JPH0660335A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0660335A JPH0660335A JP21497892A JP21497892A JPH0660335A JP H0660335 A JPH0660335 A JP H0660335A JP 21497892 A JP21497892 A JP 21497892A JP 21497892 A JP21497892 A JP 21497892A JP H0660335 A JPH0660335 A JP H0660335A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、磁気抵
抗効果素子の放熱を効果的に行うことである。 【構成】磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上
面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁さ
れて配置され、また、その一部１ｂに高熱伝導率の物質
３が接合され、また、その一部１ｂにペルチェ効果が大
である異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４
ａが連接され、また、この異種の金属膜または半導体膜
４，４′への電流の供給を、磁気抵抗効果素子１へセン
ス電流を供給する引き出し導体２ａ，２ｂと共有するよ
うにしたものである。
抗効果素子の放熱を効果的に行うことである。 【構成】磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上
面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁さ
れて配置され、また、その一部１ｂに高熱伝導率の物質
３が接合され、また、その一部１ｂにペルチェ効果が大
である異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４
ａが連接され、また、この異種の金属膜または半導体膜
４，４′への電流の供給を、磁気抵抗効果素子１へセン
ス電流を供給する引き出し導体２ａ，２ｂと共有するよ
うにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置な
どに用いられる薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドに関するものである。
どに用いられる薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気ディスク装置の小型化、大容量化に伴い、高性能な
磁気ヘッドが要求されている。この要求を満足するもの
として、記録媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁
気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が注目されている。
磁気ディスク装置の小型化、大容量化に伴い、高性能な
磁気ヘッドが要求されている。この要求を満足するもの
として、記録媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁
気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が注目されている。
【０００３】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
概要は、図５に示すような構造となっていた。この図に
おいて、１０は矩形の磁気抵抗効果素子、１１，１１は
この磁気抵抗効果素子１０の両端部に所定間隔を置いて
接合し、磁気抵抗効果素子１０にセンス電流Ｊを流すた
めの引き出し導体である。
概要は、図５に示すような構造となっていた。この図に
おいて、１０は矩形の磁気抵抗効果素子、１１，１１は
この磁気抵抗効果素子１０の両端部に所定間隔を置いて
接合し、磁気抵抗効果素子１０にセンス電流Ｊを流すた
めの引き出し導体である。
【０００４】前記磁気抵抗効果素子１０とこれに接合し
た引き出し導体１１，１１は、２つの磁気シールド１２
ａ，１２ｂ間（再生ギャップに相当）に、図示しない非
磁性絶縁層で電気的に絶縁されて配置されている。
た引き出し導体１１，１１は、２つの磁気シールド１２
ａ，１２ｂ間（再生ギャップに相当）に、図示しない非
磁性絶縁層で電気的に絶縁されて配置されている。
【０００５】センス電流Ｊは前記引き出し導体１１，１
１を通して磁気抵抗効果素子１０に流れ、引き出し導体
１１，１１によって画定された長方形の信号検出領域１
０ａに流れる。そして、磁気抵抗効果素子１０は、図示
しない磁気記録媒体からの信号磁界を前記信号検出領域
１０ａで受けて、抵抗変化として検知している。
１を通して磁気抵抗効果素子１０に流れ、引き出し導体
１１，１１によって画定された長方形の信号検出領域１
０ａに流れる。そして、磁気抵抗効果素子１０は、図示
しない磁気記録媒体からの信号磁界を前記信号検出領域
１０ａで受けて、抵抗変化として検知している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の磁気抵
抗効果型ヘッドでは、センス電流Ｊが磁気抵抗効果素子
１０に流れることにより発生する熱が充分放熱されず、
磁気抵抗効果素子１０が加熱されてついには溶断に至
る、という問題があった。この発明は、磁気抵抗効果素
子から発生する熱を効率良く放熱し、あるいは冷却し
て、磁気抵抗効果素子の加熱による溶断を防ぐようにし
た磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
としたものである。
抗効果型ヘッドでは、センス電流Ｊが磁気抵抗効果素子
１０に流れることにより発生する熱が充分放熱されず、
磁気抵抗効果素子１０が加熱されてついには溶断に至
る、という問題があった。この発明は、磁気抵抗効果素
子から発生する熱を効率良く放熱し、あるいは冷却し
て、磁気抵抗効果素子の加熱による溶断を防ぐようにし
た磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘ
ッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間
に絶縁されて配置されていることを特徴とする磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドとしたものである。
達成するために、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘ
ッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間
に絶縁されて配置されていることを特徴とする磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドとしたものである。
【０００８】また、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体間２ａ，２
ｂに絶縁されて配置されると共に、このように配置され
た磁気抵抗効果素子１の一部１ｂに高熱伝導率の物質３
が接合されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドとしたものである。
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体間２ａ，２
ｂに絶縁されて配置されると共に、このように配置され
た磁気抵抗効果素子１の一部１ｂに高熱伝導率の物質３
が接合されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドとしたものである。
【０００９】また、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ
間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大であ
る異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと
接合されて配置されていることを特徴とする磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドとしたものである。
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ
間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大であ
る異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと
接合されて配置されていることを特徴とする磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドとしたものである。
【００１０】また、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ
間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大であ
る異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと
接合されて配置され、この異種の金属膜または半導体膜
４，４′への電流の供給を、磁気抵抗効果素子１へセン
ス電流Ｊを供給する引き出し導体２ａ，２ｂと共有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとした
ものである。
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ
間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大であ
る異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと
接合されて配置され、この異種の金属膜または半導体膜
４，４′への電流の供給を、磁気抵抗効果素子１へセン
ス電流Ｊを供給する引き出し導体２ａ，２ｂと共有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとした
ものである。
【００１１】
【作用】この発明のように、磁気抵抗効果素子１の一部
１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２
ａ，２ｂ間に絶縁されて配置され、また、ヘッド浮上面
１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁され
て配置されると共に、このように配置された磁気抵抗効
果素子１の一部１ｂに高熱伝導率の物質３が接合される
ことによって、センス電流によって磁気抵抗効果素子１
に発生する熱を、その一部１ｂあるいはその一部１ｂに
接合した高熱伝導率の物質３から放熱させることによっ
て、磁気抵抗効果素子１の温度上昇を小さくすることが
でき、磁気抵抗効果素子１の加熱による溶断を防ぐこと
ができる。
１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２
ａ，２ｂ間に絶縁されて配置され、また、ヘッド浮上面
１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁され
て配置されると共に、このように配置された磁気抵抗効
果素子１の一部１ｂに高熱伝導率の物質３が接合される
ことによって、センス電流によって磁気抵抗効果素子１
に発生する熱を、その一部１ｂあるいはその一部１ｂに
接合した高熱伝導率の物質３から放熱させることによっ
て、磁気抵抗効果素子１の温度上昇を小さくすることが
でき、磁気抵抗効果素子１の加熱による溶断を防ぐこと
ができる。
【００１２】また、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ
間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大であ
る異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと
接合されて配置されることによって、センス電流によっ
て磁気抵抗効果素子１に発生する熱をその一部１ｂに伝
導させ、さらにその一部１ｂに伝導した熱を、ペルチェ
効果が大である異種の金属膜または半導体膜４，４′の
接合部４ａで強制的に冷却して、磁気抵抗効果素子１の
温度上昇を小さくすることができ、磁気抵抗効果素子１
の加熱による溶断を防ぐことができる。
ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ
間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大であ
る異種の金属膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと
接合されて配置されることによって、センス電流によっ
て磁気抵抗効果素子１に発生する熱をその一部１ｂに伝
導させ、さらにその一部１ｂに伝導した熱を、ペルチェ
効果が大である異種の金属膜または半導体膜４，４′の
接合部４ａで強制的に冷却して、磁気抵抗効果素子１の
温度上昇を小さくすることができ、磁気抵抗効果素子１
の加熱による溶断を防ぐことができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの各実施例を図面とともに説明する。図１はこの発
明の第一の実施例の概略図であり、１はNiFe膜からなる
磁気抵抗効果素子で、その両端部にAu膜などからなる引
き出し導体２ａ，２ｂが接合され、前記磁気抵抗効果素
子１とこれに接合した引き出し導体２ａ，２ｂは、図示
しない２つの磁気シールド間（再生ギャップに相当）
に、図示しない非磁性絶縁層で電気的に絶縁されて配置
されており、センス電流Ｊは前記引き出し導体２ａ，２
ｂを通して、引き出し導体２ａ，２ｂによって画定され
た長方形の信号検出領域１ａに流れる。そして、磁気抵
抗効果素子１は、図示しない磁気記録媒体からの信号磁
界を前記信号検出領域１ａで受けて、抵抗変化として検
知している点は、従来例と同じである。
ッドの各実施例を図面とともに説明する。図１はこの発
明の第一の実施例の概略図であり、１はNiFe膜からなる
磁気抵抗効果素子で、その両端部にAu膜などからなる引
き出し導体２ａ，２ｂが接合され、前記磁気抵抗効果素
子１とこれに接合した引き出し導体２ａ，２ｂは、図示
しない２つの磁気シールド間（再生ギャップに相当）
に、図示しない非磁性絶縁層で電気的に絶縁されて配置
されており、センス電流Ｊは前記引き出し導体２ａ，２
ｂを通して、引き出し導体２ａ，２ｂによって画定され
た長方形の信号検出領域１ａに流れる。そして、磁気抵
抗効果素子１は、図示しない磁気記録媒体からの信号磁
界を前記信号検出領域１ａで受けて、抵抗変化として検
知している点は、従来例と同じである。
【００１４】この発明が従来例と相違する点は、前記磁
気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反
対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に、図示しない絶縁
層で絶縁されて配置されている点である。
気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反
対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に、図示しない絶縁
層で絶縁されて配置されている点である。
【００１５】前記のように構成することにより、センス
電流Ｊは磁気抵抗効果素子１を流れ、それによってこの
磁気抵抗効果素子１で発熱する熱は、前記磁気抵抗効果
素子１の一部１ｂに伝導し、さらに、図示しない絶縁層
および磁気シールド層に伝導して放熱されるため、磁気
抵抗効果素子１の温度上昇が抑えられる。
電流Ｊは磁気抵抗効果素子１を流れ、それによってこの
磁気抵抗効果素子１で発熱する熱は、前記磁気抵抗効果
素子１の一部１ｂに伝導し、さらに、図示しない絶縁層
および磁気シールド層に伝導して放熱されるため、磁気
抵抗効果素子１の温度上昇が抑えられる。
【００１６】図２はこの発明の第二の実施例の概略図で
あり、前記第一の実施例と相違する点は、磁気抵抗効果
素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引
き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁されて配置されると共
に、このように配置された磁気抵抗効果素子１の一部１
ｂに、アルミ、金、銅などの高熱伝導率の物質３が接合
されている点である。
あり、前記第一の実施例と相違する点は、磁気抵抗効果
素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引
き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁されて配置されると共
に、このように配置された磁気抵抗効果素子１の一部１
ｂに、アルミ、金、銅などの高熱伝導率の物質３が接合
されている点である。
【００１７】前記のように構成することにより、センス
電流Ｊは磁気抵抗効果素子１を流れ、それによってこの
磁気抵抗効果素子１で発熱する熱は、前記磁気抵抗効果
素子１の一部１ａから高熱伝導率の物質３に伝導し、さ
らに、図示しない絶縁層および磁気シールド層に伝導し
て放熱されるため、磁気抵抗効果素子１の温度上昇が抑
えられる。
電流Ｊは磁気抵抗効果素子１を流れ、それによってこの
磁気抵抗効果素子１で発熱する熱は、前記磁気抵抗効果
素子１の一部１ａから高熱伝導率の物質３に伝導し、さ
らに、図示しない絶縁層および磁気シールド層に伝導し
て放熱されるため、磁気抵抗効果素子１の温度上昇が抑
えられる。
【００１８】図３はこの発明の第三の実施例の概略図で
あり、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面
１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁され
て配置され、かつ、ペルチェ効果が大である異種の金属
膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと接合されて配
置されており、この異種の金属膜または半導体膜４，
４′は、図３の（ｂ）の側面図で示すように、絶縁層５
を介して積層され、前記接合部４ａと反対側の異種の金
属膜または半導体膜４，４′に接続された引き出し導体
６ａ，６ｂから電流が供給されるようになっている。
あり、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面
１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁され
て配置され、かつ、ペルチェ効果が大である異種の金属
膜または半導体膜４，４′の接合部４ａと接合されて配
置されており、この異種の金属膜または半導体膜４，
４′は、図３の（ｂ）の側面図で示すように、絶縁層５
を介して積層され、前記接合部４ａと反対側の異種の金
属膜または半導体膜４，４′に接続された引き出し導体
６ａ，６ｂから電流が供給されるようになっている。
【００１９】ここで、ペルチェ効果とは異種の金属また
は半導体の接合面を通じて電流が流れたとき、その接合
面が冷却される現象をいう。この異種の半導体膜４，
４′としては、たとえばBi2Te3に５〜２５％のSb2Te3を
固溶させたＰ型半導体とBi2Te3に５〜２５％のBi2Se3を
固溶させたＮ型半導体などがある。このようなＰ型半導
体とＮ型半導体の接合部４ａの最大温度変化は約７０℃
となる。したがって、磁気抵抗効果素子１で発生した熱
は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合部４ａで冷却され
て、磁気抵抗効果素子１の温度上昇が抑えられる。
は半導体の接合面を通じて電流が流れたとき、その接合
面が冷却される現象をいう。この異種の半導体膜４，
４′としては、たとえばBi2Te3に５〜２５％のSb2Te3を
固溶させたＰ型半導体とBi2Te3に５〜２５％のBi2Se3を
固溶させたＮ型半導体などがある。このようなＰ型半導
体とＮ型半導体の接合部４ａの最大温度変化は約７０℃
となる。したがって、磁気抵抗効果素子１で発生した熱
は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合部４ａで冷却され
て、磁気抵抗効果素子１の温度上昇が抑えられる。
【００２０】図４はこの発明の第四の実施例の概略図で
あり、前記第三の実施例と相違する点は、ペルチェ効果
が大である異種の金属膜または半導体膜４，４′への電
流の供給を、前記接合部４ａと反対側の異種の金属膜ま
たは半導体膜４，４′に接続された引き出し導体６ａ，
６ｂを、磁気抵抗効果素子１へセンス電流を供給する引
き出し導体２ａ，２ｂに接続して行うようにしたもので
ある。
あり、前記第三の実施例と相違する点は、ペルチェ効果
が大である異種の金属膜または半導体膜４，４′への電
流の供給を、前記接合部４ａと反対側の異種の金属膜ま
たは半導体膜４，４′に接続された引き出し導体６ａ，
６ｂを、磁気抵抗効果素子１へセンス電流を供給する引
き出し導体２ａ，２ｂに接続して行うようにしたもので
ある。
【００２１】
【発明の効果】この発明のように、磁気抵抗効果素子の
一部が、ヘッド浮上面と反対の面の引き出し導体間に絶
縁されて配置され、また、ヘッド浮上面と反対の面の引
き出し導体間に絶縁されて配置されると共にこのように
配置された磁気抵抗効果素子の一部に高熱伝導率の物質
が接合されることによって、磁気抵抗効果素子に発生し
た熱は、その一部またはその一部に接合された高熱伝導
率の物質から放熱されて、磁気抵抗効果素子の温度上昇
を小さくすることができ、磁気抵抗効果素子の加熱によ
る溶断を防ぐことができる。
一部が、ヘッド浮上面と反対の面の引き出し導体間に絶
縁されて配置され、また、ヘッド浮上面と反対の面の引
き出し導体間に絶縁されて配置されると共にこのように
配置された磁気抵抗効果素子の一部に高熱伝導率の物質
が接合されることによって、磁気抵抗効果素子に発生し
た熱は、その一部またはその一部に接合された高熱伝導
率の物質から放熱されて、磁気抵抗効果素子の温度上昇
を小さくすることができ、磁気抵抗効果素子の加熱によ
る溶断を防ぐことができる。
【００２２】また、磁気抵抗効果素子の一部が、ヘッド
浮上面と反対の面の引き出し導体間に絶縁されて配置さ
れ、かつ、ペルチェ効果が大である異種の金属膜または
半導体膜の接合部と接合されて配置されることによっ
て、磁気抵抗効果素子に発生した熱は、前記異種の金属
膜または半導体膜の接合部の冷却によって、磁気抵抗効
果素子を強制的に冷却して、磁気抵抗効果素子の温度上
昇を小さくすることができる。
浮上面と反対の面の引き出し導体間に絶縁されて配置さ
れ、かつ、ペルチェ効果が大である異種の金属膜または
半導体膜の接合部と接合されて配置されることによっ
て、磁気抵抗効果素子に発生した熱は、前記異種の金属
膜または半導体膜の接合部の冷却によって、磁気抵抗効
果素子を強制的に冷却して、磁気抵抗効果素子の温度上
昇を小さくすることができる。
【図１】この発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの第
一の実施例の概略図である。
一の実施例の概略図である。
【図２】この発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの第
二の実施例の概略図である。
二の実施例の概略図である。
【図３】この発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの第
三の実施例の概略図である。
三の実施例の概略図である。
【図４】この発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの第
四の実施例の概略図である。
四の実施例の概略図である。
【図５】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの概要図
である。
である。
１ 磁気抵抗効果素子 １ａ 信号検出領域 １ｂ 一部 １ｃ ヘッド浮上面 ２ａ 引き出し導体 ２ｂ 引き出し導体 ３ 高熱伝導率の物質 ４ 異種の金属膜または半導体膜 ４′ 異種の金属膜または半導体膜 ４ａ 接合部 ５ 絶縁層 ６ａ 引き出し導体 ６ｂ 引き出し導体 １０ 磁気抵抗効果素子 １０ａ 信号検出領域 １１ 引き出し導体 １２ａ 磁気シールド １２ｂ 磁気シールド
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子（１）の一部（１ｂ）
が、ヘッド浮上面（１ｃ）と反対の面の引き出し導体
（２ａ，２ｂ）間に絶縁されて配置されていることを特
徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子（１）の一部（１ｂ）
が、ヘッド浮上面（１ｃ）と反対の面の引き出し導体
（２ａ，２ｂ）間に絶縁されて配置されると共に、この
ように配置された磁気抵抗効果素子（１）の一部（１
ｂ）に高熱伝導率の物質（３）が接合されていることを
特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果素子（１）の一部（１ｂ）
が、ヘッド浮上面（１ｃ）と反対の面の引き出し導体間
（２ａ，２ｂ）に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ
効果が大である異種の金属膜または半導体膜（４，
４′）の接合部（４ａ）と接合されて配置されているこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果素子（１）の一部（１ｂ）
が、ヘッド浮上面（１ｃ）と反対の面の引き出し導体間
（２ａ，２ｂ）に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ
効果が大である異種の金属膜または半導体膜（４，
４′）の接合部（４ａ）と接合されて配置され、この異
種の金属膜または半導体膜（４，４′）への電流の供給
を、磁気抵抗効果素子（１）へセンス電流を供給する引
き出し導体（２ａ，２ｂ）と共有することを特徴とする
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21497892A JPH0660335A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21497892A JPH0660335A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660335A true JPH0660335A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16664699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21497892A Withdrawn JPH0660335A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6987650B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-01-17 | Headway Technologies, Inc. | Device with thermoelectric cooling |
| US7525772B2 (en) | 2005-03-16 | 2009-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive device, magnetic reproducing head, and magnetic information reproducing apparatus |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP21497892A patent/JPH0660335A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6987650B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-01-17 | Headway Technologies, Inc. | Device with thermoelectric cooling |
| US7525772B2 (en) | 2005-03-16 | 2009-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive device, magnetic reproducing head, and magnetic information reproducing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |