (a) and (b): (a) at least one magnetoresistive element; (b) carrying an electric current with the magnetoresistive element. At least two conductors: The at least two conductors are arranged slightly apart to cover a minimum area, limiting the active area of the transducer to a defined track area.
看板形状のセンサを形成することを特徴とする請求項5
記載の磁気抵抗トランスデューサ。6. The transducer forms a spiral signboard shaped sensor of a barber shop.
Magnetoresistive transducer as described.
構成することを特徴とする請求項5記載の磁気抵抗トラ
ンスデューサ。7. A magnetoresistive transducer according to claim 5, comprising a SAL biased transducer.
徴とする双ストライプ磁気抵抗トランスデューサ: (a)少なくとも2つの磁気抵抗エレメント; (b)前記磁気抵抗エレメントとの間で電流を運ぶ導体
対:前記導体対は互いに重なり合うように配置される。8. A double-stripe magnetoresistive transducer characterized by comprising the following (a) and (b): (a) at least two magnetoresistive elements; (b) a current flowing between the magnetoresistive elements. A conductor pair carrying the conductors: the conductor pairs are arranged so as to overlap one another.
り合っていることを特徴とする請求項8記載の磁気抵抗
トランスデューサ。9. The magnetoresistive transducer of claim 8 wherein each said pair of conductors has the same area and is overlapping.
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Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05166137A (en) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Hitachi Ltd | Magnetic head and recording/reproducing device |
JP2662334B2 (en) * | 1992-01-28 | 1997-10-08 | ティーディーケイ株式会社 | Thin film magnetic head |
EP0896324B1 (en) * | 1992-08-25 | 2002-11-27 | Seagate Technology LLC | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
TW248602B (en) * | 1994-05-31 | 1995-06-01 | Ibm | Magnetoresistive head with asymmetric leads |
US5935453A (en) * | 1995-11-16 | 1999-08-10 | International Business Machines Corporation | MR sensor having end regions with planar sides |
US5847904A (en) * | 1995-12-08 | 1998-12-08 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Magnetoresistive device incorporating conductor geometry providing substantially uniform current flow for improved magnetic stability |
US5930062A (en) * | 1996-10-03 | 1999-07-27 | Hewlett-Packard Company | Actively stabilized magnetoresistive head |
US5766780A (en) * | 1996-10-15 | 1998-06-16 | Seagate Technology, Inc. | Reversed order NIMN exchange biasing for dual magnetoresistive heads |
US5721008A (en) * | 1996-10-15 | 1998-02-24 | Seagate Technology, Inc. | Method for controlling sensor-to-sensor alignment and material properties in a dual magnetoresistive sensor |
US9218831B1 (en) * | 2014-09-17 | 2015-12-22 | HGST Netherlands B.V. | Side-by-side magnetic multi-input multi-output (MIMO) read head |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3860965A (en) * | 1973-10-04 | 1975-01-14 | Ibm | Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection |
US4012781A (en) * | 1975-08-14 | 1977-03-15 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read head assembly for servo operation |
US4438470A (en) * | 1981-07-20 | 1984-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic head of magnetic reluctance effect type and a method for making the same |
JPS5845619A (en) * | 1981-09-09 | 1983-03-16 | Hitachi Ltd | Magneto-resistance effect type thin film magnetic head |
JPS6018811A (en) * | 1983-07-08 | 1985-01-30 | Nec Corp | Magneto-resistance effect head |
JPS6161217A (en) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | Nec Kansai Ltd | Thin film magnetic head |
JPH02187912A (en) * | 1989-01-13 | 1990-07-24 | Fujitsu Ltd | Magneto-resistance effect type playback head |
JPH03203012A (en) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nec Kansai Ltd | Magneto-resistance effect type head |
US5084794A (en) * | 1990-03-29 | 1992-01-28 | Eastman Kodak Company | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
JPH03283477A (en) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Ltd | Magnetoresistance effect element and manufacture thereof |
-
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- 1992-06-05 US US07/894,394 patent/US5309304A/en not_active Expired - Lifetime
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