JPH0659004A

JPH0659004A - 走査表面磁気顕微鏡

Info

Publication number: JPH0659004A
Application number: JP4212587A
Authority: JP
Inventors: Yukio Honda; 幸雄本多; Sumio Hosaka; 純男保坂; Masaaki Futamoto; 正昭二本
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-08-10
Filing date: 1992-08-10
Publication date: 1994-03-04
Anticipated expiration: 2016-03-05
Also published as: JP3141555B2

Abstract

(57)【要約】【目的】原子間力やトンネル電流を利用して試料表面
の位置を正確に検出し、同一場所の試料面上の磁気抵抗
の変化を検出することにより磁気情報を計測する走査磁
気顕微鏡およびその類似装置を提供することにある。【構成】強磁性尖針１を有する可撓性のカンチレバー
２、前記強磁性尖針１の一端に磁気抵抗素子１３を配置
し、その磁気抵抗を検出する手段、前記磁気抵抗の変化
を検出する手段、カンチレバー２の変位を検出する手
段、カンチレバー２の変位を一定に保つように強磁性探
針１の位置を制御する手段、強磁性探針１を試料３表面
に沿って走査する手段、カンチレバー１の変位、磁気抵
抗の変化を走査位置ごとに表示する手段とを有する構造
とする。【効果】原子間力やトンネル電流を利用して試料表面
の位置を正確に検出し、同一場所の試料面上の磁気抵抗
の変化を検出することにより磁気情報を計測することが
出来、試料表面から一定の距離における磁気情報を検出
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性試料表面の磁気情
報を計測するのに好適な顕微鏡装置およびその類似装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術である走査トンネル顕微鏡は、
探針と試料間に電圧を印加し、探針と試料との距離を接
近したときに得られるトンネル電流および電界放射電流
を利用して導体試料の表面形態を調べる装置である。

【０００３】一方、原子間力顕微鏡は導体、絶縁体試料
に探針を接近したときに発生する原子間力を利用して表
面状態を調べる装置である。原子間顕微鏡は、米国特許
第802123号(特開昭62-130302号)に基づいて実現されて
おり、その実現例はジャーナル.オブ.フィジックス誌、
1987年、第61巻、4723頁から4729頁に記載されている。

【０００４】一方、磁気力顕微鏡は、探針として磁性体
を用い、この磁性探針と磁性試料の表面に漏洩した磁界
の間に発生する磁気力を利用して試料の磁化状態を調べ
る装置である。従来、磁性探針と試料を接近して得られ
る磁気力を利用した走査型磁気力顕微鏡における試料の
磁気情報の取得方法については、ジャーナル.オブ.バキ
ュームサイエンステクノロジー A6 (1988年) 279
頁から282頁、あるいはアプライドフィジックスレ
ターズ第50巻 (1987年) 第1455頁から第1457頁におい
て論じられている。

【０００５】これら原子間力顕微鏡や磁気力顕微鏡の動
作モードは、大別して2つの方式がある。第1の方式は、
カンチレバー先端の探針を試料表面に原子間力の作用す
る領域(表面から数十nm以下)で走査し、力の変化の直流
成分を検出して試料表面の形態や磁気力分布を計測す
る。第2の方式は、カンチレバーを共振周波数近傍で加
振し、探針に働く力によるカンチレバーの共振周波数の
変化を検出し、力の勾配を計測する。この場合、探針は
試料表面から数十nmから数百nm離れた領域で微小振幅で
試料面に対して垂直方向に振動させながら動作する。

【０００６】上記した磁気情報検出方式には幾つかの欠
点がある。磁気力顕微鏡において力の直流成分を検出す
る方式では、探針と試料間に作用する磁気力が小さいた
めに原子間力の作用による試料の表面構造との分離がし
にくい欠点がある。

【０００７】磁性試料表面の漏洩磁界による磁気抵抗素
子の磁気抵抗の変化を検出する方式は、磁気ディスク装
置において再生ヘッドの一方式として用いられている。
磁気抵抗素子を用いた従来の再生ヘッドでは、試料表面
の磁界を感知する磁気抵抗素子部が大きいため、サブミ
クロンオーダ以下の微小部の磁気情報の検出が出来なか
った。また高分解能、高感度の磁気情報を検出するため
に磁気情報の感知部である磁気抵抗素子を数十ｎｍオー
ダまで接近して計測することが出来なかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、探
針に働く磁気力または磁気力勾配を一定に保つように探
針の位置を制御することにより、試料表面の漏洩磁界の
分布を計測できる。しかし、磁気と形態の情報が混在し
て計測されるため、真の磁気情報の予測が困難である。
一方、磁気抵抗素子を用いた従来の再生ヘッドでは、磁
気記録試料表面の漏洩磁界の検出は出来るが、磁性試料
表面の磁区構造などの磁気情報を高分解能で計測するこ
とは出来なかった。

【０００９】本発明の目的は、原子間力やトンネル電流
を利用して試料表面の位置を正確に検出し、同一場所の
試料面上の磁気抵抗の変化を検出することにより磁気情
報を計測する走査磁気顕微鏡およびその類似装置を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては強磁性尖針をカンチレバーの先端
に設ける手段、該強磁性尖針の一端に磁気抵抗素子を配
置する手段、該カンチレバーの変位を検出する手段、磁
気抵抗の変化を検出する手段、カンチレバーを特定の周
波数で加振する手段、前記特定の周波数成分のカンチレ
バーの変位と磁気抵抗の変化を検出する手段、探針を試
料面に沿って走査する手段を設け、カンチレバーの変位
より強磁性尖針の位置を試料表面上一定の高さに保持
し、同時に磁気抵抗の変化より磁気情報を測定すること
により解決した。

【００１１】

【作用】カンチレバーの先端に設けた強磁性尖針を試料
表面に接近すると、まず引力が作用し、さらに接近する
と引力の原子間力によりカンチレバーが撓む。該カンチ
レバーの撓みによる変位をレーザ光を利用した位置検出
手段やトンネル電流を利用した位置検出手段等により計
測する。該カンチレバーの直流的または交流的な変位を
測定し、探針に作用する力が一定になるように、すなわ
ち該カンチレバーの変位が一定になるように、試料ある
いは探針のｚ軸（試料面に垂直の軸）の位置を制御する
ことにより試料の表面構造の計測、さらには探針を試料
表面から一定の高さに保持する。この場合、試料と探針
の間に静電バイアスを印加することにより探針と試料間
の距離を制御することも可能である。

【００１２】また、強磁性尖針と試料表面の間のトンネ
ル電流を一定になるように試料あるいは探針のｚ軸（試
料面に垂直の軸）の位置を制御することにより、試料の
表面構造の計測、さらには探針を試料表面から一定の高
さに保持することも可能である。

【００１３】これと同時に、試料表面の磁界に反応した
強磁性尖針の一端の磁界変化を、該強磁性尖針の一端に
接して、または近接して配置した磁気抵抗素子の抵抗変
化として検出する。

【００１４】該カンチレバーの変位を一定に保つように
試料あるいは探針のｚ軸の位置を制御すると同時に、該
磁気抵抗の変化を計測することにより、試料の表面情
報、試料表面から一定距離における磁気情報を計測でき
る。この時、カンチレバーを加振し、強磁性探針を試料
面に垂直方向（ｚ軸方向）、または平行の方向に振動す
ることにより、試料面に対して垂直、あるいは平行な向
きの磁界勾配として、交流的な磁気抵抗の変化率から高
いＳ／Ｎ比（信号とノイズの割合）で検出できる。また
磁気抵抗の変化を一定に保つように試料、あるいは探針
をｚ軸方向に制御しても良い。

【００１５】該強磁性尖針は、単結晶線またはスパッタ
リング法や真空蒸着法などの物理蒸着法で形成した薄膜
を用いても良い。強磁性尖針は、軟磁性体または硬磁性
体のいずれでもよい。探針、および試料表面は導電性材
料で構成することが望ましいが、絶縁体でも良い。カン
チレバーの変位検出方式としては、光てこ方式、光干渉
方式、静電容量方式、光臨界角方式、トンネル電流検出
方式等を採用することにより実現できる。また該強磁性
尖針の一端に励磁用コイルなどを配置し、強磁性尖針の
先端から発生した磁界を利用して磁性試料表面に磁気情
報の記録に用いることも可能である。

【００１６】

【実施例】図１は、本発明の基本的な装置の構成を説明
する図である。先端に磁性尖針１を備えたカンチレバー
２を試料３の表面に接近すると、試料と磁性尖針１の間
に作用した原子間力、または磁気力によりカンチレバー
２が撓む。この撓みによるカンチレバー２の変位を光て
こ方式検出器により検出する機能を有する。光てこ方式
検出器は、レーザ源４、位置センサ５、位置検出器６か
ら構成される。該位置検出器６の出力信号をサーボ制御
回路７に入力し、ＸＹＺスキャナー９のＺ軸圧電素子に
より、カンチレバー２の変位が一定、すなわち磁性尖針
１と試料３の距離が一定になるように制御する。ＸＹ走
査回路８により試料をＸＹ走査し、ＸＹ方向の探針の位
置に対する該Ｚ軸圧電素子の制御信号を表示装置１０に
表示することができる。また該磁性尖針１の試料に対向
する側の一端に磁気抵抗素子１３を配置する。磁気抵抗
素子１３には電流源１１から電極１４を介してバイアス
電流を印加する。該磁気抵抗素子１３は、試料３の磁界
により誘導され、磁性尖針１から発生した漏洩磁界によ
り磁気抵抗の変化を受ける。この磁気抵抗の変化は抵抗
検出回路１２により検出し、該ＸＹ走査回路８と同期し
て表示装置１０に表示することができる。

【００１７】磁気抵抗素子１３の検出感度を向上するた
めに、磁性尖針１を試料１の面に対して垂直、もしくは
水平方向に加振、振動させて動作する。具体的な一例を
図２により説明する。カンチレバー２およびその指示台
を圧電素子１５のような加振用部品の上に固定する。該
圧電素子１５は発振器１６により特定の周波数の電圧を
印加され、それによりカンチレバー２は加振される。こ
の加振周波数は、数十Ｈｚから数メガＨｚの任意の周波
数で良いが、カンチレバー２の機械的な共振周波数が望
ましい。カンチレバー２の振動により磁性尖針１は試料
３の表面に対して垂直（Ｚ軸）方向に振動し、その結
果、Ｚ軸方向の磁界変化による磁気抵抗の変化が磁気抵
抗素子１３に生じ、これを抵抗検出回路１２により検出
する。この時、発振器１６により発生した周波数と同じ
か、もしくは近傍の特定の周波数成分の抵抗変化のみを
ロックインアンプ１７などにより選択して検出する。こ
れにより磁気抵抗の変化を前記の方式に比べて約十倍感
度良く検出が可能となる。またＳ／Ｎ（信号／ノイズ
比）も向上できる。該ロックインアンプ１７の出力信号
をＸＹ走査回路８の信号と同期させて表示装置１０に表
示する。

【００１８】この時、磁性尖針１と試料３の表面との距
離は、次の方法で一定の値に保持することができる。第
１の方法は、図１において説明したように加振されたカ
ンチレバー２の変位を光てこ方式により検出し、カンチ
レバー２の変位を一定に保持するように試料３のＺ軸圧
電素子を制御する方式である。第２の方法は、図２に示
したように加振されたカンチレバー２の変位を光てこ方
式により検出し、この信号を低域フィルター１８を通し
て、低周波成分のみによりサーボ制御回路７を動作する
方式である。また第３の方式は、磁性尖針１と試料３の
間にトンネルバイアスを印加する機能を与え、磁性尖針
１と試料３の間のトンネル電流を一定に保つように試
料、もしくは磁性尖針の位置制御する方式を使用するこ
とができる。この場合該磁性尖針、試料表面は導電性を
付与することが必要になる。

【００１９】磁気抵抗素子を備えた磁気情報検出部の一
例を図３により説明する。半導体リソグラフィ技術を応
用して、Ｓｉの微細加工を行い、（酸化珪素）ＳｉＯ₂
や窒化珪素から成るカンチレバー２を作製する。該カン
チレバー２の最先端部にパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）
からなる軟磁性体やＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ基合金から
成る硬磁性体などの強磁性体薄膜を形成し、これを磁性
尖針１とする。この磁性尖針の先端部は集束イオンビー
ムなどで加工して鋭く尖らせることが高分解能の磁気情
報検出のために有効である。カンチレバー１の面を基板
として該磁性尖針１の他の一端側にパーマロイなどから
成る強磁性薄膜を形成することにより、磁気抵抗素子１
３を作製する。磁気抵抗素子１３を作製する際に、特定
の方向に磁場を印加することにより、例えば図３のよう
に磁気異方性１９を付与する。さらに該磁気抵抗素子１
３の両端には、バイアス電流の印加、および磁気抵抗の
変化を検出するための電極１４を設ける。

【００２０】さらに図４のごとく、該磁気抵抗素子１３
により安定な磁気異方性１９を付与するために、該磁気
抵抗素子１３の両側に磁区構造制御膜２１を設けるこも
可能である。該磁区構造制御膜２１は、ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＣｒＴａなどのＣｏ基合金の高保磁力材料が適して
いる。

【００２１】磁性尖針１からの磁界が効率良く磁気抵抗
素子１３に作用するのを促進するために、該磁気抵抗素
子１３を挟んで磁性尖針１と対向する側に補助磁極２０
を設けることもできる。この補助磁極２０はパーマロイ
などの軟磁性材料が適している。

【００２２】磁気抵抗素子１３は、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の
強磁性薄膜の単層膜の他に、Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｆｅ，
Ｎｉあるいはこれらを主成分とする強磁性体とＣｕ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇなどの非磁性材料を積層し
て構成した多層膜を用いても良い。この場合、強磁性膜
および非磁性膜は１原子層の厚さから数十ｎｍの厚さの
範囲に設定し、数層または数十層を積層して構成する。

【００２３】該磁気抵抗素子１３の周囲（磁性尖針に対
向する部分を除く）に非磁性膜を介して磁性体膜を形成
し、被覆することにより試料３からの漏洩磁界が磁気抵
抗素子に直接作用するのを防止することが可能である。

【００２４】また該磁性尖針１の表面にはＣ膜などの非
磁性、導電性膜を形成することにより系をより安定に動
作することが可能である。

【００２５】ここでは磁性尖針１を試料３の面に垂直方
向に加振した例について述べたが、試料面に平行の場合
についても同様の作用が得られることは言うまでもな
い。またカンチレバー２の変位検出には、光てこ方式の
他に、非接触、大面積変位検出方式、即ち、光干渉方
式、静電容量方式、光臨界角方式、あるいはトンネル電
流検出方式などを採用することによっても実現できる。

【００２６】図５は、本発明を磁気記録再生系への応用
例の説明図である。上記したような磁気抵抗素子を用い
た磁気情報の検出系に付加して、カンチレバー２の面に
磁極２２と、これを励磁する手段、例えばコイル２３を
設ける。磁極２２は、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）の
他にＣｏＴａＺｒ，ＣｏＮｂＺｒなどのＣｏ系非晶質合
金、Ｆｅ−Ｃ多層膜などを始めとする高飽和磁束、高透
磁率材料を用いる。この磁極２２は、該磁気抵抗素子１
３と反対の面に形成するのが望ましい。コイル２３への
通電電流の向きを交互に可変することにより、磁極２２
先端部の磁界の向きを変化し、磁極２２の先端からの漏
洩磁束により磁気記録膜２４に磁気情報の記録を行う。
磁気記録情報は、前記したごとく磁性尖針１、磁気抵抗
素子１３などを用いて検出し、再生信号とする。磁気記
録膜２４の表面と磁性尖針１の間の距離は、前記した光
てこ方式などを採用したカンチレバー２の変位検出方法
と同様の手段により制御し、所定の距離に保つことがで
きる。

【００２７】図６は、本発明により面内磁気記録した磁
気記録膜２４表面の磁気情報を検出した一例を示す。検
出信号２５は面内記録した記録ビットの境界において図
示したごとく交互の信号が検出される。この信号を試料
のＸＹ走査に同期して表示装置１０に入力することによ
り磁気情報を画像として表示することが可能である。ま
た検出信号２５は磁気記録再生系における再生信号とし
て処理できることは言うまでもない。同様の動作は垂直
磁気記録した場合にも可能であることは言うまでもな
い。

【００２８】ここでは、試料はＸＹＺスキャナに搭載し
た例について説明したが、試料を磁気ディスクの形とし
て搭載することも可能であり、この場合カンチレバー２
にＸＹＺ方向の走査機能を付加することにより実現でき
る。

【００２９】

【発明の効果】本発明を用いれば、原子間力やトンネル
電流を利用して試料表面の位置を正確に検出し、同一場
所の試料面上の磁気抵抗の変化を検出することにより磁
気情報を計測することが出来、試料表面から一定の距離
における磁気情報を検出できる走査磁気顕微鏡およびそ
の類似装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な装置の構成を説明するブロッ
ク図。

【図２】本発明の高感度検出装置の構成を説明するブロ
ック図。

【図３】磁気抵抗素子を備えた磁気情報検出部の構成を
説明する斜視図。

【図４】磁気抵抗素子を備えた他の磁気情報検出部の構
成を説明する斜視図。

【図５】本発明を磁気記録再生系への応用例の説明図。

【図６】本発明により検出した磁気情報の検出例の説明
図。

【符号の説明】

１・・磁性尖針、２・・カンチレバー、３・・試料、４
・・レーザ源、５・・位置センサ、６・・位置検出回
路、７・・サーボ制御回路、８・・ＸＹ走査回路、９・
・ＸＹＺスキャナー、１０・・表示装置、１１・・電流
源、１２・・抵抗検出器、１３・・磁気抵抗素子、１４
・・電極、１５・・圧電素子、１６・・発振器、１７・
・ロックインアンプ、１８・・低域フィルター、１９・
・磁気異方性、２０・・補助磁極、２１・・磁区構造制
御膜、２２・・磁極、２３・・コイル、２４・・磁気記
録膜、２５・・検出信号。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】(a) 強磁性尖針を有する可撓性のカンチレ
バーと、(b) 前記強磁性尖針の一端に磁気抵抗素子を配
置し、その磁気抵抗を検出する手段と、(c) 前記磁気抵
抗の直流的、または交流的変化を検出する手段と、(d)
前記カンチレバーの変位を検出する手段と、(e) 前記強
磁性探針と試料間のトンネル電流を検出する手段と、
(f) 前記カンチレバーの変位、もしくはトンネル電流を
一定に保つように強磁性探針の位置を制御する手段と、
(g) 前記強磁性探針を試料表面に沿って走査する手段
と、(h) 前記カンチレバーの変位、磁気抵抗の変化を走
査位置ごとに表示する手段とを有することを特徴とする
走査表面磁気顕微鏡。
【請求項２】請求項１において、カンチレバーおよび強
磁性尖針を特定の周波数で加振する手段を有し、前記加
振周波数と同期した選択された特定の周波数成分の磁気
抵抗の変化を検出する手段を有することを特徴とする走
査表面磁気顕微鏡。
【請求項３】請求項１、2のいずれかにおいて、カンチ
レバーおよび強磁性尖針を特定の周波数で加振する手段
を有し、前記加振周波数と同期した選択された特定の周
波数成分の磁気抵抗の変化を一定に保つように強磁性探
針の位置を制御する手段と、前記強磁性探針を試料表面
に沿って走査する手段と、前記磁気抵抗の変化を走査位
置ごとに表示する手段とを有することを特徴とする走査
表面磁気顕微鏡およびその類似装置。
【請求項４】請求項１、2、3のいずれかにおいて、強磁
性尖針および磁気抵抗素子が薄膜で構成されることを特
徴とする走査表面磁気顕微鏡。
【請求項５】請求項１、2、3、4のいずれかにおいて、
磁気抵抗素子が強磁性体と非磁性体が交互に積層された
薄膜で構成されることを特徴とする走査表面磁気顕微
鏡。
【請求項６】請求項１、2、3、4、5にのいずれかおい
て、強磁性尖針先端の磁界の強さを変化する手段を有
し、該強磁性尖針により試料に磁気情報を記録する手段
を有することを特徴とする走査表面磁気顕微鏡。